JPH0298849A - 記録・再生装置及び該装置を用いた記録・再生方法 - Google Patents
記録・再生装置及び該装置を用いた記録・再生方法Info
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- JPH0298849A JPH0298849A JP25145588A JP25145588A JPH0298849A JP H0298849 A JPH0298849 A JP H0298849A JP 25145588 A JP25145588 A JP 25145588A JP 25145588 A JP25145588 A JP 25145588A JP H0298849 A JPH0298849 A JP H0298849A
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- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電磁波照射及び電界印加により、記録を行い
、トンネル電流検知により、再生を行う、記録・再生方
法及び該方法を適用する記録・再生装置に関するもので
ある。
、トンネル電流検知により、再生を行う、記録・再生方
法及び該方法を適用する記録・再生装置に関するもので
ある。
近年、メモリ材料の用途は、コンピュータおよびその関
連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、一般には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が速い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高く、価格が安い、 等が挙げられる。
連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディス
ク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、
その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に
要求される性能は用途により異なるが、一般には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が速い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高く、価格が安い、 等が挙げられる。
従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリや
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度や記録媒体が開発さ
れた。
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度や記録媒体が開発さ
れた。
一方、0.1nmの分解能で導体の表面原子・分子の電
子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡(以後、
STMと略す)が開発され[G、Binniget
a 12.、 Phys 、Rev、Lett、49
(1982) 57]、最近、STMを用いて、深針と
導電性物質の間にパルス電圧を加え、導電性物質の表面
を局所的に加工し、表面形状・状態の変化を読みとると
いう試みがなされた[J、S、Foster et
aI!、、 Nature331 (1988) 3
24]。また、STMを用いて、有機分子−分子のスイ
ッチング特性や整流特性も確かめられている[A、Av
iram et ai’ 、、 Chem。
子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡(以後、
STMと略す)が開発され[G、Binniget
a 12.、 Phys 、Rev、Lett、49
(1982) 57]、最近、STMを用いて、深針と
導電性物質の間にパルス電圧を加え、導電性物質の表面
を局所的に加工し、表面形状・状態の変化を読みとると
いう試みがなされた[J、S、Foster et
aI!、、 Nature331 (1988) 3
24]。また、STMを用いて、有機分子−分子のスイ
ッチング特性や整流特性も確かめられている[A、Av
iram et ai’ 、、 Chem。
Phys、Lett、I46 ’(1988)4901
゜〔発明が解決しようとしている問題点〕しかしながら
、上記従来例で実用化されているもののうち、最も高密
度で記録容量が大きい光メモリにおいても、記録容量は
、IO”bit/crrfが限界で、近年のコンピュー
タやビデオ機器の画像記録等には十分ではなくなりつつ
ある。
゜〔発明が解決しようとしている問題点〕しかしながら
、上記従来例で実用化されているもののうち、最も高密
度で記録容量が大きい光メモリにおいても、記録容量は
、IO”bit/crrfが限界で、近年のコンピュー
タやビデオ機器の画像記録等には十分ではなくなりつつ
ある。
また、STMを用いた記録再生の試みにおいても、記録
のビットサイズは原子・分子オーダー(0,5〜50n
m)であるものの、書き込み消去のメカニズムが明らか
でな(、再現性・安定性が十分とはいえない。さらに、
STMを用いて一分子にアクセスし、その電気的特性を
