JPH0269443A - フルオロアルキル系化合物及び液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は新規なフルオロアルキル系化合物およびそれ
を含有してなる液晶組成物に関する。

（ロ）従来の技術 現在液晶表示素子ではネマチック液晶相を利用等の化合
物が知られている（　Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ、ＬｉｇＣｒ
ｙｓｔ、、１１０巻（１９８４年）１７５頁）。

（ハ）発明が解決しようとする課題 使用する液晶に望まれる性質は表示モードによって異な
るが、現在のところ単一化合物で望まれる条件を総て満
たすことは不可能であり、複数の化合物を混合して実用
に供している。このため実用可能な条件を満たす液晶組
成物を作成するためには多様な性質をもった数多くの単
品液晶化合物が必要となる。また、それ自身液晶性を示
さない化合物が液晶組成物の成分として有用となる可能
性もある。

これまて数多くの液晶化合物が合成されてきたが、良好
な特性を示す液晶組成物の開発に必要な新規な化合物の
開発は依然として強く望まれている。とりわけスメクチ
ック液晶組成物用の化合物を数多く創出することが今後
必要である。

また、スメクチックＣ相を利用した強誘電性液晶組成物
においては、ノン・カイラル液晶化合物よりなる室温で
スメクチックＣ相を呈する液晶組成物と光学活性化合物
とを混合することにより強誘電性液晶組成物を作成する
方式が近年主流になって来ており、この点からもスメク
チックＣ相を呈する化合物の開発が望まれている。強誘
電性液晶組成物においては、これに加えて、ＩＡＣＩ　
Ｎ　Ａ　Ｃ（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ−Ｎｅｍａｔｉｃ−３
ｍｅｃＬｉｃ＾−３ｍｅｃｔｉｃ　Ｃ）という相系列を
呈する必要があり、この観点からも様々な転移温度を示
す多数のスメクチック液晶化合物の創出が望まれている
。

この発明はこのような状況下なされたものであり、スメ
クチック相を利用した表示に用いる液晶組成物の構成成
分として有用なフルオロアルキル系化合物及び液晶組成
物を提供することを目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 この発明によれば、−数式 （ただし、Ｒは炭素数１〜１５のアルキル基、Ａｍは１
又は２、ｎは１〜１５の整数を示す）で表わされるフル
オロアルキル系化合物が提供さメｔろ。

上記式（１）の化合物は、文献未記載の化合物である。

上記式におけるＲ（炭素数１〜１５のアルキル基）には
、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、
ｉ−ブチル、ペンチル、ｌ−又は２メチルブチル、ヘキ
シル、１−又は３−メチルペンチル、ヘプチル、１−又
は４−メチルヘキシル、オクチル、１−メチルヘプチル
、ノニル、！−又は６−メチルオクチル、デシル、■−
メチルノニル、ウンデシル、■−メチルデシル、ドデシ
ル、ｌ−メチルウンデシル等が含まれる。これらのアル
キル基中で炭素鎖に不斉炭素が含まれていてもよい。

この発明のフルオロアルキル系化合物は、上記ができる
。

まず、この発明の式（Ｉａ）で表わされるフルオロアル
キル系化合物は、例えば下記反応式（１）〜（５）で表
わされるステップによって合成することができる。すな
わち、ｐ−アルコキシ安息香酸と５塩化リンとを反応さ
せて、ｐ−アルコキン安息香酸クロリドを得（１）、こ
れにｐ−ヒドロキン安息香酸ベンジルエステルを反応さ
せて、４−（４′−アルコキノーベンゾイルオキシ）安
吉、香酸ベンジルエステルを合成しく２）、次のこの化
合物をＰｄ−Ｃを用いて水素添加して４−（４′−アル
コキシ−ベンゾイルオキシ）安息香酸を得（３）、さら
にこれを五塩化リンと反応させて４−（４’−アルコキ
ン−ヘンジイルオキシ）安い、香酸クロリドにかえた（
４）後、パーフルオロアルカノールと反応させる（５）
ことにより得られる。

