【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
【産業上の利用分野］
この発明は、半導体基板上に形成されたスパイラルインダクタ等の電磁波を発生する装置からの電磁波を遮断するようにした半導体装置に関する。
【従来の技術】[Industrial application field]
The present invention relates to a semiconductor device that blocks electromagnetic waves from a device that generates electromagnetic waves, such as a spiral inductor formed on a semiconductor substrate.
[Conventional technology]
例えば特開昭６３−４８８０９号、同６３−４８８５５
号、同６３−４８８５６号公報に開示されるように、半
導体基板上にスパイラルインダクタやコンデンサを形成
した半導体装置がある。For example, JP-A-63-48809, JP-A-63-48855
As disclosed in No. 63-48856, there is a semiconductor device in which a spiral inductor and a capacitor are formed on a semiconductor substrate.
【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]
上記のような、スパイラルインダクタ等を形成した半導
体装置においては、これらから電磁波が発生するので、
隣接する半導体装置に誤動作等の悪影響を及ぼす恐れが
ある。
［発明の目的］
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって
、半導体基板上に形成された電磁波を発生する装置を電
磁シールドして、発生した電磁波により隣接する半導体
装置に悪影響を及ぼすことを防止した半導体装置を提供
することを目的とする。In a semiconductor device such as the one described above, in which a spiral inductor or the like is formed, electromagnetic waves are generated from these.
There is a risk of adverse effects such as malfunction on adjacent semiconductor devices. [Purpose of the Invention] The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and includes electromagnetic shielding of a device that generates electromagnetic waves formed on a semiconductor substrate so that the generated electromagnetic waves do not adversely affect adjacent semiconductor devices. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device which prevents this from occurring.
【課題を解決するための手段１
この発明は、半導体基板上に形成された電磁波を発生す
る装置の周囲を、導電性物質で形成された遮蔽枠で囲む
と共に、前記電磁波を発生する装置の上側を絶縁膜を介
して導電性物質からなる蓋部により被って半導体装置を
形成し、上記目的を達成するものである。
【作用］
この発明において、電磁波を発生する装置の周囲が、導
電性物質で形成された遮蔽枠で囲まれ、且つ、上側は絶
縁膜を介して導電性物質により被われているので、電磁
波を発生する装置からの電磁波が遮蔽され、隣接する半
導体装置に悪影響を及ぼすことが防止される。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
この実施例は、第１図及び第２図に示されるように、３
ｉ基板１０上のＳ！ ０２膜上に形成されたアルミ１層
からなるスパラルインダクタ１２の周囲を、アルミ１層
で形成された遮蔽枠１４で囲むと共に、前記スパイラル
インダクタ１２の上側をＳ： ０２膜１６を介してアル
ミ２層からなる蓋部１８により被って、半導体装置を形
成したものである。
前記スパイラルインダクタ１２の外周と遮蔽枠１４との
間は、５１０２膜からなる分離領域２０とされている。
前記遮蔽枠１４及び蓋部１８は端子により接地されてい
る。
この実施例においては、スパイラルインダクタ１２から
電磁波が発生しても、該スパイラルインダクタ１２が、
アルミ膜からなる遮蔽枠１４及び蓋部１８により囲まれ
ているので、電磁波の漏洩が大幅に低減され、周囲の半
導体装置に悪影響を及ぼすことが防止される。
次に、第３図に示される本発明の第２実施例につき説明
する。
この第２実施例は、ｎ型基板２２上に、５ｈ０２膜２４
を形成すると共に、このＳｉ○２膜２４上２４上イラル
インダクタ１２を形成したものである。
ここで、前記ｎ型基板２２における前記スパイラルイン
ダクタ１２に対向する上面は、導電領域とされている。
又、この第２実施例においては、遮蔽枠１４とＰ型基盤
２２及び蓋部１８との間のＳｉ ０２膜１６．２４にス
ルーホール２６が形成され、ここに導電体２８が設けら
れ、これにより、ｎ型基板２２を介して蓋部１８及び遮
蔽枠１４が接地されている。
この実施例においては、遮蔽枠１４及び蓋部１８を接地
するための端子が不要となると共に、スパイラルインダ
クタ１２を蓋部１８とｎ型基板２２の導電領域とで挾み
込むようにしているので、該スパイラルインダクタ１２
に発生する電磁波を更に確実に遮蔽することができる。
ここで、上記第２実施例はｎ型基板２２上にスパイラル
インダクタ１２を形成したものであるが、これがｎ型基
板の場合も同様である。
又、前記第１及び第２実施例において、蓋部１８はアル
ミ２層から形成されているが、このアルミ２層を他の半
導体装置において、例えばアルミ２層膜に代わってポリ
３ｉ膜を利用する場合は、該蓋部１８に該当する部分を
ノンドーピング又は低ドーピングとし、その抵抗値を周
囲と比較して高く設定するとよい。
このように蓋部１８の抵抗値を高くすると、該蓋部１８
に生じる電磁波に基づく渦電流を効率良く熱に変換して
、電磁波の効果的減衰を図ることができる。
又、上記実施例において、スパイラルインダクタ１２は
アルミ１層のみから形成されているが、本発明はこれに
限定されるものでなく、アルミ１層及び２層の２層構成
の場合にも適用されるものである。この場合は、蓋部を
アルミ３層によって構成する。又、アルミ層は導電性物
質であれば他の金属等であってもよい。
なお、上記実施例は、スパイラルインダクタ１２を電磁
シールドするものであるが、この発明は、スパイラルイ
ンダクタ以外の、例えばコンデンサ等の、電磁波を発生
する装置について一般的に適用されるものである。
【発明の効果】
本発明は、上記のように構成したので、スパイラルイン
ダクタ等の電磁波を発生する装置の周囲を電磁シールド
して、電磁波の漏洩による隣接する半導体装置の誤動作
等の悪影響を低減させることができるという優れた効果
を有する。[Means for Solving the Problems 1] The present invention surrounds a device that generates electromagnetic waves formed on a semiconductor substrate with a shielding frame made of a conductive material, and provides an upper surface of the device that generates electromagnetic waves. The above object is achieved by covering the semiconductor device with a lid made of a conductive material via an insulating film to form a semiconductor device. [Function] In this invention, the device that generates electromagnetic waves is surrounded by a shielding frame made of a conductive material, and the upper side is covered with the conductive material via an insulating film, so that the device that generates electromagnetic waves can be protected from electromagnetic waves. Electromagnetic waves generated by the device are shielded, and adverse effects on adjacent semiconductor devices are prevented. (Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, as shown in FIG. 1 and FIG.
