JPH03102658A - Optical memory element - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に情報を記録、再生、或いは消去する
ことのできる光メモリ素子に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical memory element that can optically record, reproduce, or erase information.
光メモリ素子として、例えば、磁気光学効果を利用する
光磁気メモリ素子は、高密度・大容量のメモリ素子とし
て注目され、研究開発が活発に進められているものであ
る。光磁気メモリ素子における記録は、レーザ光を集光
してこれを磁気記録媒体に照射すると共に、所定の磁界
を印加して所定方向の磁化方向を持つ微小領域を形或す
る一方、その再生は、レーザ光を集光してこれを磁気記
録媒体に照射し、力一効果等による偏光面の回転の変化
を受光素子により光の強弱として検出することにより行
うものである。As an optical memory element, for example, a magneto-optical memory element that utilizes the magneto-optical effect has attracted attention as a high-density, large-capacity memory element, and research and development is actively underway. Recording in a magneto-optical memory element involves focusing a laser beam and irradiating it onto a magnetic recording medium, and applying a predetermined magnetic field to form a minute region with a predetermined magnetization direction. This is accomplished by condensing a laser beam and irradiating it onto a magnetic recording medium, and detecting changes in the rotation of the plane of polarization due to the Rikichi effect or the like as the intensity of the light using a light-receiving element.
光磁気メモリ素子は、基本的には、第８図に示すように
、プラスチック等からなる透明基板１と、第１誘電体膜
２と、磁気記録媒体３と、第２誘電体膜４と、，１１や
Ｃｕなどからなる反射ＩＩ！ ５と、樹脂よりなる保護
膜マとがこの順で形威されてなるものであり、また、こ
れらを二枚貼り合わせた両面構造のものもある。As shown in FIG. 8, a magneto-optical memory element basically includes a transparent substrate 1 made of plastic or the like, a first dielectric film 2, a magnetic recording medium 3, a second dielectric film 4, , 11, Cu, etc. Reflection II! 5 and a protective film made of resin in this order, and there is also a double-sided structure in which two sheets of these are bonded together.
前記の反射膜５は、信号を高感度で再生するためのもの
であり、また、保護膜７は外部からの水分の浸入を防ぎ
、水分による磁気記録媒体３や反射膜５の腐蝕を防止し
て光磁気メモリ素子の信頼性を高めるためのものである
。The reflective film 5 is for reproducing signals with high sensitivity, and the protective film 7 prevents moisture from entering from the outside and prevents corrosion of the magnetic recording medium 3 and the reflective film 5 due to moisture. This is to improve the reliability of the magneto-optical memory element.
ところが、上記従来の構造において、保護膜７はエボキ
シ樹脂や紫外線硬化樹脂などが数μｍ〜数十μｍの厚み
で形成されただけのものなので、十分な保護作用を発揮
しているとは言い難く、大気中の水分が保護膜７を通過
して反射膜５を劣化させたり、さらに、第２誘電体ＩＩ
！４を通り抜けて磁気記録媒体３にまで至り、磁気記録
媒体３の劣化を生じさせるので、製造当初の高特性を保
持し得ないというのが実情である。However, in the above-mentioned conventional structure, the protective film 7 is simply formed of epoxy resin, ultraviolet curing resin, etc. with a thickness of several μm to several tens of μm, so it is difficult to say that it exerts a sufficient protective effect. , moisture in the atmosphere may pass through the protective film 7 and deteriorate the reflective film 5, and furthermore, the second dielectric II
! 4 and reaches the magnetic recording medium 3, causing deterioration of the magnetic recording medium 3, and the actual situation is that the high characteristics at the time of manufacture cannot be maintained.
本発明に係る光メモリ素子は、上記の課題を解決するた
めに、記録媒体と反射膜とを備え、上記の記録媒体に光
を照射して情報の記録、再生、或いは消去を行う光メモ
リ素子において、前記の反射膜の外表面上に、安定度の
高い複数の金属酸化膜からなる保護膜、若しくは上記金
属酸化膜と金属膜とからなる保護膜が形威されているこ
とを特徴としている。In order to solve the above problems, an optical memory element according to the present invention includes a recording medium and a reflective film, and records, reproduces, or erases information by irradiating the recording medium with light. It is characterized in that a protective film consisting of a plurality of highly stable metal oxide films, or a protective film consisting of the above metal oxide film and a metal film is formed on the outer surface of the reflective film.
