JPH0274157A - Switching power supply - Google Patents
Switching power supplyInfo
- Publication number
- JPH0274157A JPH0274157A JP22703988A JP22703988A JPH0274157A JP H0274157 A JPH0274157 A JP H0274157A JP 22703988 A JP22703988 A JP 22703988A JP 22703988 A JP22703988 A JP 22703988A JP H0274157 A JPH0274157 A JP H0274157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- switching
- metal substrate
- surge absorption
- current prevention
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000009661 fatigue test Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器の電源として利用されるスイッチ
ング電源装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a switching power supply device used as a power source for various electronic devices.
従来の技術
従来のサイリスタとサージ吸収回路とスイッチング素子
とそれらの付属回路部品をプリント配線が印刷された同
一基板上に塔載したスイッチングレギュレータは第4図
の構成であった。即ち、第4図において、1.2は入力
端子で交流電圧を受電する。3は整流回路、3′は平滑
コンデンサで交流電圧を整流し、脈流分を平滑し、直流
に変換する。4は突入電流防止回路で、回路動作を開始
する時平滑コンデンサ3′を充電するために発生する突
入電流を抑制する。6は起動抵抗で制御回路10を起動
させる。抵抗6とコンデンサ7はサージ吸収回路でスイ
ッチングトランス11の1次巻線Np間に発生するサー
ジ電圧を吸収する。スイッチング回路8は制御回路10
からの信号により直流を高周波交流に変換する。9は突
入電流防止回路4と起動抵抗ら、サージ吸収回路の抵抗
6とコンデンサ7、スイッチング回路8を一つのブロッ
クとしてプリント配線が印刷された金属基板上に塔載し
た金属基板ブロックである。2. Description of the Related Art A conventional switching regulator in which a thyristor, a surge absorption circuit, a switching element, and their associated circuit components are mounted on the same board on which printed wiring is printed has the configuration shown in FIG. That is, in FIG. 4, 1.2 receives an AC voltage at an input terminal. 3 is a rectifier circuit, and 3' is a smoothing capacitor that rectifies the AC voltage, smoothes the ripple current, and converts it into DC. Reference numeral 4 denotes a rush current prevention circuit, which suppresses the rush current generated to charge the smoothing capacitor 3' when starting circuit operation. 6 is a starting resistor that starts the control circuit 10. The resistor 6 and the capacitor 7 are a surge absorption circuit that absorbs the surge voltage generated between the primary winding Np of the switching transformer 11. The switching circuit 8 is a control circuit 10
converts direct current into high-frequency alternating current using signals from the Reference numeral 9 denotes a metal substrate block in which an inrush current prevention circuit 4, a starting resistor, a resistor 6 of a surge absorption circuit, a capacitor 7, and a switching circuit 8 are mounted as one block on a metal substrate on which printed wiring is printed.
通常、起動抵抗6とサージ吸収回路の抵抗6は各々の消
費電力に応じたチップ抵抗が使用され、入力2oO〜2
40v、出力1oowクラスノスイノチング電源では、
起動抵抗6がO,S W(5,OX 2.5 fl )
のチップ抵抗が使用され、サージ吸収回路の抵抗6は1
W(θ、3x3.16mg)のチップ抵抗が2本使用さ
れる。Usually, chip resistors are used as the starting resistor 6 and the resistor 6 of the surge absorption circuit, depending on the power consumption of each.
40v, output 1oow Krasnosinoching power supply,
Starting resistor 6 is O, SW (5, OX 2.5 fl)
chip resistors are used, and the resistor 6 of the surge absorption circuit is 1
Two chip resistors of W(θ, 3×3.16 mg) are used.
次に前記従来例の動作について説明する。第4図におい
て、入力端子1,2に交流電圧が受電されると整流回路
3および平滑コンデンサ3′ で交流電圧を整流、脈流
分を平滑し直流に変換する。Next, the operation of the conventional example will be explained. In FIG. 4, when an alternating current voltage is received at input terminals 1 and 2, the rectifier circuit 3 and smoothing capacitor 3' rectify the alternating voltage, smooth the pulsating current, and convert it into direct current.
