JPH03135523A - Photo-photo conversion element and applied device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光−光変換素子と、光−光変換素子を応用して
構成された表示装置や撮像装置等の応用装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a light-to-light conversion element and an applied device such as a display device or an imaging device configured by applying the light-to-light conversion element.
（従来の技術）
表示装置としては従来からスライド投影機のように写真
フィルムを使用したもの、あるいは受像管上に画像信号
を映出するもの、その他、各種の構成形態のものが知ら
れており、また撮像装置としては撮像管や固体撮像素子
を用いて構成したもの等が知られている。(Prior Art) Display devices that use photographic film such as slide projectors, devices that project image signals on picture tubes, and other various configurations have been known for some time. Furthermore, as an imaging device, one constructed using an imaging tube or a solid-state imaging device is known.
（発明が解決しようとする課題）
前記した従来の表示装置では高い解像度を有する画像を
表示できなかったので、高い解像度の画像表示が可能な
表示装置が求められており、また、撮像装置としても高
い解像度を有する撮像装置が求められた。(Problems to be Solved by the Invention) Since the conventional display devices described above were not able to display images with high resolution, there is a need for display devices that can display images with high resolution. There was a need for an imaging device with high resolution.
それで、高解像度の画像が表示できるように。So you can display high resolution images.
光−光変換素子を用いて高解像度の光学像を表示できる
ようにした表示装置や、光−光変換素子を用いて高解像
度の映像信号が発生できる撮像装置が考えられたが、従
来の光−光変換素子では、それの構成に用いるべき光変
調材層部材として、複屈折特性を利用したツィステッド
ネマティック液晶や各種の電気光学結晶を用いて、光変
調材層部材に印加された電界強度に応じて光の偏光面の
傾きの状態が変化するような動作を光変調材層部材に行
わせていたから、光変調材層部材を通過することにより
被写体の光学像と対応する電荷像の電界強度により光の
偏光面の傾きの状態が変化した読出し光を、検光子によ
って光強度の変化している状態の光として取り出すこと
が必要であるために、光学系中に備える偏光子や検光子
の存在によって必然的に効率が低下したり、シェーディ
ングが発生するという欠点があった。Display devices that can display high-resolution optical images using light-to-light conversion elements and imaging devices that can generate high-resolution video signals using light-to-light conversion elements have been considered, but conventional optical - In the light conversion element, twisted nematic liquid crystals or various electro-optic crystals that utilize birefringence characteristics are used as the light modulating material layer member to be used in its construction, and the electric field strength applied to the light modulating material layer member is Since the light modulating material layer member performs an operation in which the state of the inclination of the polarization plane of the light changes according to It is necessary to extract the readout light whose polarization plane has changed in the tilt state by using the analyzer as light whose light intensity has changed. Its presence inevitably led to a reduction in efficiency and the occurrence of shading.
また、前記のように光変調材層部材として、複屈折特性
を利用したツィステッドネマティック液晶や各種の電気
光学結晶を用いた場合には、光変調材層部材による光変
調作用が結晶の光学軸の方向に依存しているために、光
変調材層部材の面の法線以外の方向から読出し光を入射
させると著るしく効率が低下するために、光変調材層部
材への読出し光の入射方向は光変調材層部材の面の法線
方向とされるから１反射型の光−光変換素子においては
入射させた読出し光と、光−光変換素子から出射する読
出し光とが分離できるように、光路中にハーフミラ−１
あるいは偏光ビームスプリッタ等の光学部材を設けるこ
とが行われるが１周知のように前記のような光学部材の
使用は光の利用効率を低下させる他、書込光によって画
像情報が書込まれるようになされるような場合には、書
込み光の漏れが読出されるというようなことも起こる。Furthermore, when a twisted nematic liquid crystal that utilizes birefringence properties or various electro-optic crystals are used as the light modulating material layer member as described above, the light modulating effect of the light modulating material layer member is caused by the optical axis of the crystal. If the readout light is incident from a direction other than the normal to the surface of the light modulation material layer member, the efficiency will drop significantly. Since the direction of incidence is the normal direction of the surface of the light modulating material layer member, in a single-reflection type light-to-light conversion element, the input readout light and the readout light emitted from the light-to-light conversion element can be separated. As shown, there is a half mirror 1 in the optical path.
Alternatively, an optical member such as a polarizing beam splitter may be provided, but as is well known, the use of such an optical member reduces the efficiency of light utilization and also prevents image information from being written by the writing light. In such a case, leakage of writing light may be read out.
さらに、前記した光変調材層部材としてツィステッドネ
マティック液晶層による光変調材層部材が使用された場
合には、スペーサを用いて作ったセルにツィステッドネ
マティック液晶を注入しなければならないという複雑な
工程が必要とされるという欠点がある他に、大型な光−
光変換素子を作る場合には、均一な厚さのツィステッド
ネマティック液晶層による光変調材層部材を構成させる
ことが困難であり、さらにまた、前記した光変調材層部
材として例えばニオブ酸リチウムの単結晶、その他の固
体素子が使用された場合には、半波長電圧が高く、また
、取扱いが容易でない等の問題点があった。Furthermore, when a light modulating material layer member consisting of a twisted nematic liquid crystal layer is used as the light modulating material layer member described above, a complicated process is required in which the twisted nematic liquid crystal must be injected into a cell made using a spacer. In addition to the drawback of the process required, large-scale light-
When producing a light conversion element, it is difficult to construct a light modulating material layer member using a twisted nematic liquid crystal layer with a uniform thickness. When a single crystal or other solid state element is used, there are problems such as a high half-wave voltage and difficulty in handling.
さらにまた光−光変換素子が平面状のものとして構成さ
れている場合には、レーザ光の偏向等の手段により、光
−光変換素子の全面に画像情報の書込みが行われるよう
にするときにｆθレンズ等の複雑な偏向光学系が必要と
される。Furthermore, when the light-to-light conversion element is configured as a planar element, image information may be written on the entire surface of the light-to-light conversion element by means such as deflection of a laser beam. A complex deflection optical system such as an fθ lens is required.
（！１題を解決するための手段）
本発明は所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少
なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変
調材層部材とによって構成した光−光変換素子における
光導電層部材側の電極を通して、撮像や表示の対象にさ
れている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて
、光導電層部材と光変調材層部材との間に前記した表示
の対象にされている情報を含む電磁放射線と対応する電
荷像を生じさせる手段と、＃記の電荷像による電界によ
って前記した光変調材層部材に光に対する散乱の度合い
に変化を生じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における表示の対象にされている情報
を含む電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合い
の変化を読出して表示したり、読出された光学的な情報
を光電変換して出力するようにした表示装置や撮像装置
。(Means for Solving Problem 1) The present invention comprises at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. Electromagnetic radiation containing information to be imaged or displayed is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element, thereby converting the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. a means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed; reading and displaying a change in the degree of scattering of light corresponding to an electromagnetic radiation image containing information to be displayed on the light modulating material layer member using a means for causing a change and electromagnetic radiation; A display device or an imaging device that photoelectrically converts read optical information and outputs it.
及び前記の装置の構成に用いられる光−光変換素子を提
供する。and a light-light conversion element used in the configuration of the above device.
（作用）
光−光変換素子の２つの電極間に電圧を与えて、散乱モ
ードで動作しうる光変調材層部材に電界が加わるように
しておき、また、光−光変換素子における光導電層部材
側の電極を通して、撮像や表示の対象にされている情報
を含む電磁放射線を光導電層部材に与えると、光導電層
部材の電気抵抗値はそれに到達した撮像や表示の対象に
されている情報を含む電磁放射線と対応して変化するた
めに、光導電層部材とそれに接する部材との境界面には
光導電層部材に与えられた撮像や表示の対象にされてい
る情報を含む電磁放射線と対応した電荷像が生じる。(Function) A voltage is applied between the two electrodes of the light-to-light conversion element so that an electric field is applied to the light modulating material layer member that can operate in a scattering mode, and the photoconductive layer in the light-to-light conversion element is When electromagnetic radiation containing information to be imaged or displayed is applied to the photoconductive layer member through an electrode on the member side, the electrical resistance value of the photoconductive layer member is determined to be the object to be imaged or displayed. In order to correspond to the information-containing electromagnetic radiation, the interface between the photoconductive layer member and the member in contact therewith is exposed to the information-containing electromagnetic radiation imparted to the photoconductive layer member for imaging or display. A charge image corresponding to this is generated.
前記の状態において、電源の電圧が印加されている２つ
の電極間に、前記した光導電層部材に対して直列的な関
係に設けられている光変調材層部材には、撮像や表示の
対象にされている情報を含む電磁放射線と対応した電荷
像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。In the above state, the light modulating material layer member provided in series with the photoconductive layer member between the two electrodes to which the voltage of the power source is applied has the object to be imaged or displayed. An electric field with an intensity distribution corresponding to the charge distribution of the charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information set in the image is applied.
この状態で光変調材層部材はそれに印加された電界強度
に対応して光に対する散乱の度合いが変化しているから
、光変調材層部材に読出し光を投射すると、光変調材層
部材を通過する読出し光の透過状態が変化する。In this state, the light modulating material layer member changes the degree of scattering of light in accordance with the electric field strength applied to it, so when readout light is projected onto the light modulating material layer member, it passes through the light modulating material layer member. The transmission state of the readout light changes.
それにより前記した表示の対象にされている情報を含む
電磁放射線に対応した電荷像に従って光量が変化してい
る状態の光として光変調材層部材から出射して、光学像
による表示が行われるようにする。また、光学像を電気
信号に変換して映像信号を出力する。As a result, light is emitted from the light modulating material layer member in a state where the amount of light changes in accordance with the charge image corresponding to the electromagnetic radiation that includes the information to be displayed, and an optical image display is performed. Make it. It also converts the optical image into an electrical signal and outputs a video signal.
表示装置や撮像装置における光−光変換素子に入射させ
るべき読出し用の電磁放射線を、それの主光軸が光−光
変換素子の法線方向とは異なるようにして光−光変換素
子に入射させるようにすることにより、光の利用効率の
向上された装置が構成でき、また５表示装置や撮像装置
における光−光変換素子として光の入射面及び光の出射
面が曲面状に構成されているものを使用することにより
光学系の構成を簡単化できる。Electromagnetic radiation for readout to be made incident on a light-to-light conversion element in a display device or an imaging device is made to enter the light-to-light conversion element in such a way that its main optical axis is different from the normal direction of the light-to-light conversion element. By doing so, it is possible to configure a device with improved light utilization efficiency, and it is also possible to configure a device with a curved light incident surface and a light exit surface as a light-to-light conversion element in a display device or an imaging device. The configuration of the optical system can be simplified by using the following.
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の光−光変換素子と応
用装置の具体的な内容を詳細に説明する。(Example) Hereinafter, specific contents of the light-to-light conversion element and application device of the present invention will be explained in detail with reference to the accompanying drawings.
第１図乃至第７図及び第２０図乃至第２４図は表示装置
の実施例の側面図、第８図乃至第１３図及び第１５図な
らびに第１９図は光−光変換素子の説明に用いられる側
面図、第１４図と第１６図乃至第１８図及び第２５図乃
至第２７図は撮像装置の実施例の側面図である。1 to 7 and 20 to 24 are side views of embodiments of the display device, and FIGS. 8 to 13, 15, and 19 are used to explain the light-to-light conversion element. 14, 16 to 18, and 25 to 27 are side views of embodiments of the imaging device.
第１図に示されている表示装置において、０は被写体、
Ｌは撮像レンズ、 Ｐ Ｐ Ｃｅ （Ｐ Ｐ Ｃｍ ）
は光−光変換素子、ｖｂは電源、ＬＳは光源、Ｌｃはコ
リメーターレンズ、Ｌｐは投影レンズ、Ｓはスクリーン
であって、この第１図に示されている表示装置は被写体
Ｏの光学像を、光−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）におい
て高解像度の電荷像に変換し、さらに、その電荷像を読
出し光によって読出した後に表示させるようにした構成
形態のものである。In the display device shown in FIG. 1, 0 is the subject;
L is an imaging lens, P P Ce (P P Cm)
is a light-light conversion element, vb is a power source, LS is a light source, Lc is a collimator lens, Lp is a projection lens, S is a screen, and the display device shown in FIG. 1 displays an optical image of the object O. is converted into a high-resolution charge image in a light-to-light conversion element PPc (PPm), and the charge image is read out by a readout light and then displayed.
ここで、まず、第８図及び第９図に示されている光−光
変換素子ＰＰＣｅ、すなわち、電荷像によって情報の記
憶動作が行われるようになされている構成形態の光−光
変換素子ＰＰＣｅの構成態様、動作の概要と、第１０図
乃至第１３図に示されている光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃ
ｍ、すなわち、光変調材層部材として用いられている高
分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態によって情報の
記憶動作が行われるようになされている構成形態の光−
光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｍの構成態様、動作の概要とにつ
いて説明する。Here, first of all, the light-to-light conversion element PPCe shown in FIGS. Outline of the configuration and operation of the light-to-light conversion element PPC shown in FIGS. 10 to 13
m, that is, light of a configuration in which information storage operation is performed depending on the alignment state of liquid crystal in a polymer-liquid crystal memory film used as a light modulating material layer member.
The configuration and operation outline of the photoconversion element P P Cm will be explained.
まず、第８図においてＰ Ｐ Ｃａは光−光変換素子、
ｖｂは電源あり、光−光変換素子ＰＰＣｅは透明電極Ｅ
ｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと
、高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複
合膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＬと、透明１
！極Ｅｔ２とを積層した構成態様のものとなされている
（第９図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣも、第
８図中に示されている光−光変換素子と同じ構成層のも
のである）。First, in FIG. 8, P P Ca is a light-light conversion element,
vb has a power supply, and the light-light conversion element PPCe has a transparent electrode E.
tl, a photoconductive layer member PCL, a dielectric mirror DML, a light modulating material layer member HLL constructed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material, and a transparent 1
! (The light-to-light conversion element PPC shown in FIG. 9 also has the same structural layer as the light-to-light conversion element shown in FIG. 8. belongs to).
なお、第８図及び第９図中に示されている光−光変換素
子では、光導電層部材ＰＣＬと、高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光
変調材層部材ＨＬＬとの間に、誘電体ミラーＤＭＬを設
けているが、光導電層部材ＰＣＬが読出し光ＲＬを反射
するとともに、読出し光ＲＬに感度を有しないものであ
れば、誘電体ミラーＤＭＬを省いてもよい、この点は第
１０図乃至第１３図中にＰＰＣｍの図面符号を用いて示
しである光−光変換素子における誘電体ミラーＤＭＬ及
び第１４図乃至第１８図中にＰＰＣｅｐの図面符号を用
いて示しである光−光変換素子における誘電体ミラーＤ
ＭＬについても同様である）。The light-to-light conversion element shown in FIGS. 8 and 9 is constructed using a photoconductive layer member PCL and a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material. A dielectric mirror DML is provided between the photoconductive layer member PCL and the light modulating material layer HLL. The dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element and the dielectric mirror DML in FIGS. 14 to 18 may be omitted. This point is indicated using the drawing code PPCm in FIGS. 10 to 13. A dielectric mirror D in a light-to-light conversion element is shown using a drawing code of PPCep.
The same applies to ML).
ここで、第８図を参照して光−光変換素子ＰＰＣｅにお
ける光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子
一液晶複合膜について説明する。Here, the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL in the light-light conversion element PPCe will be described with reference to FIG.
前記した光変調材層部材ＨＬＬとして使用されている高
分子一液晶複合膜は、例えば、ポリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１０１４Ω
１以上の高分子材料中に、室温において液晶相を示し、
かつ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶を分散
させることによって構成されている。The polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL described above is made of, for example, polyester resin, polycarbonate resin, vinyl chloride resin, polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, silicone resin, etc. Volume resistivity is 1014Ω
exhibiting a liquid crystal phase at room temperature in one or more polymeric materials;
Moreover, it is constructed by dispersing nematic liquid crystal having high volume resistivity.
次に、前記した高分子一液晶複合膜による光変調材層部
材ＨＬＬを用いて構成されている光−光変換素子の製作
例について述べると、（１）英国ＢＤＨ社製の室温ネマ
ティック液晶Ｅ−４４を３グラム計量し、前記した３グ
ラムの室温ネマティック液晶Ｅ−４４を２０グラムのＰ
ＭＭＡのクロロホルム１０％溶液に添加して攪拌した後
に静置する。Next, we will discuss a manufacturing example of a light-light conversion element constructed using the light modulating material layer member HLL made of the polymer-liquid crystal composite film described above. (1) Room temperature nematic liquid crystal E- Weighed 3 grams of E-44, and added 3 grams of room temperature nematic liquid crystal E-44 to 20 grams of P.
It is added to a 10% chloroform solution of MMA, stirred, and left to stand still.
一方の面に透明電極Ｅｔ２として例えばＩＴＯの膜を形
成させたガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略
されている）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけ
るＩＴＯ膜による透明電極Ｅｔｚ上に、前記のように静
置しておいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液を
バーコータによって塗布して高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＨＬＬｔｉ−構成させる。A glass plate (not shown in FIGS. 8 and 9) on which a film of, for example, ITO is formed as a transparent electrode Et2 on one surface is thoroughly cleaned, and On the electrode Etz, a chloroform solution of PMMA containing the liquid crystal left as described above is applied using a bar coater to form a light modulating material layer member HLLti- of a polymer-liquid crystal composite film.
前記した高分子材料としては前記したＰＭＭＡの他に、
溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができ、かつ、
高い体積抵抗率を有する高分子材料であれば何でもよい
が、特に透明度の良好なポリカーボネート、ＰＥＴなと
は良好に使用できるのである（この点は後述されている
（２） 、 （３）の他の製作例についても同様である
）。In addition to the above-mentioned PMMA, the above-mentioned polymer materials include:
Can be dissolved in a solvent and applied in the form of a film, and
Any polymer material with high volume resistivity may be used, but polycarbonate and PET, which have good transparency, can be used particularly well (this point will be explained later in (2) and (3)). The same applies to the production example).
前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板（第８図及び第
９図中では図示が省略されている）と透明電極Ｅｔｌと
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとが積層され
た構造体とを、単に貼り合わせると第８図及び第９図中
に示されるような光−光変換素子が構成できる。Glass plate and transparent electrode Et2 made by the above process
and a light modulating material layer member HLL made of a polymer-liquid crystal composite film, and a structure made by a process different from the above-described process, that is, a glass plate (Figs. 8 and 9). If the transparent electrode Etl, the photoconductive layer member PCL, and the dielectric mirror DML are laminated together, a structure as shown in FIGS. 8 and 9 is simply bonded together. A light-light conversion element can be constructed.
