JPH0269925A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH0269925A JPH0269925A JP63221792A JP22179288A JPH0269925A JP H0269925 A JPH0269925 A JP H0269925A JP 63221792 A JP63221792 A JP 63221792A JP 22179288 A JP22179288 A JP 22179288A JP H0269925 A JPH0269925 A JP H0269925A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体素子の製造技術に関するものであり
、特に、シリコシから成るウェーハ(こ所望の材料から
成るエピタキシャル層を成長させた後のホトリソ工程で
、ホトマスクの位置合わせか容易となるオートアライメ
ント技術に関する。
、特に、シリコシから成るウェーハ(こ所望の材料から
成るエピタキシャル層を成長させた後のホトリソ工程で
、ホトマスクの位置合わせか容易となるオートアライメ
ント技術に関する。
(従来の技術)
従来、種々の半導体素子を製造する(こ当って、ホトリ
ン工程か広く利用されでいる。周知のように、ホトリソ
工程では、ウェーハ上の設計に応した位百に、所定のレ
ジストパターンを形成するプロセスが重要となっている
。
ン工程か広く利用されでいる。周知のように、ホトリソ
工程では、ウェーハ上の設計に応した位百に、所定のレ
ジストパターンを形成するプロセスが重要となっている
。
上述のプロセスのうち、特に、ウェーハとホトマスクと
を重ね合わせる際の位置決めは最も重要であり、所謂、
アライメント技術として種々の提案かなされている。こ
のアライメント技術は、ウェーハ側に画成されたアライ
メントマークと、ホトマスク側に画成されたアライメン
トマークとの配MM係を光学的に読み取ることにより、
自動化が進められている。
を重ね合わせる際の位置決めは最も重要であり、所謂、
アライメント技術として種々の提案かなされている。こ
のアライメント技術は、ウェーハ側に画成されたアライ
メントマークと、ホトマスク側に画成されたアライメン
トマークとの配MM係を光学的に読み取ることにより、
自動化が進められている。
まず、第3図はアライメントマークが形成されたウェー
ハを示す概略的平面図である。通常、ウェーハ11に2
つ以上のアライメントマークを、aの符号を付して示す
領域に形成すること(こよって、ウェーハの位置出し精
度の向上を図っている。
ハを示す概略的平面図である。通常、ウェーハ11に2
つ以上のアライメントマークを、aの符号を付して示す
領域に形成すること(こよって、ウェーハの位置出し精
度の向上を図っている。
次に、第4図(A)及び(B)を参照して、上述したア
ライメントマークの一例につき説明する。
ライメントマークの一例につき説明する。
第4図(A)は、ウェーハ11の、上述した領域を拡大
して示す説明図である。
して示す説明図である。
図示のアライメントマーク13は、シェブロン(Che
vron)型パターン13aと、当該パターン13aを
構成する直線部分と平行に形成されたストライブ状パタ
ーン+3b及び13cとから構成されている。ウェーハ
11側に形成されたアライメントマーク13は、通常、
ウェーハ11の表面に高さ0.2(urn)程度の段差
を形成すること1こよって画成される(後段で詳述)。
vron)型パターン13aと、当該パターン13aを
構成する直線部分と平行に形成されたストライブ状パタ
ーン+3b及び13cとから構成されている。ウェーハ
11側に形成されたアライメントマーク13は、通常、
ウェーハ11の表面に高さ0.2(urn)程度の段差
を形成すること1こよって画成される(後段で詳述)。
このアライメントマーク13の寸法につき一例を挙げて
説明すれば、パタ−ン13a 〜13cはいずれも5〜
20(L1171)程度の範囲内の所定の幅を以って形
成されており、シェブロン型パターン13aと、ストラ
イブ状パターン+3bまたは13cとの間のNi間距離
は50〜150(um)程度である。
説明すれば、パタ−ン13a 〜13cはいずれも5〜
20(L1171)程度の範囲内の所定の幅を以って形
成されており、シェブロン型パターン13aと、ストラ
イブ状パターン+3bまたは13cとの間のNi間距離
は50〜150(um)程度である。
一方、第4図(B)にはホトマスクに画成されたアライ
メントマークの一例を平面図で概略的に示す。ホトマス
ク15のアライメントマーク17は、スリット状パター
ン17a及び+7bによって構成され、各々のパターン
として2〜3 (un)程度の幅のラインが2本形成さ
れている。これら2本のライン同士の離間距離は、ウェ
ーハのアライメントマー/713の幅1こ一致させるの
が一般的である。
メントマークの一例を平面図で概略的に示す。ホトマス
ク15のアライメントマーク17は、スリット状パター
ン17a及び+7bによって構成され、各々のパターン
として2〜3 (un)程度の幅のラインが2本形成さ
れている。これら2本のライン同士の離間距離は、ウェ
ーハのアライメントマー/713の幅1こ一致させるの
が一般的である。
次に、第5図(A)及び(B)を参照しで、上述したウ
ェーハ+111!lのアライメントマーク13と、ホト
マスク15側のアライメントマーク17とを利用して行
なわれるアライメントにつき簡単に説明する。
ェーハ+111!lのアライメントマーク13と、ホト
マスク15側のアライメントマーク17とを利用して行
なわれるアライメントにつき簡単に説明する。
第5図(八)は、ウェーハ11とホトマスク15とを重
ね合わせた状態を透視的に示す平面図、第5図(B)は
、第5図(A)中、−点鎖線すを付しで示す部分を概略
的な断面(こより示す説明図である。
ね合わせた状態を透視的に示す平面図、第5図(B)は
、第5図(A)中、−点鎖線すを付しで示す部分を概略
的な断面(こより示す説明図である。
まず始めに、第5図(A)V参照してアライメントの原
理につき説明する。