上記の構或によれば、樹脂からなる保護膜のみ備える光
メモリ素子に比し、前記安定度の高い複数の金属酸化膜
からなる保護膜、若しくは上記金属酸化膜と金属膜とか
らなる保護膜が加えられたことによって、水分などの通
過阻止能力が向上するので、経時的劣化の抑制された信
頼性の高い光メモリ素子を提供できる。勿論、前記保護
膜の外表面上に、更に、樹脂からなる保護膜を形或して
もよく、このような構造であれば、信頼性をより一層高
めることができる。According to the above structure, compared to an optical memory element having only a protective film made of resin, the protective film made of the plurality of highly stable metal oxide films or the protective film made of the metal oxide film and the metal film is By adding this, the ability to block the passage of moisture and the like is improved, so it is possible to provide a highly reliable optical memory element with suppressed deterioration over time. Of course, a protective film made of resin may be further formed on the outer surface of the protective film, and with such a structure, reliability can be further improved.
〔実施例１〕
本発明の一実施例を第１図ないし第４図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。なお、従来例で示した部材
と同一の機能を有する部材には同一の符号を付記するこ
とによって従来例と本発明との相違点を明確にしている
。[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 1 to 4. Note that the differences between the conventional example and the present invention are clarified by adding the same reference numerals to the members having the same functions as those shown in the conventional example.
本発明に係る光メモリ素子において、第１図に示すよう
に、凹凸のグループパターン１ａ・・・が形威されてい
る樹脂、若しくはガラスからなる透明基板１上には、Ｓ
ｉ ３Ｎ４からなる第１誘電体膜２が７００〜１００
０大の厚みで形成されている。第１誘電体膜２上には、
ＴｂＦｅＣｏ系の磁気記録媒体３が８００〜ｔｏｏｏ人
の厚みで形威されている。磁気記録媒体３上には、Ｓｉ
ｚＮｎからなる第２誘電体膜４が７００〜１０００人の
厚みで形威されている。第２誘電体ｌ！４上には、Ａｌ
からなる反射膜５が２００〜５０００人の厚みで形或さ
れている。反射膜５上には、Ｔａ膜（金属膜）８、Ｔａ
ｚＯｓ膜（金属酸化膜）９からなる第１保護膜６が５０
０人〜１μｍの厚みで形或されている。第１保護膜６上
には、紫外線硬化樹脂若しくはシリコン樹脂からなる第
２保ｉ１Ｉ１！７が数μｍの厚みで形威されている。In the optical memory device according to the present invention, as shown in FIG.
The first dielectric film 2 made of i3N4 has a thickness of 700 to 100
It is formed with a thickness of 0. On the first dielectric film 2,
A TbFeCo-based magnetic recording medium 3 is formed with a thickness of 800 to 800 mm. On the magnetic recording medium 3, Si
A second dielectric film 4 made of ZNn is formed to have a thickness of 700 to 1000 mm. Second dielectric l! 4 on top of Al
A reflective film 5 consisting of 200 to 5000 layers of thickness is formed. On the reflective film 5 are a Ta film (metal film) 8 and a Ta film.
The first protective film 6 made of a zOs film (metal oxide film) 9 is
It is shaped with a thickness of 0 to 1 μm. On the first protective film 6, a second protective layer i1I1!7 made of ultraviolet curing resin or silicone resin is formed with a thickness of several μm.
