JPH03129850A - 改良した電算機制を用いて光反射法による材料特性を測定する方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光の反射率を用いて物質、特に半導体、半
導体のヘテロ組繊及び半導体の界面の特性を測定する方
法と改良されたサーボ機構を用いてこの方法を実行する
装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体（バルク又は薄膜の半導体）、半導体のヘテロ組
織（超格子、量子井戸、ヘテロ接合部）及び半導体の界
面（ショットキーバリヤ、金属絶縁物半導体、半導体の
電解液、半導体の真空等）を研究し、特徴付つける重要
性は、特にこれ等の半導体の多くが、また半導体の微細
構造が分子線エピタキシー成長法（ＭＢＥ）、金属有機
物の化学気相付着法（ＭＯＣＶＤ）等の様な最近の薄膜
技術によって作製されるので、ますます重要になってい
る。

ＭＢＥやＭＯＣＶＤあるいは他の方法で成長させた材料
と界面は、フォトルミネッセンス、フォトルミネッセン
スの励起分光、フォトルミネッセンスの吸収分光、変調
分光、ラマン及び共鳴ラマン散乱、サイクロトロン共鳴
、ホール効果、透過電子顕微鏡等を含めた種々の光学、
電子及び組織方法によって特徴付けされる。これ等の道
具の各々は、対象物質に関する特異な情報を提供する。

特徴付けするためには、実験器具ができる限り簡単で有
益であるべきである。上記の方法の多くのものは、特殊
なもので、採用するのに往々困難である。例えば、フォ
トルミネッセンス、フォトルミネッセンスの励起分光、
フォトルミネッセンスの吸収分光、サイクロトロン共鳴
のような多くの方法は、一般に極低温を必要とする。そ
の単純さと立証されている有用性のため、光の反射率は
近年半導体の薄膜とヘテロ組織を評価するのに重要性を
得ている。

変調分光の基本的な考えは、実験物理の非常に一般的な
原理である。光スペクトルを直接測定する代わりに、何
らかのパラメータに関する偏差を評価する。この状況は
、試料あるいは測定系のあるパラメータを周期的に変調
して、しかも光学特性の対応する正規化した変化を測定
して容易に実行される。前者の擾乱を「外部」変調と呼
ばれ、電界（電気変調）、温度（熱変調）、応力（圧電
変調）等のようなパラメータを含む。測定系自体の変化
は、例えば波長又は偏光条件の変化を測定でき、試料の
反射率を基準試料と比較することができるが、「内部」
変調と称される。

変調分光では、興味のないバックグランドは半導体と半
導体の微細組織のエネルギ・レベルの間の特異な変位に
相当するシャープなスペクトル線のために消去される。

同様に、絶対スペクトル中に見られない微弱な特性が強
調される。反射率（又は透過率）の全スペクトルを計算
することは困難であるが、変調分光の局在化されたなス
ペクトル状況のライン形状を説明することができる。

ライン形状を合わせることができることは、変調分光の
重要な利点である。ライン形状は、発生した半導体のエ
ネルギ・ギャップや、バンドの広がりパラメータの正確
な値を合わせることである。

更に、「外部」変調分光は変調パラメータに対する系の
交流応答であるので、光の反射率は、以下により充分議
論するように、位相、変調周波数、変調振幅、変調波長
のような他の変調変数に情報を与える。

光の反射率では、材料に組み込んだ電界が波長λ、のポ
ンプビームによって形成される電子・空孔対の光注入に
よって変調される。このポンプビームは周期Ω、で切り
出される。この有用性にもかかわらず、光の反射率の機
構が充分理解されていない、もっとも、幾つかの実験は
光の反射率が少数イオンがトラップの電荷と再結合して
組込電界の変調によることを示している。こうして、光
の反射率の信号のΩ、依存性を測定することによって、
光の反射率を用いてトラップの回数に関する情報を得る
ことができる。

光の反射率を使用することは、二十年以上前に知られて
いたが、他の変調方法に比べた光の反射率の方法に付随
して経験された実験上の困難は光の反射率への興味を減
少させている。これ等の困難はポンプビームからの散乱
光と試料からのフォトルミネッセンスを含んでいる。　
　Ｇｌｅｍｂｏｃｋｉ　ｅｔａｌ、、　Ａｐｐｌ、　Ｐ
ｈｙｓ、　Ｌｅｔｔｓ、並、　９７０（１９８５）；　
Ｐｒ。

ｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　５ＰＩＥ（ＳＰＩＥ
、　Ｂｅｌｌｉｎｇｈａｍ、　１９８５１４、８６（１
９８５）による半導体ヘテロ組織に対する光の反射率に
関して１９８５年に出版された報告は、これ等の半導体
組織を研究するだけでなく、バルク（薄膜）材料を研究
するのに光の反射率を利用するのに復活した興味をもた
らしている。１９８７年に出版された新しい規格化処理
を含む改良された装置を以下に第１図を参照して説明す
る。第１図の装置に含まれる新しい正規化処理は、先に
述べた光の反射率の問題の幾つか、即ちポンプビームか
らの散乱光及び試料からの光ルミネツセンスを解決する
ことを助ける。

この発明は、改善されたＳＮ比を達成し、更に従来の装
置に見られる問題を消去し、特に調べた材料の特性に関
する付加的な情報を得るために新規なコンピユータ化し
た手段を利用するように、従来の装置を改善することに
関する。

〔発明の課題〕

それ故、この発明の課題は従来技術による方法と装置を
使用して、この装置と方法に見られる不足ないしは欠点
を簡単に排除し、光の反射率で物質の特性を測定する、
改良された方法と装置を提供することにある。

この発明の他の課題は、改善されたＳＮ比を保証する新
規な装置にある。

この発明の他の課題は、使用するのに簡単で、得られる
情報に広い多様性をもたらし、高い信幀性と精度を保証
する、物質の特性を測定するために光の反射率を利用す
る装置にある。

この発明の他の課題は、使用が容易で、操作に信顧性が
あり、得られた結果に精度のある、半導体物質と半導体
のヘテロ組織のような物質の特性を測定する方法にある
。

この発明の他の課題は、温度、試験試料の一様性及び合
金の組成のような付加的な情報を得ることが可能な光の
反射率を利用する方法にある。

更に、この発明の他の課題は、従来の技術に見られる不
足や欠点を解消する、半導体材料のような物質を作製す
るのに連続監視を可能にする、光の反射率に基づいた方
法にある。

