JPH0277030A - 光論理回路 - Google Patents
光論理回路Info
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- JPH0277030A JPH0277030A JP16911088A JP16911088A JPH0277030A JP H0277030 A JPH0277030 A JP H0277030A JP 16911088 A JP16911088 A JP 16911088A JP 16911088 A JP16911088 A JP 16911088A JP H0277030 A JPH0277030 A JP H0277030A
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- semiconductor laser
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- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 31
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- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光通信システムや先コンピュータなどに利用
して好適であり、特に、排他的論理和や論理積の演算あ
るいは加算を行う光論理回路に関する。
して好適であり、特に、排他的論理和や論理積の演算あ
るいは加算を行う光論理回路に関する。
〔従来の技術)
排他的論理和を光学的に演算する方法としては、例えば
、IEEEのジャー・ナル・オブ・ファンタム・エレク
トロニクスの第19巻、rアン・ウルトラ・ファースト
・オール・オブティル・ゲート1(Journal
of Quantum Electronics、
QE−19,pp。
、IEEEのジャー・ナル・オブ・ファンタム・エレク
トロニクスの第19巻、rアン・ウルトラ・ファースト
・オール・オブティル・ゲート1(Journal
of Quantum Electronics、
QE−19,pp。
1719−1723(1983)、 ”An ul
tra fast all−opticalgat
e”)に報告されているような、分岐干渉型LiNbO
3光変調器の光パルスの信号により生じる非線型屈折率
変化を利用した例や、アプライド・フィジックス・レタ
ーズの第44巻、「ユーズ・オブ・ア・シングル・ノン
リニア・ファブリ・ペロ・エタロン・アズ・オプティカ
ル・ロジック・ゲートJ (Applied Phys
ics Letters、 44. pp。
tra fast all−opticalgat
e”)に報告されているような、分岐干渉型LiNbO
3光変調器の光パルスの信号により生じる非線型屈折率
変化を利用した例や、アプライド・フィジックス・レタ
ーズの第44巻、「ユーズ・オブ・ア・シングル・ノン
リニア・ファブリ・ペロ・エタロン・アズ・オプティカ
ル・ロジック・ゲートJ (Applied Phys
ics Letters、 44. pp。
172−174.(1984)、 Use of
a single nonlinearFabl
y−Perot etalon as opti
cal logicgates”)に報告されている
ような、共振器内に非線型光学媒質を含むファブリ・ベ
ロ共振器の光パルス信号により生じる透過特性のシフト
を利用した非線型エタロンの例がある。
a single nonlinearFabl
y−Perot etalon as opti
cal logicgates”)に報告されている
ような、共振器内に非線型光学媒質を含むファブリ・ベ
ロ共振器の光パルス信号により生じる透過特性のシフト
を利用した非線型エタロンの例がある。
また、光能動素子を利用した例としては、第5図に示す
ような双安定半導体レーザと半導体光スィッチを組み合
わせた例(特願昭61−140540号)がある。ここ
で、光入力51と光入力52は、双安定半導体レーザ5
3と半導体光スィッチ54の両方に入力される。双安定
半導体レーザ53は光入力51と光入力52との論理積
を出力し、その出力は半導体光スィッチ54の制御入力
端子55に入力される。この半導体光スィッチ54は、
制御入力端子55に光入力があるときは信号入力端子5
6に入力された光信号を出力端子57に出力し、制御入
力端子55に光入力がないときは信号入力端子56に入
力された光信号を出力端子58に出力する。これにより
、出力端子57には光入力51と光入力52との論理積
が出力され、出力端子58には光入力51と光入力52
との排他的論理和か出力される。図中、59および60
は光分岐器、61および62は光合波器である。
ような双安定半導体レーザと半導体光スィッチを組み合
わせた例(特願昭61−140540号)がある。ここ
