JPH03101206A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH03101206A JPH03101206A JP23732289A JP23732289A JPH03101206A JP H03101206 A JPH03101206 A JP H03101206A JP 23732289 A JP23732289 A JP 23732289A JP 23732289 A JP23732289 A JP 23732289A JP H03101206 A JPH03101206 A JP H03101206A
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- mask
- substrate
- substrate holder
- magnet
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光記録媒体或いは光磁気記録媒体の製造装置
に関し、特に基板上に薄膜を形成する際、基板上の薄膜
形成領域を規制すると共に基板を基板ホルダーに保持す
るマスク部材を有するスパッタ装置に関する。
に関し、特に基板上に薄膜を形成する際、基板上の薄膜
形成領域を規制すると共に基板を基板ホルダーに保持す
るマスク部材を有するスパッタ装置に関する。
[従来技術]
近年、光記録媒体或いは光磁気記録媒体は、レーザ光に
よる書き込み・読みだし可能な光ディスク又は光磁気デ
ィスクとして大容量データ・ファイル等に広く利用され
ている。
よる書き込み・読みだし可能な光ディスク又は光磁気デ
ィスクとして大容量データ・ファイル等に広く利用され
ている。
このような光ディスク又は光磁気ディスクは、ガラス、
プラスチック等の透明基板上にスパッタリング法或いは
蒸着法により各種目的に応じた薄膜を一層又は多層に成
膜されている。
プラスチック等の透明基板上にスパッタリング法或いは
蒸着法により各種目的に応じた薄膜を一層又は多層に成
膜されている。
例えば、第5図に示すスパッタ装置のように、スパッタ
室18内には、底部に配置したカソード電極21.22
上に、それぞれSi及びTb*5Feto Co−r材
料からなるターゲット19と20が設けられている。
室18内には、底部に配置したカソード電極21.22
上に、それぞれSi及びTb*5Feto Co−r材
料からなるターゲット19と20が設けられている。
また、前記カソード電極21.22は、それぞれターゲ
ット電源23.24が繋げられており、該ターゲット1
9.20に個々に適したスパッタパワーを与え、所望の
積層薄膜が形成出来るようになされている。
ット電源23.24が繋げられており、該ターゲット1
9.20に個々に適したスパッタパワーを与え、所望の
積層薄膜が形成出来るようになされている。
前記両ターゲット19.20の上方には、プラスチック
基板4がアノード電極を兼ねた基板ホルダー11に保持
されて前記両ターゲッ)19.20の両方に対してほぼ
均等な位置になるような位置に配置されている。
基板4がアノード電極を兼ねた基板ホルダー11に保持
されて前記両ターゲッ)19.20の両方に対してほぼ
均等な位置になるような位置に配置されている。
そこで、上記のように構成された前記スパッタ装置のス
パッタ室18内を真空ポンプ25により真空排気した後
、該スパッタ室18にArガス及びN8ガスを導入し、
且つ前記ターゲラ)19.20に適宜スパッタパワーを
印加させることによりスパッタリングを行い、前記プラ
スチック基板4上に夫々数人〜10数人の厚さで交互に
積層薄膜を形成する。
パッタ室18内を真空ポンプ25により真空排気した後
、該スパッタ室18にArガス及びN8ガスを導入し、
且つ前記ターゲラ)19.20に適宜スパッタパワーを
印加させることによりスパッタリングを行い、前記プラ
スチック基板4上に夫々数人〜10数人の厚さで交互に
積層薄膜を形成する。
ところで、この様な薄膜を基板上に形成する際には、一
般に、プラスチック基板上に成膜される薄膜の領域を規
制し、前記プラスチック基板を基板ホルダーに固定する
ために基板の内周部と外周部にマスクが用いられている
。当初、前記マスクは前記基板ホルダー11にネジ止め
されていたが、近年、前記光ディスク及び光磁気ディス
クの量産化に伴うプラスチック基板の基板ホルダー脱着
の自動化に対応して、前記基板ホルダー内に磁石を埋設
して前記マスクを固定する方法が用いられている。
