JPH0297055A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0297055A
JPH0297055A JP25014988A JP25014988A JPH0297055A JP H0297055 A JPH0297055 A JP H0297055A JP 25014988 A JP25014988 A JP 25014988A JP 25014988 A JP25014988 A JP 25014988A JP H0297055 A JPH0297055 A JP H0297055A
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JP
Japan
Prior art keywords
fixed
terminal
semiconductor device
chips
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP25014988A
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English (en)
Inventor
Yukio Murakami
村上 幸男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPH0297055A publication Critical patent/JPH0297055A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、インバータ装置、チョッパ装置などの各種
変換装置に用いられるダイオードブリッジなどの複合形
半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
このような半導体装置の例として、第4図に示したよう
な回路のダイオードブリッジの一例の内部構造を第5図
に、外形図を第6図に示す。第5図(a)は平面図、第
5図11))は第5図(a)の左方から見た側面図であ
って、放熱器への取付はベース8に固着された絶縁基板
l上に金属電極2a、2bが固着されており、金属電極
2a上にはダイオードチップ31a、32a、33aが
、また、金属電極2b上にはダイオードチップ31 b
、 32 b、 33 bがそれぞれ固着されている。
チップ31aとチップ31bはこれらのチップにそれぞ
れ固着された補助接続リード41a、41bを介して交
流入力用の接続端子51へ、同様にしてチップ32aと
チップ32bはこれらのチップにそれぞれ対応して固着
された補助接続リード42a、42b(図示せず)を介
して接続端子52へ、同様にしてチップ33aとチップ
33bはそれぞれ対応する補助接続リード43a、43
b(図示せず) を介して接続端子53へ接続されて第
4図に示した回路を構成している。lla、llbはそ
れぞれ金属電極2a、2b上に取り付けられた直流出力
用の外部導出端子である。第6図(a)は外形平面図、
第6図ら)は外形側面図で、第5図に示した回路構底部
は樹脂からなる外枠(外囲器)9内に収められ、封止樹
脂10で封止されている。外部導出端子11a、llb
および接続端子51.52.53の一端は封止樹脂10
の外へ引き出されており、外部回路との接続に用いられ
る。
上述の例では、半導体チップ(ダイオードチップ)と接
続端子とは補助接続リードを介して接続されているが、
両者が直接接続されてもよい。また、放熱器への取り付
はベースをなくして、絶縁基板自体を取り付はベースと
してもよい。
〔発明が解決しようとする課題〕
第5図に見られる通り、従来の半導体装置では接続端子
は半導体チップに支持されているだけである。このよう
な構成で樹脂封止されているため、半導体装置が運転さ
れるときの半導体チップの発熱による熱サイクルによっ
て封止樹脂が膨張・収縮すると、そのとき発生して接続
端子に加わる応力が全て半導体チップに作用することに
なり、半導体チップが機械的に破壊するなどの問題があ
った。
この発明は、上述の問題点を解消して、接続端子を介し
て半導体チップに作用する、封止樹脂の熱による膨張・
収縮の応力を低減し、半導体チップの機械的破壊などを
防止して、信頼性の向上した半導体装置を提供すること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、この発明によれば、絶縁
基板と、その基板上に固着された複数の金属電極と、こ
れら各金属電極上に一方の面で固着された複数の半導体
チップと、それぞれ異なる金属電極上の半導体チップの
他方の面を直接または補助接続部品を介して接続する接
続端子とを備え、これら回路構成部を外囲器の中に収め
樹脂封止してなる半導体装置において、前記接続端子の
一部が前記絶縁基板上に固定されている構成の半導体装
置とする。さらに、前記接続端子の一部が絶縁ブロック
を介して金属電極上に固定されている構成の半導体装置
とすることも望ましい。
〔作用〕
接続端子の一部を絶縁基板または金属電極に固定したの
で、封止樹脂の熱による膨張・収縮によって接続端子に
加わる応力は、絶縁基板または金属電極と半導体チップ
とに分散されるので、半導体チップへの応力は緩和され
ることになる。
〔実施例〕
第1図は、第4図に示した回路の半導体装置にこの発明
を適用した一実施例について、発明に係わる内部構造を
示す。第1図(a)は平面図であるがダイオードブリッ
ジの各相の構造は同一であるから一相分だけを部分平面
図として示してあり、第1図(b)は同じく側面図を示
す。従来例の第5図と同じ部分には共通の符号を付しで
ある。放熱器への取付はベース8上に固着された絶縁基
板1上に金属電極2a、2bが固着され、金属電極2a
上にはダイオードチップ31aがそのアノード側を下に
して固着され、金属電極2b上にはダイオードチップ3
1bがそのカソード側を下にして固着されている。ダイ
オードチップ31a、31b上にはそれぞれ補助接続リ
ード41a、41bが固着されている。
接続端子51はその下端で金属電極2aと2bの間の絶
縁基板1上においてこれらの金属電極から絶縁分離され