（２）チッソ株式会社製の室温ネマティック液晶Ｌ Ｉ
Ｘ０Ｎ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８）を３グ
ラム計量し、前記した３グラムの室温ネマティック液晶
ＬＩＸＯＮ５０１７（またはＬＩＸＯＮ５０２８ ）を
１０重量％の２０グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液
に添加して攪拌した後に静置する。(2) Room temperature nematic liquid crystal LI manufactured by Chisso Corporation
Weigh out 3 grams of X0N5017 (or LIXON 5028), add 3 grams of room temperature nematic liquid crystal LIXON 5017 (or LIXON 5028) to a 10% by weight solution of 20 grams of PMMA in chloroform, stir, and let stand.
一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成させ
たガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略されて
いる）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩＴ
Ｏ膜による透明電極ＥｔＺ上に、前記のように静置して
おいた液晶を含むＰ ＭＭＡのクロロホルム溶液をバー
コータによって塗布して高分子一液晶複合膜による光変
調材層部材ＨＬＬを構成させる。A glass plate (not shown in FIGS. 8 and 9) on which an ITO film was formed as a transparent electrode Et2 on one surface was thoroughly cleaned, and the IT
A chloroform solution of PMMA containing liquid crystal, which had been left to stand still as described above, is coated with a bar coater on the transparent electrode EtZ made of an O film to constitute a light modulating material layer member HLL made of a polymer-liquid crystal composite film.
前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち。Glass plate and transparent electrode Et2 made by the above process
and a light modulating material layer member HLL made of a polymer-liquid crystal composite film are laminated, and a structure made by a process different from the above-described process.
ガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略されてい
る）と透明［極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとが積層された構造体とを、単に貼り合わせ
ると第８図及び第９図に示されるような構成の光−光変
換素子が得られることになる。If a glass plate (not shown in FIGS. 8 and 9) and a structure in which a transparent electrode Etl, a photoconductive layer member PCL, and a dielectric mirror DML are laminated are simply pasted together, A light-light conversion element having the configuration shown in FIGS. 8 and 9 is obtained.
（３）メルク・ジャパン社製の室温ネマティック液晶Ｚ
ＬＩ４２７７を３グラム計量し、前記した３グラムの室
温ネマティック液晶ＺＬＩ４２７７を１０重量％の２０
グラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌し
た後に静置する。(3) Room temperature nematic liquid crystal Z manufactured by Merck Japan
Weighed 3 grams of LI4277, and added 10% by weight of the above-mentioned 3 grams of room temperature nematic liquid crystal ZLI4277 to 20
It is added to a chloroform solution of gram of PMMA, stirred, and left to stand still.
一方の面に透明電極Ｅｔ２としてＩＴＯの膜を形成させ
たガラス板（第８図及び第９図中では図示が省略されて
いる）を充分に洗浄し、前記したガラス板におけるＩＴ
Ｏ膜による透明電極ＥｔＺ上に、前記のように静置して
おいた液晶を含むＰＭＭＡのクロロホルム溶液をバーコ
ータによって塗布して高分子一液晶複合膜による光変調
材層部材ＨＬＬを構成させる。A glass plate (not shown in FIGS. 8 and 9) on which an ITO film was formed as a transparent electrode Et2 on one surface was thoroughly cleaned, and the IT
A chloroform solution of PMMA containing liquid crystal, which has been left to stand still as described above, is coated on the transparent electrode EtZ made of an O film using a bar coater to constitute a light modulating material layer member HLL made of a polymer-liquid crystal composite film.
前記した工程により作られたガラス板と透明電極Ｅｔ２
と高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬＬとが
積層された構造体と、前記した工程とは別の工程によっ
て作られた構造体、すなわち、ガラス板と透明電極Ｅｔ
ｌと光導１！層部材ＰＣＬとｔａｌ！体ミラーＤＭＬと
が積層された構造体とを、単に貼り合せると第８図及び
第９図に示されるような構成の光−光変換素子が得られ
ることになる。Glass plate and transparent electrode Et2 made by the above process
and a light modulating material layer member HLL made of a polymer-liquid crystal composite film, and a structure made by a process different from the above-described process, that is, a glass plate and a transparent electrode Et.
l and light guide 1! Layer members PCL and tal! If the body mirror DML and the structure in which the body mirror DML is laminated are simply bonded together, a light-to-light conversion element having a structure as shown in FIGS. 8 and 9 will be obtained.
前記した高分子材料に液晶を分散させた高分子−液晶複
合膜は、それの膜厚のばらつきが±０゜１ミクロンの範
囲となるように成膜することは容易であり、従来の光−
光変換素子に比べて製作が容易である。The polymer-liquid crystal composite film in which liquid crystal is dispersed in the polymer material described above can be easily formed so that the film thickness variation is in the range of ±0°1 micron, and conventional photo-
It is easier to manufacture than a light conversion element.
前記のようにして製作された高分子一液晶複合膜による
光変調材層部材ＨＬＬにおける液晶は、高分子材料中に
存在する無数の細孔中に閉じ込められた状態となされて
いるが、前記した光変調材層部材ＨＬＬとして使用され
る高分子一液晶複合膜における前記の細孔は、第１０図
乃至第１３図を参照して後述されている実施例中に示さ
れている光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて、それの光変
調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶複
合膜で高分子材料中に液晶を閉じ込めている無数の細孔
に比べて寸法が大きなものとされている。The liquid crystal in the light modulating material layer member HLL using the polymer-liquid crystal composite film produced as described above is confined in the countless pores existing in the polymer material. The above-mentioned pores in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL are suitable for light-to-light conversion as shown in the examples described below with reference to FIGS. 10 to 13. In the device PPCm, the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLM is larger in size than the countless pores that confine the liquid crystal in the polymer material.
また、前記した（１）〜（３）の製作例の内で製作例の
（２）、（３）で使用しているネマティック液晶は。Also, among the production examples (1) to (3) above, the nematic liquid crystals used in production examples (2) and (3) are as follows.
それの比抵抗がＩ Ｘ １０”Ω備というように高い値
を示すものであるために、その液晶を分散させる高分子
材料として体積抵抗率が１０Ｌ４ΩＧ以上のものを用い
て作られた高分子一液晶複合膜による光変調材層部材Ｈ
ＬＬを備えた光−光変換素子では高い解像度の画像情報
の書込み読出し動作を行うことができ、また、光変調材
層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜
に与えられる電界は直流電界であっても、液晶どして高
抵抗のもの（イオンの混入量が極めて少い液晶）が使用
されていることにより、長時間の経過によっても画像の
解像度の低下が生じないようにできる。Since the specific resistance of the liquid crystal is as high as 10"Ω, a polymer material with a volume resistivity of 10L4ΩG or more is used as the polymer material for dispersing the liquid crystal. Light modulating material layer member H using liquid crystal composite film
A light-to-light conversion element equipped with LL can write and read high-resolution image information, and the electric field applied to the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL is a DC voltage. By using a high-resistance liquid crystal (liquid crystal with an extremely small amount of ions mixed in) even in the field, it is possible to prevent image resolution from deteriorating even over a long period of time. .
すなわち、高分子一液晶複合膜を用いた光変調材層部材
において、多くのイオンを含んでいるために体積抵抗率
の低い液晶が用いられた場合には。That is, when a liquid crystal containing a large number of ions and having a low volume resistivity is used in a light modulating material layer member using a polymer-liquid crystal composite film.
光変調材層部材に印加された電界によって液晶に含まれ
ているイオンが移動して、光変調材層部材に電界を与え
ている電荷像による電界の強度を低下させるために、液
晶分子の光学軸の傾きが減少し、前記した液晶分子の光
学軸の傾きの減少によって電荷像による電界が乱れて電
荷像の解像度の劣化が生じるのであるが、前記した製作
例の（２）。Ions contained in the liquid crystal move due to the electric field applied to the light modulating material layer member, and in order to reduce the intensity of the electric field due to the charge image that is applying the electric field to the light modulating material layer member, the optical The inclination of the optical axis of the liquid crystal molecules decreases, and as a result of the decrease in the inclination of the optical axes of the liquid crystal molecules described above, the electric field caused by the charge image is disturbed and the resolution of the charge image is degraded.
（３）で使用しているネマティック液晶のように、それ
の比抵抗がＩ Ｘ １０１３Ω口というように高い値を
示すものであり、また、その液晶を分散させる高分子材
料として体積抵抗率が１０１４Ω１以上のものを用いて
作られた高分子一液晶複合膜による光変調材層部材ＨＬ
Ｌを備えた光−光変換素子では、液晶には多くのイオン
が含まれていないためにイオンによる前述のような不都
合な動作が行われず、したがって前記した構成の光−光
変換素子では、高い解像度の画像情報の書込み読出し動
作が行われるのである。The nematic liquid crystal used in (3) has a high specific resistance of I x 1013Ω, and the polymer material used to disperse the liquid crystal has a volume resistivity of 1014Ω1. Light modulating material layer member HL made of a polymer-liquid crystal composite film made using the above
In the light-to-light conversion element with L, since the liquid crystal does not contain many ions, the above-mentioned disadvantageous operation by the ions does not occur. A writing/reading operation of resolution image information is performed.
さて、第８図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｅに
おいて、それの２つの透明電極Ｅｔｌ、 Ｅｔｚ間に電
源ｖｂから電圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変
調材層部材として構成されている高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子−液、晶複合膜による光変調材層
部材ＨＬＬ間に電界が加わるようにしておき、また、光
−光変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材ＰＣＬ側に
書込み光ＷＬを光導電層部材ＰＣＬに与えると、前記し
た光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入
射光と対応して変化するために、光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材に結与
えられた光と対応した電荷像が生じる。Now, in the light-to-light conversion element PPCe shown in FIG. 8, a voltage is applied from the power supply VB between its two transparent electrodes Etl and Etz, and it is configured as a light modulating material layer member that can operate in a scattering mode. An electric field is applied between the light modulating material layer members HLL by a polymer-liquid/crystal composite film in which high-resistance liquid crystals are dispersed in a polymer material, and the photoconductivity in the light-to-light conversion element PPCe is When writing light WL is applied to the photoconductive layer member PCL on the layer member PCL side, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL changes in accordance with the incident light that reaches it. A charge image corresponding to the light focused on the photoconductive layer member is generated at the interface with the dielectric mirror DML.
前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、 ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜
による光変調材層部材ＨＬＬには、書込み光と対応した
電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。In the above state, between the two transparent electrodes Etl and EtZ to which the voltage of the power supply vb is applied, a high resistance liquid crystal is formed on the polymer material provided in series with the photoconductive layer member PCL. An electric field with an intensity distribution corresponding to the charge distribution of the charge image corresponding to the writing light is applied to the light modulating material layer member HLL made of the polymer-liquid crystal composite film in which the writing light is dispersed.
この状態で光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜では、前記の電荷像による電界によ
り液晶の配向状態が変化して書込み光と対応した液晶の
配向状態の変化像が生じる。In this state, in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL, the alignment state of the liquid crystal changes due to the electric field caused by the charge image, and an image of change in the alignment state of the liquid crystal corresponding to the writing light is created. arise.
前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づいて、
光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜に書込み光と対応して生じた液晶の配向状態の
変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬと
の境界面に生じている電荷像が存在している限り、その
ままの状態に保持されている。As described above, the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror D
Based on the electric field due to the charge image generated at the interface with ML,
The image of the change in the alignment state of the liquid crystal that occurs in response to the writing light in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating layer member HLL is shown at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML. As long as the generated charge image exists, it remains in that state.
すなわち、前記した電荷像によって光変調材層部材ＨＬ
Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜に与えられ
る電界は直流電界であるが、液晶として高抵抗のもの（
イオンの混入量が極めて少い液晶）が使用されているこ
とにより、既述のように長時間の経過によっても画像の
解像度の低下が生じないようにできる。That is, the light modulating material layer member HL is
The electric field applied to the polymer-liquid crystal composite film used as L is a DC electric field, but the liquid crystal with high resistance (
By using a liquid crystal (liquid crystal with an extremely small amount of ions mixed in), it is possible to prevent the image resolution from deteriorating even over a long period of time as described above.
なお、第８図示の光−光変換素子ＰＰＣｅにおける２つ
の透明ｆｆｉ極Ｅｔｌ、 Ｅｔ２間に接続する電源とし
て交流電源を用いても記録、再生動作を行うことができ
ることはいうまでもないが、透明Ｗｉ極Ｅｔｌ、 Ｅｔ
２間に交流電源を接続して記録動作を行った場合には、
前記したような電荷像の記録が行われないために記録動
作と同時に再生動作を行うことが必要とされる。Note that it goes without saying that recording and reproducing operations can be performed even when an AC power source is used as the power source connected between the two transparent ffi poles Etl and Et2 in the light-to-light conversion element PPCe shown in FIG. Wi pole Etl, Et
When recording is performed with an AC power supply connected between the
Since the recording of the charge image as described above is not performed, it is necessary to perform the reproducing operation simultaneously with the recording operation.
次に前述のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷ａ（誘電体ミラーＤＭ
Ｌが使用されない場合には、！両像は光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＨＬ Ｌとして用いられている高分
子一液晶複合膜との境界面に生じることはいうまでもな
い）を消去すると、光変調材層部材ＨＬＬとして用いら
れている高分子一液晶複合膜に与えられる電界がなくな
るために高分子−液晶複合膜中の液晶が等方性相になっ
て読出し光ＲＬを光変調材層部材ＨＬＬに入射させても
画像情報は再生されない、すなわち、消去が行われるこ
とになる。Next, the charge a (dielectric mirror DM) generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML as described above
If L is not used, then ! Both images are photoconductive layer member PC
It goes without saying that this occurs at the interface between L and the light modulating material layer member HL (which occurs at the interface between the polymer and liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HL L), then the polymer used as the light modulating material layer member HLL is removed. (1) Since the electric field applied to the liquid crystal composite film disappears, the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film becomes an isotropic phase, and even if the readout light RL is made incident on the light modulating material layer member HLL, image information is not reproduced; In other words, erasure will be performed.
それで、消去動作としては前記のように光導電層部材Ｐ
ＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（
１電体ミラーＤＭＬが使用されない場合には、電荷像は
光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬとして用い
られている高分子一液晶複合膜との境界面に生じること
はいうまでもない）が消去されるようにすればよく、そ
のためには例えば第９図に例示されているように、′／
１１去用の光源ＥＬＳから−の消去光ＥＬをレンズＬｓ
を介して光−光変換素子ＰＰＣａの透明電極Ｅｔｌ側か
ら光−光変換素子ＰＰＣεに入射させて、それの光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値を低下させるようにすればよ
い、゛なお；前記の消去動作時における光−光変換素子
Ｐ Ｐ Ｃａの２つの透明電極Ｅｔｌ、 Ｅｔ２は、前
記した両者間が短絡された状態にされていても、あるい
は両者が接地されていてもよい。Therefore, as for the erasing operation, as described above, the photoconductive layer member P
The charge image generated at the interface between CL and dielectric mirror DML (
Needless to say, when the monoelectric mirror DML is not used, a charge image is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL. ) may be deleted, for example, as illustrated in FIG. 9, '/
11. The erasing light EL from the light source ELS is sent to the lens Ls.
The light may be made to enter the light-to-light conversion element PPCε from the transparent electrode Etl side of the light-to-light conversion element PPCa to reduce the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL. During the erasing operation, the two transparent electrodes Etl and Et2 of the light-to-light conversion element P P Ca may be short-circuited as described above, or both may be grounded.
第８図を参照して既述したように、書込み光と対応する
電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅにおける光導電層部材
ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面（誘電体ミラー
ＤＭＬが使用されない場合には、光導電層部材ＰＣＬと
光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液
晶複合膜との境界面）に生じて、その電荷像による電界
が光変調材層部材ＨＬＬに印加されている状態において
。As already described with reference to FIG. 8, the charge image corresponding to the writing light is transmitted to the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element PPCe (the dielectric mirror DML is not used). In some cases, an electric field is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL, and an electric field due to the charge image is applied to the light modulating material layer member HLL. In the state of being.
光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａにおける透明電極Ｅｔ２側
から読出し光ＲＬを図示されていないない光源から入射
すると、その読出し光ＲＬは透明電極Ｅｔ２→光変調材
層部材ＨＬＬとして用いられている高分子一液晶複合膜
→誘電体ミラーＤＭＬの経路で誘電体ミラーＤＭＬに達
し、そこで反射された後に光変調材層部材ＨＬＬとして
用いられている高分子一液晶複合膜→透明電極Ｅｔ２の
経路で光−光変換素子ＰＰＣａから出射する。When readout light RL is incident from a light source (not shown) from the transparent electrode Et2 side of the light-light conversion element P P Ca, the readout light RL is transmitted from the transparent electrode Et2 to the polymer used as the light modulating material layer member HLL. One liquid crystal composite film→dielectric mirror DML reaches the dielectric mirror DML, and after being reflected there, the polymer one liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL→transparent electrode Et2. The light is emitted from the light conversion element PPCa.
前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅから出射され
た読出し光ＲＬは、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面（誘電体ミラーＤＭＬが使用されない
場合には、光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＨＬＬ
として用いられている高分子一液晶複合膜との境界面）
に生じている電荷像による電界と対応して光の強度が変
化している状態のものになっている。The readout light RL emitted from the light-to-light conversion element PPCe as described above is transmitted to the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML (if the dielectric mirror DML is not used, the photoconductive layer member PCL and light modulating material layer member HLL
interface with a polymer-liquid crystal composite film used as
The intensity of the light changes in response to the electric field caused by the charge image generated in the image.
すなわち、光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている
高分子一液晶複合膜における液晶に、被写体の光学像と
対応した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加
わることにより、前記の液晶がそれに印加された電界強
度と対応して配向の状態を変化して、光変調材層部材Ｈ
Ｌ Ｌとして用いられている高分子一液晶複合膜中を前
記のように往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散
乱動作を行うから、光変調材層部材ＨＬＬに読出し光を
投射すると、光変調材層部材ＨＬＬを通過した後に出射
した読出し光ＲＬは、それの光強度が被写体の光学像と
対応して変化しているものになるのである。That is, by applying an electric field with an intensity distribution according to the charge distribution of the charge image corresponding to the optical image of the subject to the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL, the liquid crystal changes its orientation state in response to the electric field intensity applied to it, and the light modulating material layer member H
Since different scattering operations are performed on the readout light RL that passes back and forth through the polymer-liquid crystal composite film used as the L L as described above, when the readout light is projected onto the light modulating material layer member HLL, the light modulation occurs. The light intensity of the readout light RL emitted after passing through the material layer member HLL changes in accordance with the optical image of the subject.
このように光−光変換素子ＰＰＣｅから出射する読出し
光ＲＬが書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、それを検光子によって光強度
の変化している光に変換してから利用している場合に比
べて、構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的
に使用することができるという利点が得られる。In this way, since the reading light RL emitted from the light-to-light conversion element PPCe is in a state where the light intensity is changing in correspondence with the writing light, the change in light intensity is detected by the analyzer. Compared to the case where the light is converted into light and then used, the structure can be simplified and the light can be used more efficiently.