般に、プラスチック基板上に成膜される薄膜の領域を規
制し、前記プラスチック基板を基板ホルダーに固定する
ために基板の内周部と外周部にマスクが用いられている
。当初、前記マスクは前記基板ホルダー11にネジ止め
されていたが、近年、前記光ディスク及び光磁気ディス
クの量産化に伴うプラスチック基板の基板ホルダー脱着
の自動化に対応して、前記基板ホルダー内に磁石を埋設
して前記マスクを固定する方法が用いられている。
これは、例えば第6図に示すような円盤状の基板ホルダ
ー11からなり、該基板ホルダーの基板ホルダー基体1
1aはその下方側に前記プラスチック基板4を保持する
円冠状の凹部26を有している。
ー11からなり、該基板ホルダーの基板ホルダー基体1
1aはその下方側に前記プラスチック基板4を保持する
円冠状の凹部26を有している。
そして、該凹部26内にセットされた前記プラスチック
基板4は適宜幅を有したリング状の外周マスク12と円
板状の内周マスク13とによって押さえ付けられる。こ
こで、磁性材料からなる前記外周マスク12及び内周マ
スク13は、前記基板ホルダー基体11aの下方側に設
けられた穴に接着剤15で接着して適宜埋設された磁石
16.17の磁力によりて保持されているので、着脱が
容易になっている。
基板4は適宜幅を有したリング状の外周マスク12と円
板状の内周マスク13とによって押さえ付けられる。こ
こで、磁性材料からなる前記外周マスク12及び内周マ
スク13は、前記基板ホルダー基体11aの下方側に設
けられた穴に接着剤15で接着して適宜埋設された磁石
16.17の磁力によりて保持されているので、着脱が
容易になっている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、前記磁石の大きさが前記基板ホルダーの
形状によって制約されている為大きな磁石を用いること
ができず、あまり大きな磁力を作用させることが出来な
いので、前記基板ホルダーのマスク保持力は充分でなく
、基板ホルダーを回転したり移送しながらスパッタリン
グを行った場合、前記外周マスク及び内周マスクが前記
基板ホルダーから外れて基板の脱落を生じるといった問
題があった。また、前記磁石の磁界強度を必要以上に強
くすると、該磁石の漏れ磁束が大きくなり、前記基板上
に形成されるFllWliが、例えば光磁気ディスクの
記録層のような磁界の影響を受は易い磁性層の場合、前
記漏れ磁束が前記磁性層の磁気記録特性に悪影響を及ぼ
すといった問題がある。
形状によって制約されている為大きな磁石を用いること
ができず、あまり大きな磁力を作用させることが出来な
いので、前記基板ホルダーのマスク保持力は充分でなく
、基板ホルダーを回転したり移送しながらスパッタリン
グを行った場合、前記外周マスク及び内周マスクが前記
基板ホルダーから外れて基板の脱落を生じるといった問
題があった。また、前記磁石の磁界強度を必要以上に強
くすると、該磁石の漏れ磁束が大きくなり、前記基板上
に形成されるFllWliが、例えば光磁気ディスクの
記録層のような磁界の影響を受は易い磁性層の場合、前
記漏れ磁束が前記磁性層の磁気記録特性に悪影響を及ぼ
すといった問題がある。
更に、前記磁石を基板ホルダーに固定する手段としては
一般に接着剤が用いられているが、該接着剤は真空槽内
において分解を起こしてガスを発生することが有り、こ
の脱ガスが薄膜の成膜特性に悪影響を及ぼすといった問
題がある。
一般に接着剤が用いられているが、該接着剤は真空槽内
において分解を起こしてガスを発生することが有り、こ
の脱ガスが薄膜の成膜特性に悪影響を及ぼすといった問
題がある。
即ち、本発明の目的は上記問題点を解消することにあり
、基板上の薄膜に悪影響を及ぼすことなく基板及びマス
クを確実に保持する基板ホルダーを有し、良質な薄膜を
形成できるスパッタ装置を提供することにある。
、基板上の薄膜に悪影響を及ぼすことなく基板及びマス
クを確実に保持する基板ホルダーを有し、良質な薄膜を
形成できるスパッタ装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の上記目的は、スパッタ室内に配設されたターゲ
ットに対向する基板ホルダーによって保持された基板上
にスパッタリングにより薄膜を形成するスパッタ装置に
おいて、前記基板ホルダーは基板上の薄膜形成領域を規
制すると共に前記基板を挟持するためのマスク部材が該
基板ホルダーの基板保持側に埋設されたヨーク部材の内