、測定する試みにおいても再生の操作により、記録状態
に変化を及ぼしてしまうことがあるため充分メモリーへ
の応用に適用できるとはいいがたかった。
のビットサイズは原子・分子オーダー(0,5〜50n
m)であるものの、書き込み消去のメカニズムが明らか
でな(、再現性・安定性が十分とはいえない。さらに、
STMを用いて一分子にアクセスし、その電気的特性を
、測定する試みにおいても再生の操作により、記録状態
に変化を及ぼしてしまうことがあるため充分メモリーへ
の応用に適用できるとはいいがたかった。
〔問題点を解決するための手段(及び作用)〕そこで、
本発明ではSTMの原理を応用して、電磁波を照射しつ
つ、メモリー材料とそれに近接させた深針との間に電界
を印加して、メモリー材料への記録・消去を行う方法及
び該方法を適用しうる装置を提供するものである。一方
これに対して、再生は電磁波の照射をやめた状態で、メ
モ1y−材料とそれに近接させた深針との間にバイアス
電圧を印加し、両者の間に流れるトンネル電流を検出し
て、深針の近接した部分の記録状態を読み取ることによ
って、行う方法及び該方法を適用しつる装置を提供する
ものである。
本発明ではSTMの原理を応用して、電磁波を照射しつ
つ、メモリー材料とそれに近接させた深針との間に電界
を印加して、メモリー材料への記録・消去を行う方法及
び該方法を適用しうる装置を提供するものである。一方
これに対して、再生は電磁波の照射をやめた状態で、メ
モ1y−材料とそれに近接させた深針との間にバイアス
電圧を印加し、両者の間に流れるトンネル電流を検出し
て、深針の近接した部分の記録状態を読み取ることによ
って、行う方法及び該方法を適用しつる装置を提供する
ものである。
STMは金属の深針(プローブ電極)と導電性物質の間
に電圧を加えてlnm程度の距離まで近づけるとトンネ
ル電流が流れることを利用している。この電流は両者の
距離変化に非常に敏感である、トンネル電流を一定に保
つように深針を走査することにより実空間の表面構造を
描(ことができると同時に表面原子の全電子雲に関する
種々の情報をも読み取ることができる。この際、面内方
向の分解能は0.1nm程度である。従って、STMの
原理を応用すれば十分に原子オーダー(サブ・ナノメー
トル)での高密度記録再生を行うことが可能である。例
えば記録のビットサイズを10nmとすれば、10”b
it / c rr?もの大容量記録再生装置となる。
に電圧を加えてlnm程度の距離まで近づけるとトンネ
ル電流が流れることを利用している。この電流は両者の
距離変化に非常に敏感である、トンネル電流を一定に保
つように深針を走査することにより実空間の表面構造を
描(ことができると同時に表面原子の全電子雲に関する
種々の情報をも読み取ることができる。この際、面内方
向の分解能は0.1nm程度である。従って、STMの
原理を応用すれば十分に原子オーダー(サブ・ナノメー
トル)での高密度記録再生を行うことが可能である。例
えば記録のビットサイズを10nmとすれば、10”b
it / c rr?もの大容量記録再生装置となる。
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
本発明で用いるメモリー材料は、電磁波照射により分子
構造の異性化が起こり、分子内(分子間)にレドックス
・ベア(酸化還元対)が生じ、さらに電界を印加するこ
とにより、レドックス・ベア内でプロトン移動を生じ、
分子内電子分布が変化する材料を選択する。そして該材
料を用いることによって、本発明でいう記録状態が形成
される。消去は、記録された部分に電磁波を照射したま
ま逆向きに電界を印加することにとより逆向きのプロト
ン移動を生じさせて行う。
構造の異性化が起こり、分子内(分子間)にレドックス
・ベア(酸化還元対)が生じ、さらに電界を印加するこ
とにより、レドックス・ベア内でプロトン移動を生じ、
分子内電子分布が変化する材料を選択する。そして該材
料を用いることによって、本発明でいう記録状態が形成
される。消去は、記録された部分に電磁波を照射したま
ま逆向きに電界を印加することにとより逆向きのプロト
ン移動を生じさせて行う。
照射していない状態では、レドックス・ベアを生じない
ため、電界を印加してもプロトン移動による分子内電子
分布は変化しない。したがって、ここで用いるメモリー
材料は電磁波を照射しているときのみ、電果印加によっ
て記録・消去が行われ、再生の際には、電磁波の照射を
やめるため、トンネル電流検出の際にメモリー材料−深
針間に印加される電界によって記録・消去状態に変化を
受けることはない。
ため、電界を印加してもプロトン移動による分子内電子
分布は変化しない。したがって、ここで用いるメモリー
材料は電磁波を照射しているときのみ、電果印加によっ
て記録・消去が行われ、再生の際には、電磁波の照射を
やめるため、トンネル電流検出の際にメモリー材料−深
針間に印加される電界によって記録・消去状態に変化を
受けることはない。
以下本発明の実施例について説明する。
第1図は、本発明の実施例を示す。同図において、ガラ
ス基板101上に設けたITO(In−8nオキサイド
)などの導電性透明電極102上にラングミュア・プロ
ジェット法等によって、メモリ材料(詳細は後述)10
3を、付着させる。さらに深針位置制御手段によって、
深針104を所望の位置のメモリー材料に対して、サブ
・ナノ・メートル程度の距離まで、近接させる。ここで