で、光入力51と光入力52は、双安定半導体レーザ5
3と半導体光スィッチ54の両方に入力される。双安定
半導体レーザ53は光入力51と光入力52との論理積
を出力し、その出力は半導体光スィッチ54の制御入力
端子55に入力される。この半導体光スィッチ54は、
制御入力端子55に光入力があるときは信号入力端子5
6に入力された光信号を出力端子57に出力し、制御入
力端子55に光入力がないときは信号入力端子56に入
力された光信号を出力端子58に出力する。これにより
、出力端子57には光入力51と光入力52との論理積
が出力され、出力端子58には光入力51と光入力52
との排他的論理和か出力される。図中、59および60
は光分岐器、61および62は光合波器である。
しかし上述の分岐干渉型LiNbO3光変調器を利用し
た例では、少なくとも数ワット以上の光入力が必要であ
り、そのためには光源を大型化せざるを得す、ひいては
大消費電力という欠点がある。
た例では、少なくとも数ワット以上の光入力が必要であ
り、そのためには光源を大型化せざるを得す、ひいては
大消費電力という欠点がある。
また、非線型エタロンでは、ファブリ・ベロ共振器の共
振特性を利用しているため、光源の絶対周波数の安定化
、単一縦モード化、および共振器特性の安定化が必要で
あるという欠点がある。
振特性を利用しているため、光源の絶対周波数の安定化
、単一縦モード化、および共振器特性の安定化が必要で
あるという欠点がある。
つぎに、双安定半導体レーザと半導体光スィッチを組み
合わせた従来例では、非常に複雑な光配線と、2種類の
半導体光素子が必要になり、光学系が非常に複雑になる
という欠点がある。
合わせた従来例では、非常に複雑な光配線と、2種類の
半導体光素子が必要になり、光学系が非常に複雑になる
という欠点がある。
そこで、本発明の目的は、以上の点を解決し、非常に簡
単な構成で、広い波長範囲にわたり、かつ低い入射光強
度の入力光で、排他的論理和、論理積、および加算動作
が可能な光論理回路を提供することにある。
単な構成で、広い波長範囲にわたり、かつ低い入射光強
度の入力光で、排他的論理和、論理積、および加算動作
が可能な光論理回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
このような目的を達成するために、本発明は、第1の入
力端に入力された第1の光入力と、第2の入力端に入力
された第2の光入力とを合波する光合波器と、光合波器
の出力を入力され、その入力光により出力光の状態が3
つの安定状態間を遷移する光多安定素子と、光多安定素
子の出力を入力され、出力光が3つの安定状態のいずれ
の状態をとるかに応じて、光多安定素子の出力光を分離
し、第1.第2および第3の出力端に出力する状態分離
器とを備えたことを特徴とする。
力端に入力された第1の光入力と、第2の入力端に入力
された第2の光入力とを合波する光合波器と、光合波器
の出力を入力され、その入力光により出力光の状態が3
つの安定状態間を遷移する光多安定素子と、光多安定素
子の出力を入力され、出力光が3つの安定状態のいずれ
の状態をとるかに応じて、光多安定素子の出力光を分離
し、第1.第2および第3の出力端に出力する状態分離
器とを備えたことを特徴とする。
ここで、前記光多安定素子は、入力光強度に応じて、そ
の出力光状態が、光出力なしの状態、第1の波長である
状態、および第2の波長である状態、の間を遷移する光
多安定半導体レーザとすることができる。
の出力光状態が、光出力なしの状態、第1の波長である
状態、および第2の波長である状態、の間を遷移する光
多安定半導体レーザとすることができる。
あるいはまた、前記光多安定素子は、入力光強度に応じ
て、その出力光状態が、第1の波長である状態、第2の
波長である状態、および第3の波長である状態、の間を
遷移する光多安定半導体レーザとすることもできる。
て、その出力光状態が、第1の波長である状態、第2の
波長である状態、および第3の波長である状態、の間を
遷移する光多安定半導体レーザとすることもできる。
さらに前記状態分離器は、波長フィルタとしてもよい。
(作用〕
前記光多安定素子は、入力光がないときには、その出力
光は第1の安定状態をとり、前記状態分離器の第1の出
力端から出力される。第1および第2の入力光のうち、
いずれか一方のみが入力されたときには、その出力光は
第2の安定状態をとり、前記状態分離器の第2の出力端
から出力される。第1および第2の入力光が同時に入力
されたときには、その出力光は第3の安定状態をとり、
前記状態分離器の第3の出力端から出力される。
光は第1の安定状態をとり、前記状態分離器の第1の出
力端から出力される。第1および第2の入力光のうち、
いずれか一方のみが入力されたときには、その出力光は
第2の安定状態をとり、前記状態分離器の第2の出力端
から出力される。第1および第2の入力光が同時に入力
されたときには、その出力光は第3の安定状態をとり、
前記状態分離器の第3の出力端から出力される。