方に配設された磁石の磁力により保持されており、且つ
前記ヨーク部材は前記磁石がl&着する底部と、該底部
から前記マスク部材に向かって延びると共に前記磁石と
前記マスク部材との間に間隙を形成しながら前記マスク
部材に当接する当接部とを形成された強磁性体材料で構
成されていることを特徴とするスパッタ装置により達成
される。
ットに対向する基板ホルダーによって保持された基板上
にスパッタリングにより薄膜を形成するスパッタ装置に
おいて、前記基板ホルダーは基板上の薄膜形成領域を規
制すると共に前記基板を挟持するためのマスク部材が該
基板ホルダーの基板保持側に埋設されたヨーク部材の内
方に配設された磁石の磁力により保持されており、且つ
前記ヨーク部材は前記磁石がl&着する底部と、該底部
から前記マスク部材に向かって延びると共に前記磁石と
前記マスク部材との間に間隙を形成しながら前記マスク
部材に当接する当接部とを形成された強磁性体材料で構
成されていることを特徴とするスパッタ装置により達成
される。
[実施態様]
以下、本発明に基づくスパッタ装置の一実施態様を図面
により詳細に説明する。
により詳細に説明する。
第1図は本発明に基づくスパッタ装置の基板ホルダ−1
の概略断面図を示し、第2図は基板保持状態を示す部分
断面斜視図である。
の概略断面図を示し、第2図は基板保持状態を示す部分
断面斜視図である。
第1図に示すように、基板ホルダー1は円盤状の基板ホ
ルダー基体1aからなり、該基板ホルダー基体1aはそ
の下方側にプラスチック基板4を保持する円冠状の凹部
30を有している。そして、該凹部30内にセットされ
た前記プラスチック基板4は適宜幅を有したリング状の
外周マスク2と円板状の内周マスク3とによって押さえ
付けられる。
ルダー基体1aからなり、該基板ホルダー基体1aはそ
の下方側にプラスチック基板4を保持する円冠状の凹部
30を有している。そして、該凹部30内にセットされ
た前記プラスチック基板4は適宜幅を有したリング状の
外周マスク2と円板状の内周マスク3とによって押さえ
付けられる。
ここで、磁性材料からなる前記外周マスク2及び内周マ
スク3は、前記基板ホルダー基体1aの下方側に設けら
れた穴9.10に適宜埋設されたヨーク部材5.7内に
配設された永久磁石6.8の磁力によって保持されてい
る。
スク3は、前記基板ホルダー基体1aの下方側に設けら
れた穴9.10に適宜埋設されたヨーク部材5.7内に
配設された永久磁石6.8の磁力によって保持されてい
る。
前記ヨーク部材5.7は、底面を有する中空円筒形の強
磁性体材料で形成されており、その底面中央には1小ネ
ジ27が貫通する孔を有している。
磁性体材料で形成されており、その底面中央には1小ネ
ジ27が貫通する孔を有している。
また、前記穴9は前記ヨーク部材5の外径と同径の円筒
形の穴であり、前記凹部30の外周に沿って等間隔に4
つ設けられている。前記穴10は前記ヨーク部材7の外
径と同径の円筒形の穴であり、基板ホルダー基体1aの
中央に設けられている。
形の穴であり、前記凹部30の外周に沿って等間隔に4
つ設けられている。前記穴10は前記ヨーク部材7の外
径と同径の円筒形の穴であり、基板ホルダー基体1aの
中央に設けられている。
そして、前記穴9.10各々の底面中央には前記1小ネ
ジ27が螺合するネジ穴が形成されている。
ジ27が螺合するネジ穴が形成されている。
そこで、例えば第2図に示す様に、前記穴9内に嵌装さ
れた前記ヨーク部材5は、前記1小ネジ27によって前
記基板ホルダー基体1aに固定される。そして、該ヨー
ク部材5の中には円柱状の永久磁石6が配設されるが、
該永久磁石6はそれ自身の磁力により前記ヨーク部材5
の底部に吸着されている。また、前記永久磁石6,8の
厚みは前記ヨーク部材5の内方深さよりも薄く形成され
ている。
れた前記ヨーク部材5は、前記1小ネジ27によって前
記基板ホルダー基体1aに固定される。そして、該ヨー
ク部材5の中には円柱状の永久磁石6が配設されるが、
該永久磁石6はそれ自身の磁力により前記ヨーク部材5
の底部に吸着されている。また、前記永久磁石6,8の
厚みは前記ヨーク部材5の内方深さよりも薄く形成され
ている。
従って、前記凹部30にプラスチック基板4をセットし
た後、前記外周マスク2及び内周マスク3を所定位置に
装着すると、該外周マスク2及び内周マスク3は前記永
久磁石6.8の磁力により前記ヨーク部材5.7の開放
端部に吸着されるが、前記永久磁石6.8は前記外周マ
スク2及び内周マスク3とは接触しない。