この発明の他の課題は、半導体材料を製造するのに正確
な品質管理を可能にする、光の反射率に基づく方法にあ
る。

〔課題を解決する手段〕

上記の課題は、この発明により、単色の光源手段、単色
光を調べるべき試料に照射する手段、エネルギ・ビーム
を変調する変調手段を含めてこのビームを試料に照射す
るポンプ・ビーム手段、出力に直流信号と交流信号を発
生するように動作する検出器手段に、吸収されない単色
光と試料からの吸収されない変調ビームの少なくとも一
部を指向させる手段、電算機手段、検出器手段からの前
記直流信号を前記電算機手段の入力端に印加する手段、
入力端で検出器からの交流信号を受信し、電算機手段の
他の入力端に出力を有効に接続するロックイン増幅器手
段、試料を照射する単色光の強度を可変する可変手段と
電算機手段からの出力によって前記可変手段を制御する
駆動手段とを含めて、前記直流信号を所定の値のほぼ一
定値に維持するサーボ制御手段、から成り、前記電算機
手段は前記駆動手段とこの手段と共に可変手段を所定の
速度で移動させ、前記所定の値に達するように動作する
、光反射によって材料の特性を判定する装置によって解
決されている。

上記の課題は、この発明により、次の過程、ａ）特性を
測定すべき材料試料に単色光のプローブビームを照射し
、 ｂ）　試料上にポンプ光源からの変調されたポンプビー
ムを照射して試料を電子変調し、 Ｃ）直流信号と交流信号を発生する検出器に試料から反
射した、あるいは試料を透過した光を集め、（ｉ）前記
交流信号はポンプ光源からの拡散反射した光及び／又は
検出器に到達するポンプ光によって生じるフォトルミネ
ッセンスによる見掛は上の信号と、（ｉｉ）真の信号と
を含み、 ｄ）見掛は上の信号を真の信号から引き算してこの処理
を規格化する、 から成る光反射によって、材料、特に半導体、半導体ヘ
テロ組織及び半導体の界面の特性を判定する方法によっ
て解決されている。

上記の課題は、この発明により、下記の過程、ａ）成長
環境内にある材料上にプローブ光の単色光を照射し、 ｂ）　この材料上に変調されたポンプビームを照射し、 Ｃ）　この材料から反射した信号を解析して、品質、歩
留り及び／又は製造中の物質成分の管理に使用する特性
を決定する、 から成り、製造の少なくとも一部の期間、特に結晶成長
の下で実質上連続的に材料をその場監視でき、薄膜技術
によって作製される半導体、半導体ヘテロ組織及び半導
体界面のような材料の製作をその場監視する方法によっ
て解決されている。

上記の課題は、この発明により、以下の過程、ａ）特性
を調べるべき材料試料に単色光のプローブビームを当て
、 ｂ）　ポンプ光源からの変調されたポンプビームを試料
上に照射してこの試料を電子変調し、Ｃ）試料から反射
した、あるいは試料を透過した光を検出器に集め、この
検出器は直流信号と交流信号を形成し、この交流信号は
（ｉ）ポンプ光源からの拡散反射光及び／又は検出器に
到達するポンプ光によって形成されるフォトルミネッセ
ンスによって生じる見掛は上の信号と（ｉｉ）真の信号
を含み、 ｄ）電算機制御の下で真の信号から見掛は上の信号を引
き算して処理を規格化し、 ｅ）各エネルギ・ギャップの位置を測定してエネンルギ
・バンド・ギャップを解析し、温度、合金組成及び応力
のような種々のパラメータの情報を得る、 から成る、半導体材料のＭＢＥやＭＯＣＶＤの結晶成長
温度に相当する温度のような高温でしかもその場処理で
行われる半導体材料の成長条件を判定する方法によって
解決されている。

上記の課題は、この発明により、以下の過程、ａ）特性
を調べるべき材料試料に単色光のブローフ゛ビームを当
て、 ｂ）　ポンプ光源からの変調されたポンプビームを試料
上に照射してこの試料を電子変調し、Ｃ）試料から反射
した、あるいは試料を透過した光を検出器に集め、この
検出器は直流信号と交流信号を含み、 ｄ）特に電算機制御することによって、同相光反射信号
のポンプ変調周波数依存性を判定して、多重トラップ状
態に関する情報を含めたトラップ回数に関する情報を得
る、 から成る、特に半導体と半導体ヘテロ組織の界面でのト
ラップ回数に関する情報を得る方法によって解決されて
いる。

この発明による他の有利な構成は、従属する請求項に記
載されている。

〔実施例〕

この発明の上記課題と他の課題、特徴及び利点は、添付
した図面に関連する説明からより明確になる。これ等の
図面は、説明のためにのみあり、この発明による具体例
を示すものである。

ここで、図面、特に第１図を参照すると、適当な光源１
０の光は、以下でプローブ・モノクロメータと呼ぶ、モ
ノクロメータ−１１を通過する。

波長λでのモノクロメータ−１１の出射強度は、通常の
レンズ又はミラー（図示せず）によって試料１２の上に
集束する。■。（λ）は、この場合、試料１２を照射す
るプローブの光源１０からの光の強度１１である。試料
１２の電子変調はポンプ光源１３からのポンプビームに
よって形成される電子・空孔対の光励起によって生じる
。このポンプビームはレーザー光源か、あるいはモノク
ロメータであってもよく、通常のチョッパー１４によっ
て周波数Ω、で切り出される。試料から反射したビーム
は再び通常の第二レンズ又はミラー（図示せず）によっ
て捕捉され、電子増倍管、光ダイオード、フォトコンダ
クタ−等のような検出器１５上に集束する。このレンズ
又はミラーは通常の構成であるので、これ等の光学部材
は簡単のため図示しない。以下に詳しく説明する第１図
と第２図は光の反射率に対する構成を示しであるが、実
験を試料の背後に設置して透過用に容易に変更できる。

従って、光の反射率（ＰＲ）と言う用語は、この出願に
あっては、反射率と透過率を包含する広い意味で使用さ
れる。

検出器１５の出力には、二つの信号が含まれている。即
ち、直流信号と交流信号である。直流信号はサーボユニ
ット１６に印加される。このユニットは可変ニュートラ
密度フィルター１８を制御するモータ１７を駆動して、
以下に更に詳しく議論するような規格化を行う。検出器
からの交流信号は通常のロックイン増幅器１９に印加さ
れる。

この増幅器もチジパー１４から基準信号Ω、を受は取る
。このロックイン増幅器１９の出力に含まれる所望の信
号ΔＲ／Ｒは、情報を目視表示するため通常のレコーダ
ー２０と波形を合わせるための電算機２１に印加される
。

検出器１５に入射する光は、二つの信号を含んでいる。

即ち、直流信号（あるいは平均値）はα（λ）■。（λ
）Ｒ（λ）〔α（λ）１．（λ）Ｒ（λ）〕によって与
えられる。ここで、α（λ）は集束レンズ（又はミラー
）の光学応答で、Ｒ（λ）〔Ｔ（λ）〕は物質の直流反
射率（透過率）である。他方、周波数Ω、での変調され
た値はα（λ）Ｉｅ（λ）ΔＲ（λ）〔α（λ）■、（
λ）ΔＴ（λ）〕である、ここで、ΔＲ（λ）〔ΔＴ（
λ）〕は変調された反射率（透過率）である。検出器１
５からの交流信号は、ｔ０αＩ０ΔＲ（１（ｌΔＴ）に
比例するが、ロックイン増幅器１９によって測定される
。検出器１５からの交流信号と直流信号をそれぞれＶ　
ａｃと■。で表すことにする。

