JPH0274534A - 高△ファイバ母材の作製方法 - Google Patents
高△ファイバ母材の作製方法Info
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- JPH0274534A JPH0274534A JP22776488A JP22776488A JPH0274534A JP H0274534 A JPH0274534 A JP H0274534A JP 22776488 A JP22776488 A JP 22776488A JP 22776488 A JP22776488 A JP 22776488A JP H0274534 A JPH0274534 A JP H0274534A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/10—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with boron
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の産業上利用分野)
本発明は高Δファイバ母材の作製方法、さらに詳細には
、高効率なファイバラマンレーザ等非線形効果の大きな
ファイバ用母材および長波長域(波長2〜3μm)極低
損失ファイバ用母材の作製方法に関するものである。
、高効率なファイバラマンレーザ等非線形効果の大きな
ファイバ用母材および長波長域(波長2〜3μm)極低
損失ファイバ用母材の作製方法に関するものである。
(従来技術および問題点)
従来の石英系ガラスファイバとしては、GeO2ガラス
を2〜10mol%添加した5i02ガラスをコア、純
シリカガラスをクラッドとするものがMCVD法、VA
D法あるいはPCVD法等により作製されてきた。純G
eO2ガラスのラマン散乱係数はS i 02ガラスの
それより9,2倍大きいが、(F、L、 galeen
er et、 al、、 Appl、 Phys、 L
ett、、 vol。
を2〜10mol%添加した5i02ガラスをコア、純
シリカガラスをクラッドとするものがMCVD法、VA
D法あるいはPCVD法等により作製されてきた。純G
eO2ガラスのラマン散乱係数はS i 02ガラスの
それより9,2倍大きいが、(F、L、 galeen
er et、 al、、 Appl、 Phys、 L
ett、、 vol。
32、 P、34.1918. )通常のファイバでは
、はとんど5i02ガラス材料に依存したラマン特性あ
るいは非線形効果が支配的であり、5i02ガラスはラ
マン散乱定数などの非線形効果は非常に小さい。
、はとんど5i02ガラス材料に依存したラマン特性あ
るいは非線形効果が支配的であり、5i02ガラスはラ
マン散乱定数などの非線形効果は非常に小さい。
従って、通常のファイバを用いて誘導ラマン散乱光を発
生させるには、大きな光パワーをファイバに入射させる
か、あるいは1〜10Kmの長い低損失なファイバを用
いて、励起光と発生する誘導ラマン散乱光との相互作用
長を長くする必要かあった。
生させるには、大きな光パワーをファイバに入射させる
か、あるいは1〜10Kmの長い低損失なファイバを用
いて、励起光と発生する誘導ラマン散乱光との相互作用
長を長くする必要かあった。
5i02ガラス系以外のGe○2系ガラスファイバとし
ては、VAD法により作製した純GeO2ガラスをコア
、5i02添加GeO2ガラスをクラッドとするファイ
バを用いて、通常のファイバより低い励起入射パワーで
誘導ラマン散乱光が発生することが示されている。(K
、 Nakamura、 et、 al、。
ては、VAD法により作製した純GeO2ガラスをコア
、5i02添加GeO2ガラスをクラッドとするファイ
バを用いて、通常のファイバより低い励起入射パワーで
誘導ラマン散乱光が発生することが示されている。(K
、 Nakamura、 et、 al、。
12th European Conference
on 0ptical CommunicationE
α)C’86. I+−14) Lかし、コア径が26
μmと大きく、屈折率差も△=0.56%と小さいため
、半導体レーザのような低出力レーザでの誘導ラマン光
の発生は困難であり、他の非線形効率も本発明のファイ
バより小さいという欠点があった。半導体レーザのよう
G′−小型で使い騎手の良い比較的低出力レーザからの
