JPH0250957A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH0250957A JPH0250957A JP20137588A JP20137588A JPH0250957A JP H0250957 A JPH0250957 A JP H0250957A JP 20137588 A JP20137588 A JP 20137588A JP 20137588 A JP20137588 A JP 20137588A JP H0250957 A JPH0250957 A JP H0250957A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体素子製造に用いるスパッタリング装置
、特に、平坦な配線用Aρ膜を低ダメージで高速に形成
するスパッタリング装置に関する。
、特に、平坦な配線用Aρ膜を低ダメージで高速に形成
するスパッタリング装置に関する。
従来配線用人7!膜の形成にはスパッタリング装置が用
いられてきた。第3図に、代表的なスパンタリング法で
ある平行平板型スパンタリング法を示す。301は真空
室、302は31などの基板、303は基板302の支
持体、304はArなどの雰囲気ガスの導入管、305
は排気口、306は高周波電源、307は高周波型as
O6に接続された電極、308は電極307に載置さ
れたターゲットである。電極307に載置されたターゲ
ット308の対向位置にある基板支持体303」二に基
板302を置いて、電極307に高周波電力を印加し、
プラズマ反応で生成した雰囲気ガスのイオンによりター
ゲット308をスパッタリングして基板302上に薄膜
を形成するものである。
いられてきた。第3図に、代表的なスパンタリング法で
ある平行平板型スパンタリング法を示す。301は真空
室、302は31などの基板、303は基板302の支
持体、304はArなどの雰囲気ガスの導入管、305
は排気口、306は高周波電源、307は高周波型as
O6に接続された電極、308は電極307に載置さ
れたターゲットである。電極307に載置されたターゲ
ット308の対向位置にある基板支持体303」二に基
板302を置いて、電極307に高周波電力を印加し、
プラズマ反応で生成した雰囲気ガスのイオンによりター
ゲット308をスパッタリングして基板302上に薄膜
を形成するものである。
しかし、素子のパターンの微細化に伴ない、下地層間絶
縁膜の開孔部のアスペクト比(亮さ7幅)が0.5以上
になってくると、スパンタリング法ではいわゆるセルフ
シャドウィング効果、すなわち段差上部特にエッヂ部分
に厚く堆積した膜が段差下部への堆積を妨げる為、段差
被覆性が極端に悪くなり、信顛性が低下するという問題
があった。第5図は従来例のスパンタリング法による段
差被覆性を示す成膜後の基板の断面図である。fatは
平行平板型スバ・ツクリング法によるもの、[b)はバ
イアススパッタリング法によるもの、(C1は格子状フ
ィルタを用いたバイアススパッタリング法によるもので
あり、501はSi基板、502はS i O2パター
ン(幅]、 2 p m、高さ0.6μm)、503は
堆積したAl膜である。第5図(a+に示される平行平
板型スパッタリング法による段差被覆性は非常に悪い。
縁膜の開孔部のアスペクト比(亮さ7幅)が0.5以上
になってくると、スパンタリング法ではいわゆるセルフ
シャドウィング効果、すなわち段差上部特にエッヂ部分
に厚く堆積した膜が段差下部への堆積を妨げる為、段差
被覆性が極端に悪くなり、信顛性が低下するという問題
があった。第5図は従来例のスパンタリング法による段
差被覆性を示す成膜後の基板の断面図である。fatは
平行平板型スバ・ツクリング法によるもの、[b)はバ
イアススパッタリング法によるもの、(C1は格子状フ
ィルタを用いたバイアススパッタリング法によるもので
あり、501はSi基板、502はS i O2パター
ン(幅]、 2 p m、高さ0.6μm)、503は
堆積したAl膜である。第5図(a+に示される平行平
板型スパッタリング法による段差被覆性は非常に悪い。
この問題を解決する装置としてハイアススパソタリング
装置が開発されてきた。
装置が開発されてきた。
バイアススパッタリング法は第3図において、基板30
2に負のバイアスを高周波又は直流電圧により印加しつ
つ、通常スパッタリング法と同様にターゲソ1−をスパ