上記の構或によれば、樹脂からなる保護膜（第２保護膜
７に相当）のみ備える光メモリ素子に比し、前記の第１
保護ｌ’ｌｌ ６を備えることによって水分などの通過
阻止能力が向上しているので、経時的劣化の抑制された
信頼性の高い光メモリ素子が得られる。また、本実施例
のように、第ｌ保護膜６に加えて、この外表面上に前記
樹脂からなる第２保護膜７を形威すれば信頼性はより一
層高められることになる。According to the above structure, compared to an optical memory element that includes only a protective film made of resin (corresponding to the second protective film 7), the first
Since the provision of the protection l'll 6 improves the ability to block the passage of moisture, etc., a highly reliable optical memory element with suppressed deterioration over time can be obtained. Further, as in this embodiment, in addition to the first protective film 6, if the second protective film 7 made of the resin is formed on this outer surface, the reliability will be further improved.
樹脂の保護膜のみ備える光メモリ素子と、本実施例の光
メモリ素子（第１保ｉ！膜６を後述のＤＣとＲＦのバイ
アススバッタにて形威したもの）との経時的な劣化特性
を比較してみる。第４図は、温度が６０゜Ｃ、湿度が９
０％の環境下で、各々の光メモリ素子におけるＢＥＲ
：ビットエラー比（当初のビットエラ一率に対する所定
時間経過後のビットエラー率）の変化を示している。こ
の図から明らかなように、本実施例の光メモリ素子の方
が、時間経過に伴うビットエラーは少な《、経時的な劣
化が殆どないことが分かる。Comparison of deterioration characteristics over time between an optical memory element having only a resin protective film and an optical memory element of this example (in which the first protective film 6 is formed by DC and RF bias sputtering described later) I'll try it. Figure 4 shows the temperature at 60°C and the humidity at 9.
BER of each optical memory element under 0% environment
: Indicates a change in the bit error ratio (the bit error rate after a predetermined time with respect to the initial bit error rate). As is clear from this figure, the optical memory element of this example has fewer bit errors over time, and there is almost no deterioration over time.
本実施例に係る光メモリ素子を得るには、前記の透明基
板１上に、第１誘電体膜２、磁気記録媒体３、および第
２誘電体１１１４を順次スパッタリングで形戒した後、
かかる透明基仮１を第２図に示す製造装置（スバッタ装
置群）２０の第１室である予備室２Ｏａ内に搬入してス
トンクする。予備室２Ｏａ内の透明基仮ｌは搬送ベルト
２１にて、Ａｎターゲット２２を有する第２室２Ｏｂ内
に殿送され、この第２室２Ｏｂ内でＤＣ（直流）のマグ
ネトロンスバッタ法による処理が施され、第２誘電体膜
４上には前述したＡｆからなる反射膜５が形威される。To obtain the optical memory element according to this example, after forming the first dielectric film 2, the magnetic recording medium 3, and the second dielectric 1114 on the transparent substrate 1 by sputtering,
The transparent base material 1 is carried into a preliminary chamber 2Oa which is the first chamber of a manufacturing apparatus (spatter apparatus group) 20 shown in FIG. 2, and is stonked. The transparent substrate l in the preparatory chamber 2Oa is transported by a conveyor belt 21 into a second chamber 2Ob having an An target 22, and in this second chamber 2Ob, it is processed by a DC (direct current) magnetron scattering method. The reflection film 5 made of Af mentioned above is formed on the second dielectric film 4.
第２室２０ｂで反射膜５の形或された透明基板１は、搬
送ベルト２１にて、Ｔａターゲット２３を有する第３室
２０ｃ内に移送され、この第３室２Ｏｃ内でＤＣのバイ
アススバッタによりＴａ膜８を形成する。そして、同室
２Ｏｃ内においてＲＦのバイアススバッタに切り替える
と共に、Ａｒ＋０２ガスの雰囲気にして、Ｔａ．０５膜
９を形或する。反射膜５上にはＴａ膜８とＴａｚＯｓ膜
９からなる第１保護膜６が形成される。そして、第１保
護膜６の形或された透明基板１は、ストック室２Ｏｅ内
にストックされることになる。The transparent substrate 1 on which the reflective film 5 has been formed in the second chamber 20b is transferred by a conveyor belt 21 into a third chamber 20c having a Ta target 23, and in this third chamber 2Oc, a DC bias spatter is applied. A Ta film 8 is formed. Then, in the same room 2Oc, switch to RF bias sputtering, create an atmosphere of Ar+02 gas, and use Ta. 05 film 9 is formed. A first protective film 6 consisting of a Ta film 8 and a TazOs film 9 is formed on the reflective film 5 . The transparent substrate 1 with the first protective film 6 formed thereon is then stored in the stock chamber 2Oe.