誘導ラマン散乱光の発生あるいは高効率非線形効果(カ
ー効果等)の発生は、本発明が提供するような高効率な
コア材料の選択、コア径を小さくすることによる入射パ
ワー密度の増大およびファイバの低損失化が必要となる
。純GeO2ガラスをコアとする高Δ微小コアファイバ
の作製方法としては、コア材料となるGeO2ガラスお
よびクラッド材料となるP2O5/5i02 (B2O
5を20wt%添加)ガラスロットをそれぞれVAD法
によって作製し、クラッド材料の中心部に孔開けを行な
いパイプ状とした後、コアを挿入し、最外ノー(第2ク
ラツド)にパイレックス管を用いてロッドインチューブ
法によりコア径1.4μm、屈折率差Δ−8,2%のフ
ァイバを作製した例があるか、(T、 Ho5aka
et、 al、、 Elcclr。
on 0ptical CommunicationE
α)C’86. I+−14) Lかし、コア径が26
μmと大きく、屈折率差も△=0.56%と小さいため
、半導体レーザのような低出力レーザでの誘導ラマン光
の発生は困難であり、他の非線形効率も本発明のファイ
バより小さいという欠点があった。半導体レーザのよう
G′−小型で使い騎手の良い比較的低出力レーザからの
誘導ラマン散乱光の発生あるいは高効率非線形効果(カ
ー効果等)の発生は、本発明が提供するような高効率な
コア材料の選択、コア径を小さくすることによる入射パ
ワー密度の増大およびファイバの低損失化が必要となる
。純GeO2ガラスをコアとする高Δ微小コアファイバ
の作製方法としては、コア材料となるGeO2ガラスお
よびクラッド材料となるP2O5/5i02 (B2O
5を20wt%添加)ガラスロットをそれぞれVAD法
によって作製し、クラッド材料の中心部に孔開けを行な
いパイプ状とした後、コアを挿入し、最外ノー(第2ク
ラツド)にパイレックス管を用いてロッドインチューブ
法によりコア径1.4μm、屈折率差Δ−8,2%のフ
ァイバを作製した例があるか、(T、 Ho5aka
et、 al、、 Elcclr。
n、 Lett、、vol、24. no、13. P
P、770−771.1’18. )ロッドインチュー
ブ法を使用しているため、ファイバか長さ方向に不均一
であり、低損失化が困難であるという欠点があった。
P、770−771.1’18. )ロッドインチュー
ブ法を使用しているため、ファイバか長さ方向に不均一
であり、低損失化が困難であるという欠点があった。
一方、GeO2ガラスを主成分としたファイバを用いて
波長20μm以上て極低損失化を狙ったファイバとして
は、コアに5b203を添加したGeO2ガラスまたク
ラッドに純G e O2ガラスを使用した多モードファ
イバで最低損失値が達成されており、第6図に示すよう
に波長2.0μmで4dB/kmの伝送損失が得られて
いる。
波長20μm以上て極低損失化を狙ったファイバとして
は、コアに5b203を添加したGeO2ガラスまたク
ラッドに純G e O2ガラスを使用した多モードファ
イバで最低損失値が達成されており、第6図に示すよう
に波長2.0μmで4dB/kmの伝送損失が得られて
いる。
しかし、この値は第7図に示すように、理論的に予測さ
れる値(0,06dB/km :波長λ2.5μm、(
R,01shansky and G、W、 5che
rer、 EC○C’79. Technical d
igest、 P、 12.5−1.1979゜)より
はるかに大きい。これは、光ファイバ中を伝搬する光の
大部分が集中するコア材料が5b203とGeO2ガラ
スの2成分であり、ガラスの密度ゆらぎ等が大きくなる
ことによる。
れる値(0,06dB/km :波長λ2.5μm、(
R,01shansky and G、W、 5che
rer、 EC○C’79. Technical d
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はるかに大きい。これは、光ファイバ中を伝搬する光の
大部分が集中するコア材料が5b203とGeO2ガラ
スの2成分であり、ガラスの密度ゆらぎ等が大きくなる
ことによる。
純GeO2ガラスのみの場合でも5i02ガラスに比較
すると均一なガラスの作製が容易でないことを考慮する
と、5b203のコアへの添加は低損失化を困難にする
という問題点があった。
すると均一なガラスの作製が容易でないことを考慮する
と、5b203のコアへの添加は低損失化を困難にする