S! on the i-board 10! The spiral inductor 12 made of one layer of aluminum formed on the 02 film is surrounded by a shielding frame 14 made of one layer of aluminum, and the upper side of the spiral inductor 12 is covered with aluminum via the S: 02 film 16. A semiconductor device is formed by covering with a lid portion 18 consisting of two layers. Between the outer periphery of the spiral inductor 12 and the shielding frame 14 is a separation region 20 made of 5102 membrane. The shielding frame 14 and the lid portion 18 are grounded through terminals. In this embodiment, even if an electromagnetic wave is generated from the spiral inductor 12, the spiral inductor 12
Since it is surrounded by the shielding frame 14 and the lid part 18 made of an aluminum film, leakage of electromagnetic waves is significantly reduced and adverse effects on surrounding semiconductor devices are prevented. Next, a second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described. In this second embodiment, a 5h02 film 24 is formed on an n-type substrate 22.
At the same time, an inductor 12 is formed on the Si2 film 24. Here, the upper surface of the n-type substrate 22 facing the spiral inductor 12 is a conductive region. Further, in this second embodiment, a through hole 26 is formed in the Si 02 film 16.24 between the shielding frame 14, the P-type substrate 22, and the lid part 18, and a conductor 28 is provided therein. Therefore, the lid portion 18 and the shielding frame 14 are grounded via the n-type substrate 22. In this embodiment, there is no need for a terminal for grounding the shielding frame 14 and the lid 18, and the spiral inductor 12 is sandwiched between the lid 18 and the conductive region of the n-type substrate 22. spiral inductor 12
It is possible to more reliably shield electromagnetic waves generated by Here, in the second embodiment, the spiral inductor 12 is formed on an n-type substrate 22, but the same applies when this is an n-type substrate. Further, in the first and second embodiments, the lid portion 18 is formed of two aluminum layers, but this two aluminum layer may be used in other semiconductor devices, for example, by using a poly 3i film instead of the two aluminum layers. In this case, the portion corresponding to the lid portion 18 may be non-doped or lightly doped, and its resistance value may be set higher than that of the surrounding area. When the resistance value of the lid part 18 is increased in this way, the lid part 18
It is possible to efficiently attenuate electromagnetic waves by efficiently converting eddy currents caused by electromagnetic waves into heat. Further, in the above embodiment, the spiral inductor 12 is formed of only one layer of aluminum, but the present invention is not limited to this, and can also be applied to a two-layer structure of one layer and two layers of aluminum. It is something that In this case, the lid is made of three layers of aluminum. Further, the aluminum layer may be made of other metals as long as it is a conductive material. Although the above-described embodiment electromagnetically shields the spiral inductor 12, the present invention is generally applicable to devices other than spiral inductors, such as capacitors, which generate electromagnetic waves. [Effects of the Invention] Since the present invention is configured as described above, it is possible to electromagnetically shield the periphery of a device that generates electromagnetic waves such as a spiral inductor, thereby reducing adverse effects such as malfunction of adjacent semiconductor devices due to leakage of electromagnetic waves. It has the excellent effect of being able to
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]
第１図は本発明に係る半導体装置の実施例を示す分解斜
視図、第２図は同実施例の断面図、第３図は本発明の第
２実施例を示す第２図と同様の断面図である。
１０・・・３ｉ基板、
１２・・・スパイラルインダクタ、
１４・・・遮蔽枠、
１６・・・５１０２膜、
１８・・・蓋部、
２２・・・ｐ型基板、
２８・・・導電体。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the same embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view similar to FIG. 2 showing a second embodiment of the present invention. It is a diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... 3i substrate, 12... Spiral inductor, 14... Shielding frame, 16... 5102 film, 18... Lid part, 22... P-type substrate, 28... Conductor.