た後、前記外周マスク2及び内周マスク3を所定位置に
装着すると、該外周マスク2及び内周マスク3は前記永
久磁石6.8の磁力により前記ヨーク部材5.7の開放
端部に吸着されるが、前記永久磁石6.8は前記外周マ
スク2及び内周マスク3とは接触しない。
そして、前記外周マスク2は前記プラスチック基板4の
外径よりも小さい内径を有し、前記内周マスク3は前記
プラスチック基板4の内径よりも大きい外径を有してい
るので、前記プラスチック基板4は前記凹部30と前記
外周マスク2及び内周マスク3との間で挟持される。
外径よりも小さい内径を有し、前記内周マスク3は前記
プラスチック基板4の内径よりも大きい外径を有してい
るので、前記プラスチック基板4は前記凹部30と前記
外周マスク2及び内周マスク3との間で挟持される。
次に、前記プラスチック基板4を取り外す際には、前記
外周マスク2及び内周マスク3を前記永久磁石6.8の
磁力に抗して引き離せば良い、この時、前記永久磁石6
.8と前記外周マスク2及び内周マスク3との間には間
隙が形成されているので、接着剤を用いて前記ヨーク部
材5.7内に接着しなくとも前記永久磁石6.8は前記
外周マスク2及び内周マスク3に吸着して外れてしまう
ことが無く、常に前記ヨーク部材5,7内に位置するこ
とができる。
外周マスク2及び内周マスク3を前記永久磁石6.8の
磁力に抗して引き離せば良い、この時、前記永久磁石6
.8と前記外周マスク2及び内周マスク3との間には間
隙が形成されているので、接着剤を用いて前記ヨーク部
材5.7内に接着しなくとも前記永久磁石6.8は前記
外周マスク2及び内周マスク3に吸着して外れてしまう
ことが無く、常に前記ヨーク部材5,7内に位置するこ
とができる。
この様に本実施態様によれば、前記永久磁石6゜8の周
囲に強磁性体材料からなるヨーク部材57を設けたので
、例えば第3図に示す磁力線Aの様に、前記永久磁石6
から出る磁束は前記ヨーク部材5と前記外周マスク2と
によって閉回路を構成され、磁束密度が高められる。そ
こで、前記永久磁石6.8の漏れ磁束が無くなると共に
前記外周マスク2及び内周マスク3に作用する磁力が強
められる。
囲に強磁性体材料からなるヨーク部材57を設けたので
、例えば第3図に示す磁力線Aの様に、前記永久磁石6
から出る磁束は前記ヨーク部材5と前記外周マスク2と
によって閉回路を構成され、磁束密度が高められる。そ
こで、前記永久磁石6.8の漏れ磁束が無くなると共に
前記外周マスク2及び内周マスク3に作用する磁力が強
められる。
従って、前記基板ホルダー1に埋設された永久磁石6,
8の漏れ磁束が、前記プラスチック基板4上にスパッタ
リングにより形成される磁性層に対して悪影響を及ぼす
のを防止することができると共に、前記外周マスク2及
び内周マスク3に対する前記基板ホルダーlの保持力を
高めることができる。
8の漏れ磁束が、前記プラスチック基板4上にスパッタ
リングにより形成される磁性層に対して悪影響を及ぼす
のを防止することができると共に、前記外周マスク2及
び内周マスク3に対する前記基板ホルダーlの保持力を
高めることができる。
尚、上記実施態様においてはヨーク部材を中空円筒形に
形成したが、本発明はこれに限定するものではなく、例
えば第4図に示すヨーク部材28は断面コ字状の溝形部
材によって形成されており、その矩形状底面には前記1
小ネジ27の貫通孔29が設けられている。この樺に、
本発明に基づくヨーク部材は、磁石が吸着する底部と、
該底部からマスク部材に向かって延びると共に前記磁石
と前記マスク部材との間に間隙を形成しながら前記マス
ク部材に当接する当接部とを形成された強磁性体材料で
あれば、種々の形状を採りうろことは勿論であり、前記
磁石も種々の形状を採りうる。更に、これらの設置数も
適宜設定される− また、上記基板ホルダーlは、基板を自公転させたり、
移送したりする他のスパッタ装置のみならず、熱蒸着装
置等の他の薄膜形成装置用基板ホルダーにも応用できる
。
形成したが、本発明はこれに限定するものではなく、例
えば第4図に示すヨーク部材28は断面コ字状の溝形部
材によって形成されており、その矩形状底面には前記1
小ネジ27の貫通孔29が設けられている。この樺に、
本発明に基づくヨーク部材は、磁石が吸着する底部と、
該底部からマスク部材に向かって延びると共に前記磁石
と前記マスク部材との間に間隙を形成しながら前記マス
ク部材に当接する当接部とを形成された強磁性体材料で
あれば、種々の形状を採りうろことは勿論であり、前記