上記の第１保護膜６上に樹脂からなる第２保護膜７を塗
布しこれを乾燥させることにより光メモリ素子が得られ
る。An optical memory element is obtained by applying a second protective film 7 made of resin on the first protective film 6 and drying it.
本実施例では、前述のように、ＴａとＴａｚＯｓからな
る第１保護膜６をＤＣとＲＦのバイアススバッタ法で形
或するので、たとえ、Ａｌの反射膜５に小さなビンホー
ルがあったとしても、前記のＴａとＴａ．Ｏ，が形戒さ
れるときにビンホールは埋め込まれることになる。この
ことにより、外部からの水分の浸入は第１保護膜６にて
確実に阻止され、水分が反射膜５に至るのを確実に防止
することができる。In this embodiment, as described above, the first protective film 6 made of Ta and TazOs is formed by the DC and RF bias sputtering method, so even if there is a small hole in the Al reflective film 5, , the aforementioned Ta and Ta. The bottle hole will be filled in when O, is reprimanded. As a result, the first protective film 6 can reliably prevent moisture from entering from the outside, and can reliably prevent moisture from reaching the reflective film 5.
なお、第１保護膜６のＴａ．Ｏ，膜９は、ＡＬＤ（Ａｔ
ｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｔｏｎ）法
により形或してもよい。かかる手法による場合には、Ａ
１の反射膜５とＴａ膜８を形戒した後、第３図に示す装
置内にセットし、導入口２５ａからはＴａＣｌ，を、導
入口２５ｂからはＨ２０ガスを交互に電気炉２５内に流
し込むことによってピンホールレスのＴａ．ＯＳ膜９か
らなる第１保護膜６を得ることができる。この手法によ
り得られる第１保護膜６を有する光メモリ素子も、前述
のＤＣとＲＦのバイアススパツタにより得られる第１保
護膜６を有する光メモリ素子と同様の高い信頼性を発揮
することができる。Note that the Ta of the first protective film 6 is O, the film 9 is formed by ALD (At
It may be formed by a mic layer deposition method. When using such a method, A
After the reflective film 5 and Ta film 8 of No. 1 have been properly prepared, they are set in the apparatus shown in FIG. Pinhole-free Ta. The first protective film 6 made of the OS film 9 can be obtained. The optical memory element having the first protective film 6 obtained by this method can also exhibit the same high reliability as the optical memory element having the first protective film 6 obtained by the aforementioned DC and RF bias sputtering.
なお、以上のように、Ｔａ膜８上にＴａｘ○５膜９を積
層する手法に代えて、Ｔａ膜８を形威した後に、当該透
明基板ｌを第４室２０ｄに移送し、この第４室２０ｄ中
に形威されているオゾンプラズマ雰囲気中で表面処理を
行い、Ｔａ膜８の表層部を酸化させてＴａｚＯｓ膜９を
得るようにしてもよいものである。As described above, instead of stacking the Tax○5 film 9 on the Ta film 8, after forming the Ta film 8, the transparent substrate l is transferred to the fourth chamber 20d, and the fourth The surface treatment may be performed in an ozone plasma atmosphere existing in the chamber 20d to oxidize the surface layer portion of the Ta film 8 to obtain the TazOs film 9.
〔実施例２〕
本発明の他の実施例を第２図および第５図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。なお、ここで、前記実施
例で用いた第２図を再び用いている。以後の実施例にお
いても同じである。[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below based on FIGS. 2 and 5. Note that FIG. 2 used in the above embodiment is used again here. The same applies to subsequent examples.
本実施例に係る光メモリ素子において、第５図に示すよ
うに、第１保護膜６は、反射膜５上に形威されたｌｅ２
０３膜１０と、このＡ／２２０．膜１０上に形成された
ＴａｚＯｓ膜９との組み合わせ膜により構威されている
。In the optical memory device according to this embodiment, as shown in FIG.