という問題点があった。
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、これ
までのファイバが誘導ラマン散乱なとの非線形効果を生
じさせるうえで、大きな入射パワーおよび長尺なファイ
バが必要であった点を解決し、半導体レーザのような低
パワーあるいは短尺なファイバで誘導ラマン散乱に代表
される高効率非線形動作を生じるようなファイバ母材お
よび理論値にせまるような長波長域(波長2〜3μm)
極低損失ファイバ母材の作製方法を提供することにある
。
までのファイバが誘導ラマン散乱なとの非線形効果を生
じさせるうえで、大きな入射パワーおよび長尺なファイ
バが必要であった点を解決し、半導体レーザのような低
パワーあるいは短尺なファイバで誘導ラマン散乱に代表
される高効率非線形動作を生じるようなファイバ母材お
よび理論値にせまるような長波長域(波長2〜3μm)
極低損失ファイバ母材の作製方法を提供することにある
。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決するため、本発明による高Δファイバ
母材の作製方法は、所定のガラス管を保持し、回転させ
て該ガラス管内に光ファイバ用ガラス原料ガスおよび酸
素を導入し、該ガラス管を外側あるいは内側から加熱す
ることによって酸化反応を生ぜしめ、該ガラス管内壁に
クラッドおよびコアとなる酸化物ガラスの層を堆積した
後、該ガラス管を中実化する光ファイバ用母材の作製方
法において、所定のガラス管としてB2O3を7〜13
mo 1%添加したSiO2ガラス管を用い、クラッド
ガラスとして、上記ガラス管より等しいか低い屈折率を
有し、かつコアより低屈折率のガラスを堆積し、コアガ
ラスとしてGeO2系ガラスを堆積することを特徴とし
ている。
母材の作製方法は、所定のガラス管を保持し、回転させ
て該ガラス管内に光ファイバ用ガラス原料ガスおよび酸
素を導入し、該ガラス管を外側あるいは内側から加熱す
ることによって酸化反応を生ぜしめ、該ガラス管内壁に
クラッドおよびコアとなる酸化物ガラスの層を堆積した
後、該ガラス管を中実化する光ファイバ用母材の作製方
法において、所定のガラス管としてB2O3を7〜13
mo 1%添加したSiO2ガラス管を用い、クラッド
ガラスとして、上記ガラス管より等しいか低い屈折率を
有し、かつコアより低屈折率のガラスを堆積し、コアガ
ラスとしてGeO2系ガラスを堆積することを特徴とし
ている。
本発明は、大きな非線形光学効果を有するファイバ母材
および長波長域(波長2〜3μm)極低損失ファイバ母
材の作製方法を提供することを最も主要な特徴とする。
および長波長域(波長2〜3μm)極低損失ファイバ母
材の作製方法を提供することを最も主要な特徴とする。
従来の技術とは、石英管に代わり8203を7〜1.3
mol%添加した5i02ガラス管を出発ガラス管とし
て用い、B2O3を上記ガラス管より多く添加した5i
02ガラスなどをクラッド材料、および純GeO2ガラ
スなどをコア材料としてMCVD法、PCVD法などに
より作製する点か異なる。従来の石英管を出発管として
用いた場、合には、中実化時に約1900℃という高温
とな1、乞ため、コアとなるべき純GeO2ガラスなど
が蒸発し、ファイバ母材を作製することができなかった
。また、出発管として、パイレックスガラス管、等の低
軟化点ガラス管を使用した場合、酸化反応開始前に出発
管が変形するために出発管内で、効率良く酸化反応を生
せしめることか難しいという問題点があった。本発明の
要旨は、B2O3を7〜13mo 1%添加した5i0
2ガラス管として使用することによって、効率の良い酸
化反応を可能とすると共に、中実化時のGeO2ガラス
の蒸発も防止できるGeO2ガラスコアファイバの製造
方法を実現した点にある。
mol%添加した5i02ガラス管を出発ガラス管とし
て用い、B2O3を上記ガラス管より多く添加した5i
02ガラスなどをクラッド材料、および純GeO2ガラ
スなどをコア材料としてMCVD法、PCVD法などに
より作製する点か異なる。従来の石英管を出発管として
用いた場、合には、中実化時に約1900℃という高温
とな1、乞ため、コアとなるべき純GeO2ガラスなど
が蒸発し、ファイバ母材を作製することができなかった
。また、出発管として、パイレックスガラス管、等の低
軟化点ガラス管を使用した場合、酸化反応開始前に出発
