JPH0254922A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0254922A JPH0254922A JP20610488A JP20610488A JPH0254922A JP H0254922 A JPH0254922 A JP H0254922A JP 20610488 A JP20610488 A JP 20610488A JP 20610488 A JP20610488 A JP 20610488A JP H0254922 A JPH0254922 A JP H0254922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- plasma discharge
- electrode
- small holes
- discharge region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空容器内で対向する。一方が接地電位に
ある１対の電極間のプラズマ放電領域に薄膜原料ガスが
導入され、該１対の電極中一方の電極のプラズマ放電領
域側に固設された基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置に関する。
ある１対の電極間のプラズマ放電領域に薄膜原料ガスが
導入され、該１対の電極中一方の電極のプラズマ放電領
域側に固設された基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ
装置に関する。
第３図にこの種のプラズマＣＶＤ装置の従来の構成例を
示す、金属製の真空容器ｌ内に平行に対向して配された
１対の電極２および７のうち、ここには図示していない
が、’１１２は真空容器１により該容器と同じ接地電位
に支持され、電極７との対向面に基板３が固設されてい
る。一方、電極７は偏平な箱状に形成されるとともに電
極２との対向面に多数の小孔が形成され、この電極７を
真空容器１から絶縁支持する絶縁物の内部に形成された
ガス通路６を介して送られた薄膜原料ガス（以下反応ガ
スと記す）を前記対向面の小孔から対向空間内へ導入し
つつ、図示されない外部の電源から直流または高周波の
電圧を電極２．７の間に印加すると、両電極間の電界空
間にプラズマが生成され、活性化された反応ガスの分子
、原子。
示す、金属製の真空容器ｌ内に平行に対向して配された
１対の電極２および７のうち、ここには図示していない
が、’１１２は真空容器１により該容器と同じ接地電位
に支持され、電極７との対向面に基板３が固設されてい
る。一方、電極７は偏平な箱状に形成されるとともに電
極２との対向面に多数の小孔が形成され、この電極７を
真空容器１から絶縁支持する絶縁物の内部に形成された
ガス通路６を介して送られた薄膜原料ガス（以下反応ガ
スと記す）を前記対向面の小孔から対向空間内へ導入し
つつ、図示されない外部の電源から直流または高周波の
電圧を電極２．７の間に印加すると、両電極間の電界空
間にプラズマが生成され、活性化された反応ガスの分子
、原子。
イオン、ラジカル等により基板上に薄膜が形成される。
なお、図中、符号４は成膜状態もしくは成膜条件を監視
するためのセンサを示し、５は真空容器内の構造物を示
す。
するためのセンサを示し、５は真空容器内の構造物を示
す。
このように構成されたプラズマＣＶＤ装置における問題
点は次の通りである。すなわち、このような構成のプラ
ズマＣＶＤ装置では、従来、電極７の対向面の小孔から
流出する反応ガスは、真空容器１内の広い空間へほとん
ど流れの抵抗を受けることなく自然に流れ、乱流や閉塞
を生じないように装置を構成するのがよいとされてきた
。しかし、真空容器１の内部には、成膜状態や成膜条件
を監視するためのセンサや、各種構造物が配され、これ
らは通常真空容器１と同電位にあるため、非接地側電極
７との間に電界が形成され、表面に薄膜が形成されるた
め、センサの機能が低下したり、構造物の保守１点検に
支障を生じたりしていた。
点は次の通りである。すなわち、このような構成のプラ
ズマＣＶＤ装置では、従来、電極７の対向面の小孔から
流出する反応ガスは、真空容器１内の広い空間へほとん
ど流れの抵抗を受けることなく自然に流れ、乱流や閉塞
を生じないように装置を構成するのがよいとされてきた
。しかし、真空容器１の内部には、成膜状態や成膜条件
を監視するためのセンサや、各種構造物が配され、これ
らは通常真空容器１と同電位にあるため、非接地側電極
７との間に電界が形成され、表面に薄膜が形成されるた
め、センサの機能が低下したり、構造物の保守１点検に
支障を生じたりしていた。
そこで、このような障害を除去するため、第２図に示す
ように、導電板を用いて一方が開放されたケース状のシ
ールド８を形成し、このシールドで両電極間のプラズマ
放電領域を包囲して接地側電極２と同電位に結合し、セ
ンサ４や構造物５を非接地側電８ｉ７から静電的に遮蔽
する場合が多い。
ように、導電板を用いて一方が開放されたケース状のシ
ールド８を形成し、このシールドで両電極間のプラズマ
放電領域を包囲して接地側電極２と同電位に結合し、セ
ンサ４や構造物５を非接地側電８ｉ７から静電的に遮蔽
する場合が多い。
しかし、このようにプラズマ放電領域を包囲すると、こ
のプラズマ放電領域に流入した反応ガスは、ケース状シ
ールド８の開放端側周縁と電極７との間のリング状間隙
から流入方向と反対の方向に流出しなければならないか
ら、プラズマ放電領域内に流入方向と反対方向の流れの
成分を生じ、これが流入するガス流と衝突してプラズマ
放電領域内に渦を発生する。しかも、この渦の数や強さ
は電極の周縁部に近づく程大きくなり、また、流入、流