ッタリングする方法であり、堆積と同時に段差下部への
堆積を妨げている段差上部特にエッヂ部分に堆積した膜
のエツチングを行なうことにより、段差被覆性を改善し
ようとするものであり、−100〜−500V程度のバ
イアスで、第5図(b)に示されるように極めて良好な
段差被覆性か得られている。
2に負のバイアスを高周波又は直流電圧により印加しつ
つ、通常スパッタリング法と同様にターゲソ1−をスパ
ッタリングする方法であり、堆積と同時に段差下部への
堆積を妨げている段差上部特にエッヂ部分に堆積した膜
のエツチングを行なうことにより、段差被覆性を改善し
ようとするものであり、−100〜−500V程度のバ
イアスで、第5図(b)に示されるように極めて良好な
段差被覆性か得られている。
しかしこの方法は堆積速度が遅い点や充分な段差被覆性
を得る為に憂いバイアスを印加し、イオンエネルギーを
高めると、イオン衝撃により下地基板がダメージをうけ
素子の電気的特性か劣化するという欠点があった。
を得る為に憂いバイアスを印加し、イオンエネルギーを
高めると、イオン衝撃により下地基板がダメージをうけ
素子の電気的特性か劣化するという欠点があった。
一方、格子状フィルタを用いてA4粒子の基板への入射
角を制御し、段差下部への堆積を増加させて段差被覆性
を改善する装置が検討されている。
角を制御し、段差下部への堆積を増加させて段差被覆性
を改善する装置が検討されている。
例えば、昭和63年春季応用物理学関係連合講演会講演
予稿集第2巻 P、640 講演番号29PV−4に示
されている。
予稿集第2巻 P、640 講演番号29PV−4に示
されている。
第4図に格子イノSフィルタを用いたハイアススパソタ
リング装置を示し、401は真空室、402はSiなど
の基板、403は基板402の支持体、404はArな
どの雰囲気ガスの導入管、405は排気口、406は高
周波電源、407は高周波電源406に接続された電極
、408は電極407に載置されたクーゲット、409
は基板イ02に負バイアスを印加する直流電源、410
は被スパツタリング粒子の基板への入射角を制限する格
子状フィルタである。基板402上方に基板402に垂
直に近い入射角をもつ被スパツタリング粒子のみを通す
格子状フィルタ410を設置しつつ、通常スパッタリン
グ法と同様にターゲットをスパッタリングする装置であ
り、段差下部への堆積が増加するので、比較的低いバイ
アスで、第5図tc+に示されるように良好な段差被覆
性が得られている。
リング装置を示し、401は真空室、402はSiなど
の基板、403は基板402の支持体、404はArな
どの雰囲気ガスの導入管、405は排気口、406は高
周波電源、407は高周波電源406に接続された電極
、408は電極407に載置されたクーゲット、409
は基板イ02に負バイアスを印加する直流電源、410
は被スパツタリング粒子の基板への入射角を制限する格
子状フィルタである。基板402上方に基板402に垂
直に近い入射角をもつ被スパツタリング粒子のみを通す
格子状フィルタ410を設置しつつ、通常スパッタリン
グ法と同様にターゲットをスパッタリングする装置であ
り、段差下部への堆積が増加するので、比較的低いバイ
アスで、第5図tc+に示されるように良好な段差被覆
性が得られている。
しかしながら上記従来例では、
(1)高角度入射成分がフィルタにけられる為、その分
堆積速度が低下する。
堆積速度が低下する。
(ii )フィルタを用いない場合よりはましだが、1
00V以上のバイアスが必要でダメージが発生しやすく
、堆積速度もバイアスを印加しない場合よりは低下する
。
00V以上のバイアスが必要でダメージが発生しやすく
、堆積速度もバイアスを印加しない場合よりは低下する
。
などの問題がある。
本発明は、従来の格子状フィルタを用いるバイアススパ
ッタリング法置における問題点を解決し、段差被覆性に
優れた薄膜形成を基板ダメージの発生なく高速に行なう
装置を提供することを目的とする。
ッタリング法置における問題点を解決し、段差被覆性に
優れた薄膜形成を基板ダメージの発生なく高速に行なう
装置を提供することを目的とする。
格子状フィルタを用いたバイアススパンタリング装置に
よる前述の問題点は、被スパツタリング粒子の多くが電
気的に中性であり、入射方向を容易に制御できる電気的
手段を用いることができず、不要な入射角をもつ粒子を
遮へいするという物理的手段を用いざるを得ないことに
起因している。
よる前述の問題点は、被スパツタリング粒子の多くが電