深針104には、タングステン線等を電解研磨したもの
や、白金線等を機械的切断したもので、先端が尖鋭(曲
率半径く1μm)で導電性のあるものを用いる。深針位
置制御手段105には、PZT素子等を用いて、深針1
04をメモリー領域平面内、及び法線方向の所望の位置
に移動させる。
ス基板101上に設けたITO(In−8nオキサイド
)などの導電性透明電極102上にラングミュア・プロ
ジェット法等によって、メモリ材料(詳細は後述)10
3を、付着させる。さらに深針位置制御手段によって、
深針104を所望の位置のメモリー材料に対して、サブ
・ナノ・メートル程度の距離まで、近接させる。ここで
深針104には、タングステン線等を電解研磨したもの
や、白金線等を機械的切断したもので、先端が尖鋭(曲
率半径く1μm)で導電性のあるものを用いる。深針位
置制御手段105には、PZT素子等を用いて、深針1
04をメモリー領域平面内、及び法線方向の所望の位置
に移動させる。
書き込み/消去は次のように行う。まず、電磁波照射に
ついては、書き込み/消去信号発生器106からの信号
に応じて、電磁波源107を動作させ、生じた電磁波1
08をレンズ109によって、ガラス基板101.透明
電極を通して、メモリー領域内のメモリー材料103に
照射する。
ついては、書き込み/消去信号発生器106からの信号
に応じて、電磁波源107を動作させ、生じた電磁波1
08をレンズ109によって、ガラス基板101.透明
電極を通して、メモリー領域内のメモリー材料103に
照射する。
同時に書き込み/消去信号発生器106からの信号を透
明電極102に加え、透明電極102−深針104間に
生じる電界をメモリー材料103の所望の位置に印加し
、書き込み及び消去を行う。
明電極102に加え、透明電極102−深針104間に
生じる電界をメモリー材料103の所望の位置に印加し
、書き込み及び消去を行う。
書き込み動作における信号の一例を第2図a −cに、
示す。第2図aは深針位置制御手段105に加える信号
であり、これにより、メモリー領域の所望の位置におけ
る深針104のアクセスを行う。第2図1)は、電磁波
源動作信号、Cはメモリー材料に加える書き込み信号で
あり、両信号が同時に加わるメモリー位置(第2図にお
いてMで示される領域)において書き込みが行われる。
示す。第2図aは深針位置制御手段105に加える信号
であり、これにより、メモリー領域の所望の位置におけ
る深針104のアクセスを行う。第2図1)は、電磁波
源動作信号、Cはメモリー材料に加える書き込み信号で
あり、両信号が同時に加わるメモリー位置(第2図にお
いてMで示される領域)において書き込みが行われる。
消去動作における信号の一例と第3図a −cに示す。
第2図に示した書き込み動作を行った領域において、消
去動作を行った例である。第3図a、 bは第2図と同
様、Cはメモリー材料に加える消去信号であり、両信号
が同時に加わるメモリー位置(第3図においてEで示さ
れる領域)において消去が行われる。
去動作を行った例である。第3図a、 bは第2図と同
様、Cはメモリー材料に加える消去信号であり、両信号
が同時に加わるメモリー位置(第3図においてEで示さ
れる領域)において消去が行われる。
読み出しは次のように行う。バイアス電源−110によ
って、透明電極102上のメモリー材料にバイアス電圧
を印加し、メモリー材料103に対してサブ・ナノメー
トルの距離まで近づけられている深針104との間に流
れるトンネル電流111を]・ンネル電流検知回路11
2によって検知する。メモリー材料103において書き
込みの行われている部分(ON状態)と、書き込みの行
われていない部分、または消去された部分(OFF状態
)とでは、メモリー材料103の表面及びメモリー材料
分子内における電子分布状態が異なるため、トンネル電
流値も異なる。このトンネル電流値の変化を読み出し信
号処理回路113によって処理し、読み出し信号(ON
OFF信号)とする。
って、透明電極102上のメモリー材料にバイアス電圧
を印加し、メモリー材料103に対してサブ・ナノメー
トルの距離まで近づけられている深針104との間に流
れるトンネル電流111を]・ンネル電流検知回路11
2によって検知する。メモリー材料103において書き
込みの行われている部分(ON状態)と、書き込みの行
われていない部分、または消去された部分(OFF状態
)とでは、メモリー材料103の表面及びメモリー材料
分子内における電子分布状態が異なるため、トンネル電
流値も異なる。このトンネル電流値の変化を読み出し信
号処理回路113によって処理し、読み出し信号(ON
OFF信号)とする。
読み出し動作における信号と、−例を第2図d。
第3図dに示す。第2図dは、第2図a −cで説明し
たような書き込み動作を行った後、同じ領域を再度走査
して検知したトンネル電流信号である。この例では、書
き込みが行われた位置に対応する位置でトンネル電流が
増大している例を示す。第3図dは、第3図a ’−c
で説明したような消去動作を行った後、同じ領域を再度
走査して、検知したトンネル電流信号である。
たような書き込み動作を行った後、同じ領域を再度走査
して検知したトンネル電流信号である。この例では、書
き込みが行われた位置に対応する位置でトンネル電流が
増大している例を示す。第3図dは、第3図a ’−c
で説明したような消去動作を行った後、同じ領域を再度
走査して、検知したトンネル電流信号である。