理につき説明する。
従来行なわれているアライメントでは、ウェハ11とホ
トマスク15とを重ね合わせた後、ホトマスク15側か
ら照明する。この照明は、第5図(A)に示す平面に亙
って走査され、例えば−点鎖線すに沿って夫々のアライ
メントマーク13及び17からの反射光を検出する。こ
の反射光によってd、またはd2として示すアライメン
トマーク同士の離間距離が等しい値となるよう(こ、ウ
ェハ11とホトマスク15との配M閉係を調節する。
トマスク15とを重ね合わせた後、ホトマスク15側か
ら照明する。この照明は、第5図(A)に示す平面に亙
って走査され、例えば−点鎖線すに沿って夫々のアライ
メントマーク13及び17からの反射光を検出する。こ
の反射光によってd、またはd2として示すアライメン
トマーク同士の離間距離が等しい値となるよう(こ、ウ
ェハ11とホトマスク15との配M閉係を調節する。
このような位置合わせは、シェブロン型パターン13a
、ストライブ状パターン13b及びスリット状パターン
17aを利用しで行なった後、シェブロン型パターン1
3a2ストライブ状パターン13c及びスリット状パタ
ーン+7bW利用して、再度行なわれる。従って、一対
のアライメントマーク13と17とを用いること(こよ
り、ウェーハ11とホトマスク15とを二次元的に位置
合わせすることができる。
、ストライブ状パターン13b及びスリット状パターン
17aを利用しで行なった後、シェブロン型パターン1
3a2ストライブ状パターン13c及びスリット状パタ
ーン+7bW利用して、再度行なわれる。従って、一対
のアライメントマーク13と17とを用いること(こよ
り、ウェーハ11とホトマスク15とを二次元的に位置
合わせすることができる。
次に、第5図(B)を参照して、実際に半導体素子の製
造工程中で行なわれるアライメントにつき説明する。同
図中、断面を示すハツチングは一部省略する。尚、周知
のように、アライメントは、下地に相当するウェーハの
表面(こ、例えばエピタキシャル層のようなパターンニ
ングされる構成成分と、レジスト材とを順次に被着した
後、ホトマスクを重ね合わせて行なわれる。従って、こ
の第5図CB)には、第5図(A)で説明したウェーハ
11とホトマスク15とに加えて、エピタキシャル層1
9及びレジスト材21ヲ被着した状態としで図示しであ
る。
造工程中で行なわれるアライメントにつき説明する。同
図中、断面を示すハツチングは一部省略する。尚、周知
のように、アライメントは、下地に相当するウェーハの
表面(こ、例えばエピタキシャル層のようなパターンニ
ングされる構成成分と、レジスト材とを順次に被着した
後、ホトマスクを重ね合わせて行なわれる。従って、こ
の第5図CB)には、第5図(A)で説明したウェーハ
11とホトマスク15とに加えて、エピタキシャル層1
9及びレジスト材21ヲ被着した状態としで図示しであ
る。
第5図(A)を参照して説明したように、アライメント
はアライメントマーク13とアライメントマーク17と
の間隔を光学的に検出して行なわれる。従って、実際の
製造プロセスで、エピタキシャル層19とレジスト材2
1とが被着されたウェハ11に関してアライメントを行
なう場合、ウェーハ11の表面に形成されたアライメン
トマーク13の代わりに、当該マーク13がエピタキシ
ャル層19の表面に転写されたアライメントマーク23
を検出して行なうこととなる。以下、説明の理解を容易
とするため、ウェーハ11の表面に形成されたアライメ
ントマークを第一のアライメントマーク13とし、エピ
タキシャル層19の表面(こ転写されたマークを第二の
アライメントマーク23と称する。
はアライメントマーク13とアライメントマーク17と
の間隔を光学的に検出して行なわれる。従って、実際の
製造プロセスで、エピタキシャル層19とレジスト材2
1とが被着されたウェハ11に関してアライメントを行
なう場合、ウェーハ11の表面に形成されたアライメン
トマーク13の代わりに、当該マーク13がエピタキシ
ャル層19の表面に転写されたアライメントマーク23
を検出して行なうこととなる。以下、説明の理解を容易
とするため、ウェーハ11の表面に形成されたアライメ
ントマークを第一のアライメントマーク13とし、エピ
タキシャル層19の表面(こ転写されたマークを第二の
アライメントマーク23と称する。
次に、第6図(A)〜(E)I?照しで、上述した第一
のアライメントマーク13@−ウェーハ11の表面に形
成して半導体素子を製造する技術につき詳細に説明する
。尚、以下の説明では、p型シリコンから成るウェーハ
を用いてバイポーラトランジスタを作製する際の製造工
程につき例示する。
のアライメントマーク13@−ウェーハ11の表面に形
成して半導体素子を製造する技術につき詳細に説明する
。尚、以下の説明では、p型シリコンから成るウェーハ
を用いてバイポーラトランジスタを作製する際の製造工
程につき例示する。
第6図(A)〜(F)は、第5図(B)を参照しで説明
したアライメントマークの断面に相当する部分のみを拡
大し、各製造工程を概略的なウェーハ断面により示す説
明図である。図中、断面を示すハツチングは一部省略し
て示す。
したアライメントマークの断面に相当する部分のみを拡
大し、各製造工程を概略的なウェーハ断面により示す説
明図である。図中、断面を示すハツチングは一部省略し
て示す。
まず始めに、表面の面方位が(100)または(III
)の結晶面のうちのいずれかから数度傾いたウェーハ1
11F!、用意する。このような結晶面のウェーハを用
いるのは、例えば文献工:特願昭4517084号公報
に開示されるように、シリコン表面に酸化膜を成長させ
た際、当該酸化膜との界面に発生する面状欠陥の分布密
度を低減するためである。また、このような結晶面を利
用する他の目的としで、文献II:rシリコン結晶とド
ーピング」 (第87頁、丸蓋■刊、 1986年6月
発行)には、エピタキシャル層をウェー八表面に成長せ
しめた際のズレやズレを低減し得ることが開示されでい
る。
)の結晶面のうちのいずれかから数度傾いたウェーハ1
11F!、用意する。このような結晶面のウェーハを用
いるのは、例えば文献工:特願昭4517084号公報