管が変形するために出発管内で、効率良く酸化反応を生
せしめることか難しいという問題点があった。本発明の
要旨は、B2O3を7〜13mo 1%添加した5i0
2ガラス管として使用することによって、効率の良い酸
化反応を可能とすると共に、中実化時のGeO2ガラス
の蒸発も防止できるGeO2ガラスコアファイバの製造
方法を実現した点にある。
本発明によれは、前述のようにクラッドおよびコアとな
る酸化物カラスを堆積させるガラス管として、B203
7〜l 3mo 1%を添加した5i02ガラスを使用
している。出発ガラス管は、コアとなるGeO2ガラス
の堆積か可能な軟化温度を有するガラスを使用する必要
性から決定される。
る酸化物カラスを堆積させるガラス管として、B203
7〜l 3mo 1%を添加した5i02ガラスを使用
している。出発ガラス管は、コアとなるGeO2ガラス
の堆積か可能な軟化温度を有するガラスを使用する必要
性から決定される。
出発ガラス管において5i02中の8203の含有址か
7m01%未満の場合には軟化温度が高すきるため中実
化時にGe○2コアが蒸発してしまい、逆に13mol
%を越える場合には軟化温度が低すぎるためにGe○2
コアおよびクラッドの堆積時に出発カラス管の収縮か激
しずきるという問題が生じる。
7m01%未満の場合には軟化温度が高すきるため中実
化時にGe○2コアが蒸発してしまい、逆に13mol
%を越える場合には軟化温度が低すぎるためにGe○2
コアおよびクラッドの堆積時に出発カラス管の収縮か激
しずきるという問題が生じる。
このようなガラス管に堆積させるクラッドカラスとして
は、上記カラス管と等しいかあるいは低い屈折率を有し
、かつコアよりも低い屈折率を有するものであればいか
なるものでもよい。皿にはコアとなるG e 02系ガ
ラスの蒸発温度未満の軟化点を有するものであるのがよ
い。このようなガラスとしては、たとえばB2O3を上
記ガラスより多く添加したSiO2ガラス、上記820
3を上記ガラスより多く添加したSiO2カラスにさら
にP2O5が添加されたガラスであって、前記ガラス管
より屈折率の小さなガラス、あるいは8203を上記ガ
ラスより多く添加したSiO2カラスまたは上記820
3を上記ガラスより多く添加したSt○2ガラスにさら
にP2O5が添加されたガラスであって、前記ガラス管
より屈折率の小さなガラスのいずれかに、フッ素が微量
添加されたガラスなどを具体例としてあげることができ
る。
は、上記カラス管と等しいかあるいは低い屈折率を有し
、かつコアよりも低い屈折率を有するものであればいか
なるものでもよい。皿にはコアとなるG e 02系ガ
ラスの蒸発温度未満の軟化点を有するものであるのがよ
い。このようなガラスとしては、たとえばB2O3を上
記ガラスより多く添加したSiO2ガラス、上記820
3を上記ガラスより多く添加したSiO2カラスにさら
にP2O5が添加されたガラスであって、前記ガラス管
より屈折率の小さなガラス、あるいは8203を上記ガ
ラスより多く添加したSiO2カラスまたは上記820
3を上記ガラスより多く添加したSt○2ガラスにさら
にP2O5が添加されたガラスであって、前記ガラス管
より屈折率の小さなガラスのいずれかに、フッ素が微量
添加されたガラスなどを具体例としてあげることができ
る。
またコアガラスとして、本発明はGeO2系ガラスを使
用しているが、このGeO2系ガラスとしては、たとえ
ば純GeO2ガラス、5i02ガラスが微量に添加され
たGeO2ガラスなどのガラスを例としてあげることこ
とができる。
用しているが、このGeO2系ガラスとしては、たとえ
ば純GeO2ガラス、5i02ガラスが微量に添加され
たGeO2ガラスなどのガラスを例としてあげることこ
とができる。
(実施例1)
第1図ζ、土本発明の第1の実施例を説明する図であっ
て、1は原料ガス供給部、2は接続用パイプ、3は82
03を約10mol%添加したSiO2ガラス管(出発
ガラス管、15φ×12φ×1000100O,4はガ
ラス管支持部すなわちチャック、5は加熱源、6は管径
測定部、7は回転コネクタ、8はトラップ、9は電磁弁
、10はノズル、l】は排気量制御部である。前記原料
ガス供給部1には、5iC14、GeCl4、PCl3
、BBr3の液体が各容器に入れられており、Arガス
を液体中に供給することにより蒸発させて輸送する。ま
た、他に02ガスおよびSF6ガスが保管されており、