注目する量ΔＲ（λ）／Ｒ（λ）〔ΔＴ（λ）／Ｒ（λ
）〕を評価するためには、規格化処理を利用して興味の
ない共通成分αＩ０を消去する必要がある。第１図では
、規格化はサーボ系１６．１７に接続された可変ニュー
トラル密度フィルター１８を用いて行われる。この可変
ニュートラル密度クイルター１８は、プローブモノクロ
メータ１１　（あるいはグイレーザーのような他のプロ
ーブ光源）と試料１２の間の光通路に設置される。検出
器１５からの直流信号（ｖａｃ）はサーボ系１６に供給
され、この系はｖｄｃを一定に維持するため、可変ニュ
ートラル密度フィルター１８、従ってα（λ）■。（λ
）を可変する。この処置では、結局、実験の動作条件、
即ち検出器の増幅度、装置の分解能等を一定に維持する
ことになる。従来の変調実験では、規格化は（ａ）Ｉｏ
を制御するため、検出器の増幅度、モノクロメータ−の
入口スリットのような系の動作条件を変更するか、（ｂ
）ｖ、。をＶｄｃで電子的に割算して、行われる。

光の反射率の実験で上に説明したように、種々の問題は
、（ａ）ポンプ光源から拡散散乱した光と、（ｂ）検出
器１５に取り込まれたポンプ光によって発生したフォト
ルミネッセンスとによって生じる。後者の問題は特に低
温で（半導体と半導体組織）及び超格子及び量子井戸に
対して７７Ｋ。

でも、また時折り室温でも厳しい。光の反射率の測定で
主要な目標は、従って、変調光源から拡散散乱する光及
び／又は強力なポンプ光によって発生したフォトルミネ
ッセンスを消去することにある。これ等の両光は検出器
１５に到達し、ロックイン増幅器１９に見せ掛けの信号
を発生させる。

第１図では検出器１５の前にあるフィルター２２がポン
プ光源から拡散した光を低減することを助けている。

光検出器１５の直流出力Ｖｄｃは、 Ｖ　ａ　ｃ　’＝　ａ　（λ）Ｉｏ（λ）Ｋ（λ）Ａ（
λ）（１）で表わすことができる。ここで、Ｋ（λ）は
（フィルターを使用していれば、その応答を含めた）検
出器の応答であり、Ａ（λ）はこの検出器の増幅度であ
る。

光の反射率では、交流出力（Ｖ、、）は、ｖ、ｃ＝〔α
（λ）■、（λ）Ｋ（λ）＋α（λ、、）　Ｉ　、、（
λ、、）　Ｋ　（λ、ｐ））Ａ（λ）（２）ここで、Ｉ
　ｓｐは散乱及び／又は光反射による見掛は上の信号の
強度であり、λ、、はこの見掛は上の信号の波長である
。等式（２）の第２項は電子反射率、熱反射率等のよう
な他の形態の変調分光では一般にない（もっとも、この
項は振動のため圧電変調の場合では使用される）。

第１図の規格化処置では、量Ｖｄｃは可変ニュートラル
密度フィルター１８によってＩｏ（λ）、つまり試料１
２上に入射する光強度を可変して、ある一定値Ｃに維持
される。このような処置では、検°出器１５の増幅度は
変化しなくて、Ａ（λ）　＝Ａとなる。ここでＡは一定
値である。従って、α（λ）！。（λ）＝Ｃ／Ｒ（λ）
Ｋ（λ）Ａ　　　　　　（３）と表現できる。等式（３
）を等式（２）に代入すると、ロックイン増幅器１９か
らの規格化した出力信号である５ＬＩＡ（＝■、ｃ／ｖ
ｄｃ）に対して、次の項、５ＬＩＡ＝（ＣΔＲ（λ）／
Ｒ（λ）〕十α（λ１．）■。（λ、、）Ｋ（λ１）〕
Ａ（４） が生じる。

α（λ、、）、　Ｉ　ｓｐ（λ、、）、Ｋ（λ１．）と
Ａは全てプローブの波長に無関係であるので、等式（４
）の第二項は一定である。この第二項はＣΔＲ／Ｈに比
べて余り大きくないなら、この見掛は上の係数を引き算
し、真の信号ΔＲ／Ｒを取り戻すことが簡単である。も
しＣΔＲ／Ｒ≧０．０１（αＩ、、ＫＡ）なら、この引
き算は容易に行えることが見出されている。

見掛は上の信号を引き算することは、光反射率装置を正
しく操作するのに大切である。

第２図には、この発明による光反射率装置の模式ブロッ
ク図が示しである。このブロック図は第１図のものとは
幾つかの重要な点で異なっている。

プローブモノクロメータ−５１はステップモータ５２に
よって駆動される。このモータは、−船釣に参照符号７
０で指定されているが、何らかの通常の構造のもので、
以下に更に詳しく説明するように、通常の技術でプログ
ラムして種々の機能を達成できる電算機によって制御さ
れる。第１図と相違する点は、可変ニュートラル密度フ
ィルター５８がサーボ機構によるのでなく、ステップモ
ータ５３によって駆動される。このステップモータも電
算機７０によって制御される。ＳＮ比は、第１図のサー
ボ系の代わりに、第２図のステップモータ制′４２’ｌ
を用いると、係数ｌＯはど改善することが判っている。

この改善はサーボ系に僅かな不安定要因があることによ
るものと思える。この不安定要因はこの発明によるステ
ップモータ装置によって排除される。更に、電算機７０
はポンプ光源６３によって放出されたポンプビームを変
調する変調器５４、例えば通常のチョッパーの形態をし
た変調器の周波数（Ω、）を制御する。その外、ロック
イン増幅器５５は、（ポンプビームに対する）光の反射
率の同相と異相成分を決定する公知の構造の二相モデル
である。二〇二相ロックイン増幅器５５を使用すること
は、光の反射率の信号をΩ、の関数として評価して、以
後に更に詳しく説明するように、トラップ状態に関する
情報をもたらすのに大切である。試料の組織の異なった
深さ領域からの種々の信号が、位相の異なりΩ、に依存
する諸信号を発生する。二相ロックイン増幅器５５と電
算機で制御された変調周波数Ω、によってこれ等の信号
を仕分けることができる。