に開示されるように、シリコン表面に酸化膜を成長させ
た際、当該酸化膜との界面に発生する面状欠陥の分布密
度を低減するためである。また、このような結晶面を利
用する他の目的としで、文献II:rシリコン結晶とド
ーピング」 (第87頁、丸蓋■刊、 1986年6月
発行)には、エピタキシャル層をウェー八表面に成長せ
しめた際のズレやズレを低減し得ることが開示されでい
る。
このようなウェーハ11に対して、ウェット酸素雰囲気
中、約3時間に亙って+040(’C)の温度で熱酸化
処理し、約1(μm)程度のマスク酸化膜2578形成
する。然る後、従来周知のホトリソグラフィ技術によっ
て、アライメントマーク形成予定領域26(こ被着した
マスク酸化膜25をエツチング除去し、開口27ヲ形成
する(第6図(A))。
中、約3時間に亙って+040(’C)の温度で熱酸化
処理し、約1(μm)程度のマスク酸化膜2578形成
する。然る後、従来周知のホトリソグラフィ技術によっ
て、アライメントマーク形成予定領域26(こ被着した
マスク酸化膜25をエツチング除去し、開口27ヲ形成
する(第6図(A))。
次に、スピンコード法によって、上述した状態のウェー
ハの全面にアンチモンシリカ薄膜29ヲ、約0.2〜0
.3(um)の範囲内の所定の膜厚て塗布形成し、第6
図(B)に示す状態を得る。
ハの全面にアンチモンシリカ薄膜29ヲ、約0.2〜0
.3(um)の範囲内の所定の膜厚て塗布形成し、第6
図(B)に示す状態を得る。
ここで、上述したアンチモンシリカ薄膜29は、n型不
純物としてアンチモン(Sb)I含む酸化シリコン系の
コーティング溶液であり、その−例としてrSb−20
220J (、東京応化■製、商品名)を用いた。
純物としてアンチモン(Sb)I含む酸化シリコン系の
コーティング溶液であり、その−例としてrSb−20
220J (、東京応化■製、商品名)を用いた。
このようにアンチモンシリカ薄膜29ヲ塗布形成した後
、拡散炉を用い、例えば窒素(N2)のような非酸化雰
囲気中、約1250(℃)の温度で4時間に亙って加熱
処理を行なう。このような加熱処理によって、前述の開
口27ヲ介してアンチモン(Sb)がウェーハ11中に
拡散し、例えば、深さ約5(un)、層抵抗約20(Ω
/口)の埋込層31が形成される。また、この加熱処理
を行なう雰囲気中(こ少量の酸素を含有せしめることに
より、前述したマスク酸化膜25が再成長すると共に、
アンチモンシリカ薄膜29とウェーハ11との界面に酸
化膜33が形成される(第6図(C))。
、拡散炉を用い、例えば窒素(N2)のような非酸化雰
囲気中、約1250(℃)の温度で4時間に亙って加熱
処理を行なう。このような加熱処理によって、前述の開
口27ヲ介してアンチモン(Sb)がウェーハ11中に
拡散し、例えば、深さ約5(un)、層抵抗約20(Ω
/口)の埋込層31が形成される。また、この加熱処理
を行なう雰囲気中(こ少量の酸素を含有せしめることに
より、前述したマスク酸化膜25が再成長すると共に、
アンチモンシリカ薄膜29とウェーハ11との界面に酸
化膜33が形成される(第6図(C))。
尚、上述した酸化膜33の形成は、アンチモンの拡散に
係る加熱処理を行なった後、別工程として行なう場合も
有る。
係る加熱処理を行なった後、別工程として行なう場合も
有る。
ここで、上述したマスク酸化膜25と酸化膜33との成
長につき説明する。
長につき説明する。
従来周知のように、マスク酸化膜25が被着されている
ウェーハの表面部分に比へて、アンチモンを拡散せしめ
た埋込層29が形成されているウェハの表面部分での酸
化シリコンの成長速度が大きい。これがため、埋込層2
9が形成されたウエーハの表面と、マスク酸化膜25か
被着されているウェーハ表面との間には、高さ約0.2
(um)程度の段差を生じることとなる。また、ウェー
ハに対する酸化は、前述した開口27(第6図(A)参
照)を介して等方拡散により進行する。従って、上述の
段差を構成する斜面35aと斜面35bとは、本来のウ
ェーハ表面(前述した結晶面)に対し、約3〜10°の
傾きを以って線対称に形成される。
ウェーハの表面部分に比へて、アンチモンを拡散せしめ
た埋込層29が形成されているウェハの表面部分での酸
化シリコンの成長速度が大きい。これがため、埋込層2
9が形成されたウエーハの表面と、マスク酸化膜25か
被着されているウェーハ表面との間には、高さ約0.2
(um)程度の段差を生じることとなる。また、ウェー
ハに対する酸化は、前述した開口27(第6図(A)参
照)を介して等方拡散により進行する。従って、上述の
段差を構成する斜面35aと斜面35bとは、本来のウ
ェーハ表面(前述した結晶面)に対し、約3〜10°の
傾きを以って線対称に形成される。
このような段差を形成した後、例えばフッ酸系のエッチ
ャントを用いて、ウェーハ表面に形成されたマスク酸化
膜25、酸化膜33及びアンチモンシリカ薄膜29ヲ除
去し、第6図(D)に示すような第一のアライメントマ
ーク13か得られる。
ャントを用いて、ウェーハ表面に形成されたマスク酸化
膜25、酸化膜33及びアンチモンシリカ薄膜29ヲ除
去し、第6図(D)に示すような第一のアライメントマ
ーク13か得られる。
続いて、第6図(E)に示すように、上述したウェーハ
11の全面に、n型不純物を含む、比抵抗が約2(Ω−
cm)のエピタキシャル層19ヲ約10(un)の厚さ
で成長させる。この図からも理解できるように、エピタ
キシャル層19の表面には前述した第一のアライメント
マーク13の段差に対応して、斜面37a及び斜面37
bにより構成される段差か転写形成され、第二のアライ
メントマク23が得られる。
11の全面に、n型不純物を含む、比抵抗が約2(Ω−
cm)のエピタキシャル層19ヲ約10(un)の厚さ
で成長させる。この図からも理解できるように、エピタ
キシャル層19の表面には前述した第一のアライメント
マーク13の段差に対応して、斜面37a及び斜面37
bにより構成される段差か転写形成され、第二のアライ
メントマク23が得られる。
続いて、半導体素子の設計に応じ茫、素子同士を分離す