て固定され、かつ、接続端子51の一部はダイオードチ
ップ31a、31bの上に延びていて、それぞれ補助接
続リード41a、41bと接続されている。
第2図は、この発明の異なる実施例を示すもので、第2
図(a)は内部構造の部分平面図、第2図(b)は同じ
く側面図を示す。第1図に示した実施例と異なるところ
は、接続端子51の下端が絶縁ブロック61を介して金
属電極2a、2b上に固着されている点であり、各チッ
プの補助接続リードと接続される点は第1図の実施例と
同様である。
第3図は、この発明のさらに異なる実施例を示すもので
、その内部構造の部分平面図を示す。第1図に示した実
施例と異なるところは、補助接続リード41a、41b
を省いて、厚さの薄い補助接続端子71を用いて直接に
ダイオードチップ31a、31bと接続端子51の下端
部とを接続した点であり、その分、組立部品数を減らす
ことができる。さらに、この補助接続端子の形状を“く
”の字形とすることにより、ダイオードチップ、接続端
子の高さのズレおよび補助接続端子自体の寸法誤差など
があっても9例えばはんだ付けなどの接続が確実にでき
る利点も得られる。なお、第3図は第1図に示した実施
例、すなわち接続端子が絶縁基板にダイオードチップの
下の金属電極から絶縁分離されて固定されている場合の
例であるが、第2図に示した実施例、すなわち接続端子
がダイオードチップの下のものと共通の金属電極2a、
2b上に固定されている場合にも、この“く”の字形補
助接続端子71は前述と同様に有効である。
このようにして組み立てられた回路構成部を従来と同様
に外囲器に収め、樹脂で封止して、第6図に示した従来
例と同様な外形の各実施例の半導体装置が得られる。
上述の実施例では、放熱器への取り付はベースを用いて
いるが、これをなくして、絶縁基板自体を取り付はベー
スとしてもよい。
〔発明の効果〕
この発明によれば、接続端子の一端が半導体チップ上に
直接固着されて支持されるのではなく、半導体チップの
下側の絶縁基板または金属電極にもその一部が固定され
支持される端子構成となっている。従って、封止樹脂の
熱による膨張・収縮によって接続端子に加わる応力は半
導体チップと絶縁基板または金属電極に分散されること
になり、半導体チップへの応力は緩和される。その結果
、熱サイクルによる半導体チップの損傷やパワーサイク
ルによる1例えばはんだ付けなどの固着部の疲労を防止
することができ、信頼性の向上した半導体装置を得るこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明に係わる半導体装置のそ
れぞれ異なる実施例の内部構造を示すもので、第1図お
よび第2図の各(a)は部分平面図、第1図および第2
図の各ら)は側面図である。第3図はさらに異なる実施
例の内部構造の部分平面図である。第4図は半導体装置
の一例の回路図である。第5図は半導体装置の従来例の
内部構造を示すもので、第5図(a)は平面図、第5図
(b)は側面図である。第6図は半導体装置の従来例お
よび実施例の外形の一例を示すもので、第6図(a)は
平面図、第6図ら)は側面図である。 1 絶縁基板、2a、2b  金属電極、9 外枠(外
囲器)、10  封止樹脂、31a、31b  ダイオ
ードチップ(半導体チップ)、41a、41b  補助
接続リード、51  接続端子、61  絶縁ブロック
、71  “く”の字形補助接続端子。 (C1)   第  コ  [ミ(1 (b) 第2図 (a) 第 図 第 図 第 図 (b) 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)絶縁基板とその基板上に固着された複数の金属電極
    とこれら各金属電極上に一方の面で固着された複数の半
    導体チップとそれぞれ異なる金属電極上の半導体チップ
    の他方の面を直接または補助接続部品を介して接続する
    接続端子とを備え、これら回路構成部を外囲器の中に収
    め樹脂封止してなる半導体装置において、前記接続端子
    の一部が前記絶縁基板上に固着されていることを特徴と
    する半導体装置。
JP25014988A 1988-10-04 1988-10-04 半導体装置 Pending JPH0297055A (ja)

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JP25014988A JPH0297055A (ja) 1988-10-04 1988-10-04 半導体装置

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JP25014988A JPH0297055A (ja) 1988-10-04 1988-10-04 半導体装置

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JPH0297055A true JPH0297055A (ja) 1990-04-09

Family

ID=17203546

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JP25014988A Pending JPH0297055A (ja) 1988-10-04 1988-10-04 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012059876A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61139054A (ja) * 1984-12-11 1986-06-26 Toshiba Corp 半導体装置

Patent Citations (1)

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JP2012059876A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法

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