次に本実施例で用いられるメモリー材料及び書き込み/
消去の原理について説明する。メモリー材料の一例とし
て、第4図aに構造を示したアゾ化合物(キノン基、ヒ
ドロキノン基の位置はオルト・メタ・バタ位を含む)を
取り上げる。この化合物に波長400nmの光を照射す
ると、分子内部のアゾ基において、トランス型→シス型
の光異性化が起こり、bに示した構造をとる。さらに、
光を照射したまま、透明電極102−深針104間に図
に示した向きに電界を加えると水素結合状態であったキ
ノン基→ヒドロキノン基間でプロトン(H+)の移動が
起こり、Cに示した構造となる。ここで、光の照射をや
めると、再びシス型→トランス型の光異性化が起こり、
dに示した構造をとる。この構造が書き込まれた状態で
あり、aに示した初期状態の構造と比べるとヒドロキノ
ン基とキノン基との間でプロトン移動が起こり、分子内
電子分布状態が変化する。このためaに示した構造(初
期状態)−とdに示した構造(書き込み状態)とでは透
明電極102−深針104間におけるトンネル障壁の形
状が変化するため透明電極102−深針104間にバイ
アス電圧を加えた場合に流れるトンネル電流値が変化す
る。この変化を検知することにより、深針104のアク
セスしている位置の分子の状態(初期状態または、書き
込み状態)を区別するこ、とができる。この場合の検知
トンネル電流信号の一例を第2図dに示す。ここでは、
第2図a−cの場合に対応した例を上げる。すなわち初
期状態に比べて書き込み状態にある位置においては、ト
ンネル電流が増加している。
消去の原理について説明する。メモリー材料の一例とし
て、第4図aに構造を示したアゾ化合物(キノン基、ヒ
ドロキノン基の位置はオルト・メタ・バタ位を含む)を
取り上げる。この化合物に波長400nmの光を照射す
ると、分子内部のアゾ基において、トランス型→シス型
の光異性化が起こり、bに示した構造をとる。さらに、
光を照射したまま、透明電極102−深針104間に図
に示した向きに電界を加えると水素結合状態であったキ
ノン基→ヒドロキノン基間でプロトン(H+)の移動が
起こり、Cに示した構造となる。ここで、光の照射をや
めると、再びシス型→トランス型の光異性化が起こり、
dに示した構造をとる。この構造が書き込まれた状態で
あり、aに示した初期状態の構造と比べるとヒドロキノ
ン基とキノン基との間でプロトン移動が起こり、分子内
電子分布状態が変化する。このためaに示した構造(初
期状態)−とdに示した構造(書き込み状態)とでは透
明電極102−深針104間におけるトンネル障壁の形
状が変化するため透明電極102−深針104間にバイ
アス電圧を加えた場合に流れるトンネル電流値が変化す
る。この変化を検知することにより、深針104のアク
セスしている位置の分子の状態(初期状態または、書き
込み状態)を区別するこ、とができる。この場合の検知
トンネル電流信号の一例を第2図dに示す。ここでは、
第2図a−cの場合に対応した例を上げる。すなわち初
期状態に比べて書き込み状態にある位置においては、ト
ンネル電流が増加している。
さて、第4図でとりあげたメモリー材料の書き込み状態
の消去について第5図を用いて説明する。第5図aに構
造を示した書き込み状態にあるアゾ化合物に波長400
nmの光を照射すると分子内部のアゾ基においてトラン
ス型→シス型の光異性化が起こり、bに示した構造をと
る。さらに、光を照射したまま透明電極102−深針1
04間に図に示した向き(第4図Cに示した向きとは逆
向き)に電界を加えると、水素結合状態であったキノン
基−ヒドロキノン基間でプロトン(H“)の移動が起こ
り、Cに示した構造となる。ここで光の照射をやめると
、再びシス型→トランス型の光異性化が起こり、dに示
した構造をとる。この構造が消去された状態であり、第
4図aに示した初期状態と同一である。このようにして
書き込み状態の消去を行うことができる。この場合の検
知トンネル電流の一例を第3図dに示す。ここでは第3
図a −Cの場合に対応した例をあげる。いったん書き
込まれ、さらに消去された状態にある位置においては、
トンネル電流が減少し、初期状態にある状態と同じトン
ネル電流値となっている。
の消去について第5図を用いて説明する。第5図aに構
造を示した書き込み状態にあるアゾ化合物に波長400
nmの光を照射すると分子内部のアゾ基においてトラン
ス型→シス型の光異性化が起こり、bに示した構造をと
る。さらに、光を照射したまま透明電極102−深針1
04間に図に示した向き(第4図Cに示した向きとは逆
向き)に電界を加えると、水素結合状態であったキノン
基−ヒドロキノン基間でプロトン(H“)の移動が起こ
り、Cに示した構造となる。ここで光の照射をやめると
、再びシス型→トランス型の光異性化が起こり、dに示
した構造をとる。この構造が消去された状態であり、第
4図aに示した初期状態と同一である。このようにして
書き込み状態の消去を行うことができる。この場合の検
知トンネル電流の一例を第3図dに示す。ここでは第3
図a −Cの場合に対応した例をあげる。いったん書き
込まれ、さらに消去された状態にある位置においては、
トンネル電流が減少し、初期状態にある状態と同じトン
ネル電流値となっている。
このようにして、第11Jに示した装置の構成により、
第4図、第5図に示したメモリー材料を用いて、記録・
再生・消去の実験を繰り返し行ったところ、少な(とも
100回程度の繰り返し回数では、メモリー材料に劣化