（以下余白） で表すことができ、例えば次の通り合成すること（ただ
し、 Ｒは炭素数１から１ ５のアルキル基を示す） タル酸モノベンジルエステルと５塩化リンとを反応させ
て、テレフタル酸モノベンジルエステルクロリドを得（
６）、これにパーフルオロアルカノールを反応させて、
ベンジルパーフルオロアルキルテレフタレートを得（７
）、次のこの化合物にＰｄ−Ｃを用いて水素添加してテ
レフタル酸モノパーフルオロアルキルエステルを得（８
）、さらにこれを五塩化リンと反応させてテレフタル酸
モノパーフルオロアルキルエステルクロリドに変え（９
）、次いで、ｐ−アルコキシフェノールと反応させる（
ＩＱ）ことにより得られる。

（以下余白） （Ｉａ） （ただし、ｍはｌ又は２、ｎはＩ−１５の整数）この発
明の式（ｒｂ）で表わされるフルオロアルキル系化合物
は、例えば、下記反応式（６）〜（１０）で表わされる
方法によって合成され、まずテレフ（ただし、 示す） （ただし、 ｍはｌ又は２、 ｎは１〜！５の整数を （Ｉｂ） Ｒは炭素数ｌ〜１ ５のアルキル基を示 また、この発明の式（ＩＣ）で表わされるフルオロアル
キル系化合物は、例えば次のような（１１）〜（１８）
で表わされるステップで合成される。まず、トランス−
１，４−シクロへキシルジカルボン酸と５塩化リンとを
反応させて、トランス−１，４−シクロへキシルジカル
ボン酸ジクロリドを得（１１）、これにベンジルアルコ
ールを反応させてトランス−１，４−シクロへキシルジ
カルボン酸ジベンジルエステルを合成（１２）する。次
のこの化合物をＰｄ−Ｃを用いて水素添加してトランス
−１，４−シクロへキシルジカルボン酸モノベンジルエ
ステルに変え（１３）、さらにこれを五塩化リンと反応
させてトランス−１，４−シクロへキシルジカルボン酸
モノベンジルエステルクロリドに変え（１４）、これと
Ｐ−アルコキシフェノールとを反応させてＰ−アルコキ
シフェニルベンジル　トランス−１，４−シクロへキシ
ルジカルボキシレートを得る（１５）。次いで、この化
合物をＰｄ−Ｃを用いて水素添加してトランス−１，４
−シクロへキシルジカルボン酸モノ（Ｐ−アルコキシ）
フェニルエステルを得（１６）、さらにこれを五塩化リ
ンと反応させてトランス−１，４−シクロへキシルジカ
ルボン酸モノ（Ｐ−アルコキシ）フェニルエステルクロ
リドに変え（１７）、これをパーフルオロアルカノール
と反応させることにより化合物（Ｉｃ）を得る（１８）
ことができる。

（ただし、Ｒは炭素数１〜１５のアルキル基を示す）（
Ｉａ） （たたし、ｍは１又は２、ｎはｌ−１５の整数を示す） この発明の式（１）で表わされる化合物はそれ自体安定
なスメクチックＡ相及びＣ相を示すので、この発明の化
合物を用いてスメクチックＡｔ目又：よスメクチックＣ
相を示す液晶組成物を作ることかできる。かかる液晶組
成物は、通常この発明のフルオロアルキル系化合物を０
１〜３０重量％、スメクチックＣ相を呈する他の液晶化
合物又は液晶組成物を７０〜９９．９重量％を配合して
作製することかでき、特にスメクチックＣ相を呈する他
の液晶化合物又は液晶組成物と組み合わせて強誘電性液
晶表示装置に利用する液晶組成物を作成する場合、式（
１）の化合物はスメクチックＣ相の広い温度範囲を確保
できると共に、スメクチックＣ相の上にスメクチックＡ
相を出現させてＩＮＡＣｌＩＡＣなどの相系列を有する
液晶組成物を作成することができる。なお、上記液晶組
成物はこの発明のフルオロアルキル系化合物を１種含有
してもよいが、２種以上含有してもよい。