温度制御および流量制御が可能となっている。原料ガス
供給部lは接続用パイプ2を介して出発ガラス管3内に
気体を供給するようになっており、方、この出発ガラス
管3内を通過した気体はトラツブ8を介し、電磁弁9、
ノズル10から排気されるようになっている。出発ガラ
ス管3はチャック4によって支持され、回転コネクタの
作用により回転可能になっている。加熱源5および管径
測定部6は相互に隣接して設けられ、共に出発ガラス管
3の長さ方向に対し、移動可能となっている。さらに、
排気量制御部】1は管径測定部6の信号を受け、電磁弁
9の開閉を制御する。
て、1は原料ガス供給部、2は接続用パイプ、3は82
03を約10mol%添加したSiO2ガラス管(出発
ガラス管、15φ×12φ×1000100O,4はガ
ラス管支持部すなわちチャック、5は加熱源、6は管径
測定部、7は回転コネクタ、8はトラップ、9は電磁弁
、10はノズル、l】は排気量制御部である。前記原料
ガス供給部1には、5iC14、GeCl4、PCl3
、BBr3の液体が各容器に入れられており、Arガス
を液体中に供給することにより蒸発させて輸送する。ま
た、他に02ガスおよびSF6ガスが保管されており、
温度制御および流量制御が可能となっている。原料ガス
供給部lは接続用パイプ2を介して出発ガラス管3内に
気体を供給するようになっており、方、この出発ガラス
管3内を通過した気体はトラツブ8を介し、電磁弁9、
ノズル10から排気されるようになっている。出発ガラ
ス管3はチャック4によって支持され、回転コネクタの
作用により回転可能になっている。加熱源5および管径
測定部6は相互に隣接して設けられ、共に出発ガラス管
3の長さ方向に対し、移動可能となっている。さらに、
排気量制御部】1は管径測定部6の信号を受け、電磁弁
9の開閉を制御する。
これを動作させるには、まずチャック4で支持された出
発ガラス管3を60rpm程度の回転数で回転させ、原
料ガス供給部1からは接続用パイプ2を介して02ガス
500cc/分のみを流す。
発ガラス管3を60rpm程度の回転数で回転させ、原
料ガス供給部1からは接続用パイプ2を介して02ガス
500cc/分のみを流す。
この状態で酸水素バーナなどの加熱源5によって出発ガ
ラス管3を約1100°Cの温度で数回走査(約5〜L
oam/分)加熱し、空焼きを行なう。
ラス管3を約1100°Cの温度で数回走査(約5〜L
oam/分)加熱し、空焼きを行なう。
これはガラス管内壁を非常に滑らかにするためである。
出発カラス管3を軟化点以上に加熱すると、出発ガラス
管3は同心円状に収縮し、管径はより細くなる。この時
の管径を管軽測定部6で測定する。排気量制御部】】に
は予め下限管径が設定してあり、管軽測定部6て測定さ
れた出発カラス管3の管径がこの設定値より大きい場合
には電磁弁9は開放され、管内を流れる気体は抵抗なく
排気される。
管3は同心円状に収縮し、管径はより細くなる。この時
の管径を管軽測定部6で測定する。排気量制御部】】に
は予め下限管径が設定してあり、管軽測定部6て測定さ
れた出発カラス管3の管径がこの設定値より大きい場合
には電磁弁9は開放され、管内を流れる気体は抵抗なく
排気される。
一方、管径か設定値と比較して小さい場合には、排気量
制御部11から電磁弁9に電源を供給することにより、
電磁弁9が閉じ、管内の気体の出口はノズル10のわず
かの間隙のみとなる。原料ガス供給部1からは常時02
ガスが供給されているため、管内の圧力は高まり、出発
カラス管3の加熱部分は収縮しようとする表面張力に打
ち勝ち膨張する。
制御部11から電磁弁9に電源を供給することにより、
電磁弁9が閉じ、管内の気体の出口はノズル10のわず
かの間隙のみとなる。原料ガス供給部1からは常時02
ガスが供給されているため、管内の圧力は高まり、出発
カラス管3の加熱部分は収縮しようとする表面張力に打
ち勝ち膨張する。
この膨張した管径が設定値と一致するかあるいは大きく
なると、排気量制御部11の指示によって電磁弁9が開
放され、管内の圧力は大気圧までFがる。この動作を加
熱源5の移動と共に出発カラス管3の長手方向に行なう
ことにより、設定値にあうように整形することかできる
9 次に前記原料ガス供給部1から500cc/分の02と
共にArガスでバブリングされた12℃、200cc/
分の5iC14,12°C120cc/分(7)PCl
3および12°C1200cc/分のBBr3を流し、