この時、回路動作を開始する直前の突入電源は、突入電
流防止回路4で制限される。平滑コンデンサ3′の両端
に発生した直流電圧がある規定値以上になると起動抵抗
5を通じて制御回路1oが動作を開始し、スイッチング
回路8を動作させるための信号を発生する。この信号に
よりスイッチング回路8が動作を開始すると前記直流電
圧は高周波交流電圧に変換される。変換された高周波交
流電圧は、スイッチングトランス11を介して2次側の
整流平滑回路14に加えられ出力に直流電圧を発生させ
る。一方、スイッチング回路8をはじめ金属基板塔載部
品は著しく発熱するが、この熱は金属基板ブロック9の
金属基板を通じて外部に放熱する。At this time, the inrush power supply immediately before starting the circuit operation is limited by the inrush current prevention circuit 4. When the DC voltage generated across the smoothing capacitor 3' exceeds a certain specified value, the control circuit 1o starts operating through the starting resistor 5 and generates a signal for operating the switching circuit 8. When the switching circuit 8 starts operating in response to this signal, the DC voltage is converted into a high frequency AC voltage. The converted high-frequency AC voltage is applied to the rectifying and smoothing circuit 14 on the secondary side via the switching transformer 11 to generate a DC voltage at the output. On the other hand, the parts mounted on the metal substrate, including the switching circuit 8, generate significant heat, and this heat is radiated to the outside through the metal substrate of the metal substrate block 9.
発明が解決しようとする課題
以上のような従来の回路では、チップ抵抗の材質である
セラミックと金属基板の線膨張係数が異なるため、実動
作における低周波の温度変化によってチップ抵抗と金属
基板の半田接続部に繰り返しストレスが印加され、半田
クラックが発生し短寿命になる。又、寿命の確保のため
には実動作における金属基板の低周波の温度変化ΔTc
を小さく抑えねばならず、部品の大型化とコストア
ップを招くという課題があった。Problems to be Solved by the Invention In the conventional circuits described above, the linear expansion coefficients of the ceramic material of the chip resistor and the metal substrate are different. Repeated stress is applied to the connection parts, causing solder cracks and shortening the lifespan. In addition, in order to ensure longevity, it is necessary to reduce the low frequency temperature change ΔTc of the metal substrate during actual operation.
had to be kept small, leading to larger parts and higher costs.
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、半田クラッ
クによる短寿命の改善および部品の小形化とコストダウ
ンを目的とする。The present invention has been made in view of these points, and aims to improve the short life caused by solder cracks, and to reduce the size and cost of parts.
課題を解決するだめの手段
上記課題を解決するために本発明は、サイリスタとサー
ジ吸収回路とそれらの付属部品をプリント配線が印刷さ
れた同一金属基板上に塔載し、金属基板上のチップ抵抗
は3.2X1.6.のチップ抵抗を複数個同一回路部に
組み合わせるように構成したものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention mounts a thyristor, a surge absorption circuit, and their attached parts on the same metal substrate on which printed wiring is printed, and a chip resistor on the metal substrate. is 3.2X1.6. A plurality of chip resistors are combined into the same circuit section.
作用
前記構成とすることによシ、金属基板の低周波温度変化
に対するチップ抵抗と金属基板の半田接続部に発生する
半田クラックによる短寿命が改善される。Effects With the above structure, chip resistance against low-frequency temperature changes of the metal substrate and short life due to solder cracks occurring at the solder connection portion of the metal substrate can be improved.