従って、第2の出力端には、第1および第2の入力光の
排他的論理和が得られ、第3の出力端には第1および第
2の入力光の論理積が現れ、これにより半加算器が構成
できることになる。
排他的論理和が得られ、第3の出力端には第1および第
2の入力光の論理積が現れ、これにより半加算器が構成
できることになる。
前記光多安定素子は、入力光強度に応じて、その出力光
状態が、光出力なしの状態、第1の波長の光である状態
、第2の波長の光である状態、の間を遷移する光多安定
半導体レーザであり、かつ前記状態分離器が波長フィル
タである場合には、その波長フィルタの出力端は第2お
よび第3の出力端のみの計2つだけでよい。
状態が、光出力なしの状態、第1の波長の光である状態
、第2の波長の光である状態、の間を遷移する光多安定
半導体レーザであり、かつ前記状態分離器が波長フィル
タである場合には、その波長フィルタの出力端は第2お
よび第3の出力端のみの計2つだけでよい。
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。ここで
、光合波器13の第1の入力端に入力された光入力11
と、同じく第2の入力端に入力された光入力12とは、
この光合波器13により合波され、光多安定半導体レー
ザ14に入射される。この光多安定半導体レーザ14の
光出力は波長フィルタ15に入射され、光出力の波長に
応じて分岐され、出力端16および17から、それぞれ
、光出力18および19として出力される。
、光合波器13の第1の入力端に入力された光入力11
と、同じく第2の入力端に入力された光入力12とは、
この光合波器13により合波され、光多安定半導体レー
ザ14に入射される。この光多安定半導体レーザ14の
光出力は波長フィルタ15に入射され、光出力の波長に
応じて分岐され、出力端16および17から、それぞれ
、光出力18および19として出力される。
第2図に光多安定半導体レーザ14の1例を示す。この
光多安定半導体レーザ14は、共振器方向に電極を複数
個に分割し、共振器内部のキャリヤ密度を互いに独立し
て制御できるようにした、均一な回折格子28を持つ電
極分割分布帰還型半導体レーザ21により構成される。
光多安定半導体レーザ14は、共振器方向に電極を複数
個に分割し、共振器内部のキャリヤ密度を互いに独立し
て制御できるようにした、均一な回折格子28を持つ電
極分割分布帰還型半導体レーザ21により構成される。
第2図の例では、2分割した電極22および23をもつ
構成を示しである。電極22から電流が供給される領域
24を低注入電流状態の可飽和吸収領域とすると、電極
23に流す電流に対して、この素子の光出力27は、後
述するように、多段安定特性を示すようになる。なお、
29は活性層である。
構成を示しである。電極22から電流が供給される領域
24を低注入電流状態の可飽和吸収領域とすると、電極
23に流す電流に対して、この素子の光出力27は、後
述するように、多段安定特性を示すようになる。なお、
29は活性層である。
この様子を第3図に示す。第1の光出力の急激な増加3
1は、電極22から電流が供給される領域24の吸収特
性が、電極23から電流が供給される領域25で発生す
る光により飽和することによる急激なレーザ発振に起因
するものである。また、第2の光出力の急激な増加32
は、電極23に流す電流の変化にともない、共振器の利
得分布および屈折率分布が変化したことにより、均一な
回折格子を持つ分布帰還型半導体レーザ21の優勢な2
つの縦モード間の利得が逆転することにより生じる、発
振縦モートのスイッチングに起因する。従って、第3図
に示した領域33では第1の発振縦モードで発振し、領
域34では第2の発振縦モードで発振している。
1は、電極22から電流が供給される領域24の吸収特
性が、電極23から電流が供給される領域25で発生す
る光により飽和することによる急激なレーザ発振に起因
するものである。また、第2の光出力の急激な増加32
は、電極23に流す電流の変化にともない、共振器の利
得分布および屈折率分布が変化したことにより、均一な
回折格子を持つ分布帰還型半導体レーザ21の優勢な2
つの縦モード間の利得が逆転することにより生じる、発
振縦モートのスイッチングに起因する。従って、第3図
に示した領域33では第1の発振縦モードで発振し、領
域34では第2の発振縦モードで発振している。
このような半導体レーザにおける吸収飽和に基づく双安
定特性については、エレクトロニクス・レターズの第1
7巻、rバイステーブル・オペレーション・オブ・セミ
コンダクタ・レーザーズ・パイ・オプティカル・インジ
ェクション1(Electronics Letter
s、17.pp、741−742(1981)”B15
table 0peration of Sem1co
nductorLasers by 0ptical
Injectton”)に詳細に述べられている。また
、均一な回折格子を持つ分布帰還型半導体レーザの優勢