第２図の装置では、ステップモータ５２によって調節で
き、プローブ光の波長λを可変できるブローブモノクロ
メータ−５１と共′に、ランプ５０によって形成された
プローブ光は、レンズ７６で模式的に示しであるレンズ
又はミラーを用いて試料６２に導入される。レーザー光
源又は他の適当な二次光源の形態のポンプ光源６３によ
って形成されたポンプビームも、変調器５４によって変
調された後、試料６２に導入される。この変調器の周波
数Ω、は導線８１を介して電算機７０によって可変でき
る。試料６２から反射（透過）した光は、レンズ７７で
模式的に示しであるレンズ又はミラーによって検出器５
４に再び導入される。検出器５４は第１図の検出器１５
に位でいて、フィルター２２は同じ様に試料６２と検出
器５４の間の光学通路中に配設しである。検出器５４の
出力端の交流信号は、二相ロックイン増幅器５５の入力
端に入力され、この増幅器には導線８２を経由して変調
器５４から基準信号（Ωい）が供給され、後で説明され
る理由のために、変調周波数Ω、に関する情報を提（ハ
する。検出器５４からの直流信号は導線８３を介して電
算機７０に供給される。

前記導線８３には、検出器５４からのアナログ信号を電
算機７０で使用されるデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変
換器６６がある。

電算機７０の一方の出力には、光の反射率の所望信号Δ
Ｒ／Ｒが含まれている。この信号は使用・者に馴染みの
表示部、即ち電算機に付随する表示画面（図示せず）に
供給される。電算機７０の他方の出力はステップモータ
５２を制御して、導線８４を介してプローブ光の波長λ
を可変する。電算機７０のもう一つ別な出力はステップ
モータ５３を制御して、導線８５を介して可変ニュート
ラス密度フィルター５８を調節・可変する。電算機７０
の更にもう一つの出力は変調器５４の周波数Ω、を制御
する。これ等全ての出力は後で詳しく説明される目的の
ものである。

電算機の機能 公知のタイプのもであり、充分な記憶部を保有する電算
機７０は、次の機能をもたらすようにプログラムされる
。プログラムの作成には通常のプログラム作′成技術含
まれているので、当業者に周知のように、これに関する
詳細な説明は簡単のため省略する。

電算機７０に使用するソフトウエヤは、三つの一般的な
機能に分割できる。これ等の機能は（Ａ）制御とデータ
収集、（Ｂ）光反射率スペクトルのライン形状を合わせ
ることを含めたデータ解析、及び（Ｃ）データ解析で得
られた関連パラメータと理論モデルとの比較に分類され
る。

Ａ、制御とデータ収集の機能部 制御とデータ収集の機能部は、次の機能のために使用さ
れる。

（１）　　この機能部はステップモータ５３を制御する
。このモータは、規格化する目的でＶｄＣを一定値に維
持するため、可変ニュートラル密度フィルター５８を可
変する。

（２）この機能部はステップモータ５２を制御する。こ
のモータはプローブモノクロメータ−５１を駆動する。

こうして、所定の実験に対して波長λの範囲が電算機７
０によって設定できる。同様に、電算機７０は多重走査
のためにステップモータ５２を制御でき、予め指定した
ＳＮ比にする。

（３）電算機７０はロックイン増幅器５５からの信号の
同相成分と異相成分を記録する。

（４）電算機は切出（チョッパー）周波数Ω、を制御す
る。同相信号のΩ１依存性を測定するとき、この電算機
７０はΩいを制御する。この場合、電子系（検出器、初
段増幅器、ロックイン増幅器）の増幅度はΩ、と共に変
化する。電算機のソフトウェヤはこのために自動的に修
正される。

（５）所定の実験の電算機制御は、真の光反射率の信号
Ｃ（ΔＲ／Ｒ）から見掛は上の信号αｌ０ＫＡを引き算
するのに重要な作用を行う。この制御は次のように行わ
れる。電算機７０がステップモータ５２で設定したある
与えられたプローブビーム波長（λ）の場合、この電算
機は可変ニュートラル密度フィルター５８を最大密度に
セットする。従って、等式（３）と（４）の定数Ｃ（及
び■。）が零になる。この場合、５ＬＩＡ（λ）＝α１
．．ＫＡである。この信号は、電算機７０によって解析
され、ロックイン増幅器５５の入力端に現れるポンプビ
ームの絶対位相を決定する。こうして、電算機はロック
イン増幅器５５を光学ポンプに対して正しい位相に設定
し、しかもこのロックイン増幅器５５の零点設定を変え
て、見掛は上の信号を排除する。見掛は上の信号が大き
い場合（上記の処置は幾つか異なったプローブビー去の
波長で繰り返される。

Ｂ、データ解析とライン形状の合わせ この機能部は、以下の機能を実行する。

（１）この機能部は、機能部ＡとＣの間を仲介する。

（２）この機能部は、電算機の画面上に利用者が慣れた
方法でデータ（光の反射率のスペクトル）を表示する。

例えば、光子の波長を光のエネルギに変換する。データ
のスペクトルの異なる領域では、拡大した状態にして表
示できる。

（３）この機能部は、高速フーリエ変換、ＳＮ比を改善
する濾波と整形処理、及び信号を解析するため微分・積
分を含むデータ変換を行う。

（４）　　この機能部は、データにライン形状を合わせ
ることができ、スペクトル特徴の光子エネルギ、スペク
トル特徴のライン幅、振幅及び位相のような重要なパラ
メータを引き出すことができる。これは全プログラムの
重要な様相である。

（５）　　この機能部は、同相の光反射率の信号が周波
数（Ω、）の切り出しに依存性に適合する。この適合は
、トラップ時間に関する情報を得るのに使用できる。

（６）　　この機能部は、スペクトルの同相成分と異相
成分のベクトル解析を行い、深さの異なる試料の領域か
らの信号を識別する。

（７）　　Ｐｒａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ振動が観察され
る場合、この機能部はＦｒａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ振動
のピーク位置を評価する。この位置は電界と往々キャリ
ヤの濃度を決定するのに使用される。

Ｃ，データの関連パラメータと理論モデルとの比較 ソフトウェヤ部Ｂでは、エネルギギャップの位置、Ｐｒ
ａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ振動のピーク位置等のような実
験情報の種々の断片が得られる。このデータを有効にす
るため、このデータを種々のモデルと比較し、半導体又
は半導体組織に関する有効な情報を与える必要がある。

（１）　　薄膜又はバルクの合金材料では、エネルギ・
レベルの位置を用いて、合金の成分を評価できる。例え
ば、Ｇａ＋−ｘ＾１．ＡｓでのＡＩの成分（Ｘ）が定ま
る。

（２）薄膜又はバルク単成分又は二元半導体（ＧａＡｓ
、　Ｓｉ等）では、エネルギギャップの位置を用いて、
材料の温度を測定する。

（３）　　ライン幅を評価して、結晶の品質に関する情
報を得ることができる。

（４）歪みはピークのずれとその割れから判定できる。

（５）　　Ｆｒａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ振動が観察され
ると、ピークの位置を用いて組込電界を評価し、ある場
合キャリヤの濃度を評価できる。