03 membrane 10 and this A/220. It is composed of a combination film with a TazOs film 9 formed on the film 10.
かかる構造の光メモリ素子について前記の信頼性テスト
を行ったが、前記第１実施例と同様の高信頼性が確認さ
れた。The above-mentioned reliability test was conducted on the optical memory element having such a structure, and high reliability similar to that of the first embodiment was confirmed.
第ｌ保護膜６を得るには、第２図に示すように、第２室
２Ｏｂ内においてＤＣのバイアスマグネトロンスバッタ
によりＡｆの反射膜５を形威した後、同室２Ｏｂ内にお
いてＲＦのバイアススパッタに切り替えると共に、Ａｒ
＋０２ガスの雰囲気にして、Ａ／２．Ｏ．膜ｌＯを形威
する。In order to obtain the first protective film 6, as shown in FIG. Along with switching to Ar
+02 gas atmosphere, A/2. O. Form the membrane lO.
或いは、Ａ／２の反射膜５を形或した後、第４室２０ｄ
に移送し、この第４室２０ｄ内に形威されているオゾン
プラズマ雰囲気中で表面処理を行い、Ａｊ２の反射膜５
の表層部を酸化させてＡ ｌ ｚ Ｏ ：１膜１０を得
るようにしてもよい。Alternatively, after forming the A/2 reflective film 5, the fourth chamber 20d
The reflective film 5 of Aj2 is transferred to the fourth chamber 20d and subjected to surface treatment in the ozone plasma atmosphere present in the fourth chamber 20d.
The Al z O :1 film 10 may be obtained by oxidizing the surface layer of the Al z O :1 film 10.
次に、第３室２０ｃ内においてＡｒ＋０２ガスを導入す
ると共に、ＲＦのバイアススバッタを行うことでＴａ．
○，膜９を形戒する。或いは、このＴａｚ○，膜９をＡ
ＬＤ法により形成してもよいものである。Next, by introducing Ar+02 gas into the third chamber 20c and performing RF bias sputtering, Ta.
○, form the membrane 9. Alternatively, this Taz○, film 9 can be
It may be formed by the LD method.
かかる第１保護膜６上に樹脂の第２保護膜７を形戒すれ
ば光メモリ素子が得られる。By forming a second protective film 7 made of resin on the first protective film 6, an optical memory element is obtained.
〔実施例３〕
本発明の他の実施例を第２図および第６図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。[Embodiment 3] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 and 6.
本実施例に係る光メモリ素子において、第６図に示すよ
うに、第１保護膜６は、反射膜５上に形威された／ｌ．
０．膜１０と、この／ｌ．０２膜１０上に形威されたＴ
ａ膜８との組み合わせ膜により構或されている。In the optical memory device according to this embodiment, as shown in FIG. 6, the first protective film 6 has a /l.
0. membrane 10 and this /l. 02 T formed on the film 10
It is constructed by a combination film with the a film 8.
かかる構造の光メモリ素子について前記の信頼性テスト
を行ったが、前記第１実施例と同様の高信頼性が確認さ
れた。The above-mentioned reliability test was conducted on the optical memory element having such a structure, and high reliability similar to that of the first embodiment was confirmed.
第１保護膜６を得るには、第２図に示すように、第２室
２０ｂでＤＣのバイアスマグネトロンスパッタによりＡ
ｌｌの反射膜５を形威した後、同室２Ｏｂ内でＲＦのバ
イアススパッタに切り替えると共にＡ ｒ ＋０．ガス
の雰囲気にして、ＡｌｚＯｓ膜１０を形或する。或いは
、第４室２Ｏｄ内においてオゾン雰囲気中に晒してＡｉ
の反射膜５の表層部を酸化させ、Ａ １ ｚ○３膜１０
を形威してもよい。To obtain the first protective film 6, as shown in FIG. 2, A
After forming the reflective film 5 of 11, switch to RF bias sputtering in the same room 2Ob and use A r +0. The AlzOs film 10 is formed in a gas atmosphere. Alternatively, Ai may be exposed to an ozone atmosphere in the fourth chamber 2Od.
