JPH0268820A - ワイヤ又はケーブル形態の電気導線 - Google Patents

ワイヤ又はケーブル形態の電気導線

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JPH0268820A
JPH0268820A JP1173866A JP17386689A JPH0268820A JP H0268820 A JPH0268820 A JP H0268820A JP 1173866 A JP1173866 A JP 1173866A JP 17386689 A JP17386689 A JP 17386689A JP H0268820 A JPH0268820 A JP H0268820A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超電導体技術に係る。近年、超電導特性を示
す材料が益々重要なものとなってきている。特に、希土
類/ B a / Cu / O形式の新たな超電導材
料が発見されると、50に以上の温度でも超電導特性を
示すので、超電導体の用途が著しく拡張されることにな
る。
本発明は、ワイヤ形態のセラミック高温超電導体より成
る成分のそれ以上の開発及び改良に関するもので、工業
用の大量生産の要求についての検討をもたらすものであ
る。
特に本発明は、形式REBa  Cu  0236.5
+y (REは希土類金属を示しそしてO<y<1であり)又
は形式(La、Ba、5r)CuOのセラミック高温超
電導体をベースとする多フィラメント導体又はシースで
覆われたワイヤより成るワイヤ又はケーブル形態の電気
導体であって、上記超電導体は、コアが金属シース内に
あって、このシースが機械的な支持体及び非常電流導体
とじて作用するように構成された電気導体に関する。
従来の技術 出発材料の粉末を作成して混合し、そしてそれらを後で
熱処理することによりREBaCu0  の超電導体を
形成することが知られてい6、5−7 る。使用する出発材料は、一般に、YヨO,/CuO及
びBaO又はBaC0,である。BaC0,の場合には
、更に別のか焼プロセスによってCO8を追放しなけれ
ばならない(1987年5月発行のrJap、Jour
、 of Applied PhysicsJ第26巻
、第5号の第L736−L737頁に掲載されたT。
カワイ及びM、カナイ著の「高TeY−Ba−C14−
0超電導体の作成(F’reparation of 
high−Te Y−Ba−Cu−O5upercon
ductor)J  ; 1987年5月発行のrJa
p、 Jour、 of’ Applied Phys
icsJ第26巻、第5号の第2865−2866頁に
掲載されたY、ヤマダ、Nツクシマ、S、ナカヤマ及び
S、ムラセ著の[ワイヤ形式Y−Ba−Cu酸化物超電
導体の臨界電流密度(Critical curren
tdensity of wire type Y−B
a−Cu oxide 5upercon−ducto
r) Jを参照されたい)。この場合、酸素を含む雰囲
気(空気)中で、即ち、あるO3分圧のもとて焼結が行
なわれる。従って、周囲の焼結雰囲気は、コンパウンド
の若干超化学量論的な酸素含有物を得るように作用する
。又、細い銀のチューブ内で焼結プロセスを実行するこ
とも提案されている。銀は、酸素元素に浸透し、酸素が
拡散によってコア材料に入り込むようにする(〒210
川崎市幸区(株)東芝、R+Dセンター、H,ヨシノ、
N、ツクシマ、Mニラ、S、ナカヤマ、Y。
ヤマダ及びS、ムラセ著のr90Kにおいてゼロ抵抗状
態及び77Kにおいて電流密度510A/cmlの超電
導ワイヤ及びコイル(Superconducting
wire and ciol with zero r
esistance 5tate at90K and
 current density of 510A/
cffl at 77K)Jを参照されたい)。
セラミックの高温超電導体は、比較的低い臨界電流密度
について顕著なものであり、それらの一般的な使用が妨
げられる。明らかなように、超電導を作用不能にするの
に弱い磁界で充分である。
このため、例えば、電流搬送導体の自己磁界でも充分で
ある。現在入手できるセラミック材料は、この自己磁界
作用によって常に制限される。
発明の構成 従って、本発明の目的は、できるだけ高い電流搬送容量
を有すると共に、自己磁界の有害な影響が臨界電流密度
j critにはゾ抑制されるようなセラミック高温超
電導体をベースとするワイヤ又はケーブル形態の新規な
電気導体を提供するこ”とである。この導体は、大きな
まっすぐな寸法を有し且つ再現可能な物理的特性を有す
るようにして簡単に製造できねばならない。
この目的は、前記した導体において、金属シースが設け
られて、複数のフィラメントに分解された電気導線の各
フィラメントのコアは、透磁率の高い柔軟な磁気材料に
埋設されることを特徴とする電気導体によって達成され
る。