気的に中性であり、入射方向を容易に制御できる電気的
手段を用いることができず、不要な入射角をもつ粒子を
遮へいするという物理的手段を用いざるを得ないことに
起因している。
そこで本発明者らは、被スパツタリング粒子を帯電する
手段の検討を行なった。
手段の検討を行なった。
そして、A4粒子に200nmよりも短かい波長をもつ
光を照射することにより有効にイオン化することを見い
出した。又、他に、熱フィラメント(グリッド付)や電
子ビームによってもイオン化しやすかった。
光を照射することにより有効にイオン化することを見い
出した。又、他に、熱フィラメント(グリッド付)や電
子ビームによってもイオン化しやすかった。
本発明は上述の知見に基づいて完成されたものであり、
従来の格子状フィルタを用いたハイアススパソタリング
装置による前述の問題点を解決し、前記目的を達成する
ものである。
従来の格子状フィルタを用いたハイアススパソタリング
装置による前述の問題点を解決し、前記目的を達成する
ものである。
即ち、本発明によれば、スパンクリング装置に、スパッ
タリング粒子を帯電する手段と帯電粒子の基板への入射
方向を電気的に制御する手段を設けることにより、段差
被覆性に優れた薄膜形成を基板ダメージの発生なく高速
に行なうことを可能にしたものである。
タリング粒子を帯電する手段と帯電粒子の基板への入射
方向を電気的に制御する手段を設けることにより、段差
被覆性に優れた薄膜形成を基板ダメージの発生なく高速
に行なうことを可能にしたものである。
以下に、本発明の内容を図面の実施例により説明する。
装置例1
第1図は本発明の第1の実施例を示す装置の断面図であ
り、101は真空室、102はSiなどの基板、103
は基板102の支持体、104はArなどの雰囲気ガス
の導入管、105は排気口、106は通常13.56M
Hzの周波数をもつ高周波電源、107は高周波電源1
06に接続された電極、108は電極107に載置され
た被スパッタリングターゲット、109はスパッタリン
グ粒子をイオン化する光を発生ずる光源、1)0は光を
反応室101に導入する窓、1)1は光を反射するミラ
ー、1)2は基板にバイアスを印加する直流電源である
。
り、101は真空室、102はSiなどの基板、103
は基板102の支持体、104はArなどの雰囲気ガス
の導入管、105は排気口、106は通常13.56M
Hzの周波数をもつ高周波電源、107は高周波電源1
06に接続された電極、108は電極107に載置され
た被スパッタリングターゲット、109はスパッタリン
グ粒子をイオン化する光を発生ずる光源、1)0は光を
反応室101に導入する窓、1)1は光を反射するミラ
ー、1)2は基板にバイアスを印加する直流電源である
。
まず、支持体103上に基板102を置き、排気手段(
不図示)により真空室101内を1O−7T orr以
下まで排気した後、Arなどの雰囲気ガスを導入管10
4から反応室101に導入し、排気口105とポンプ間
に設けられたコンダクタンスバルブ(不図示)を調節し
、圧を10−4〜10”’Torr 、望ましくは10
−3〜10−2Torrに保つ。高周波電源106から
の高周波電圧を電極107に印加し、プラズマスパッタ
リングによりAj2などのターゲツト材108からスパ
ッタリング粒子を放出する。放出されたスパッタリング
粒子は、窓1)0を通して反応室101内に導入された
光源109からの光によりイオン化される。
不図示)により真空室101内を1O−7T orr以
下まで排気した後、Arなどの雰囲気ガスを導入管10
4から反応室101に導入し、排気口105とポンプ間
に設けられたコンダクタンスバルブ(不図示)を調節し
、圧を10−4〜10”’Torr 、望ましくは10
−3〜10−2Torrに保つ。高周波電源106から
の高周波電圧を電極107に印加し、プラズマスパッタ
リングによりAj2などのターゲツト材108からスパ
ッタリング粒子を放出する。放出されたスパッタリング
粒子は、窓1)0を通して反応室101内に導入された
光源109からの光によりイオン化される。
光の波長はスパッタリング粒子のイオン化電位に対応す
る波長より短かく、例えばAlの場合はArFエキシマ
レーザの193nmが適している。ミラー1)1は窓1
)0の部分を除いた反応室101の内壁に円筒状に設け
られ、光を多重反射し、スパッタリング粒子のイオン化
効率を上げる役割を担う。基板102には支持体103