（６）同相成分のΩ、と温度Ｔに対する依存性から、ト
ラップ状態の活性化エネルギを評価することができる。

（７）超格子、量子井戸及び多重量子井戸のような半導
体の微細組織では、複合理論モデルを実験的に定めたエ
ネルギギャップと比較して、量子井戸と障害物の幅、障
害物の高さ、及び格子不整のある系（ＩｎＧａＡｓ）の
場合、生じる歪みを評価できる。

この状況のプログラムと上のソフトウェヤ部Ｂ−４で議
論されたラインの形状を合わせることの間に強い相関が
ある。半導体の微細組織では、スペクトルはしばしば非
常に複雑であるため、主要なピークしかソフトウェヤ部
Ｂ−４のライン形状の合わせによって合わせることがで
きない。次いで、この初期情報をソフトウェヤ部Ｃ−７
の理論モデルに供給し、他の微細な特徴を見出す個所を
決定する０次いで、この情報をソフトウエヤ部Ｂ−４に
導入して、小さなスペクトルのライン形状の合わせが完
了する。

上のＡ（１）に戻り、この発明により得られるある改良
の以下の他の情報は大切と思える。

第２図で説明し光電化学系用に準備された実験に使用さ
れるタイプの系では、Ｍｉｃｈａ　Ｔｏｍｋｉｅｗｃｚ
＆　ＷｕＪｉａｎ　５ｈｅｎによる「光電化学に対する
系のアプローチ」、半導体材料の光電化学と電子合成に
関する討論の予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　
ｔｈｅ　Ｓｙ＋＊ｐｏｓｉｕ＊　ｏｎ　Ｐｈｏｔｏｅｌ
ｅｃｔｒｏｃｈｅｔｓｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔ
ｒｏ−ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　　ｏｎ　　Ｓｅｍ１ｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ　　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、　　Ｐｒｏ−
ｃｅｅｄｉｎｇ　Ｖｏｌ、　８８−１４＋　ｐｐ、　４
６８−４７６＋　Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｃｈｅｓｉｃａｌ　
　５ｏｃｉｅｔｙ、　　Ｉｎｃ、＋　　Ｐｅｎｎｉｎｇ
ｔｏｎ、　　Ｎ、Ｊ。

０８５３４−２８９６．１９８７年１０月２１日に口頭
発表後、６月１９８８年出版を参照、電算機７０がステ
ッピングモータ５３を制御して、通常の制御モードでニ
ュートラル密度フィルター５８を駆動する。即ち、各ス
テップの後、この電算機は新しい光強度を装置の規格化
処理によって得られた所定の光強度と比較し、光源５０
．５１から出て検出器５６に到達した光の強度がこの所
定の光強度に達するまでこの処理を続ける。しかし、こ
の処理は数々の欠点を保有する。光源５０としてキセノ
ンアークランプを使用すると、モノクロ−メータ５１が
ある波長からある波長に変わる毎に、光強度が係数５又
は１０にさえ変わる。ニュートラル密度フィルター５８
が３６０＠回転して、光のレベルに１０！の変化を示す
対数応答性があると仮定し、このフィルターが３６０＠
の回転で１０００ステップ可変すると仮定すると、１ス
テップ（０，３６°）は光の強度で０．９３％の変化に
なる。更に、所定の規格化した光強度が２．０であり、
新しい波長で光強度の実際のレベルが５．０であると仮
定すると、この通常のサーボによる方法の処理は、５．
０の強度から２．０の強度に移行するのに１００ステッ
プが必要である。この所定の規格化された光強度２．０
を再設定するため長々しいステップ毎の処理はロックイ
ン増幅器５５、あるいはその検出器５６を飽和させる。

この検出器は結局系の回復を遅らせる。

要求されるデータの正確な測定は、２．０の光強度のレ
ベルでのみ行われるので、系に必要な回復時間と共にニ
ュートラル密度フィルター５８のゆっくりした変化は装
置の操作速度を遅らせる。

通常の方法を使用し、ステッピングモータ５３を各動作
毎に急激に大きなステップ、例えば１０ステップ、又は
それの数倍、電算機７０で移動させ、光の強度を所定の
光の強度と比較することによって、ステッピングモータ
５３が所定の光強度を行き過ぎることを示すように電算
機をプログラムするなら、これ等の難点は解消する。こ
の電算機７０は所定の光強度が最初の時の値を越えるま
で、ステッピングモータ５３を移動させる。上記のこと
は、こうして設定した光強度ヲ２．０の基準レベルより
幾分大きくする。しかし、その差は小さく、許容できる
ものである。何故なら、ライン形状を僅かに歪めるので
精度に対して重要でないからである。上に与えた例では
、変化した光強度が５．０で、電算機７０によるステッ
ピングモータの各動作の間１０ステップ急激移動すると
仮定したが、ステッピングモータ５３はその１０番目の
動きで、２．０の所定の値を行き過ぎ、１．９８１の光
強度に達する。１ステップの増分はど戻すと、ニュート
ラル密度フィルター５８は１２ステップの終わりで２．
０１８の光強度を与える。この時点でステッピングモー
タ５３の動きは止まる。２．０の所定の光強度と２．０
１８の実際の光強度との間の差は、上に指摘したように
、重要ではない。従って、この発明による比較モードが
上に示した条件の下でニュートラル密度フィルター５８
を１０個の大きいステップ、各１ステップだけニュート
ラル密度フィルター５８の回転を逆にする二つの微調ス
テップを付随させて移動させる。この処置は必要なデー
タに対して充分な精度で規格化した所定の光強度を再設
定する。この点は、各ステップ毎に比較を行い、時間を
浪費する通常のサーボモードでの処理と対照的である。

キセノン・アーク・ランプを使用スルト、光のスポット
とその大きさの変動による高周波雑音の問題が生じる。

サーボ系がこの種の変動を補正することができるなら、
悲惨な低周波雑音が生じる。

このため、更に電算機７０は交流データを集積している
期間、サーボ系を動作させないようにプログラムされる
。

ロックイン増幅器の初段増幅器の飽和が、光反射実験で
の主要な雑音の一つであるから、この発明によるサーボ
系のプログラムは、可能性のある飽和の恐れを最小にし
て、このような雑音を低減する。更に、ライン形状を僅
かにしか歪めることがないため、このサーボ系の非常に
高精度はそれほど重要でないので、サーボ系の電算機制
御に対するこの発明によるプログラミングはデータの質
を改善するだけでなく、そのようなデータを得る速度を
非常に改善する。この速度は、例えば半導体デバイスを
製造するその場の品質制御に関連して重要である。

