JPH0297081A - Semiconductor array laser - Google Patents
Semiconductor array laserInfo
- Publication number
- JPH0297081A JPH0297081A JP63249361A JP24936188A JPH0297081A JP H0297081 A JPH0297081 A JP H0297081A JP 63249361 A JP63249361 A JP 63249361A JP 24936188 A JP24936188 A JP 24936188A JP H0297081 A JPH0297081 A JP H0297081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- isolator
- chips
- beams
- semiconductor array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、複数個のレーザチップを有する半導体アレ
イレーザに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor array laser having a plurality of laser chips.
光デイスクメモリの情報の瞬時の書き込み／読み取りゃ
、レーザビームプリンタの高速化を目的として、その光
源となる半導体アレイレーザの開発が各社において行わ
れている。With the aim of speeding up laser beam printers for instantaneous writing/reading of information on optical disk memories, various companies are developing semiconductor array lasers to serve as light sources.
第２図は従来の半導体アレイレーザを示す断面図であ、
る。この図において、１はＬＤアレイチップ、２はサブ
マウント、３はブロック（ヒートシンク）、４．５はＬ
Ｄチップで、分離溝６により電気的に分離形成されてい
る。８．９は前記ＬＤチップ４，５より放射された前面
レーザ光、１０．１１は前記ＬＤチップ４．５より放射
された裏面レーザ光、１２は内蔵されたモニタ用のフォ
トダイオード、１３はパッケージである。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor array laser.
Ru. In this figure, 1 is the LD array chip, 2 is the submount, 3 is the block (heat sink), and 4.5 is the L
The D chip is electrically isolated by a separation groove 6. 8.9 is the front laser beam emitted from the LD chips 4 and 5, 10.11 is the back laser beam emitted from the LD chip 4.5, 12 is a built-in photodiode for monitoring, and 13 is a package. It is.
そして、ＬＤアレイチップ１はサブマウント２を介して
、ブロック３上に載置されており、ブロック３はパッケ
ージ１３の主面に対して、第２図に示したようにマウン
トされている。また、図示してないが、ＬＤアレイチッ
プ１は金ワイヤを介してパッケージ１３とは電気的に絶
縁されたポストと電気的に接続される。The LD array chip 1 is mounted on a block 3 via a submount 2, and the block 3 is mounted on the main surface of the package 13 as shown in FIG. Although not shown, the LD array chip 1 is electrically connected to posts electrically insulated from the package 13 via gold wires.
ＬＤチップ４．５を駆動する場合は、個々のＬＤチップ
が金ワイヤで接続されたポストと、パッケージ１３と電
気的に接続されたポストとの間に順次方向バイアスを印
加することにより、レーザ発振が開始され、前面レーザ
光８．９、裏面レーザ光１０．１１が放射される。そし
て、裏面レーザ光１０．１１をフォトダイオード１２に
よってモニタすることによって、前面レーザ光８．９の
出力の安定化を図フでいた。When driving the LD chip 4.5, laser oscillation is achieved by sequentially applying a directional bias between the post to which each LD chip is connected with a gold wire and the post electrically connected to the package 13. is started, and a front laser beam 8.9 and a back laser beam 10.11 are emitted. By monitoring the back laser beam 10.11 with the photodiode 12, it was possible to stabilize the output of the front laser beam 8.9.
ところで、一般には、２点発光の場合、発光点間隔を１
００μｍ程度に設定する場合が多く、この場合、２発光
点から前面レーザ光８．９を共通の光学系で集光して、
活用することが可能である。また、光デイスクメモリや
レーザビームプリンタ等への応用においては、同時に、
２本以上のレーザビームをそれぞれ独立に動作させて活
用され、高速化という点で半導体アレイレーザは非常に
有望である。By the way, in general, in the case of two-point light emission, the distance between the light-emitting points is set to 1.