出するガス流の速さが周縁部はど速くなり中央部では停
滞気味となることから、電極前面、従って基板前面のガ
スの状態が中央部と周縁部とで不均一となるため、均一
な膜厚が得られに（いという問題点があった。
のプラズマ放電領域に流入した反応ガスは、ケース状シ
ールド８の開放端側周縁と電極７との間のリング状間隙
から流入方向と反対の方向に流出しなければならないか
ら、プラズマ放電領域内に流入方向と反対方向の流れの
成分を生じ、これが流入するガス流と衝突してプラズマ
放電領域内に渦を発生する。しかも、この渦の数や強さ
は電極の周縁部に近づく程大きくなり、また、流入、流
出するガス流の速さが周縁部はど速くなり中央部では停
滞気味となることから、電極前面、従って基板前面のガ
スの状態が中央部と周縁部とで不均一となるため、均一
な膜厚が得られに（いという問題点があった。
この発明の目的は、電極あるいは基板前面のガス状態の
不均一をもたらすことなく真空容器内の基板以外の別部
材への膜形成を防止しうるプラズマＣＶＤ装置の構成を
提供することである。
不均一をもたらすことなく真空容器内の基板以外の別部
材への膜形成を防止しうるプラズマＣＶＤ装置の構成を
提供することである。
上記課題を解決するために、この発明によれば、真空容
器内で対向する。一方が接地電位にある１対の電極間の
プラズマ放電領域に薄膜原料ガスが導入され、該１対の
電極中一方の電極のプラズマ放電領域側に固設された基
板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を、小孔が多数
形成された孔あき導電板からなり前記プラズマ放電領域
を包囲して前記接地側電極と同電位に結合されたシール
ドによりプラズマ放ｉｌｔｗＩ域が該シールドの内側に
局限されている構成とするものとする。
器内で対向する。一方が接地電位にある１対の電極間の
プラズマ放電領域に薄膜原料ガスが導入され、該１対の
電極中一方の電極のプラズマ放電領域側に固設された基
板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を、小孔が多数
形成された孔あき導電板からなり前記プラズマ放電領域
を包囲して前記接地側電極と同電位に結合されたシール
ドによりプラズマ放ｉｌｔｗＩ域が該シールドの内側に
局限されている構成とするものとする。
導電仮に小孔を形成する場合、小孔の大きさが、導電板
と電極との間の距離に対し、導電板の厚みをパラメータ
としである比率以上に小さいときには、電極と導電板と
の間に形成される電界は導電板の背後へは洩れないこと
が知られている。従って、このような４小孔が多数形成
された導電板を用いて一方が開放されたケース状のシー
ルドを形成し、このシールドで両電極間のプラズマ放電
領域を包囲して接地側電極と同電位に結合すれば、この
シールドの外部に存在するセンサや構造物など、基板以
外の別部材を非接地側電極から静電的に遮蔽することが
できる。そして、プラズマ放電領域に流入する反応ガス
は、流れの方向を反転することなく、シールドの多数の
小孔を通って比較的自由にシールド外部へ流出するから
、シールドがない場合と同様の均一なガス状態を電極あ
るいは基板前面に得ることができ、結果として、基板以
外の別部材への膜形成を避けつつ基板への均一な成膜が
可能となる。
と電極との間の距離に対し、導電板の厚みをパラメータ
としである比率以上に小さいときには、電極と導電板と
の間に形成される電界は導電板の背後へは洩れないこと
が知られている。従って、このような４小孔が多数形成
された導電板を用いて一方が開放されたケース状のシー
ルドを形成し、このシールドで両電極間のプラズマ放電
領域を包囲して接地側電極と同電位に結合すれば、この
シールドの外部に存在するセンサや構造物など、基板以
外の別部材を非接地側電極から静電的に遮蔽することが
できる。そして、プラズマ放電領域に流入する反応ガス
は、流れの方向を反転することなく、シールドの多数の
小孔を通って比較的自由にシールド外部へ流出するから
、シールドがない場合と同様の均一なガス状態を電極あ
るいは基板前面に得ることができ、結果として、基板以
外の別部材への膜形成を避けつつ基板への均一な成膜が
可能となる。
〔実施例〕
第１図に本発明の一実施例を示す０図中、第２図および
第３図と同一の部材には同一符号を付し、説明を省略す
る。
第３図と同一の部材には同一符号を付し、説明を省略す
る。
第１図において、符号９が本発明の一実施例によるシー
ルドを示し、小孔９ａが多数形成された孔あき導電板を
用いて一方側が開放されたケース状に形成され、接地側
電極２と非接地側電極７との間のプラズマ放電領域を包
囲して基板以外の別部材はシールドの周壁や底面の外部
に存在せしめるとともにその底面を接地側電極２と導電
的に結合している。
ルドを示し、小孔９ａが多数形成された孔あき導電板を
用いて一方側が開放されたケース状に形成され、接地側
電極２と非接地側電極７との間のプラズマ放電領域を包
囲して基板以外の別部材はシールドの周壁や底面の外部
に存在せしめるとともにその底面を接地側電極２と導電
的に結合している。
いま、図示されない真空排気装置により真空容器１内を
真空に引きつつ反応ガスをガス通路６を通って真空容器
１内へ該容器内圧力が所定の圧力となるように送り込む
と、この反応ガスは、偏平な箱状に形成された電極７の
電極２との対向面に形成された多数の小孔から流出して
プラズマ放電領域に入り、多数の実線の矢印で示すよう
にシールド９の小孔９ａを通ってシールド外部へ流出す
る。
真空に引きつつ反応ガスをガス通路６を通って真空容器
１内へ該容器内圧力が所定の圧力となるように送り込む
と、この反応ガスは、偏平な箱状に形成された電極７の
電極２との対向面に形成された多数の小孔から流出して