加熱源5によって原料ガスを約1200℃に加熱し、酸
化反応を起こさせ、クラッドとなるP2O5/B2O3
/S i02ガラス薄膜を出発管の内壁に堆積させる。
なると、排気量制御部11の指示によって電磁弁9が開
放され、管内の圧力は大気圧までFがる。この動作を加
熱源5の移動と共に出発カラス管3の長手方向に行なう
ことにより、設定値にあうように整形することかできる
9 次に前記原料ガス供給部1から500cc/分の02と
共にArガスでバブリングされた12℃、200cc/
分の5iC14,12°C120cc/分(7)PCl
3および12°C1200cc/分のBBr3を流し、
加熱源5によって原料ガスを約1200℃に加熱し、酸
化反応を起こさせ、クラッドとなるP2O5/B2O3
/S i02ガラス薄膜を出発管の内壁に堆積させる。
加熱源5を300回程往復させることにより上記ガラス
薄膜を約100μm堆積させる0次に12°C5100
cc/分のGeCl4を500cc/分の02ガスと共
に流し、加熱源5によって約1100’cに加熱し、酸
化反応を生じさせコアとなるGeO2ガラス薄膜を堆積
させる。すなわち、加熱源5を約10回往復させること
によって約5μmのGeO2ガラス薄膜をクラッドガラ
スの内側に堆積させる。最後に加熱源5を1〜2cm/
分の速度で移動させ、排気量制御部11をオフにして約
1500℃に加熱し、3回程度加熱源5を移動させるこ
とによって中実化を行ない中実な円柱母材(約9.2m
mφX500mmL)を作製する。
薄膜を約100μm堆積させる0次に12°C5100
cc/分のGeCl4を500cc/分の02ガスと共
に流し、加熱源5によって約1100’cに加熱し、酸
化反応を生じさせコアとなるGeO2ガラス薄膜を堆積
させる。すなわち、加熱源5を約10回往復させること
によって約5μmのGeO2ガラス薄膜をクラッドガラ
スの内側に堆積させる。最後に加熱源5を1〜2cm/
分の速度で移動させ、排気量制御部11をオフにして約
1500℃に加熱し、3回程度加熱源5を移動させるこ
とによって中実化を行ない中実な円柱母材(約9.2m
mφX500mmL)を作製する。
作製された母材の両端は高温がら室温まで冷却されると
き、コア、クラッドおよび出発ガラス管の材料の違いに
よる線膨張係数の差に依存する応力の発生から母材に割
れが生じる部分である。従って、これを防ぐため第2図
に示すように引き伸ばしておく必要がある。第3図に作
製した母材の断面図、第4図に屈折率分布を示す、e:
材のコア径は約0.5mmである。また、コア、クラッ
ドおよび出発ガラス管の屈折率はそれぞれ1,61.1
.4527および1.454 (波長λ−0,5893
μm)である。
き、コア、クラッドおよび出発ガラス管の材料の違いに
よる線膨張係数の差に依存する応力の発生から母材に割
れが生じる部分である。従って、これを防ぐため第2図
に示すように引き伸ばしておく必要がある。第3図に作
製した母材の断面図、第4図に屈折率分布を示す、e:
材のコア径は約0.5mmである。また、コア、クラッ
ドおよび出発ガラス管の屈折率はそれぞれ1,61.1
.4527および1.454 (波長λ−0,5893
μm)である。
なお、コアおよびクラッドの外径はそれぞれのガラスの
堆積量を変化させることにより、コア径2mm、クラツ
ド径3mmとして多モードファイバ用母材とすることも
可能である。コア径の小さな単一モード用母材は高効率
非線形用に、またコア径の大きな多モード用母材は主と
して長波長域(波長λ=2〜3μm)極低損失ファイバ
用に用いることが可能である。出発ガラス管は、コアと
なるGeO2ガラスの堆積が可能な軟化温度を有するガ
ラスを使用する必要性から決定される。出発ガラス管に
おいてSiO2中のB2O3の含有量が7mo 1%以
下の場合には軟化温度が高すぎるため中実化時にGeO
2コアが蒸発してしまい、逆に13mol%以上の場合
には軟化温度が低すぎるためにGeO2コアおよびクラ
ッドの堆積時に出発ガラス管の収縮が激しすぎるという
問題が生じる。従って、GeO2コアガラスファイバを
作製するためには出発管の軟化温度が重要であり、その
範囲を図示すると第5図のようになる。さらに、クラッ
ド用ガラスとしては本実施例のほかにB2O3/SiO
2ガラスあるいはこれらのガラスにフッ素が添加された
ガラスを使用することもできる。また、コア用ガラスと
しても5i02ガラスか微量に添加されたGeO2ガラ