上記式（＋）で表わされるこの発明の化合物の中でも、
式（Ｉａ）で表わされるものとしては特にＣ山ｏ−＠−
ｃｏｏや−ＣＯＯ−ＣＢ、−Ｃ，Ｆ。

Ｃ山Ｏ舎Ｃ００（ツーＣ０Ｏ−ＣＨｔＣＨｔ−ＣｓＦ＋
−Ｃ４Ｈ＠０ラーＣＯＯ＠　Ｃ０Ｏ−ＣＨｔＣＨ２−Ｃ
ｌ　２ＦＭＳＣ，）１．．０台ｃｏｏ−：防Ｃｏｏ−Ｃ
ＩＩ＊ＣＨ＊　−Ｃ，ＰＩｃ、ｎ、、ｏ−４防ｃｏｏ−
４ンＣｏｏ−ＣＨ，−Ｃ，Ｆ、。

ＣＪ、＋、０＜防ＣＯＯ舎Ｃｏｏ−ＣＨ＊ＣＨｔ−Ｃ４
Ｆ＊ｓＣ３山、０（ツーＣｏｏ＠−ＣＯＯ−ＣＩ、ＣＨ
，−Ｃ，Ｆ。

ｃ、山、ｏ−（つ−ｃｏｏ−４ラーＣｏｏ−ＣＨ，ＣＨ
，−Ｃ，Ｆ、。

か、式（１ｂ）て表シつされるものとしては特にｃｏｔ
ｏ　−イ（三］＝＝巨仁）←ＯＣＯ＋Ｃｏｏ　　ＣＨｔ
ＣＩｌｙ　　Ｃ−ＦｍＣＨ，Ｏ−※０ＣＯ（シＣｏｏ−
Ｃｌ１．ＣＩ＋、−Ｃ，Ｆ、ワＣ，Ｉ＋、叶◎−ｏｃｏ
＋ｃｏｏ−ｃ＋＋、　−Ｃ，Ｆ。

Ｃ山ｏ−（トＯＣＯ＜ンＣ０Ｏ−ＣＩｌｆ−活ｃ、ｏ、
ｏ−＠ｏｃｏ−（：刻Ｃｏｏ　ＣＩＬ＋ＣＨｙ　Ｃ５Ｆ
ｌ　？Ｃ，Ｉ＋、０−■ｏｃｏ＋ｃｏｏ−ｃｏ、ｃｏ、
−Ｃ，、Ｆ、。

Ｃ＊１ＬｔＯ−◎−ｏｃｏ＋ｃｏｏ　ＣＨｔＣＩＩｙ　
Ｃ４Ｆ＠Ｃ品０÷ＯＣＯ＋ＣＯＯ−ＣＨ，−Ｃ，Ｆ、。

Ｃ，Ｉ＋、、Ｏ−◇→ｃｏ＋ｃｏｏ　Ｃｌ１２ＣＩＩｚ
−Ｃ＋ｔＦ＊ｓＣ＋　＊ＨｔｓＯ＋ＯｃＯ＋ｃＯｏ　Ｃ
ＨｅＣ）１ｇ　−Ｃ，ＦｅＯ２山、０−（コ辷０ＣＯ−
／４ｆｆＣＯＯ−ＣＨ，ＣＩ、−Ｃ，Ｆ、？Ｃ３，１晴
０−Ｑ＋、’−０（Ｏ（す’、−Ｃｏｏ　Ｃ１ｌ　ｔ　
−Ｃ１−Ｆ　ｒ　ｓ−、−］ が、式（Ｉｃ）で表わされるものとしては特にＣＯコ０
−〈ひ−ｏｃｏ−＼′−ソＣｏｏ−−ＣＩｌＩＣＨ，−
ＣＪ、？−□ ＣｓＨ＋７０　＜、Ｉ、工ろ、−ｏｃｏ−べ、−−７と
−ＣＯＯＣＨ，−ＣＪｓＣ，Ｈ，ヤ０インｏｃｏ０ｃｏ
ｏ−ｃｏ、ｃｕ、−Ｃ，、Ｆ、。

かスメクチックＡ相またはスメクチックＣ相を利用する
液晶材料を作る場合に好ましい。

一方、スメクチックＣ相を呈する他の液晶化合物と組み
合わ仕て用いる場合、組み合わせる対象の液晶としては
当該分野で知られｊ＝種々の化合物があり、その具体例
としては下式（ＩＩ）、Ｕ）、（ＩＶ）で示される化合
物か挙げられる。もちろん、これらは２種以上混合して
用いることができる。