るための分離用酸化膜39を形成した後、レジスト材2
1を塗布形成して第6図(F)に示すような状態か得ら
れる。ここで、分離用酸化膜39を形成するための酸化
は、前述と同様に等方拡散によって進行する。これかた
め、第6図(E) u参照して説明した第二のアライメ
ントマーク23の形状は、分離用酸化膜39の表面にお
いても保存される。
るための分離用酸化膜39を形成した後、レジスト材2
1を塗布形成して第6図(F)に示すような状態か得ら
れる。ここで、分離用酸化膜39を形成するための酸化
は、前述と同様に等方拡散によって進行する。これかた
め、第6図(E) u参照して説明した第二のアライメ
ントマーク23の形状は、分離用酸化膜39の表面にお
いても保存される。
このような工程の後、上述した第二のアライメントマー
ク23ヲ用いて、第5図(A)及び(B)を参照して説
明したアライメントを行ない、素子の設計に応じた種々
の製造プロセスを経て半導体素子か製造される。
ク23ヲ用いて、第5図(A)及び(B)を参照して説
明したアライメントを行ない、素子の設計に応じた種々
の製造プロセスを経て半導体素子か製造される。
尚、上述した製造技術では、バイポーラトランジスタを
製造するため、図示していない素子領域に埋込層を形成
する目的で、アンチモンを含有するシリカ薄膜を用い、
埋込層31を形成した場合につき説明した。しかしなが
ら、係る埋込層31ヲ形成する必要が無い場合には、第
6図(C)を参照して説明したアンチモンシリカ薄膜の
代わりに酸化シリコン系のコーティング溶液を用い、シ
リカ薄膜を形成した状態で酸化膜33を成長させても、
第一のアライメントマーク13を形成することができる
。
製造するため、図示していない素子領域に埋込層を形成
する目的で、アンチモンを含有するシリカ薄膜を用い、
埋込層31を形成した場合につき説明した。しかしなが
ら、係る埋込層31ヲ形成する必要が無い場合には、第
6図(C)を参照して説明したアンチモンシリカ薄膜の
代わりに酸化シリコン系のコーティング溶液を用い、シ
リカ薄膜を形成した状態で酸化膜33を成長させても、
第一のアライメントマーク13を形成することができる
。
(発明か解決しようとする課題)
上述した説明からも理解できるように、従来の半導体素
子の製造方法では、シリカ薄膜を用いた固相−固相間の
拡散によって、第一のアライメントマーク13かウェー
ハに形成される。然る後、このウェーハ表面にエピタキ
シャル層19ヲ成長させた際、当該層の表面に第二のア
ライメントマーク23が転写形成され、当該マーク23
を検出することによってアライメントが行なわれている
。
子の製造方法では、シリカ薄膜を用いた固相−固相間の
拡散によって、第一のアライメントマーク13かウェー
ハに形成される。然る後、このウェーハ表面にエピタキ
シャル層19ヲ成長させた際、当該層の表面に第二のア
ライメントマーク23が転写形成され、当該マーク23
を検出することによってアライメントが行なわれている
。
しかしなから、面状欠陥やエピタキシャル成長時のダレ
・ズレの低減を図る目的で下地と成るウェーハの結晶面
を傾けて用いるため、第二のアライメントマークを構成
する斜面と、第一のアライメントマークを構成する斜面
との配置関係が一致せず、アライメントを正確に行なう
ことか難しいという問題点が有った。
・ズレの低減を図る目的で下地と成るウェーハの結晶面
を傾けて用いるため、第二のアライメントマークを構成
する斜面と、第一のアライメントマークを構成する斜面
との配置関係が一致せず、アライメントを正確に行なう
ことか難しいという問題点が有った。
このエピタキシャル成長時の斜面形状の不一致について
は、例えば文献III : ”5olid 5tate
tech−nolo9y (ソリッド ステート テ
クノロジー)(S、P、Weeks(ニス ビー ウイ
ークス)著、第66〜67頁、 1982年1月発行(
日本語板)°°に開示されており、成長に用いるガスの
成分、温度またはその他の条件によってファセット成長
を生しるためと考えられでいる。
は、例えば文献III : ”5olid 5tate
tech−nolo9y (ソリッド ステート テ
クノロジー)(S、P、Weeks(ニス ビー ウイ
ークス)著、第66〜67頁、 1982年1月発行(
日本語板)°°に開示されており、成長に用いるガスの
成分、温度またはその他の条件によってファセット成長
を生しるためと考えられでいる。
ざらに述べれば、従来のアライメントマーク形成は、酸
化膜の成長速度に係る差を利用して行なわれる。これが
ため、第一のアライメントマークを形成するための酸化
膜(第6図(C)に示す酸化膜33)か、酸素の等方拡
散によってマスク酸化膜の下側に周り込んで形成され、
例えば3〜106程度の緩やかな斜面しか形成すること
ができないという問題点が有った。
化膜の成長速度に係る差を利用して行なわれる。これが
ため、第一のアライメントマークを形成するための酸化
膜(第6図(C)に示す酸化膜33)か、酸素の等方拡
散によってマスク酸化膜の下側に周り込んで形成され、
例えば3〜106程度の緩やかな斜面しか形成すること
ができないという問題点が有った。
従って、斜面を急峻に形成することか難しいため、エピ
タキシャル成長に伴なうズレやズレによって第二のアラ
イメントマークが不明瞭になり、アライメントを自動で
行なうことかできない場合か有った。
タキシャル成長に伴なうズレやズレによって第二のアラ
イメントマークが不明瞭になり、アライメントを自動で
行なうことかできない場合か有った。
この発明の目的は、上述した従来の問題点(こ鑑み、エ
ピタキシャル層に転写された第二のアライメントマーク
を明確に形成し得る技術を提供することにより、アライ
メントの自動化を図ることか可能な半導体素子の製造方
法を実現することに有る。
ピタキシャル層に転写された第二のアライメントマーク
を明確に形成し得る技術を提供することにより、アライ
メントの自動化を図ることか可能な半導体素子の製造方
法を実現することに有る。
(課題を解決するための手段)
この目的の達成を図るため、この発明の半導体素子の製
造方法によれば、第一のアライメントマークを下地に形