実施例 以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を
詳細に説明する。
図面全体にわたって同様の又は対応する部分が同じ参照
番号で示された添付図面を参照すれば、第1図は、最終
的な段階、即ち、圧延、鍛造、すえ込み、引っ張り等の
後のワイヤ(基本的な構造)の断面を概略的に示してい
る。参照番号1は、例えば、形式REBa  Cu  
Oのセラミック236.5+y の超電導材料のコアであり、但し、REは希土類金属で
ありモしてO<y<1である。参照番号2は、タンタル
、ニオブ、バナジウム、ニッケル、等より成る拡散バリ
アであり、これは、コア材料(超電導体本体1)から出
る酸素の移動をはゾ阻止する。もちろん、拡散バリア2
は、これら元素の少なくとも2つの合金で構成されても
よい。参照番号3は、例えば、銅又は銀のチューブのよ
うな金属のシースであり、これは、幾何学形状を維持す
る機械的な支持体及び非常電流の導体として働く。参照
番号4は、コアl及び金属シース3を同心的に包囲する
高透磁率の柔軟な磁気材料であり、これは、通常そうで
あるように、電流を搬送する導体の自己磁界をそれ自体
に「吸引」する。
第2図は、多フィラメント導線の概略断面図である。こ
れは、第1図に対応する基本的構造を有する平行ファイ
バの束である。参照番号は、第1図と全く同じである。
個々の導体は、柔軟な磁気材料4内にしっかりと埋設さ
れる。
例1: 第1図及び第2図を参照されたい。
次の式に対応する組成を超電導材料のコア1として選択
した。
YBa、Cu、O。
このため、内径が5Mで外径が8M(壁厚が1.5mm
)の銅のチューブの形態の中空金属シース3の内部に2
00μm厚みのニッケル層を拡散バリア2として設けた
。次いで、銅のチューブに、次のような量の比を有する
粉末混合物を充填した。
1モル  Y、0゜ 3モル  BaO 1モル  Bad。
6モル  CaO 柔軟な磁気材料4(この場合には、柔軟なスチール)の
プリズム状ブロックに距離12鵬で直径81TIITl
の穴をあけた。粉末混合物が充填されたチューブ部分を
これらの穴に挿入した。プリズム状のスチールのブロッ
クをグループ付きのロールによりその元の断面の約1/
16に減少し、超電導材料1が充填された穴はまだ直径
が約1,25nuaであった。このようにして形成され
た直径約50■のロッドを、引っ張りを繰り返すことに
より、直径5Mまで徐々に減少し、その直後にアニール
を繰り返した後、ワイヤ直径1鵬まで引っ張った。
このとき、個々のフィラメントは直径が約25μmとな
った。最終的な整形の後に、巻かれたワイヤを熱間イソ
スタティック加圧装置に入れ、これにアルゴンを溢れさ
せた。圧力は200バールでありそして温度は10時間
の間に徐々に930’Cまで上げた。この状態を4時間
保持し、次いで、多フィラメント導体を25℃/hの割
合で室温まで冷却した。アニール処理により、反応性焼
結の結果として超電導コンパウンドY B a、Cu、
O。
が形成された。
柔軟な磁気埋設材料のない直径IMのコンパクトな超電
導体と比較すると、次のようになる。
コンパクトなワイヤの電流搬送容量は約5Aであり、こ
れは、約600A/cnfの臨界電流密度に対応する。
一方、多フィラメント導体の電流搬送容量は2OAであ
り、これは、保護されない材料の電流密度の4倍に対応
する。この点について、次のような考察が考えられる。
最近の調査では、強力な磁界依存性が臨界電流を制限す
るファクタであると分かっている。電流の自己磁界Hが
典型的に20エルステツドの臨界値を越えると、材料の
超電導特性が失われる。
これから明らかなように、フィラメントは電流密度j 
critを搬送し、これは、半径Rが小さいほど大きく
なる。というのは、最大自己磁界がH=jcrit・2
π/ c −Rだからである。これは、実験から分かっ
たものである。同様の考察から、薄いフィルムは、厚い
フィルムよりも大きな電流密度を搬送できることも分か
っている。
フィラメントの電界は、自己磁界Heと、他のフィラメ
ントの全磁界Hgとで構成される。)−(gはケーブル
の周囲で最大となり、その点において200エルステツ
ドとなる。磁気遮蔽により、この値は、ここに示す形状
に対し約μ15の係数で減少される(μは磁気材料の透
磁率である)。柔軟なスチール(軟鋼)の場合には、こ
れにより、H= 200エルステツドに対し典型的な値
μ15=20が得られ、即ち、Hgがフィラメントにお
いて10エルステツドとなる。自己磁界を計算しなけれ
ばならず、全電流20Aの場合に、各フィラメントは1
6mAの電流を搬送する。フィラメント直径が25μm
の場合には、これが4エルステツドの磁界となる。それ
故、最大磁界は、10+4=14エルステツドより大き
くなることはない。
例2 第1図及び第2図参照。
次の式に対応する組成を超電導材料のコア1として選択
した。
YBa   Cu   Oイ旦し、 −0,5<X<0
.1237+X 出発材料として酸化物の粉末を使用した。粉末混合物は
次のような量の比を有するものであった。