読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源、白熱灯、放電
灯など、任意の光源からの光を用いることができる。ま
た、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面積の光束
でも使用できることはいうまでもない。As the light source of the readout light RL, light from any light source such as a laser light source, an incandescent lamp, or a discharge lamp can be used. Further, it goes without saying that the readout light RL can be used either as a light beam with a minute diameter or as a light beam with a large area.
これまでに説明した光−光変換素子における散乱モード
で動作しうる光変調材層部材としては、高分子材料に高
抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成
した光変調材層部材、及び高分子材料に液晶を分散させ
た高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部
材を使用した実施例について説明したが１本発明は電界
により光の散乱状態繰返し変化するＰＬＺＴ（例えばＰ
ＬＺＴ８／７０／３０ ）を光変調材層部材として構成
させた光＝光変換素子が用いられてもよい。The light modulating material layer member that can operate in the scattering mode in the light-to-light conversion element described so far is a light modulating material constructed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material. An embodiment using a layer member and a light modulating material layer member constructed using a polymer material in which liquid crystals are dispersed in a polymer material and a liquid crystal memory film has been described. PLZT (e.g. P
A light-to-light conversion element configured with LZT8/70/30) as a light modulating material layer member may be used.
なお、電界により光の散乱状態繰返し変化するＰＬＺＴ
（例えばＰＬＺＴ８／７０／３０）が光変調材層部材と
して用いられた光−光変換素子の場合には、消去は加熱
ではなく消去光を光−光変換素子に入射させて行うよう
にされる。In addition, PLZT whose light scattering state changes repeatedly depending on the electric field.
In the case of a light-to-light conversion element in which (for example, PLZT8/70/30) is used as a light modulating material layer member, erasing is performed not by heating but by making erasing light enter the light-to-light conversion element. .
次に、第１０図乃至第１３図に示されている光−光変換
素子について説明する。各図においてＰＰＣｍは光−光
変換素子、ｖｂは電源、ＷＬは書込み光、ＲＬは読出し
光であり、また、第１０図においてＨＥＣは加熱用電源
、第１１図においてＬｅはレンズ、ＥＬＳは消去用の光
源、第１３図においてＥＬＳ Ｉ！は消去用のレーザ光
源、ＤＥＦは光偏向器、Ｍは反射鏡である。Next, the light-light conversion element shown in FIGS. 10 to 13 will be explained. In each figure, PPCm is a light-to-light conversion element, vb is a power supply, WL is a writing light, and RL is a readout light. Also, in Fig. 10, HEC is a heating power supply, in Fig. 11, Le is a lens, and ELS is an eraser. In FIG. 13, the light source for ELS I! is a laser light source for erasing, DEF is a light deflector, and M is a reflecting mirror.
第１０図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍは透
明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと。The light-light conversion element PPCm shown in FIG. 10 includes a transparent electrode Etl and a photoconductive layer member PCL.
誘電体ミラーＤＭＬと、高分子材料に液晶を分散させた
高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材
ＨＬＭと、透明電極Ｅｔ２と、加熱層ＨＥＬ（この加熱
層ＨＥＬと透明電極Ｅｔ２とが兼用された構成のものと
されもよい）とを積層した構成態様のものとなされてお
り、また、第１１図及び第１３図中に示されている光−
光変換素子ＰＰＣｍは透明電極Ｅｔｌと、光導電層部材
ＰＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと、高分子材料に液晶を
分散７させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光
′変調材層部材）ＩＬＭと、熱吸収層ＨＩＬと、透明電
極Ｅｔ２とを積層した構成態様のものとなされており、
さらに、第１２図中に示されてい、る光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍは透明電極Ｅｔｌと、光導電層部材ＰＣＬと、誘
電体ミラーＤＭＬと、熱吸収層ＨＩＬと、高分子材料に
液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成し
た光変調材層部材ＨＬＭと、透明電極Ｅｔ２とを積層し
た構成態様のものとなされている。A dielectric mirror DML, a light modulating material layer member HLM constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material, a transparent electrode Et2, a heating layer HEL (this heating layer HEL and a transparent electrode Et2 may also be used in combination with Et2), and the light beam shown in FIGS.
The light conversion element PPCm includes a transparent electrode Etl, a photoconductive layer member PCL, a dielectric mirror DML, and a light modulating material layer member constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material. ) ILM, a heat absorption layer HIL, and a transparent electrode Et2 are laminated,
Furthermore, the light-to-light conversion element P shown in FIG.
PCm is a transparent electrode Etl, a photoconductive layer member PCL, a dielectric mirror DML, a heat absorption layer HIL, and a light modulating material layer constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material. The structure is such that the member HLM and the transparent electrode Et2 are laminated.
なお、第１０図及び第１１図ならびに第１３図中に示さ
れている光−光変換素子ＰＰＣｍでは、光導電層部材Ｐ
ＣＬと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メ
モリ膜を用いて構成した光変調材層部材ＨＬＭとの間に
、誘電体ミラーＤＭＬを設けているが、光導電層部材Ｐ
ＣＬが読出し光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬ
に感度を有しないものであれば、誘電体ミラーＤＭＬを
省いてもよく、また、第１２図中に示されている光−光
変換素子ＰＰＣｍでは、光導電層部材ＰＣＬと、熱吸収
層）（ＩＬとの間に、誘電体ミラーＤＭＬを設けている
が、熱吸収層ＨＩＬと光導電層部材ＰＣＬとの一方のも
のが読出し光ＲＬを反射するとともに、読出し光ＲＬに
感度を有しないものであれば誘電体ミラーＤＭＬを省い
てもよい。In addition, in the light-to-light conversion element PPCm shown in FIGS. 10, 11, and 13, the photoconductive layer member P
Although a dielectric mirror DML is provided between CL and a light modulating material layer member HLM constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material, the photoconductive layer member P
CL reflects the readout light RL, and the readout light RL
The dielectric mirror DML may be omitted as long as it has no sensitivity to the photoconductive layer member PCL and the heat absorption layer) in the light-to-light conversion element PPCm shown in FIG. (A dielectric mirror DML is provided between the IL and one of the heat absorption layer HIL and the photoconductive layer member PCL that reflects the readout light RL and has no sensitivity to the readout light RL.) In that case, the dielectric mirror DML may be omitted.
第１０図中に示されている光−光変換素子ＰＣＣｍにお
ける加熱層ＨＥＬは、消去動作時に加熱用電源ＨＥＣか
ら供給される電力によって発熱して、高分子材料に液晶
を分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成されて
いる光変調材層部材ＨＬＭ中の液晶を溶融させるための
ものであり、また、第１１図乃至第１２＠中に示されて
いる熱吸収層ＨＩＬは、消去動作時に消去用の光によっ
て発熱して、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液
晶メモリ膜を用いて構成されている光変調材層部材ＨＬ
Ｍ中の液晶を溶融させるためのちのである。The heating layer HEL in the light-to-light conversion element PCCm shown in FIG. It is for melting the liquid crystal in the light modulating material layer member HLM constructed using a liquid crystal memory film, and the heat absorption layer HIL shown in FIGS. 11 to 12@ is for erasing. A light modulating material layer member HL that generates heat by erasing light during operation and is constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material.
This is for melting the liquid crystal in M.
前記した第１０図乃至第１２図に示されている光−光変
換素子ＰＰＣｍにおける光変調材層部材ＨＬＭは、何れ
も高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜
を用いて構成されている。The light modulating material layer member HLM in the light-to-light conversion element PPCm shown in FIGS. 10 to 12 described above is constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material. has been done.
前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光変調材層部
材ＨＬＭとして用いら九でいる高分子一液晶メモリ膜は
、第８図を参照して説明した光−光変換素子ＰＰＣｅに
おける光変調材層部材ＨＬＬとして用いられている高分
子一液晶複合膜と同様に、例えば、メタクリル樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体
積抵抗率が１０１４Ω１以上の高分子材料中に、室温に
おいて液晶相を示し、かつ、高い体積抵抗率を有するネ
マティック液晶を分散させることによって構成させるこ
とができる。The polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM in the light-to-light converting element PPCm described above is the light modulating material layer member in the light-to-light converting element PPCe described with reference to FIG. Similar to the polymer-liquid crystal composite film used as HLL, volume resistors such as methacrylic resin, polyester resin, polycarbonate resin, vinyl chloride resin, polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, silicone resin, etc. It can be constructed by dispersing a nematic liquid crystal that exhibits a liquid crystal phase at room temperature and has a high volume resistivity in a polymeric material having a resistivity of 1014 Ω1 or more.
そして、前記した高分子一液晶メモリ瞑ＨＬＭの構成の
ために使用される液晶としては、室温でネマチック相を
形成するものであれが、どのようなものが使用されても
よいが、体積抵抗率が高いもの、粘度が高いものが使用
されることは、情報を高いコントラスト比で再生させた
り、記録性能を高める上で良い結果を生じさせる。また
、前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成のために
使用される液晶としては高分子材料の融点よりも低い融
点のものが使用されることが必要である。As the liquid crystal used to construct the above-mentioned polymer-liquid crystal memory HLM, any liquid crystal that forms a nematic phase at room temperature may be used. The use of materials with high viscosity and high viscosity produces good results in reproducing information with a high contrast ratio and improving recording performance. In addition, the liquid crystal used to construct the polymer-liquid crystal memory film HLM described above must have a melting point lower than that of the polymer material.
ところで、前記した光−光変換素子ＰＰＣｍにおいて光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜は、第８図を参照して既述されている高分子一
液晶複合膜を使用して構成された光変調材層部材ＨＬＬ
が、それに印加されている電界によって液晶の配向の状
態が保持されていたのとは異なり、光変調材層部材ＨＬ
Ｍに電界が印加されて高分子一液晶メモリ膜中の液晶の
配向状態が変化された後に、電界が除去されても高分子
一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態が変化しない、とい
うメモリ機能を備えているようなものとして作られるの
である。By the way, the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM in the above-mentioned light-light conversion element PPCm uses the polymer-liquid crystal composite film already described with reference to FIG. A light modulating material layer member HLL configured as
However, unlike the case where the alignment state of the liquid crystal was maintained by the electric field applied thereto, the light modulating material layer member HL
A memory function in which an electric field is applied to M to change the orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film, and then the orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film does not change even if the electric field is removed. It is made as if it were equipped with the following.
前記した高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭの構成要素の一つ
として用いられている液晶は、高分子一液晶メモリ膜Ｈ
ＬＭの他の構成要素として用いられている多孔質の高分
子材料膜中にランダムに分布している状態で形成されて
いる無数の微小な細孔中に封入された状態になされてい
るが、前記した高分子一液晶メモリ膜中の液晶によるメ
モリ機能は、液晶が閉じ込められている高分子材料中の
細孔の大きさを小さくして、高分子材料中の液晶に加え
られる細孔の壁の力が大きくすることによって得られる
ものと考えられており、前記の細孔が例えば０．５ミク
ロン程度以下の径のものとなされることは望ましい実施
の態様である。The liquid crystal used as one of the constituent elements of the polymer-liquid crystal memory film HLM described above is the polymer-liquid crystal memory film HLM.
It is encapsulated in countless minute pores that are randomly distributed in the porous polymer material membrane used as other components of LM. The memory function of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film described above is achieved by reducing the size of the pores in the polymer material in which the liquid crystal is confined, and by reducing the size of the pore walls added to the liquid crystal in the polymer material. It is believed that this can be achieved by increasing the force of , and it is a desirable embodiment that the pores have a diameter of, for example, about 0.5 microns or less.
前記のように高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数
の微小な細孔中に封入されている液晶に電界が印加され
て高分子一液晶メモリ膜が透明な状態になるような傾向
で液晶に生じた配向状態が前記した印加電界の除去後に
おいても保持され続けるというメモリ機能について補足
説明を行うと次の通りである。As mentioned above, an electric field is applied to the liquid crystal sealed in the countless minute pores randomly distributed in the porous polymer material film of the polymer-liquid crystal memory film. The following is a supplementary explanation of the memory function in which the alignment state that occurs in the liquid crystal so that the liquid crystal memory film tends to become transparent continues to be maintained even after the above-mentioned applied electric field is removed.
細孔中に封入されている液晶分子は、細孔壁表面の力を
受けている状態で微小な細孔中にネマティック相の状態
で封入された状態になされている（細孔中に封入されて
いる液晶分子は細孔壁の表面の力を受けるが、細孔壁に
近い液晶分子になる程前記の力は大きく加わる。したが
って径の小さな細孔になる程、細孔中に封入されている
液晶分子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）
が、前記のように細孔壁の表面の力を受けている状態で
細孔中に封入されている液晶に対して、ある閾値以上の
電界強度の電界が印加された場合には、細孔壁の表面か
らの力を受けている状態で細孔中にネマティック相の状
態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の表面
から加えられている力に抗して電界の方向に配向するよ
うに変位する。The liquid crystal molecules encapsulated in the pores are encapsulated in a nematic phase state in the minute pores under the force of the pore wall surface. The liquid crystal molecules in the pores are subjected to surface forces of the pore walls, and the closer the pore walls are to the liquid crystal molecules, the greater the force applied to them. (The effect of the force on the surface of the pore wall that is applied to the liquid crystal molecules in the liquid crystal molecules increases)
However, if an electric field with an electric field strength of more than a certain threshold is applied to the liquid crystal sealed in the pore under the force of the surface of the pore wall as described above, the pore will The liquid crystal molecules enclosed in the pore in a nematic phase while being subjected to the force from the surface of the wall resist the force applied from the surface of the pore wall and move in the direction of the electric field. Displace to orient.
そして電界の印加に対応して液晶分子に生じる変位の態
様は、印加される電界の強度に応じて変化し、液晶に印
加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表面から加え
られている力が弱い液晶分子、すなわち、主として細孔
の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印加される電
界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面か
ら加えられている力が強い液晶分子、すなわち、細孔壁
に近くに位置する液晶分子も印加された電界の方向に液
晶の分子軸の方向が向くような傾向で変位するという変
位の態様で液晶分子が配向する。The mode of displacement that occurs in liquid crystal molecules in response to the application of an electric field changes depending on the strength of the applied electric field, and when the electric field applied to the liquid crystal is weak, Only liquid crystal molecules with a weak force, that is, liquid crystal molecules mainly located near the center of the pores, are displaced with a tendency to face the direction of the applied electric field, and the strength of the electric field applied to the liquid crystal gradually becomes stronger. As the force is applied from the surface of the pore wall, liquid crystal molecules located close to the pore wall also tend to have their molecular axes directed in the direction of the applied electric field. The liquid crystal molecules are oriented in a manner of displacement such that the liquid crystal molecules are displaced at .
それで、高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中にネマティック相の状態で封入されている液
晶分子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加
えられている力に抗して液晶の分子軸の方向が電界の方
向に向くような傾向で変位するような変位の態様で配向
されるが、前記のように印加された電界によって配向さ
れた液晶の分子は既述した細孔壁の表面の力によって、
そのままの姿態に保持されるから、前記のように電界の
印加によって変化された液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるためにメモリ機能を示すのである。Therefore, the liquid crystal molecules encapsulated in a nematic phase in the countless minute pores that are randomly distributed and formed in the porous polymer material film of the polymer-liquid crystal memory film are When applied, the molecular axes of the liquid crystal are oriented in the direction of the electric field against the force applied from the surface of the pore wall. The liquid crystal molecules oriented by the applied electric field are
Since the alignment state of the liquid crystal changed by the application of an electric field as described above remains in that state even after the applied electric field is removed, the memory function is maintained. It shows.
そして、液晶の配向の状態による情報の記憶状態を消去
するのには、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を
溶融させて等方性相とすることによって行うことが必要
とされ、前記のようにして溶融状態になされて等方性相
になっていた液晶は、時間の経過により冷却してネマテ
ィック相になり、その部分が不透明な状態に変化する。In order to erase the storage state of information due to the orientation state of the liquid crystal, it is necessary to adjust the melting point of the polymer used as the light modulating material layer member HLM and the liquid crystal in the liquid crystal memory film to the polymer material. It is necessary to perform this by heating the liquid crystal to a temperature between the melting point and melting the liquid crystal into an isotropic phase. The liquid crystal cools over time and becomes a nematic phase, and that part changes to an opaque state.
まず、第１０図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍ
の２つの透明型′極Ｅｔａ、 ＥｔＺ間に電源Ｖｂから
電圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変調材層部材
として構成されている高分子材料に液晶を分散させた高
分子一液晶メモリ膜による光変調材層部材ＨＬＭ間に電
界が加わるようにしておき、また、光−光変換素子ＰＰ
Ｃｍにおける光導電層部材ＰＣＬ側から図示されていな
い撮像レンズを介して被写体の光学像を書込み光ＷＬと
して光導電層部材ＰＣＬに結像させると、前記した光導
電層部材ＰＣＬの電気抵抗値はそれに到達した入射光に
よる光学像と対応して変化するために。First, the light-light conversion element PPCm shown in FIG.
A polymer-liquid crystal memory in which liquid crystal is dispersed in a polymer material configured as a light modulating material layer member that can operate in a scattering mode by applying a voltage from a power source Vb between the two transparent electrodes Eta and EtZ. An electric field is applied between the light modulating material layer members HLM by the film, and the light-light conversion element PP
When an optical image of the subject is formed as writing light WL on the photoconductive layer member PCL from the photoconductive layer member PCL side at Cm through an imaging lens (not shown), the electric resistance value of the photoconductive layer member PCL described above is In order to change correspondingly with the optical image due to the incident light reaching it.
光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に
は光導電層部材に結像した被写体の光学像と対応した電
荷像が生じる。A charge image corresponding to the optical image of the subject formed on the photoconductive layer member is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML.
前記の状態において、電源ｖｂの電圧が印加されている
２つの透明電極Ｅｔｌ、 ＥｔＺ間に、前記した光導電
層部材ＰＣＬに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜によ
る光変調材層部材ＨＬＭには、被写体の光学像と対応し
た電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。In the above state, liquid crystal is dispersed in the polymeric material provided in series with the photoconductive layer member PCL between the two transparent electrodes Etl and EtZ to which the voltage of the power supply Vb is applied. An electric field with an intensity distribution corresponding to the charge distribution of the charge image corresponding to the optical image of the object is applied to the light modulating material layer member HLM made of the polymer-liquid crystal memory film.
この状態で光変調材層部材ＨＬＭとして用いられている
高分子一液晶メモリ膜では、前記の電荷像による電界に
より液晶の配向状態が変化し、被写体の電磁放射線像と
対応した液晶の配向状態の変化像が生じ、その配向の状
態が記憶される。In this state, in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM, the alignment state of the liquid crystal changes due to the electric field caused by the charge image, and the alignment state of the liquid crystal corresponds to the electromagnetic radiation image of the subject. A changed image is generated and its state of orientation is memorized.