成する工程と、この下地の表面にエピタキシャル層を形
成する工程と、このエピタキシャル層の表面に上述した
第一のアライメントマークか転写されで成る第二のアラ
イメントマークを用いてアライメントを行なう工程とを
経て半導体素子を製造するに当り、 前述した第一のアライメントマークの形成を、前述した
下地の表面のアライメントマーク形成予定領域外にマス
ク酸化膜を形成し、及びこの予定領域に上述したマスク
酸化膜よりも薄いパッド酸化膜を形成する工程と、 上述のマスク酸化膜及びパッド酸化膜の上側に窒化シリ
コン層を被着する工程と、 上述の窒化シリコン層を異方性エツチング処理して、前
述のマスク酸化膜にサイドウオールを形成する工程と、 上述のサイドウオールをマスクとして前述したパッド酸
化膜をエツチング除去した後、シリカ薄膜を塗布形成す
る工程と、 上述のシリカ薄膜が形成された下地を加熱処理して、酸
化膜を形成する工程と を経て行なう ことを特徴としている。
造方法によれば、第一のアライメントマークを下地に形
成する工程と、この下地の表面にエピタキシャル層を形
成する工程と、このエピタキシャル層の表面に上述した
第一のアライメントマークか転写されで成る第二のアラ
イメントマークを用いてアライメントを行なう工程とを
経て半導体素子を製造するに当り、 前述した第一のアライメントマークの形成を、前述した
下地の表面のアライメントマーク形成予定領域外にマス
ク酸化膜を形成し、及びこの予定領域に上述したマスク
酸化膜よりも薄いパッド酸化膜を形成する工程と、 上述のマスク酸化膜及びパッド酸化膜の上側に窒化シリ
コン層を被着する工程と、 上述の窒化シリコン層を異方性エツチング処理して、前
述のマスク酸化膜にサイドウオールを形成する工程と、 上述のサイドウオールをマスクとして前述したパッド酸
化膜をエツチング除去した後、シリカ薄膜を塗布形成す
る工程と、 上述のシリカ薄膜が形成された下地を加熱処理して、酸
化膜を形成する工程と を経て行なう ことを特徴としている。
(作用)
この発明の半導体素子の製造方法によれば、第一のアラ
イメントマークに係る斜面が形成されるマスク酸化膜の
端部に窒化シリコンから成るサイドウオールを形成した
後、シリカ薄膜を塗布して段差形成を行なう構成となっ
ている。これがため、前述した第一のアライメントマー
クを形成するための酸化膜形成に当り、上述したサイド
ウオールか酸化マスクとして働き、ウェーハの厚さ方向
での酸化に比べて、ウェーハの延在方向での酸化が抑制
される。
イメントマークに係る斜面が形成されるマスク酸化膜の
端部に窒化シリコンから成るサイドウオールを形成した
後、シリカ薄膜を塗布して段差形成を行なう構成となっ
ている。これがため、前述した第一のアライメントマー
クを形成するための酸化膜形成に当り、上述したサイド
ウオールか酸化マスクとして働き、ウェーハの厚さ方向
での酸化に比べて、ウェーハの延在方向での酸化が抑制
される。
従って、第一のアライメントマークを構成する斜面を急
峻に形成することかできる。
峻に形成することかできる。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の好適実施例につき説
明する。尚、以下の説明の理解を容易とするため、特定
の条件を例示して説明するが、この発明は、これら例示
条件及び図示例にのみ限定されるものではないことを理
解されたい。
明する。尚、以下の説明の理解を容易とするため、特定
の条件を例示して説明するが、この発明は、これら例示
条件及び図示例にのみ限定されるものではないことを理
解されたい。
第1図(A)〜(I)は、この発明の詳細な説明するた
め、第6図(A)〜(F)と同様、概略的な基板断面に
よって各製造工程毎に示す説明図である。尚、以下に説
明する実施例では、前述した従来技術と同様に、p型シ
リコンから成るウェーハを用いてバイポーラトランジス
タを製造する場合の工程を例示して説明する。また、こ
れら図中、既に説明した構成成分と同一の機能を有する
構成成分については同一の符号を付して示し、断面を表
わすハツチングは一部省略して示す。
め、第6図(A)〜(F)と同様、概略的な基板断面に
よって各製造工程毎に示す説明図である。尚、以下に説
明する実施例では、前述した従来技術と同様に、p型シ
リコンから成るウェーハを用いてバイポーラトランジス
タを製造する場合の工程を例示して説明する。また、こ
れら図中、既に説明した構成成分と同一の機能を有する
構成成分については同一の符号を付して示し、断面を表
わすハツチングは一部省略して示す。
まず始めに、従来と同様(こ、表面の面方位が(100
)または(Nl)がら致度傾いたウェーハ11を用意す
る。然る後、このウェーハ11に対して、ウェット酸素
雰囲気中、約3時間に亙って1040(’C)の温度で
熱酸化処理し、約1 (um)程度のマスク酸化膜25
ヲ形成する。然る後、周知のホトリソグラフィ技術によ
って、アライメントマーク形成予定領域26のマスク酸
化膜25を従来と同様にエツチング除去し、開口27ヲ
形成する(第1図(A))。
)または(Nl)がら致度傾いたウェーハ11を用意す
る。然る後、このウェーハ11に対して、ウェット酸素
雰囲気中、約3時間に亙って1040(’C)の温度で
熱酸化処理し、約1 (um)程度のマスク酸化膜25
ヲ形成する。然る後、周知のホトリソグラフィ技術によ
って、アライメントマーク形成予定領域26のマスク酸
化膜25を従来と同様にエツチング除去し、開口27ヲ
形成する(第1図(A))。
次に、上述の開口27を形成することにより露出するウ
ェーハ110表面に、例えば化学的気相成長(CVD:
Chemical Vapor Deposition
)法またはその他の技術によって酸化シリコンを被着さ
せ、マスク酸化膜25の膜厚よりも小さい、例えば0.
05(u rn)程度の膜厚のパッド酸化膜41を形成
する(第1図(B))。
ェーハ110表面に、例えば化学的気相成長(CVD:
Chemical Vapor Deposition
)法またはその他の技術によって酸化シリコンを被着さ
せ、マスク酸化膜25の膜厚よりも小さい、例えば0.