The surface layer of the reflective film 5 is oxidized to form the A 1 z○3 film 10.
You can also express it.
その後、第３室２０ｃに移送し、Ａｒガス雰囲気中でＤ
ＣバイアススパッタにてＴａ膜８を例えば５０００人の
厚みで形成する。Thereafter, it is transferred to the third chamber 20c, and D is placed in an Ar gas atmosphere.
A Ta film 8 is formed to a thickness of, for example, 5000 mm using C bias sputtering.
かかる第１保護膜６上に樹脂の第２保護膜７を形戒すれ
ば光メモリ素子が得られる。By forming a second protective film 7 made of resin on the first protective film 6, an optical memory element is obtained.
〔実施例４〕
本発明の他の実施例を第２図および第７図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。[Embodiment 4] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 and 7.
本実施例に係る光メモリ素子において、第７図に示すよ
うに、第１保護膜６は、反射膜５上に形威されたＡｌｘ
Ｏｔ膜１０と、このＡ／！．Ｏ．膜ｌＯ上に形威された
Ｔａ膜８と、このＴａ膜８上に形威されたＴａ２０，膜
９との組み合わせ膜により構威されている。In the optical memory device according to this embodiment, as shown in FIG.
Ot film 10 and this A/! ．． O. It is constructed by a combination film of a Ta film 8 formed on the film 1O, a Ta film 9 formed on the Ta film 8, and a Ta film 9.
かかる構造の光メモリ素子について前記の信頼性テスト
を行ったが、前記第ｌ実施例と同様の高信頼性が確認さ
れた。The reliability test described above was conducted on the optical memory element having such a structure, and high reliability similar to that of the first embodiment was confirmed.
第１保護膜６を得るには、上記の実施例３と同様の方法
でＡ／！．Ｏａｔ膜１０とＴａ膜８とを形威した後、第
２図に示すように、第３室２Ｏｃ内においてＡ ｒ ＋
０２ガスを導入すると共に、ＲＦのバイアススバッタを
行うことでＴａ，Ｏ，膜９を形或する。若しくは、第４
室２０ｄに移送して、Ｔａ膜８をオゾン雰囲気中に晒し
てＴａ膜８の表層部を酸化させてＴａｘｅｓ膜９を形或
する。To obtain the first protective film 6, use the same method as in Example 3 above to obtain A/! ．． After forming the Oat film 10 and the Ta film 8, as shown in FIG. 2, A r +
Ta, O, and film 9 are formed by introducing 02 gas and performing RF bias sputtering. Or the fourth
The Ta film 8 is transferred to a chamber 20d and exposed to an ozone atmosphere to oxidize the surface layer of the Ta film 8 to form a Taxes film 9.
かかる第１保護膜６上に樹脂の第２保護膜７を形威すれ
ば光メモリ素子が得られる。By forming a second protective film 7 made of resin on the first protective film 6, an optical memory element is obtained.
なお、以上の実施例ｌ〜４においては、片面使用の光メ
モリ素子を示したが、かかる光メモリ素子を２枚張り合
わせてなる両面型光メモリ素子についても本発明は適用
できるものであり、このような両面型光メモリ素子につ
いては、両面に透明基板を有することになるので、より
信頼性の高いものとなる。In Examples 1 to 4 above, an optical memory element that uses one side is shown, but the present invention can also be applied to a double-sided optical memory element that is made by laminating two such optical memory elements. Since the type optical memory element has transparent substrates on both sides, it becomes more reliable.
本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、記録媒体
と反射膜とを備え、上記の記録媒体に光を照射して情報
の記録、再生、或いは消去を行う光メモリ素子において
、前記の反射膜の外表面上に、安定度の高い複数の金属
酸化膜からなる保護膜、若しくは上記金属酸化膜と金属
膜とからなる保護膜が形威されている構或である。As described above, the optical memory element according to the present invention includes a recording medium and a reflective film, and is configured to write, reproduce, or erase information by irradiating the recording medium with light. A protective film consisting of a plurality of highly stable metal oxide films, or a protective film consisting of the above-mentioned metal oxide film and a metal film is formed on the outer surface of the metal oxide film.