実施例 以下、本発明の実施例を添付の図面を用いて説明する。Example Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
第1図は、本発明のスイッチング電源装置の一実施例で
ある。1,2は入力端子、3は整流回路、3′は平滑コ
ンデンサ、4は突入電流防止回路、10は制御回路、1
1はスイッチングトランス、Npはスイッチングトラン
スの1次巻線、13は起動抵抗、12.12’、7はサ
ージ吸収回路の抵抗とコンデンサ、8はスイッチング回
路、14は整流平滑回路、9は突入電流防止回路4と起
動抵抗13.サージ吸収回路の抵抗12とコンデンサ7
、スイッチング回路8を一つのブロックとしてプリント
配線が印刷されたアルミニウム基板上に塔載したアルミ
ニウム基板ブロックである。FIG. 1 shows an embodiment of the switching power supply device of the present invention. 1 and 2 are input terminals, 3 is a rectifier circuit, 3' is a smoothing capacitor, 4 is an inrush current prevention circuit, 10 is a control circuit, 1
1 is the switching transformer, Np is the primary winding of the switching transformer, 13 is the starting resistor, 12.12', 7 is the resistor and capacitor of the surge absorption circuit, 8 is the switching circuit, 14 is the rectifier smoothing circuit, 9 is the rush current Prevention circuit 4 and starting resistor 13. Resistor 12 and capacitor 7 of surge absorption circuit
This is an aluminum substrate block in which the switching circuit 8 is mounted as one block on an aluminum substrate on which printed wiring is printed.
起動抵抗13とサージ吸収回路の抵抗12.12’は各
々の消費電力に応じて3.2 X 1.6 mのチップ
抵抗(V4W)を複数個組み合わせて構成される。The starting resistor 13 and the resistors 12 and 12' of the surge absorption circuit are constructed by combining a plurality of chip resistors (V4W) each having a size of 3.2 x 1.6 m depending on the respective power consumptions.
第1図の例では起動抵抗0.6Wに対して3.2wX1
.6111+チツプ抵抗を2個、サージ吸収回路の抵抗
12は2Wに対して同じく8個の組み合わせで構成され
ている。In the example in Figure 1, the starting resistance is 3.2w x 1 for 0.6W.
.. Two 6111+chip resistors and eight resistors 12 of the surge absorption circuit for 2W are constructed.
回路動作は、従来例と同様であるので省略する。The circuit operation is the same as that of the conventional example, so a description thereof will be omitted.
上記回路にて低周波の温度変化に対するアルミニウム基
板とチップ抵抗の半田接続部の半田クラツクによる寿命
についての試験を行った。試験条件は、第2図に示すよ
うに、スイッチング電源として4分ON、2分OFFの
動作を繰り返し行い、アルミニウム基板裏面の温度ΔT
c を変化させて行った。試験結果を第3図に示す。A test was conducted on the lifespan of the above circuit due to solder cracks at the solder joint between the aluminum substrate and the chip resistor due to low frequency temperature changes. As shown in Figure 2, the test conditions were to repeatedly turn on the switching power supply for 4 minutes and turn it off for 2 minutes, and to reduce the temperature ΔT on the back side of the aluminum substrate.
This was done by varying c. The test results are shown in Figure 3.
次に半田クランクに対する寿命推定式について述べる。Next, we will discuss the life estimation formula for solder cranks.
微細半田接続部の疲労はチップ−基板間の相対変位が使
用中の温度変化により繰シ返し発生するため、塑性変形
を伴なう高温低サイクル疲労となる。このような低サイ
クル疲労は、疲労寿命Nfが塑性歪振幅Δε、に依存す
るとしたコフィンーマンソ7(Coffin−Mans
on)の実験式が良く成り立つことが知られている。Fatigue of minute solder connections occurs repeatedly due to relative displacement between the chip and the board due to temperature changes during use, resulting in high-temperature, low-cycle fatigue accompanied by plastic deformation. Such low cycle fatigue is explained by Coffin-Manso 7, who states that the fatigue life Nf depends on the plastic strain amplitude Δε.