新しい応用 この発明は、以下の光反射率の新しい応用を提供する。

Ａ、ＭＢＥとＭＯＣＶＤに対する成長条件のその場監視 最近、光の反射が６００’Ｃまでの温度でＧａＡｓ及び
Ｇａｏ４□＾５６．１ｍが生じることが知られている。

これ等の温度はＭＢＥとＭＯＣＶＤに対する成長条件に
相当する。光の反射率を利用して、ＧａＡｓ基板の温度
を、数千オングストロームのみの深さ内で、つまり成長
した表面近傍で約±ｌＯ°Ｃで無接触に測定できる。Ｇ
ａ、−、、Ａｌ。Ａｓのエピタキシアル層の成長をその
場監視することも行える。両方の場合で、形態的な走査
を行い、−様性を評価できる。半導体のエネルギ・バン
ドギャップは温度、合金組成（Ｇａ、、Ａ１．Ａｓのよ
うな合金半導体の場合）、応力等のような種々のパラメ
ータの関数である。エネルギ・バンドギャップの位置を
正確に測定することによって、上記の量に関する情報を
得ることができる。例えば、ＧａＡｓのバンドギャップ
を正確に決めると、その温度が決まる。光の反射率の応
用は、シャープな微分構造とライン形状の合わせに使用
され、エネルギ・ギャップのエネルギを正確に決めるこ
とができる。現在、基板温度を広範囲にわたって評価す
る技術は二つある。

即ち、赤外輻射測定と基板ホルダーの裏面に密着させた
熱電対である。これ等の技術の何れにも重大な欠点があ
る。熱電対は、基板を適当な手段で取り付けたＭｏのか
なり厚いブロックの背後での温度を測定する。前記手段
は運転毎に厚さや分布が相当変わる。従って、基板の実
際の表面温度は約４５０℃以上でしか検知できない。こ
の問題は、基板ホルダーを使用することがますます盛ん
になっているので、更に深刻になる。何故なら、熱電対
をウェーハーに最早接触させないからである。

赤外輻射測定は約４５０℃以上でしか使用できない。

輻射測定器（パイロメータ）は、ビューボート（覗き窓
）が付着を受けるので、絶えず再校正する必要がある。

この再校正の操作はそれだけでも誤差の原因になる。ス
ペクトル窓が狭く、しかも短波長にあるパイロメータを
選び、測定した温度がウェーハーの温度であって、その
前後にあるヒータ・フィラメントの温度でないことが重
要である。

単に一個所の基板温度は、反射電子回折を用いて評価で
き、（１００）　ＧａＡｓの表面の再構築が安定化され
たＡｓから安定化されたＧａに切り替わる遷移温度を観
察できる。これはＧａＡｓのバルクと同じ昇華温度の目
安とされ、６２５°Ｃと６３８”Ｃの間にあると報告さ
れている。

光の反射率法はこれ等の問題の全てを克服している。何
故なら、この方法はウェーハーの表面から数千オングス
トローム内の領域の光学スペクトルを直接測定している
からである。しかも、Ｔ〈４５０°Ｃを含めた広い温度
範囲にわたってこの測定を容易に行える。この測定方法
はビューポートの汚れに対して比較的強い、その理由は
この測定方法に規格化技術を採用しているからである。

加えて、Ｇａ１−Ｘ　ＡＩＸＡＳのようなエピタキシャ
ル層の品質と組成を実際の成長過程で判定できる。

ＭＯＣＶＤの監視に対して光反射率を利用することは、
特に重要である。ＭＯＣＶＤは超高真空（ＵＨＶ）技術
ではナイノテ、ＲＨＥＥＤ、、ｔ−ジェ等のようなＭＢ
Ｅ（これはＵＨＶである）に利用できる、多くのその場
評価装置をこのＭＯＣＶＤに使用できない。事実、光反
射率のような光学手段は、ＭＯＣＶＤで成長する物質の
特性に関するその場情報を得るただ一つの方法である。

これ等の光学的な方法は、種々の圧力条件下で使用でき
る。

このような実験は、上に述べた電算機制御される規格化
と引き算ルーチンと、エネルギ・ギャップの正確な値を
引き出すためライン形状を整形し合わせることのできる
能力に決定的に依存する。

材料を６００″Ｃまで測定できるので、多くの黒体輻射
が検出器に到達し、真の光反射信号から引き算される。

Ｂ、半導体ヘテロ組織界面での電界分布光反射法は半導
体のヘテロ組織界面での電界分布とトラップ回数を研究
するのに、無接触法として使用できる。この技術はヘテ
ロ組織を絶縁物の基板上に作成する場合でも利用できる
。その場合、容量電圧とデープレベルの遷移分光測定の
ような通常の方法を使用することは不可能である。電界
分布とトラップ回数を界面の電荷に結び付けることがで
きる。これ等の電荷の特性を知ることは、デバイスの応
用に非常に重要である。

それ故、光反射のシャープで微分的な様相に利用できる
だけでなく、新しい二つの重要な様相にも使用できる。

即ち、異なったポンプ波長（λ、）と光反射信号の同相
成分の変調周波数（Ω、）依存性を使用することである
。このことは、例えばＭＢＥで成長させたＧａｏ、　５
ｓＡｓｏ、　＋　ｙ／ＧａＡＳ／ＧａＡｓ　（エピタキ
シャル成長Ｎ／バッファー／基板）ヘテロ組織からの３
０ＯＫでの光反射率スペタートルをλ２（８２００人−
４２００人）とΩ−（２０Ｈｚ−４０００１１ｚ）の関
数として研究することを可能にしている。上記のバッフ
ァは半絶縁ＧａＡｓである。シャープなスペクトルは、
組織の異なった部分、即ちエピタキシャル層、バッファ
、基板のバンド・ギャップを直接観察することを可能す
る。

異なったλ、を用いると、キャリヤが組織の種々の領域
で光励起され、これ等の独立部分を選択的に変調できる
。

光反射率の同相成分のΩ、依存性を測定すると、種々の
界面でのトラップ回数を測定できる。この同相部分は以
下の理由で重要である。これまでは、トラップ回数は光
反射率の大きさのΩ、依存性から推定されていた。この
信号の大きさは同相信号の二乗と異相信号の二乗の和で
ある。しかしながら、この量は異なった時定数のトラッ
プから寄与があると、重合わせの原理に従わない。従っ
て、この方法は単一トラップ状態にのみ厳密に適合する
。多重トラップ状態には、異なったトラップ時間の寄与
の重畳を使用するため、同相成分のΩ１依存性を（ポン
プビームに対して）評価する必要がある。

ポンプ切り出し周波数Ω、の電算機制御と信号の同相成
分（異相成分も）の積算は、この種の実験の成功に極度
に重要である。

ＣＣ０５ｉｎ／Ｓｉ界面での歪み測定 光反射率を利用して、Ｓｉの熱酸化によって作製し、急
激な熱焼鈍を受けた組織のＳｉＯ□／Ｓｉ界面でのＳｉ
での歪みを測定することができる。