これにより、水分などの通過阻止能力が向上するので、
経時的劣化の抑制された信頼性の高い光メモリ素子を得
ることができるという効果を奏する。This improves the ability to prevent the passage of moisture, etc.
This has the effect that a highly reliable optical memory element with suppressed deterioration over time can be obtained.
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示すものであ
る。
第ｌ図は光メモリ素子の断面構造を示す説明図である。
第２図は光メモリ素子製造装置の概略構戒図である。
第３図はＡＬＤ法を行うための電気炉の概略構威図であ
る。
第４図は従来と本発明に係る各々の光メモリ素子におけ
るＢＥＲ：ビットエラー比の経時的変化を比較して示す
グラフである。
第５図は他の実施例を示すものであって、光メモリ素子
の断面構造を示す説明図である。
第６図は他の実施例を示すものであって、光メモリ素子
の断面構造を示す説明図である。
第７図は他の実施例を示すものであって、光メモリ素子
の断面構造を示す説明図である。
第８図は従来例を示すものであって、光メモリ素子の断
面構造を示す説明図である。
１は透明基板、２は第１誘電体膜、３は磁気記録媒体、
４は第２誘電体膜、５は反射膜、６は第１保護膜（複数
の金属酸化膜からなる保護膜、若しくは上記金属酸化膜
と金属膜とからなる保護膜）、７は第２保護膜、８はＴ
ａ膜（金属膜）、９はＴａｇ’ｓ膜（金属酸化膜）、１
０はＡｌ．０．膜（金属酸化膜）、２０は製造装置であ
る。1 to 4 show one embodiment of the present invention. FIG. 1 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an optical memory element. FIG. 2 is a schematic diagram of the optical memory element manufacturing apparatus. FIG. 3 is a schematic diagram of an electric furnace for carrying out the ALD method. FIG. 4 is a graph showing a comparison of changes over time in the BER:bit error ratio of the conventional optical memory device and the optical memory device of the present invention. FIG. 5 shows another embodiment, and is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an optical memory element. FIG. 6 shows another embodiment, and is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an optical memory element. FIG. 7 shows another embodiment, and is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an optical memory element. FIG. 8 shows a conventional example, and is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of an optical memory element. 1 is a transparent substrate, 2 is a first dielectric film, 3 is a magnetic recording medium,
4 is a second dielectric film, 5 is a reflective film, 6 is a first protective film (a protective film made of a plurality of metal oxide films, or a protective film made of the above metal oxide film and a metal film), and 7 is a second protection film. membrane, 8 is T
a film (metal film), 9 is Tag's film (metal oxide film), 1
0 is Al. 0. The film (metal oxide film), 20 is a manufacturing device.
Claims (1)
照射して情報の記録、再生、或いは消去を行う光メモリ
素子において、 前記の反射膜の外表面上に、安定度の高い複数の金属酸
化膜からなる保護膜、若しくは上記金属酸化膜と金属膜
とからなる保護膜が形成されていることを特徴とする光
メモリ素子。[Claims] 1. An optical memory element comprising a recording medium and a reflective film, and recording, reproducing, or erasing information by irradiating the recording medium with light, comprising: on the outer surface of the reflective film; An optical memory element characterized in that a protective film made of a plurality of highly stable metal oxide films, or a protective film made of the above metal oxide film and a metal film is formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239002A JPH03102658A (en) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | Optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1239002A JPH03102658A (en) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | Optical memory element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102658A true JPH03102658A (en) | 1991-04-30 |
Family
ID=17038436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1239002A Pending JPH03102658A (en) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | Optical memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102658A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719006A (en) * | 1994-10-19 | 1998-02-17 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
| EP1296319A4 (en) * | 2000-04-25 | 2005-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing disk substrate, and method and device for manufacturing optical disk |
| US7055824B2 (en) | 1999-06-18 | 2006-06-06 | Nok Corporation | Lip-type high pressure seal |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1239002A patent/JPH03102658A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7101593B2 (en) | 2000-04-25 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a disk-shaped substrate and method for producing an optical disk |
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