In many cases, it is set to about 00 μm, and in this case, the front laser beam 8.9 from the two light emitting points is focused by a common optical system,
It is possible to utilize it. In addition, in applications such as optical disk memory and laser beam printers, at the same time,
Semiconductor array lasers are very promising in terms of speed-up and are utilized by operating two or more laser beams independently.
しかし、従来は第２図に示したよう、ＬＤチップ４，５
の発光点間隔が狭いため、フォトダイオード１２を１個
のみパッケージ１３に接続しており、ＬＤチップ４．５
の裏面レーザ光１０．１１を個別にモニタするか、同時
にモニタするしかなかった。However, in the past, as shown in FIG.
Since the distance between the light emitting points is narrow, only one photodiode 12 is connected to the package 13, and the LD chip 4.5
There was no choice but to monitor the backside laser beams 10 and 11 individually or simultaneously.
（発明が解決しようとする課題）
上記のような従来の半導体アレイレーザは、高速化に対
応して、２個のＬＤチップ４，５を同時に発光させた場
合、２個のＬＤチップ４．５の裏面レーザ光１０，１１
の光学的干渉は避けられず、所望の特性を得ることが非
常に困難であった。このため、システム応用上、同時に
２個のＬＤチップ４，５を独立して駆動することができ
ない、すなわち、高速化できないという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) The conventional semiconductor array laser as described above corresponds to higher speeds, and when the two LD chips 4 and 5 emit light at the same time, the two LD chips 4.5 backside laser beams 10, 11
optical interference is unavoidable, making it extremely difficult to obtain desired characteristics. Therefore, in terms of system application, there was a problem that the two LD chips 4 and 5 could not be driven independently at the same time, that is, the speed could not be increased.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、複数個のＬＤチップの裏面レーザ光の光学
的干渉を避けることができ、同時に複数個のＬＤチップ
を独立してモニタ可能な半導体アレイレーザを得ること
を目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to avoid optical interference of the backside laser beams of multiple LD chips, and to simultaneously monitor multiple LD chips independently. The purpose is to obtain a semiconductor array laser that is possible.
（課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体アレイレーザは、サブマウントま
たはヒートシンク上に載置され、電気的に分離された複
数個のレーザチップからなる半導体アレイチップと、前
記サブマウントまたはヒートシンク上に形成され、前記
半導体アレイチップから出射される複数本の裏面レーザ
光を分離して進行方向を変化させるアイソレータと、こ
のアイソレータにより分離された前記複数本の裏面レー
ザ光をそれぞれモニタする複数個の受光器とから構成し
たものである。(Means for Solving the Problems) A semiconductor array laser according to the present invention includes a semiconductor array chip including a plurality of electrically isolated laser chips placed on a submount or a heat sink; an isolator that is formed on the heat sink and separates the plurality of backside laser beams emitted from the semiconductor array chip and changes the traveling direction; and a plurality of isolators that respectively monitor the plurality of backside laser beams separated by the isolator. It consists of two photoreceivers.
この発明においては、半導体アレイチップの個々のレー
ザチップから微小間隔で近接して出射される複数本の裏
面レーザ光がアイソレータによって分離され、それぞれ
が異なる受光器によりモニタされることにより、個々の
レーザチップの駆動、制御が可能になる。In this invention, a plurality of backside laser beams emitted closely at minute intervals from individual laser chips of a semiconductor array chip are separated by an isolator, and each is monitored by a different receiver, so that each laser beam is It becomes possible to drive and control the chip.
〔実施例） 以下、この発明の一実施例を図について説明する。〔Example) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図はこの発明の半導体アレイレーザ（２ビームアレ
イレーザ）の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a semiconductor array laser (two-beam array laser) of the present invention.
この図において、第２図と同一符号は同一のものを示す
。７はアイソレータで、ＬＤチップ４゜５の共振器面後
方より放射された裏面レーザ光１０．１１を左右に分離
して２個のフォトダイオド１２に入射させる。In this figure, the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same parts. Reference numeral 7 denotes an isolator which separates backside laser beams 10 and 11 emitted from the rear of the resonator surface of the LD chip 4.degree.