05(u rn)程度の膜厚のパッド酸化膜41を形成
する(第1図(B))。
上述のマスク酸化膜25の被着形成からパッド酸化膜4
1の形成に至る工程として、マスク酸化膜25ヲエツチ
ング除去してウェーハ11の一部分を露出させた後に、
別途、パッド酸化膜41を被着する場合につき図示しで
ある。しかしながら、このような工程の代わりに、開口
形成のためのエツチング処理において、マスク酸化膜2
5ヲ構成する酸化シリコンを所定の膜厚(上述の0.0
5(um))たけ残存させてエツチングを停止し、パッ
ド酸化膜として利用することもできる。
1の形成に至る工程として、マスク酸化膜25ヲエツチ
ング除去してウェーハ11の一部分を露出させた後に、
別途、パッド酸化膜41を被着する場合につき図示しで
ある。しかしながら、このような工程の代わりに、開口
形成のためのエツチング処理において、マスク酸化膜2
5ヲ構成する酸化シリコンを所定の膜厚(上述の0.0
5(um))たけ残存させてエツチングを停止し、パッ
ド酸化膜として利用することもできる。
次に、上述した状態のウェーハ11の全面に、例えばC
vDのように段差被覆性に優れた被着技術によって、膜
厚が約0.2(un)の窒化シリコン層43を被着形成
する(第1図(C))。
vDのように段差被覆性に優れた被着技術によって、膜
厚が約0.2(un)の窒化シリコン層43を被着形成
する(第1図(C))。
続いて、例えば四フッ化炭素(CF4) %エツチング
ガスとしたりアクティブイオンエツチング(RIE:R
eactive Inn Etchinq)法のような
異方性エツチング処理によって、上述の窒化シリコン層
43ヲエッチングする。この異方性エツチング処理によ
り、開目2フヲ であり、かつパッド酸化膜41の上側にのみ、上述した
窒化シリコンが残存してサイドウオール45か形成され
、第1図(D)に示す状態が得られる。
ガスとしたりアクティブイオンエツチング(RIE:R
eactive Inn Etchinq)法のような
異方性エツチング処理によって、上述の窒化シリコン層
43ヲエッチングする。この異方性エツチング処理によ
り、開目2フヲ であり、かつパッド酸化膜41の上側にのみ、上述した
窒化シリコンが残存してサイドウオール45か形成され
、第1図(D)に示す状態が得られる。
次に、前述したフッ酸系のエッチャントを用いて、上述
したサイドウオール45の形成後、露出状態に有るパッ
ド酸化膜41をエツチング除去する。然る後、従来と同
様に、n型不純物としてアンチモン(Sb)@含む酸化
シリコン系のコーティング溶液rsb−20220 J
(東京応化■製,商品名)を用い、上述した状態の
ウェーハの全面に約0.2〜0.3(μm)の範囲内の
所定の膜厚でスピンコード法によってアンチモンシリカ
薄膜29を塗布形成する(第1図(E))。
したサイドウオール45の形成後、露出状態に有るパッ
ド酸化膜41をエツチング除去する。然る後、従来と同
様に、n型不純物としてアンチモン(Sb)@含む酸化
シリコン系のコーティング溶液rsb−20220 J
(東京応化■製,商品名)を用い、上述した状態の
ウェーハの全面に約0.2〜0.3(μm)の範囲内の
所定の膜厚でスピンコード法によってアンチモンシリカ
薄膜29を塗布形成する(第1図(E))。
続いて、拡散炉を用い、例えば窒素(N2)ような非酸
化雰囲気中、約1250CG)の温度で4時間に亙って
加熱処理を行なうことにより、深さ約5(un)、層抵
抗的20(Ω/口)の埋込層47か形成される。また、
従来と同様に、この加熱処理を行なう雰囲気中に少量の
酸素を含有させて加熱処理したり、或いは別途酸化雰囲
気中で加熱処理を行なうことにより、前述したマスク酸
化膜25か再成長すると共に、アンチモンシリカ薄膜2
9とウェーハ11との界面に酸化膜49が形成される。
化雰囲気中、約1250CG)の温度で4時間に亙って
加熱処理を行なうことにより、深さ約5(un)、層抵
抗的20(Ω/口)の埋込層47か形成される。また、
従来と同様に、この加熱処理を行なう雰囲気中に少量の
酸素を含有させて加熱処理したり、或いは別途酸化雰囲
気中で加熱処理を行なうことにより、前述したマスク酸
化膜25か再成長すると共に、アンチモンシリカ薄膜2
9とウェーハ11との界面に酸化膜49が形成される。
この酸化膜49が形成されることにより、上述のアンチ
モンシリカ薄膜29と接するウェーハ11の表面に、斜
面51a及び5Toで構成される段差を生じる(第1図
(F))。
モンシリカ薄膜29と接するウェーハ11の表面に、斜
面51a及び5Toで構成される段差を生じる(第1図
(F))。
ここで、第2図を参照して、上述した酸化膜49の形成
につき詳細に説明する。
につき詳細に説明する。
第2図は、第1図CF)に示す状態のウェーハのうち、
斜面51aとして示す部分を拡大して概略的な断面によ
り示す説明図である。尚、図示の理解を容易とするため
、断面を示すハツチングは省略する。
斜面51aとして示す部分を拡大して概略的な断面によ
り示す説明図である。尚、図示の理解を容易とするため
、断面を示すハツチングは省略する。
この図からも理解できるように、この発明に係る方法の
特徴として、窒化シリコンから成るサイドウオール45
ヲ形成した状態で酸化膜49か形成される。従って、ウ
ェーハの厚さ方向での拡散は従来と同様に進行し、ウェ
ーハの延在方向では、サイドウオール45ヲ構成する窒
化シリコンが酸素の拡散を遮る。
特徴として、窒化シリコンから成るサイドウオール45
ヲ形成した状態で酸化膜49か形成される。従って、ウ
ェーハの厚さ方向での拡散は従来と同様に進行し、ウェ
ーハの延在方向では、サイドウオール45ヲ構成する窒
化シリコンが酸素の拡散を遮る。
この実施例に係る工程では、高さ約0.2(um)の段
差を形成することができ、当該段差を構成する斜面51
a及び51bと、本来のウェーハ表面とが成す角度eは
、約20〜30°の範囲内の値であり、かつ、これら2
つの斜面は線対称に形成された。
差を形成することができ、当該段差を構成する斜面51
a及び51bと、本来のウェーハ表面とが成す角度eは
、約20〜30°の範囲内の値であり、かつ、これら2
つの斜面は線対称に形成された。
上述の第1図CF)及び第2図を参照しで説明した工程
の後、フッ酸系のエッチャントを用いて酸化シリコンを
エツチングし、アンチモンシリカ薄膜29、マスク酸化
膜25、パッド酸化膜41、サイドウオール45及び酸
化膜49を除去し、第1図CG)に示すように、下地に
相当するウェーハ11の表面に第一のアライメントマー
ク53が形成される。
の後、フッ酸系のエッチャントを用いて酸化シリコンを
エツチングし、アンチモンシリカ薄膜29、マスク酸化
膜25、パッド酸化膜41、サイドウオール45及び酸
化膜49を除去し、第1図CG)に示すように、下地に
相当するウェーハ11の表面に第一のアライメントマー
ク53が形成される。
続いて、従来と同様に、上述したウェーハ11の全面に
、n型不純物を含む、比抵抗が約2(Ω−cm)のエピ
タキシャル層19を約10(un)の厚さで成長させる
。このエピタキシャル成長では、前述した第一のアライ
メントマーク53の段差に対応して斜面55a及び斜面
55bにより構成される第二のアライメントマーク57
が転写される(第1図(H))。
、n型不純物を含む、比抵抗が約2(Ω−cm)のエピ
タキシャル層19を約10(un)の厚さで成長させる
。このエピタキシャル成長では、前述した第一のアライ
メントマーク53の段差に対応して斜面55a及び斜面
55bにより構成される第二のアライメントマーク57
が転写される(第1図(H))。
ここで、上述した第二のアライメントマーク57の形状
と、エピタキシャル成長の条件とにつき説明する。
と、エピタキシャル成長の条件とにつき説明する。