を与えることのない記録・消去及び記録・消去状態に変
化を与えることのない再生が可能であった。
第4図、第5図に示したメモリー材料を用いて、記録・
再生・消去の実験を繰り返し行ったところ、少な(とも
100回程度の繰り返し回数では、メモリー材料に劣化
を与えることのない記録・消去及び記録・消去状態に変
化を与えることのない再生が可能であった。
また本発明におけるメモリー材料としては、光を照射す
ることによりトランス型→シス型(シン型→アンチシン
型)の光異性化を起こすものが用いられ、前実施例にお
けるアゾ基の他に炭素二重結合やイミノ基がある。また
、電界の印加によってプロトン移動を起こすレドックス
ペア(酸化還元対)として、前実施例におけるキノン基
−ヒドロキノン基の水素結合系の他に、アミノ基−アミ
ノ基の水素結合系がある。
ることによりトランス型→シス型(シン型→アンチシン
型)の光異性化を起こすものが用いられ、前実施例にお
けるアゾ基の他に炭素二重結合やイミノ基がある。また
、電界の印加によってプロトン移動を起こすレドックス
ペア(酸化還元対)として、前実施例におけるキノン基
−ヒドロキノン基の水素結合系の他に、アミノ基−アミ
ノ基の水素結合系がある。
したがって、メモリー材料の他の実施例として、これら
の構造を分子内に持つ、スチルベン誘導体(第6図a)
、イミノ化合物(同す、 e)、アゾ化合物(同C)、
スチル誘導体(同d)等(これらの分子構造式を第6図
a −eに示す。)を用いることができる。
の構造を分子内に持つ、スチルベン誘導体(第6図a)
、イミノ化合物(同す、 e)、アゾ化合物(同C)、
スチル誘導体(同d)等(これらの分子構造式を第6図
a −eに示す。)を用いることができる。
以上説明したように、STMの原理を応用した本発明の
記録・再生装置では、電磁波照射及び電界印加により、
メモリー材料への記録・消去を行い、トンネル電流検知
により、再生を行うため、大容量の記録・再生が可能で
、再生の際に記録状態に変化を与えることもな(、再現
性・安定性のある記録・再生が可能となる。
記録・再生装置では、電磁波照射及び電界印加により、
メモリー材料への記録・消去を行い、トンネル電流検知
により、再生を行うため、大容量の記録・再生が可能で
、再生の際に記録状態に変化を与えることもな(、再現
性・安定性のある記録・再生が可能となる。
第1図は本発明を実施した記録・再生装置の断面図。
第2図は記録動作における信号の一例を示した図。
第3図は消去動作における信号の一例を示した図。
第4図はメモリー材料及び記録の原理についての説明図
。 第5図はメモリー材料及び消去の原理についての説明図
。 第6図はメモリー材料の他の実施例を示した図。 101 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板102
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・透明電極103 ・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・メモリー材料1、11
。 第5図はメモリー材料及び消去の原理についての説明図
。 第6図はメモリー材料の他の実施例を示した図。 101 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板102
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・透明電極103 ・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・メモリー材料1、11
Claims (10)
- (1)電磁波照射及び電界印加によりメモリー性を有す
るメモリー材料と、それに近接させた導電性深針と、該
メモリー材料に電磁波を照射する手段と、該メモリー材
料と該深針との間に電界を印加する手段とを設けたこと
を特徴とする記録・再生装置。 - (2)該深針と該メモリー材料との間にバイアス電圧を
印加する手段と、該深針と該メモリー材料との間に流れ
るトンネル電流を検知する手段とを設けたことを特徴と
する第1項記載の記録・再生装置。 - (3)キノン基及びヒドロキノン基を一分子内に有する
アゾ化合物を、メモリー材料として用いることを特徴と
する第1項または第2項記載の記録・再生装置。 - (4)キノン基及びヒドロキノン基を一分子内に有する
スチレン誘導体を、メモリー材料として用いることを特
徴とする第1項または第2項記載の記録・再生装置。 - (5)キノン基及びヒドロキノン基を一分子内に有する
イミノ化合物を、メモリー材料として用いることを特徴
とする第1項または第2項記載の記録・再生装置。 - (6)2つのアミノ基を一分子内に有するアゾ化合物を
、メモリー材料として用いることを特徴とする第1項ま
たは第2項記載の記録・再生装置。 - (7)2つのアミノ基を一分子内に有するスチレン誘導
体を、メモリー材料として用いることを特徴とする第1
項または第2項記載の記録・再生装置。 - (8)2つのアミノ基を一分子内に有するイミノ化合物
を、メモリー材料として用いることを特徴とする第1項
または第2項記載の記録・再生装置。 - (9)電磁波照射及び電界印加によりメモリー性を有す
るメモリー材料に、電磁波を照射しつつ、電界を印加す
ることにより、該メモリー材料の分子内における電子分