ＧａＡｓ及びＧａＡｌＡｓのような関連する材料はます
ます重要になって来ているが、電子産業の工場では依然
Ｓｉである。電子デバイスをＳｔから作製する主要な理
由の一つは、Ｓｉ上に安定な絶縁層、つまりＳｉ上のＳ
ｉｎｇを形成するのが容易であるからである。従って、
Ｓｉｎｇ／Ｓｉ界面での特性は、実用上の観点から非常
に重要である。

半導体のバンド・ギャップは、温度、歪み等のような外
部から加えられる種々のパラメータの関数である。従っ
て、これ等のパラメータの一つで半導体のエネルギ・ギ
ャップのずれを評価することによって、このパラメータ
に関する情報を得ることができる。

５ｉｆｔ／Ｓｉ系では、５ｉｎ２のないＳｉからの光反
射率スペクトルが測定され（基準試料）、次いで種々の
手段で作製された５ｉ０２／Ｓｉの光反射率スペクトル
と比較される。ＳｉＯ，／Ｓｉ配置でのＳｉの光反射率
ピークを基準Ｓｉのピークと比較して、Ｓｉｎｇを形成
して導入された応力を推定できる。この応力の幾つかを
急激な熱焼鈍によって解放できる。

このことは、実際のＳｉデバイスを作製するのに非常に
重要な特徴である。

商業上の応用 この発明は、研究開発での道具として使用するのに比べ
て、商業上の応用に対して重要である。

電子、光学、電子光学装置の将来は、ＭＢＥやＭＯＣＶ
Ｄのような薄膜技術による複雑なデバイスを作製するこ
と、及び種々の作製処置に依存している。これ等の系は
かなり複雑で経費がかかる。

従って、歩留りが非常に重要である。これ等のデバイス
の物質と組織を特性評価すること、及び歩留りと性能を
向上させる種々の製造過程を評価する必要性は大きい。

上に議論したように、光の反射率はこれ等の系に関する
多くの情報をもたらす。この発明による装置は比較的単
純で（しかもそのため低価格で）、コンパクトで、使用
しやすく、しかも室温で容易に使用できる。光反射法は
他の殆どの評価方法よりも１ドル当たりの検査に対して
より多くの情報をもたらす。他の多（の評価方法は極低
温で使用する必要がある。更に、光反射法は無接触であ
るから、ＭＢＥ又はＭＯＣＶＤ成長室又は作製室から取
り出す前に利用できる。このことはこのように複雑な系
の操作員が調節を行う見回り時間を著しく低減させる。

光反射法は無接触であり、６００°Ｃで行え、その間材
料は成長しているので、成長のパラメータを監視して制
御することができる。このことは、ＭＯＣＶＤで特に重
要である。

以下の表は、この発明による光反射装置の現在の能力の
要約である。

光反射分光の現在知られている能力 ■、薄膜とバルク材料 Ａ、ＩＩＩ−ＶとＩｔ−ＩＶ属二元物質（ＧａＡｓ、　
ＩｎＰ。

ＣｄＴｅ） １、結晶の品質、ダイレクト・バンド・ギャップのライ
ン形状、及びより上にあ る遷移（Ｅ＋、Ｅ２）から結晶の品質の定性的判定。製
造で発生した損傷や焼 鈍の効果を評価することができる（レ ーザー、急激熱処理等）。

２、キャリヤー濃度、約１０”　　１０”ｃｍ−３（ｎ
タイプ又はｐタイプ）のキャリヤ ー濃度の高品位材料では、Ｐｒａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ
振動を観察できる。これ等の振動の周期は表面電界、従
ってキャリ ヤー濃度をもたらす。

３、表面状態の安定化、ｐｒａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ振
動を観察しれば、表面のパッシベイシ ョン効果とそれによる表面電界の低減 を調べることができる。

４、キャリヤーの局部濃度、絶対濃度ではない、　Ｆｒ
ａｎｚ−Ｋａｌｄｙｓｈ振動が観察されない場合でも、
まだ低電界での情報を 得るこおができる。この領域では、信 号の値が実キャリヤー濃度に比例する。

従って、振幅を測定することによって 変化を測定できる。このことは接触電 子反射で明確に示されているが、光反 射ではまで示されていない。このこと を研究すべきで、決定的に示す必要が ある。

５、格子不整による歪み、ＧａＡｓ／Ｓｉ、　Ｚｎ５ｅ
／ＧａＡｓ等のような格子不整による歪みを評価できる
。

６、深いトラップ状態、光反射信号の変調周波数と温度
依存性から、トラップの 活性化エネルギを測定できる。幾つか の重要な予備結果が既に得られている が、更に系を研究する必要がある。温 −度範囲を２００°Ｃ−３００°Ｃまでにすることが要
求される。

Ｂ０合金半導体 １、　　ＧａＡｌＡｓ、　　Ｇａ１ｎＡｓ、　　Ａ１１
ｎＡｓ、　　ＧａＡｌＳｂ。

ＨｇＣｄＴｅ等のような合金材料の化学当量論を定性的
に決定する。ＨｇＣｄＴｅに対して、７７Ｋが要求され
る。

２．結晶の品質、上に説明した通りである。

３、深いトラップ状態、上に説明した通りである。

■、超格子、量子井戸及び多重量子井戸を含めたヘテロ
組織 Ａ、　ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｓ系 １、レーザー周波数に相当する基本量子遷移。