前記のようにして光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ
ＭＬとの境界面に生じた電荷像による電界に基づき５光
変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界面に生じている電荷像が除去されて
も、そのままの状態に保持されている。As described above, the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror D
Changes in the alignment state of the liquid crystal that occur in the polymer-liquid crystal memory film used as the five-light modulating material layer member HLM based on the electric field due to the charge image generated at the interface with the ML in response to the electromagnetic radiation image of the subject. The image remains as it is even if the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML is removed.
第１０図示の光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｍにおける加熱
ＭＨＥＬ側から読出し光ＲＬを図示されていないない光
源から入射すると、その読出し光ＲＬは加熱層ＨＥＬ→
透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬＭとして用いられ
ている高分子一液晶メモリ膜→誘電体ミラーＤＭＬの経
路で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に
光変調材層部材ＨＬ Ｍとして用いられている高分子一
液晶メモリ膜→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子
ｐｐＣｍから出射する。When readout light RL is incident from a light source (not shown) from the heating MHEL side in the light-to-light conversion element P P Cm shown in FIG. 10, the readout light RL is transmitted through the heating layer HEL→
It reaches the dielectric mirror DML through the path of transparent electrode Et2 → polymer used as the light modulating material layer member HLM → dielectric mirror DML, and after being reflected there, it is used as the light modulating material layer member HLM. The light is emitted from the light-to-light conversion element ppCm along the path of polymer-liquid crystal memory film -> transparent electrode Et2.
前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｍから出射され
た読出し光ＲＬは、光変調材層部材ＨＬＭとして用いら
れている高分子一液晶メモリ膜に生じている液晶の配向
状態の変化像と対応して光の強度が変化している状態の
ものになっている。The readout light RL emitted from the light-light conversion element PPCm as described above corresponds to an image of a change in the alignment state of the liquid crystal occurring in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM. The intensity of the light is changing.
このように光−光変換素子ＰＰＣｍから出射する読出し
光ＲＬは書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、従来の光−光変換素子からの
読出し光のように、それを検光子によって光強度の変化
している光に変換してから利用している場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
することができるという利点が得られる。In this way, the readout light RL emitted from the light-to-light conversion element PPCm has a light intensity varying in correspondence with the writing light, so that the readout light from the conventional light-to-light conversion element is different from the light intensity. Compared to the case where it is used after converting it into light with varying intensity using an analyzer,
The advantage is that the configuration can be simplified and light can be used efficiently.
なお、読出し光ＲＬの光源としてはレーザ光源、白熱灯
、放電灯など、任意の光源からの光を用いることができ
る。また、読出し光ＲＬは微小な径の光束でも、大面積
の光束でも使用できることはいうまでもない。Note that as the light source of the readout light RL, light from any light source such as a laser light source, an incandescent lamp, or a discharge lamp can be used. Further, it goes without saying that the readout light RL can be used either as a light beam with a minute diameter or as a light beam with a large area.
次に、前記のようにして光変調材層部材ＨＬＭとして使
用されている高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状
態によって記憶されている情報を消去するには、光変調
材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一液晶メモ
リ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料の融点と
の間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融させて等方性相
とすることによって行うことが必要とされるが、それは
第１０図示の実施例の表示装置においては消去動作時に
加熱用ｌ！源ＨＥ Ｃからの加熱用電力を光−光変換素
子ＰＰＣｍの加熱層ＨＥＬ（この加熱層ＨＥＬと透明電
極Ｅｔ２とが兼用された構成のものとされもよい）に供
給して加熱層ＨＥＬを発熱させ、光変調材層部材ＨＬＭ
として使用されている高分子一液晶メモリ膜を加熱して
、高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を
溶融させて等方性相とすることによって行うことができ
る。Next, in order to erase the information stored by the alignment state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM as described above, the light modulating material layer member HLM is The temperature of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film used as a liquid crystal memory film is raised to a temperature between the melting point of the polymer material and the melting point of the polymer material to melt the liquid crystal and make it into an isotropic phase. However, in the display device of the embodiment shown in FIG. 10, it is necessary to perform heating l! during the erasing operation. The heating power from the source HE C is supplied to the heating layer HEL of the light-to-light conversion element PPCm (this heating layer HEL and the transparent electrode Et2 may be used in combination) to cause the heating layer HEL to generate heat. and light modulating material layer member HLM
By heating the polymer-LCD memory film used as a liquid crystal memory film, the liquid crystal in the polymer-LCD memory film is heated to a temperature between its melting point and the melting point of the polymer material. This can be done by melting to form an isotropic phase.
なお、書込み動作時に光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界面に生じた電荷像（誘電体ミラーＩ）
ＭＬが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材Ｐ
ＣＬと光変調材層部材ＨＬＭとして用いられている高分
子一液晶メモリ膜との境界面に生じることはいうまでも
ない）が残っている場合には、前記した加熱による高分
子一液晶メモリ膜における記憶の消去動作を行う以前に
、前記のその電荷像も消去することが必要であるが。Note that a charge image (dielectric mirror I) generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML during the writing operation
If ML is not used, the charge image is transferred to the photoconductive layer member P.
It goes without saying that this occurs at the interface between the CL and the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM. Before carrying out the memory erasing operation in , it is necessary to also erase the above-mentioned charge image.
前記の電荷像の消去を行うためには例えば第９図に関し
て既述したように、消去用の光源からの消去光をレンズ
を介して透明電極Ｅｔｌ側から光−光変換素子Ｐ Ｐ
Ｃｍに入射させて、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値を
低下させるようにすればよい。In order to erase the charge image, for example, as already described with reference to FIG.
Cm to reduce the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL.
なお、前記の消去動作時に２つの透明電極Ｅｔｌ。Note that two transparent electrodes Etl are used during the above erasing operation.
ＥｔＺ間を短絡した状態にしておいても、あるいは開放
状態にしておいても、もしくは接地してもよい。EtZ may be short-circuited, open, or grounded.
次に、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍの構成は、既述した第１０図に示されている光−光変
換素子Ｐ Ｐ Ｃｒｒｔとは異なっているが、第１１図
及び第１３図に示されている光−光変換素子ＰＰＣｍに
おける書込み動作と読出し動作とは、既述した第１０図
示の光−光変換素子ＰＰＣｍにおける書込み動作及び読
出し動作と同一であって、消去動作について異なるだけ
である。Next, the light-light conversion element PPC shown in FIGS. 11 to 13
The configuration of m is different from the light-to-light conversion element P P Crrt shown in FIG. 10 described above, but it is different from the light-to-light conversion element PPCm shown in FIGS. The write operation and read operation are the same as the write operation and read operation in the optical-to-optical conversion element PPCm shown in FIG. 10 described above, and differ only in the erase operation.
すなわち、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子Ｐ
ＰＣｍでは、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状態によって
記憶されている情報を消去するための消去動作に際して
、光変調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子一
液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料
の融点との間の温度にまで昇温させるための加熱作用が
。That is, the light-light conversion element P shown in FIGS. 11 to 13
In PCm, the polymer used as the light modulating material layer member HLM is used as the light modulating material layer member HLM during the erasing operation to erase information stored by the alignment state of the liquid crystal in the liquid crystal memory film. A heating action is used to raise the temperature of the liquid crystal in the polymer material in the liquid crystal memory film to a temperature between the melting point of the liquid crystal and the melting point of the polymer material.
消去光の照射によって生じる熱吸収層ＨＩＬの昇温によ
って行われるような構成が採用されている点が既述の第
１０図示の光−光変換素子ＰＰＣｍとは異なっているの
である。This is different from the light-to-light conversion element PPCm shown in FIG. 10 described above in that a configuration is adopted in which the heating is performed by increasing the temperature of the heat absorption layer HIL caused by irradiation with erasing light.
そして、第１１図示の光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｍの消
去動作は、それの熱吸収層ＨＩＬに、消去用光源ＥＬＳ
からの消去光をレンズＬｅを介して照射することにより
行うようにしており、また、第１２図示の光−光変換素
子ＰＰＣｍの消去動作は、それの熱吸収ＭＨＩＬに１図
示されていない消去用光源からの消去光ＥＬを透明電極
Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬとを介して照射することに
より行うようにしており、さらに、第１３図示の光−光
変換素子ＰＰＣｍの消去動作は、光−光変換素子ＰＰＣ
ｍにおける熱吸収層ＨＩ Ｌに、消去用レーザ光源ＥＬ
ＳＱからの消去光を光偏向装置ｆＤＥＦによって所定の
偏向態様で偏向し、それを反射鏡Ｍを介して照射するこ
とにより行うようにしている。In the erasing operation of the light-to-light conversion element P P Cm shown in FIG.
The erasing operation of the light-to-light conversion element PPCm shown in FIG. Erasing light EL from a light source is irradiated through the transparent electrode Etl and the photoconductive layer member PCL, and the erasing operation of the light-to-light conversion element PPCm shown in FIG. Conversion element PPC
An erasing laser light source EL is provided on the heat absorption layer HI L at m.
Erasing light from the SQ is deflected in a predetermined manner by a light deflector fDEF, and the erasing light is irradiated via a reflecting mirror M.
なお、第１１図乃至第１３図示の光−光変換素子ＰＰＣ
ｍに設けるべき熱吸収層ＨＩＬは、それに生じた消去用
の熱が変調材層部材ＨＬＭとして使用されている高分子
一液晶メモリ膜中の液晶を有効に昇温できるようにでき
れば、光−光変換素子ＰＰＣｍ中のどの部分に設けられ
ていてもよいことは勿論であり、また前記の熱吸収層Ｈ
ＩＬと電極とが兼用されるような構成になされていても
よい。Note that the light-light conversion element PPC shown in FIGS. 11 to 13
The heat absorbing layer HIL to be provided in the light-light absorbing layer HIL should be able to effectively raise the temperature of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film used as the modulating material layer member HLM by the erasing heat generated therein. Of course, it may be provided in any part of the conversion element PPCm, and the heat absorption layer H
The structure may be such that the IL and the electrode are used together.
さて、前記したように散乱モードで動作しうる光変調材
層部材を備えている光−光変換素子ＰＰＣｅ （または
光変換素子ＰＰＣｍ）を備えている本発明の表示装置に
おいて、まず、第１図に示されている実施例の表示装置
では、光−光変換素子ＰＰＣ５（またはＰＰＣｍ）に対
して被写体０の光学像が撮像レンズＬによって光−光変
換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｒｎ）における光導電層
部材に結像されて、それに対応する電荷像が第８図乃至
第１３図を参照して既述したように、光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部材ＰＣＬ
における透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の部材と
の境界面に生じて、その電荷像による電界が光変調材層
部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）に印加されることによって
、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いら
れている高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモ
リ膜）中の液晶の配向の状態は、それに印加された電界
強度と対応して変化して、その配向状態が保持される。Now, in the display device of the present invention including the light-to-light conversion element PPCe (or the light conversion element PPCm) provided with the light modulating material layer member capable of operating in the scattering mode as described above, first, FIG. In the display device of the embodiment shown in FIG. As described above with reference to FIGS. 8 to 13, the corresponding charge image is formed on the light-light conversion element P.
Photoconductive layer member PCL in PCe (or PPCm)
An electric field generated at the interface between the surface opposite to the transparent electrode Etl side and another member is applied to the light modulating material layer member HLL (or HLM), whereby the light modulating material layer is The alignment state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory film) used as the member HLL (or HLM) changes in response to the electric field strength applied to it, and its The orientation state is maintained.
それで、光源ＬＳからコリメータレンズＬｃを介して読
出し光を光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ ）
における透明電極Ｅｔ２側に入射させると、その読出し
光は透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨ
ＬＭ）として用いられている高分子一液晶複合膜（また
は高分子一液晶メモリＩり→誘電体ミラーＤＭＬの経路
で誘電体ミラーＤＭＬに達し、そこで反射された後に光
変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられて
いる高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜
）→透明電極Ｅｔ２の経路で光−光変換素子ＰＰＣｅ（
またはＰＰＣｍ）から出射する。Therefore, the readout light from the light source LS is transferred to the light-light conversion element PPCe (or PPCm) through the collimator lens Lc.
When the readout light is made incident on the transparent electrode Et2 side in the transparent electrode Et2 → light modulating material layer member HLL (or H
The polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory I) used as the light modulating material layer member HLL (or The polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory film) used as HLM) → the light-light conversion element PPCe (
or PPCm).
（なお、前記した光−光変換素子中における読出し光の
光路についての説明は、光−光変換素子における読出し
光の光路中に加熱層ＨＥＬや熱吸収層ＨＩＬを備えてい
ない構成の光−光変換素子に関するものであるが、光−
光変換素子における読出し光の光路中に加熱層ＨＥＬや
熱吸収層ＨＩＬを備えている構成の光−光変換素子にお
ける読出し光の光路中には加熱層ＨＥＬや熱吸収層ＨＩ
Ｌが含まれることはいうまでもない）。(Note that the explanation regarding the optical path of the readout light in the light-to-light conversion element described above is based on a light-to-light conversion element having a configuration in which the heating layer HEL or the heat absorption layer HIL is not provided in the optical path of the readout light in the light-to-light conversion element. Regarding conversion elements, light-
In the light-to-light conversion element, the heating layer HEL and the heat absorption layer HIL are provided in the optical path of the readout light in the light conversion element.
It goes without saying that L is included).
前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ）から出射された読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状態のものに
なっている。As described above, the light-to-light conversion element PPCe (or PP
The readout light emitted from Cm) is in a state where the intensity of the light changes in response to the electric field due to the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and other members described above. It has become.
すなわち、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリ膜）における液晶に、被写体の光学像と対応
した電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる
ことにより、前記の液晶がそれに印加された電界強度と
対応して配向の状態を変化して、光変調材層部材ＨＬＬ
（またはＨＬＭ ）として用いられている高分子一液晶
複合ＷＡ（または高分子一液晶メモリ膜）中を前記のよ
うに往復通過する読出し光ＲＬに対して異なる散乱動作
を行うから、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ ）
に読出し光を投射すると、光変調材層部材ＨＬＬ（また
はＨＬＭ）を通過した後に出射した読出し光は、それの
光強度が被写体の光学像と対応して変化しているものに
なるのである。That is, the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory film) used as the light modulating material layer member HLL (or HLM) is charged according to the charge distribution of the charge image corresponding to the optical image of the subject. When an electric field with an intensity distribution is applied, the liquid crystal changes its alignment state in accordance with the applied electric field intensity, and the light modulating material layer member HLL changes.
The light modulating material layer performs different scattering operations for the readout light RL that passes back and forth as described above through the polymer-liquid crystal composite WA (or polymer-liquid crystal memory film) used as the HLM (or HLM). Member HLL (or HLM)
When the readout light is projected onto the light modulating material layer member HLL (or HLM), the light intensity of the readout light emitted after passing through the light modulating material layer member HLL (or HLM) changes in accordance with the optical image of the subject.
このように光−光変換素子ｐｐｃａ（またはＰＰＣｍ）
から出射する読出し光が書込み光と対応して光強度が変
化している状態のものになっているから、それを検光子
によって光強度の変化している光に変換してから利用し
ている場合に比べて。In this way, the light-light conversion element ppca (or PPCm)
Since the reading light emitted from the writing light is in a state where the light intensity is changing in correspondence with the writing light, it is used after converting it into light with changing light intensity using an analyzer. Compared to the case.
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
することができるという利点が得られるのであり、光変
換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）から出射した読出し
光は投影レンズＬＰを介してスクリーンＳに結像されて
、スクリーンＳに被写体０の光学像を表示させることが
できる。This has the advantage that the configuration can be simplified and light can be used efficiently, and the readout light emitted from the light conversion element PPCe (or PPCm) is transmitted to the screen S via the projection lens LP. The optical image of the subject 0 can be displayed on the screen S.
前記したスクリーンＳ上の光学像は、読出し光の光源Ｌ
Ｓの光出力を大にすれば高輝度にできる。The optical image on the screen S described above is created by the light source L of the readout light.
High brightness can be achieved by increasing the optical output of S.
前記の読出し光の光源としてはレーザ光源、白熱灯、放
電灯など、任意の光源からの光を用いることができる。As the light source for the readout light, light from any light source such as a laser light source, an incandescent lamp, or a discharge lamp can be used.
前記した第１図に示す表示装置では、消去手段について
の図示が省略（この点は第２図乃至第７図についても同
じ）されているが、消去動作は第９図乃至第１３図を参
照して既述したような消去手段を適用することによって
行うことができる。In the display device shown in FIG. 1 described above, the illustration of the erasing means is omitted (the same applies to FIGS. 2 to 7), but for the erasing operation, see FIGS. 9 to 13. This can be done by applying the erasing means as described above.
次に、第２図乃至第７図にそれぞれ示されている実施例
の表示装置について説明する。第２図乃至第７図示の各
実施例の表示装置において、光−光変換素子ＰＰＣａ（
ＰＰＣｍ）に対する書込み動作は表示の対象にされてい
る情報によって強度変調されているレーザ光によって行
われるようになされている（第２図乃至第７図に示され
ている表示装置においても、それに使用されるべき光−
光変換素子が、第２図乃至第７図示の各実施例の表示装
置で用いられるとして図中に示されている光−光変換素
子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の代わりに、第１４図乃至第１
８図中に図面符号ＰＰＣｅｐとして示されている光−光
変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ ｐ、すなわち、印加された電界
によって光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器が
光変調材層部材として用いられているものであってもよ
いことは勿論である）。Next, the display devices of the embodiments shown in FIGS. 2 to 7 will be explained. In the display device of each embodiment shown in FIGS. 2 to 7, the light-light conversion element PPCa (
The writing operation for the PPCm) is performed using a laser beam whose intensity is modulated depending on the information to be displayed. The light that should be
14 to 1 instead of the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) shown in the figure as being used in the display device of each of the embodiments shown in FIGS. 2 to 7.
A light-to-light conversion element PPCep, which is indicated by the drawing symbol PPCep in Figure 8, is used as a light modulating material layer member, that is, a PLZT porcelain whose light scattering state changes repeatedly depending on the applied electric field. (Of course, it may also be something else.)
第２図乃至第７図の各図において、ＬＳＱは表示の対象
にされている情報によって強度変調されているレーザ光
を出射するレーザ光源、ＬＬ、 Ｌ２はレンズ、ＤＥＦ
は光偏向器であって１表示の対象にされている情報によ
って強度変調されているレーザ光を出射するレーザ光源
ＬＳｊｌから出射されたレーザ光は、光偏向器ＤＥＦに
よって所定の偏向態様で偏向された書込み光として光−
光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）に与えられて、光−光変換
素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）に書込まれる。In each figure from FIG. 2 to FIG. 7, LSQ is a laser light source that emits a laser beam whose intensity is modulated according to the information to be displayed, LL, L2 are lenses, and DEF.
1 is a light deflector, and the laser light emitted from the laser light source LSjl that emits a laser light whose intensity is modulated according to the information targeted for display is deflected in a predetermined polarization manner by the light deflector DEF. Light as a writing light
The signal is given to the light conversion element PPc (PPm) and written to the light-to-light conversion element PPCe (PPCm).