磁石も種々の形状を採りうる。更に、これらの設置数も
適宜設定される− また、上記基板ホルダーlは、基板を自公転させたり、
移送したりする他のスパッタ装置のみならず、熱蒸着装
置等の他の薄膜形成装置用基板ホルダーにも応用できる
。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明のスパッタ装置によれば、ス
パッタ室内に配設されたターゲットに対向する基板ホル
ダーは基板上の薄膜形成領域を規制すると共に前記基板
を挟持するためのマスク部材が該基板ホルダーの基板保
持側に埋設されたヨーク部材の内方に配設された磁石の
磁力により保持されており、且つ前記ヨーク部材は前記
磁石が吸着する底部と、該底部から前記マスク部材に向
かって延びると共に前記磁石と前記マスク部材との間に
間隙を形成しながら前記マスク部材に当接する当接部と
を形成された強磁性体材料で構成されている。
パッタ室内に配設されたターゲットに対向する基板ホル
ダーは基板上の薄膜形成領域を規制すると共に前記基板
を挟持するためのマスク部材が該基板ホルダーの基板保
持側に埋設されたヨーク部材の内方に配設された磁石の
磁力により保持されており、且つ前記ヨーク部材は前記
磁石が吸着する底部と、該底部から前記マスク部材に向
かって延びると共に前記磁石と前記マスク部材との間に
間隙を形成しながら前記マスク部材に当接する当接部と
を形成された強磁性体材料で構成されている。
そこで、前記磁石から出る磁束は前記ヨーク部材と前記
マスク部材とによって閉回路を構成され、磁束密度が高
められるので、基板上の薄膜に悪影響を及ぼす前記磁石
の漏れ磁束を無くすと共に、前記マスク部材に作用する
磁力を強めることができる。
マスク部材とによって閉回路を構成され、磁束密度が高
められるので、基板上の薄膜に悪影響を及ぼす前記磁石
の漏れ磁束を無くすと共に、前記マスク部材に作用する
磁力を強めることができる。
また、前記磁石とマスク部材との間には間隙が形成され
ているので、接着剤を用いて前記磁石を前記ヨーク部材
内に接着しなくとも、前記磁石は前記マスク部材に吸着
して外れてしまうことが無く、常に前記ヨーク部材内に
位置することができる。即ち、真空槽内において構成成
分が分解を起こして脱ガスを発生し易い接着剤を用いな
いで済む。
ているので、接着剤を用いて前記磁石を前記ヨーク部材
内に接着しなくとも、前記磁石は前記マスク部材に吸着
して外れてしまうことが無く、常に前記ヨーク部材内に
位置することができる。即ち、真空槽内において構成成
分が分解を起こして脱ガスを発生し易い接着剤を用いな
いで済む。
従って、基板上の薄膜に悪影響を及ぼすことなく基板及
びマスクを確実に保持する基板ホルダーを有し、良質な
薄膜を形成できるスパッタ装置を提供することができる
。
びマスクを確実に保持する基板ホルダーを有し、良質な
薄膜を形成できるスパッタ装置を提供することができる
。
[実施例]
以下、実施例により本発明の効果を更に明確にする。
裏施舅土
第5図に示した形式のスパッタ装置内に第1図に示した
本発明に基づく基板ホルダー1を配設して光磁気記録媒
体の記録層を成膜した。
本発明に基づく基板ホルダー1を配設して光磁気記録媒
体の記録層を成膜した。
スパッタ室18内に直径200閤の大きさのSl材料及
びTb*sPe、。co?材料からなる一対の円形ター
ゲット19.20をそれぞれ中心路M400鴫で配設し
、これらに対向して直径130■のプラスチック基板を
前記基板ホルダー1に取付けてターゲラトル基板間距離
が150閣となるように配置させた。そして、先ず第1
層として、真空排気して圧力を5×10−’Torrま
で脱ガス化した後、スパッタ室にArガスを200 S
C側、Ntガスを605CCM適宜導入しガス圧を8m
Torrとすると共に、前記Sl材料ターゲット19に
2kWの放電パワーを適宜印加してスパッタを維持し、
膜厚が約1000人の5iNliを形成した0次に第2
層として、再び真空排気して圧力を5 Xl0−’To
rrまで脱ガス化した後、スパッタ室にArガスを10
03CCI+適宜導入しガス圧を3mTorrとすると
共に、前記TbtsFey11Cot材料ターゲッ)2
0に1.5kWの放電パワーを適宜印加してスパッタを
維持し、膜厚が約1000人のT bFec。
びTb*sPe、。co?材料からなる一対の円形ター
ゲット19.20をそれぞれ中心路M400鴫で配設し
、これらに対向して直径130■のプラスチック基板を