２、井戸と障害物の幅、障害物の高さ等ヲ評価する高次
量子遷移。組織の完全な 特性評価ができる。

３、二次元電子ガス、２Ｄ−ＥＣの徴候を観察できる。

Ｂ、　ＧａＡｓ／ＧａＡｓの場合 １、形成された歪み。

２、基本量子遷移、上に説明した通りである。

３、特性評価、上に説明した通りである。

Ｃ１ＧａＳｂ／ＧａＡｌ５ｂ １、形成された歪み。

２、基本量子遷移、上に説明した通りである。

３、特性評価、上に説明した通りである。

この発明によるただ一つの具体例を示し、説明したが、
同様なものに限定するのでなく、当業者に知られている
ように、考えられる多くの変形と修正がある。従って、
この発明は明細書に図示し、説明した個々の詳細に限定
するものでなく、特許請求の範囲に包含されるような全
ての変形と修正を網羅すると理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図、光反射を利用する従来の装置の模式ブロック図
。 第２図、装置の精度と汎用性を拡大する電算機を組み合
わせた光反射を利用するこの発明による装置の模式ブロ
ック図。 、図中参照符号： １０．５０・・・光源、 １１．５１・・・モノクロメータ、 １２．６２・・・試料、 １３．６３・・・他の二次光源、 １４．５４　・　・　・チョッパー １５．５６・・・検出器、 １６・・・サーボ系、 １８．５８・・・可変ニュートラル密度フィルタ１９．
５５・・・ロックイン増幅器、 ６６・・・Ａ／Ｄ変換器、 ７０・・・電算機、 ７６．７７・・・レンズ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、単色の光源手段、単色光を調べるべき試料に照射す
   る手段、エネルギ・ビームを変調する変調手段を含めて
   このビームを試料に照射するポンプ・ビーム手段、出力
   に直流信号と交流信号を発生するように動作する検出器
   手段に、吸収されない単色光と試料からの吸収されない
   変調ビームの少なくとも一部を指向させる手段、電算機
   手段、検出器手段からの前記直流信号を前記電算機手段
   の入力端に印加する手段、入力端で検出器からの交流信
   号を受信し、電算機手段の他の入力端に出力を有効に接
   続するロックイン増幅器手段、試料を照射する単色光の
   強度を可変する可変手段と電算機手段からの出力によっ
   て前記可変手段を制御する駆動手段とを含めて、前記直
   流信号を所定の値のほぼ一定値に維持するサーボ制御手
   段、から成り、前記電算機手段は前記駆動手段とこの手
   段と共に可変手段を所定の速度で移動させ、前記所定の
   値に達するように動作する、光反射によって材料の特性
   を判定する装置。 ２、前記電算機手段は、前記駆動手段とこの手段と共に
   可変手段を最初、比較的早く前記所定の値の方に移動さ
   せ、その後、前記駆動手段のより遅い動きで少なくとも
   ほぼ前記所定値に達するように動作することを特徴とす
   る請求項１記載の装置。 ３、単色光の波長は電算機手段で可変され、変調手段の
   変調周波数も電算機手段で可変され、前記駆動手段は電
   算機手段によって制御されるステッピングモータを保有
   し、単色光の波長を可変する手段も電算機で制御され、
   単色光の波長を可変するように動作するステッピングモ
   ータを保有することを特徴とする請求項１又は２記載の
   装置。 ４、単色光の強度の変化と共に、電算機手段は駆動手段
   のステッピングモータをあるステップ数の増分移動させ
   るように動作でき、比較をその時発生した直流信号とそ
   の所定値の間で再び行い、その後、ステッピングモータ
   の多段移動によって前記所定の値を通り過ぎるまで、多
   段操作を繰り返し、ステッピングモータの動作を反転さ
   せ、このモータの動きを１ステップの増分行うことによ
   って、所定値に少なくとも近似的達するまで、微調が達
   成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に
   記載の装置。 ５、前記電算機手段は、装置にデータを収集する間、サ
   ーボ制御手段を動作させない手段を保有することを特徴
   とする請求項１〜４の何れか１項に記載の装置。 ６、次の過程、 ａ）特性を測定すべき材料試料に単色光のプローブビー
   ムを照射し、 ｂ）試料上にポンプ光源からの変調されたポンプビーム
   を照射して試料を電子変調し、 ｃ）直流信号と交流信号を発生する検出器に試料から反
   射した、あるいは試料を透過した光を集め、（ｉ）前記
   交流信号はポンプ光源からの拡散反射した光及び／又は
   検出器に到達するポンプ光によって生じるフォトルミネ
   ッセンスによる見掛け上の信号と、（ｉｉ）真の信号と
   を含み、 ｄ）見掛け上の信号を真の信号から引き算してこの処理
   を規格化する、 から成る光反射によって、材料、特に半導体、半導体ヘ
   テロ組織及び半導体の界面の特性を判定する方法。 ７、過程（ｄ）は、同じ検出器に到達する単色光の強度
   を単色光の所定の波長で最小にし、その時得られた見掛
   け上の信号を解析して、検出器の出力を受信するロック
   イン増幅器の入力端に現れるポンプビームの絶対位相を
   定め、このロックイン増幅器を光学ポンプに対して正し
   い位相に設定し、ロックイン増幅器の零調整を変えて見
   掛け上の信号を補償することによって完了することを特
   徴とする請求項６記載の方法。 ８、規格化処理は見掛け上の信号が大きい場合、プロー
   ブビームの種々の波長で繰り返されることを特徴とする
   請求項６又は７記載の方法。 ９、データを変換して高速フーリエ変換、濾波及び整形
   処理によってＳＮ比を改善し、微分と積分を得られたデ
   ータに付いて行い、信号の解析を支援し、データにライ
   ン形状を合わせて、スペクトルの光子エネルギ、スペク
   トルのライン幅及び／又は振幅と位相のようなパラメー
   タを引き出すことを特徴とする請求項６〜８の何れか１
   項に記載の方法。 １０、下記の過程、 ａ）成長環境内にある材料上にプローブ光の単色光を照
   射し、 ｂ）この材料上に変調されたポンプビームを照射し、 ｃ）この材料から反射した信号を解析して、品質、歩留
   り及び／又は製造中の物質成分の管理に使用する特性を
   決定する、 から成り、製造の少なくとも一部の期間、特に結晶成長
   の下で実質上連続的に材料をその場監視でき、薄膜技術
   によって作製される半導体、半導体ヘテロ組織及び半導
   体界面のような材料の製作をその場監視する方法。 １１、以下の過程、 ａ）特性を調べるべき材料試料に単色光のプローブビー
   ムを当て、 ｂ）ポンプ光源からの変調されたポンプビームを試料上
   に照射してこの試料を電子変調し、ｃ）試料から反射し
   た、あるいは試料を透過した光を検出器に集め、この検
   出器は直流信号と交流信号を形成し、この交流信号は（
   ｉ）ポンプ光源からの拡散反射光及び／又は検出器に到
   達するポンプ光によって形成されるフォトルミネッセン
   スによって生じる見掛け上の信号と（ｉｉ）真の信号を
   含み、 ｄ）電算機制御の下で真の信号から見掛け上の信号を引
   き算して処理を規格化し、 ｅ）各エネルギ・ギャップの位置を測定してエネンルギ
   ・バンド・ギャップを解析し、温度、合金組成及び応力
   のような種々のパラメータの情報を得る、 から成る、半導体材料のＭＢＥやＭＯＣＶＤの結晶成長
   温度に相当する温度のような高温でしかもその場処理で
   行われる半導体材料の成長条件を判定する方法。 １２、以下の過程、 ａ）特性を調べるべき材料試料に単色光のプローブビー
   ムを当て、 ｂ）ポンプ光源からの変調されたポンプビームを試料上
   に照射してこの試料を電子変調し、ｃ）試料から反射し
   た、あるいは試料を透過した光を検出器に集め、この検
   出器は直流信号と交流信号を含み、 ｄ）特に電算機制御することによって、同相光反射信号
   のポンプ変調周波数依存性を判定して、多重トラップ状
   態に関する情報を含めたトラップ回数に関する情報を得
   る、 から成る、特に半導体と半導体ヘテロ組織の界面でのト
   ラップ回数に関する情報を得る方法。