Ｒ−ａ−Ｑ−ｏ−αＢ−Ｒ’　　　　　　（ＩＩ）Ｒ−
ｃ−Ｑ−ｏ−＠−＋＠−Ｂ−Ｒ゛（ｍ）Ｒ−ｃ−（ｏ）
、−ｐ−Ｑ−（ｃＮ）Ｂ−Ｒ′（ＴＶ）（式中、Ｇ及び
Ｂは、それぞれ、単結合、またはＣＯＯ−−０ＣＯ−−
ＣＨ＝、ＣＨ−ＣＯＯ−−０ＣＯ−ＣＩｌＣＨ−−０−
−３−−０ＣＯＯ−もしくは−〇〇−の基を示す。Ｄ及
びＥは、それぞれ、単結合、又はＣＯＯ−−０ＣＯ−−
Ｃ）Ｉ＝Ｎ−−八＝ＣＨ−−ＣＨ＝ＣＨ−−ＣミＣ−−
ＣＨ＝ＣＨ１−ＣＯＯ−７０ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨＣＬＣＬ
　　　　０ＣＨ２ＣＬＯ−ＣＯ３−もしくは−８ＣＯ−
の基を示す。■、■及び■はそ２−それ独立して、ベン
ゼン環、シクロヘキサン環、ビシクロ［２，２，２］オ
クタン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピ
リダジン環、ピペラジン環、ピラン環、ジオキサシクロ
ヘキサン環、チアピラン環、ジチアン環、チアンアジン
環、テトラジン環などの六員環を示し、これらの六員環
中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、シア
ノ基、ニトロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、
又は重水素で置換されてもよい。Ｒ及びＲ′はそれぞれ
独立して、直鎖状または分岐状で炭素数１　＝　１５の
アルキル基を示し、アルキル基中に不斉炭素が含まれて
いてもよい。ｐはｌ又は２の整数を示す。） （ホ）実施例 実施例１ ４−（４′−オクチルオキシ−ベンゾイルオキシ）安息
香酸ＩＨＩＨ２Ｈ２Ｈ−パーフルオロヘキシルエステル
の合成（式（Ｉ　ａ）においてＲ＝　Ｃｓ　Ｈ１７、ｍ
＝２、ｎ＝４） オクチルオキン安息香酸５．１ｇ（０，０２０ｍｏｌ　
）に１．１倍当量の五塩化リンを加え、約８０℃に加熱
して反応させる。反応後、減圧蒸留によってＰＯＣｌ３
および過剰の５塩化リンを完全に除去し、オクチルオキ
シ安息香酸クロリドを得る。これをトルエン４０ｒｎＱ
に溶解し、さらにＰ−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエス
テル５．６９（０，０２４ｍｏｌ　）とピリジン４０１
とを加えて室温で１０時間放置した後、６０℃に加温し
、そのまま３時間保ってから冷却する。その後、塩酸に
加え、エーテルで抽出する。エーテル層をＮａＨＣＯｓ
水溶液で洗浄し、次いで水で洗い、Ｎａ＊ＳＯａで乾燥
する。エーテルを留去し、残留物をカラムクロマトグラ
フィーで精製し、クロロホルムとエタノールとの混合溶
媒から再結晶して４−（４′オクチルオキシ−ベンゾイ
ルオキシ）安息香酸ベンジルエステル７．６９（収率７
８％）を得た。この化合物の融点は６５℃であった。

次に、４−　（４′オクチルオキシーベンゾイルオキン
）安息香酸ベンジルエステル７．６９を１１？のＰｄ−
Ｃを含むトルエンｘｏｏ１！ｃと酢酸１００ｍ（との混
合溶液に溶かし、この溶液を真空脱気し、さらに容器内
に水素を挿入し、撹拌する。水素添加によって得られｔ
：４−（４′オクチルオキシ−ベンゾイルオキシ）安息
香酸をカラムクロマトグラフィーによって精製し、エタ
ノールで再結晶した。収量４．７ｇ（収率８０％）。こ
の化合物の相転移は１４７℃　　　１７４℃　　２３９
℃ Ｃ−−→５ｃ−−→Ｎ−−→　■ （ここでＣ，Ｓｃ、Ｎ、Ｉはそれぞれ結晶相、スメクチ
ックＣ相、ネマチック相、等方性液体を示す。） であった。