前記基板ホルダー1に取付けてターゲラトル基板間距離
が150閣となるように配置させた。そして、先ず第1
層として、真空排気して圧力を5×10−’Torrま
で脱ガス化した後、スパッタ室にArガスを200 S
C側、Ntガスを605CCM適宜導入しガス圧を8m
Torrとすると共に、前記Sl材料ターゲット19に
2kWの放電パワーを適宜印加してスパッタを維持し、
膜厚が約1000人の5iNliを形成した0次に第2
層として、再び真空排気して圧力を5 Xl0−’To
rrまで脱ガス化した後、スパッタ室にArガスを10
03CCI+適宜導入しガス圧を3mTorrとすると
共に、前記TbtsFey11Cot材料ターゲッ)2
0に1.5kWの放電パワーを適宜印加してスパッタを
維持し、膜厚が約1000人のT bFec。
膜を形成した。最後に第3層として、真空排気して圧力
を5 Xl0−’Torrまで脱ガス化した後、スパッ
タ室にArガスを200 SCC?I、N!ガスを60
3CCM適宜導入しガス圧を8mTorrとすると共に
、前記Si材料ターゲット19に2kWの放電パワーを
適宜印加してスパッタを維持し、膜厚が約1000人の
SiN膜を形成した。従って、前記プラスチック基板上
には、各々膜厚が約1000人のSiN膜、T bFe
co膜及びSiN膜の三層からなる記録層を形成した。
を5 Xl0−’Torrまで脱ガス化した後、スパッ
タ室にArガスを200 SCC?I、N!ガスを60
3CCM適宜導入しガス圧を8mTorrとすると共に
、前記Si材料ターゲット19に2kWの放電パワーを
適宜印加してスパッタを維持し、膜厚が約1000人の
SiN膜を形成した。従って、前記プラスチック基板上
には、各々膜厚が約1000人のSiN膜、T bFe
co膜及びSiN膜の三層からなる記録層を形成した。
このようにして製作されたサンプルを5枚取り出し、各
基板毎に直径方向に中心からlO■間隔で保磁力を測定
して基板内の保磁力のバラツキを求めたところ、平均±
2.6%以内のバラツキであった。
基板毎に直径方向に中心からlO■間隔で保磁力を測定
して基板内の保磁力のバラツキを求めたところ、平均±
2.6%以内のバラツキであった。
但し、前記ヨーク部材5,7は外径14M、厚さ6mの
円柱状ステンレス鋼材料に内径101111、深さ4I
IIIIの座ぐり穴を空けて形成した。また、前記各ヨ
ーク部材5,7に嵌装される永久磁石6.8には、外径
6■、厚さ3閣、残留磁束密度9200ガウスの永久磁
石を用いた。更に、前記基板ホルダー基体1aの材質は
アルミニウムとし、前記外周マスク2及び内周マスク3
は前記ヨーク部材5.7と同じステンレス鋼材料で形成
した。
円柱状ステンレス鋼材料に内径101111、深さ4I
IIIIの座ぐり穴を空けて形成した。また、前記各ヨ
ーク部材5,7に嵌装される永久磁石6.8には、外径
6■、厚さ3閣、残留磁束密度9200ガウスの永久磁
石を用いた。更に、前記基板ホルダー基体1aの材質は
アルミニウムとし、前記外周マスク2及び内周マスク3
は前記ヨーク部材5.7と同じステンレス鋼材料で形成
した。
実施L2−
上記実施例1で使用した基板ホルダー1と同じ構造及び
材質から成る基板ホルダーにプラスチック基板を保持さ
せた後、該基板ホルダーを公転半径350鴎の公転ホル
ダーに取付けて連続回転させた。
材質から成る基板ホルダーにプラスチック基板を保持さ
せた後、該基板ホルダーを公転半径350鴎の公転ホル
ダーに取付けて連続回転させた。
そして、前記公転ホルダーの回転数を60rpmまで上
昇させたが、前記外周マスク2及び内周マスク3は脱落
することなく、前記基板ホルダー基体に保持された状態
を保っていた。
昇させたが、前記外周マスク2及び内周マスク3は脱落
することなく、前記基板ホルダー基体に保持された状態
を保っていた。
上較■土
次に、比較例として、前記基板ホルダーlを第6図に示
した従来の基板ホルダー11に変え、その他の条件は、
全て前記実施例1と同一条件として成膜を行った。
した従来の基板ホルダー11に変え、その他の条件は、
全て前記実施例1と同一条件として成膜を行った。
このサンプルを同様に5枚取り出し、各基板毎に直径方
向に中心から10am間隔で保磁力を測定して基板内の
保磁力のバラツキを求めたところ、平均±4.8%以内
のバラツキであった。
向に中心から10am間隔で保磁力を測定して基板内の
保磁力のバラツキを求めたところ、平均±4.8%以内
のバラツキであった。