第２図示の表示装置において、ｖｂはｌ！源、ＬＳは光
源（読出しの光ｇ＞、Ｌｃはコリメーターレンズ、Ｌｐ
は投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、この第２図示
の表示装置では表示の対象にされている情報によって強
度変調されているレーザ光が光−光変換素子ｐｐｃａ（
またはＰＰＣｍ）に対して与えられると、その書込み光
は光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）における
光導電層部材に結像されて、それに対応する電荷像が第
８図乃至第１３図を参照して既述したように、光−光変
換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）における光導電層部
材ＰＣＬにおける透明電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他
の部材との境界面に生じて、その電荷像による電界が光
変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ ）に印加されるこ
とによって、光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）と
して用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子
一液晶メモリ膜）中の液晶の配向の状態は、それに印加
された電界強度と対応して変化し、その配向状態が保持
されるから、光１１（ＬＳからコリメータレンズＬｃを
介して読出し光を光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ ）における透明電極Ｅｔ２側に入射させると、そ
の読出し光は第１図示の表示装置の場合と同様に光変調
材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている
高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）→
誘電体ミラーＤ Ｍ Ｌを往復して光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅ（またはＰＰＣｍ）から出射する。In the display device shown in the second diagram, vb is l! source, LS is the light source (reading light g>, Lc is the collimator lens, Lp
is a projection lens, S is a screen, and in the display device shown in the second figure, a laser beam whose intensity is modulated according to the information to be displayed is passed through a light-to-light conversion element ppca (
or PPCm), the writing light is imaged on the photoconductive layer member in the light-to-light conversion element PPCa (or PPCm), and the corresponding charge image is formed as shown in FIGS. 8 to 13. As described above, a charge image is generated at the interface between the surface of the photoconductive layer member PCL of the light-light conversion element PPCe (or PPCm) on the opposite side to the transparent electrode Etl side and other members. By applying an electric field to the light modulating material layer member HLL (or HLM), the polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory film) used as the light modulating material layer member HLL (or HLM) The alignment state of the liquid crystal inside changes in response to the electric field intensity applied thereto, and the alignment state is maintained. PPCe (or PP
When the readout light is made incident on the transparent electrode Et2 side in Cm ), the readout light is transmitted to the polymer-liquid crystal composite film (or Polymer-LCD memory film)→
A light-light conversion element PP is sent back and forth through the dielectric mirror DML.
Emitted from Ce (or PPCm).
前記のようにして光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ （また
はＰＰＣｍ ）から出射された読出し光は、既述した光
導電層部材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電
荷像による電界と対応して光の強度が変化している状態
のものになっているから、光変換素子ＰＰＣθ（または
ＰＰＣｍ）から出射した読出し光は投影レンズＬｐを介
してスクリーンＳに結像されて、スクリーンＳに被写体
Ｏの光学像を表示させることができる。The readout light emitted from the light-to-light conversion element PPCa (or PPCm) as described above is combined with an electric field due to a charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and other members as described above. Since the light intensity is changing correspondingly, the readout light emitted from the light conversion element PPCθ (or PPCm) is imaged on the screen S via the projection lens Lp, and The optical image of the subject O can be displayed.
次に第３図及び第４図ならびに第６図にそれぞれ示され
ている表示装置は、それに使用されている光−光変換素
子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）が、読出し光を透過させ
うるような構成形態のものとされていて、読出し光が書
込み光の入射側と同じ側から光−光変換素子ＰＰＣｅ（
またはＰＰＣｍ）に与えられるようにされている場合の
実施例であり、前記した第３図及び第４図ならびに第６
図にそれぞれ示されている表示装置において使用されて
いる光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （またはＰＰＣｍ）
としては、例えば読出し光を反射させる誘電体ミラーを
備えてなく、また、読出し光に感度を有しない光導電層
部材が用いられる。Next, the display devices shown in FIGS. 3, 4, and 6 have a configuration in which the light-to-light conversion element PPCa (or PPCm) used therein can transmit readout light. The reading light is transmitted from the same side as the writing light incident side to the light-to-light conversion element PPCe (
or PPCm), and the above-described figures 3 and 4 and 6
The light-to-light conversion element P P Ce (or PPCm) used in the display devices shown in the figures.
For example, a photoconductive layer member that does not include a dielectric mirror that reflects readout light and is not sensitive to readout light is used.
まず、第３図示の表示装置において、ｖｂは電源、ＬＳ
は光源（読出しの光１１３Ｋ）、Ｌｃはコリメーターレ
ンズ、ＬＰは投影レンズ、Ｓはスクリーンであって、表
示の対象にされている情報によって強度変調されている
レーザ光が光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはｐｐｃｍ）
に対して与えられると。First, in the display device shown in the third figure, vb is the power supply, LS
is a light source (reading light 113K), Lc is a collimator lens, LP is a projection lens, S is a screen, and the laser beam whose intensity is modulated according to the information to be displayed is transmitted to the light-to-light conversion element PPCe. (or ppcm)
When given for.
その書込み光は光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣ
ｍ ）における光導電層部材に結像されて。The writing light is transmitted to the light-to-light conversion element PPCe (or PPC
imaged onto the photoconductive layer member in m).
それに対応する電荷像が光−光変換素子ＰＰＣｅ（また
はＰＰＣｍ）における光導電層部材ＰＣＬにおける透明
電極Ｅｔｌ側とは反対側の面と他の部材との境界面に生
じて、その電荷像による電界が光変調材層部材ＨＬＬ（
またはＨＬＭ）に印加されることによって、光変調材層
部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている高分
子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリｌ１ｌ）中
の液晶の配向の状態は、それに印加された電界強度と対
応して変化して、その配向状態が保持される。A corresponding charge image is generated at the interface between the surface of the photoconductive layer member PCL on the opposite side to the transparent electrode Etl side and other members in the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm), and an electric field due to the charge image is generated. is the light modulating material layer member HLL (
or HLM), the alignment state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory l1l) used as the light modulating material layer member HLL (or HLM) is changed accordingly. The orientation state is maintained by changing in response to the applied electric field strength.
光ＩＬＳからコリメータレンズＬｃを介して読出し光を
光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）における透
明電極Ｅｔｌ側に入射させると、その読出し光は光導電
層部材と光変調材層部材）ｆＬＬ（またはＨＬＭ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリ膜）とを透過して透明電極Ｅｔ２側から光−
光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）を出射する。When the readout light from the optical ILS is made incident on the transparent electrode Etl side of the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) via the collimator lens Lc, the readout light is transmitted to the photoconductive layer member and the light modulating material layer member) fLL (or Light is transmitted from the transparent electrode Et2 side through the polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory film) used as HLM).
A light conversion element PPCe (or PPCm) is emitted.
前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ ）から出射した読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状態のものに
なっているから、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）より出射した読出し光は投影レンズＬｐを介してスク
リーンＳに結像されて、スクリーンＳには書込み情報と
対応する光学像が表示できる。As described above, the light-to-light conversion element PPCe (or PP
The readout light emitted from Cm) is in a state where the intensity of the light changes in response to the electric field due to the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and other members as described above. Therefore, the photoconversion element PPCe (or PPCm
) is imaged on the screen S via the projection lens Lp, and an optical image corresponding to the written information can be displayed on the screen S.
第４図に示す表示装置は、前記した第２図及び第３図に
ついて説明した表示装置の場合と同様に光−光変換索子
ｐｐｃａ（またはＰＰＣｍ）に書込みが行われた後に、
書込み光の入射側からバックライトＬｂで照射して、そ
の光を光−光変換素子ＰＰＣａ（またはＰＰＣｍ）の光
導電層部材と光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）と
して用いられている高分子一液晶複合ｌ１ｌ（または高
分子一液晶メモリ膜）とを透過させて透明電極Ｅｔ２側
から出射させるようにし、その出射光を直視するように
した表示装置である。In the display device shown in FIG. 4, after writing is performed on the light-to-light converter ppca (or PPCm), as in the case of the display device explained with reference to FIGS. 2 and 3,
A polymer used as the photoconductive layer member and the light modulating layer member HLL (or HLM) of the light-to-light conversion element PPCa (or PPCm) by irradiating it with a backlight Lb from the writing light incident side. This is a display device in which light is transmitted through a liquid crystal composite l1l (or a polymer and liquid crystal memory film) and emitted from the transparent electrode Et2 side, and the emitted light is viewed directly.
前記のようにして光−光変換素子ｐｐｃｅ（またはＰＰ
Ｃｍ ）から出射したバックライトＬｂによる読出し光
は、既述した光導電層部材Ｐ ＣＬと他の部材との境界
面に生じている電荷像による電界と対応して光の強度が
変化している状態のものになっているから、光変換素子
ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ ）より出射した読出し光を
直視することにより表示の目的が達成されるのである。As described above, the light-to-light conversion element ppce (or PP
The intensity of the readout light from the backlight Lb emitted from the photoconductive layer member PCL changes in accordance with the electric field caused by the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and other members described above. Therefore, the purpose of display can be achieved by directly viewing the readout light emitted from the light conversion element PPCe (or PPCm).
また、第５図に示す表示装置は、前記した第２図につい
て説明した表示装置の場合と同様に反射型の光−光変換
素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）を備えて構成されてい
るから、光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）に
対して第２図乃至第４図について述べたと同様にしてに
書込み動作を行った後に、透明電極Ｅｔ２側から読出し
光ＲＬを照射して、その光が光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃ
ｅ （またはＰＰＣｍ）の光変調材層部材ＨＬＬ（また
はＨＬＭ）として用いられている高分子一液晶複合膜（
または高分子一液晶メモリ膜）を往復して透明１！ｔｉ
Ｅｔ２側から出射させるようにし、その出射光を直視す
るようにした表示装置である。Further, since the display device shown in FIG. 5 is configured with a reflective light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) as in the case of the display device described above with reference to FIG. After performing a write operation on the photoconversion element PPCe (or PPCm) in the same manner as described with reference to FIGS. Photoconversion element PPC
The polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL (or HLM) of e (or PPCm)
Or go back and forth between polymer and liquid crystal memory film) and transparent 1! Ti
This is a display device in which light is emitted from the Et2 side and the emitted light is viewed directly.
前記のようにして光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰ
Ｃｍ ）から出射した読出し光は、既述した光導電層部
材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じている電荷像によ
る電界と対応して光の強度が変化している状態のものに
なっているから、光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）より出射した読出し光を直視することにより表示の目
的が達成されるのである。As described above, the light-to-light conversion element PPCe (or PP
The readout light emitted from Cm) is in a state where the intensity of the light changes in response to the electric field due to the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and other members as described above. Therefore, the photoconversion element PPCe (or PPCm
) The purpose of display is achieved by directly viewing the readout light emitted from the display.
次に、第６図及び第７図は光−光変換素子ｐｐＣｅ（ま
たはＰＰＣｍ）に対して書込まれた情報を読出すための
光学系としてシュリーレン光学系を用いた表示装置であ
り、第６図及び第７図において１はシュリーレン入力マ
スク、２はレンズ、３はシュリーレン出力マスクである
。Next, FIGS. 6 and 7 show a display device using a schlieren optical system as an optical system for reading information written to a light-to-light conversion element ppCe (or PPCm). In the figure and FIG. 7, 1 is a schlieren input mask, 2 is a lens, and 3 is a schlieren output mask.
第６図示の表示装置は、それに使用されている光−光変
換素子ｐｐｃｓ（またはＰＰＣｍ）が、読出し光を透過
させうるような構成形態のものとされ・ていて、光−光
変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）に対して書込まれ
た情報を読出すための光学系としてシュリーレン光学系
を用いた表示装置であり、第６図示の表示装置において
、表示の対象にされている情報によって強度変調されて
いるレーザ光を出射するレーザ光源ＬＳＱから出射され
たレーザ光は、光偏向器ＤＥＦによって所定の偏向態様
で偏向された後にダイクロイックミラー４によって反射
されて書込み光として光−光変換素子ＰＰｃ（ＰＰｍ）
に与えられ、光−光変換素子ＰＰＣｓ（ＰＰＣｍ）に書
込まれる。The display device shown in FIG. 6 has a configuration in which the light-to-light conversion element ppcs (or PPCm) used therein can transmit readout light, and the light-to-light conversion element PPCe ( This is a display device that uses a Schlieren optical system as an optical system for reading out information written to a PPCm), and in the display device shown in Fig. 6, the intensity is modulated depending on the information to be displayed. The laser light emitted from the laser light source LSQ that emits the laser light is deflected in a predetermined manner by the optical deflector DEF, and then reflected by the dichroic mirror 4 and sent to the light-to-light conversion element PPc (PPm) as a writing light. )
and written into the light-to-light conversion element PPCs (PPCm).
第６図（及び後述の第７図）示の表示装置においてｖｂ
は電源、ＳＷはスイッチであり１表示装置の光−光変換
素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）が書込み動作を行って
いる状態においては、スイッチＳＷの可動接点がｍｍｖ
ｂ側に切換えられて光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （ま
たはＰＰＣｍ）の透明電極Ｅｔｌ、 Ｅｔ２に電圧を供
給し、また、書込み動作時以外の動作状態においては前
記したスイッチＳＷの可動接点によって光−光変換素子
ｐｐｃａ（またはＰＰＣｍ ）の透明電極Ｅｔｌ、 Ｅ
ｔＺ間を短終状態になされる。In the display device shown in FIG. 6 (and FIG. 7 described later), vb
is a power supply, SW is a switch, and when the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) of the display device is performing a writing operation, the movable contact of the switch SW is mmv.
b side to supply voltage to the transparent electrodes Etl and Et2 of the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm), and in operating states other than write operation, the movable contact of the switch SW described above supplies light. - Transparent electrode Etl, E of the photoconversion element ppca (or PPCm)
A short final state is maintained during tZ.
第６図に示す表示装置は、透過型の光−光変換素子ＰＰ
Ｃａ（またはＰＰＣｍ）に対し、前記した第２図乃至第
５図示の表示装置について説明した場合と同様に書込み
光により書込み動作が行われた後に、読出し光ＲＬがシ
ュレーリン光学系のシュレーリン入力マスク１とレンズ
２とを介して光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （またはＰ
ＰＣｍ）の透明電極Ｅｔｌ側から入射される。The display device shown in FIG. 6 includes a transmission type light-light conversion element PP.
After a writing operation is performed on Ca (or PPCm) by the writing light in the same manner as described for the display device shown in FIGS. The light-to-light conversion element P P Ce (or P
PCm) is incident from the transparent electrode Etl side.
透過型の光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ （またはＰＰＣ
ｍ）の透明電極Ｅｔｌ側から入射した前記した読出し光
は光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）の光導電
層部材と光変調材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ ）とし
て用いられている高分子一液晶複合膜（または高分子一
液晶メモリＩＩＩ）とを透過して透明電極Ｅｔ２側から
出射し、シュリーレン光学系の出力マスク３と投影レン
ズＬｐとを介してスクリーンＳに投影され、スクリーン
Ｓに表示の対象にされている情報を映出させる。Transmissive light-light conversion element P P Ca (or PPC
The above-described readout light incident from the transparent electrode Etl side of m) is transmitted to the polymer-liquid crystal used as the photoconductive layer member and the light modulating material layer member HLL (or HLM) of the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm). The light passes through the composite film (or polymer-liquid crystal memory III) and exits from the transparent electrode Et2 side, is projected onto the screen S via the output mask 3 of the Schlieren optical system and the projection lens Lp, and is displayed on the screen S. Display the targeted information.
第７図に示す表示装置は、反射型の光−光変換素子ＰＰ
Ｃｅ（またはｐｐｃｍ）に対し、前記した第２図乃至第
５図示の表示装置について説明した場合と同様に書込み
光により書込み動作が行われた後に、読出し光ＲＬがシ
ュレーリン光学系のシュレーリン入力マスク１とレンズ
２とを介して光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）の透明電極Ｅｔ２側から入射される。The display device shown in FIG. 7 includes a reflective light-light conversion element PP.
After a writing operation is performed with the writing light on Ce (or ppcm) in the same way as described for the display device shown in FIGS. The light-to-light conversion element PPCe (or PPCm
) is incident from the transparent electrode Et2 side.
反射型の光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ）の
透明電極Ｅｔ２側から入射した前記した読出し光は光−
光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （またはＰＰＣｍ）の光変調
材層部材ＨＬＬ（またはＨＬＭ）として用いられている
高分子一液晶複合膜（または高分子一液晶メモリ膜）を
往復して透明電極Ｅｔ２側から出射し、シュリーレン光
学系の出力マスク３と投影レンズＬＰとを介してスクリ
ーンＳに投影され、スクリーンＳに表示の対象にされて
いる情報髪映出させる。The above-described readout light incident from the transparent electrode Et2 side of the reflective light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) is light-
From the transparent electrode Et2 side by going back and forth through the polymer-liquid crystal composite film (or polymer-liquid crystal memory film) used as the light modulating material layer member HLL (or HLM) of the light conversion element P P Ce (or PPCm) The light is emitted and projected onto the screen S via the output mask 3 of the Schlieren optical system and the projection lens LP, and the information targeted for display is projected onto the screen S.
これまでの説明から明らかなように１表示装置中に使用
されている光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ
）は、それに入射された読出し光を光変調材層部材中に
おいて光導電層部材ＰＣＬと他の部材との境界面に生じ
ている電荷像による電界と対応して異なった散乱状態の
光、すなわち。As is clear from the above description, the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) used in one display device
) causes the readout light incident thereon to be scattered in a different state depending on the electric field caused by the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and other members in the light modulating material layer member, i.e. .
光強度が被写体の光学像と対応して変化している状態の
光として光−光変換素子ＰＰＣｅ（またはＰＰＣｍ ）
から出射させるから、従来の光−光変換素子のように光
−光変換素子から出射した光を検光子によって光強度の
変化している光に変換してから利用している場合に比べ
て、光を効率的に使用することができるという利点が得
られ、また。A light-light conversion element PPCe (or PPCm) is used as light whose light intensity is changing in accordance with the optical image of the subject.
Compared to conventional light-to-light conversion elements, where the light emitted from the light-to-light conversion element is converted into light with varying intensity by an analyzer before use. It also has the advantage of being able to use light efficiently.
読出し光を光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ （またはＰＰ
Ｃｍ ）に対して、光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （ま
たはＰＰＣｍ ）面の法線以外の方向から入射させても
よく、そのために読出し光の光路中にハーフミラ−や偏
光ビームスプリッタ等を設けなくてもよいから装置の構
成の簡単化が容易になるという利点が得られる。この点
は後述されている撮像装置についても同様である。The readout light is converted into a light-to-light conversion element P P Ca (or PP
Cm) may be incident from a direction other than the normal to the plane of the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm); therefore, it is not necessary to provide a half mirror or a polarizing beam splitter in the optical path of the readout light. This provides the advantage that the configuration of the device can be simplified. This point also applies to the imaging device described later.