な2つの縦モード間の注入電流制御によるスイッチング
については、アプライド・フィジックス・レターズの第
51@、rエレクトロ・オプティカル・ロジック・オペ
レーションズ・クイズ・ツー・エレクトロート・デイス
トリビューティラド・フィードバック・インジェクショ
ン・レーザーズJ (Applied Physics
Letters 51.pp、1777−1779(1
987)、”Electro−cptical Io
3ic operations with tw
o electrodedistributed f
eed−back 1njc′ction 1aser
s”) に詳述されている。
定特性については、エレクトロニクス・レターズの第1
7巻、rバイステーブル・オペレーション・オブ・セミ
コンダクタ・レーザーズ・パイ・オプティカル・インジ
ェクション1(Electronics Letter
s、17.pp、741−742(1981)”B15
table 0peration of Sem1co
nductorLasers by 0ptical
Injectton”)に詳細に述べられている。また
、均一な回折格子を持つ分布帰還型半導体レーザの優勢
な2つの縦モード間の注入電流制御によるスイッチング
については、アプライド・フィジックス・レターズの第
51@、rエレクトロ・オプティカル・ロジック・オペ
レーションズ・クイズ・ツー・エレクトロート・デイス
トリビューティラド・フィードバック・インジェクショ
ン・レーザーズJ (Applied Physics
Letters 51.pp、1777−1779(1
987)、”Electro−cptical Io
3ic operations with tw
o electrodedistributed f
eed−back 1njc′ction 1aser
s”) に詳述されている。
この素子を光多安定素子として動作させるには、第2図
における電極23に供給する電流を第1のヒステリシス
31が生じるような電流値よりもわずかに小さな値35
に設定する。このような状態で電極分割分布帰還型半導
体レーザ21の電極22側の端面から活性層29に光入
力26を入射する。光信号26の光強度があるしきい値
を越えると、領域24の吸収特性が、光入力26により
飽和し、第1の発振モードでレーザ発振が急激に立ち上
がる。さらに光強度が増すと、今度は共振器の利得分布
および屈折率分布が変化し、発振モードが第2の発振モ
ードにスイッチングする。このようにして、光入力26
対光出力27の特性には、発振波長の異なる多段の安定
特性が現われる。
における電極23に供給する電流を第1のヒステリシス
31が生じるような電流値よりもわずかに小さな値35
に設定する。このような状態で電極分割分布帰還型半導
体レーザ21の電極22側の端面から活性層29に光入
力26を入射する。光信号26の光強度があるしきい値
を越えると、領域24の吸収特性が、光入力26により
飽和し、第1の発振モードでレーザ発振が急激に立ち上
がる。さらに光強度が増すと、今度は共振器の利得分布
および屈折率分布が変化し、発振モードが第2の発振モ
ードにスイッチングする。このようにして、光入力26
対光出力27の特性には、発振波長の異なる多段の安定
特性が現われる。
この特性の一例を第4図(a)に示す。ここで、光入力
26の強度が第1のしきい値P1をとると、第1の発振
縦モードで急激なレーザ発振が始まり、第2のしきい値
P2において、第1の発振縦モードから第2の発振縦モ
ードへ発振モードがスイッチングし、それにともない光
出力の急激な増加が起こる。
26の強度が第1のしきい値P1をとると、第1の発振
縦モードで急激なレーザ発振が始まり、第2のしきい値
P2において、第1の発振縦モードから第2の発振縦モ
ードへ発振モードがスイッチングし、それにともない光
出力の急激な増加が起こる。
第1の発振縦モードと第2の発振縦モードは発振波長が
異なるので、波長フィルタ15により両者を分離するこ
とができ、以下では、分離された第1の発振域モート、
および第2の発振縦モードの光出力を、それぞれ第1図
における波長フィルタ15の第1の光出力端16、およ
び17の光出力として説明する。
異なるので、波長フィルタ15により両者を分離するこ
とができ、以下では、分離された第1の発振域モート、
および第2の発振縦モードの光出力を、それぞれ第1図
における波長フィルタ15の第1の光出力端16、およ
び17の光出力として説明する。
このような波長領域で分離された光出力の特性を、第4
図(a)と同一の横軸をとって、第4図(b)および第
4図(c) に示す。いま、第4図(d)に示すよう
に、第1図における第1の光入力!1および第2の光入
力12の光強度Pを、 2P> P2> P > P + を満たすように設定する。光入力11および12のいず
れか一方のみが半導体レーザ21に入力したときは、第
1の発振縦モードで発振するため、光出力18がパイレ
ベルの状態になり、両方が同時に入力したときには、両