It is known that the empirical formula for (on) holds well.
疲労寿命Nf=K (Δεp)−〇 ・・・・・
・(1)ここでに、nは定数である。Fatigue life Nf=K (Δεp)−〇 ・・・・・・
-(1) Here, n is a constant.
亀裂進展速度に対する周波数fや最高温度”m&Xの効
果を考慮すると(1)式は次式となる。Considering the effects of the frequency f and the maximum temperature "m&X" on the crack growth rate, equation (1) becomes the following equation.
N、=Of’(Δεp) exp(E/KT!Ila
り −・−・−(2)ここでC1λ、nは定数、Kは活
性化エネルギ、Xはボルツマン定数である。種々の金属
材料に対して各定数が求められている。まず周波数rの
影響についてニッケル(ICckθ1)、ボーン(Go
hn)、 エリス(Kllis)およびノリス(No
rris )らはそれぞれ独立に鉛合金について行った
疲労試験の結果から定数λは約発になるとした。最高温
度が疲労破壊に及ぼす影響は5sPb−ssn半田につ
いてサウザーン リサーチ インスティテユート(So
uthern Re5earchInstitute
)による結果から活性化エネルギーEとして0.123
θVが得られている0以上の結果を総合すると半田接続
部に対する疲労寿命式は、
Nf−Of新Δεp)−”eXp(0,123(eV)
/KTmax・・・・・・((9)
となる。N,=Of'(Δεp)exp(E/KT!Ila
-····−(2) Here, C1λ, n is a constant, K is activation energy, and X is Boltzmann's constant. Each constant has been determined for various metal materials. First, regarding the influence of frequency r, nickel (ICckθ1), bone (Go
hn), Kllis and Norris (No.
Based on the results of fatigue tests conducted independently on lead alloys, the constant λ was determined to be approximately equal to λ. The effect of maximum temperature on fatigue failure was determined by the Southern Research Institute (So
uthern Re5earch Institute
), the activation energy E is 0.123
Combining the results obtained for θV of 0 or more, the fatigue life formula for soldered joints is: Nf - Of new Δεp) - "eXp (0,123 (eV)
/KTmax...((9)).
第3図のMIN値について解析する。The MIN value in FIG. 3 will be analyzed.
前記(1)式の疲労寿命をアルミニウム基板の温度ΔT
cの関数として書くと次のようになる。The fatigue life of the above equation (1) is determined by the temperature ΔT of the aluminum substrate.
When written as a function of c, it becomes as follows.
Nf=K(Δtp )−嘔K((αツー224)−”・
ΔTc−” −−−−−−(41又、(2)式は、
Nf=Of”((αツーα2)l/2)−”・ΔTc−
”eXp””may’・、・・・・・(@
となる。ここでαツはアルミニウム基板の線膨張率、C
2はチップ抵抗(アルミナベース)の線膨張率、lはチ
ップ抵抗の長さを表わす。Nf=K(Δtp)−K((α224)−”・
ΔTc−” −−−−−−(41 Also, formula (2) is Nf=Of”((α2α2)l/2)−”・ΔTc−
"eXp""may'... (@) where αtsu is the coefficient of linear expansion of the aluminum substrate, C
2 represents the coefficient of linear expansion of the chip resistor (alumina base), and l represents the length of the chip resistor.
第3図のMIN値は両対数グラフ上において三つのプロ
ットがほぼ直線上に乗ることから(4)式。The MIN value in FIG. 3 is calculated by formula (4) since the three plots are almost on a straight line on the logarithmic graph.
(四式が成り立つことが明らかである。その傾きからn
台3.6を知ることができる。IC=0.1236V;
ス=発として解析を進める。(It is clear that the four equations hold true. From its slope, n
You can know 3.6. IC=0.1236V;
Proceed with the analysis based on the starting point.