ところが、例えば第１図及び第２図に示されているよう
に、光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）面の法線以外
の方向から入射させた読出し光が被写体の光学像と対応
して光強度の変化している状態の光として光−光変換素
子Ｐ Ｐ Ｃｅ （またはＰＰＣｍ ）から出射されて
投影レンズＬｐによりスクリーンＳ上に投影されたスク
リーンＳ上の画像は、スクリーンＳの各部における結像
の状態が異なっていると同時に、スクリーンＳの各部に
おける像倍率が異なっているものとなる。However, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, the readout light incident from a direction other than the normal to the surface of the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) corresponds to the optical image of the subject and is The image on the screen S that is emitted from the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) as light whose intensity is changing and is projected onto the screen S by the projection lens Lp is the result of the results at each part of the screen S. The state of the image is different, and at the same time, the image magnification in each part of the screen S is different.
第２０図は光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （Ｐ Ｐ Ｃ
ｍ）の面の法線以外の方向から光−光変換素子ＰＰＣｅ
（ＰＰＣｍ）に読出し光ＲＬを入射させた場合でも、ス
クリーンＳ上の全面にわたって同一の倍率で、かつ、良
好な結像状態の画像がスクリーンＳ上に投影できるよう
にした場合の構成例を示しており、第２０図においてＬ
Ｓは光源、Ｌｃｎはコンデンサレンズ、Ｌｐは投影レン
ズ、Ｓはスクリーンである。FIG. 20 shows the light-light conversion element P P Ce (P P C
m) from a direction other than the normal to the surface of the light-light conversion element PPCe.
An example of a configuration is shown in which an image with the same magnification and good imaging condition can be projected onto the screen S over the entire surface of the screen S even when the readout light RL is incident on the (PPCm). In Fig. 20, L
S is a light source, Lcn is a condenser lens, Lp is a projection lens, and S is a screen.
第２０図において光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ
）と投影レンズＬｐとスクリーンＳとは。In FIG. 20, a light-light conversion element PPCe (PPCm
), the projection lens Lp, and the screen S.
光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）の結像面と、投影
レンズＬｐの主平面と、スクリーンＳとが平行な状態で
、光−光変換素子ｐｐｃθ（ＰＰＣｍ）の結像面の中心
と投影レンズＬＰの主点とスクリーンＳの中心とが１直
線上に位置しているような状態となるように配置されて
いる。In a state where the imaging plane of the light-light conversion element PPCa (PPCm), the main plane of the projection lens Lp, and the screen S are parallel, the center of the imaging plane of the light-light conversion element ppcθ (PPCm) and the projection lens They are arranged so that the principal point of LP and the center of screen S are located on one straight line.
光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）と投影レンズＬｐ
とスクリーンＳとが、前述のような条件を満足するよう
にして配置された場合には、光源ＬＳからコンデンサレ
ンズＬｃｎを介して読出し光が光−光変換素子ＰＰＣａ
（またはＰＰＣｍ）の面に対して斜めから入射させても
、スクリーンＳ上にはスクリーンＳの全面にわたって良
好な結像状態で、かつ、スクリーンＳ上のどの部分にも
同一の倍率の画像が投影された状態になされるのでｈる
。Light-light conversion element PPCa (PPCm) and projection lens Lp
When the screen S and the screen S are arranged so as to satisfy the above-mentioned conditions, the readout light from the light source LS passes through the condenser lens Lcn to the light-to-light conversion element PPCa.
(or PPCm), even if it is incident obliquely on the surface of the screen S, the image is formed in good condition over the entire surface of the screen S, and an image with the same magnification is projected on any part of the screen S. Because it is done in the state where it was done, it is h.
次に、第１９図は光の入射面と光の出射面とを曲面状に
構成させた光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ ）を示
している。この第１９図においてＢＰＩ、ＢＦ２は１例
えばガラス板のような支持基板である。Next, FIG. 19 shows a light-to-light conversion element PPCe (PPCm) in which a light incident surface and a light exit surface are configured in a curved shape. In FIG. 19, BPI and BF2 are support substrates such as glass plates.
第１９図に例示されている光−光変換素子ＰＰＣ：ａ（
ＰＰＣｍ）は、支持基板ＢＰＩに対して反射鏡ＭΩ、透
明電極Ｅｔ１．光変調材層部材ＨＬＬ（ＨＬ Ｍ）、光
導電層部材ＰＣＬ、透明電極Ｅｔ２゜支持基板ＢＰ２が
順次に積層されて構成されているａＶａｃは前記した電
ＮＥｔｌ、ＥｔＺ間に接続されている電源である。Light-light conversion element PPC:a(
PPCm) has a reflecting mirror MΩ and a transparent electrode Et1. aVac, which is constructed by sequentially laminating the light modulating material layer member HLL (HL M), the photoconductive layer member PCL, the transparent electrode Et2° and the support substrate BP2, is a power supply connected between the above-mentioned electric terminals NEtl and EtZ. be.
そして、光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）として、
それの光の入射面と光の出射面とが曲面状に構成された
光−光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）では、光学系の構
成を簡単化することも可能となる。And as a light-light conversion element PPCa (PPCm),
In the light-to-light conversion element PPCa (PPCm) in which the light incident surface and the light exit surface are configured in a curved shape, it is also possible to simplify the configuration of the optical system.
なお、前記した光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）の
光の入射面と光の出射面とに形成させるべき曲面の形態
は、例えば球面の一部、あるいは例えば回転楕円体面の
一部、シリンドリカリル状、その他任意の曲面状であっ
てもよい。The shape of the curved surfaces to be formed on the light incident surface and the light exit surface of the light-light conversion element PPCe (PPCm) described above may be, for example, a part of a spherical surface, a part of a spheroidal surface, or a cylindrical shape. , or any other curved shape.
例えば、第１９図の側縦断面図に例示されている光−光
変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）のように凹面鏡状の面を
備えている光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ（ＰＰＣｍ）は
、光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）自体の曲面形状
による集光作用を利用することにより、他に投影レンズ
を用いることなく第２１図に例示されている表示装置の
ようにスクリーンＳに画像を結像させることもできる。For example, a light-to-light conversion element PPCa (PPCm) having a concave mirror-like surface, such as the light-to-light conversion element PPCa (PPCm) illustrated in the side vertical cross-sectional view of FIG. By utilizing the light condensing effect due to the curved shape of the light conversion element PPCe (PPCm) itself, an image is formed on the screen S as in the display device illustrated in FIG. 21 without using any other projection lens. You can also do that.
第２１図においてＬＳは光源、Ｌｃｎはコンデンサレン
ズであり、また、ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）は例えば第１９
図に例示されているような凹面鏡状の面を備えている光
−光変換素子である。In FIG. 21, LS is a light source, Lcn is a condenser lens, and PPCa (PPCm) is, for example, the 19th
This is a light-to-light conversion element having a concave mirror-like surface as illustrated in the figure.
既述のようにして書込みが行われている光−光変換素子
ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）に対して、光源ＬＳから放射され
た読出し光をコンデンサレンズＬｃｎを介して凹面鏡状
の面を備えている光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）
に入射させると、その入射光は光変調材層部材を往復す
る際に、１Ｆ込まれている情報に応じて強度変調されて
いる状態の光として凹面鏡状の面から出射してスクリー
ンＳ上に結像させることができる。The readout light emitted from the light source LS is transmitted to the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) in which writing is performed as described above through the condenser lens Lcn, which has a concave mirror-like surface. Photoconversion element PPCe (PPCm)
When the incident light goes back and forth through the light modulating material layer member, it exits from the concave mirror-like surface as light whose intensity is modulated according to the information contained in the 1F and onto the screen S. It can be imaged.
第２２図は凹面鏡状の面を備えている光−光変換素子ｐ
ｐｃａ（ｐｐｃｍ）に対する書込み光の入射と続出し光
ＲＬとの入射が、光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）
における同じ面から行われるようにされた場合の実施例
であるが、前記の光−光変換素子ＰＰＣｓ（ＰＰＣｍ、
）は、それの光導電層部材として書込み光の波長域の光
に対しては感度を有するが、読出し光の波長域の光に対
しては不感なものを用いて構成されているもの用いられ
ている。Figure 22 shows a light-light conversion element p having a concave mirror-like surface.
The incidence of the writing light on the pca (ppcm) and the incidence of the continuous light RL are connected to the light-to-light conversion element PPCe (PPCm).
This is an example in which the light-to-light conversion elements PPCs (PPCm, PPCm,
) is constructed using a material that is sensitive to light in the wavelength range of the writing light but insensitive to light in the wavelength range of the reading light as its photoconductive layer member. ing.
第２２図示の表示装置においてＬＳＱは書込み信号によ
って強度変調された状態のレーザ光を放射するレーザ光
源、ＤＥＦは光偏向器、ＲＬは図示されていない光源か
ら放射されている読出し光。In the display device shown in FIG. 22, LSQ is a laser light source that emits laser light whose intensity is modulated by a write signal, DEF is an optical deflector, and RL is read light emitted from a light source (not shown).
Ｌｐは表示の対象にされている情報によって強度変調さ
れた状態で光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）から出
射された読出し光をスクリーンＳに結像させる投影レン
ズである。Lp is a projection lens that images the readout light emitted from the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) onto the screen S in a state where the intensity is modulated according to the information to be displayed.
第２３図は光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成さ
せた光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ （Ｐ Ｐ Ｃｍ ）
における凹面側から書込み光を入射させるとともに、凸
面側から読出し光を入射させるようにした光−光変換素
子ＰＰＣ：ｅ（ＰＰＣｍ）を備えて構成されている表示
装置の実施例である。Figure 23 shows a light-to-light conversion element P P Ca (P P Cm ) in which a light incident surface and a light exit surface are configured in a curved shape.
This is an embodiment of a display device including a light-to-light conversion element PPC:e (PPCm) that allows writing light to enter from the concave side and read light to enter from the convex side.
第２３図中に示されている光−光変換素子ＰＰＣａ（Ｐ
ＰＣｍ）は、支持基板ＢＰＬに対して透明電極Ｅｔ１．
光導電層部材ＰＣＬ、誘電体ミラーＤＭＬ、光変調材層
部材ＨＬＬ（ＨＬＭ）、透明電極Ｅｔ２、支持基板ＢＰ
２が順次に積層されて構成されている。Ｖａｃは前記し
た電極Ｅｔｌ、ＥｔＺ間に接続されている電源である。The light-to-light conversion element PPCa (P
PCm), the transparent electrode Et1.
Photoconductive layer member PCL, dielectric mirror DML, light modulating material layer member HLL (HLM), transparent electrode Et2, support substrate BP
2 are sequentially stacked. Vac is a power supply connected between the electrodes Etl and EtZ.
第２３図においてＬＳΩは書込み信号によって強度変調
された状態のレーザ光を放射するレーザ光源であり、ま
たＬｌはレンズ、ＤＥＦは光偏向器であり、またＬＳは
読出し光を放射する光源。In FIG. 23, LSΩ is a laser light source that emits laser light whose intensity is modulated by a write signal, Ll is a lens, DEF is an optical deflector, and LS is a light source that emits read light.
Ｌｃｎはコンデンサレンズ、ＬＰは表示の対象にされて
いる情報によって強度変調された状態で光−光変換素子
ＰＰＣθ（Ｐ Ｐ Ｃｍ）から出射された読出し光をス
クリーンＳに結像させる投影レンズである。Lcn is a condenser lens, and LP is a projection lens that images the readout light emitted from the light-to-light conversion element PPCθ (P P Cm) onto the screen S in a state where the intensity is modulated according to the information to be displayed. .
第２４図は光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成さ
せた光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）における凹面
側から書込み光と読出し光とを入射させるとともに、凸
面側から読出し光を出射させて投影レンズＬｐによって
スクリーンＳに結像させるようにした実施例であって、
図中においてＬＳＩ２はＬＳＱは書込み信号によって強
度変調された状態のレーザ光を放射するレーザ光源であ
り、また、ＤＥ Ｆｌ±光偏向器であり、ＬＳは読出し
光を放射する光源、ＬＣｎはコンデンサレンズである。FIG. 24 shows a light-to-light conversion element PPCe (PPCm) in which the light incident surface and the light exit surface are configured in a curved shape, in which writing light and reading light are incident from the concave side, and reading light is input from the convex side. This is an embodiment in which the light is emitted and the image is formed on the screen S by the projection lens Lp,
In the figure, LSI2, LSQ is a laser light source that emits laser light whose intensity is modulated by a write signal, DE Fl± optical deflector, LS is a light source that emits read light, and LCn is a condenser lens. It is.
そして、この第２４図に示されている表示装置では透過
型の光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）となされてい
るが、この光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）は、そ
れの光導電層部材として書込み光の波長域の光に対して
は感度を有するが、読出し光の波長域の光に対しては不
感なものを用いて構成されたものが使用される。In the display device shown in FIG. 24, a transmission type light-to-light conversion element PPCe (PPCm) is used, and this light-to-light conversion element PPCe (PPCm) is a photoconductive layer member thereof. A device is used that is sensitive to light in the wavelength range of the writing light but insensitive to light in the wavelength range of the read light.
光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成させた光−光
変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （Ｐ Ｐ Ｃｍ ）における書
込み光と読出し光との入射方向の組合わせ態様としては
、前記した各実施例で例示されたもの以外に、■光−光
変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）が反射型の場合には、書
込みを凸面側から行い読出しを凹面側から行う、書込み
と読出しとの双方を凸面側から行う、■光−光変換素子
ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）が透過型の場合には、書込みを凸
面側から行い読出しを凹面側から行う、書込みと読出し
との双方を凸面側から行う、書込みと読出しとの双方を
凹面側から行う０等の組合わせ態様が考えられる。また
、これまでの記載では光源がレーザ光源であるとされて
いたが、光源としてＬＥＤその他、任意の光源が使用さ
れてもよいことは勿論である。The combinations of the incident directions of the writing light and the reading light in the light-to-light conversion element P P Ce (P P Cm ) in which the light incident surface and the light exit surface are configured in a curved shape include each of the above-mentioned combinations. In addition to those exemplified in the examples, (1) When the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) is a reflective type, writing is performed from the convex side and reading is performed from the concave side, and both writing and reading are performed from the convex side. ■ When the light-to-light conversion element PPCa (PPCm) is a transmission type, writing is performed from the convex side and reading from the concave side, both writing and reading are performed from the convex side, writing and reading are performed from the convex side. A combination mode such as 0 is possible in which both of the steps are performed from the concave side. Further, although the light source has been described as a laser light source in the descriptions so far, it goes without saying that any light source other than an LED may be used as the light source.
次に、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
光変調材層部材とを含んで構成されている光−光変換素
子ＰＰＣｅｐを用いて構成されている撮像装置の具体的
な内容について第１４図乃至第１８図を参照して説明す
る。各図においてＥｔｌ、 Ｅｔ２は透明電極、ＰＣＬ
は光導電層部材、ＤＭＬは誘電体ミラー、ＰＬＺＴは電
界によって光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器
による光変調材層部材であり、またＷＬは書込み光、Ｒ
Ｌは読出し光、ＥＬは消去光を示している。Next, a light-to-light conversion element PPCep is constructed using a photoconductive layer between at least two electrodes and a light modulating material layer member made of PLZT porcelain whose light scattering state changes repeatedly depending on an electric field. The specific contents of the image pickup device will be explained with reference to FIGS. 14 to 18. In each figure, Etl and Et2 are transparent electrodes, PCL
is a photoconductive layer member, DML is a dielectric mirror, PLZT is a light modulating material layer member made of PLZT porcelain whose light scattering state changes repeatedly depending on the electric field, and WL is a writing light, R
L indicates reading light and EL indicates erasing light.
第１４図に示す撮像装置においてＬは撮像レンズであり
、被写体の光学像が撮像レンズＬにより光導電層部材Ｐ
ＣＬに結像される。光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ ｐに
光学的な情報の書込みが行われる場合に、光−光変換素
子のＰ Ｐ Ｃｅ ｐの電ｗ４Ｅｔｌ。In the imaging device shown in FIG. 14, L is an imaging lens, and the optical image of the subject is captured by the imaging lens L into the photoconductive layer member P.
The image is formed on CL. When optical information is written to the light-to-light conversion element P P Ce p, the voltage w4Etl of P P Ce p of the light-to-light conversion element.
Ｅｔ２に電源ｖｂの電圧が切換スイッチＳＷの可動接点
Ｖと固定接点ＷＲとを介して供給されて、光導電層部材
ＰＣＬ７の両端間に電界が加えられる。The voltage of the power supply vb is supplied to Et2 via the movable contact V and fixed contact WR of the changeover switch SW, and an electric field is applied between both ends of the photoconductive layer member PCL7.
光−光変換素子ＰＰＣｅｐに入射した書込み光ＷＬが透
明電極Ｅｔｌを透過して光導電層部材ＰＣＬ４に到達す
ると、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値がそれに到達し
た入射光による光学像と対応して変化するために、光導
電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光
導電層部材ＰＣＬに到達した入射光による光学像と対応
した電荷像が生じる。When the writing light WL incident on the light-to-light conversion element PPCep passes through the transparent electrode Etl and reaches the photoconductive layer member PCL4, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL corresponds to the optical image caused by the incident light that has reached it. As a result, a charge image corresponding to an optical image caused by the incident light reaching the photoconductive layer member PCL is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML.
前記のようにして大君光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅ ｐから再生するのには、切換スイッチＳＷの可
動接点Ｖを固定接点ＷＲ側に切換えた状態として、電源
ｖｂの電圧が透明電極Ｅｔｌ、 ＥｔＺ間に印加されて
いる状態にしておいて。The optical information written in the form of a charge image corresponding to the optical image by the Oikun light as described above is transferred to the light-light conversion element P.
To reproduce from PCe p, the movable contact V of the changeover switch SW is switched to the fixed contact WR side, and the voltage of the power supply vb is applied between the transparent electrodes Etl and EtZ.
図示されていない光源からの一定の光強度の読出し光Ｒ
Ｌを投射することによって行うことができる。Readout light R with constant light intensity from a light source (not shown)
This can be done by projecting L.
既述のように入射光による光情報の書込みが行われた光
−光変換素子ＰＰＣａｐにおける光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面には光導電層部材ＰＣＬ
に到達した入射光による光学像と対応した電荷像が生じ
ているから、前記した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電
体ミラーＤＭＬとともに直列的な関係に設けられている
光変調材層部材ＰＬＺＴには、入射光による光学像と対
応した強度分布の電界が加わっている状態になされてい
る。A photoconductive layer member PCL is provided at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element PPCap where optical information has been written by incident light as described above.
Since a charge image corresponding to the optical image caused by the incident light that has reached is generated, the light modulating material layer member PLZT, which is provided in series with the dielectric mirror DML with respect to the photoconductive layer member PCL, is applied with an electric field having an intensity distribution corresponding to the optical image formed by the incident light.