スを用いることも可能である。なお、本実施例第1図の
加熱源5は酸水素バーナを現しているが、P CV D
(PlasrnaCV D )法では出発ガラス管内
を1.0−7Torrに減圧し、加熱源5としてマイク
ロ波キャビティを用い、2.45GHzのマイクロ波2
00〜1500Wの出力で出発ガラス管を加熱し、発生
するプラズマにより管内面を重点的に加熱しなから上記
コアおよびクラッド薄膜を堆積することができる。
堆積量を変化させることにより、コア径2mm、クラツ
ド径3mmとして多モードファイバ用母材とすることも
可能である。コア径の小さな単一モード用母材は高効率
非線形用に、またコア径の大きな多モード用母材は主と
して長波長域(波長λ=2〜3μm)極低損失ファイバ
用に用いることが可能である。出発ガラス管は、コアと
なるGeO2ガラスの堆積が可能な軟化温度を有するガ
ラスを使用する必要性から決定される。出発ガラス管に
おいてSiO2中のB2O3の含有量が7mo 1%以
下の場合には軟化温度が高すぎるため中実化時にGeO
2コアが蒸発してしまい、逆に13mol%以上の場合
には軟化温度が低すぎるためにGeO2コアおよびクラ
ッドの堆積時に出発ガラス管の収縮が激しすぎるという
問題が生じる。従って、GeO2コアガラスファイバを
作製するためには出発管の軟化温度が重要であり、その
範囲を図示すると第5図のようになる。さらに、クラッ
ド用ガラスとしては本実施例のほかにB2O3/SiO
2ガラスあるいはこれらのガラスにフッ素が添加された
ガラスを使用することもできる。また、コア用ガラスと
しても5i02ガラスか微量に添加されたGeO2ガラ
スを用いることも可能である。なお、本実施例第1図の
加熱源5は酸水素バーナを現しているが、P CV D
(PlasrnaCV D )法では出発ガラス管内
を1.0−7Torrに減圧し、加熱源5としてマイク
ロ波キャビティを用い、2.45GHzのマイクロ波2
00〜1500Wの出力で出発ガラス管を加熱し、発生
するプラズマにより管内面を重点的に加熱しなから上記
コアおよびクラッド薄膜を堆積することができる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明による高Δファイバ母材の
作製方法はMCVD法にあるいはPCVD法という閉管
系を用いているため、低損失化か可能となる利点がある
。
作製方法はMCVD法にあるいはPCVD法という閉管
系を用いているため、低損失化か可能となる利点がある
。
本作製方法による母材から単一モートファイバを作製し
た場合には屈折率差Δ−9,77%、コア径1μmの時
カットオフ波長^c=0.907μm程度となり、同一
光源から従来の石英系単一モードファイバの約100倍
のパワー密度を達成することができる。従って、ラマン
散乱に代表される非線形効果の増大に非常に有効である
。また、・低出力レーザと上記ファイバを組み合わせた
小型のレーザ加工装置、レーザメスの開発に利点がある
。さらに、イメージカイトの分解能の向上にも利点があ
る。
た場合には屈折率差Δ−9,77%、コア径1μmの時
カットオフ波長^c=0.907μm程度となり、同一
光源から従来の石英系単一モードファイバの約100倍
のパワー密度を達成することができる。従って、ラマン
散乱に代表される非線形効果の増大に非常に有効である
。また、・低出力レーザと上記ファイバを組み合わせた
小型のレーザ加工装置、レーザメスの開発に利点がある
。さらに、イメージカイトの分解能の向上にも利点があ
る。
本作製方法による母材からコア径50μm程度の多モー
ドファイバを作製した場合には、光がコア材料GeO2
ガラスにほぼ完全に閉じ込められるため長波長域(2〜
3μm)で極低損失値が達成できるという利点がある。
ドファイバを作製した場合には、光がコア材料GeO2
ガラスにほぼ完全に閉じ込められるため長波長域(2〜
3μm)で極低損失値が達成できるという利点がある。
第1図は本発明による光ファイバ用母材の作製方法を示
す図、第2図は本発明により作製された母材を示す図、
第3図は本発明による母材断面図、第4図は屈折率分布
を示す図、第5図は出発管の軟化温度を示す図、第6図
は従来法による酸化ゲルマニウム系光ファイバの損失波
長特性を示す図、第7図は酸化ゲルマニウム系光ファイ
バの理論的な損失波長特性を示す図である。 12コア、 13・ ・クラッド(合成)、 14第2