N =Of” ((a + −(Z ! ) l/2
)−”ΔTa−”exp(0−123(6V ) Z
K TII&! ) ・・・・・・(@(6)
式に条件と結果を代入してCを求める。N = Of” ((a + −(Z!) l/2
)-”ΔTa-”exp(0-123(6V) Z
KTII&! ) ・・・・・・(@(6)
Find C by substituting the conditions and results into the equation.
ΔTO= 80’Cの時 N f= 10700サイ
クルΔTc= 70’Cの時 Nf= 6400サ
イクルΔτo=1oo℃の時 Nf= 1685サイ
クルf = 2.778 X 10−’H1(周期6分
)、fIA=0.1406 、Tm1L!= 100’
C= 373°K 、 K=1.3806X10−2’
J/’K 115V==1.8 X 10−”J
a =τ
2−4 X 10 / ℃a z −0−7X 10
/ ’C、l =3.2頭
従って、それぞれの温度でのCを求めるとΔTc=eo
°Cの時 C=1.540X10−’ΔTO= 70
℃の時 C=1.804X10−7ΔTC=100”
Oの時 0 = 1.525 X 10−’以上のよ
うにGはほぼ一致し、平均でC=1.556X10
となる。When ΔTO = 80'C Nf = 10700 cycles When ΔTc = 70'C Nf = 6400 cycles When Δτo = 1oooC Nf = 1685 cycles f = 2.778 x 10-'H1 (period 6 minutes), fIA =0.1406, Tm1L! = 100'
C=373°K, K=1.3806X10-2'
J/'K 115V==1.8 X 10-"J
a = τ 2-4 X 10 / ℃az -0-7X 10
/ 'C, l = 3.2 heads Therefore, to find C at each temperature, ΔTc = eo
At °C C=1.540X10-'ΔTO=70
At ℃ C=1.804X10-7ΔTC=100"
When O, 0 = 1.525 x 10-', G almost matches, and on average C = 1.556 x 10
becomes.
従って仮説が成り立つことが証明され、求める実験式は
N(=1.558 X 1o−’r発・((αツーα2
) l/2 )−36ΔTc−eXp(0,123/K
T、、、) −・−・−(8)となる。Therefore, it is proven that the hypothesis holds true, and the experimental formula to be obtained is N(=1.558
) l/2 )-36ΔTc-eXp(0,123/K
T,,,) -・-・-(8).
ΔTc の設計基準は、前記(8)式および用途によ
って決定される。(用途によって要求されるNfが異な
るため)表1にチップ抵抗のサイズと用途別(ファクシ
ミリ、PPO,パソコン)の許容できるΔTcについて
示す。The design standard for ΔTc is determined by the above equation (8) and the application. Table 1 shows the size of the chip resistor and the allowable ΔTc for each application (facsimile, PPO, personal computer) (because the required Nf differs depending on the application).
上記衣1よシチップ抵抗を%W (3,2X 1.6鵡
)使用の場合、使用温度範囲(許容できるΔTc)が1
W (6,3X3.1 elB )の約100%アップ
。When using the above cloth 1 and chip resistance of %W (3.2X 1.6cm), the operating temperature range (allowable ΔTc) is 1
Approximately 100% increase in W (6.3 x 3.1 elB).
IW (sX2.5m)の約60%アップとなる。Approximately 60% increase in IW (sX2.5m).
また、(81式により算出した寿命の比率を表2に示す
。In addition, Table 2 shows the ratio of lifespan calculated using Formula 81.
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば低周波温度変化
に対するチップ抵抗と金属基板の半田接続部に発生する
半田クラックによる短寿命が改善され、又寿命確保のだ
めの実動作における低周波の温度変化ΔTcを大きくす
ることができ、部品の小型化とコストダウンを図ること
ができ、極めて有用なものである。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the chip resistance against low frequency temperature changes and the short life caused by solder cracks that occur in the solder connection part of the metal substrate are improved, and the short life caused by solder cracks that occur in the solder connection part of the metal substrate is improved, and the short life is improved in actual operation to ensure the life. It is extremely useful because it can increase the temperature change ΔTc of the frequency, and it can reduce the size and cost of parts.