1モル  Y、03 2モル  BaO 2モル  Bad。
6モル  CuO これは、次の式で表わされた仮定的なコンパウンドに対
応する。
Y B a、Cu、 O,、。
内径が5mmで外径が9mm(壁厚が2mm)で金属シ
ースとして働く銀のチューブの内部に20μm厚みのタ
ンタル層を拡散バリア2として設け、次いで、内径が9
順で外径が13mmのニッケルチューブ4に挿入した。
次いで、7本のチューブを組み立てて、束(東直径約3
9mm)を形成した。
これらチューブに粉末混合物を充填し、束全体を850
℃のグループ付きロールにより約5mmの直径に減少し
た。このプロセスにおいて、ニッケルチューブを溶接し
てコンパクトな本体を形成し、磁気材料4を形成した。
次いで、束は、中間でアニーリングをしながら引っ張り
を繰り返すことにより直径1順まで減少した。7個のこ
のような束を各々の場合にもう1度組合せて引っ張り直
径1柵にした。7個の最後の束をもう1度組合せ、約1
.4Mの最終直径まで引っ張った。個々のフィラメント
は直径がまだ20μmであった。次いで、多フィラメン
ト導体を最終的な巻き取り形態に変換し、反応焼結プロ
セスを受けた。1000バールの酸素雰囲気中において
920℃の温度で8時間アニーリングを行なった。次い
で、500℃までゆっくりと冷却を行ない、その後、室
温まで急速に冷却した。調査の結果、多フィラメント導
体の電流搬送容量は約2500A/cutの臨界電流密
度に対応することが分かった。
これらの考察については、上記例1の説明がそのま)有
効である。
本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。
主として、ワイヤ又はケーブル形態の電気導体は、形式
REBa  Cu  ○  (REは236.5+y 希土類金属を示しそしてO<y<1であり)又は形式(
La、Ba、S r)2CuO4のセラミック高温超電
導体をベースとする多フィラメント導体又はシース付き
ワイヤより成り、上記超電導体は、コアが金属シース内
にあって、このシースが機械的な支持体及び非常電流導
体として作用するように構成され、金属シースが設けら
れて、複数のフィラメントに分解された電気導線の各フ
ィラメントコアは、透磁率の高い柔軟な磁気材料に埋設
される。この磁気材料としては、Fe5Ni及び/又は
それらの合金が適当であるが、透磁率は少なくとも10
であり、一方、磁気誘導の飽和が少なくとも0.2テス
ラでなければならない。
電気導体は、個々のコアの直径が2ないし200μmで
、これらのコアが連続的な柔軟な磁気材料の形態の全て
の側が閉じた共通の埋設部を有するような多フィラメン
ト導体として形成される。
酸素に対する拡散バリアが金属シースとコアとの間に組
み込まれるのが好ましい。
本発明の効果は、遮蔽しないワイヤ型又はケ−プル型高
温超電導体に比して臨界制限電流密度を4倍増加するこ
とである。又、電流搬送容量は、交流動作の場合にも、
磁気遮蔽によって実質的に増加される。
上記説明に鑑み、本発明の種々の変更や修正が明らかと
なろう。それ故、特許請求の範囲内で、上記とは異なっ
たやり方でも実施できることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ワイヤ(基本構造)の断面図、そして 第2図は、多フィラメント導体の断面図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)形式REBa_2Cu_3O_6_._5_+_
    y(REは希土類金属を示しそして0<y<1であり)
    又は形式(La,Ba,Sr)_2CuO_4のセラミ
    ック高温超電導体をベースとする多フィラメント導体又
    はシース付きワイヤより成るワイヤ又はケーブルの形態
    の電気導体であって、上記超電導体は、コア(1)が金
    属シース(3)内にあって、このシースが機械的な支持
    体及び非常電流導体として作用するように構成された電
    気導体において、金属シース(3)が設けられて、複数
    のフィラメントに分解された電気導線の各フィラメント
    のコア(1)は、透磁率の高い柔軟な磁気材料(4)に
    埋設されることを特徴とする電気導体。
  2. (2)上記磁気材料(4)は、透磁率が少なくとも10
    で且つ磁気誘導の飽和が少なくとも0.2テスラの鉄或
    いはニッケル合金である請求項1に記載の電気導体。
  3. (3)個々のコア(1)の直径が2ないし200μmで
    、連続する柔軟な磁気材料(4)の形態の全ての側が閉
    じた共通の埋設部をコアが有しているような多フィラメ
    ント導体として形成された請求項1に記載の電気導体。
  4. (4)酸素のための拡散バリア(2)がコア(1)と金
    属シース(3)との間に配置された請求項1に記載の電
    気導体。
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