そして、前記した光変調材層部材ＰＬＺＴは電気光学効
果により電界に応じて変化するから、入射光による光学
像と対応した強度分布の電界が加わっている状態に前記
した光導電層部材ＰＣＬに対して誘電体ミラーＤＭＬと
ともに直列的な関係に設けられている光変調材層部材Ｐ
ＬＺＴの屈折率は、既述した入射光による光情報の書込
みにより光−光変換素子における光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界面に光導電層部材ＰＣＬに
到達した入射光による光学像と対応して生じた電荷像に
応じて変化しているものになる。Since the light modulating layer member PLZT described above changes depending on the electric field due to the electro-optic effect, the photoconductive layer member PCL described above is subjected to an electric field with an intensity distribution corresponding to the optical image caused by the incident light. A light modulating material layer member P provided in series with the dielectric mirror DML.
The refractive index of LZT is determined by the optical value of the incident light that reaches the photoconductive layer member PCL at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element by writing optical information using the incident light as described above. The image changes depending on the charge image generated in correspondence with the image.
それで、読出し光ＲＬが投射された場合には。So, when the readout light RL is projected.
読出し光ＲＬが、透明電極Ｅｔ２→光変調材層部材ＰＬ
ＺＴ→誘電体ミラーＤ Ｍ Ｌ→のように進行して行き
２次いで前記した読出し光ＲＬは誘電体ミラーＤＭＬで
反射して透明電極ＥｔＺ側に反射光として戻って行くが
、読出し光ＲＬの反射光は光変調材層部材ＰＬＺＴの電
気光学効果により光変調材層部材ＰＬＺＴに加わる電界
の強度分布に応じた画像情報を含むものとなって、透明
［極Ｅｔ２側に入射光による光学像に対応した再生光学
像を生じさせる。The readout light RL is transmitted from the transparent electrode Et2 to the light modulating material layer member PL.
The readout light RL proceeds as ZT→dielectric mirror DML→2, and then is reflected by the dielectric mirror DML and returns to the transparent electrode EtZ side as reflected light, but the reflection of the readout light RL Due to the electro-optic effect of the light modulating material layer member PLZT, the light contains image information according to the intensity distribution of the electric field applied to the light modulating material layer member PLZT, and the light becomes transparent [corresponding to the optical image by the incident light on the Et2 side] produces a reconstructed optical image.
前記の説明から明”らかなように、光−光変換素子ＰＰ
Ｃａｐにおける誘電体ミラーＤＭＬは、透明電極Ｅｔ２
側から光変調材層部材ＰＬＺＴに入射した読出し光ＲＬ
を反射させて、読出し光ＲＬが光変調材層部材ＰＬＺＴ
から光導電体層部材ｐｃＬに透過しないようにしている
。As is clear from the above description, the light-light conversion element PP
The dielectric mirror DML in Cap is a transparent electrode Et2
Readout light RL incident on the light modulating material layer member PLZT from the side
The readout light RL is reflected onto the light modulating material layer member PLZT.
The photoconductor layer member pcL is prevented from transmitting through the photoconductor layer member pcL.
それにより、読出し光ＲＬが光変調材層部材ＰＬＺＴか
ら光導電層部材ＰＣＬに透過することによって生じる問
題、すなわち、読出し光ＲＬが光変調材層部材ＰＬＺＴ
から光導電層部材ＰＣＬに透過することにより光導ｆｉ
［部材ＰＣＬとｖＩｔｔ体ミラーＤＭＬとの境界に存在
している電荷像が乱されてしまうという問題点が生じな
いようにできる。As a result, a problem arises when the readout light RL is transmitted from the light modulating material layer member PLZT to the photoconductive layer member PCL.
The light guide fi is transmitted through the photoconductive layer member PCL.
[This can prevent the problem that the charge image existing at the boundary between the member PCL and the vItt body mirror DML is disturbed.
前記のようにして書込み光ＷＬによって書込まれた情報
を消去するのには、前記した切換スイッチＳＷにおける
可動接点Ｖを固定接点Ｅ側に切換え、光−光変換素子Ｐ
ＰＣｅｐにおける透明電極Ｅｔｌ、 ＥｔＺ間に電界が
生じないようにしてから。In order to erase the information written by the write light WL as described above, the movable contact V in the changeover switch SW is switched to the fixed contact E side, and the light-to-light conversion element P is
After making sure that no electric field is generated between the transparent electrodes Etl and EtZ in PCep.
書込み光ＷＬの入射側とされている透明電極Ｅｔｌから
−様な強度分布の消去光ＥＬを入射させて行う。The erasing light EL having a -like intensity distribution is made incident from the transparent electrode Etl which is the incident side of the writing light WL.
第１５図に示されている撮像装置は撮像レンズＬを通過
した光が光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ ｐに供給されな
いようにする光学シャッタＳＴを備えているもので、光
学シャッタＳＴを開いて被写体の光学像を光−光変換素
子ＰＰＣｅｐの光導電層部材ＰＣＬに結像させてから、
光学シャッタＳＴを閉じると、第１４１を参照して説明
したようにして光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ ｐにおけ
る光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤ Ｍ Ｌとの境
界面に被写体の光学像と対応して生じた電荷像を長期間
にわたって保持することもできる。The imaging device shown in FIG. 15 is equipped with an optical shutter ST that prevents the light that has passed through the imaging lens L from being supplied to the light-to-light conversion element PPCap. After forming an optical image of the subject on the photoconductive layer member PCL of the light-to-light conversion element PPCep,
When the optical shutter ST is closed, an optical image of the subject is formed on the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element PPCep as described with reference to No. 141. It is also possible to retain the correspondingly generated charge image for a long period of time.
また、前記した光学シャッタＳＴを用いて時間を区切っ
て被写体の光学像を光−光変換素子ＰＰＣｅ ｐの光導
電層部材ＰＣＬに結像させ、光−光変換素子ＰＰＣｅ
ｐにおける光導ｉｔＮ部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬ
との境界面に被写体の光学像と対応する電荷像を生じさ
せ、入力した画像情報を走査して読出すようにすること
もできる。Further, an optical image of the subject is formed on the photoconductive layer member PCL of the light-to-light conversion element PPCe p by dividing the time using the optical shutter ST described above.
Light guide itN member PCL and dielectric mirror DML at p
It is also possible to generate a charge image corresponding to the optical image of the subject at the interface between the two and scan the input image information to read it out.
第１６図に示す撮像装置は、混迷のように入射光による
光情報の書込みが行われて光−光変換素子ＰＰＣ６Ｐに
おける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラーＤＭＬとの境
界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取りを行う
のに、読出し光ＲＬとしてレーザ光源ＬＳｎからの光を
光偏向器ＤＥＦによって偏向した後にレンズ５とビーム
スプリッタＢＳを介して光−光変換素子ＰＰＣａｐの透
明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換素子ｐｐＣａ
ｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光をビームスプ
リッタＢＳを介してレンズ６に与え、光電変換器ＰＤに
よって映像信号に変換して出力端子７に送出するように
した構成のものである。In the imaging device shown in FIG. 16, optical information is written by incident light in a confusing manner, and an optical image of the object is formed on the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element PPC6P. In order to read the charge image corresponding to , the light from the laser light source LSn is deflected as the readout light RL by the optical deflector DEF, and then passed through the lens 5 and the beam splitter BS to the transparent electrode Et2 of the light-to-light conversion element PPCap. The light enters from the side, and the light-light conversion element ppCa
The configuration is such that reproduction light emitted from the transparent electrode Et2 side of p is applied to the lens 6 via the beam splitter BS, converted into a video signal by the photoelectric converter PD, and sent to the output terminal 7.
第１６図に示す撮像装置中の光電変換器ＰＤとしては、
光偏向器ＤＥＦにおける偏向態様に応じて、それぞれ適
当な形式のもの（フォトダイオード、１次元イメージセ
ンサ）が使用される。The photoelectric converter PD in the imaging device shown in FIG.
An appropriate type (photodiode, one-dimensional image sensor) is used depending on the deflection mode in the optical deflector DEF.
なお、前記したレンズ６から８射した光を光電変換せず
に、光の状態のままで光信号処理装置に供給して所望の
信号処理が行われるようにしてもよい（この点は第１７
図示の撮像装置についても同様である）。第１６図にお
いてＥＳＬは消去光ＥＬの光源である（第１７図及び第
１８図についても同じ）。Note that the light emitted from the lens 6 described above may be supplied to the optical signal processing device in its optical state without photoelectric conversion, and the desired signal processing may be performed (this point is explained in the 17th section).
The same applies to the illustrated imaging device). In FIG. 16, ESL is a light source for erasing light EL (the same applies to FIGS. 17 and 18).
第１７図に示す撮像装置は、既述のように入射光による
光情報の書込みが行われて光−光変換素子Ｐ Ｐ Ｃａ
ｐにおける光導電層部材ＰＣＩ、と誘電体ミラーＤＭ
Ｌとの境界面に被写体の光学像と対応した電荷像の読取
りを行うのに、読出し光ＲＬとして再生光源７から放射
された再生光をレンズ８によって大面積の光束としてか
ら、ビームスプリッタＢＳを介して光−光変換素子ＰＰ
Ｃａｐの透明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光変換素
子ＰＰＣａｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再生光を
ビームスプリッタＢＳを介してレンズ９に与え。In the imaging device shown in FIG. 17, optical information is written by incident light as described above, and the light-to-light conversion element P P Ca
Photoconductive layer member PCI and dielectric mirror DM in p
In order to read a charge image corresponding to the optical image of the object on the interface with L, the reproduction light emitted from the reproduction light source 7 as the readout light RL is converted into a large-area light beam by the lens 8, and then the beam splitter BS is used. Through the light-light conversion element PP
Reproduction light is input from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCap and is emitted from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCap, and is applied to the lens 9 via the beam splitter BS.
２次元イメージセンサ１０によって映像信号に変換する
ようにした構成のものである。The configuration is such that the two-dimensional image sensor 10 converts the signal into a video signal.
また、第１８図に示す撮像装置は、既述のように入射光
による光情報の書込みが行われて光−光変換素子Ｐ Ｐ
Ｃｓ ｐにおける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラー
ＤＭＬとの境界面に被写体の光学像と対応した電荷像の
読取りを行うのに、読出し光ＲＬとしてレーザ光源ＬＳ
Ｑからの光を光偏向ＩＩＩＤＥＦによって偏向した後に
レンズ５とビームスプリッタＢＳを介して光−光変換素
子ＰＰＣｅＰの透明電極Ｅｔ２側から入射させ、光−光
変換素子ＰＰＣａｐの透明電極Ｅｔ２側から出射した再
生光をビームスプリッタＢＳを介してレンズ１１に与え
、レンズ１１から出射した光を記録媒体Ｆに結像させて
記録媒体Ｆに記録させるようにした構成のものである。Further, in the imaging device shown in FIG. 18, optical information is written by incident light as described above, and the light-to-light conversion element P P
A laser light source LS is used as readout light RL to read a charge image corresponding to the optical image of the object on the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in Csp.
After the light from Q is deflected by the light deflector IIIDEF, it enters the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCeP through the lens 5 and the beam splitter BS, and exits from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCap. The configuration is such that reproduction light is applied to a lens 11 via a beam splitter BS, and the light emitted from the lens 11 is imaged on a recording medium F and recorded on the recording medium F.
第１８図中において１３．１４は記録媒体Ｆの巻取リリ
ール及び送り出しリールであり、また１５は記録媒体の
副走査方向を示している。記録媒体Ｆとしては光学的な
記録媒体、あるいは光学像を電荷像として記録する記録
媒体等、任意のものを使用することができる。In FIG. 18, reference numerals 13 and 14 indicate a take-up reel and a delivery reel for the recording medium F, and 15 indicates the sub-scanning direction of the recording medium. As the recording medium F, any one can be used, such as an optical recording medium or a recording medium that records an optical image as a charge image.
次に、第２５図乃至第２７図は読出し光を光−光変換素
子の面の法線以外の方向から光−光変換素子に入射させ
るようにした撮像装置の構成例を示している図であり、
まず、第２５図に示す撮像装置では書込み光が入射され
ている光−光変換索子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）の面とは反
対側の面に対して、その面の法線とは異なる方向に読出
し光を入射させるようにしている実施例であり、このよ
うにすることにより読出し光の光路中にハーフミラ−を
設けなくともよいから装置の構成の簡単化と光の利用率
の向上とが達成できる。Next, FIGS. 25 to 27 are diagrams showing configuration examples of an imaging device in which readout light is made to enter the light-to-light conversion element from a direction other than the normal to the surface of the light-to-light conversion element. can be,
First, the imaging device shown in FIG. 25 reads out a surface opposite to the surface of the light-to-light converter PPCa (PPCm) on which the writing light is incident in a direction different from the normal to that surface. This is an example in which light is made incident, and by doing so, it is not necessary to provide a half mirror in the optical path of the readout light, so it is possible to simplify the configuration of the device and improve the light utilization rate. .
第２５図においてＯは被写体、Ｌは撮像レンズ、Ｐ Ｐ
Ｃｅ （Ｐ Ｐ Ｃｍ）は光−光変換素子、ＬＳＱは
読出し光の光源として用いられるレーザ光源、ＤＥＦは
光偏向器、ＰＤは光検出器である。なお、読出し光の光
源としては、レーザ以外の光源が用いられてもよいこと
は勿論である。In Fig. 25, O is the subject, L is the imaging lens, P P
Ce (P P Cm) is a light-to-light conversion element, LSQ is a laser light source used as a light source of readout light, DEF is a light deflector, and PD is a photodetector. Note that it goes without saying that a light source other than a laser may be used as the light source for the readout light.
また、光ビームの走査によって情報の読出しを行う代わ
りに、大面積の読出し光を光−光変換素子ＰＰＣｅ（Ｐ
ＰＣｍ）の面に照射し、二次元イメージセンサにより映
像信号が得られるようになされてもよい。In addition, instead of reading information by scanning a light beam, a large area of readout light is transmitted to the light-to-light conversion element PPCe (P
It is also possible to irradiate the surface of PCm) and obtain a video signal using a two-dimensional image sensor.
第２６図及び第２７図は凹面鏡状の面を備えている光−
光変換素子Ｐ Ｐ Ｃｅ （Ｐ Ｐ Ｃｍ ）を用いて
構成させた撮像装置の構成例を示したものであり、第２
６図は書込み光の入射と読出し光ＲＬとの入射が、光−
光変換素子ＰＰＣａ（ＰＰＣｍ）における同じ面から行
われるようにされた場合の実施例であり、この実施例の
場合には光−光変換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｒｎ）におけ
る光導電層部材として書込み光の波長域の光に対しては
感度を有するが。Figures 26 and 27 show a light beam with a concave mirror-like surface.
This figure shows a configuration example of an imaging device configured using a light conversion element P P Ce (P P Cm ), and the second
Figure 6 shows that the incidence of the writing light and the incidence of the reading light RL are
This is an example in which writing is performed from the same surface in a light conversion element PPCa (PPCm), and in this example, the wavelength of the writing light is used as a photoconductive layer member in a light-to-light conversion element PPCe (PPCrn). Although it is sensitive to light in the area.
読出し光の波長域の光に対しては不感なものを用いて構
成されたもの用いられる。A device constructed using a material that is insensitive to light in the wavelength range of the readout light is used.
第２６図及び第２７図示の撮像装置において０は被写体
、Ｌは撮像レンズ、ＬＳＱは読出し光を放射するレーザ
光源、ＤＥＦは光偏向器、ＰＤは光検出器である。In the imaging apparatus shown in FIGS. 26 and 27, 0 is a subject, L is an imaging lens, LSQ is a laser light source that emits readout light, DEF is a light deflector, and PD is a photodetector.
また、第２７図に例示されている撮像装置は光の入射面
と光の出射面とを曲面状に構成させた光−光変換素子Ｐ
Ｐ Ｃｅ （Ｐ Ｐ Ｃｍ ）における凸面側から被
写体の光学情報を有する書込み光を入射させるとともに
、凹面側から読出し光を入射させるようにした光−光変
換素子ＰＰＣｅ（ＰＰＣｍ）を備えて構成されている撮
像装置の実施例である。In addition, the imaging device illustrated in FIG.
A light-to-light conversion element PPCe (PPCm) is configured to allow writing light having optical information of a subject to enter from the convex side of P Ce (P P Cm ) and to allow read light to enter from the concave side. This is an example of an imaging device.
なお、本発明は表示装置や撮像装置などの他に。Note that the present invention is applicable not only to display devices and imaging devices.
光コンピュータ等における光変調装置にも用いることが
できる。It can also be used as a light modulation device in an optical computer or the like.
（発明の効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の表示装置は所定の電圧が印加された２枚の透明電極
の間に、少なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作
しうる光変調材層部材とによって構成した光−光変換素
子における光導電層部材側の透明電極を通して、表示や
撮像の対象にされている情報を含む電磁放射線を光導電
層部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との間
に前記した表示の対象にされている情報を含む電磁放射
線と対応する電荷像を生じさせる手段と。(Effects of the Invention) As is clear from the above detailed explanation, the display device of the present invention has at least a photoconductive layer member and a scattering mode display device between two transparent electrodes to which a predetermined voltage is applied. Electromagnetic radiation containing information to be displayed or imaged is applied to the photoconductive layer member through a transparent electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element constituted by the operable light modulating material layer member. . means for producing a charge image corresponding to electromagnetic radiation containing the information to be displayed between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member;
前記の電荷像による電界によって前記した光変調材層部
材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と
５電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における
電磁放射線情報と対応する光に対する散乱の度合いの変
化を読出して表示したり、読出した光学情報を電気信号
に変換する手段とを備えてなる光−光変換素子の応用装
置であるから、この本発明の光−光変換素子の応用装置
では光−光変換素子から出射する読出し光が表示の対象
にされている情報と対応して光強度が変化している状態
になっていて、光−光変換素子から出射した読出し光を
そのまま投影レンズによってスクリーンに投影すること
ができ、従来の光−光変換素子から出射した読出し光の
ように、それを検光子によって光強度の変化している光
に変換してから利用するようにしている場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
でき、また、高解像度の画像情報を良好な記憶機能を有
する光−光変換素子を用いて表示の対象にされている情
報が短時間だけ与えられた場合でも、高い解像度で長時
間にわたって良好に表示することができるのであり、ま
た、本発明の光−光変換素子の応用装置が撮像装置とし
て実施された場合には高解像度の映像信号が容易に発生
できるのであり、さらに、電界の印加により光の散乱状
７態が絵返し変化するＰＬＺＴ磁器を光変調材層部材と
して用いた光−光変換素子は光変調材層部材を構成して
いるＰＬＺＴ磁器が高インピーダンスのために、電荷像
の保持性能が高く、読出し動作を繰返して静止画を表示
させる場合に有利であり。(5) scattering of light corresponding to electromagnetic radiation information in the light modulating material layer member using electromagnetic radiation; Since this is an application device of a light-to-light conversion element comprising a means for reading out and displaying a change in the degree of change in the degree of change in the degree of light and a means for converting the read optical information into an electrical signal, the application of the light-to-light conversion element of the present invention is In the device, the readout light emitted from the light-to-light conversion element is in a state where the light intensity changes in accordance with the information to be displayed, and the readout light emitted from the light-to-light conversion element is changed as it is. It can be projected onto a screen using a projection lens, and like readout light emitted from a conventional light-to-light conversion element, it can be used after being converted into light with varying light intensity by an analyzer. Compared to when there is
The structure can be simplified, light can be used efficiently, and information to be displayed can be shortened by using a light-to-light conversion element that has a good storage function for high-resolution image information. Even if only a certain amount of time is given, it is possible to display images with high resolution and good quality over a long period of time.Furthermore, when the application device of the light-to-light conversion element of the present invention is implemented as an imaging device, high resolution can be achieved. A light-to-light conversion element uses PLZT porcelain as a light modulating material layer member, which can easily generate a video signal, and the light scattering state changes in reverse when an electric field is applied. Due to the high impedance of the PLZT porcelain that constitutes the device, it has high charge image retention performance, which is advantageous when displaying still images by repeating readout operations.