すなわち、この発明の半導体アレイレーザは、アイソレ
ータ７によって微小間隔で近接した２木の裏面レーザ光
１０．１１を分離して、それぞれ２個のフォトダイオー
ド１２に入射させる構成としたので、ＬＤチップ４．５
を同時に駆動しても裏面レーザ光１０．１１の光学的干
渉を生じることなくモニタすることができ、ＬＤチップ
４，５を同時に独立して駆動することが可能になってい
る。That is, the semiconductor array laser of the present invention has a configuration in which the isolator 7 separates two pieces of backside laser beams 10 and 11 that are close to each other at a minute interval and makes them respectively enter two photodiodes 12. .5
Even if the LD chips 4 and 5 are driven simultaneously, monitoring can be performed without optical interference of the backside laser beams 10 and 11, and it is possible to drive the LD chips 4 and 5 simultaneously and independently.
なお、サブマウント２の材料が、例えばシリコンの場合
には、エツチングでの加工が容易なことから、第１図に
示したように三角形状に、高さがＬＤアレイチップ１の
厚み程度になるようにエツチップ加工して、モノリシッ
クにアイソレータ７を形成することが考えられる。If the material of the submount 2 is silicon, for example, it is easy to process by etching, so as shown in FIG. It is conceivable to form the isolator 7 monolithically by performing etching processing as described above.
また、機械加工が容易なことから、シリコンを三角形状
に加工したものを、ＬＤアレイチップ１と同様に、サブ
マウント２上に接近させてマウントすることも可能であ
るほか、金属によりアイソレータ７を形成してもよい。Furthermore, since machining is easy, it is also possible to mount silicon processed into a triangular shape close to the submount 2 in the same way as the LD array chip 1. may be formed.
また、反射ではなく、屈折によって光線を分離するアイ
ソレータを用いることも可能である。It is also possible to use an isolator that separates light beams by refraction rather than reflection.
なお、上記実施例では、２ビームアレイレーザを示した
が、３個以上のＬＤチップを備えたアレイレーザについ
ても同様であることはいうまでもない。In the above embodiment, a two-beam array laser is shown, but it goes without saying that the same applies to an array laser equipped with three or more LD chips.
この発明は以上説明したとおり、サブマウントまたはヒ
ートシンク上に載置され、電気的に分離された複数個の
レーザチップからなる半導体アレイチップと、前記サブ
マウントまたはヒートシンク上に形成され、前記半導体
アレイチップから出射される複数本の裏面レーザ光を分
離して進行方向を変化させるアイソレータと、このアイ
ソレータにより分離された前記複数本の裏面レーザ光を
それぞれモニタする複数個の受光器とから構成したので
、半導体アレイチップの個々のレーザチップから微小間
隔で近接して出射される複数本の裏面レーザ光がアイソ
レータによって分離され、それぞれが異なる受光器によ
りモニタされ、個々のレーザチップを同時に独立して駆
動、制御することが可能となる。したがって、これによ
り、光デイスクメモリの情報の書き込み／読み取りを瞬
時に行うことが可能になるほか、レーザビームプリンタ
等の高速化が可能になるというような効果がある。As described above, the present invention includes a semiconductor array chip that is placed on a submount or a heat sink and is made up of a plurality of electrically isolated laser chips; Since it is composed of an isolator that separates a plurality of back laser beams emitted from the laser beam and changes the traveling direction, and a plurality of light receivers that respectively monitor the plurality of back laser beams separated by this isolator, Multiple backside laser beams are emitted close to each other at minute intervals from the individual laser chips of the semiconductor array chip, are separated by an isolator, each is monitored by a different receiver, and the individual laser chips are driven simultaneously and independently. It becomes possible to control. Therefore, this has the effect of not only making it possible to write/read information on the optical disk memory instantaneously, but also making it possible to speed up laser beam printers and the like.