得られた４−（４’オクチルオキシ−ベンゾイルオキシ
）安息香酸０．５９（０，００１４ｍｏ＋）に１，１倍
当量の五塩化リンを加え０、約８０℃で加熱して反応さ
せる。減圧蒸留によってＰＯＣｌ、および過剰の５塩化
リンを完全に除去し、４−（４’−才クチルオキシ−ベ
ンゾイルオキシ）安息香酸クロリドを得る。

これをトルエン１０ｊ１１２に溶解し、さらにＩＨＩ）
１２Ｈ２Ｈ−パーフルオロヘキサノール０．４３９　（
０，００１６ｍｏｌ　）とピリジン２０ｍＱとを加える
。室温で１０時間放置しに後、６０℃に加温し、そのま
ま３時間保ってから冷却する。その後、塩酸に加え、エ
ーテルで抽出する。エーテル層をＮａｔｌＣＯａ水溶液
、次いて水で洗い、Ｎａ＝ＳＯ，で乾燥する。エーテル
を留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し
、トルエンとエタノールとの混合溶媒から再結晶して４
−　（４’オクチルオキシ−ベンゾイルオキシ）安息香
酸１１１１）＋２Ｈ２Ｈ−パーフルオロヘキシルエステ
ル０．３６９（収率４３％）を得た。この化合物の転移
温度を第１表に示す。また、この化合物の赤外スペクト
ルを第１図に示す。

実施例２ 実施例１の合成法に準じて第１表に示す７種の化合物を
合成し、得られた化合物の転移温度を第１表に示す。

（以下余白） 実施例３ ４−才クチルオキシフェニル−ＩＨＩＨ２Ｈ２Ｈ−パー
フルオロヘキシルテレフタレートの合成（式％式％） テレフタル酸モノベンジルエステル２．０９（０，ＯＱ
７８ｍｏｌ　）に１．１倍当量の五塩化リンを加え、約
８０℃で加熱して反応させる。減圧蒸留によってＰＯＣ
ｌ２および過剰の５塩化リンを完全に除去し、テレフタ
ル酸モノベンジルエステルクロリドを得る。これをトル
エン１０ｍＱに溶解し、さらにＬＨＩＨ２Ｈ２Ｈ−パー
フルオロヘキサノール２．５９（０，００９３ｍｏｌ　
）とピリジンＩＤｙｔ（ｌとを加える。室温で１０時間
放置した後、６０℃に加温し、そのまま３時間保ってか
ら冷却する。その後、塩酸に加え・、エーテルで抽出す
る。エーテル層をＮａＨｅＯｓ水溶液、次いで水で洗い
、 ｒｉａｔｓＯ４で乾燥する。エーテルを留去し、残留物
をカラムクロマトグラフィーで精製し、エタノールから
再結晶してベンジル−ＩＨＩＨ２Ｈ２Ｈ−パーフルオロ
ヘキシルテレフタレート　３．１９　（収率８９％）ヲ
得た。

次に、得られたベンジル−ＩＨＩＨ２）１２）１−パー
フルオロヘキシル−テレフタレート３．０９をＶ９のＰ
ｄ−Ｃを含むトルエン１００ＭＱと酢酸１０ｈ（！との
混合溶液に溶かし、この溶液を真空脱気し、さらに容器
内に水素を挿入し撹拌する。水素添加によって得られた
テレフタル酸モノＩＨＩＨ２１（２Ｈ−パーフルオロア
ルキルエステルをカラムクロマトグラフィーによって精
製し、エタノールトルエン混合溶媒で再結晶した。収量
２．０９　（収率８０％）。この化合物の融点は１８９
℃であった。

