JPH0265156A

JPH0265156A - 半導体ペレットの製造方法

Info

Publication number: JPH0265156A
Application number: JP63216086A
Authority: JP
Inventors: Naomi Suyama; 須山　直美; Kiyotaka Ichiin; 一円　清孝
Original assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date: 1988-08-30
Filing date: 1988-08-30
Publication date: 1990-03-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は半導体ウェハを個々の半導体ペレットに分割す
る方法に関する。

［従来技術］従来より半導体ウェハを個々の半導体ペレットに分割す
る方法としては、先ず、第３図（ａ）に示すように裏面
を粘着シー）１０１に貼着した半導体ウェハ１００の表
面を、ダイシングソウ１０３にてＸ、Ｙ方向にスクライ
ブ溝１０４・・・を形成し、第３図（ｂ）に示すように
、粘着シー１−１０１に貼着した半導体ウェハ１００を
裏返して保護シート１０５上に重ね、粘着シート１０１
上より各スクライプ溝１０４方向に押し割りローラ１０
６にて押圧して各スクライブ′ａ１０４・・・より押し
割り、個々の半導体ペレット１０２・・・に分割する。

Ｅ発明が解決しようとする諜ａｌしかしながら上記のように押し割りローラ１０６で半導
体ウェハ１００を押し割りすると、−度に両方向のスク
ライブ溝１０４・・・が押し割られ易く、Ｘ、Ｙ方向の
各スクライブ溝１０４，１０４の交点では割れ方向が定
まらず、欠けてシリコン屑が生じ易く、該シリコン屑が
押し割り時に正常な半導体ペレット１０２・・・表面に
付着して傷を付けたり、また周囲を欠損させて不良品に
するといった問題があった。

また、シリコン屑の発生をなくするため、各スクライブ
溝１０４・・・を粘着シートｌｏｔに達するように形成
してもよいが、ダイシングソウ１０３等の切削面に粘着
シート１０１の粘着剤等が付着し、すぐに切削面を駄目
にするといった問題がある。

［課題を解決するための手段］上記課題を解決するために本発明の半導体ペレットの製
造方法では、半導体ウェハに形成された各半導体ペレッ
トを分割するためのＸ、Ｙ方向のスクライブ溝のうちい
ずれか一方向のスクライブ溝を他方向のスクライブ溝よ
り深（形成し、浅いい方のスクライブ溝の方向に押し割
りローラを移動させて、深い方のスクライブ溝に沿って
半導体ウェハを押し割ってから、押し割すローラを既に
分割された深い方のスクライブ溝の方向に移動させて押
し割り各半導体ペレットに分割することを特徴とする。

［作用コ上記半導体ペレットの製造方法では、半導体ウェハに形
成されたＸ、Ｙ方向のスクライブ溝のうち、先ず深く形
成されたスクライブ溝を押し割ると、浅い方のスクライ
ブ溝に割れを生じることがなく、深い方のスクライブ溝
に沿って破断力が集中し、半導体ウェハのシリコン屑を
殆ど生しることなく押し割ることができる。さらに、浅
い方のスクライブ溝の方向に押し割ると、浅いスクライ
ブ溝の方向に沿って破断力が集中し、シリコン屑の発生
も殆どなく分割することができ、分割された各半導体ペ
レットに傷や欠損を生じることはない。

［実施例］以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

第１図（ａ）から（ｅ）はそれぞれ本発明の一実施例に
かかる半導体ペレットの製造方法を順を追って示す概略
説明図である。即ち、本発明の方法は、先ず第１図（ａ
）に示すように、例えば、厚さ約４８５μｍの半導体ウ
ェハ１の裏面に粘着シート２に貼着し、各半導体ペレッ
ト３・・・を分割するためのＸ、　Ｙ両方向のうち、例
えば、Ｘ方向のスクライブ溝４・・・をそれぞれ半導体
ウェハ１の厚さの、例えば約半分の２３５μｍの深さま
で高速回転するダイシングソウ５によって切り込んで形
成する。この場合、スクライブ溝４・・・の形成はダイ
シングソウ５に限らず、ダイヤモンドカッタやレーザ光
等の手段を使用してもよい。