プラズマ放電領域に入り、多数の実線の矢印で示すよう
にシールド９の小孔９ａを通ってシールド外部へ流出す
る。
この小孔９ａは、プラズマ放電領域のガス圧がこの領域
外の真空容器内ガス圧より上昇することのないよう、す
なわちシールド９の開放端側周縁と電極７との間のリン
グ状間隙を反応ガスが流出する必要のない総通過面積と
なるように形成され、プラズマ放電領域に流入したガス
はさほど流れの抵抗を受けることなく比較的自由にシー
ルド外方へ流出する。従って、電極あるいは基板前面に
は、シールドがないときと同様の均一なガス状態が得ら
れる。
外の真空容器内ガス圧より上昇することのないよう、す
なわちシールド９の開放端側周縁と電極７との間のリン
グ状間隙を反応ガスが流出する必要のない総通過面積と
なるように形成され、プラズマ放電領域に流入したガス
はさほど流れの抵抗を受けることなく比較的自由にシー
ルド外方へ流出する。従って、電極あるいは基板前面に
は、シールドがないときと同様の均一なガス状態が得ら
れる。
このようなガスの流れが成立した後、図示されない電源
から画電極２，７間に電圧を印加すると、シールド９と
電極７との間に形成される電界は、シールドの小孔９ａ
がシールドの板厚と関連して電界をシールド背後へ洩ら
さない大きさに形成されていることから、すべてシール
ド９の内側に局限され、シールド外部には電界が存在し
ないから、プラズマ放電領域で電離されイオン化された
ガスはシールド外部の別部材には到達せず、また、活性
化された分子や原子は小孔１ａを通過する際にその活性
によりシールド１へ膜を形成する。このようにして、シ
ールドｌの外部に位置するセンサ４や構造物５など、基
板以外の別部材には膜形成が行われず、センサの機能低
下や、膜形成による保守１点検の煩わしさを免れること
ができる。
から画電極２，７間に電圧を印加すると、シールド９と
電極７との間に形成される電界は、シールドの小孔９ａ
がシールドの板厚と関連して電界をシールド背後へ洩ら
さない大きさに形成されていることから、すべてシール
ド９の内側に局限され、シールド外部には電界が存在し
ないから、プラズマ放電領域で電離されイオン化された
ガスはシールド外部の別部材には到達せず、また、活性
化された分子や原子は小孔１ａを通過する際にその活性
によりシールド１へ膜を形成する。このようにして、シ
ールドｌの外部に位置するセンサ４や構造物５など、基
板以外の別部材には膜形成が行われず、センサの機能低
下や、膜形成による保守１点検の煩わしさを免れること
ができる。
以上に述べたように、本発明によれば、真空容器内で対
向する。一方が接地電位にある１対の電極間のプラズマ
放電領域に薄膜原料ガスが導入され、該ｌ対の電極中一
方の電極のプラズマ放電領域側に固設された基板に薄膜
を形成するプラズマＣＶＤ装置を、小孔が多数形成され
た孔あき導電板からなり前記プラズマ放電領域を包囲し
て前記接地側電橋と同電位に結合されたシールドにより
プラズマ放電領域が該シールドの内側に局限されている
構成としたので、電極あるいは基板前面に均一なガス状
態が得られ、従って基板への均一な成膜を行いつつ基板
以外の真空容器内別部材への膜形成が避けられるという
効果が得られる。
向する。一方が接地電位にある１対の電極間のプラズマ
放電領域に薄膜原料ガスが導入され、該ｌ対の電極中一
方の電極のプラズマ放電領域側に固設された基板に薄膜
を形成するプラズマＣＶＤ装置を、小孔が多数形成され
た孔あき導電板からなり前記プラズマ放電領域を包囲し
て前記接地側電橋と同電位に結合されたシールドにより
プラズマ放電領域が該シールドの内側に局限されている
構成としたので、電極あるいは基板前面に均一なガス状
態が得られ、従って基板への均一な成膜を行いつつ基板
以外の真空容器内別部材への膜形成が避けられるという
効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置の
構成を示す説明断面図、第２図および第３図は従来例に
よるそれぞれ別のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す説明
断面図である。 ｌ：真空容器、２，７：電極、３：基板、８゜９：シー
ルド、９ａ：小孔。 ２２４１図 ＝二＝＝：：＝ｒフ、２７匁き領ゴ］゛第２図 ＝＝二：二７Ｚて乙ｆ＠叩工区 ７電倚 反応Ｄフｆ）漬れ 二＝＝＝＝ ７４７ｐダ電頷場。 第３図
構成を示す説明断面図、第２図および第３図は従来例に
よるそれぞれ別のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す説明
断面図である。 ｌ：真空容器、２，７：電極、３：基板、８゜９：シー
ルド、９ａ：小孔。 ２２４１図 ＝二＝＝：：＝ｒフ、２７匁き領ゴ］゛第２図 ＝＝二：二７Ｚて乙ｆ＠叩工区 ７電倚 反応Ｄフｆ）漬れ 二＝＝＝＝ ７４７ｐダ電頷場。 第３図
Claims (1)
- （１）真空容器内で対向する、一方が接地電位にある１
対の電極間のプラズマ放電領域に薄膜原料ガスが導入さ
れ、該１対の電極中一方の電極のプラズマ放電領域側に
固設された基板に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、小孔が多数形成された孔あき導電板からなり前
記プラズマ放電領域を包囲して前記接地側電極と同電位
に結合されたシールドによりプラズマ放電領域が該シー