得られたテレフタル酸モノＩＨ１）１２１１２１１−パ
ーフルオロアルキルエステル０．５９（０，００１４ｍ
ｏｌ　）に１．１倍当量の五塩化リンを加え、約８０℃
で加熱して反応させる。減圧蒸留によってＰＯＣｌ３お
よび過剰の５塩化リンを完全に除去し、テレフタル酸モ
ノＩＨ１１１２Ｈ２１１−パーフルオロアルキルエステ
ルクロリドを得る。これをトルエン１０ｘＱに溶解し、
さらに４−オクチルオキシフェノール０．３７＋１　（
０，００１７ｍｏｌ）とピリジン１０ｔｔｒＱとを加え
る。室温で１０時間放置した後、６０℃に加温し、その
まま３時間保ってから冷却する。その後、塩酸に加え、
エーテルで抽出するエーテル層をＮａＨｅＯｓ水溶液、
次いで水で洗い、ＮａｔＳＯ＋で乾燥する。エーテルを
留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、
トルエンとエタノールとの混合溶媒から再結晶して４−
オクチルオキシフェニル−ＩＨＩＨ２１（２Ｈ−パーフ
ルオロヘキシルテレフタレート０．３ｈ（収率４９％）
を得ｒこ。

この化合物の転移温度を第２表に示す。また、この化合
物の赤外スペクトルを第２図に示す。

実施例４ ４−オクチルオキシフェニル−Ｉ　１１１　）１−パー
フルオロプロピル−トランス−１，４−シクロヘキサン
カルボキシレートの合成（式（Ｉ　ｃ）においてＲ−Ｃ
，Ｈ，、、ｍ＝Ｉ、ｎ＝２） トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸１０、
ｈ　（０，０５８ｍｏｌ　）に五塩化リン１５．９９（
０，１３３ｍｏｌ）を加え、約８０℃で加熱して反応さ
せる。減圧蒸留によってＰＯＣｌ、および過剰の５塩化
リンを完全に除去し、トランス−１，４−シクロヘキサ
ンジカルボン酸クロリドを得る。これをトルエン１０ｍ
＋２に溶解し、さらにベンジルアルコール１３．８ｇ（
０，１３９ｍ０１）とピリジン１（Ｌ！１２とを加える
。室温で１０時間放置した後、６０℃に加温し、そのま
ま３時間保ってから冷却する。その後、塩酸に加え、エ
ーテルで抽出する。エーテル層をＮａＨＣＯｓ水溶液、
次いて水で洗い、ＮａｔＳＯ４で乾燥する。エーテルを
留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、
エタノールトルエン混合溶媒から再結晶してトランス−
１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジベンジルエステ
ル１６．７１Ｆ　（収率８１％）を得た。

次に、トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸
ジベンジルエステルを１９のＰｄ−Ｃを含むトルエン１
００ｍ（と酢酸１００ｍＣとの混合溶液に溶がし、この
溶液を真空脱気し、さらに容器内に水素を挿入し１／３
当景だけ水素添加させる。得られた粗精製物をカラムク
ロマトグラフィーによって分離、精製し、エーテルとヘ
キサン混合溶媒で再結晶して、トランス−１，４−シク
ロヘキサンジカルボン酸モノベンジルエステル２．９９
　（収率２３％）を得ｆ二。

この化合物の融点は８２℃であった。

、得られたトランス−１，４−シクロヘキサンジカルボ
ン酸モノベンジルエステル２．９９（０，０１０９ｍｏ
ｌ　）に１．１倍当景の五塩化リンを加え、約８０℃で
加熱して反応させる。減圧蒸留によってＰＯＣＩｓおよ
び過剰の５塩化リンを完全に除去し、トランス−１゜４
−シクロヘキサンジカルボン酸モノベンジルエステルク
ロリドを得る。これをトルエン１０Ｒ（ｌに溶解し、さ
らに４−オクチルオキシフェノール２．９ｇ（０，０１
３１ｍｏｌ　）とピリジン１０＊ｆｆとを加える。室温
で１０時間放置した後、６０℃に加温し、そのまま３時
間保ってから冷却する。その後、塩酸に加え、エーテル
で抽出する。エーテル層をＮａＨＣＯｚ水溶液、次いで
水で洗い、ＮａｔＳ０４で乾燥する。エーテルを留去し
、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、エーテ
ルとヘキサンとの混合溶媒から再結晶して４−オクチル
オキシフェニル−ベンジル−トランス−１，４−シクロ
ヘキサンジカルボキシレート２．ｈ（収率５１％）を得
た。この化合物の融点は４７°Ｃであっ１こ。