つぎに第１図（ｂ）に示すように、Ｙ方向のスクライブ
溝６・・・を、上記Ｘ方向のスクライブ溝４・・・の深
さより深くなるように、例えば半導体ウェハ１の表面か
ら約２８５μｍの深さにまで上記同様に高速回転するダ
イシングソウ５によって切り込んで形成する。このよう
にＸ方向の浅いスクライブ溝４・・・とＹ方向の深いス
クライブ溝６・・・を形成すると、第２図に示すように
深い方のスクライブ溝６・・・が主となり、浅い方のス
クライブ溝４・・・が従となったスクライブ溝となる。

Ｘ方向の浅いスクライブ溝４・・・とＹ方向の深いスク
ライブ溝６・・・を形成すると、第１図（Ｃ）に示すよ
うに、粘着シート２と一体で半導体ウェハ１を保護シー
ト７上に裏返し、Ｙ方向の深いスクライブ溝６・・・と
平行になるように押し割りローラ８を粘着シート２裏面
に載置し、回転移動させて先ず深いスクライプ？ｎ６・
・・に沿って半導体ウェハ１を押し割る。この場合、深
い方のスクライブ溝６・・・に沿って破断力が集中し、
浅いスクライブ溝４・・・に影響を与えることなく深い
スクライブ溝６・・・のみが分割され、半導体ウェハ１
のシリコン屑は殆ど発生しない。

Ｙ方向の深いスクライブ溝６・・・が押し割られると、
第１図（ｄ）に示すように、今度は押し割りローラ８を
Ｘ方向の浅いスクライブ溝４・・・と平行となるように
粘着シート２の裏面に載置し、回転移動させて浅い方の
スクライブ溝４・・・に沿って押し割る。この場合、各
スクライブ溝４・・・に破断力が集中し、シリコン屑が
殆ど発生せずに該スクライブ溝４・・・が押し割られる
。

各半導体ペレット３・・・に分割されると、第１図（ｅ
）に示すように、粘着シート２を元に戻し、該粘着シー
ト２をＸ、　Ｙ方向方に引き延ばして各半導体ペレット
３・・・の間隔をあけ、半導体ウェハ１周縁等の不良の
半導体ペレット３・・・等を除去し、正常な半導体ベレ
ット３・・・だけを図示していない吸着コレット等で真
空吸着し、リードフレームの所定のベレットマウント部
等に供給している。

上記半導体ペレットの製造方法では、深い方のスクライ
ブ溝６・・・の方向に沿って正常な割れ断面で分割され
、ついで浅い方のスクライブ溝に沿って正常な割れ断面
で分割されるので、各スクライブ溝の交点部分の割れ断
面に歪等が生じないのでシリコン屑等の発生が殆どなく
なる。従って、半導体ペレット３・・・の表面に傷を付
けたり、周縁を欠損させて不良の半導体ペレット３にす
るといったことが回避できる。

［発明の効果］以上の説明から明かなように、本発明の半導体ペレット
の製造方法では、各半導体ペレットの分割時に発生する
シリコン屑が殆ど発生しないので、シリコン屑によって
半導体ペレットに傷や欠損を生じることがなくなるとい
った効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）から（ｅ）はそれぞれ本発明の半導体ペレ
ットの製造方法を１１質を追って示す概略説明図、第２
図は半導体ウェハへのスクライブ溝の形成状態の一部破
断斜視図、第３図（ａ）から（ｂ）はそれぞれ従来の半
導体ペレットの製造方法順を逼って示す概略説明図であ
る。１・・・半導体ウェハ、３・・・半導体ペレット、４．６・・・スクライブ溝、８・・・押し割りローラ。第図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体ウェハにＸ、Ｙ方向のスクライブ溝を形成
して各スクライブ溝より押し割り個々の半導体ペレット
に分割するに当って、上記スクライブ溝のうちいずれか
一方向のスクライブ溝を他方向のスクライブ溝より深く
形成し、深いスクライブ溝を押し割りローラにて押し割
った後、浅いスクライブ溝を押し割り、個々の半導体ペ
レットに分割することを特徴とする半導体ペレットの製
造方法。