ルドの内側に局限されていることを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20610488A JPH0254922A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20610488A JPH0254922A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254922A true JPH0254922A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16517868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20610488A Pending JPH0254922A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254922A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5194113A (en) * | 1990-12-24 | 1993-03-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for making conformable thermoplastic marking sheet |
| JPH07122502A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | プラズマ加工装置 |
| US5487786A (en) * | 1993-12-24 | 1996-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma chemical vapor deposition device capable of suppressing generation of polysilane powder |
| US5536569A (en) * | 1990-12-24 | 1996-07-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermoplastic marking sheet |
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
| WO1999025029A1 (fr) * | 1997-11-10 | 1999-05-20 | Kaneka Corporation | Procede de production d'un transducteur photoelectrique a film mince de silicium et dispositif de dcpv active par plasma |
| US5962121A (en) * | 1996-12-12 | 1999-10-05 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective sheet comprising microspheres, the diameter and refractive index of which being specifically related to the refractive indices of layers directly in contact therewith |
| US5976669A (en) * | 1996-12-20 | 1999-11-02 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective article having launderably durable bead-bond |
| JP2019090108A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 上部シャワーヘッド及び下部シャワーヘッドを含む蒸着装置 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20610488A patent/JPH0254922A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5194113A (en) * | 1990-12-24 | 1993-03-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for making conformable thermoplastic marking sheet |
| US5536569A (en) * | 1990-12-24 | 1996-07-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermoplastic marking sheet |
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
| JPH07122502A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | プラズマ加工装置 |
| US5487786A (en) * | 1993-12-24 | 1996-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma chemical vapor deposition device capable of suppressing generation of polysilane powder |