者の光強度の和はP2を越えるので、第2の発振縦モー
ドで発振し、光出力19がハイレベルの状態になる。こ
のようにして、第1図における波長フィルタ15の第1
の光出力18には、光入力11と光入力12の排他的論
理和が出力され、光出力19には光入力11と光入力1
2との論理積が出力される。
図(a)と同一の横軸をとって、第4図(b)および第
4図(c) に示す。いま、第4図(d)に示すよう
に、第1図における第1の光入力!1および第2の光入
力12の光強度Pを、 2P> P2> P > P + を満たすように設定する。光入力11および12のいず
れか一方のみが半導体レーザ21に入力したときは、第
1の発振縦モードで発振するため、光出力18がパイレ
ベルの状態になり、両方が同時に入力したときには、両
者の光強度の和はP2を越えるので、第2の発振縦モー
ドで発振し、光出力19がハイレベルの状態になる。こ
のようにして、第1図における波長フィルタ15の第1
の光出力18には、光入力11と光入力12の排他的論
理和が出力され、光出力19には光入力11と光入力1
2との論理積が出力される。
また、光出力18を加算出力、光出力19を桁上げ出力
とすることにより、この光論理回路は先手加算器として
動作する。ここでは、動作原理として、吸収飽和を用い
ているため、少なくとも10nm以上の広い波長範囲の
光入力に対して動作可能である。また、必要とされる入
射光強度も、ミリワット以下と非常に小さい。
とすることにより、この光論理回路は先手加算器として
動作する。ここでは、動作原理として、吸収飽和を用い
ているため、少なくとも10nm以上の広い波長範囲の
光入力に対して動作可能である。また、必要とされる入
射光強度も、ミリワット以下と非常に小さい。
本例における波長フィルタ15としては、回折格子、干
渉膜フィルタ、あるいは種々の原理の干渉計を用いるこ
とができる。また、光多安定半導体レーザ21には、フ
ァブリ・ベロ型の半導体レーザの3つの発振縦モード間
のモードホッピング現象を利用してもよい。
渉膜フィルタ、あるいは種々の原理の干渉計を用いるこ
とができる。また、光多安定半導体レーザ21には、フ
ァブリ・ベロ型の半導体レーザの3つの発振縦モード間
のモードホッピング現象を利用してもよい。
以上説明したところから明らかなように、本発明によれ
ば、光子安定素子と状態分離器とを用いた構成としたの
で、非常に簡単な光学系で、排他的論理和、論理積、お
よび半加算を行うことができる。さらにまた、光子安定
素子として、均一な回折格子を持つ電極分割分布帰還型
半導体レーザを用い、状態分離器として、波長フィルタ
を用いれば、少なくとも10nm以上の広い波長範囲で
あり、かつミリワット以下の低い入射強度の光入力で十
分に動作可能であるという効果がある。
ば、光子安定素子と状態分離器とを用いた構成としたの
で、非常に簡単な光学系で、排他的論理和、論理積、お
よび半加算を行うことができる。さらにまた、光子安定
素子として、均一な回折格子を持つ電極分割分布帰還型
半導体レーザを用い、状態分離器として、波長フィルタ
を用いれば、少なくとも10nm以上の広い波長範囲で
あり、かつミリワット以下の低い入射強度の光入力で十
分に動作可能であるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は均一
な回折格子を持つ電極分割分布帰還型半導体レーザの一
例を示す斜視図、第3図は均一な回折格子を持つ電極分
割分布帰還型半導体レーザの注入電流対出力光強度の特
性の一例を示す特性図、 第4図は均一な回折格子を持つ電極分割分布帰還型半導
体レーザの入力光強度対出力光強度の特性の説明図、 第5図は従来例を示す構成図である。 11、12・・・光入力、 13・・・光合波器、 14・・・多安定半導体レーザ、 15・・・波長フィルタ、 16.17・・・出力端、 18.19−・・光出力。 第1図 尤λ力 26 電極分劉食布帰り型午斗体レーザを利倚り閃第2図 庄λ11−シも七トづ=水上び尤d1更度(=青i性図
第3図
な回折格子を持つ電極分割分布帰還型半導体レーザの一
例を示す斜視図、第3図は均一な回折格子を持つ電極分
割分布帰還型半導体レーザの注入電流対出力光強度の特
性の一例を示す特性図、 第4図は均一な回折格子を持つ電極分割分布帰還型半導
体レーザの入力光強度対出力光強度の特性の説明図、 第5図は従来例を示す構成図である。 11、12・・・光入力、 13・・・光合波器、 14・・・多安定半導体レーザ、 15・・・波長フィルタ、 16.17・・・出力端、 18.19−・・光出力。 第1図 尤λ力 26 電極分劉食布帰り型午斗体レーザを利倚り閃第2図 庄λ11−シも七トづ=水上び尤d1更度(=青i性図
第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)第1の入力端に入力された第1の光入力と、第2の
入力端に入力された第2の光入力とを合波する光合波器