既に説明したように、ウェーハ11の結晶面を(+00
)面または(111)面のうちのいずれか一方の結晶面
から傾けて用いることにより、第二のアライメントマー
クを構成する斜面形状と、第一のアライメントマークを
構成する斜面形状との不敗を生じる。この実施例では、
エピタキシャル層19を成長させるに当って、5IH2
C(12を反応ガスとし、約1150(°C)の温度で
常圧バレル型エピタキシャル装置を用いて行なった。こ
のように、従来行なわれている一般的な条件下、第二の
アライメントマーク57ヲ形成した後、斜面55aと斜
面55bとの傾きを測定した。その結果、一方の斜面(
例えば図示の斜面55b)は第一のアライメントマーク
53を構成する斜面51a及び51bが転写されて約2
0〜30°であったの(こ対して、他方の斜面(図示の
斜面55a)は約15〜256程度の傾きを示した。こ
の説明からも理解できるように、この実施例に係る方法
により、従来の方法に比べて斜面の傾きに関する改善を
図ることができた。
)面または(111)面のうちのいずれか一方の結晶面
から傾けて用いることにより、第二のアライメントマー
クを構成する斜面形状と、第一のアライメントマークを
構成する斜面形状との不敗を生じる。この実施例では、
エピタキシャル層19を成長させるに当って、5IH2
C(12を反応ガスとし、約1150(°C)の温度で
常圧バレル型エピタキシャル装置を用いて行なった。こ
のように、従来行なわれている一般的な条件下、第二の
アライメントマーク57ヲ形成した後、斜面55aと斜
面55bとの傾きを測定した。その結果、一方の斜面(
例えば図示の斜面55b)は第一のアライメントマーク
53を構成する斜面51a及び51bが転写されて約2
0〜30°であったの(こ対して、他方の斜面(図示の
斜面55a)は約15〜256程度の傾きを示した。こ
の説明からも理解できるように、この実施例に係る方法
により、従来の方法に比べて斜面の傾きに関する改善を
図ることができた。
続いて、第6図(F)a参照して説明したのと同様に、
素子同士を分離するための分離用酸化膜39ヲ形成した
後、レジスト材21ヲ塗布形成する(第1図(1))。
素子同士を分離するための分離用酸化膜39ヲ形成した
後、レジスト材21ヲ塗布形成する(第1図(1))。
このような状態で前述のアライメントを行なったところ
、第二のアライメントマーク57ヲ構成する斜面55a
及び55bの傾きが上述したように充分な値を有するた
め、アライメントマークの検出を容易に行なうことがで
きた。
、第二のアライメントマーク57ヲ構成する斜面55a
及び55bの傾きが上述したように充分な値を有するた
め、アライメントマークの検出を容易に行なうことがで
きた。
また、さらに述べれば、上述した実施例の方法による第
二のアライメントマーク57ヲ用いたアライメントでは
、エピタキシャル層19の成長の後にこみが付着した場
合であっても、当該ごみに関する検出信号と、アライメ
ントマークに関する検出信号との区別が容易であった。
二のアライメントマーク57ヲ用いたアライメントでは
、エピタキシャル層19の成長の後にこみが付着した場
合であっても、当該ごみに関する検出信号と、アライメ
ントマークに関する検出信号との区別が容易であった。
従って、上述した技術を適用することにより、・アライ
メントの自動化を達成することが容易となる。
メントの自動化を達成することが容易となる。
以上、この発明の好適実施例につき詳細に説明したか、
この発明は、上述した好適実施例にのみ限定されるもの
ではないこと明らかである。
この発明は、上述した好適実施例にのみ限定されるもの
ではないこと明らかである。
例えば、上述の実施例では、n型シリコンから成るウェ
ーハを用いた場合につき詳細に説明したが、n型シリコ
ンを用いて半導体素子を製造する場合であっても同様な
効果を得ることができる。
ーハを用いた場合につき詳細に説明したが、n型シリコ
ンを用いて半導体素子を製造する場合であっても同様な
効果を得ることができる。
また、上述の実施例では、エピタキシャル層の表面に転
写された第二のアライメントマークを用いてアライメン
トを行なった場合につき説明した。しかしながら、この
発明に係る方法によれば、サイドウオールを利用して第
一のアライメントマークの高さを充分に採ることができ
るため、当該マークを転写して得られる第二のアライメ
ントマークのみならず、第三のアライメントマークを転
写形成した後のアライメントであっても、自動化を図る
ことが期待できる。
写された第二のアライメントマークを用いてアライメン
トを行なった場合につき説明した。しかしながら、この
発明に係る方法によれば、サイドウオールを利用して第
一のアライメントマークの高さを充分に採ることができ
るため、当該マークを転写して得られる第二のアライメ
ントマークのみならず、第三のアライメントマークを転
写形成した後のアライメントであっても、自動化を図る
ことが期待できる。
ざらに、実施例の説明においでは、アライメントマーク
の平面形状につき省略しで説明したが、この発明の方法
は特定の平面形状を有するアライメントマークによって
のみ効果が得られるものではないこと明らかである。
の平面形状につき省略しで説明したが、この発明の方法
は特定の平面形状を有するアライメントマークによって
のみ効果が得られるものではないこと明らかである。
これに加えて、上述の実施例では、バイポーラトランジ
スタの埋込層を形成するため、不純物としてアンチモン
を含む酸化シリコン系のコーティング溶液ヲ塗布し、ア
ンチモンシリカ薄膜を形成して酸化膜49を成長させた
場合につき説明した。
スタの埋込層を形成するため、不純物としてアンチモン
を含む酸化シリコン系のコーティング溶液ヲ塗布し、ア
ンチモンシリカ薄膜を形成して酸化膜49を成長させた
場合につき説明した。
しかしながら、既に説明したように、半導体素子の設計
に応じで、埋込層を形成する必要が無い場合には不純物
を含有しないシリカ薄膜を形成して第一のアライメント
マークを形成すれば良い。
に応じで、埋込層を形成する必要が無い場合には不純物
を含有しないシリカ薄膜を形成して第一のアライメント
マークを形成すれば良い。
これら材料、形状、数値的条件、配置関係及びその他の
条件は、この発明の目的の範囲内で、任意好適な設計の
変更及び変形を行ない得ること明らかである。
条件は、この発明の目的の範囲内で、任意好適な設計の
変更及び変形を行ない得ること明らかである。
(発明の効果)
上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体
素子の製造方法によれば、第一のアライメントマーりに
係る斜面が形成されるマスク酸化膜の端部に窒化シリコ
ンから成るサイドウオールを形成した後、シリカ薄膜を
塗布して段差形成を行なう構成となしている。これがた
め、前述した第一のアライメントマークを形成するため
の酸化膜形成に当り、上述したサイドウオールが酸化マ
スクとして働き、ウェーハの厚さ方向での酸化に比へて
、ウェーハの延在方向での酸化を抑制することかできる
。
素子の製造方法によれば、第一のアライメントマーりに
係る斜面が形成されるマスク酸化膜の端部に窒化シリコ
ンから成るサイドウオールを形成した後、シリカ薄膜を
塗布して段差形成を行なう構成となしている。これがた
め、前述した第一のアライメントマークを形成するため
の酸化膜形成に当り、上述したサイドウオールが酸化マ
スクとして働き、ウェーハの厚さ方向での酸化に比へて
、ウェーハの延在方向での酸化を抑制することかできる
。
従って、第一のアライメントマークを構成する斜面を急
峻に形成することができ、エピタキシャル成長時のズレ
やズレを生じた場合であっても、第二のアライメントマ