を通して直流電源1)2から一10V台のバイアスが印
加される。イオン化されたスパッタリング粒子は基板の
負バイアスにより加速され基板に垂直に入射する成分が
増大する。したがって深い溝や穴の中にも膜が堆積しや
すくなる。プラズマ中のイオンエネルギーは高々数Vな
ので、入射方向を基板にほぼ垂直にする為には一10V
台の基板バイアスで充分であり、イオンダメージは問題
にならない。
る波長より短かく、例えばAlの場合はArFエキシマ
レーザの193nmが適している。ミラー1)1は窓1
)0の部分を除いた反応室101の内壁に円筒状に設け
られ、光を多重反射し、スパッタリング粒子のイオン化
効率を上げる役割を担う。基板102には支持体103
を通して直流電源1)2から一10V台のバイアスが印
加される。イオン化されたスパッタリング粒子は基板の
負バイアスにより加速され基板に垂直に入射する成分が
増大する。したがって深い溝や穴の中にも膜が堆積しや
すくなる。プラズマ中のイオンエネルギーは高々数Vな
ので、入射方向を基板にほぼ垂直にする為には一10V
台の基板バイアスで充分であり、イオンダメージは問題
にならない。
装置例1による膜堆積例
ターゲットとしてAlを用い、表1に示された条件で成
膜したところ、基板上に形成された幅0.8μm、深さ
1.6μmの溝中にも他の部分と同様に堆積し、堆積速
度は1.1μm/min、であった。
膜したところ、基板上に形成された幅0.8μm、深さ
1.6μmの溝中にも他の部分と同様に堆積し、堆積速
度は1.1μm/min、であった。
第6図は本発明の薄膜形成方法による段差被覆性を示す
成膜後の基板の断面図である。(alは実施例1による
もの、(b)は実施例2によるものであり、601はS
i暴基板602ばS i 02パターン、603は堆積
したAl膜である。第6図(alに示される実施例1に
よる段差被覆性は、溝中にもよく堆積しており良好であ
る。又、基板としてMO3構造上にPSG膜をコートし
たものを用い、Aff成膜前後のフラットハンド電圧の
ソフトをc−■特性測定より求めたところ、0.2V以
下と良好だった。第7図は使用した基板と測定法を示し
、701はn’si基板、702は5102ゲート酸化
膜(20nm厚)、703はpoly −S iゲート
電極(300nm厚)、704はPSG膜(1、cam
厚)、705はc−v測定系、706は堆積したA/膜
で、AI成膜0Gの堆積前後にc−v特性を測定し、イ
オン衝撃によって生しる電荷捕獲準位を反映したフラン
1−ハンド電圧のシフトにより、成膜中のダメージを評
価した。
成膜後の基板の断面図である。(alは実施例1による
もの、(b)は実施例2によるものであり、601はS
i暴基板602ばS i 02パターン、603は堆積
したAl膜である。第6図(alに示される実施例1に
よる段差被覆性は、溝中にもよく堆積しており良好であ
る。又、基板としてMO3構造上にPSG膜をコートし
たものを用い、Aff成膜前後のフラットハンド電圧の
ソフトをc−■特性測定より求めたところ、0.2V以
下と良好だった。第7図は使用した基板と測定法を示し
、701はn’si基板、702は5102ゲート酸化
膜(20nm厚)、703はpoly −S iゲート
電極(300nm厚)、704はPSG膜(1、cam
厚)、705はc−v測定系、706は堆積したA/膜
で、AI成膜0Gの堆積前後にc−v特性を測定し、イ
オン衝撃によって生しる電荷捕獲準位を反映したフラン
1−ハンド電圧のシフトにより、成膜中のダメージを評
価した。
表 1
旦漣幻外
第4図の格子状フィルタを用いたハイアススパンタリン
グ装置を用いて本発明と同様のカバレージを得る為表2
に示された条件で成膜したところ、堆積速度0.7μm
/min以下、フラットハンド電圧のシフ)2V以上で
あり、本発明の方が明らかに優れている。
グ装置を用いて本発明と同様のカバレージを得る為表2
に示された条件で成膜したところ、堆積速度0.7μm
/min以下、フラットハンド電圧のシフ)2V以上で
あり、本発明の方が明らかに優れている。
表 2
装置例2
第2図は本発明の第2の実施例を示す装置の断面図であ
り、201は真空室、202はSiなどの基板、203
は基板202の支持体、204はArなどの雰囲気ガス
の導入管、205は排気口、206は通常13.56M
Hzの周波数をもつ高周波電源、207は高周波型a2
06に接続された電極、208は電極207に載置され
た被スパッタリングターゲソl−1209はスパンタリ
ング粒子をイオン化するWなど熱フィラメント、214
は熱フィラメント209の電源、210はプラズマをク
ーゲット付近に閉し込めるメソシュシールド板、21)
は基板202に垂直に設置された平行平板電極、212
は平行平板電極21)の直流電源、213は基板202
に直流バイアスを印加する電源である。
り、201は真空室、202はSiなどの基板、203
は基板202の支持体、204はArなどの雰囲気ガス
の導入管、205は排気口、206は通常13.56M
Hzの周波数をもつ高周波電源、207は高周波型a2
06に接続された電極、208は電極207に載置され
た被スパッタリングターゲソl−1209はスパンタリ
ング粒子をイオン化するWなど熱フィラメント、214
は熱フィラメント209の電源、210はプラズマをク
ーゲット付近に閉し込めるメソシュシールド板、21)
は基板202に垂直に設置された平行平板電極、212
は平行平板電極21)の直流電源、213は基板202
に直流バイアスを印加する電源である。
まず支持体203上に基板202を設置し、排気手段(
不図示)により真空室202内を1O−7Torr以下
まで排気した後、まずArなどの雰囲気ガスを導入管2
04から反応室201に導入し、排気口205とポンプ
間に設けられたコンダククンスパルブ(不図示)を調節
し、圧を10−4〜10−’ Torr、望ましくは1
0−3〜1O−2Torrに保つ。高周波電源206か
らの高周波電圧を電ai207に印加し、プラズマスパ
ンタリングによりAβなどのターゲツト材208からス
パンタリング粒子を放出する。放出されたスパンタリン
グ粒子は、電源214により加熱されたフィラメント2
09から発生した熱電子によりイオン化される。平行平
板電極21)間と基板202−シールド板210間には
それぞれ直流電源212,213からの電圧V + 、
V zが印加される。V、、V2はダメージの発生を
抑える為−10V台に定める。イオン化されたスパンタ
リング粒子は生じた電界によって並進方向がそろえられ
、 2d で求められる入射角をもって基板202に入射する。基
板202は回転され、堆積の非対称性を解消する。以上
の結果、段差の側壁の被覆性が向上する。入射角を二つ
の電圧の比によって又、入射エネルギーも電圧の絶対値
によって制御できるので、様々な段差に最適な条件を選
択することができる。又、従来例のようにけられがなく
効率よく成膜できる。
不図示)により真空室202内を1O−7Torr以下
まで排気した後、まずArなどの雰囲気ガスを導入管2
04から反応室201に導入し、排気口205とポンプ
間に設けられたコンダククンスパルブ(不図示)を調節
し、圧を10−4〜10−’ Torr、望ましくは1
0−3〜1O−2Torrに保つ。高周波電源206か
らの高周波電圧を電ai207に印加し、プラズマスパ
ンタリングによりAβなどのターゲツト材208からス
パンタリング粒子を放出する。放出されたスパンタリン
グ粒子は、電源214により加熱されたフィラメント2
09から発生した熱電子によりイオン化される。平行平
板電極21)間と基板202−シールド板210間には
それぞれ直流電源212,213からの電圧V + 、
V zが印加される。V、、V2はダメージの発生を
抑える為−10V台に定める。イオン化されたスパンタ
リング粒子は生じた電界によって並進方向がそろえられ
、 2d で求められる入射角をもって基板202に入射する。基
板202は回転され、堆積の非対称性を解消する。以上
の結果、段差の側壁の被覆性が向上する。入射角を二つ
の電圧の比によって又、入射エネルギーも電圧の絶対値
によって制御できるので、様々な段差に最適な条件を選
択することができる。又、従来例のようにけられがなく
効率よく成膜できる。
装置例2による膜堆積例
ターゲットとしてAβを用い、表3に示される条件で成
膜したところ、基板上に形成された幅0.6μm、高さ
0.6μmのSiO□段差の側壁にも第5図(b)に示
されるようによく堆積し、堆積速度は0.9μm/mi
n、であった。又、フラットハンド電圧のシフトも0.
2V以下と良好で、前述の従来例より明らかに優れてい
る。
膜したところ、基板上に形成された幅0.6μm、高さ
0.6μmのSiO□段差の側壁にも第5図(b)に示
されるようによく堆積し、堆積速度は0.9μm/mi
n、であった。又、フラットハンド電圧のシフトも0.