布状態を変化させ、書き込みを行うことを特徴とする記
録方法。 - (10)電磁波照射及び電界印加によりメモリー性を有
するメモリー材料に、電磁波を照射しつつ、電界を印加
することにより、該メモリー材料の分子内における電子
分布状態を変化させ、書き込みを行い、さらに、該書き
込み部のトンネル電流検知により読み出しを行うことを
特徴とする記録・再生方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25145588A JPH0298849A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 記録・再生装置及び該装置を用いた記録・再生方法 |
CA002000071A CA2000071C (en) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Recording and reproducing apparatus and recording and reproducing method and recording medium for the recording and reproducing method |
AT89310092T ATE139051T1 (de) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Gerät und verfahren zur aufzeichnung und wiedergabe und aufzeichnungsmedium für das aufzeichungs- und wiedergabeverfahren |
DE68926602T DE68926602T2 (de) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren |
EP89310092A EP0363147B1 (en) | 1988-10-04 | 1989-10-03 | Recording and reproducing apparatus and recording and reproducing method and recording medium for the recording and reproducing method |
US08/019,344 US5439777A (en) | 1988-10-04 | 1993-02-18 | Recording and reproducing apparatus and method for applying a pulse voltage and an electromagnetic wave |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25145588A JPH0298849A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 記録・再生装置及び該装置を用いた記録・再生方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0298849A true JPH0298849A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17223080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25145588A Pending JPH0298849A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 記録・再生装置及び該装置を用いた記録・再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0298849A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6046972A (en) * | 1996-03-29 | 2000-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and producing probe with minute aperture, scanning near-field optical microscope using the probe and recording and/or reproducing apparatus using the probe |
US6156215A (en) * | 1997-08-26 | 2000-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming a projection having a micro-aperture, projection formed thereby, probe having such a projection and information processor comprising such a probe |
US6201226B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with tip having micro aperture for detecting or irradiating light, near-field optical microscope, recording/reproduction apparatus, and exposure apparatus using the probe, and method of manufacturing the probe |
US6376833B2 (en) | 1997-08-26 | 2002-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection having a micro-aperture, probe or multi-probe having such a projection and surface scanner, aligner or information processor comprising such a probe |
US6891151B2 (en) | 2000-06-16 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25145588A patent/JPH0298849A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6046972A (en) * | 1996-03-29 | 2000-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and producing probe with minute aperture, scanning near-field optical microscope using the probe and recording and/or reproducing apparatus using the probe |
US6163519A (en) * | 1996-03-29 | 2000-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning near-field optical microscope using the probe and recording and/or reproducing apparatus using the probe |
US6201226B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with tip having micro aperture for detecting or irradiating light, near-field optical microscope, recording/reproduction apparatus, and exposure apparatus using the probe, and method of manufacturing the probe |
US6333497B2 (en) | 1997-02-19 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with tip having micro aperture for detecting or irradiating light, near-field optical microscope, recording/reproduction apparatus, and exposure apparatus using the probe, and method of manufacturing the probe |
US6156215A (en) * | 1997-08-26 | 2000-12-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming a projection having a micro-aperture, projection formed thereby, probe having such a projection and information processor comprising such a probe |
US6376833B2 (en) | 1997-08-26 | 2002-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection having a micro-aperture, probe or multi-probe having such a projection and surface scanner, aligner or information processor comprising such a probe |
US6891151B2 (en) | 2000-06-16 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
US6982419B2 (en) | 2000-06-16 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
US7151250B2 (en) | 2000-06-16 | 2006-12-19 | Canon Kabushiki Kaishi | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
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