ークを明瞭に形成することかできる。これかため、エピ
タキシャル層に転写された第二のアライメントマークを
明確に形成し得る技術を提供することにより、アライメ
ントの自動化を図ることが可能な半導体素子の製造方法
を実現することができる。
峻に形成することができ、エピタキシャル成長時のズレ
やズレを生じた場合であっても、第二のアライメントマ
ークを明瞭に形成することかできる。これかため、エピ
タキシャル層に転写された第二のアライメントマークを
明確に形成し得る技術を提供することにより、アライメ
ントの自動化を図ることが可能な半導体素子の製造方法
を実現することができる。
第1図(ハ)〜(I)は、この発明の詳細な説明するた
め、各製造工程毎に、概略的な断面により示す説明図、 第2図は、実施例に係る方法における第一のアライメン
トマークの形成工程を説明するため、要部断面によって
示す説明図、 第3図、第4図(△)及び第4図(B)は、従来のアラ
イメントマークを説明するため、要部を概略的平面によ
り示す説明図、 第5図(A)及び(B)は、アライメントを説明するた
め、夫々、要部平面または要部断面により概略的に示す
説明図、 第6図(A)〜(F)は、従来の製造方法を説明するた
め、第1図(A)〜(I)と同様にして示す説明図であ
る。 11・・・・ウェーハ(下地) 狼、53・・・・・第一のアライメントマーク13a・
・・・・シェブロン型パターン13b、13c・・・・
・ストライブ状パターン15・・・・ホトマスク 17・・・・アライメントマーク(ホトマスク側)17
a17b・・・・・スリット状パターン19・・・・エ
ピタキシャル層、21・・・・レジスト材υ、57・・
・・・第二のアライメントマーク25・・・・マスク酸
化膜 26・・・・アライメントマーク形成予定領域27・・
・・開口、29・・・・(アンチモン)シリカ薄膜31
47・・・・・埋込層、33.49・・・・・酸化膜3
5a、35b、51a、51b・・−・・斜面(第一の
アライメントマークを構成する成分) 37a、37b、55a、55b・・・・・斜面(第二
のアライメントマークを構成する成分) 39・・・・分離用酸化膜、41・・・・パッド酸化膜
43・・・・窒化シリコシ層、45・・・・サイドウオ
ールa・・・・アライメントマークを形成する領域部分
d+、d2・・・・・アライメントマーク同士の間隔θ
・・・・斜面とウェーハ表面とが成す角度。
め、各製造工程毎に、概略的な断面により示す説明図、 第2図は、実施例に係る方法における第一のアライメン
トマークの形成工程を説明するため、要部断面によって
示す説明図、 第3図、第4図(△)及び第4図(B)は、従来のアラ
イメントマークを説明するため、要部を概略的平面によ
り示す説明図、 第5図(A)及び(B)は、アライメントを説明するた
め、夫々、要部平面または要部断面により概略的に示す
説明図、 第6図(A)〜(F)は、従来の製造方法を説明するた
め、第1図(A)〜(I)と同様にして示す説明図であ
る。 11・・・・ウェーハ(下地) 狼、53・・・・・第一のアライメントマーク13a・
・・・・シェブロン型パターン13b、13c・・・・
・ストライブ状パターン15・・・・ホトマスク 17・・・・アライメントマーク(ホトマスク側)17
a17b・・・・・スリット状パターン19・・・・エ
ピタキシャル層、21・・・・レジスト材υ、57・・
・・・第二のアライメントマーク25・・・・マスク酸
化膜 26・・・・アライメントマーク形成予定領域27・・
・・開口、29・・・・(アンチモン)シリカ薄膜31
47・・・・・埋込層、33.49・・・・・酸化膜3
5a、35b、51a、51b・・−・・斜面(第一の
アライメントマークを構成する成分) 37a、37b、55a、55b・・・・・斜面(第二
のアライメントマークを構成する成分) 39・・・・分離用酸化膜、41・・・・パッド酸化膜
43・・・・窒化シリコシ層、45・・・・サイドウオ
ールa・・・・アライメントマークを形成する領域部分
d+、d2・・・・・アライメントマーク同士の間隔θ
・・・・斜面とウェーハ表面とが成す角度。
Claims (1)
- (1)第一のアライメントマークを下地に形成する工程
と、前記下地の表面にエピタキシャル層を形成する工程
と、該エピタキシャル層の表面に前記第一のアライメン
トマークが転写されて成る第二のアライメントマークを
用いてアライメントを行なう工程とを経て半導体素子を
製造するに当り、 前記第一のアライメントマークの形成を、 前記下地の表面のアライメントマーク形成予定領域外に
マスク酸化膜及び該予定領域に前記マスク酸化膜よりも
薄いパッド酸化膜を形成する工程と、 前記マスク酸化膜及びパッド酸化膜の上側に窒化シリコ
ン層を被着する工程と、 前記窒化シリコン層を異方性エッチング処理して、前記
マスク酸化膜にサイドウォールを形成する工程と、 前記サイドウォールをマスクとして前記パッド酸化膜を
エッチング除去した後、シリカ薄膜を塗布形成する工程
と、 前記シリカ薄膜が形成された下地を加熱処理して、酸化
膜を形成する工程と を経て行なう ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63221792A JPH0269925A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63221792A JPH0269925A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0269925A true JPH0269925A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16772273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63221792A Pending JPH0269925A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0269925A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5876819A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same |
US9959420B2 (en) | 2012-10-02 | 2018-05-01 | Box, Inc. | System and method for enhanced security and management mechanisms for enterprise administrators in a cloud-based environment |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63221792A patent/JPH0269925A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5876819A (en) * | 1995-02-17 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same |
US9959420B2 (en) | 2012-10-02 | 2018-05-01 | Box, Inc. | System and method for enhanced security and management mechanisms for enterprise administrators in a cloud-based environment |
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