第1図は本発明の実施例におけるスイッチング電源装置
の金属基板ブロックの回路構成図、第2図は寿命試験の
条件図、第3図は試験結果を示す特性図、第4図は従来
の金属基板ブロックを含むスイッチング電源装置の回路
構成図である。
3・・・・・・整流回路、3′・・・・・・平滑コンデ
ンサ、4・・・・・・突入電流防止回路、6,13・・
・・・・起動抵抗、6.12・・・・・・サージ吸収回
路の抵抗、7・・・・・・サージ吸収回路のコンデンサ
、8・・・・・・スイッチング回路、9・・・・・・金
属基板ブロック、1o・・・・・・制御回路、11・・
・・・・スイッチングトランス、Np・・・・・・スイ
ッチングトランスの1次巻線、ΔTc・・・・・・金属
基板の温度変化。
代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名1.
2−
3゛−
8−・・
7 “−
10=−
11・−
ス 力 鵡 子
瞥Ft日路
平滑コンナソサ
突入電流防止口$
ナージca収tiJ酪のコンチンす
ス イ −y + ソ ラ lil 舅i金属
茎凝うロック
11卸回路
スイ−y+ンジトラソズ
ATC・−
金¥&It俵の二屓変イし
乙Tc
(dey )
3−゛。
4 ・・・
I 遣 日 路
平滑コツ手ンサ
戻入を汽防正日2
起t!J巳批
(05W、5.0 w 2.rmmの+ツブに抗1r)
7 ゛
8−・
? −・
11 ・・・
!4゛
Np・・・
サージ吠収回路のコン手ンサ
スイー/+ソジ田賂
金lLt飯うロック
制fIJ回路
スイッ+ンクトランス
![EfllL”Fl EI31!
スイッチンットランスの1次啓廠Fig. 1 is a circuit configuration diagram of a metal substrate block of a switching power supply according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a life test condition diagram, Fig. 3 is a characteristic diagram showing test results, and Fig. 4 is a conventional metal board block diagram. FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a switching power supply device including a substrate block. 3... Rectifier circuit, 3'... Smoothing capacitor, 4... Inrush current prevention circuit, 6, 13...
...Starting resistance, 6.12... Resistance of surge absorption circuit, 7... Capacitor of surge absorption circuit, 8... Switching circuit, 9... ...Metal board block, 1o...Control circuit, 11...
... Switching transformer, Np ... Primary winding of switching transformer, ΔTc ... Temperature change of metal substrate. Name of agent: Patent attorney Shigetaka Awano and one other person 1.
2- 3゛- 8-... 7 "- 10=- 11... i Metal stem lock 11 wholesale circuit suite - y + Njitrasoz ATC - gold yen & It bale's two-part change I Tc (dey) 3-゛. Hosho Day 2 Ki t!J Miku (05W, 5.0 w 2.rmm against +1r)
7゛8-・? -・11...! 4゛Np... Surge collection circuit conversion/+ Sojida bribe money lLt rice lock system fIJ circuit switch + link transformer! [EfllL”Fl EI31! Switching Lance’s Primary Encyclopedia
Claims (1)
回路とスイッチング回路を含む1次側回路とスイッチン
グトランスと2次側整流平滑回路から成り、前記スイッ
チング回路を含む1次側回路は前記入力整流回路のプラ
ス端子に突入電流防止回路の一端を接続し、平滑用コン
デンサの陽極およびスイッチングトランス1次巻線の一
端の接続点に突入電流防止回路の他端とサージ吸収回路
の一端を接続し、スイッチングトランスの1次巻線の他
端とサージ吸収回路の他端および平滑用コンデンサの陰
極をスイッチング回路に接続し、前記の突入電流防止回
路とサージ吸収回路とスイッチング回路とそれらの付属
回路部品をプリント配線が印刷された同一金属基板上に
塔載し、前記金属基板上のチップ抵抗は3.2×1.6
mmのチップ抵抗を複数個同一回路部に組み合わせて成
るスイッチング電源装置。It is composed of a primary side circuit including at least an input rectifying circuit, a control circuit, and a switching circuit, a switching transformer, and a secondary rectifying and smoothing circuit with an AC power input as input, and the primary side circuit including the switching circuit is connected to the positive side of the input rectifying circuit. Connect one end of the inrush current prevention circuit to the terminal, connect the other end of the inrush current prevention circuit and one end of the surge absorption circuit to the connection point of the anode of the smoothing capacitor and one end of the switching transformer primary winding, and The other end of the primary winding, the other end of the surge absorption circuit, and the cathode of the smoothing capacitor are connected to the switching circuit, and the above-mentioned inrush current prevention circuit, surge absorption circuit, switching circuit, and their attached circuit components are connected by printed wiring. It is mounted on the same printed metal substrate, and the chip resistance on the metal substrate is 3.2×1.6.