クラツド(出発カラス)。
す図、第2図は本発明により作製された母材を示す図、
第3図は本発明による母材断面図、第4図は屈折率分布
を示す図、第5図は出発管の軟化温度を示す図、第6図
は従来法による酸化ゲルマニウム系光ファイバの損失波
長特性を示す図、第7図は酸化ゲルマニウム系光ファイ
バの理論的な損失波長特性を示す図である。 12コア、 13・ ・クラッド(合成)、 14第2
クラツド(出発カラス)。
Claims (1)
- (1)所定のガラス管を保持し、回転させて該ガラス管
内に光ファイバ用ガラス原料ガスおよび酸素を導入し、
該ガラス管を外側あるいは内側から加熱することによっ
て酸化反応を生ぜしめ、該ガラス管内壁にクラッドおよ
びコアとなる酸化物ガラスの層を堆積した後、該ガラス
管を中実化する光ファイバ用母材の作製方法において、
所定のガラス管としてB_2O_3を7〜13mol%
添加したSiO_2ガラス管を用い、クラッドガラスと
して、上記ガラス管より等しいか低い屈折率を有し、か
つコアより低屈折率のガラスを堆積し、コアガラスとし
てGeO_2系ガラスを堆積することを特徴とする高Δ
ファイバ母材の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22776488A JP2739154B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 高△ファイバ母材の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22776488A JP2739154B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 高△ファイバ母材の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0274534A true JPH0274534A (ja) | 1990-03-14 |
JP2739154B2 JP2739154B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=16866011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22776488A Expired - Fee Related JP2739154B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 高△ファイバ母材の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2739154B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2679548A1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-01-29 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication de fibres optiques actives. |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22776488A patent/JP2739154B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2679548A1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-01-29 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication de fibres optiques actives. |
US5364429A (en) * | 1991-07-25 | 1994-11-15 | Alcatel Fibres Optiques | Method of manufacturing active optical fibers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2739154B2 (ja) | 1998-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |