JPH0254982A - 光ポンピング式レーザ - Google Patents
光ポンピング式レーザInfo
- Publication number
- JPH0254982A JPH0254982A JP1188666A JP18866689A JPH0254982A JP H0254982 A JPH0254982 A JP H0254982A JP 1188666 A JP1188666 A JP 1188666A JP 18866689 A JP18866689 A JP 18866689A JP H0254982 A JPH0254982 A JP H0254982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- strip
- diode array
- active
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 111
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 45
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 238000003491 array Methods 0.000 description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 10
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 rare earth metal ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100494265 Caenorhabditis elegans best-15 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100145155 Escherichia phage lambda cIII gene Proteins 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N [Sc].[Gd] Chemical compound [Sc].[Gd] TVFHPXMGPBXBAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
- H01S5/405—Two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/09408—Pump redundancy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094096—Multi-wavelength pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、改良された光ポンピング式レーザに関する。
特に、この光ポンピング式レーザは、広い帯域幅にわた
って分布された一様な強度を有する光ポンピング放射を
生成するためのレーザダイオードアレイと、上記帯域幅
内の放射を吸収するための吸収帯を有するレーザ材料と
を具備している。
って分布された一様な強度を有する光ポンピング放射を
生成するためのレーザダイオードアレイと、上記帯域幅
内の放射を吸収するための吸収帯を有するレーザ材料と
を具備している。
本発明の光ポンピング式レーザは、広い帯域幅にわたっ
て一様に強度が分布された光ポンピング放射を生成する
ためのレーザダイオードアレイと、上記帯域幅内の放射
を受けとるための吸収帯を有するレーザ材料とを備える
ことによって、レーザの動作の安定性を向上させたもの
である。
て一様に強度が分布された光ポンピング放射を生成する
ためのレーザダイオードアレイと、上記帯域幅内の放射
を受けとるための吸収帯を有するレーザ材料とを備える
ことによって、レーザの動作の安定性を向上させたもの
である。
レーザは、典型的にはエネルギーの入力によって基底状
態から高エネルギー準位に励起された能動媒体すなわち
レーザ材料の原子または分子から光子を誘導放出するこ
とによって単色のコヒーレント光を発生させる能力を有
する装置である。
態から高エネルギー準位に励起された能動媒体すなわち
レーザ材料の原子または分子から光子を誘導放出するこ
とによって単色のコヒーレント光を発生させる能力を有
する装置である。
そのような装置には、光のための閉じた周回移動路を形
成する、反射性が高い表面によって限定された光学キャ
ビティすなわち共振器が含まれており、能動媒体は上記
共振器中に含まれている。
成する、反射性が高い表面によって限定された光学キャ
ビティすなわち共振器が含まれており、能動媒体は上記
共振器中に含まれている。
レーザ材料の励起によって反転分布が発生すると、基底
状態に戻りつつある、励起された原子または分子からの
光子の自然放出が、他の励起された原子または分子から
同じエネルギーの光子の放出を誘導することができる。
状態に戻りつつある、励起された原子または分子からの
光子の自然放出が、他の励起された原子または分子から
同じエネルギーの光子の放出を誘導することができる。
その結果、最初の光子は、共振器のミラーの間に、エネ
ルギーが同じで位相が正確に合っている光子のカスケー
ドを生じる。この光子のカスケードの一部は、例えば、
共振器の反射面の1個以上を通る透過によって、共振器
の外に放出される。
ルギーが同じで位相が正確に合っている光子のカスケー
ドを生じる。この光子のカスケードの一部は、例えば、
共振器の反射面の1個以上を通る透過によって、共振器
の外に放出される。
レーザのレーザ材料の励起は、例えば、光ポンピング、
電流インジェクション、または、放電の使用などのよう
な、多種類の方法で行うことができる。光ポンピングに
は、レーザ材料による光の吸収を通した反転分布が関係
する。レーザのレーザ材料を光ポンピングするためすな
わち励起させるために、貴ガスアーク灯、タングステン
−ハロゲン灯、発光ダイオードレーザダイオードとレー
ザダイオードアレイからの光を使用することは周知であ
る。
電流インジェクション、または、放電の使用などのよう
な、多種類の方法で行うことができる。光ポンピングに
は、レーザ材料による光の吸収を通した反転分布が関係
する。レーザのレーザ材料を光ポンピングするためすな
わち励起させるために、貴ガスアーク灯、タングステン
−ハロゲン灯、発光ダイオードレーザダイオードとレー
ザダイオードアレイからの光を使用することは周知であ
る。
光ポンピングを行うためには、放射源からレーザ材料に
届けられた光子は、レーザ材料の吸収バンド内にあるな
ど、非常に精密なものでなければならない。特に、ポン
ピング放射の波長は、要求される反転分布を生成するた
めにレーザ材料が吸収する波長でなければならない。
届けられた光子は、レーザ材料の吸収バンド内にあるな
ど、非常に精密なものでなければならない。特に、ポン
ピング放射の波長は、要求される反転分布を生成するた
めにレーザ材料が吸収する波長でなければならない。
ロスに与えられた米国特許筒3,624,545号は、
1光子以上の半導体レーザダイオードによって側にポン
ピングされる、ネオジムがドープされたイツトリウム・
アルミニウム・ガーネット(Nd:YAG)ロンドで構
成された光ポンピング半導体レーザを説明している。同
様にチエスラーに与えられた米国特許筒3.753.1
45号はNd:YAGロッドのポンピングを終了させる
ために1個以上の発光半導体を使用することを開示して
いる。ネオジムがドープされたYAGのような固体レー
ザ材料のポンピングを終了させるためにパルス型レーザ
ダイオードのアレイを使用することは、ローゼンクラン
ッらに与えられた米国特許筒3.982,201号に記
載されている。
1光子以上の半導体レーザダイオードによって側にポン
ピングされる、ネオジムがドープされたイツトリウム・
アルミニウム・ガーネット(Nd:YAG)ロンドで構
成された光ポンピング半導体レーザを説明している。同
様にチエスラーに与えられた米国特許筒3.753.1
45号はNd:YAGロッドのポンピングを終了させる
ために1個以上の発光半導体を使用することを開示して
いる。ネオジムがドープされたYAGのような固体レー
ザ材料のポンピングを終了させるためにパルス型レーザ
ダイオードのアレイを使用することは、ローゼンクラン
ッらに与えられた米国特許筒3.982,201号に記
載されている。
半導体ダイオードレーザのようなレーザは、電流を与え
ることによって作動される。レーザダイオードは、光ポ
ンピングレーザのための効率的なポンプである。これは
、レーザポンプからの出力放射が、光ポンピングされる
レーザ材料の吸収帯またはピークが整合する方法で選択
された単波長(または、帯域幅が非常に狭い波長)であ
るからである。残念ながら、レーザポンプの出力放射を
レーザ材料の吸収帯と整合させることは困難であること
が多い。これは、一般に、レーザポンピング源からの出
力放射が、光ポンピングされるレーザ材料の吸収帯ピー
クを精密に整合させる方法で選択された単波長のもので
あるからである。さらに、ダイオードレーザの温度、圧
力と時効は、レーザダイオードポンピングの出力放射の
波長を変化させることによって、レーザダイオードの特
性に重大な悪影響を与え、その特性を改変させ、変化さ
せる。レーザダイオードの出力放射をレーザ材料の吸収
帯またはピークと精密に整合させる目的で、熱電加熱装
置/冷却装置と精巧なフィードバック回路が使用されて
いる。過去数年にわたって、レーザポンプの出力放射を
レーザ材料の吸収帯と整合させるためのレーザダイオー
ドの多数が示唆されて来たが、結果として、そのような
レーザダイオードの成功の程度は様々であった。したが
って、上記の問題の全部ではなくても大部分を克服する
、改良された光ポンピング式レーザが提供されることが
望ましい。
ることによって作動される。レーザダイオードは、光ポ
ンピングレーザのための効率的なポンプである。これは
、レーザポンプからの出力放射が、光ポンピングされる
レーザ材料の吸収帯またはピークが整合する方法で選択
された単波長(または、帯域幅が非常に狭い波長)であ
るからである。残念ながら、レーザポンプの出力放射を
レーザ材料の吸収帯と整合させることは困難であること
が多い。これは、一般に、レーザポンピング源からの出
力放射が、光ポンピングされるレーザ材料の吸収帯ピー
クを精密に整合させる方法で選択された単波長のもので
あるからである。さらに、ダイオードレーザの温度、圧
力と時効は、レーザダイオードポンピングの出力放射の
波長を変化させることによって、レーザダイオードの特
性に重大な悪影響を与え、その特性を改変させ、変化さ
せる。レーザダイオードの出力放射をレーザ材料の吸収
帯またはピークと精密に整合させる目的で、熱電加熱装
置/冷却装置と精巧なフィードバック回路が使用されて
いる。過去数年にわたって、レーザポンプの出力放射を
レーザ材料の吸収帯と整合させるためのレーザダイオー
ドの多数が示唆されて来たが、結果として、そのような
レーザダイオードの成功の程度は様々であった。したが
って、上記の問題の全部ではなくても大部分を克服する
、改良された光ポンピング式レーザが提供されることが
望ましい。
R,B、アレンがテクニカル・レポート誌AFAL−T
R−72−319号 1973年1月号1−9ページに
発表した報告書GaA IAsダイオードポンピングN
d : YAGレーザは、室温GaA IAsダイオー
ドポンピングNd:YAGの研究室モデルを開発し、試
験するためのプログラムの試験結果を報告している。こ
の報告書は、TEMooモードにおいて80mV以上の
CW(連続波)出力を発生したレーザを開示している。
R−72−319号 1973年1月号1−9ページに
発表した報告書GaA IAsダイオードポンピングN
d : YAGレーザは、室温GaA IAsダイオー
ドポンピングNd:YAGの研究室モデルを開発し、試
験するためのプログラムの試験結果を報告している。こ
の報告書は、TEMooモードにおいて80mV以上の
CW(連続波)出力を発生したレーザを開示している。
この出力は、ダイオードポンピングレーザとして現在ま
でに報告された最高レベルのTEMoo出力であると認
められている。この報告書のGaAlAs発光ダイオー
ドは、805nmに近いNd : YAG吸収帯に室温
スペクトルが最高に整合するように選択された。個別に
製作された17個のサブアレイのうち、最高の15個が
(アレン報告書の)第1表に記載されている。その表に
は、駆動電力が250mAの場合の、25℃におけるピ
ーク放出波長が記載されている。サブアレイの分配は(
アレン報告書の)、第4表、すなわち出力対ピーク放出
波長のグラフに記載されている。サブアレイの中の12
個のピーク放出波長は、上記範囲より短い。個別に製作
された17個のサブアレイのうち最も不良である2個の
CW作動特性は無視されている。
でに報告された最高レベルのTEMoo出力であると認
められている。この報告書のGaAlAs発光ダイオー
ドは、805nmに近いNd : YAG吸収帯に室温
スペクトルが最高に整合するように選択された。個別に
製作された17個のサブアレイのうち、最高の15個が
(アレン報告書の)第1表に記載されている。その表に
は、駆動電力が250mAの場合の、25℃におけるピ
ーク放出波長が記載されている。サブアレイの分配は(
アレン報告書の)、第4表、すなわち出力対ピーク放出
波長のグラフに記載されている。サブアレイの中の12
個のピーク放出波長は、上記範囲より短い。個別に製作
された17個のサブアレイのうち最も不良である2個の
CW作動特性は無視されている。
ボラックらに与えられた米国特許筒3,946.331
号は、固体レーザの光ポンピング用ネルンストランプを
報告している。このネリンストランプの材料は、放出さ
れる光がレーザクリスタルの吸収スベクトルの比較的狭
いポンプ区域に、実質的に集中するように選択された。
号は、固体レーザの光ポンピング用ネルンストランプを
報告している。このネリンストランプの材料は、放出さ
れる光がレーザクリスタルの吸収スベクトルの比較的狭
いポンプ区域に、実質的に集中するように選択された。
W、 T、ファンは1980年のAPPL、Ph s、
、Letter第36巻第6号441−443ページで
、多重波長横方向接合ストライプレーザを報告している
。このレーザは各種の波長において、多重で支配的に単
一縦モードである放射を放出することができる。ある例
においては、単一波長TJSレーザから、902.5.
879゜3.853.2および827.6nmの4種類
の異なった出力が同時に得られた。
、Letter第36巻第6号441−443ページで
、多重波長横方向接合ストライプレーザを報告している
。このレーザは各種の波長において、多重で支配的に単
一縦モードである放射を放出することができる。ある例
においては、単一波長TJSレーザから、902.5.
879゜3.853.2および827.6nmの4種類
の異なった出力が同時に得られた。
[発明が解決しようとする課題]
対照的に、上記の参照文献のいずれにおいても、帯域幅
が約3nmから約15nmでありその帯域幅全域にわた
って強度がほぼ一様に分布する光ポンピング放射を生成
させるためのレーザダイオードアレイと、レーザダイオ
ードアレイの上記帯域幅内の放射を受けるための吸収帯
を有するレーザ材料とで構成されるような光ポンピング
式レーザは開示も示唆もされていない。
が約3nmから約15nmでありその帯域幅全域にわた
って強度がほぼ一様に分布する光ポンピング放射を生成
させるためのレーザダイオードアレイと、レーザダイオ
ードアレイの上記帯域幅内の放射を受けるための吸収帯
を有するレーザ材料とで構成されるような光ポンピング
式レーザは開示も示唆もされていない。
本発明の目的は、レーザ材料に対して安定したポンピン
グ放射を与えるために広い帯域幅にわたって一様な強度
を有する光ポンピング放射を放出するレーザダイオード
アレイを備えた光ポンピング式レーザを提供し、それに
よって時効あるいは温度、圧力および電流などの変動が
生じてもさらに安定性の強化された光ポンピング式レー
ザを提供することである。
グ放射を与えるために広い帯域幅にわたって一様な強度
を有する光ポンピング放射を放出するレーザダイオード
アレイを備えた光ポンピング式レーザを提供し、それに
よって時効あるいは温度、圧力および電流などの変動が
生じてもさらに安定性の強化された光ポンピング式レー
ザを提供することである。
本発明の他の目的は、レーザからの広い帯域幅の出力放
射をレーザ材料の吸収帯へ与えることによって、波長を
整合させるという必要事項を容易にし緩和する光ポンピ
ング式レーザを提供することである。
射をレーザ材料の吸収帯へ与えることによって、波長を
整合させるという必要事項を容易にし緩和する光ポンピ
ング式レーザを提供することである。
本発明は、広い帯域幅にわたって一様に分布された強度
を有する光ポンピング放射を生成するためのレーザダイ
オードアレイと、放射を受けるための吸収帯がそのよう
な帯域幅内にあるレーザ材料とを具備する光ポンピング
式レーザを開示する。
を有する光ポンピング放射を生成するためのレーザダイ
オードアレイと、放射を受けるための吸収帯がそのよう
な帯域幅内にあるレーザ材料とを具備する光ポンピング
式レーザを開示する。
本発明の光ポンピング式レーザは、(a)帯域幅が約3
nmから約15nmであり、強度が上記帯域幅全域にわ
たってほぼ一様に分布する光ポンピング放射を生成させ
るためのレーザダイオードアレイと、(b)上記レーザ
ダイオードアレイの上記帯域幅内の放射を受けるための
吸収帯を有するレーザ材料とを具備するものである。
nmから約15nmであり、強度が上記帯域幅全域にわ
たってほぼ一様に分布する光ポンピング放射を生成させ
るためのレーザダイオードアレイと、(b)上記レーザ
ダイオードアレイの上記帯域幅内の放射を受けるための
吸収帯を有するレーザ材料とを具備するものである。
本発明は多(の態様で実施することができ、以下に示す
実施例に本発明は限定されるものではないとの了解のも
とに、本発明を実際に使用するために適した実施例のい
くつかを第1〜11図に示す。
実施例に本発明は限定されるものではないとの了解のも
とに、本発明を実際に使用するために適した実施例のい
くつかを第1〜11図に示す。
第1図を参照すると、光ポンピング手段すなわちレーザ
ダイオードアレイ10が示されている。
ダイオードアレイ10が示されている。
レーザダイオードアレイ10はレーザダイオードである
ストリップ13と15が取付けられたエレメントである
ヒートシンク12と14でそれぞれ構成されている。レ
ーザダイオード13と15からの光はレンズ16によっ
てレーザ材料18に導かれる。
ストリップ13と15が取付けられたエレメントである
ヒートシンク12と14でそれぞれ構成されている。レ
ーザダイオード13と15からの光はレンズ16によっ
てレーザ材料18に導かれる。
そのような装置は普通、ヒートシンクに取付けられ、金
属ハンジング中に収容されている。極めて適当なレーザ
ダイオードアレイ10は、ガリウム・アルミニウム・砒
素レーザダイオードで構成される。ダイオード13と1
5の出力放射は、レーザ材料18の吸収帯に実質的に整
合しなければならない。Nd:YAG以外のレーザ材料
を使用する場合は、上記の波長基準を満足させるため、
適切な半導体材料を選択しなければならない。
属ハンジング中に収容されている。極めて適当なレーザ
ダイオードアレイ10は、ガリウム・アルミニウム・砒
素レーザダイオードで構成される。ダイオード13と1
5の出力放射は、レーザ材料18の吸収帯に実質的に整
合しなければならない。Nd:YAG以外のレーザ材料
を使用する場合は、上記の波長基準を満足させるため、
適切な半導体材料を選択しなければならない。
第1図のレーザダイオードアレにおいて、ダイオード1
3はレーザ材料18の吸収ピークよりも約2nm以下の
波長で発光し、レーザダイオード15はレーザ材料18
の吸収ピークよりも約2nm以上の波長で発光する。レ
ーザダイオード13と15は、熱電加熱袋W/冷却装置
によってレーザダイオード13と15中のアルミニウム
および/またはドーパント濃度を変化させて、適切な出
力放射波長に調整することができる。第2b図を参照す
ると、レーザ材料18の吸収ピークが約808nmにあ
るとすると、レーザ光発生の条件下でレーザダイオード
13は波長が約806nmから約808nmまでの範囲
で望ましくは約807.6nmである光を放出し、レー
ザダイオード15は、波長が約808nmから約810
nI11までの範囲で望ましくは約808.4nmであ
る光を放出する。当業者には周知であるように、レーザ
材料の吸収ピークはサンプル毎に変化する。
3はレーザ材料18の吸収ピークよりも約2nm以下の
波長で発光し、レーザダイオード15はレーザ材料18
の吸収ピークよりも約2nm以上の波長で発光する。レ
ーザダイオード13と15は、熱電加熱袋W/冷却装置
によってレーザダイオード13と15中のアルミニウム
および/またはドーパント濃度を変化させて、適切な出
力放射波長に調整することができる。第2b図を参照す
ると、レーザ材料18の吸収ピークが約808nmにあ
るとすると、レーザ光発生の条件下でレーザダイオード
13は波長が約806nmから約808nmまでの範囲
で望ましくは約807.6nmである光を放出し、レー
ザダイオード15は、波長が約808nmから約810
nI11までの範囲で望ましくは約808.4nmであ
る光を放出する。当業者には周知であるように、レーザ
材料の吸収ピークはサンプル毎に変化する。
したがって、上記の周波数値は単なる一例に過ぎない。
第1図において、光ポンピング手段、すなわちレーザダ
イオード13と15を有するレーザダイオードアレイ1
0は、約3nmの帯域幅を持ち、その帯域幅にわたって
ポンピング放射の強度がほぼ−様に分布する光ポンピン
グ放射を生成する(第2b図の仮想(破線)の波形参照
)。第2b図中の波形は、縦モード波形が正確に重なっ
ている状態を示す。そのような波形が正確には重ならな
い場合であっても、広い帯域幅にわたって分布する−様
な強度を得ることができる。第1図に示すように、固定
された吸収帯を有するレーザ材料18はレーザダイオー
ドアレイ10から上記帯域幅内の放射を受ける。
イオード13と15を有するレーザダイオードアレイ1
0は、約3nmの帯域幅を持ち、その帯域幅にわたって
ポンピング放射の強度がほぼ−様に分布する光ポンピン
グ放射を生成する(第2b図の仮想(破線)の波形参照
)。第2b図中の波形は、縦モード波形が正確に重なっ
ている状態を示す。そのような波形が正確には重ならな
い場合であっても、広い帯域幅にわたって分布する−様
な強度を得ることができる。第1図に示すように、固定
された吸収帯を有するレーザ材料18はレーザダイオー
ドアレイ10から上記帯域幅内の放射を受ける。
ヒートシンク12と14は受動性のものとすることがで
きる。ヒートシンク12と14は、レーザダイオード1
3と15を一定の温度に保持し、それによって、レーザ
ダイオード13と15の光学的作動を確実にするため、
熱電冷却装置を備えることができる。作動の間、レーザ
ダイオードアレイ10には適当な電源が取り付けられる
。レーザダイオード13と15からの電気導線が電源に
接続されている(図示省略)。
きる。ヒートシンク12と14は、レーザダイオード1
3と15を一定の温度に保持し、それによって、レーザ
ダイオード13と15の光学的作動を確実にするため、
熱電冷却装置を備えることができる。作動の間、レーザ
ダイオードアレイ10には適当な電源が取り付けられる
。レーザダイオード13と15からの電気導線が電源に
接続されている(図示省略)。
レーザ材料18は、人力表面20に適当な反射性塗膜を
有し、レーザダイオードアレイ10からの光によってポ
ンピングされうる。レーザ材料18は、また、出力表面
20を有する。入力表面20の反射性塗膜は、レーザダ
イオードアレイ10が生成する光に関しては極めて透過
的であるが、レーザ材料18のレーザ光発生によって生
成する光に関しては極めて反射的である。
有し、レーザダイオードアレイ10からの光によってポ
ンピングされうる。レーザ材料18は、また、出力表面
20を有する。入力表面20の反射性塗膜は、レーザダ
イオードアレイ10が生成する光に関しては極めて透過
的であるが、レーザ材料18のレーザ光発生によって生
成する光に関しては極めて反射的である。
レーザ材料工8のレーザ光発生によって放出する光は、
非線形光学材料24を通過し出力カプラ26に達する。
非線形光学材料24を通過し出力カプラ26に達する。
出力カプラ26は、レーザ材料18が放出する光に関し
て極めて反射的であり非線形光学材料24が生成する周
波数の修正された光に関して実質的に透過的である適当
な反射性塗膜を表面28に有している。非線形光学材料
24は出力表面25を有する。出力カプラ26は、この
出力カプラ26を透過するレーザからの出力放射を平行
にするように構成されている。ただし、非線形光学材料
24は、本発明の実施のために必ずしも必要でなく、本
発明の望ましい実施例を示すに過ぎないことを理解しな
ければならない。
て極めて反射的であり非線形光学材料24が生成する周
波数の修正された光に関して実質的に透過的である適当
な反射性塗膜を表面28に有している。非線形光学材料
24は出力表面25を有する。出力カプラ26は、この
出力カプラ26を透過するレーザからの出力放射を平行
にするように構成されている。ただし、非線形光学材料
24は、本発明の実施のために必ずしも必要でなく、本
発明の望ましい実施例を示すに過ぎないことを理解しな
ければならない。
レーザダイオードアレイ10は、ポンピングされている
レーザ材料18の吸収帯よりも幅が広いこの吸収帯を内
包する放射スペクトルすなわら帯域幅を有する。レーザ
ダイオードアレイ10からのレーザ光出力とレーザ材料
18との整合は、典型的なダイオードポンピングレーザ
よりも温度と電流の変動およびレーザダイオード13と
15の時効による影響を受けにくい。これは、第2b図
に示す通り、レーザダイオードアレイ10の帯域幅が広
いからである。第1図には、2個のダイオード13と1
5だけが示されているが、2個以上のレーザダイオード
を用いることもできる。第2b図のレーザダイオードア
レイ10の帯域幅は、第2aドアレイ10は、複雑で高
感度のフィードバック回路と熱電加熱装置/冷却装置の
回路を必要としない。これは、レーザダイオードアレイ
10の帯域幅が従来の狭い帯域幅のレーザダイオードよ
り幅が広いからである。さらに、レーザダイオードアレ
イ10は、レーザダイオードアレイ10からレーザ材料
18の吸収帯に対し広い帯域幅の出力放射を与えること
によって、レーザダイオードアレイ10の整合を容易に
して緩和し、その結果、時効、あるいは温度、圧力およ
び電流の変動が生じても、安定性が高められる。
レーザ材料18の吸収帯よりも幅が広いこの吸収帯を内
包する放射スペクトルすなわら帯域幅を有する。レーザ
ダイオードアレイ10からのレーザ光出力とレーザ材料
18との整合は、典型的なダイオードポンピングレーザ
よりも温度と電流の変動およびレーザダイオード13と
15の時効による影響を受けにくい。これは、第2b図
に示す通り、レーザダイオードアレイ10の帯域幅が広
いからである。第1図には、2個のダイオード13と1
5だけが示されているが、2個以上のレーザダイオード
を用いることもできる。第2b図のレーザダイオードア
レイ10の帯域幅は、第2aドアレイ10は、複雑で高
感度のフィードバック回路と熱電加熱装置/冷却装置の
回路を必要としない。これは、レーザダイオードアレイ
10の帯域幅が従来の狭い帯域幅のレーザダイオードよ
り幅が広いからである。さらに、レーザダイオードアレ
イ10は、レーザダイオードアレイ10からレーザ材料
18の吸収帯に対し広い帯域幅の出力放射を与えること
によって、レーザダイオードアレイ10の整合を容易に
して緩和し、その結果、時効、あるいは温度、圧力およ
び電流の変動が生じても、安定性が高められる。
本発明のような安定した光ポンピング式レーザには多く
の用途があり、特に限定されるものではないが、計測、
レーザプリンタ、バーコード読み取り装置、光学式記憶
、医学上の応用、レーザレーダ等などのような環境上の
変動が存在する状況に極めて適している。このような光
ポンピング式レーザは、特に限定されるものではないが
、航空宇宙、自動車への応用、産業用センサー、通信、
射撃照準器、攻撃目標指定装置および多数の軍事用応用
等、厳しい環境上の変動が存在する状況において特に有
利である。
の用途があり、特に限定されるものではないが、計測、
レーザプリンタ、バーコード読み取り装置、光学式記憶
、医学上の応用、レーザレーダ等などのような環境上の
変動が存在する状況に極めて適している。このような光
ポンピング式レーザは、特に限定されるものではないが
、航空宇宙、自動車への応用、産業用センサー、通信、
射撃照準器、攻撃目標指定装置および多数の軍事用応用
等、厳しい環境上の変動が存在する状況において特に有
利である。
帯域幅が過度に広いと、ポンピング効率と出力が犠牲に
なることがあるから、過度に広い放射スペクトルまたは
帯域幅を求めることは必要ないことに注意しなければな
らない。したがって、レーザダイオードアレイ10は、
確実で安定した出力を得るためにいくらかの出力を犠牲
にすることによって、帯域幅が狭いレーザダイオードま
たはアレイに関係する問題を克服する。
なることがあるから、過度に広い放射スペクトルまたは
帯域幅を求めることは必要ないことに注意しなければな
らない。したがって、レーザダイオードアレイ10は、
確実で安定した出力を得るためにいくらかの出力を犠牲
にすることによって、帯域幅が狭いレーザダイオードま
たはアレイに関係する問題を克服する。
レンズ16は、レーザダイオード13と15からの光を
レーザ材料18に集束させる。この集束は、ポンピング
強度を高め、レーザ材料1日中の関連した光子対光子変
換効率を高める効果をもたらす。レンズ16の代りに、
光を集束させるために他の従来の光学手段を用いること
ができる。例えば、屈折率分布型レンズ、ボールレンズ
、非球面レンズまたはレンズの組み合せなどを用いるこ
とができる。レンズ16は本発明の本質的部分ではなく
、このような集束手段の使用は、望ましい実施例を示す
に過ぎない。
レーザ材料18に集束させる。この集束は、ポンピング
強度を高め、レーザ材料1日中の関連した光子対光子変
換効率を高める効果をもたらす。レンズ16の代りに、
光を集束させるために他の従来の光学手段を用いること
ができる。例えば、屈折率分布型レンズ、ボールレンズ
、非球面レンズまたはレンズの組み合せなどを用いるこ
とができる。レンズ16は本発明の本質的部分ではなく
、このような集束手段の使用は、望ましい実施例を示す
に過ぎない。
選択されたレーザダイオードアレイ10によって光ポン
ピングされうるならば本発明には、従来のいずれのレー
ザ材料18を用いることができる。
ピングされうるならば本発明には、従来のいずれのレー
ザ材料18を用いることができる。
適当なレーザ材料には、例えば、ネオジムがドープされ
たバナジウム酸イツトリウム(Nd : YVOa)、
ネオジムおよび/またはクロムがドープされたガドリニ
ウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット(Nd、C
r:GSGG) 、タリウム、ホルミウムおよび/また
はエルビウムがドープされたイツトウリラム・アルミニ
ウム・ガーネット(Tm、 Ho、Er;YAG)、チ
タン・サファイア(TiAIz(h) +能動材料がド
ープされたガラス状の透明なホスト材料などがある。
たバナジウム酸イツトリウム(Nd : YVOa)、
ネオジムおよび/またはクロムがドープされたガドリニ
ウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット(Nd、C
r:GSGG) 、タリウム、ホルミウムおよび/また
はエルビウムがドープされたイツトウリラム・アルミニ
ウム・ガーネット(Tm、 Ho、Er;YAG)、チ
タン・サファイア(TiAIz(h) +能動材料がド
ープされたガラス状の透明なホスト材料などがある。
極めて適した能動材料には、クロム、チタンおよび稀土
類金属のイオンが含まれる。ネオジムがドープされたY
AGは、約808nmの波長を有する光を生成するレー
ザダイオードアレイ10と組み合わせて使用するのに特
に適したレーザ材料18である。この波長の光でポンピ
ングされた場合、ネオジムがドープされたYAGすなわ
ちレーザ材料18は1 、064nmの波長を有する光
を放出することができる。
類金属のイオンが含まれる。ネオジムがドープされたY
AGは、約808nmの波長を有する光を生成するレー
ザダイオードアレイ10と組み合わせて使用するのに特
に適したレーザ材料18である。この波長の光でポンピ
ングされた場合、ネオジムがドープされたYAGすなわ
ちレーザ材料18は1 、064nmの波長を有する光
を放出することができる。
レーザ材料18の幾何学的形状は、大幅に変化させるこ
とができる。例えば、必要であれば、レーザ材料はレン
ズ形の表面を有することができ、または、菱面体形状と
することができる。図示されていないが、光ポンピング
手段10によって最終的にポンピングされるレーザ材料
にファイバーを用いることもできる。この目的のために
掻めて適した光ファイバーには、例えば、ネオジムのよ
うな稀土類金属のイオンをドープしたガラス光ファイバ
ーがある。非常に長いファイバーが必要である場合は、
本発明のレーザの全長を最短にするため、例えば、スプ
ール上にファイバーをコイル巻きすることができる。
とができる。例えば、必要であれば、レーザ材料はレン
ズ形の表面を有することができ、または、菱面体形状と
することができる。図示されていないが、光ポンピング
手段10によって最終的にポンピングされるレーザ材料
にファイバーを用いることもできる。この目的のために
掻めて適した光ファイバーには、例えば、ネオジムのよ
うな稀土類金属のイオンをドープしたガラス光ファイバ
ーがある。非常に長いファイバーが必要である場合は、
本発明のレーザの全長を最短にするため、例えば、スプ
ール上にファイバーをコイル巻きすることができる。
レーザ材料18は表面20に反射性塗膜を有する。この
塗膜は、従来の特性のものであり、レーザ材料18のレ
ーザ光学性によって生成される放射または光に関しては
非常に反射的でありながら、レーザダイオード13と1
5からの入射ポンピング放射を可能な限り多く透過する
ように選択される。
塗膜は、従来の特性のものであり、レーザ材料18のレ
ーザ光学性によって生成される放射または光に関しては
非常に反射的でありながら、レーザダイオード13と1
5からの入射ポンピング放射を可能な限り多く透過する
ように選択される。
808nmの波長を有する光でポンピングされるネオジ
ムがドープされたYAGロッド18の場合、入力表面2
0の塗膜は、波長が808nmである光に対して実質的
に透明でなければならず、波長が11064nである光
に対して穫めて反射的でなければならない。好ましい実
施例ではこの塗膜は上述の11064nの第2調波であ
る532n、mの波長を有する光に対して極めて反射的
である。入力表面20の塗膜によって作られた波長選択
ミラーをレーザダイオードアレイ10とレーザ材料18
との間に置く必要はない。もし必要であれば、このミラ
ーはレーザダイオードアレイ10とレーザ材料18との
間のどの場所にも置くことができ、適当な基材上に沈着
させた塗膜で構成することができる。
ムがドープされたYAGロッド18の場合、入力表面2
0の塗膜は、波長が808nmである光に対して実質的
に透明でなければならず、波長が11064nである光
に対して穫めて反射的でなければならない。好ましい実
施例ではこの塗膜は上述の11064nの第2調波であ
る532n、mの波長を有する光に対して極めて反射的
である。入力表面20の塗膜によって作られた波長選択
ミラーをレーザダイオードアレイ10とレーザ材料18
との間に置く必要はない。もし必要であれば、このミラ
ーはレーザダイオードアレイ10とレーザ材料18との
間のどの場所にも置くことができ、適当な基材上に沈着
させた塗膜で構成することができる。
その上、このミラーは適当な形状とすることができる。
レーザ材料18のレーザ光発生によって放出された光は
、非線形光学手段24を通過する。レーザ材料18が生
成する入力光に対して、非線形光学手段24の結晶構造
の方向を適当にして非線形光学手段24を通過させるこ
とにより、入射光の周波数を変化させることができ、例
えば、2倍または3倍にすることができる。例えば、ネ
オジムがドープされたYAGレーザ材料18からの波長
1゜064nmの光は、光線形光学年段24を通過する
ことによって、波数532nmの光に変換させられる。
、非線形光学手段24を通過する。レーザ材料18が生
成する入力光に対して、非線形光学手段24の結晶構造
の方向を適当にして非線形光学手段24を通過させるこ
とにより、入射光の周波数を変化させることができ、例
えば、2倍または3倍にすることができる。例えば、ネ
オジムがドープされたYAGレーザ材料18からの波長
1゜064nmの光は、光線形光学年段24を通過する
ことによって、波数532nmの光に変換させられる。
非線形光学手段24の幾何学的形状は、大幅に変化させ
ることができる。例えば、必要であれば、非線形光学手
段をレンズ形の表面または菱面体形状とすることができ
る。さらにそのような非線形光学コンポーネントが、非
線形光学手段24の温度を制御し、それによって、調波
発生装置としての非線形光学手段24の性能を最適にす
るための加熱装置または冷却装置を構成することができ
る。
ることができる。例えば、必要であれば、非線形光学手
段をレンズ形の表面または菱面体形状とすることができ
る。さらにそのような非線形光学コンポーネントが、非
線形光学手段24の温度を制御し、それによって、調波
発生装置としての非線形光学手段24の性能を最適にす
るための加熱装置または冷却装置を構成することができ
る。
非線形光学手段24は出力表面25を有する。
リン酸塩チタン酸カリウムは非線形光学手段24の望ま
しい材料である。ただし、多数の周知の非線形光学材料
を、本発明の実施に際して用いることができる。そのよ
うな周知の光学材料は、固体または液体であることがで
き、例えば、に1hPo。
しい材料である。ただし、多数の周知の非線形光学材料
を、本発明の実施に際して用いることができる。そのよ
うな周知の光学材料は、固体または液体であることがで
き、例えば、に1hPo。
、 LiNb0+、 KNbOz、t、i ion、
HIoff、 KBsOa・4H20,尿素と弐MTi
o(XO4)の化合物などがある。上式においてMはに
、RbとTIのグループから選択され、XはPとAsの
グループから選択される。非線形光学手段24は本質的
にコンポーネントではなく、非線形光学手段24を使用
することは本発明の一実施例を示すものである。
HIoff、 KBsOa・4H20,尿素と弐MTi
o(XO4)の化合物などがある。上式においてMはに
、RbとTIのグループから選択され、XはPとAsの
グループから選択される。非線形光学手段24は本質的
にコンポーネントではなく、非線形光学手段24を使用
することは本発明の一実施例を示すものである。
非線形光学手段24が第2の調波発生装置として100
%の効率をもっていないという事実から、レーザ材料1
8から来てこのコンポーネントを通過する光は、通常、
周波数が2倍になるか加算された光と未修正光との混合
で構成される。レーザ材料18として使用されるネオジ
ムがドープされたYAGからの波長1 、064nmの
光と波長532nmの光との混合である。この波長の混
合した光は、表面28に波長選択性を持つ反射性塗膜を
有する。
%の効率をもっていないという事実から、レーザ材料1
8から来てこのコンポーネントを通過する光は、通常、
周波数が2倍になるか加算された光と未修正光との混合
で構成される。レーザ材料18として使用されるネオジ
ムがドープされたYAGからの波長1 、064nmの
光と波長532nmの光との混合である。この波長の混
合した光は、表面28に波長選択性を持つ反射性塗膜を
有する。
この塗膜は、従来の特性を持つものであり、波長532
nmの光に対しては実質的に透過的であるが、波長1
、065nmの光に対しては非常に反射的であるように
選択されている。したがって、本質的には、532nm
の波長を有する周波数が2倍となった光だけが、出力カ
プラ26を通して放出される。
nmの光に対しては実質的に透過的であるが、波長1
、065nmの光に対しては非常に反射的であるように
選択されている。したがって、本質的には、532nm
の波長を有する周波数が2倍となった光だけが、出力カ
プラ26を通して放出される。
出力カプラ26は表面28の塗膜によって作られる波長
選択ミラーを備えている。このミラーは、第1図に示す
通り精密な構造である必要はなく、従来のいずれかの形
状であることができる。例えば、非線形光学手段24の
表面25の塗膜が波長選択性ミラーを作ることができる
。この場合、出力カプラ26は省略するか、または、レ
ーザ材料20から来る出力放射すなわちレーザ光を平行
にするかその他の方法で修正することを唯一の目的とし
た手段手段と置換えることができる。ただし、表面28
に塗膜によって作られたミラーの凹面形状は、周波数が
倍増されていない反射光を集束させて非線形光学材料2
4に戻し、レーザ材料18を経て入力表面20の塗膜に
至らせるという長所がある。上述の通り、好ましい実施
例においては、表面20のこの塗膜は、周波数が倍増し
た光に対しても、レーザ材料18のレーザ光発生よる未
修正光に対しても反射性が高い。したがって、表面28
の塗膜によって反射される周波数未修正光は、非線形光
学手段24を通過することによって部分的に周波数が倍
増し、その結果、波長の混合した光は入力表面20の塗
膜から反射されて非線形光学手段24に戻り、ここで残
留の周波数未修正光の一部の周波数が倍増し、周波数が
倍増した光が出力カプラ26を通して放出される。散乱
や吸収のような、プロセスの結果として生じることがあ
る損失を除けば、この一連の現象がさらに反復すること
により、レーザ材料18のレーザ光発生によって生成さ
れた光の実質的には全部が周波数を倍増され、出力カブ
ラ26を通して放出される。
選択ミラーを備えている。このミラーは、第1図に示す
通り精密な構造である必要はなく、従来のいずれかの形
状であることができる。例えば、非線形光学手段24の
表面25の塗膜が波長選択性ミラーを作ることができる
。この場合、出力カプラ26は省略するか、または、レ
ーザ材料20から来る出力放射すなわちレーザ光を平行
にするかその他の方法で修正することを唯一の目的とし
た手段手段と置換えることができる。ただし、表面28
に塗膜によって作られたミラーの凹面形状は、周波数が
倍増されていない反射光を集束させて非線形光学材料2
4に戻し、レーザ材料18を経て入力表面20の塗膜に
至らせるという長所がある。上述の通り、好ましい実施
例においては、表面20のこの塗膜は、周波数が倍増し
た光に対しても、レーザ材料18のレーザ光発生よる未
修正光に対しても反射性が高い。したがって、表面28
の塗膜によって反射される周波数未修正光は、非線形光
学手段24を通過することによって部分的に周波数が倍
増し、その結果、波長の混合した光は入力表面20の塗
膜から反射されて非線形光学手段24に戻り、ここで残
留の周波数未修正光の一部の周波数が倍増し、周波数が
倍増した光が出力カプラ26を通して放出される。散乱
や吸収のような、プロセスの結果として生じることがあ
る損失を除けば、この一連の現象がさらに反復すること
により、レーザ材料18のレーザ光発生によって生成さ
れた光の実質的には全部が周波数を倍増され、出力カブ
ラ26を通して放出される。
第3図を参照すると、本発明の実施に際して光ポンピン
グ放射の源として使用するに適したレーザダイオードア
レイ40が示されている。このレーザダイオードアレイ
40の製造は、この後で説明するその他のレーザ構造の
製造と同様に、当業者には周知である液相エピタキシ法
、分子線エピタキシ法および有機金属化学蒸着法などに
よって行うことができる。基材42上には、層44.4
6.48.50.52.54と56が形成される。
グ放射の源として使用するに適したレーザダイオードア
レイ40が示されている。このレーザダイオードアレイ
40の製造は、この後で説明するその他のレーザ構造の
製造と同様に、当業者には周知である液相エピタキシ法
、分子線エピタキシ法および有機金属化学蒸着法などに
よって行うことができる。基材42上には、層44.4
6.48.50.52.54と56が形成される。
基材42はn″GaASGaAS基材ができる。層44
と52は境界層であり、典型的な厚さは約1nmであり
、それぞれをnA1. ’ Ga、−、’へ5SpAl
。
と52は境界層であり、典型的な厚さは約1nmであり
、それぞれをnA1. ’ Ga、−、’へ5SpAl
。
Ga 、 −、Asで構成することができる。層46と
50は導波層であり、典型的な厚さは、0.2nm未満
または約0.2nmであってそれぞれをnA1. ’
Ga、−。
50は導波層であり、典型的な厚さは、0.2nm未満
または約0.2nmであってそれぞれをnA1. ’
Ga、−。
AsとpAlyGa、、、、Asで構成することができ
る。層48は能動部分すなわち量子井戸であり、典型的
には厚さ49は0.2nm未満または約0.2nmであ
って、iA 1zGa 、−zAsで構成することがで
きる。典型的な場合、XとX′、yとy′および2の値
は、それぞれ約0.3から1.0 、0.1から0.5
および0.0から0.1の範囲であるが、その範囲に限
定されることはない。層54能動部分すなわち量子井戸
であり、典型的には厚さ49は0.2nm未満または約
0゜2nmであって、1AlzGal−zAsで構成す
ることができる。典型的な場合、えと、・1.とおよび
2の値は、それぞれ約0.3から1.0 、0.1から
0.5および0.0から0.1の範囲であるが、その範
囲に限定されることはない。層54はキャップであり、
典型的な厚さは0.2nm未満または約0.2nmであ
り、p”GaAsで構成することができる。また、層5
6は電導層であり、典型的な場合、金/クロム組成また
はその組成に相当するものでできている。
る。層48は能動部分すなわち量子井戸であり、典型的
には厚さ49は0.2nm未満または約0.2nmであ
って、iA 1zGa 、−zAsで構成することがで
きる。典型的な場合、XとX′、yとy′および2の値
は、それぞれ約0.3から1.0 、0.1から0.5
および0.0から0.1の範囲であるが、その範囲に限
定されることはない。層54能動部分すなわち量子井戸
であり、典型的には厚さ49は0.2nm未満または約
0゜2nmであって、1AlzGal−zAsで構成す
ることができる。典型的な場合、えと、・1.とおよび
2の値は、それぞれ約0.3から1.0 、0.1から
0.5および0.0から0.1の範囲であるが、その範
囲に限定されることはない。層54はキャップであり、
典型的な厚さは0.2nm未満または約0.2nmであ
り、p”GaAsで構成することができる。また、層5
6は電導層であり、典型的な場合、金/クロム組成また
はその組成に相当するものでできている。
当業者に認められているように、上記層の電導性タイプ
を逆にすることができ、このことは後で説明する実施例
の場合においても同様である9図では電源を省略してい
る。当業者が理解できるように、本発明において示され
たレーザダイオード、発光レーザおよびレーザダイオー
ドアレイは、レーザダイオードアレイ40と、第4〜1
1図に示されたその他のレーザダイオードアレイを励起
するために適した部分に正の電荷を与えることによって
、適切に順方向にバイアスされている。
を逆にすることができ、このことは後で説明する実施例
の場合においても同様である9図では電源を省略してい
る。当業者が理解できるように、本発明において示され
たレーザダイオード、発光レーザおよびレーザダイオー
ドアレイは、レーザダイオードアレイ40と、第4〜1
1図に示されたその他のレーザダイオードアレイを励起
するために適した部分に正の電荷を与えることによって
、適切に順方向にバイアスされている。
層56は、電極接続と電流ポンピングのために金属化層
を備える。また、他の電極接続のための接触を得るため
に、基材42の底面41を金属化することができる。こ
の金属化層は導電性であり、金/錫または金/ゲルマニ
ウム合金で作ることができる。
を備える。また、他の電極接続のための接触を得るため
に、基材42の底面41を金属化することができる。こ
の金属化層は導電性であり、金/錫または金/ゲルマニ
ウム合金で作ることができる。
従来のレーザダイオードアレイにおいては、所望の出力
の見地から、ストリップの数が重要であった。一般にス
トリップ数が増大すると、所望の波長における光出力は
それに比例して増大する。
の見地から、ストリップの数が重要であった。一般にス
トリップ数が増大すると、所望の波長における光出力は
それに比例して増大する。
第2C図に808nmに中心がある従来のレーザダイオ
ードアレイの放射スペクトルが仮想線で示されている。
ードアレイの放射スペクトルが仮想線で示されている。
また、放出キャビティの数が多くなればなるほど、得ら
れるピーク出力は高くなる。典型的な場合、レーザダイ
オードアレイは、レーザ光発生の条件下で単一波長にお
ける光波伝搬のための導波を与えるため、最も高い屈折
率と低い帯域幅とを有する能動層を備えている。ただし
、そのようなレーザダイオードアレイは、そのアレーの
出力をレーザ材料の吸収ピークと入念に整合させるため
に、高感度で複雑なフィードバック回路および/または
熱電加熱装置/冷却装置を必要とする、このことは、上
述のレーザダイオードアレイ40と際立った対照をなし
ている。さらに、レーザダイオードアレイ40の帯域幅
は従来の狭い帯域幅のレーザダイオードよりも広いから
、レーザダイオードアレイ40は、温度と電流に対して
敏感でなく、時効により変動にも敏感でない。
れるピーク出力は高くなる。典型的な場合、レーザダイ
オードアレイは、レーザ光発生の条件下で単一波長にお
ける光波伝搬のための導波を与えるため、最も高い屈折
率と低い帯域幅とを有する能動層を備えている。ただし
、そのようなレーザダイオードアレイは、そのアレーの
出力をレーザ材料の吸収ピークと入念に整合させるため
に、高感度で複雑なフィードバック回路および/または
熱電加熱装置/冷却装置を必要とする、このことは、上
述のレーザダイオードアレイ40と際立った対照をなし
ている。さらに、レーザダイオードアレイ40の帯域幅
は従来の狭い帯域幅のレーザダイオードよりも広いから
、レーザダイオードアレイ40は、温度と電流に対して
敏感でなく、時効により変動にも敏感でない。
第3図に示す電流限定チャンネルの配列は、レーザダイ
オードアレイ40の長さ方向の11個の平行な接触スト
リップからなる。ただし、本発明の実施に際しては、ど
のような数のストリップでも用いることができる。適切
にバイアスされたとき、電流を半導体デバイス中の特定
の区域に流すため、半導体デバイス中の抵抗の高い横方
向区域と抵抗の低い横方向区域を形作る従来の陽子イン
プラント57が備えられている。レーザダイオードアレ
イ40が励起されるか順方向にバイアスされたとき、電
流は11個の細長くて狭いストリップ62.64.66
.68.70,72.74.76および78に限定され
て能動層48の隣接した対応ストリップ領域すなわち放
出キャビティ82.84.86.88.90.92.9
4.96.98.100および102にそれぞれ流され
ている。
オードアレイ40の長さ方向の11個の平行な接触スト
リップからなる。ただし、本発明の実施に際しては、ど
のような数のストリップでも用いることができる。適切
にバイアスされたとき、電流を半導体デバイス中の特定
の区域に流すため、半導体デバイス中の抵抗の高い横方
向区域と抵抗の低い横方向区域を形作る従来の陽子イン
プラント57が備えられている。レーザダイオードアレ
イ40が励起されるか順方向にバイアスされたとき、電
流は11個の細長くて狭いストリップ62.64.66
.68.70,72.74.76および78に限定され
て能動層48の隣接した対応ストリップ領域すなわち放
出キャビティ82.84.86.88.90.92.9
4.96.98.100および102にそれぞれ流され
ている。
上記ストリップのそれぞれは、電流の流れを能動層48
の複数のストリップ領域または放出キャビティに限定す
るために変化した幅を有している。
の複数のストリップ領域または放出キャビティに限定す
るために変化した幅を有している。
各ストリップ領域は、それぞれが隣接するストリップ領
域とは異なったレーザ光発生の条件下でポンピング放射
を放出し、それによって、温度と圧力の変動に対して敏
感でなく時効による変動に対しても敏感でない安定した
一様に分布した広い帯域幅のレーザダイオードアレイを
得ることができる。
域とは異なったレーザ光発生の条件下でポンピング放射
を放出し、それによって、温度と圧力の変動に対して敏
感でなく時効による変動に対しても敏感でない安定した
一様に分布した広い帯域幅のレーザダイオードアレイを
得ることができる。
第1のストリップ58は、第3図にaと指定されたよう
に0.9μmから1.0μmまでの範囲で望ましくは1
μmの幅を備え、第2のストリップ60は、1.12μ
mから1.37μmまでの範囲で望ましくは1.25μ
mの幅すを備え、第3のストリップ62は、1,22μ
mから1.73μmまでの範囲で望ましくは1.57μ
mの幅Cを備え、第4のストリップ64は、1.8μm
から2.2μmまでの範囲で望ましくは2μmの幅dを
備え、第5のストリップ66は、2.25μmから2.
75μmまでの範囲で望ましくは2.5μmの幅eを備
え、第6のストリップ68は、2.83μmから3.4
7μmまでの範囲で望ましくは、3.15μmの幅fを
備え、第7のストリップ70は、3.6μmから4.4
μmまでの範囲で望ましくは4μmの幅gを備え、第
8ストリツプ72ば、4.5μmから5.5μmまでの
範囲で望ましくは5μmの幅りを備え、第9のストリッ
プ74は、5゜67μmから6.93μmまでの範囲で
望ましくは6.3μmの幅iをえ、第10のストリップ
76は、7.11μmから8.69μmまでの範囲で望
ましくは7.9 μmの幅jを備え、第11のストリッ
プ78は9μmから11μmまでの範囲で望ましくは1
0μmの幅kを備えている。
に0.9μmから1.0μmまでの範囲で望ましくは1
μmの幅を備え、第2のストリップ60は、1.12μ
mから1.37μmまでの範囲で望ましくは1.25μ
mの幅すを備え、第3のストリップ62は、1,22μ
mから1.73μmまでの範囲で望ましくは1.57μ
mの幅Cを備え、第4のストリップ64は、1.8μm
から2.2μmまでの範囲で望ましくは2μmの幅dを
備え、第5のストリップ66は、2.25μmから2.
75μmまでの範囲で望ましくは2.5μmの幅eを備
え、第6のストリップ68は、2.83μmから3.4
7μmまでの範囲で望ましくは、3.15μmの幅fを
備え、第7のストリップ70は、3.6μmから4.4
μmまでの範囲で望ましくは4μmの幅gを備え、第
8ストリツプ72ば、4.5μmから5.5μmまでの
範囲で望ましくは5μmの幅りを備え、第9のストリッ
プ74は、5゜67μmから6.93μmまでの範囲で
望ましくは6.3μmの幅iをえ、第10のストリップ
76は、7.11μmから8.69μmまでの範囲で望
ましくは7.9 μmの幅jを備え、第11のストリッ
プ78は9μmから11μmまでの範囲で望ましくは1
0μmの幅kを備えている。
第6のストリップ68の幅fが、レーザ材料の吸収ピー
クすなわち窓と実質的に整合する第6のストリップ放出
キャビデイ92からの波長を与えるように構成されてい
ることに注意することは重要である。例えば、ネオジム
がドープされたYAGの場合は約808nmである。こ
のことが適切に行なわれた場合、レーザダイオードアレ
イ40は、従来のレーザダイオードアレイよりも長い使
用寿命を有する。これは、時効のために能動層48内の
各部材ストリップ領域の特性が変化するにつれて広い帯
域幅がレーザ材料の適切な吸収ピークで一定の放射を継
続するからである。同様に、温度と圧力の変動は能動層
48からの放射によるレーザ材料18の一定のポンピン
グを中断させず、その結果、レーザ材料18からのレー
ザ光出力が安定し、一定となる。
クすなわち窓と実質的に整合する第6のストリップ放出
キャビデイ92からの波長を与えるように構成されてい
ることに注意することは重要である。例えば、ネオジム
がドープされたYAGの場合は約808nmである。こ
のことが適切に行なわれた場合、レーザダイオードアレ
イ40は、従来のレーザダイオードアレイよりも長い使
用寿命を有する。これは、時効のために能動層48内の
各部材ストリップ領域の特性が変化するにつれて広い帯
域幅がレーザ材料の適切な吸収ピークで一定の放射を継
続するからである。同様に、温度と圧力の変動は能動層
48からの放射によるレーザ材料18の一定のポンピン
グを中断させず、その結果、レーザ材料18からのレー
ザ光出力が安定し、一定となる。
レーザ光発生の条件下においては、第2C図に示す通り
、様々な波長で、能動層48の中と周囲に光が生成する
。この実施例のポンピング放射の帯域幅は約10nmで
あり、強度は第2C図に破線による波形で示すように、
上述の帯域幅にわたってほぼ一様である。能動層48の
第1のストリップ放出キャビティすなわちストリップ領
域82は、803.2nmから804.8nmの範囲で
望ましくは804.On糟である波長を中心とする光を
放出し、第2のストリップ放出キャビティすなわちスト
リップ領域84は、804nmから805.6nmの範
囲で望ましくは804.8nmである波長を中心とする
光を放出し、第3のストリップ放出キャビティすなわち
ストリップ領域86は、804 、8nmから806.
4rvの範囲で望ましく 805.6nmである波長を
中心とする光を放出し、第4ストリツプ放出キヤビテイ
すなわちストリップ領域88は、805.6ni+から
807.2nmの範囲で望ましくは806.4nmであ
る波長を中心とする光を放出し、第5のストリップ放出
キャビティすなわちストリップ領域90は、806.4
nmから808 、 On−の範囲で望ましくは807
.2nmである波長を中心とする光を放出し、第6のス
トリップ放出キャビティすなわちストリップ領域92は
、807.2nmから808.8nmの範囲で望ましく
は808.0nmである波長を中心とする光を放出し、
第7のストリップ放出キャビティすなわちストリップ領
域94は、808、Onmから809.6nmの範囲で
望ましくは808.8nmである波長を中心とする光を
放出し、第8のストリップ放出キャビティすなわちスト
リップ領域96は、808.8nmから810.4nn
+の範囲で望ましくは809.6nmである波長を中心
とする光を放出し、第9のストリップ放出キャビティす
なわちストリップ領域98は、809.6nmから81
1.2no+の範囲で望ましくは810.4nmである
波長を中心とする光を放出し、第10のストリップ放出
キャビティすなわちストリップ領域100は、810.
4nmから812.0nmの範囲で望ましくは811.
2nmである波長を中心とする光を放出し、第11のス
トリップ放出キャビティすなわちストリップ領域102
は、811.2nmから812.8n−の範囲で望まし
くは812.4nmである波長を中心とする光を放出す
る。
、様々な波長で、能動層48の中と周囲に光が生成する
。この実施例のポンピング放射の帯域幅は約10nmで
あり、強度は第2C図に破線による波形で示すように、
上述の帯域幅にわたってほぼ一様である。能動層48の
第1のストリップ放出キャビティすなわちストリップ領
域82は、803.2nmから804.8nmの範囲で
望ましくは804.On糟である波長を中心とする光を
放出し、第2のストリップ放出キャビティすなわちスト
リップ領域84は、804nmから805.6nmの範
囲で望ましくは804.8nmである波長を中心とする
光を放出し、第3のストリップ放出キャビティすなわち
ストリップ領域86は、804 、8nmから806.
4rvの範囲で望ましく 805.6nmである波長を
中心とする光を放出し、第4ストリツプ放出キヤビテイ
すなわちストリップ領域88は、805.6ni+から
807.2nmの範囲で望ましくは806.4nmであ
る波長を中心とする光を放出し、第5のストリップ放出
キャビティすなわちストリップ領域90は、806.4
nmから808 、 On−の範囲で望ましくは807
.2nmである波長を中心とする光を放出し、第6のス
トリップ放出キャビティすなわちストリップ領域92は
、807.2nmから808.8nmの範囲で望ましく
は808.0nmである波長を中心とする光を放出し、
第7のストリップ放出キャビティすなわちストリップ領
域94は、808、Onmから809.6nmの範囲で
望ましくは808.8nmである波長を中心とする光を
放出し、第8のストリップ放出キャビティすなわちスト
リップ領域96は、808.8nmから810.4nn
+の範囲で望ましくは809.6nmである波長を中心
とする光を放出し、第9のストリップ放出キャビティす
なわちストリップ領域98は、809.6nmから81
1.2no+の範囲で望ましくは810.4nmである
波長を中心とする光を放出し、第10のストリップ放出
キャビティすなわちストリップ領域100は、810.
4nmから812.0nmの範囲で望ましくは811.
2nmである波長を中心とする光を放出し、第11のス
トリップ放出キャビティすなわちストリップ領域102
は、811.2nmから812.8n−の範囲で望まし
くは812.4nmである波長を中心とする光を放出す
る。
第4図を参照すると、本発明の実施に際しての使用に適
している、他のレーザダイオードアレイ110が示され
ている。レーザダイオードアレイ110は、基材42、
および、陽子インブラント部分57が設けられたいくつ
かのJ!44.46.48.50.52.54および5
6を備えている。
している、他のレーザダイオードアレイ110が示され
ている。レーザダイオードアレイ110は、基材42、
および、陽子インブラント部分57が設けられたいくつ
かのJ!44.46.48.50.52.54および5
6を備えている。
レーザダイオードアレイ110中の能動層48はiA
1zGa I −zAsで構成されており、この場合2
はゼロに等しい。
1zGa I −zAsで構成されており、この場合2
はゼロに等しい。
レーザダイオードアレイ110は複数の細長いストリッ
プを備えている。本発明の実施に際しては、どのような
数のストリップでも用いることができる。レーザダイオ
ードアレイ110は、第1のストリップ112、第2の
ストリップ114、第3のストリップ116、第4のス
トリップ118、第5のストリップ120、第6のスト
リップ122、第7のストリップ124、第8のストリ
ップ126、第9のストリップ128、第10のストリ
ップ130と第11のストリップ132で構成される1
1個のストリップを用いている。上記ストリップのそれ
ぞれの幅は、実質的には同じであり、本発明で論じるゲ
イン・ガイデッド・レーザのために約2.5r+mから
約5nn+の範囲で約3.50mであることが望ましい
。各ストリップは、各ストリップ112.114.11
6.118.120.122.124.126.128
.130および132の間にはさまれた抵抗性材料すな
わち陽子インブラント区域57で分離されている。
プを備えている。本発明の実施に際しては、どのような
数のストリップでも用いることができる。レーザダイオ
ードアレイ110は、第1のストリップ112、第2の
ストリップ114、第3のストリップ116、第4のス
トリップ118、第5のストリップ120、第6のスト
リップ122、第7のストリップ124、第8のストリ
ップ126、第9のストリップ128、第10のストリ
ップ130と第11のストリップ132で構成される1
1個のストリップを用いている。上記ストリップのそれ
ぞれの幅は、実質的には同じであり、本発明で論じるゲ
イン・ガイデッド・レーザのために約2.5r+mから
約5nn+の範囲で約3.50mであることが望ましい
。各ストリップは、各ストリップ112.114.11
6.118.120.122.124.126.128
.130および132の間にはさまれた抵抗性材料すな
わち陽子インブラント区域57で分離されている。
第4図の能動1ji48には、左部分134と右部分1
36がある。光放出方向に垂直な能動層48の断面は実
質的にくさび型である。能動層48の厚さは約20人か
ら約200人までの範囲であることができるが、能動層
48の左部分134における約50人から能動層48の
右部分136における約70人の範囲であることが望ま
しい。レーザダイオードアレイ110の能動層48は、
広い帯域幅にわたって一様に分布し安定したポンピング
放射をレーザ材料に与え、それによって、時効、および
温度、圧力と電流の変動が生じても高度の安定性を得る
ため、くさび型である。多くの点でレーザダイオードア
レイ40と同様であって、レーザダイオードアレイ11
0は、中頃のストリップすなわち第6のストリップ12
2に隣接した能動層が、例えば、ネオジムがドープされ
たYAGの場合では約808nmのように、レーザ材料
の吸収ピークかそれに近い放射を放出し、それによって
、従来のレーザダイオードアレイよりさらに安定したレ
ーザダイオードアレイを提供するように構成されている
。
36がある。光放出方向に垂直な能動層48の断面は実
質的にくさび型である。能動層48の厚さは約20人か
ら約200人までの範囲であることができるが、能動層
48の左部分134における約50人から能動層48の
右部分136における約70人の範囲であることが望ま
しい。レーザダイオードアレイ110の能動層48は、
広い帯域幅にわたって一様に分布し安定したポンピング
放射をレーザ材料に与え、それによって、時効、および
温度、圧力と電流の変動が生じても高度の安定性を得る
ため、くさび型である。多くの点でレーザダイオードア
レイ40と同様であって、レーザダイオードアレイ11
0は、中頃のストリップすなわち第6のストリップ12
2に隣接した能動層が、例えば、ネオジムがドープされ
たYAGの場合では約808nmのように、レーザ材料
の吸収ピークかそれに近い放射を放出し、それによって
、従来のレーザダイオードアレイよりさらに安定したレ
ーザダイオードアレイを提供するように構成されている
。
さらに特定すれば、能動層48が左部分134から右部
分136に移動すると、層の厚さが48人から50人の
範囲で望ましくは50人である第1の放出ストリップ領
域138、層の厚さが50人から54人の範囲で望まし
くは52人である第2の放出ストリップ領域140、層
の厚さが52人から56人の範囲で望ましくは54人で
ある第3の放出ストリップ領域142、層の厚さが54
人から58人の範囲で望ましくは56人である第4の放
出ストリップ領域144、層の厚さが56人から60人
の範囲で望ましくは58人である第5の放出ストリップ
領域146、層の厚さが58人から62人の範囲で望ま
しくは60人である第6の放出ストリップ領域148、
層の厚さが60人から64人の範囲で望ましくは62人
である第7の放出ストリップ領域150、層の厚さが6
2人から66人の範囲で望ましくは64人である第8の
放出ストリップ領域152、層の厚さが64人から68
人の範囲で望ましくは66人である第9の放出ストリッ
プ領域154、層の厚さが66人から70人の範囲で望
ましくは68人である第10の放出ストリップ領域15
6、層の厚さが68人力)ら72人の範囲で望ましくは
70人である第11の放出ストリップ領域158があり
、上記の放出ストリップのすべてはそれぞれストリップ
112.114.116.118.120,122.1
24.126.128.130および130に隣接して
おり、それらのストリップに平行であり、それらのスト
リップの下にある。
分136に移動すると、層の厚さが48人から50人の
範囲で望ましくは50人である第1の放出ストリップ領
域138、層の厚さが50人から54人の範囲で望まし
くは52人である第2の放出ストリップ領域140、層
の厚さが52人から56人の範囲で望ましくは54人で
ある第3の放出ストリップ領域142、層の厚さが54
人から58人の範囲で望ましくは56人である第4の放
出ストリップ領域144、層の厚さが56人から60人
の範囲で望ましくは58人である第5の放出ストリップ
領域146、層の厚さが58人から62人の範囲で望ま
しくは60人である第6の放出ストリップ領域148、
層の厚さが60人から64人の範囲で望ましくは62人
である第7の放出ストリップ領域150、層の厚さが6
2人から66人の範囲で望ましくは64人である第8の
放出ストリップ領域152、層の厚さが64人から68
人の範囲で望ましくは66人である第9の放出ストリッ
プ領域154、層の厚さが66人から70人の範囲で望
ましくは68人である第10の放出ストリップ領域15
6、層の厚さが68人力)ら72人の範囲で望ましくは
70人である第11の放出ストリップ領域158があり
、上記の放出ストリップのすべてはそれぞれストリップ
112.114.116.118.120,122.1
24.126.128.130および130に隣接して
おり、それらのストリップに平行であり、それらのスト
リップの下にある。
くさび型の能動層48はそれぞれ上部へテロ接合160
と下部へテロ接合162を有している。
と下部へテロ接合162を有している。
レーザ光発生の条件下においては、レーザダイオードア
レイ110は第2C図に破線の波形で示した通りの放出
スペクトルを有し、レーザ材料の吸収ピークは約808
.0nn+にあるとすると、光は、波長が803.2n
mから804.8nmの範囲で望ましくは804.0n
mである第1の放出ストリップ領域138、波長が80
4nmから805.6nmの範囲で望ましくは804.
8nmである第2の放出ストリップ領域140、波長が
804.8nIlから806.4nmの範囲で望ましく
は805.6nmである第3の放出ストリップ領域14
2、波長が805.6nmから807.2nmの範囲で
望ましくは806.4r+mである第4の放出ストリッ
プ領域1.44、波長が806.4nmから808.0
nn+の範囲で望ましくは807.2nmである第5の
放出ストリップ領域146、波長が807.2nmから
808.8nmの範囲で望ましくは808.0nmであ
る第6の放出ストリップ領域148、波長が808.0
nmから809.6nmの範囲で望ましくは808.8
n+wである第7の放出ストリップ領域150、波長が
808.8nmから810.4nmの範囲で望ましくは
809、6nmである第8の放出ストリップ領域152
、波長が809.6nmから811.2nmの範囲で望
ましくは814.0nmである第9の放出ストリップ領
域154、波長が810.4nmから812.0nmの
範囲で望ましくは811.2nmである第10の放出ス
トリップ領域156、および波長が811.2nmから
812.8nmの範囲で望ましくは812nmである第
11の放出ストリップ領域158から放出される。
レイ110は第2C図に破線の波形で示した通りの放出
スペクトルを有し、レーザ材料の吸収ピークは約808
.0nn+にあるとすると、光は、波長が803.2n
mから804.8nmの範囲で望ましくは804.0n
mである第1の放出ストリップ領域138、波長が80
4nmから805.6nmの範囲で望ましくは804.
8nmである第2の放出ストリップ領域140、波長が
804.8nIlから806.4nmの範囲で望ましく
は805.6nmである第3の放出ストリップ領域14
2、波長が805.6nmから807.2nmの範囲で
望ましくは806.4r+mである第4の放出ストリッ
プ領域1.44、波長が806.4nmから808.0
nn+の範囲で望ましくは807.2nmである第5の
放出ストリップ領域146、波長が807.2nmから
808.8nmの範囲で望ましくは808.0nmであ
る第6の放出ストリップ領域148、波長が808.0
nmから809.6nmの範囲で望ましくは808.8
n+wである第7の放出ストリップ領域150、波長が
808.8nmから810.4nmの範囲で望ましくは
809、6nmである第8の放出ストリップ領域152
、波長が809.6nmから811.2nmの範囲で望
ましくは814.0nmである第9の放出ストリップ領
域154、波長が810.4nmから812.0nmの
範囲で望ましくは811.2nmである第10の放出ス
トリップ領域156、および波長が811.2nmから
812.8nmの範囲で望ましくは812nmである第
11の放出ストリップ領域158から放出される。
例えば、レーザ材料の吸収ピークが808.0nmでは
なく 806.Onmであった場合は、第6の放出スト
リップ領域148の層の厚さが修正され、その結果、第
6の放出ストリップ領域148が約806nn+で光を
放射することになる。したがって、そのような例におい
ては、上記バラグラフに記載されたすべての波長値が2
nmだけ減少されることになるはずである。
なく 806.Onmであった場合は、第6の放出スト
リップ領域148の層の厚さが修正され、その結果、第
6の放出ストリップ領域148が約806nn+で光を
放射することになる。したがって、そのような例におい
ては、上記バラグラフに記載されたすべての波長値が2
nmだけ減少されることになるはずである。
第5図を参照すると、本発明の実施に際して使用するに
適した、他のレーザダイオードアレイが示されている。
適した、他のレーザダイオードアレイが示されている。
レーザダイオードアレイ164は、基材42および層4
4.46.48.50.52.54および56を陽子イ
ンブラント領域57とともに備えている。能動層48は
左部分134と右部分136を備えている。当業者が理
解できるように、本発明の実施に際しては、どのような
数のストリップでも用いることができる。レーザダイオ
ードアレイ164はストリップ166を11個備えてい
る。この11個のストリップ166はすべて同じ幅と長
さを有し、それぞれの長さはレーザダイオードアレイ1
64と同一の広がりを占める。
4.46.48.50.52.54および56を陽子イ
ンブラント領域57とともに備えている。能動層48は
左部分134と右部分136を備えている。当業者が理
解できるように、本発明の実施に際しては、どのような
数のストリップでも用いることができる。レーザダイオ
ードアレイ164はストリップ166を11個備えてい
る。この11個のストリップ166はすべて同じ幅と長
さを有し、それぞれの長さはレーザダイオードアレイ1
64と同一の広がりを占める。
第5図の能動層48は式AlzGa+−zAsにより構
成されている。第5図の第1の例では、アルミニウム含
有量すなわち2の値は、能動層48の左部分134にお
ける約0.0926から右部分136における約0.0
79まで変化する。AlGaAs多重波長光の放出バー
すなわちダイオードの製造において用いられてきている
一つのアプローチが、J、E、エプラーにより、app
i、 Phys、 Lett第52巻第18号1499
〜1501ページに公表されている。能動層のAI酸成
分放射波長とは、バーに沿った位置の関数として変化す
る。
成されている。第5図の第1の例では、アルミニウム含
有量すなわち2の値は、能動層48の左部分134にお
ける約0.0926から右部分136における約0.0
79まで変化する。AlGaAs多重波長光の放出バー
すなわちダイオードの製造において用いられてきている
一つのアプローチが、J、E、エプラーにより、app
i、 Phys、 Lett第52巻第18号1499
〜1501ページに公表されている。能動層のAI酸成
分放射波長とは、バーに沿った位置の関数として変化す
る。
第5図の第2の例においては、2の値は一定の7原子%
に留まり、n型またはp型ドーパント濃度が能動層48
の左部分134から右部分136まで変化する。
に留まり、n型またはp型ドーパント濃度が能動層48
の左部分134から右部分136まで変化する。
多くの点で第3図と第4図で既述したレーザダイオード
アレイ40および110と同様であって、レーザダイオ
ードアレイ164の両方の例においては、その吸収帯域
が下記の帯域幅内にある放射を受けるレーザ材料をポン
ピングするために、広い帯域幅にわたって一様に分布し
た強度を有する光ポンピング放射を生成するためのレー
ザダイオードアレイを与えるため、2の値すなわちドー
パント濃度が能動層48を横切って変化する。
アレイ40および110と同様であって、レーザダイオ
ードアレイ164の両方の例においては、その吸収帯域
が下記の帯域幅内にある放射を受けるレーザ材料をポン
ピングするために、広い帯域幅にわたって一様に分布し
た強度を有する光ポンピング放射を生成するためのレー
ザダイオードアレイを与えるため、2の値すなわちドー
パント濃度が能動層48を横切って変化する。
能動層48は11個のストリップ166の直下に、スト
リップ166に隣接して、いくつかの放出領域を備えて
いる。能動層48は第1の放出ストリップ領域168、
第2の放出ストリップ領域170、第3の放出ストリッ
プ領域172、第4の放出ストリップ領域174、第5
の放出ストリップ領域176、第6の放出ストリップ領
域178、第7の放出ストリップ領域180、第8の放
出ストリップ領域182、第9の放出ストリップ領域1
84、第10の放出ストリップ領域186および第11
の放出ストリップ領域188を備えている。
リップ166に隣接して、いくつかの放出領域を備えて
いる。能動層48は第1の放出ストリップ領域168、
第2の放出ストリップ領域170、第3の放出ストリッ
プ領域172、第4の放出ストリップ領域174、第5
の放出ストリップ領域176、第6の放出ストリップ領
域178、第7の放出ストリップ領域180、第8の放
出ストリップ領域182、第9の放出ストリップ領域1
84、第10の放出ストリップ領域186および第11
の放出ストリップ領域188を備えている。
第5図のレーザデバイス164の第1の例においては、
第1の放出ストリップ領域168は式AtzGa、zA
s中のアルミニウム組成すなわち2の値が0.0926
から0.0904までの範囲で望ましくは0.0916
であり、第2の放出ストリップ領域170は2の値が0
.0916から0.0892までの範囲で望ましくは0
゜0904であり、第3の放出ストリップ領域172は
2の値が0.0904から0.0881までの範囲で望
ましくは0.0892であり、第4の放出ストリップ領
域174は2の値が0.0892から0.0869まで
の範囲で望ましくは0.0881であり、第5の放出ス
トリップ領域176は2の値が0.0881から0.0
858までの範囲で望ましくは0.0869であり、第
6の放出ストリップ領域178は2の値が0.0869
から0.0846までの範囲で望ましくは0.0858
であり、第7の放出ストリップ領域180は2の値が0
.0858から0.0834までの範囲で望ましくは0
.0846であり、第8の放出ストリップ領域182は
2の値が0.0846から0.0823までの範囲で望
ましくは0.0834であり、第9の放出ストリップ領
域184は2の値が0.0834から0゜0811まで
の範囲で望ましくは0.0823であり、第10の放出
ストリップ領域186は2の値が0.0823からo、
osooまでの範囲で望ましくは0.0811であり、
また、第11の放出ストリップ領域188は2の値が0
.0811から0.0790までの範囲で望ましくは0
゜0800である。(第1表参照) (以下余白、次頁につづく) 能動層48の中頃すなわち第6の放出ストリップ領域1
78はレーザ材料の吸収ピークに整合するように構成さ
れている。吸収ピークが異なる場合、上記の2値すなわ
ちドーパント濃度は、中頃の放出ストリップ領域178
がレーザ材料の吸収ピークに整合するように修正される
ことになる。
第1の放出ストリップ領域168は式AtzGa、zA
s中のアルミニウム組成すなわち2の値が0.0926
から0.0904までの範囲で望ましくは0.0916
であり、第2の放出ストリップ領域170は2の値が0
.0916から0.0892までの範囲で望ましくは0
゜0904であり、第3の放出ストリップ領域172は
2の値が0.0904から0.0881までの範囲で望
ましくは0.0892であり、第4の放出ストリップ領
域174は2の値が0.0892から0.0869まで
の範囲で望ましくは0.0881であり、第5の放出ス
トリップ領域176は2の値が0.0881から0.0
858までの範囲で望ましくは0.0869であり、第
6の放出ストリップ領域178は2の値が0.0869
から0.0846までの範囲で望ましくは0.0858
であり、第7の放出ストリップ領域180は2の値が0
.0858から0.0834までの範囲で望ましくは0
.0846であり、第8の放出ストリップ領域182は
2の値が0.0846から0.0823までの範囲で望
ましくは0.0834であり、第9の放出ストリップ領
域184は2の値が0.0834から0゜0811まで
の範囲で望ましくは0.0823であり、第10の放出
ストリップ領域186は2の値が0.0823からo、
osooまでの範囲で望ましくは0.0811であり、
また、第11の放出ストリップ領域188は2の値が0
.0811から0.0790までの範囲で望ましくは0
゜0800である。(第1表参照) (以下余白、次頁につづく) 能動層48の中頃すなわち第6の放出ストリップ領域1
78はレーザ材料の吸収ピークに整合するように構成さ
れている。吸収ピークが異なる場合、上記の2値すなわ
ちドーパント濃度は、中頃の放出ストリップ領域178
がレーザ材料の吸収ピークに整合するように修正される
ことになる。
第5図の第2の例においては、n型またはn型ドーパン
トの濃度は能動N48の左部分134から右部分136
まで変化する。n型ドーパントは、マグネシウム、亜鉛
、カドミウム、ベベリウム、両性ドーパント、炭素、珪
素、ゲルマニウム、錫等、および上記の相当物がある。
トの濃度は能動N48の左部分134から右部分136
まで変化する。n型ドーパントは、マグネシウム、亜鉛
、カドミウム、ベベリウム、両性ドーパント、炭素、珪
素、ゲルマニウム、錫等、および上記の相当物がある。
n型ドープ剤は、テルル、セレン、硫黄と両性ドーパン
トおよび上記の相当物がある。望ましいn型ドーパント
は、セレン、テルルと珪素である。この応用のために、
ある不純物が混合された特定の電荷状態に応じてドナー
レベルおよび/またはアクセプタレベルを示す不純物を
両性ドーパントと呼ぶ。当業者に知られているように、
両性ドーパントとは、材料中に混合された方法に応じて
、半導体をドーピングするためのn型またはn型ドーパ
ントとして用いることができる材料のことである。
トおよび上記の相当物がある。望ましいn型ドーパント
は、セレン、テルルと珪素である。この応用のために、
ある不純物が混合された特定の電荷状態に応じてドナー
レベルおよび/またはアクセプタレベルを示す不純物を
両性ドーパントと呼ぶ。当業者に知られているように、
両性ドーパントとは、材料中に混合された方法に応じて
、半導体をドーピングするためのn型またはn型ドーパ
ントとして用いることができる材料のことである。
(以下余白、次頁につづく)
第2の例においては、能動層48の組成は一定であって
約0.07(Al o、o7Gao、qJs)であるが
、ドーピング濃度が変化する。特に、n型ドーパントは
、能動層48の左部分134における約3.8×10”
/ciから能動層48の右部分136における約7.5
Xl018/c艷までの範囲とすることができる。
約0.07(Al o、o7Gao、qJs)であるが
、ドーピング濃度が変化する。特に、n型ドーパントは
、能動層48の左部分134における約3.8×10”
/ciから能動層48の右部分136における約7.5
Xl018/c艷までの範囲とすることができる。
さらに特定すると、第1の放出ストリップ領域168は
3.8 xlO”/cnjから、4.2 XIQ”/a
dまでの範囲で望ましくは4.OX10’B/cjであ
るn型ドーパントを含み、第2の放出ストリップ領域1
70は4.OXIO”/cJから4.5 XIO”/c
fflまでの範囲で望ましくは4.2 XIO”/cn
lであるn型ドーパントを含み、第3の放出ストリップ
領域172は4.2 XIO”/calから4.7 X
IO”/ajマチ(7)範囲テ望ましくは4.5 XI
Q”/adであるn型ドーパントを含み、第4の放出ス
トリップ領域174は4.5XIO”/cdから5.O
xlO”/、fflまでの範囲で望ましくは4.7 x
lO”/dであるn型ドーパントを含み、第5の放出ス
トリップ領域176は4.7 Xl0111/cI11
から5.3 xlO”/cdまでの範囲で望ましくは5
.OxlO”/an!であるn型ドーパントを含み、第
6の放出ストリップ領域178は5.OXIO”/dか
ら5.6 Xl018/c+1までの範囲で望ましくは
5゜3 XIO”/an!であるn型ドーパントを含み
、第7の放出ストリップ領域180は5.3 XIO”
/csiから5.9 XIO”/cfflまでの範囲で
望ましくは5.6×10”/cdであるn型ドーパント
を含み、第8の放出ストリップ領域182は5.6 X
IO”/cfflから6゜2 XIO”/−までの範囲
で望ましくは5.9 XIO”/cI11であるn型ド
ーパントを含み、第9の放出ストリップ領域184は5
.9 XIO”/cutから6.6×IQ”/calま
での範囲で望ましくは6.2 XIO”/cn!である
n型ドーパントを含み、第10の放出ストリップ領域1
86は6.2 XIO”/c+(から7.OXl018
7−までの範囲で望ましくは6.2 Xl018/c+
+fであるn型ドーパントを含み、第11の放出ストリ
ップ傾城186は6.6 XIO”/c艷から7.5
XIO”/cIIIまでの範囲で望ましくは7.OX
IQ” / craであるn型ドーパントを含んでいる
(第1表参照)。
3.8 xlO”/cnjから、4.2 XIQ”/a
dまでの範囲で望ましくは4.OX10’B/cjであ
るn型ドーパントを含み、第2の放出ストリップ領域1
70は4.OXIO”/cJから4.5 XIO”/c
fflまでの範囲で望ましくは4.2 XIO”/cn
lであるn型ドーパントを含み、第3の放出ストリップ
領域172は4.2 XIO”/calから4.7 X
IO”/ajマチ(7)範囲テ望ましくは4.5 XI
Q”/adであるn型ドーパントを含み、第4の放出ス
トリップ領域174は4.5XIO”/cdから5.O
xlO”/、fflまでの範囲で望ましくは4.7 x
lO”/dであるn型ドーパントを含み、第5の放出ス
トリップ領域176は4.7 Xl0111/cI11
から5.3 xlO”/cdまでの範囲で望ましくは5
.OxlO”/an!であるn型ドーパントを含み、第
6の放出ストリップ領域178は5.OXIO”/dか
ら5.6 Xl018/c+1までの範囲で望ましくは
5゜3 XIO”/an!であるn型ドーパントを含み
、第7の放出ストリップ領域180は5.3 XIO”
/csiから5.9 XIO”/cfflまでの範囲で
望ましくは5.6×10”/cdであるn型ドーパント
を含み、第8の放出ストリップ領域182は5.6 X
IO”/cfflから6゜2 XIO”/−までの範囲
で望ましくは5.9 XIO”/cI11であるn型ド
ーパントを含み、第9の放出ストリップ領域184は5
.9 XIO”/cutから6.6×IQ”/calま
での範囲で望ましくは6.2 XIO”/cn!である
n型ドーパントを含み、第10の放出ストリップ領域1
86は6.2 XIO”/c+(から7.OXl018
7−までの範囲で望ましくは6.2 Xl018/c+
+fであるn型ドーパントを含み、第11の放出ストリ
ップ傾城186は6.6 XIO”/c艷から7.5
XIO”/cIIIまでの範囲で望ましくは7.OX
IQ” / craであるn型ドーパントを含んでいる
(第1表参照)。
ドープ剤の型と濃度に応じて波長がどのように変動する
かを報告した、P、D、ダブカスのム釦匹」hと140
.3300(1969)を参照するとよい。第5図の第
1および第2の例の放出スペクトルを、第2C図の破線
の波形に示した。
かを報告した、P、D、ダブカスのム釦匹」hと140
.3300(1969)を参照するとよい。第5図の第
1および第2の例の放出スペクトルを、第2C図の破線
の波形に示した。
第6a図は、本発明の実施に際しての使用に適したレー
ザダイオードアレイの、また別の代表的実施例である。
ザダイオードアレイの、また別の代表的実施例である。
レーザデバイス200はレーザダイオードアレイ201
を備えており、レーザダイオードアレイ201は基材4
2および層44.46.48.50.52.54および
56を陽子インブラント部分57と共に備えている。レ
ーザダイオードアレイ201のすぐ上には、レーザダイ
オードアレイ201に隣接して、温度変動手段202が
ある。
を備えており、レーザダイオードアレイ201は基材4
2および層44.46.48.50.52.54および
56を陽子インブラント部分57と共に備えている。レ
ーザダイオードアレイ201のすぐ上には、レーザダイ
オードアレイ201に隣接して、温度変動手段202が
ある。
放出ストリップ領域242は、この例ではレーザ剤の吸
収ピークである約8081蒙において発光する。この構
造は約−30℃から約+100℃までの範囲の周辺温度
で作動するように構成されている。
収ピークである約8081蒙において発光する。この構
造は約−30℃から約+100℃までの範囲の周辺温度
で作動するように構成されている。
温度変動手段202は、温度と電流の変動が生しても安
定性がよい多重周波数レーザダイオードしてレーザダイ
オードアレイ201の能動層48を横切るような温度勾
配を与えるために用いることができる。
定性がよい多重周波数レーザダイオードしてレーザダイ
オードアレイ201の能動層48を横切るような温度勾
配を与えるために用いることができる。
温度変動手段202は、左部分すなわち電熱加熱装置/
冷却装置204、右部分すなわち電熱加熱装置/冷却装
置206および中間部分すなわち電気的にも熱的にも伝
導性であるプレート208を備えている。伝導性プレー
ト208は、レーザダイオードアレイ201の11個の
ストリップの上に隣接して平行に置かれている。この場
合も、当業者に理解されるように、本発明の実施に際し
てはどのような数のストリップでも使用することができ
る。各ストリップ209はほぼ等しいストリップ幅と長
さを有している。デバイス200と伝導性プレート20
8との間は接着性はんだN207があり、この層はイン
ジウム、または金/錫共晶合金で構成することができる
。
冷却装置204、右部分すなわち電熱加熱装置/冷却装
置206および中間部分すなわち電気的にも熱的にも伝
導性であるプレート208を備えている。伝導性プレー
ト208は、レーザダイオードアレイ201の11個の
ストリップの上に隣接して平行に置かれている。この場
合も、当業者に理解されるように、本発明の実施に際し
てはどのような数のストリップでも使用することができ
る。各ストリップ209はほぼ等しいストリップ幅と長
さを有している。デバイス200と伝導性プレート20
8との間は接着性はんだN207があり、この層はイン
ジウム、または金/錫共晶合金で構成することができる
。
導電性プレート208は、第1のストリップ部分210
、第2のストリップ部分212、第3のストリップ部分
218、第4のストリップ部分216、第5のストリッ
プ部分218、第6のストリップ部分220、第7のス
トリップ部分222、第8のストリップ部分224、第
9のストリップ部分226、第10のストリップ部分2
28と、第11のストリップ部分230を備えている。
、第2のストリップ部分212、第3のストリップ部分
218、第4のストリップ部分216、第5のストリッ
プ部分218、第6のストリップ部分220、第7のス
トリップ部分222、第8のストリップ部分224、第
9のストリップ部分226、第10のストリップ部分2
28と、第11のストリップ部分230を備えている。
上記ストリップ部分はすべて、11個のストリップ20
9およびレーザダイオードアレイ201と隣接しており
、細長くて同一の広がりを有している。
9およびレーザダイオードアレイ201と隣接しており
、細長くて同一の広がりを有している。
第rの温度は左電熱加熱装置/冷却装置204で生成さ
れ、第2の異なった温度は0、能動層48を横切る温度
勾配を与え、それによって、第2C図に示すような複数
の明確な波長で能動層48から光を生成するように、伝
導性プレート208を通して温度変動手段202の右電
熱加熱装置/冷却器装置206によって与えられる。第
6a図のレーザデバイス201中の波長の温度係数は約
0゜27〜0.3nm/’Cである。レーザダイオード
アレイ201は、11個のストリップ209の各ストリ
ップをそのストリップに隣接するストリップとは異なっ
た明確な波長に調整し、第2C図に破線で示した波形に
示された特性を有する多重波長デーザダイオードポンプ
を作るように温度調整することができる。レーザダイオ
ードアレイ201は、温度と電流の変動、およびデバイ
ス201に変動と時効が生じても、レーザ材料の適切な
吸収波長において安定な一定の放射源を効果的に提供す
る。
れ、第2の異なった温度は0、能動層48を横切る温度
勾配を与え、それによって、第2C図に示すような複数
の明確な波長で能動層48から光を生成するように、伝
導性プレート208を通して温度変動手段202の右電
熱加熱装置/冷却器装置206によって与えられる。第
6a図のレーザデバイス201中の波長の温度係数は約
0゜27〜0.3nm/’Cである。レーザダイオード
アレイ201は、11個のストリップ209の各ストリ
ップをそのストリップに隣接するストリップとは異なっ
た明確な波長に調整し、第2C図に破線で示した波形に
示された特性を有する多重波長デーザダイオードポンプ
を作るように温度調整することができる。レーザダイオ
ードアレイ201は、温度と電流の変動、およびデバイ
ス201に変動と時効が生じても、レーザ材料の適切な
吸収波長において安定な一定の放射源を効果的に提供す
る。
温度変動手段202の左右の電熱加熱装置/冷却装置2
04と206のそれぞれは個別の独立した電熱加熱装置
/冷却装置だけでなく、独立した熱センサーとフィード
バック回路も備えている。
04と206のそれぞれは個別の独立した電熱加熱装置
/冷却装置だけでなく、独立した熱センサーとフィード
バック回路も備えている。
使用する場合、電熱加熱装置/冷却装置204と206
は約O℃から約60℃までのどの温度にでも、独立して
設定し、制御す、ることができる。
は約O℃から約60℃までのどの温度にでも、独立して
設定し、制御す、ることができる。
電熱加熱装置/冷却装置204と206は従来のもので
あり、熱電対、サミスタ等、従来の温度センサを使用し
て温度をモニタすることができる。
あり、熱電対、サミスタ等、従来の温度センサを使用し
て温度をモニタすることができる。
所望の値から温度が逸脱した場合、センサ回路中に電圧
が生じる。この電圧の信号は、予め設定したゼロ点より
も温度が高いか低いことを示す。電流は温度のドリフト
を補正するために必要な方向に自動的に給電される。各
冷却装置はまた、要求された温度勾配を維持するために
熱を発散し、吸収する適切なヒートシンクを備えている
。
が生じる。この電圧の信号は、予め設定したゼロ点より
も温度が高いか低いことを示す。電流は温度のドリフト
を補正するために必要な方向に自動的に給電される。各
冷却装置はまた、要求された温度勾配を維持するために
熱を発散し、吸収する適切なヒートシンクを備えている
。
能動層48は、上記の伝導性プレートのストリップ部分
210.212.214.216.218.220.2
22.224.228および230の下であってこれら
のストリップ部分に隣接した対応放出ストリップ領域を
備えている。能動層48の第1の放出ストリップ領域2
32は伝導性プレート208の第1のストリップ部分2
10の直下にあってこれに隣接している。同様に、能動
層48の第2の放出ストリップ領域234は第2のスト
リップ部分212の直下にあってこれに隣接し、第3の
放出ストリップ領域236は第3の′ストリップ部分2
14の直下にあってこれに隣接し、第4の放出ストリッ
プ領域238は、第4のストリップ部分216の直下に
あってこれに隣接し、第5の放出ストリップ領域240
は第5のストリップ部分218の直下にあってこれに隣
接し、第6の放出ストリップ領域242は第6のストリ
ップ部分220の直下にあって、これに隣接し、第7の
放出ストリップ領域244は第7のストリップ部分22
2の直下にあって、これに隣接し、第8の放出ストリッ
プ領域246は第8のストリップ部分224の直下にあ
って、これに隣接し、第9の放出ストリップ領域248
は第9のストリップ部分226の直下にあって、これに
隣接し、第10の放出ストリップ領域250は第10の
ストリップ部分228の直下にあって、これに隣接し、
第11の放出ストリップ領域252は第11のストリッ
プ部分230の直下にあってこれに隣接している。
210.212.214.216.218.220.2
22.224.228および230の下であってこれら
のストリップ部分に隣接した対応放出ストリップ領域を
備えている。能動層48の第1の放出ストリップ領域2
32は伝導性プレート208の第1のストリップ部分2
10の直下にあってこれに隣接している。同様に、能動
層48の第2の放出ストリップ領域234は第2のスト
リップ部分212の直下にあってこれに隣接し、第3の
放出ストリップ領域236は第3の′ストリップ部分2
14の直下にあってこれに隣接し、第4の放出ストリッ
プ領域238は、第4のストリップ部分216の直下に
あってこれに隣接し、第5の放出ストリップ領域240
は第5のストリップ部分218の直下にあってこれに隣
接し、第6の放出ストリップ領域242は第6のストリ
ップ部分220の直下にあって、これに隣接し、第7の
放出ストリップ領域244は第7のストリップ部分22
2の直下にあって、これに隣接し、第8の放出ストリッ
プ領域246は第8のストリップ部分224の直下にあ
って、これに隣接し、第9の放出ストリップ領域248
は第9のストリップ部分226の直下にあって、これに
隣接し、第10の放出ストリップ領域250は第10の
ストリップ部分228の直下にあって、これに隣接し、
第11の放出ストリップ領域252は第11のストリッ
プ部分230の直下にあってこれに隣接している。
第6b図においては、温度対位置のグラフ254が、伝
導性プレート208から能動層48に与えられ、能動層
48の左部分134から右部分136に移動する、温度
の範囲と変化を示している。
導性プレート208から能動層48に与えられ、能動層
48の左部分134から右部分136に移動する、温度
の範囲と変化を示している。
第1の位置256は、伝導性プレート208の第1のス
トリップ部分210が能動層48の第1の放出ストリッ
プ領域232に、6℃から11.33℃の範囲で望まし
くは8.67℃である温度を与えることを示している。
トリップ部分210が能動層48の第1の放出ストリッ
プ領域232に、6℃から11.33℃の範囲で望まし
くは8.67℃である温度を与えることを示している。
同様に、それぞれ作動しレーザ光が発生する条件下で、
第2の位置258は、第2のストリップ部分212が第
2の放出ストリップ領域234に、約8.67℃から1
4°Cの範囲で望ましくは11.33℃である温度を与
えることを示し、第3の位置260は、第3ストリップ
部分214が第3の放出ストリップ領域236に、11
.33℃から16.67℃の範囲で望ましくは14℃で
ある温度を与えることを示し、第4の位置262は、第
4のストリップ部分216が第4の放出ストリップ領域
238に、14℃から19.33℃の範囲で望ましくは
16.67℃である温度を与えることを示し、第5の位
置256は、第5ストリップ部分218が第5の放出ス
トリップ領域240に、16.67℃から22℃の範囲
で望ましくは19.33℃である温度を与えることを示
し、第6の位置266は、第6のストリップ部分220
が第6の放出ストリップ領域242に、19.33℃か
ら24.6℃の範囲で望ましくは22℃である温度を与
えることを示し、第7の位置268は、第7ストリソプ
部分222が第7の放出ストリップ領域244に、22
℃から27.33℃の範囲で望ましくは24.67℃で
ある温度を与えることを示し、第8の位置270は、第
8のストリップ部分224が第8の放出ストリップ領域
246に、24.67℃から30℃の範囲で望ましくは
27.33℃である温度を与えることを示し、第9の位
置272は、第9ストリップ部分226が第9の放出ス
トリップ領域248に、27.33℃から32.67℃
の範囲で望ましくは30 ’Cである温度を与えること
を示し、第10の位置274は、第10のストリップ部
分228が第10の放出ストリップ領域250に、30
′cがら35.33℃の範囲で望ましくは32.64℃
である温度を与えることを示し、第11の位置276は
、第11のストリップ部分230が第11の放出ストリ
ップ領域252に、32.88℃から38℃の範囲で望
ましくは25.33℃である温度を与えることを示して
いる(第2表参照)。
第2の位置258は、第2のストリップ部分212が第
2の放出ストリップ領域234に、約8.67℃から1
4°Cの範囲で望ましくは11.33℃である温度を与
えることを示し、第3の位置260は、第3ストリップ
部分214が第3の放出ストリップ領域236に、11
.33℃から16.67℃の範囲で望ましくは14℃で
ある温度を与えることを示し、第4の位置262は、第
4のストリップ部分216が第4の放出ストリップ領域
238に、14℃から19.33℃の範囲で望ましくは
16.67℃である温度を与えることを示し、第5の位
置256は、第5ストリップ部分218が第5の放出ス
トリップ領域240に、16.67℃から22℃の範囲
で望ましくは19.33℃である温度を与えることを示
し、第6の位置266は、第6のストリップ部分220
が第6の放出ストリップ領域242に、19.33℃か
ら24.6℃の範囲で望ましくは22℃である温度を与
えることを示し、第7の位置268は、第7ストリソプ
部分222が第7の放出ストリップ領域244に、22
℃から27.33℃の範囲で望ましくは24.67℃で
ある温度を与えることを示し、第8の位置270は、第
8のストリップ部分224が第8の放出ストリップ領域
246に、24.67℃から30℃の範囲で望ましくは
27.33℃である温度を与えることを示し、第9の位
置272は、第9ストリップ部分226が第9の放出ス
トリップ領域248に、27.33℃から32.67℃
の範囲で望ましくは30 ’Cである温度を与えること
を示し、第10の位置274は、第10のストリップ部
分228が第10の放出ストリップ領域250に、30
′cがら35.33℃の範囲で望ましくは32.64℃
である温度を与えることを示し、第11の位置276は
、第11のストリップ部分230が第11の放出ストリ
ップ領域252に、32.88℃から38℃の範囲で望
ましくは25.33℃である温度を与えることを示して
いる(第2表参照)。
デバイス200は、作動しレーザ光が発生する条件下で
、中頃のストリップすなわち第6のストリップ242が
、レーザ材料の吸収窓すなわちピークに整合した光を放
射し、そのことによって、多くの点で第3図、第4図お
よび第5図のアレイ40.110と164と同様に、温
度と圧力の変動や、デバイス200の時効が生じても、
安定性を高めるように構成されている。
、中頃のストリップすなわち第6のストリップ242が
、レーザ材料の吸収窓すなわちピークに整合した光を放
射し、そのことによって、多くの点で第3図、第4図お
よび第5図のアレイ40.110と164と同様に、温
度と圧力の変動や、デバイス200の時効が生じても、
安定性を高めるように構成されている。
第 2 表
804.0 8.67 ℃
804.8 11.33 ℃
805.6 14℃
806.4 16.67 ℃
807.2 19.33 ℃
808.0 22°C
80B、8 24.67 ℃
809.6 27.33 ℃
810.4 30℃
10 250 811.2 3
2.67 ℃11 252 81
2.0 35.33 ℃中頃のすなわち第6の放
出ストリップ領域242は、レーザ光発生の条件下でほ
ぼレーザ材料吸収ピークにおいて発光する。吸収ピーク
が異なる場合、望ましい温度は、中頃の放出ストリップ
領域242が吸収ピークに整合するように修正される。
2.67 ℃11 252 81
2.0 35.33 ℃中頃のすなわち第6の放
出ストリップ領域242は、レーザ光発生の条件下でほ
ぼレーザ材料吸収ピークにおいて発光する。吸収ピーク
が異なる場合、望ましい温度は、中頃の放出ストリップ
領域242が吸収ピークに整合するように修正される。
第7図には、本発明の実施に際しての使用に適した、別
のレーザダイオードアレイ290が示されている。レー
ザダイオードアレイ290はどのような数の能動層でも
持つことができるが、第7図のレーザダイオードアレイ
290は、能動層を5層だけしか示していない。レーザ
ダイオードアレイ290の底面はn″GaAs基材29
2であり、その上に、複数の層が下記の順で重なってい
る:nAlxGa+−xAs層294 、AlyGai
−yAsバリヤIW296、AlzGa+−Js第5の
能動Ji 298 、AI、Ga+−、Asバリヤ層層
300 、A1.Ga、、As第4の能動層302、^
1yGa+−、八Sバリヤ層304、AlzffGal
−g3八S第3の能動層306 、AlyGa+−、A
sバリヤ層層308、AI、、Ga+−z2As、第2
の能動層310、へl、Ga、−、Asバリヤ層312
、Al□Gal−、、As第1の能動層314 、A
1yGa+−、Asバリヤ層層316、p AlrGa
、−XAs層318、p″GaAs層320、層上20
Au/Cr層322、および、陽子インブラント部分3
24゜yの典型的な値は約0.2から1.0の範囲にあ
るが、そのような範囲に限定されるものではない。
のレーザダイオードアレイ290が示されている。レー
ザダイオードアレイ290はどのような数の能動層でも
持つことができるが、第7図のレーザダイオードアレイ
290は、能動層を5層だけしか示していない。レーザ
ダイオードアレイ290の底面はn″GaAs基材29
2であり、その上に、複数の層が下記の順で重なってい
る:nAlxGa+−xAs層294 、AlyGai
−yAsバリヤIW296、AlzGa+−Js第5の
能動Ji 298 、AI、Ga+−、Asバリヤ層層
300 、A1.Ga、、As第4の能動層302、^
1yGa+−、八Sバリヤ層304、AlzffGal
−g3八S第3の能動層306 、AlyGa+−、A
sバリヤ層層308、AI、、Ga+−z2As、第2
の能動層310、へl、Ga、−、Asバリヤ層312
、Al□Gal−、、As第1の能動層314 、A
1yGa+−、Asバリヤ層層316、p AlrGa
、−XAs層318、p″GaAs層320、層上20
Au/Cr層322、および、陽子インブラント部分3
24゜yの典型的な値は約0.2から1.0の範囲にあ
るが、そのような範囲に限定されるものではない。
第7図のレーザダイオードアレイ290の第1の例と第
2の例は、多くの点で、第5図のレーザダイオードアレ
イ164に類似している。レーザダイオードアレイ29
0の帯域幅は約5nmであり、帯域幅が広いため、温度
と電流の変動が生じても従来のレーザダイオードアレイ
よりもいっそう安定している。レーザダイオードアレイ
290は、波長をレーザダイオードアレイとレーザ材料
の吸収帯との間に整合させるという要件を容易にしかつ
緩和し、また安定した出力放射をレーザ材料から得るこ
とができる。これとは対照的に、従来のレーザダイオー
ドアレイの特性は、数時間のレーザ作動の後に変化して
ドリフトするから、レーザ材料のほぼ吸収ピークに放射
を与えることが困難である。
2の例は、多くの点で、第5図のレーザダイオードアレ
イ164に類似している。レーザダイオードアレイ29
0の帯域幅は約5nmであり、帯域幅が広いため、温度
と電流の変動が生じても従来のレーザダイオードアレイ
よりもいっそう安定している。レーザダイオードアレイ
290は、波長をレーザダイオードアレイとレーザ材料
の吸収帯との間に整合させるという要件を容易にしかつ
緩和し、また安定した出力放射をレーザ材料から得るこ
とができる。これとは対照的に、従来のレーザダイオー
ドアレイの特性は、数時間のレーザ作動の後に変化して
ドリフトするから、レーザ材料のほぼ吸収ピークに放射
を与えることが困難である。
レーザダイオードアレイ209には、細長いストリップ
が1個あるだけであり、その幅は約50nmから150
nmまでの範囲で望ましくは1100nである。ストリ
ップ326は、レーザダイオードアレイ290と同一の
広がりを持っており、レーザダイオードアレイ290の
長さ方向に走っていて典型的な長さは約400nmであ
る。能動層298.302.306.310および31
4はそれぞれ、中心領域328.330.332.33
4および346を有し、これらの中心領域は、レーザ光
発生の条件下で、異なって明確な波長で光を生成しある
いは放出する。
が1個あるだけであり、その幅は約50nmから150
nmまでの範囲で望ましくは1100nである。ストリ
ップ326は、レーザダイオードアレイ290と同一の
広がりを持っており、レーザダイオードアレイ290の
長さ方向に走っていて典型的な長さは約400nmであ
る。能動層298.302.306.310および31
4はそれぞれ、中心領域328.330.332.33
4および346を有し、これらの中心領域は、レーザ光
発生の条件下で、異なって明確な波長で光を生成しある
いは放出する。
当業者が了解できるように、どのような数の能動層でも
用いることができる。本発明の実施のために適した第1
の例においては、第5の能動層298であるへ1zsG
a+−5sAS中の2.の値は、約0.0846から0
.0823までの範囲で望ましくは0.0834であり
、第4の能動N302の、4の値は約0.0834から
0.0858までの範囲で望ましくは0.0846であ
り、第3の能動層306の、、の値は約0.0846か
ら0.0869までの範囲で望ましくは0.858であ
り、第2の能動層310の、□の値は、約0.0858
から0.0881までの範囲で望ましくは0.8698
であり、第1の能動J’1314中の□の値は約0.0
869から0.0892までの範囲で望ましくは0.8
81であるが、上記範囲には必ずしも限定されない。
用いることができる。本発明の実施のために適した第1
の例においては、第5の能動層298であるへ1zsG
a+−5sAS中の2.の値は、約0.0846から0
.0823までの範囲で望ましくは0.0834であり
、第4の能動N302の、4の値は約0.0834から
0.0858までの範囲で望ましくは0.0846であ
り、第3の能動層306の、、の値は約0.0846か
ら0.0869までの範囲で望ましくは0.858であ
り、第2の能動層310の、□の値は、約0.0858
から0.0881までの範囲で望ましくは0.8698
であり、第1の能動J’1314中の□の値は約0.0
869から0.0892までの範囲で望ましくは0.8
81であるが、上記範囲には必ずしも限定されない。
レーザダイオードアレイ290の帯域幅は約5nmであ
る。例えば、レーザ材料の吸収ピークが約808nmで
ある場合、第5の能動JW298、第4の能動N302
、第3の能動層306、第2の能動1i310および第
1の能動層314に関して放出される波長は、各層の組
成を適切に選択することによって、それぞれ、約809
.6nm 、80B、8nm、808.0 nm、80
7.2 nmと806.4 nmに調整される。レーザ
ダイオードアレイ290の帯域幅は、第2C図に破線で
示された波形の幅のほぼ半分である。
る。例えば、レーザ材料の吸収ピークが約808nmで
ある場合、第5の能動JW298、第4の能動N302
、第3の能動層306、第2の能動1i310および第
1の能動層314に関して放出される波長は、各層の組
成を適切に選択することによって、それぞれ、約809
.6nm 、80B、8nm、808.0 nm、80
7.2 nmと806.4 nmに調整される。レーザ
ダイオードアレイ290の帯域幅は、第2C図に破線で
示された波形の幅のほぼ半分である。
ただし、レーザデバイス290のポンピング放射の強度
は、その帯域幅を横切って一様に分布される。
は、その帯域幅を横切って一様に分布される。
第7図に示すデバイスの第2の例においては、上記27
.2い、3.2□および、Iの値は一定であって約0.
07であり、能動層298.302.306.310お
よび314は、それぞれ濃度が約5.9.5.6.5.
3.5.0および4.7 xlQIB/cJであるn型
ドーパントが含み、上記能動層のそれぞれは、前述のバ
ラグラフで論じたように、はぼ同じ波長でまた一様に分
布した光を生成して放出する。
.2い、3.2□および、Iの値は一定であって約0.
07であり、能動層298.302.306.310お
よび314は、それぞれ濃度が約5.9.5.6.5.
3.5.0および4.7 xlQIB/cJであるn型
ドーパントが含み、上記能動層のそれぞれは、前述のバ
ラグラフで論じたように、はぼ同じ波長でまた一様に分
布した光を生成して放出する。
第8図に本発明の実施に際しての使用に適した、また別
のレーザダイオードアレイ340を示す。
のレーザダイオードアレイ340を示す。
レーザダイオードアレイ340には、基材292、層2
94、バリヤ層296、第5の能動層342、バリヤ層
300、第4の能動層344、バリヤ層304、第3の
能動N346、バリヤ層308、第2の能動層348、
バリヤ層312、第1の能動層350、バリヤ層31G
、層318、層320、層322と陽子インブラント部
分324が含まれているが、ただし、本発明の実施に際
しては、いかなる層数の能動層でも用いることができる
。
94、バリヤ層296、第5の能動層342、バリヤ層
300、第4の能動層344、バリヤ層304、第3の
能動N346、バリヤ層308、第2の能動層348、
バリヤ層312、第1の能動層350、バリヤ層31G
、層318、層320、層322と陽子インブラント部
分324が含まれているが、ただし、本発明の実施に際
しては、いかなる層数の能動層でも用いることができる
。
細長いストリップ326はレーザダイオードアレイ34
0と同一の広がりをもっており、レーザダイオードアレ
イ340の長さ方向に走っている。
0と同一の広がりをもっており、レーザダイオードアレ
イ340の長さ方向に走っている。
能動層342.344.346.348および350は
GaAsで構成されている。各能動層の厚さは、それぞ
れ隣接する能動層の厚さとは異なっており、温度と電流
の変動が生じても、従来のレーザダイオードアレイより
もいっそう安定したレーザ光を生成するため、それぞれ
の能動層がレーザ光発生の条件下で、それぞれの中心領
域352.354.356.358および360から、
正確な波長で発光する。
GaAsで構成されている。各能動層の厚さは、それぞ
れ隣接する能動層の厚さとは異なっており、温度と電流
の変動が生じても、従来のレーザダイオードアレイより
もいっそう安定したレーザ光を生成するため、それぞれ
の能動層がレーザ光発生の条件下で、それぞれの中心領
域352.354.356.358および360から、
正確な波長で発光する。
レーザダイオードアレイ340においては、それぞれレ
ーザー光発生の条件下において、第5のの能動層342
の厚さは62人から66人の範囲で望ましくは64人で
あり、波長が約809.6 nmである光を放出し、第
4の能動N344の厚さは60人力1ら64人の範囲で
望ましくは62人であり、波長が約808.8 nmで
ある光を放出し、第3の能動層346の厚さは58人か
ら62人の範囲で望ましくは60人であり、波長が約8
08.Onmである光を放出し、(レーザ材料の吸収ピ
ークが約808.0nmであるとすると)、第2の能動
層348の厚さは56人から60人の範囲で望ましくは
58人であり、波長が約807.2 nmである光を放
出し、第1の能動層350の厚さは54人から58人の
範囲で望ましくは56人であり、波長が約806.4
nmである光を放出する。上記の能動層の厚さは、第3
図のストリップの厚さの変化と類似して変化する。
ーザー光発生の条件下において、第5のの能動層342
の厚さは62人から66人の範囲で望ましくは64人で
あり、波長が約809.6 nmである光を放出し、第
4の能動N344の厚さは60人力1ら64人の範囲で
望ましくは62人であり、波長が約808.8 nmで
ある光を放出し、第3の能動層346の厚さは58人か
ら62人の範囲で望ましくは60人であり、波長が約8
08.Onmである光を放出し、(レーザ材料の吸収ピ
ークが約808.0nmであるとすると)、第2の能動
層348の厚さは56人から60人の範囲で望ましくは
58人であり、波長が約807.2 nmである光を放
出し、第1の能動層350の厚さは54人から58人の
範囲で望ましくは56人であり、波長が約806.4
nmである光を放出する。上記の能動層の厚さは、第3
図のストリップの厚さの変化と類似して変化する。
第9図には、多くの点で第7図のレーザダイオードアレ
イ290に類1以したレーザダイオードアレイ366が
示されている。第9図のレーザダイオードアレイ366
は、基材292と層294.296.298.300.
302.304.306.308.310.312.3
14.416.318.320と322、および陽子イ
ンブラント部分324を備えている。これらの層は第7
図に示した層と同じである。レーザダイオードアレイ3
66の場合、第7図のデバイスと同じ(、各能動層29
8.302.306.310と314内の、6.2い、
3.2□および21の値は変動させることができる。第
9図の第2の例においては、p型またはp型のドーパン
トを、様々な濃度で各能動層内に混合させることができ
る。先行したレーザダイオードアレイに関してすでに説
明したように、広い帯域幅にわたってほぼ−様な放射を
生成し、それによって、時効あるいは温度および電流の
変動が生じても高度の安定性を有するレーザダイオード
アレイを得るため、2の値とドーパントの濃度を変化さ
せる。
イ290に類1以したレーザダイオードアレイ366が
示されている。第9図のレーザダイオードアレイ366
は、基材292と層294.296.298.300.
302.304.306.308.310.312.3
14.416.318.320と322、および陽子イ
ンブラント部分324を備えている。これらの層は第7
図に示した層と同じである。レーザダイオードアレイ3
66の場合、第7図のデバイスと同じ(、各能動層29
8.302.306.310と314内の、6.2い、
3.2□および21の値は変動させることができる。第
9図の第2の例においては、p型またはp型のドーパン
トを、様々な濃度で各能動層内に混合させることができ
る。先行したレーザダイオードアレイに関してすでに説
明したように、広い帯域幅にわたってほぼ−様な放射を
生成し、それによって、時効あるいは温度および電流の
変動が生じても高度の安定性を有するレーザダイオード
アレイを得るため、2の値とドーパントの濃度を変化さ
せる。
レーザダイオードアレイ366は11個のストリップ3
68を備えている。ただし、本発明の実施に際しては、
どのような数の能動層でも用いることができる。第5の
能動層298は、約808.8nmから約180,4
nmまでの範囲で望ましくは809,60nである光を
、ストリップ368の下にありかつ隣接したストリップ
領域370で発光し、第4の能動層302は、約808
.Onmから約809.6 nmまでの範囲で望ましく
は80B、8 nmである光を、ストリップ368の下
にありかつ隣接したストリップ領域372で発光し、第
3の能動N306は、約807.2 nmから約808
.8 nmまでの範囲で望ましくは808.0 nmで
ある光を、ストリップ368の下にありかつ隣接したス
トリップ領域374で発光し、第2の能動層310は、
約806,4 nmから約808.Onmまでの範囲で
望ましくは807.2 nmである光を、ストリップ3
68の下にありかつ隣接したストリップ領域376で発
光し、第1の能動層314は、約805.6 runか
ら約807.2 nmまでの範囲で望ましくは806.
4 nmである光を、ストリップ368の下にありかつ
隣接したストリップ領域378で発光する。
68を備えている。ただし、本発明の実施に際しては、
どのような数の能動層でも用いることができる。第5の
能動層298は、約808.8nmから約180,4
nmまでの範囲で望ましくは809,60nである光を
、ストリップ368の下にありかつ隣接したストリップ
領域370で発光し、第4の能動層302は、約808
.Onmから約809.6 nmまでの範囲で望ましく
は80B、8 nmである光を、ストリップ368の下
にありかつ隣接したストリップ領域372で発光し、第
3の能動N306は、約807.2 nmから約808
.8 nmまでの範囲で望ましくは808.0 nmで
ある光を、ストリップ368の下にありかつ隣接したス
トリップ領域374で発光し、第2の能動層310は、
約806,4 nmから約808.Onmまでの範囲で
望ましくは807.2 nmである光を、ストリップ3
68の下にありかつ隣接したストリップ領域376で発
光し、第1の能動層314は、約805.6 runか
ら約807.2 nmまでの範囲で望ましくは806.
4 nmである光を、ストリップ368の下にありかつ
隣接したストリップ領域378で発光する。
第9図の第1の例においては、能動層298.302.
306.310と314のよい、4.21、$2および
□の値は、それぞれ、第7図のレーザダイオードアレイ
290の第1の例に関してすでに論じたものと同じであ
り、例えば、それぞれ、約0.0834.0.0846
.0.0858.0.0869および0.0881であ
る。
306.310と314のよい、4.21、$2および
□の値は、それぞれ、第7図のレーザダイオードアレイ
290の第1の例に関してすでに論じたものと同じであ
り、例えば、それぞれ、約0.0834.0.0846
.0.0858.0.0869および0.0881であ
る。
第9図の第2の例においては、能動N298.302.
306.310および314内のn型ドーパントの濃度
は、それぞれ、第7図のレーザダイオードアレイ290
の第2の例に関してすでに論じたものと同じであり、例
えば、それぞれ、5゜9.5.6.5.3.5.0 と
4,7 xlQ”/adである。
306.310および314内のn型ドーパントの濃度
は、それぞれ、第7図のレーザダイオードアレイ290
の第2の例に関してすでに論じたものと同じであり、例
えば、それぞれ、5゜9.5.6.5.3.5.0 と
4,7 xlQ”/adである。
第10図には、本発明の実施において使用するのに適し
た、また別のレーザダイオードアレイが示されており、
このレーザダイオードアレイは多くの点で第8図のレー
ザダイオードアレイ340に類似している。第10図に
は、基材292と層294.296.298.386.
304.388.390.312.392.316.3
18.320と322、および陽子インブラント部分3
24を備えたレーザダイオードアレイ384が示されて
いる。上記層は第8図に示した層と同じである。レーザ
ダイオードアレイ384の層386.388.390お
よび392の厚さは様々であるから、レーザ光発生の条
件下においては、広い帯域幅にわたってほぼ一様な放射
を生成することができ、それによって、温度と電流の変
動が生じても、高度の安定性を有するレーザダイオード
アレイを提供することができる。
た、また別のレーザダイオードアレイが示されており、
このレーザダイオードアレイは多くの点で第8図のレー
ザダイオードアレイ340に類似している。第10図に
は、基材292と層294.296.298.386.
304.388.390.312.392.316.3
18.320と322、および陽子インブラント部分3
24を備えたレーザダイオードアレイ384が示されて
いる。上記層は第8図に示した層と同じである。レーザ
ダイオードアレイ384の層386.388.390お
よび392の厚さは様々であるから、レーザ光発生の条
件下においては、広い帯域幅にわたってほぼ一様な放射
を生成することができ、それによって、温度と電流の変
動が生じても、高度の安定性を有するレーザダイオード
アレイを提供することができる。
レーザダイオードアレイ384の第4のFa IJ)H
2Seは、第3の能動層388より幅が広いか厚さが厚
い。第3の能動層388は、第2の能動層390よりも
幅が広いか厚さが厚く、第2の能動[390は、第1の
能動N392よりも幅が広いか厚さが厚い。例えば、第
4の能動層386の厚さは、64人から60人までの範
囲で望ましくは60人であり、第3の能動層388の厚
さは、62人から58人までの範囲で望ましくは60人
であり、第2の能動層390の厚さは、60人から56
人までの範囲で望ましくは58人であり、第1の能動層
382の厚さは、58人から54人までの範囲で望まし
くは56人である。レーザダイオードアレイ384の各
能動層はGaAsで構成されている。
2Seは、第3の能動層388より幅が広いか厚さが厚
い。第3の能動層388は、第2の能動層390よりも
幅が広いか厚さが厚く、第2の能動[390は、第1の
能動N392よりも幅が広いか厚さが厚い。例えば、第
4の能動層386の厚さは、64人から60人までの範
囲で望ましくは60人であり、第3の能動層388の厚
さは、62人から58人までの範囲で望ましくは60人
であり、第2の能動層390の厚さは、60人から56
人までの範囲で望ましくは58人であり、第1の能動層
382の厚さは、58人から54人までの範囲で望まし
くは56人である。レーザダイオードアレイ384の各
能動層はGaAsで構成されている。
レーザダイオードアレイ384において、レーザ材料の
吸収ピークが約808.5 nmであるとすると、能動
層386のストリップ領域394は、複数のストリップ
368の下でかつこれに隣接し、約809.6 nmで
発光し、第3の層388のストリップ領域396は約8
08.8 nmで発光し、第2の層390のストリップ
領域398は約808rvで発光し、第1の層392の
ストリップ領域400は約807゜2 nmで発光する
。し、−ザダイオードアレイ384中の能動層の厚さは
、第3図のレーザダイオードアレイ40のストリップの
厚さの変動と類似して変化する。
吸収ピークが約808.5 nmであるとすると、能動
層386のストリップ領域394は、複数のストリップ
368の下でかつこれに隣接し、約809.6 nmで
発光し、第3の層388のストリップ領域396は約8
08.8 nmで発光し、第2の層390のストリップ
領域398は約808rvで発光し、第1の層392の
ストリップ領域400は約807゜2 nmで発光する
。し、−ザダイオードアレイ384中の能動層の厚さは
、第3図のレーザダイオードアレイ40のストリップの
厚さの変動と類似して変化する。
第11図に、やはり、本発明の実施に際しての使用に適
したレーザダイオードアレイを示す。本発明の実施に際
しては、それぞれにどのような数のストリップが設けら
れたレーザデバイスを、どのような数ででも用いること
ができることが予想されるであろう。ハイブリッドレー
ザダイオードアレイ406が示され、このハイブリッド
レーザダイオードアレイ406は、底部にある第5のレ
ーザデバイス408、第4のレーザデバイス4工0、第
3のレーザデバイス412、第2のレーザデバイス41
4および最上部にある第1のレーザデバイス416を備
えている。第5のレーザデバイス408は、基材418
と層420.422.424、第5の能動層426、層
428.430.432、陽子インブランlTJ域43
4および幅の等しい複数のストリップ436を備えてい
る。ただし、同様に、第4、第3、第2および第1のレ
ーザデバイス410.412.414および416にも
同様な層が含まれているが、各レーザデバイスはそれぞ
れ異なった能動層を有している。
したレーザダイオードアレイを示す。本発明の実施に際
しては、それぞれにどのような数のストリップが設けら
れたレーザデバイスを、どのような数ででも用いること
ができることが予想されるであろう。ハイブリッドレー
ザダイオードアレイ406が示され、このハイブリッド
レーザダイオードアレイ406は、底部にある第5のレ
ーザデバイス408、第4のレーザデバイス4工0、第
3のレーザデバイス412、第2のレーザデバイス41
4および最上部にある第1のレーザデバイス416を備
えている。第5のレーザデバイス408は、基材418
と層420.422.424、第5の能動層426、層
428.430.432、陽子インブランlTJ域43
4および幅の等しい複数のストリップ436を備えてい
る。ただし、同様に、第4、第3、第2および第1のレ
ーザデバイス410.412.414および416にも
同様な層が含まれているが、各レーザデバイスはそれぞ
れ異なった能動層を有している。
レーザ光発生の条件下で、ハイブリッドレーザダイオー
ドアレイ406は、レーザ材料の吸収帯をポンピングす
るため広い帯域幅にわたって強度が一様に分布した光ポ
ンピング放射を生成する。
ドアレイ406は、レーザ材料の吸収帯をポンピングす
るため広い帯域幅にわたって強度が一様に分布した光ポ
ンピング放射を生成する。
ハイブリッドレーザダイオードアレイ4060強度は、
以前のレーザダイオードアレイよりも大きく、デバイス
408.410.412.414および416へのアク
セスが容易であるため、メンテナンスが容易であり、効
率的に大量生産することができる。第4のレーザデバイ
ス410は第4の能動層438を備えており、第3のレ
ーザデバイス412は第3の能動層440を備えており
、第2のレーザデバイス414には第2の能動層442
を備えており、第1のレーザデバイス416は第1の能
動層444を備えている。
以前のレーザダイオードアレイよりも大きく、デバイス
408.410.412.414および416へのアク
セスが容易であるため、メンテナンスが容易であり、効
率的に大量生産することができる。第4のレーザデバイ
ス410は第4の能動層438を備えており、第3のレ
ーザデバイス412は第3の能動層440を備えており
、第2のレーザデバイス414には第2の能動層442
を備えており、第1のレーザデバイス416は第1の能
動層444を備えている。
各レーザデバイス408.410.412.414およ
び416の間には、それぞれ第4のスペース446、第
3のスペース448、第2のスペース450および第1
のスペース452がある。
び416の間には、それぞれ第4のスペース446、第
3のスペース448、第2のスペース450および第1
のスペース452がある。
各レーザデバイス中の各能動層は、各デバイスの複数の
ストリップに隣接しその下にストリップ領域454.4
56.458.460および462を備えている。ハイ
ブリッドレーザデバイスの帯域幅は約5nmである。レ
ーザ光発光の条件下で、ストリップ領域454は、約8
08.8 nmから約810゜4 nmの範囲で望まし
くは809.6 nmである光を第5の能動層424か
ら放出し、ストリップ領域456は、約808.Onm
から約809.6 nmの範囲で望ましくは808.8
runである光を能動層438から放出し、ストリッ
プ領域458は、約807.2 r+mから約808゜
8 nmの範囲で望ましくは808.0 nmである光
を能動層440から放出し、ストリップ領域460は、
約806.4 nmから約808.0 nmの範囲で望
ましくは807.2 nmである光を能動層442から
放出し、ストリップ領域462は、約805.6 nm
から約807.2 nmの範囲で望ましくは806.4
nmである光を能動層444から放出する。
ストリップに隣接しその下にストリップ領域454.4
56.458.460および462を備えている。ハイ
ブリッドレーザデバイスの帯域幅は約5nmである。レ
ーザ光発光の条件下で、ストリップ領域454は、約8
08.8 nmから約810゜4 nmの範囲で望まし
くは809.6 nmである光を第5の能動層424か
ら放出し、ストリップ領域456は、約808.Onm
から約809.6 nmの範囲で望ましくは808.8
runである光を能動層438から放出し、ストリッ
プ領域458は、約807.2 r+mから約808゜
8 nmの範囲で望ましくは808.0 nmである光
を能動層440から放出し、ストリップ領域460は、
約806.4 nmから約808.0 nmの範囲で望
ましくは807.2 nmである光を能動層442から
放出し、ストリップ領域462は、約805.6 nm
から約807.2 nmの範囲で望ましくは806.4
nmである光を能動層444から放出する。
デバイス408.410,412.414および416
は、各デバイスを異なった温度に調整することによって
、第6a図のレーザデバイス200に関して開示された
方法と多くの点で類似した方法によって温度調整するこ
とができ、能動層424.438.440.442およ
び444のアルミニウム濃度とドーピングは第5図、第
7図または第9図に関連して論じた方法に多くの点で類
似した方法によって変化させることができ、各デバイス
内の能動層の厚さは第8図と第1Oに関連して論じた方
法と同様な方法によって変化させることができ、ストリ
ップの幅は第3図に示すに変化させることができ、およ
び/または各デバイスは圧力に対して調整でき、または
上記のいずれかの組合せとすることができる。
は、各デバイスを異なった温度に調整することによって
、第6a図のレーザデバイス200に関して開示された
方法と多くの点で類似した方法によって温度調整するこ
とができ、能動層424.438.440.442およ
び444のアルミニウム濃度とドーピングは第5図、第
7図または第9図に関連して論じた方法に多くの点で類
似した方法によって変化させることができ、各デバイス
内の能動層の厚さは第8図と第1Oに関連して論じた方
法と同様な方法によって変化させることができ、ストリ
ップの幅は第3図に示すに変化させることができ、およ
び/または各デバイスは圧力に対して調整でき、または
上記のいずれかの組合せとすることができる。
各図はゲインガイデッド構造を示すが、当業者は、イン
デックスガイデッド構造のようなその他の構造を、本発
明の実施に際して応用することができることを理解する
はずである。
デックスガイデッド構造のようなその他の構造を、本発
明の実施に際して応用することができることを理解する
はずである。
本発明の様々な実施例を示し、説明したが、当業者は、
本発明の新規な精神と範囲から逸脱することなく、先行
した実施例の再配置と組合せはもちろん、様々な修正と
代替を行うことができることを理解しなければならない
。
本発明の新規な精神と範囲から逸脱することなく、先行
した実施例の再配置と組合せはもちろん、様々な修正と
代替を行うことができることを理解しなければならない
。
第1図は本発明の一実施例を概略的に示す図、第2a図
は従来のダイオードレーザの放射スペクトルのグラフ、
第2b図は本発明の実施に際して用いるのに適した2個
のストリップで構成された第1のダイオードアレイの放
射スペクトルのグラフ、第2C図は本発明の実施に際し
て使用するのに適した11個のストリップで構成された
第2のダイオードアレイの放射スペクトルを示し、また
従来のレーザダイオードアレイの放射スペクトルも仮想
線で示したグラフ、第3図は本発明の実施に際して用い
るのに適したレーザダイオードアレイの斜視図、第4図
は本発明の実施に際して用いるのに適した、別のレーザ
ダイオードアレイの斜視図、第5図は本発明の実施に際
して用いるのに適した別のレーザダイオードアレイの斜
視図、第6a図は本発明の実施に際して用いにのに適し
た別のレーザダイオードアレイをその一部を切欠いて示
す斜視図、第6b図は第6a図のレーザダイオードアレ
イの温度と位置との関係を示すグラフ、第7図は本発明
の実施に際して用いるのに適したさらに別のレーザダイ
オードアレイの斜視図、第8図は本発明の実施に際して
用いるのに適したさらにまた別のレーザダイオードアレ
イの斜視図、第9図は本発明の実施に際して用いるのに
適したさらにまた別のレーザダイオードアレイの斜゛視
図、第10図は本発明の実施に際して用いるのに適した
別のレーザダイオードアレイの斜視図、第11図は本発
明の実施に際して用いるのに適した別のレーザダイオー
ドアレイの斜視図である。 なお図面に用いた符号において、 10.40.110.104,201,290,340
,366.384,406−・・−・・・−・−・・・
・・・・レーザダイオードアレイ13.15−−−−−
−−レーザダイオード16−・−・−・−・・・・・−
レンズ(集束手段)18−・−・−・・・レーザ材料 24・・−・−−m−−・・−非線形光学材料58.6
0,62,66、68,70,72,74,76.78
.112.114゜116、118.120.122.
124.126.128.130.132.166゜2
09、326 、368 、436 −・−−−−−・・・・−・−ストリップ202−・・
・−・−・温度変動手段(温度勾配手段)48.298
,302,306,310,314,342,344,
346゜348.350,386,388,390,3
92,426,438,440゜442、444 −・−・−・・・−・−・−・−・−能動層82.84
,86,88.90,92,94,96.98.100
,102゜138、140.142.146.148.
150.152.154.156゜158、168.1
70.172.174.176、178.180.18
2゜184、186.188,232,234,236
,238,240,242244.246,248,2
50,252,328,330,332,334゜33
6.352,354,356,358,360,370
,372,374゜376.378,394,396,
398,400,454,456,458゜460.4
62゜
は従来のダイオードレーザの放射スペクトルのグラフ、
第2b図は本発明の実施に際して用いるのに適した2個
のストリップで構成された第1のダイオードアレイの放
射スペクトルのグラフ、第2C図は本発明の実施に際し
て使用するのに適した11個のストリップで構成された
第2のダイオードアレイの放射スペクトルを示し、また
従来のレーザダイオードアレイの放射スペクトルも仮想
線で示したグラフ、第3図は本発明の実施に際して用い
るのに適したレーザダイオードアレイの斜視図、第4図
は本発明の実施に際して用いるのに適した、別のレーザ
ダイオードアレイの斜視図、第5図は本発明の実施に際
して用いるのに適した別のレーザダイオードアレイの斜
視図、第6a図は本発明の実施に際して用いにのに適し
た別のレーザダイオードアレイをその一部を切欠いて示
す斜視図、第6b図は第6a図のレーザダイオードアレ
イの温度と位置との関係を示すグラフ、第7図は本発明
の実施に際して用いるのに適したさらに別のレーザダイ
オードアレイの斜視図、第8図は本発明の実施に際して
用いるのに適したさらにまた別のレーザダイオードアレ
イの斜視図、第9図は本発明の実施に際して用いるのに
適したさらにまた別のレーザダイオードアレイの斜゛視
図、第10図は本発明の実施に際して用いるのに適した
別のレーザダイオードアレイの斜視図、第11図は本発
明の実施に際して用いるのに適した別のレーザダイオー
ドアレイの斜視図である。 なお図面に用いた符号において、 10.40.110.104,201,290,340
,366.384,406−・・−・・・−・−・・・
・・・・レーザダイオードアレイ13.15−−−−−
−−レーザダイオード16−・−・−・−・・・・・−
レンズ(集束手段)18−・−・−・・・レーザ材料 24・・−・−−m−−・・−非線形光学材料58.6
0,62,66、68,70,72,74,76.78
.112.114゜116、118.120.122.
124.126.128.130.132.166゜2
09、326 、368 、436 −・−−−−−・・・・−・−ストリップ202−・・
・−・−・温度変動手段(温度勾配手段)48.298
,302,306,310,314,342,344,
346゜348.350,386,388,390,3
92,426,438,440゜442、444 −・−・−・・・−・−・−・−・−能動層82.84
,86,88.90,92,94,96.98.100
,102゜138、140.142.146.148.
150.152.154.156゜158、168.1
70.172.174.176、178.180.18
2゜184、186.188,232,234,236
,238,240,242244.246,248,2
50,252,328,330,332,334゜33
6.352,354,356,358,360,370
,372,374゜376.378,394,396,
398,400,454,456,458゜460.4
62゜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)帯域幅が約3nmから約15nmであり、強度
が上記帯域幅全域にわたってほぼ一様に分布する光ポン
ピング放射を生成するためのレーザダイオードアレイと
、 b)上記レーザダイオードアレイの上記帯域幅内の放射
を受けるための吸収帯を有するレーザ材料とを具備する
光ポンピング式レーザ。 2、上記レーザダイオードアレイは複数のレーザダイオ
ードを、備え、このレーザダイオードが上記レーザ材料
の上記吸収帯よりも実質的に幅が広いスペクトル帯にわ
たって光ポンピング放射を生成する請求項1記載の光ポ
ンピング式レーザ。 3、上記レーザダイオードアレイが少なくとも2個以上
のレーザダイオードで構成されている請求項1記載の光
ポンピング式レーザ。 4、上記レーザダイオードアレイからのレーザ光を上記
レーザ材料に集束させるための集束手段と上記レーザ材
料からの上記レーザ光の周波数を修正させるための非線
形光学手段とを具備する請求項1記載の光ポンピング式
レーザ。 5、上記レーザ材料が固体である請求項1記載の光ポン
ピング式レーザ。 6、上記レーザダイオードアレイが a)能動手段を形成する1層以上の層と、 b)上記能動手段を順方向にバイアスさせるための手段
とを具備し、 上記順方向バイアス手段は複数の一般的に細長いストリ
ップを備え、上記ストリップはそれぞれ電流の流れを上
記能動手段中の複数のストリップ領域に限定するために
幅が異なり、上記能動手段中の上記ストリップ領域は約
5nmから約15nmの帯域幅を有するポンピング放射
を放出する請求項1記載の光ポンピング式レーザ。 7、上記能動手段中の上記ストリップ領域のそれぞれが
各隣接ストリップ領域のポンピング放射とは1nmだけ
異なるポンピング放射を放出する請求項6記載の光ポン
ピング式レーザ。 8、上記レーザダイオードアレイが a)能動手段を形成しこの能動手段から放射される光の
波長を変動させるためほぼ線形に配列されて変化する厚
さを有する1層以上の能動層と、 b)上記能動手段を順方向にバイアスさせるための手段
とを具備し、 上記順方向バイアス手段は電流の流れを上記能動手段中
の複数のストリップに限定するための複数の細長いスト
リップを備え、上記能動手段中の上記ストリップ領域は
約3nmから約12nmの帯域幅を有するポンピング放
射を放出する請求項1記載の光ポンピング式レーザ。 9、光放出方向に直角である上記能動層の断面がほぼく
さび型である請求項8記載の光ポンピング式レーザ。 10、上記能動層から放出された上記光の上記帯域幅が
約5nmから約12nmの範囲にある請求項9記載の光
ポンピング式レーザ。 11、上記能動層の厚さが約20Åから約200Åの範
囲にある請求項9記載の光ポンピング式レーザ。 12、上記能動層の厚さが約50Åから約70Åの範囲
にある請求項9記載の光ポンピング式レーザ。 13、上記能動手段の上記ストリップ領域のそれぞれの
厚さが隣接するストリップ領域の厚さと約2Åだけ異な
る請求項9記載の光ポンピング式レーザ。 14、上記レーザダイオードアレイが a)能動手段を形成する式AlzG_1_−_2Asで
構成された(式中のzの値は約0.15未満である)1
層以上の層と、 b)上記能動手段を順方向にバイアスさせるための手段
とを具備し、 上記順方向バイアス手段は電流の流れを上記能動手段に
限定するための複数の細長いストリップを備えている請
求項1記載の光ポンピング式レーザ。 15、上記能動手段の上記ストリップ領域のそれぞれは
隣接ストリップ領域の上記式中のzの値から約0.00
1だけ異なる上記式中のzの値を有し、このzの値が約
0.10から約0.05までの範囲にある請求項14記
載の光ポンピング式レーザ。 16、上記式中のzの値は一定で約0.07であり、上
記能動手段はAlGaAsとドーパントとの組み合せで
構成され、上記能動手段中の上記ストリップ領域のそれ
ぞれの上記ドーパント濃度が約40×10^1^3/c
m^3未満である請求項14記載の光ポンピング式レー
ザ。 17、上記能動手段の上記ストリップ領域のそれぞれは
隣接ストリップ領域のドーパント濃度から約0.3×1
0^1^3/cm^3だけ異なるドーパント濃度を有し
、上記能動手段中の上記濃度が約4×10^1^3/c
m^3から約7×10^1^3/cm^3の範囲にある
請求項16記載の光ポンピング式レーザ。 18、上記ドーパントがn型ドーパント、p型ドーパン
ト、またはn型ドーパントとp型ドーパントとの組み合
せによるドーパントのうちのいずれか1つである請求項
16記載の光ポンピング式レーザ。 19、上記ドーパントがマグネシウム、亜鉛、カドミウ
ム、ベリリウム、炭素、珪素、ゲルマニウム及び錫から
成るグループから、または上記元素の組み合せから選択
されたp型ドーパントである請求項18記載の光ポンピ
ング式レーザ。 20、上記ドーパントがテルル、セレン、硫黄、珪素、
ゲルマニウム、錫および炭素からなるグループから、ま
たは上記元素の組み合せから選択されたn型ドーパント
である請求項18記載の光ポンピング式レーザ。 21、上記レーザダイオードアレイが (a)能動手段を構成する1層以上の層と、 (b)上記能動手段を順方向にバイアスさせるための手
段(この順方向バイアス手段は複数の一般的に細長いス
トリップを備えて電流の流れを上記能動手段中の複数の
ストリップに限定する)と、 (c)上記ストリップ領域のそれぞれに異なった温度を
与えるための温度勾配手段とを、それぞれ具備する請求
項1記載の光ポンピング式レーザ。 22、上記能動手段の上記ストリップ領域のそれぞれが
上記温度勾配手段によって隣接のストリップ領域の温度
から約3℃だけ異なるように与えられた温度を有し、上
記温度勾配の範囲が約8℃から約36℃である請求項2
1記載の光ポンピング式レーザ。 23、上記レーザダイオードアレイが複数の能動層で構
成され、上記能動層のそれぞれが上記帯域幅内でポンピ
ング放射を生成し、上記帯域幅の範囲が約3nmから約
12nmである請求項1記載の光ポンピング式レーザ。 24、上記レーザダイオードアレイは複数の層から成る
能動手段を備え、上記能動層のそれぞれは式AlGa_
1−zAsから成り、隣接する能動層のzの値から約0
.001だけ異なるzの値を有し、上記式中のzの値が
約0.10未満である請求項1記載の光ポンピング式レ
ーザ。 25、上記zの値が一定で約0.07であり、上記能動
層のそれぞれがAlGaAsとドーパントとで構成され
、上記能動層のそれぞれの上記ドーパント濃度が隣接す
る能動層内のドーパント濃度と異なり、上記ドーパント
濃度の範囲が約3×10^1^6/cm^3から約8×
10^1^8/cm^3である請求項24記載の光ポン
ピング式レーザ。 26、上記能動層のそれぞれの厚さが隣接する能動層の
厚さと異なり、上記厚さの範囲が約40Åから約100
Åである請求項23記載の光ポンピング式レーザ。 27、上記レーザダイオードアレイが上記レーザ材料の
上記吸収帯よりも実質的に幅が広いスペクトル帯にわた
って光ポンピング放射を生成する少なくとも2個のレー
ザダイオードを具備する請求項1記載の光ポンピング式
レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US221,670 | 1980-12-31 | ||
US07/221,670 US4901330A (en) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | Optically pumped laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0254982A true JPH0254982A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=22828817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1188666A Pending JPH0254982A (ja) | 1988-07-20 | 1989-07-20 | 光ポンピング式レーザ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4901330A (ja) |
EP (1) | EP0352059B1 (ja) |
JP (1) | JPH0254982A (ja) |
KR (1) | KR910003877A (ja) |
AT (1) | ATE102755T1 (ja) |
AU (1) | AU3829789A (ja) |
DE (1) | DE68913614T2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0448664A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Nippon Steel Corp | アレイ半導体レーザ端面励起固体レーザ |
JPH0478180A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Nippon Steel Corp | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH0478179A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Nippon Steel Corp | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JP2003535454A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-11-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 狭い波長分布を有する多重半導体レーザ構造 |
JP2004503923A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-02-05 | コーポレーション フォー レーザー オプティックス リサーチ | 帯域幅強調によるスペックル低減のためのシステム及び方法 |
JP2008085346A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | レーザ装置およびレーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ |
JP2011127529A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | National Institutes Of Natural Sciences | 半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置 |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5265116A (en) * | 1988-02-02 | 1993-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
JP2614753B2 (ja) * | 1988-09-13 | 1997-05-28 | 富士写真フイルム株式会社 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
FR2647973B1 (fr) * | 1989-05-30 | 1991-08-16 | Thomson Csf | Lasers de puissance pompes par diodes lasers |
US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
US5081637A (en) * | 1989-11-28 | 1992-01-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Multiple-laser pump optical system |
US5185758A (en) * | 1989-11-28 | 1993-02-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Multiple-laser pump optical system |
US5022043A (en) * | 1989-12-20 | 1991-06-04 | Spectra-Physics | High power diode-pumped solid state laser with unstable resonator |
GB2245096A (en) * | 1990-06-01 | 1991-12-18 | Gen Electric Co Plc | Semiconductor laser pump source |
BR9106718A (pt) * | 1990-08-01 | 1993-06-29 | Diomed Ltd | Fonte de luz |
US5090019A (en) * | 1991-01-10 | 1992-02-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser diode-pumped tunable solid state laser |
US5119394A (en) * | 1991-02-13 | 1992-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Technique for longitudinal optical pumping of a laser |
US5170406A (en) * | 1991-03-13 | 1992-12-08 | Amoco Corporation | High-power, end-pumped solid state laser |
US5200972A (en) * | 1991-06-17 | 1993-04-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | ND laser with co-doped ion(s) pumped by visible laser diodes |
DE4235891A1 (de) * | 1991-10-24 | 1993-04-29 | Mitsubishi Electric Corp | Festkoerper-laser mit halbleiterlaseranregung |
IL106766A (en) * | 1992-08-28 | 1995-12-31 | Hughes Aircraft Co | Two-way sebo-optical amplifier for missile guidance data channel repeater |
US5289482A (en) * | 1992-12-30 | 1994-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Intracavity-pumped 2.1 μm Ho3+ :YAG laser |
US5457706A (en) * | 1993-03-30 | 1995-10-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Tunable CW diode-pumped Tm,Ho:YLiF4 laser operating at or near room temperature |
DE19617711A1 (de) * | 1996-02-07 | 1997-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Optisch gepumpter Verstärker, insbesondere ein Festkörper-Verstärker |
US5898211A (en) * | 1996-04-30 | 1999-04-27 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode package with heat sink |
US5734672A (en) * | 1996-08-06 | 1998-03-31 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Smart laser diode array assembly and operating method using same |
US6061378A (en) * | 1997-05-13 | 2000-05-09 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Multiple resonant cavity solid-state laser |
US5936984A (en) * | 1997-05-21 | 1999-08-10 | Onxy Optics, Inc. | Laser rods with undoped, flanged end-caps for end-pumped laser applications |
US6347101B1 (en) * | 1998-04-16 | 2002-02-12 | 3D Systems, Inc. | Laser with absorption optimized pumping of a gain medium |
US5913108A (en) * | 1998-04-30 | 1999-06-15 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
US6567455B1 (en) * | 1998-11-19 | 2003-05-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser-excited solid laser |
US6222577B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-04-24 | Presstek, Inc. | Multiple-beam, diode-pumped imaging system |
US6636538B1 (en) * | 1999-03-29 | 2003-10-21 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
AU2470301A (en) | 1999-10-29 | 2001-05-08 | E20 Communications, Inc. | Modulated integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
US6424669B1 (en) | 1999-10-29 | 2002-07-23 | E20 Communications, Inc. | Integrated optically pumped vertical cavity surface emitting laser |
US6556610B1 (en) | 2001-04-12 | 2003-04-29 | E20 Communications, Inc. | Semiconductor lasers |
US6700913B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-03-02 | Northrop Grumman Corporation | Low cost high integrity diode laser array |
US6717964B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-04-06 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
US6813302B1 (en) * | 2001-08-03 | 2004-11-02 | Coherent Technologies, Inc. | Eyesafe Q-switched Er-doped solid-state laser |
DE10239003A1 (de) * | 2001-09-17 | 2003-04-03 | Heidelberger Druckmasch Ag | Mehrstrahllaserlichtquelle mit variablem Laserlichtquellenabstand zur Bebilderung von Druckformen |
JP2003198018A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Communication Research Laboratory | 光励起型固体レーザ発振器 |
US7786550B2 (en) * | 2003-03-06 | 2010-08-31 | Panasonic Corporation | P-type semiconductor and semiconductor hetero material and manufacturing methods thereof |
US7258689B2 (en) * | 2003-05-19 | 2007-08-21 | Matteo Tutino | Silver alloys for use in medical, surgical and microsurgical instruments and process for producing the alloys |
US7170919B2 (en) * | 2003-06-23 | 2007-01-30 | Northrop Grumman Corporation | Diode-pumped solid-state laser gain module |
US7495848B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-02-24 | Northrop Grumman Corporation | Cast laser optical bench |
DE60309313T2 (de) | 2003-08-11 | 2007-08-30 | Lumera Laser Gmbh | Festkörperlaser, gepumpt von einer Laserdiode mit einem konvergenten Bündel |
US7949030B2 (en) * | 2005-02-03 | 2011-05-24 | Pd-Ld, Inc. | High-power, phased-locked, laser arrays |
US7305016B2 (en) * | 2005-03-10 | 2007-12-04 | Northrop Grumman Corporation | Laser diode package with an internal fluid cooling channel |
EP1770836B1 (de) * | 2005-09-29 | 2015-04-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Laserdiodenvorrichtung, Laseranordnung mit mindestens einer Laserdiodevorrichtung und optisch gepumpter Laser |
US8702687B2 (en) * | 2005-11-03 | 2014-04-22 | Luxon, Inc. | Surgical laser systems for soft and hard tissue and methods of use thereof |
US7656915B2 (en) * | 2006-07-26 | 2010-02-02 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction |
US20080056314A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Northrop Grumman Corporation | High-power laser-diode package system |
KR101280040B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2013-07-01 | 삼성전자주식회사 | 멀티 빔형 레이저 장치 및 이를 이용한 화상형성장치 |
US7724791B2 (en) * | 2008-01-18 | 2010-05-25 | Northrop Grumman Systems Corporation | Method of manufacturing laser diode packages and arrays |
US8160115B2 (en) * | 2009-01-21 | 2012-04-17 | Coherent, Inc. | Two-dimensional diode-laser array with broad-band output |
US8345720B2 (en) * | 2009-07-28 | 2013-01-01 | Northrop Grumman Systems Corp. | Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance |
JP2013519211A (ja) | 2010-02-09 | 2013-05-23 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | レーザー駆動の光源 |
DE102010014667A1 (de) * | 2010-04-12 | 2011-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip mit Stromaufweitungsschicht |
US9590388B2 (en) | 2011-01-11 | 2017-03-07 | Northrop Grumman Systems Corp. | Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system |
EP2759137A4 (en) * | 2011-09-14 | 2015-08-19 | Intel Corp | SYSTEMS, METHODS AND DEVICES FOR HOLOGRAPHIC DISPLAY |
GB2497107B (en) * | 2011-11-30 | 2014-01-08 | Thales Holdings Uk Plc | Laser pumping system |
US8937976B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-01-20 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
IL234727B (en) | 2013-09-20 | 2020-09-30 | Asml Netherlands Bv | A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned |
IL234729B (en) | 2013-09-20 | 2021-02-28 | Asml Netherlands Bv | A light source operated by a laser and a method using a mode mixer |
US9741553B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-08-22 | Excelitas Technologies Corp. | Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps |
US10186416B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-01-22 | Excelitas Technologies Corp. | Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp |
EP3143638B1 (en) | 2014-05-15 | 2018-11-14 | Excelitas Technologies Corp. | Laser driven sealed beam lamp |
US9576785B2 (en) | 2015-05-14 | 2017-02-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single CW laser driven xenon lamp |
US10057973B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-08-21 | Excelitas Technologies Corp. | Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp |
US10008378B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-06-26 | Excelitas Technologies Corp. | Laser driven sealed beam lamp with improved stability |
US10025107B2 (en) * | 2016-02-16 | 2018-07-17 | Gerald Ho Kim | Two-dimensional coherent beam combination using circular or spiral diffraction grating |
GB2567880B (en) * | 2017-10-30 | 2022-11-30 | Bae Systems Plc | Laser diode array |
US10109473B1 (en) | 2018-01-26 | 2018-10-23 | Excelitas Technologies Corp. | Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same |
US11587781B2 (en) | 2021-05-24 | 2023-02-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser-driven light source with electrodeless ignition |
CN114300938B (zh) * | 2021-12-30 | 2022-09-23 | 北京工业大学 | 一种光子级联GaAs-OI基片上微腔半导体激光器及制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751711A (en) * | 1985-08-16 | 1988-06-14 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Asymmetric offset stripe laser for emission in a single lobe |
US4791631A (en) * | 1987-08-31 | 1988-12-13 | International Business Machines Corporation | Wide tolerance, modulated blue laser source |
-
1988
- 1988-07-20 US US07/221,670 patent/US4901330A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-18 DE DE68913614T patent/DE68913614T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-18 EP EP89307249A patent/EP0352059B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-18 AT AT89307249T patent/ATE102755T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-07-20 AU AU38297/89A patent/AU3829789A/en not_active Abandoned
- 1989-07-20 KR KR1019890010256A patent/KR910003877A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-07-20 JP JP1188666A patent/JPH0254982A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0448664A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Nippon Steel Corp | アレイ半導体レーザ端面励起固体レーザ |
JPH0478180A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Nippon Steel Corp | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH0478179A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Nippon Steel Corp | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JP2003535454A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-11-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 狭い波長分布を有する多重半導体レーザ構造 |
JP2004503923A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-02-05 | コーポレーション フォー レーザー オプティックス リサーチ | 帯域幅強調によるスペックル低減のためのシステム及び方法 |
JP2012230414A (ja) * | 2000-07-10 | 2012-11-22 | Corporation For Laser Optics Research | 帯域幅強調によるスペックル低減のためのシステム及び方法 |
JP2008085346A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | レーザ装置およびレーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ |
JP2011127529A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | National Institutes Of Natural Sciences | 半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0352059B1 (en) | 1994-03-09 |
KR910003877A (ko) | 1991-02-28 |
DE68913614D1 (de) | 1994-04-14 |
US4901330A (en) | 1990-02-13 |
EP0352059A2 (en) | 1990-01-24 |
ATE102755T1 (de) | 1994-03-15 |
EP0352059A3 (en) | 1990-04-04 |
DE68913614T2 (de) | 1994-06-16 |
AU3829789A (en) | 1990-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0254982A (ja) | 光ポンピング式レーザ | |
Streifer et al. | Advances in diode laser pumps | |
US5285467A (en) | Compact, efficient, scalable neodymium laser co-doped with activator ions and pumped by visible laser diodes | |
Kissel et al. | High-power diode laser pumps for alkali lasers (DPALs) | |
Mueller et al. | Optically pumped semiconductor thin-disk laser with external cavity operating at 660 nm | |
US5031182A (en) | Single-frequency laser of improved amplitude stability | |
Van Leeuwen et al. | High-power vertical-cavity surface-emitting lasers for diode pumped solid-state lasers | |
Elsässer et al. | Subpicosecond switch-off and switch-on of a semiconductor laser due to transient hot carrier effects | |
Wagner et al. | Infrared semiconductor lasers for DIRCM applications | |
Le et al. | High-power high-efficiency quasi-CW Sb-based mid-IR lasers using 1.9-μm laser diode pumping | |
Seurin | High-power VCSEL arrays | |
Stickley et al. | Overview of progress in super high efficiency diodes for pumping high energy lasers | |
US7756175B2 (en) | Pumped semiconductor laser systems and methods | |
Sumpf et al. | 670 nm tapered lasers and amplifier with output powers P greater than or equal to 1 W and nearly diffraction limited beam quality | |
Tanbun-Ek et al. | High power diode laser pump sources in the 1.2-1.9 μm range | |
Ripley | The physics of diode lasers | |
Stickley et al. | The future of high-efficiency diode lasers | |
Rogers | Setup and Characterization of Emission Properties of a Red-Emitting MECSEL | |
O'Callaghan et al. | Focusing properties of high brightness gain tailored broad-area semiconductor lasers | |
Cai et al. | Investigation of absorption saturation in diode end-pumped microchip lasers | |
Kononenko | History and Developments of Semiconductor Lasers | |
Schwarzbäck et al. | Wavelength tunable red AlGaInP-VECSEL emitting at around 660 nm | |
Sakamoto et al. | Highly reliable high-power cw AlGaAs (808 nm) 1-cm bar laser diodes for Nd: YAG pump application | |
CN116683269A (zh) | 1.06μm波段芯片级半导体/固体垂直集成被动调Q激光器 | |
Crépy et al. | Efficient, diode temperature insensitive Nd: YAG hybrid longitudinal/transversal-pumped zig-zag slab laser: delta concept |