A switching power supply device that combines multiple mm chip resistors in the same circuit section.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22703988A JPH0274157A (en) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | Switching power supply |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22703988A JPH0274157A (en) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | Switching power supply |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0274157A true JPH0274157A (en) | 1990-03-14 |
Family
ID=16854571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22703988A Pending JPH0274157A (en) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | Switching power supply |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0274157A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5738563A (en) * | 1995-03-07 | 1998-04-14 | Kao Corporation | Substrate chamfering machine |
JPH11220883A (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Origin Electric Co Ltd | Rectifier circuit with rush-current preventive function and onboard power supply device |
JPH11225475A (en) * | 1998-02-03 | 1999-08-17 | Origin Electric Co Ltd | On-board power supply |
WO2009109571A2 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Fuerus Sven | Marine security system |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22703988A patent/JPH0274157A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5738563A (en) * | 1995-03-07 | 1998-04-14 | Kao Corporation | Substrate chamfering machine |
JPH11220883A (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Origin Electric Co Ltd | Rectifier circuit with rush-current preventive function and onboard power supply device |
JPH11225475A (en) * | 1998-02-03 | 1999-08-17 | Origin Electric Co Ltd | On-board power supply |
WO2009109571A2 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Fuerus Sven | Marine security system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS58136072A (en) | Fixing device of copying machine | |
JP2003088100A (en) | Switching power supply | |
US6153856A (en) | Low magnetic field emitting electric blanket | |
JPH0274157A (en) | Switching power supply | |
JP2007511995A (en) | Switch mode power supply | |
JP4294928B2 (en) | Stabilized power supply | |
KR100761980B1 (en) | A temperature control circuit for heating mat | |
JP4385393B2 (en) | Connection structure between printed circuit board and heat sink | |
JPS6349875B2 (en) | ||
JPH03503816A (en) | Discharge lamp control device | |
JP3215273B2 (en) | Switching power supply | |
JPS60167683A (en) | Power source | |
KR940005666Y1 (en) | Inverter protection citcuit of microwave oven | |
KR200310607Y1 (en) | Hot wire control device using DC power | |
JP5127032B2 (en) | Capacitor drop power supply circuit and power control device | |
JPH03178555A (en) | Inductance circuit and switching power source using the same | |
JPH066970A (en) | Switching power supply | |
JPH0235761A (en) | Thermoelectric converting module | |
JPS5838485A (en) | Ptc heater unit | |
JPH02204992A (en) | High frequency heating device | |
JPH07110720A (en) | Drop type power source | |
JPS60189889A (en) | High frequency heater | |
JPS58112469A (en) | Output rectifying circuit | |
JPH10243654A (en) | Capacitor drop type power circuit | |
JPS6043076A (en) | Dc power source |