第１図はこの発明の半導体アレイレーザの一実施例を示
す断面図、第２図は従来の半導体アレイレーザを示す断
面図である。
図において、１はＬＤアレイチップ、２はサブマウント
、３はブロック、４．５はＬＤチップ、６は分離溝、７
はアイソレータ、８．９は前面レーザ光、１０．１１は
裏面レーザ光、１２はフォトダイオード、１３はパッケ
ージである。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the semiconductor array laser of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a conventional semiconductor array laser. In the figure, 1 is an LD array chip, 2 is a submount, 3 is a block, 4.5 is an LD chip, 6 is a separation groove, and 7
is an isolator, 8.9 is a front laser beam, 10.11 is a back laser beam, 12 is a photodiode, and 13 is a package. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
に分離された複数個のレーザチップからなる半導体アレ
イチップと、前記サブマウントまたはヒートシンク上に
形成され、前記半導体アレイチップから出射される複数
本の裏面レーザ光を分離して進行方向を変化させるアイ
ソレータと、このアイソレータにより分離された前記複
数本の裏面レーザ光をそれぞれモニタする複数個の受光
器とから構成したことを特徴とする半導体アレイレーザ
。A semiconductor array chip consisting of a plurality of electrically isolated laser chips placed on a submount or heat sink, and a back surface of a plurality of laser chips formed on the submount or heat sink and emitted from the semiconductor array chip. A semiconductor array laser comprising: an isolator that separates laser beams and changes the direction of travel; and a plurality of light receivers that respectively monitor the plurality of backside laser beams separated by the isolator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249361A JPH0297081A (en) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | Semiconductor array laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249361A JPH0297081A (en) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | Semiconductor array laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297081A true JPH0297081A (en) | 1990-04-09 |
Family
ID=17191882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63249361A Pending JPH0297081A (en) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | Semiconductor array laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0297081A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457382A (en) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Nec Home Electron Ltd | Laser diode device |
| JPH0476971A (en) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | Stem for semiconductor laser |
| JPH05343809A (en) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor laser device system |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107787A (en) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser array device |
| JPS61261828A (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-19 | Olympus Optical Co Ltd | Light source device for optical information recording and reproducing |
| JPS63204781A (en) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor laser device |
-
1988
- 1988-10-03 JP JP63249361A patent/JPH0297081A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107787A (en) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser array device |
| JPS61261828A (en) * | 1985-05-15 | 1986-11-19 | Olympus Optical Co Ltd | Light source device for optical information recording and reproducing |
| JPS63204781A (en) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor laser device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457382A (en) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Nec Home Electron Ltd | Laser diode device |
| JPH0476971A (en) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | Stem for semiconductor laser |
| JPH05343809A (en) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor laser device system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2830591B2 (en) | Semiconductor optical function device | |
| US5218223A (en) | Opto-electronic semiconductor component | |
| US6025213A (en) | Semiconductor light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
| US5327415A (en) | Integrated light deflector and method of fabrication therefor | |
| EP0392714B1 (en) | A semiconductor laser device | |
| US6188062B1 (en) | Laser/detector hybrid with integrated mirror and diffracted returned beam | |
| JPH02254783A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0297081A (en) | Semiconductor array laser | |
| JPH02253689A (en) | Semiconductor array laser | |
| JPH0728092B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0642356Y2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0635493Y2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0621264Y2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS63200590A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH09214037A (en) | Semiconductor laser and manufacture thereof | |
| JP3674266B2 (en) | Laser equipment | |
| JPH04199133A (en) | Optical amplifier and optical integrated circuit | |
| JPS62293527A (en) | Optical pickup | |
| JPH0627977Y2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH01154583A (en) | Multibeam semiconductor laser | |
| Choquette et al. | High-performance vertical-cavity laser, driver, and receiver arrays for optical interconnects | |
| JP2005012105A (en) | Semiconductor laser module | |
| JPH0627975Y2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3131497B2 (en) | Optical head device | |
| JPH08247841A (en) | Semiconductor light emitting device, and projector, article detecting device, image input device, and data display device, using semiconductor luminous device |