と、 該光合波器の出力を入力され、その入力光により出力光
の状態が3つの安定状態間を遷移する光多安定素子と、 該光多安定素子の出力を入力され、前記出力光が前記3
つの安定状態のいずれの状態をとるかに応じて、前記光
多安定素子の出力光を分離し、第1、第2および第3の
出力端に出力する状態分離器と を備えたことを特徴とする光論理回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16911088A JPH0277030A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 光論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16911088A JPH0277030A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 光論理回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0277030A true JPH0277030A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=15880486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16911088A Pending JPH0277030A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 光論理回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0277030A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2682781A1 (fr) * | 1991-10-16 | 1993-04-23 | France Telecom | Generateur de fonctions logiques utilisant une transposition optique dans une diode laser a contre-reaction distribuee. |
US5268980A (en) * | 1991-06-14 | 1993-12-07 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Active optical coupler for optical data link communication system |
US5515498A (en) * | 1993-10-01 | 1996-05-07 | The Regents Of The University Of Colorado | Optoelectronic computer graphics system and method |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP16911088A patent/JPH0277030A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268980A (en) * | 1991-06-14 | 1993-12-07 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Active optical coupler for optical data link communication system |
FR2682781A1 (fr) * | 1991-10-16 | 1993-04-23 | France Telecom | Generateur de fonctions logiques utilisant une transposition optique dans une diode laser a contre-reaction distribuee. |
US5307366A (en) * | 1991-10-16 | 1994-04-26 | France Telecom Etablissement Autonome De Droit Public | Logic function generator using an optical transposition in a distributed feedback laser diode |
US5515498A (en) * | 1993-10-01 | 1996-05-07 | The Regents Of The University Of Colorado | Optoelectronic computer graphics system and method |
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