また、光学シャッタを設けた撮像装置とすれば時間を区
切って入力した画像を走査して読出すことができ、さら
にまた、光−光変換素子に入射させる読出し光を光−光
変換素子の面の法線の方向とは別の方向とすることによ
り光の利用効率を高め。Furthermore, if the imaging device is equipped with an optical shutter, it is possible to scan and read out images inputted in time sections, and furthermore, the readout light incident on the light-to-light conversion element can be directed to the surface of the light-to-light conversion element. By setting the direction in a direction different from the normal direction of the light, the efficiency of light usage is increased.
また、光の入射面と光の出射面とを曲面状に構成させた
光−光変換素子を用いることにより光学系の構成を簡単
化できる等１本発明によれば前記のような優れた効果を
奏することができる。In addition, the present invention has the above-mentioned excellent effects, such as simplifying the configuration of the optical system by using a light-to-light conversion element in which the light entrance surface and the light exit surface are configured in a curved shape. can be played.
第１図乃至第７図及び第２０図乃至第２４図は表示装置
の実施例の側面図、第８図乃至第１３図及び第１５図及
び第１９図は光−光変換素子の説明用の側面図、第１４
図と第１６図乃至第１８図及び第２５図乃至第２７図は
撮像装置の実施例の側面図である。
０・・・被写体、Ｌ・・・撮像レンズ、ＰＰＣｅ、ＰＰ
Ｃ，ｍ、ＰＰＣａｐ・・・光−光変換素子、ｖｂ・・・
電源。
ＷＬ・・・書込み光、ＲＬ・・・読出し光、Ｅ ｔｌ、
Ｅ ｔ２・・・透明電極、ＰＣＬ・・・光導電層部材
、ＤＭＬ・・・誘電体ミラー、ＭＱ・・・反射鏡、ＨＬ
Ｌ・・・高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一
液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部材、ＥＬＳ・
・・消去用の光源、ＥＬＳＱ・・・消去用のレーザ光源
、ＬＳ・・・読出し光の光源、ＤＥＦ・・・光偏向器、
Ｌａ・・・レンズ、ＨＥＣ・・・加熱用電源、Ｅ Ｌ
Ｓ Ｑ・・・消去用のレーザ光源、Ｍ・・・反射鏡、Ｈ
ＥＬ・・・加熱層、ＨＬＭ・・・高分子材料に液晶を分
散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調
材層部材、ＰＬＺＴ・・・電界の印加によって光の散乱
状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器を用いて構成した光
変調材層部材、ＢＳ・・・ビームスプリッタ、Ｆ・・・
記録媒体、ＨＩＬ・・・熱吸収層、Ｓ・・・スクリーン
、ＰＤ・・・光検出器。
Ｌｃｎ・・・コンデンサレンズ、Ｌｐ・・・投影レンズ
、Ｌｌ、Ｌ２，１・・・シュリーレン入力マスク、２，
５゜６．８，９．１１・・・レンズ、３・・・シュリー
レン出力マスク、４・・・ダイクロイックミラー ７・
・・出力端子、１０・・・２次元イメージセンサ、１３
，１４・・・リール。
晃２２山
１）２５０1 to 7 and 20 to 24 are side views of embodiments of the display device, and FIGS. 8 to 13, and 15 and 19 are side views for explaining the light-to-light conversion element. Side view, 14th
16 to 18 and 25 to 27 are side views of embodiments of the imaging device. 0...Subject, L...Imaging lens, PPCe, PP
C, m, PPCap...light-light conversion element, vb...
power supply. WL...Writing light, RL...Reading light, Etl,
E t2...Transparent electrode, PCL...Photoconductive layer member, DML...Dielectric mirror, MQ...Reflector, HL
L...Light modulating material layer member constructed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material, ELS・
...Light source for erasing, ELSQ...Laser light source for erasing, LS...Light source of readout light, DEF...Optical deflector,
La...Lens, HEC...Heating power supply, E L
S Q...Laser light source for erasing, M...Reflector, H
EL...heating layer, HLM...light modulating material layer member constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material, PLZT...light scattering state is changed by application of an electric field. Light modulating material layer member constructed using PLZT porcelain that changes repeatedly, BS...beam splitter, F...
Recording medium, HIL...heat absorption layer, S...screen, PD...photodetector. Lcn... Condenser lens, Lp... Projection lens, Ll, L2, 1... Schlieren input mask, 2,
5゜6.8, 9.11... Lens, 3... Schlieren output mask, 4... Dichroic mirror 7.
...Output terminal, 10...Two-dimensional image sensor, 13
, 14... reel. Ko 22 Mountain 1) 250
Claims (1)
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている情
報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層
部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にさ
れている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じ
させる手段と、前記の電荷像による電界によって前記し
た光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生
じさせる手段と、電磁放射線を用いて前記した光変調材
層部材における電磁放射線情報と対応する光に対する散
乱の度合いの変化を読出して表示する手段とを備えてな
る表示装置 ２、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散さ
せた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部
材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
部材側の電極を通して、表示の対象にされている情報を
含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材
と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にされて
いる情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせ
る手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光
変調材層部材の液晶の配向状態を変化させて高分子−液
晶複合膜に表示の対象にされている情報を含む電磁放射
線と対応した液晶の配向状態の変化像を生じさせる手段
と、電磁放射線を用いて前記した高分子−液晶複合膜に
おける表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
対応した液晶の配向状態の変化像を読出して表示する手
段とを備えてなる表示装置 ３、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、高分子材料に高抵抗液晶を分散さ
せた高分子−液晶複合膜を用いて構成した光変調材層部
材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
部材側の電極を通して、表示の対象にされている情報を
含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材
と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にされて
いる情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせ
る手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光
変調材層部材の液晶の配向状態を変化させて高分子−液
晶複合膜に表示の対象にされている情報を含む電磁放射
線と対応した液晶の配向状態の変化像を生じさせる手段
と、電磁放射線を用いて前記した高分子−液晶複合膜に
おける表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
対応した液晶の配向状態の変化像を読出して表示する手
段と、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像を消
去する手段とを備えてなる表示装置 ４、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させた高
分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材と
によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
側の電極を通して表示の対象にされている情報を含む電
磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変
調材層部材との間に前記した表示の対象にされている情
報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる手段
と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
層部材の高分子−液晶メモリ膜における液晶の配向状態
を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子−液
晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子−液晶
メモリ膜に記憶された表示の対象にされている情報を含
む電磁放射線と対応した液晶の配向状態の変化像を電磁
放射線を用いて読出して表示する手段とを備えてなる表
示装置 ５、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、高分子材料に液晶を分散させた高
分子−液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部材と
によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
側の電極を通して表示の対象にされている情報を含む電
磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変
調材層部材との間に前記した表示の対象にされている情
報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる手段
と、前記の電荷像による電界によって前記した光変調材
層部材の高分子−液晶メモリ膜における液晶の配向状態
を変化させ、その変化した液晶の配向状態を高分子−液
晶メモリ膜に記憶させる手段と、前記した高分子−液晶
メモリ膜に記憶された表示の対象にされている情報を含
む電磁放射線と対応した液晶の配向状態の変化像を電磁
放射線を用いて読出して表示する手段と、前記した前記
した高分子−液晶メモリ膜における液晶を溶融させると
ともに、消去用の電磁放射線を用いて前記した電荷像を
消去する手段とを備えてなる表示装置 ６、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている情
報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層
部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にさ
れている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じ
させる手段と、前記の電荷像による電界によって前記し
た光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生
じさせる手段と、読出し用の電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における電磁放射線情報と対応する光
に対する散乱の度合いの変化を読出して表示する手段と
を備えてなる表示装置において、前記した光−光変換素
子に入射させるべき読出し用の電磁放射線を、それの主
光軸が光−光変換素子の法線方向とは異なるようにして
光−光変換素子に入射させるようにしてなる表示装置 ７、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、表示の対象にされている情
報を含む電磁放射線を光導電層部材に与えて、光導電層
部材と光変調材層部材との間に前記した表示の対象にさ
れている情報を含む電磁放射線と対応する電荷像を生じ
させる手段と、前記の電荷像による電界によって前記し
た光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生
じさせる手段と、読出し用の電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における電磁放射線情報と対応する光
に対する散乱の度合いの変化を読出して表示する手段と
を備えてなる表示装置において、光−光変換素子として
光の入射面及び光の出射面が曲面状に構成されているも
のを使用してなる表示装置 ８、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、撮像レンズにより被写体の
電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層部
材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放射
線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷
像による電界によって前記した光変調材層部材に光に対
する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と、読出し用
の電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における
電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合いの変化
を読出す手段とを備えてなる撮像装置において、前記し
た光−光変換素子に入射させるべき読出し用の電磁放射
線を、それの主光軸が光−光変換素子の法線方向とは異
なるようにして光−光変換素子に入射させるようにして
なる撮像装置 ９、所定の電圧が印加された２枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、撮像レンズにより被写体の
電磁放射線像を光導電層部材に結像させて、光導電層部
材と光変調材層部材との間に前記した被写体の電磁放射
線像と対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷
像による電界によって前記した光変調材層部材に光に対
する散乱の度合いに変化を生じさせる手段と、読出し用
の電磁放射線を用いて前記した光変調材層部材における
電磁放射線像と対応する光に対する散乱の度合いの変化
を読出す手段とを備えてなる撮像装置において、光−光
変換素子として光の入射面及び光の出射面が曲面状に構
成されているものを使用してなる撮像装置 １０、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子 １１、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子
における前記した光導電層部材に対して書込み用の電磁
放射線を入射させて、前記した書込み用の電磁放射線に
対応した電荷像を発生させる手段と、前記した電荷像に
よる電界が印加された光変調材層部材に読出し用の電磁
放射線を入射させる手段と、電界によって光の散乱状態
が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による光変調材層部材か
ら読出し用の電磁放射線を出射させる手段とを備えた撮
像装置 １２、少なくとも２枚の電極間に光導電層及び電界によ
って光の散乱状態が繰返し変化するＰＬＺＴ磁器による
光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子
における光導電層部材側の電極を通して、表示の対象に
されている情報を含む電磁放射線を光導電層部材に与え
て、光導電層部材と電界によって光の散乱状態が繰返し
変化するＰＬＺＴ磁器による光変調材層部材との間に前
記した表示の対象にされている情報を含む電磁放射線と
対応する電荷像を生じさせる手段と、前記の電荷像によ
る電界によってＰＬＺＴ磁器による前記した光変調材層
部材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせる手段
と、電磁放射線を用いて前記したＰＬＺＴ磁器による光
変調材層部材における電磁放射線情報と対応する光に対
する散乱の度合いの変化を読出して表示する手段とを備
えてなる表示装置[Claims] 1. A light-to-light conversion element constituted by at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. Electromagnetic radiation containing the information to be displayed is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the side of the photoconductive layer member, and the above-described target for display is provided between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image corresponding to electromagnetic radiation containing information stored in the image; means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; A display device 2 comprising a means for reading out and displaying electromagnetic radiation information in the light modulating material layer member and a change in the degree of scattering of light corresponding to the above-mentioned light modulating material layer member, and two electrodes to which a predetermined voltage is applied. In between, photoconductivity in a light-to-light conversion element constituted by at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member constituted using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystals are dispersed in a polymer material. Electromagnetic radiation containing information to be displayed is applied to the photoconductive layer member through an electrode on the side of the layer member, so that the above-described information to be displayed is provided between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image corresponding to electromagnetic radiation containing information; and an object to be displayed on the polymer-liquid crystal composite film by changing the orientation state of the liquid crystal of the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image. means for generating an image of a change in the alignment state of a liquid crystal corresponding to electromagnetic radiation containing information displayed on the display; A display device 3 comprising a means for reading out and displaying an image of a change in the orientation state of a liquid crystal corresponding to radiation; at least a photoconductive layer member and a polymer between two electrodes to which a predetermined voltage is applied; Displayed through an electrode on the photoconductive layer member side of a light-to-light conversion element constructed by a light modulating material layer member constructed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystals are dispersed in the material. applying electromagnetic radiation containing information to the photoconductive layer member to produce a charge image between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed; and a liquid crystal corresponding to electromagnetic radiation containing information to be displayed on the polymer-liquid crystal composite film by changing the alignment state of the liquid crystal of the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image. means for generating an image of a change in the orientation state of the liquid crystal, and a means for using electromagnetic radiation to read out an image of a change in the orientation state of the liquid crystal corresponding to the electromagnetic radiation containing information to be displayed in the polymer-liquid crystal composite film. A display device 4 comprising means for displaying a charge image using electromagnetic radiation for erasing, and means for erasing the charge image using electromagnetic radiation for erasing, includes at least a photoconductive layer between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. A display target is transmitted through an electrode on the photoconductive layer member side of a light-to-light conversion element constructed by a light modulating material layer member constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystals are dispersed in a polymer material. Electromagnetic radiation containing the information to be displayed is applied to the photoconductive layer member to form a charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. and changing the orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film of the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image, and changing the orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film. and means for reading out and displaying an image of a change in the alignment state of the liquid crystal corresponding to the electromagnetic radiation containing the information stored in the polymer-liquid crystal memory film and being the object of display using electromagnetic radiation. A display device 5 comprising: a display device 5 comprising at least a photoconductive layer member and a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material between two electrodes to which a predetermined voltage is applied; Electromagnetic radiation containing information to be displayed is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element configured with the light modulating material layer member, and the photoconductive layer member is means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed between the light modulating material layer member and the light modulating material layer member; A means for changing the orientation state of liquid crystal in a polymer-liquid crystal memory film and storing the changed orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film, and a display object stored in the polymer-liquid crystal memory film. means for reading out and displaying an image of a change in the alignment state of a liquid crystal corresponding to electromagnetic radiation containing information stored in the memory using electromagnetic radiation; a display device 6 comprising a means for erasing the charge image using electromagnetic radiation; Electromagnetic radiation containing information to be displayed is applied to the photoconductive layer member through an electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element configured with a light modulating material layer member that can be displayed. means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed between the member and the light modulating material layer member; and the light modulating material layer member described above by an electric field caused by the charge image. means for causing a change in the degree of scattering of light, and means for reading and displaying a change in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation information in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation; In a display device comprising: a readout electromagnetic radiation to be incident on the light-to-light conversion element, the main optical axis thereof is different from the normal direction of the light-to-light conversion element; A display device 7 configured to allow the light to enter a conversion element, is composed of at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode, between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. Electromagnetic radiation containing information to be displayed is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element, and the electromagnetic radiation containing the information to be displayed is applied to the photoconductive layer member to create a space between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed, and causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; and means for reading out and displaying the electromagnetic radiation information and the change in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation information in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation. A display device 8 using a conversion element having a curved light entrance surface and a light exit surface, at least a photoconductive layer member is placed between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode, an electromagnetic radiation image of the subject is formed on the photoconductive layer member by an imaging lens through an electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element. a means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation image of the subject between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member; Imaging comprising means for causing a change in the degree of scattering, and means for reading out a change in the degree of scattering for light corresponding to the electromagnetic radiation image in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation. In the apparatus, the readout electromagnetic radiation to be made incident on the light-to-light conversion element is made to enter the light-to-light conversion element such that its main optical axis is different from the normal direction of the light-to-light conversion element. An image pickup device 9 constructed as described above includes a light-to-light conversion element constituted by at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. An electromagnetic radiation image of the subject is formed on the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side by an imaging lens, and the electromagnetic radiation image of the subject described above is formed between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image corresponding to the charge image; means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; In an imaging device comprising a means for reading out an electromagnetic radiation image in a modulating material layer member and a change in the degree of scattering of light corresponding to the image, the light incident surface and the light exit surface are curved as a light-light conversion element. An imaging device 10 using the above configuration includes a photoconductive layer between at least two electrodes and a light modulating material layer member made of PLZT porcelain whose scattering state of light changes repeatedly depending on an electric field. A light-to-light conversion element 11 comprising a photoconductive layer between at least two electrodes and a light modulation material layer member made of PLZT porcelain whose light scattering state changes repeatedly by an electric field. means for causing electromagnetic radiation for writing to be incident on the photoconductive layer member described above to generate a charge image corresponding to the electromagnetic radiation for writing, and light modulation to which an electric field due to the charge image is applied. An imaging device 12 comprising means for making readout electromagnetic radiation incident on a material layer member, and means for emitting readout electromagnetic radiation from a light modulating material layer member made of PLZT porcelain whose light scattering state changes repeatedly depending on an electric field. , on the photoconductive layer member side of a light-to-light conversion element configured to include a photoconductive layer between at least two electrodes and a light modulating material layer member made of PLZT porcelain whose scattering state of light is repeatedly changed by an electric field. Electromagnetic radiation containing information to be displayed is applied to the photoconductive layer member through the electrode, and between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member made of PLZT porcelain whose scattering state of light is repeatedly changed by an electric field. means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation containing the information to be displayed, and an electric field caused by the charge image to cause the light modulating material layer member made of PLZT porcelain to vary the degree of scattering of light; A display device comprising means for causing a change, and means for reading and displaying a change in the degree of scattering of light corresponding to electromagnetic radiation information in the light modulating material layer member made of PLZT porcelain using electromagnetic radiation.
Priority Applications (5)
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| EP90306574A EP0403307B1 (en) | 1989-06-16 | 1990-06-15 | Method for operating photo-to-photo transducer |
| DE69033255T DE69033255T2 (en) | 1989-06-16 | 1990-06-15 | Opto-optical converter |
| US07/538,979 US5159456A (en) | 1989-06-16 | 1990-06-15 | Photo-to-photo transducer and method of operation using a photo-moldulation member affected by a change distribution in a photoconductive member and a voltage applied across electrodes |
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| JPH0293519A (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Optical writing type space optical modulator |
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- 1989-10-04 JP JP25962889A patent/JPH03121418A/en active Pending
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1990
- 1990-06-19 JP JP2160557A patent/JPH0827462B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293519A (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Optical writing type space optical modulator |
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