但し、永久磁石16.17は前記永久磁石6.8と同じ
ものを用い、前記基板ホルダー基体11aに適宜空けた
直径6.1−2深さ3.1閣の穴に接着剤で直接固定し
た。また、前記基板ホルダー基体11aの材質は前記基
板ホルダー基体1aと同じアルミニウムとし、外周マス
ク12及び内周マスク13は前記外周マスク2及び内周
マスク3と同じものを用いた。
ものを用い、前記基板ホルダー基体11aに適宜空けた
直径6.1−2深さ3.1閣の穴に接着剤で直接固定し
た。また、前記基板ホルダー基体11aの材質は前記基
板ホルダー基体1aと同じアルミニウムとし、外周マス
ク12及び内周マスク13は前記外周マスク2及び内周
マスク3と同じものを用いた。
止較班I
上記比較例1で使用した基板ホルダー11と同じ構造及
び材質から成る基板ホルダーにプラスチック基板を保持
させた後、該基板ホルダーを公転半径350■の公転ホ
ルダーに取付けて連続回転させた。
び材質から成る基板ホルダーにプラスチック基板を保持
させた後、該基板ホルダーを公転半径350■の公転ホ
ルダーに取付けて連続回転させた。
すると、前記公転ホルダーの回転数が25rpmまで上
昇したところで、前記外周マスク12及び内周マスク1
3は前記基板ホルダー基体から脱落してしまった。
昇したところで、前記外周マスク12及び内周マスク1
3は前記基板ホルダー基体から脱落してしまった。
以上の結果から、本発明の基板ホルダーを備えたスパッ
タ装置によれば、基板上に形成する記録層の保磁力のバ
ラツキが小さい良好な光磁気ディスクを得られることが
わかる。また、基板及びマスク部材に対する基板ホルダ
ーの保持力も従来の基板ホルダーに比べて大幅に高める
ことができた。
タ装置によれば、基板上に形成する記録層の保磁力のバ
ラツキが小さい良好な光磁気ディスクを得られることが
わかる。また、基板及びマスク部材に対する基板ホルダ
ーの保持力も従来の基板ホルダーに比べて大幅に高める
ことができた。
第1図は本発明に基づくスパッタ装置の基板ホルダーの
概略断面図、第2図は第1図に示した基板ホルダーの基
板保持状態を示す部分断面斜視図、第3図は本発明に基
づくヨーク部材内に配設された永久磁石の磁力線図、第
4図は本発明の他の実施態様に基づくヨーク部材の斜視
図、第5図はスパッタ装置の概略断面図、第6図は従来
用いられていた基板ホルダーの概略断面図である。 (図中符号) l・・・基板ホルダー 2・・・外周マスク 4・・・プラスチック基板 6.8・・・永久磁石 11・・・基板ホルダー 12・・・外周マスク 15・・・接着剤 18・・・スパッタ室 21.22・・・カソード電極 25・・・真空ポンプ 27・・・1小ネジ 29・・・貫通孔 1a・・・基板ホルダー基体 3・・・内周マスク 5.7・・・ヨーク部材 9、lO・・・穴 11a・・・基板ホルダー基体 13・・・内周マスク 16、17・・・永久磁石 19.20・・・ターゲット 23.24・・・ターゲット電極 26・・・凹部 28・・・ヨーク部材 30・・・四部。 (ばか3名) 第 1 図 第 図
概略断面図、第2図は第1図に示した基板ホルダーの基
板保持状態を示す部分断面斜視図、第3図は本発明に基
づくヨーク部材内に配設された永久磁石の磁力線図、第
4図は本発明の他の実施態様に基づくヨーク部材の斜視
図、第5図はスパッタ装置の概略断面図、第6図は従来
用いられていた基板ホルダーの概略断面図である。 (図中符号) l・・・基板ホルダー 2・・・外周マスク 4・・・プラスチック基板 6.8・・・永久磁石 11・・・基板ホルダー 12・・・外周マスク 15・・・接着剤 18・・・スパッタ室 21.22・・・カソード電極 25・・・真空ポンプ 27・・・1小ネジ 29・・・貫通孔 1a・・・基板ホルダー基体 3・・・内周マスク 5.7・・・ヨーク部材 9、lO・・・穴 11a・・・基板ホルダー基体 13・・・内周マスク 16、17・・・永久磁石 19.20・・・ターゲット 23.24・・・ターゲット電極 26・・・凹部 28・・・ヨーク部材 30・・・四部。 (ばか3名) 第 1 図 第 図
Claims (1)
- スパッタ室内に配設されたターゲットに対向する基板ホ
ルダーによって保持された基板上にスパッタリングによ
り薄膜を形成するスパッタ装置において、前記基板ホル
ダーは基板上の薄膜形成領域を規制すると共に前記基板
を挟持するためのマスク部材が該基板ホルダーの基板保
持側に埋設されたヨーク部材の内方に配設された磁石の