| US5962121A (en) * | 1996-12-12 | 1999-10-05 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective sheet comprising microspheres, the diameter and refractive index of which being specifically related to the refractive indices of layers directly in contact therewith |
| US5976669A (en) * | 1996-12-20 | 1999-11-02 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective article having launderably durable bead-bond |
| WO1999025029A1 (fr) * | 1997-11-10 | 1999-05-20 | Kaneka Corporation | Procede de production d'un transducteur photoelectrique a film mince de silicium et dispositif de dcpv active par plasma |
| US6337224B1 (en) | 1997-11-10 | 2002-01-08 | Kaneka Corporation | Method of producing silicon thin-film photoelectric transducer and plasma CVD apparatus used for the method |
| EP2251913A3 (en) * | 1997-11-10 | 2012-02-22 | Kaneka Corporation | Method of Manufacturing Silicon-Based Thin Film Photoelectric Converter and Plasma CVD Apparatus Used for Such Method |
| JP2019090108A (ja) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 上部シャワーヘッド及び下部シャワーヘッドを含む蒸着装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1276356B1 (en) | Apparatus for plasma processing | |
| TWI390584B (zh) | 真空電漿處理器 | |
| JP6272298B2 (ja) | マイクロ波プラズマ生成装置およびこれを作動させる方法 | |
| JPS62282434A (ja) | 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置 | |
| JPH0478133A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0254922A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR950012606A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2001087643A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH057861B2 (ja) | ||
| JP7001456B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20110082193A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| US20030227259A1 (en) | Simultaneous discharge apparatus | |
| JP4672169B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR0148228B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| CN210469844U (zh) | 电极组件及使用该电极组件的等离子体发生装置 | |
| JP6914149B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4024389B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4117952B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2808888B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
| JPH01173711A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP4004154B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH02298268A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2000173797A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH03107481A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4076645B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置及びその処理方法 |