得られた４−オクチルオキシフェニル−ベンジル−トラ
ンス−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート２．
６９を１９のＰｄ−Ｃを含むトルエン１００＋＋＋Ｑと
酢酸１１００ｊＩの混合溶液に溶かし、この溶液を真空
脱気し、さらに容器内に水素を挿入し撹拌する。

水素添加によって得られたトランス−１，４−シクロヘ
キサンノカルボン酸４−オクチルオキシフェニルエステ
ルをカラムクロマトグラフィーによって精製し、アセト
ンで再結晶した。収量０．９９（収率４７％）。

得られたトランス−１，４−７クロヘキサンジカルホ゛
ン酸４−オクチルオキシフェニルエステル０．４９　（
０，０００８６ｍｏｌ）に１．１倍当量の五塩化リンを
加え、約８０℃で加熱して反応させる。減圧蒸留によっ
てＰＯＣｌ３および過剰の５塩化リンを完全に除去し、
トランス−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸４−オ
クチルオキシフェニルエステルクロリドを得る。

これをトルエンｌ　０ｔｓＱに溶解し、さらにＩＨＩＩ
Ｉ−パーフルオロプロパツール０．ｌｈ　（０，０００
９５ｍｏｌ）とピリジン１０１１１２とを加える。室温
で１０時間放置した後、６０℃に加温し、そのまま３時
間保ってから冷伊する。その後、塩酸に加え、エーテル
で抽出する。エーテル層をｋａＨｃＯ３水溶液、次いで
水で洗い、ＮａｔＳＯ４で乾燥する。エーテルを留去し
、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、エーテ
ルとヘキサンとの混合溶媒から再結晶して４−オクチル
オキシフェニル−ＩＨＩＨ−パーフルオロプロピル−ト
ランス−１，４−ノクロヘキサンジカルボキシレート０
．１５９（収率２９％）を得た。この化合物７５．０℃ の転移温度はスメクチックＣ相−−−→スフクチ６４．
０°Ｃ ツクＡ相−Ｍアイソトロピックであった。また、この化
合物の赤外スペクトルを第３図に示す。

実施例５ 実施例３に準じて第２表に示す４種の他の化合物を合成
し、得られた化合物の転移温度を第２表に併せて示す。

この発明の化合物はスメクチック液晶性が高く、スメク
チック液晶組成物を得るための構成成分として有用であ
ることが分かる。

（以下余白） 比較例１ ＣＩｂＯ＜＜　　ｏｃｏう　ｃｏｏ−Ｃｓｌｌ＋ｓ実施
例１のＩＩＩＬＨ２Ｈ２Ｈ−パーフルオロヘキサノール
にかえてヘキサノールを用いるほかは実施例１と同様Ｉ
）　操作＋＝　ヨｒ）　、ＣＩｂ０１◎−ｏｃｏＫうＣ
００−Ｃ＠１１１３を得た。この化合物は液晶相を示さ
なかった（融点５９．０°Ｃ）。

（へ）発明の効果 この発明の化合物は安定なスメクチックＡ相及びスメク
チックＣ相を呈するので、スメクチックＡ相ま１こはス
メクチックＣ相を利用する液晶材料を作る場合に有用で
ある。特にスメクチックＣ相を呈する他の液晶化合物と
組み合わせて強誘電性液晶表示装置に利用する液晶組成
物を作成する場合、本発明の化合物はスメクチックＣ相
の上にスメクチックＡ相を出現させてＩＮＡＣ，ＩＡＣ
などの相系列を有する液晶組成物を作成するのに有用で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は、それぞれこの発明の実施例１、実施
例３．実施例４でえられたフルオロアルキル系化合物の
赤外吸収スペクトルの図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１５のアルキル基、Ａは▲数
   式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表
   等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ｍは１又は２、ｎは１〜１５の整数を示す）で表わされ
   るフルオロアルキル系化合物。 ２、前記式（ I ）で表わされるフルオロアルキル系化
   合物の少なくとも１種を含有してなる液晶組成物。