磁力により保持されており、且つ前記ヨーク部材は前記
磁石が吸着する底部と、該底部から前記マスク部材に向
かって延びると共に前記磁石と前記マスク部材との間に
間隙を形成しながら前記マスク部材に当接する当接部と
を形成された強磁性体材料で構成されていることを特徴
とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23732289A JPH03101206A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23732289A JPH03101206A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | スパッタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03101206A true JPH03101206A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17013654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23732289A Pending JPH03101206A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03101206A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04110457A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Sony Corp | 成膜装置 |
JPH05342639A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-24 | Kuraray Co Ltd | 情報信号記録媒体の製造装置 |
WO2003077244A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Tdk Corporation | Dispositif de pulverisation de substrat de type disque, procede de tournage de substrat dans le dispositif, procede de production d'un support d'enregistrement de type disque mettant en oeuvre le dispositif |
JP2003337314A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Sharp Corp | 基板保持具および基板処理装置 |
WO2004001738A1 (ja) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | Tdk Corporation | 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法 |
WO2004001737A1 (ja) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | Tdk Corporation | 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法 |
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KR100697164B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2007-03-21 | 티디케이가부시기가이샤 | 원판형 기판용 성막 장치에 대한 기판의 교환 방법, 상기방법에 이용되는 기판 교환 기구 및 기판 홀더, 및 상기방법을 이용한 디스크형 기록 매체의 제조 방법 |
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-
1989
- 1989-09-14 JP JP23732289A patent/JPH03101206A/ja active Pending
Cited By (15)
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