2V以下と良好で、前述の従来例より明らかに優れてい
る。
表 3
〔発明の効果の概要〕
以上説明したように、スパッタリング装置に、スパッタ
リング装置を帯電する手段と帯電粒子の基板への入射方
向を電気的に制御する手段を設けることにより、低ダメ
ージで高速に段差被覆性にすくれた薄膜形成が可能にな
る効果がある。
リング装置を帯電する手段と帯電粒子の基板への入射方
向を電気的に制御する手段を設けることにより、低ダメ
ージで高速に段差被覆性にすくれた薄膜形成が可能にな
る効果がある。
第1図は本発明の実施例1の装置の断面図、第2図は本
発明の実施例2の装置の断面図である。 第3図は従来の(バイアス)スパッタリング装置の断面
図、第4図は従来の格子状フィルターを用いたバイアス
スパッタリング装置の断面図、第5図は従来例による段
差被覆性を示す基板の断面図、第6図は本発明による段
差被覆性を示す基板の断面図である。第7図はダメージ
評価の陸用いた基板の断面図である。 図において、101,201,301,401・・・真
空室、102,202.302.402・・・基板、1
03,203,303.403・・・支持体、1.04
,204,304,404・・・ガス導入管、105.
205,305,405・・・排気口、106.206
.306,406・・・高周波電源、107.207.
307,407・・電極、108゜208.308.4
08・・・ターゲット、109・・・光源、1)0・・
・窓、1)1・・・ミラー、1)2213.409・・
・基板にバイアスを印加する電源、214・・・フィラ
メント・グリッド電源、209・・・熱フィラメント、
210・・・グリッド、21)・・・平行平板電極、2
12・・・平行平板電極に電圧を印加する電源、410
・・・格子状フィルタ、501.601,701・・・
Si基板、502602・・・SiO。パターン、50
3,603,706・・・堆積したAρ膜、702・・
・ゲート酸化膜、703・・・poly−3iゲート電
極、704・・・PSG膜、705・・・C−V測定器
。 第1図
発明の実施例2の装置の断面図である。 第3図は従来の(バイアス)スパッタリング装置の断面
図、第4図は従来の格子状フィルターを用いたバイアス
スパッタリング装置の断面図、第5図は従来例による段
差被覆性を示す基板の断面図、第6図は本発明による段
差被覆性を示す基板の断面図である。第7図はダメージ
評価の陸用いた基板の断面図である。 図において、101,201,301,401・・・真
空室、102,202.302.402・・・基板、1
03,203,303.403・・・支持体、1.04
,204,304,404・・・ガス導入管、105.
205,305,405・・・排気口、106.206
.306,406・・・高周波電源、107.207.
307,407・・電極、108゜208.308.4
08・・・ターゲット、109・・・光源、1)0・・
・窓、1)1・・・ミラー、1)2213.409・・
・基板にバイアスを印加する電源、214・・・フィラ
メント・グリッド電源、209・・・熱フィラメント、
210・・・グリッド、21)・・・平行平板電極、2
12・・・平行平板電極に電圧を印加する電源、410
・・・格子状フィルタ、501.601,701・・・
Si基板、502602・・・SiO。パターン、50
3,603,706・・・堆積したAρ膜、702・・
・ゲート酸化膜、703・・・poly−3iゲート電
極、704・・・PSG膜、705・・・C−V測定器
。 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)被スパッタリングターゲットを載置した電極に交
流もしくは負の直流電圧を印加する手段を有するスパッ
タリング装置において、該ターゲットからのスパッタリ
ング粒子を帯電させる手段と該帯電粒子の基板への入射
方向を電気的に制御する手段を有することを特徴とする
スパッタリング装置。 (2)前記帯電手段が、スパッタリング粒子のイオン化
エネルギーに対応する波長よりも短波長の光を照射する
ことによるものである請求項(1)に記載のスパッタリ
ング装置。(3)前記帯電手段が、スパッタリング粒子
を熱フィラメントにさらすことによるものである請求項
(1)に記載のスパッタリング装置。 (4)前記帯電手段が、スパッタリング粒子に電子ビー
ムを照射することによるものである請求項(1)に記載
のスパッタリング装置。 (5)前記入射方向制御手段が、基板に交流もしくは負
の直流バイアスを印加することによるものである請求項
(1)乃至(4)のいずれかに記載のスパッタリング装
置。 (6)前記入射方向制御手段が、基板に平行と垂直に二
組の平行平板電極を設け、該平行平板電極のそれぞれに
印加する直流電圧の比を制御することによるものである
請求項(1)乃至(4)のいずれかに記載のスパッタリ
ング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20137588A JPH0250957A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20137588A JPH0250957A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250957A true JPH0250957A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16440029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20137588A Pending JPH0250957A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0250957A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
US7399497B2 (en) | 2003-04-15 | 2008-07-15 | Seiko Epson Corporation | Method for forming film, method of manufacturing electronic device, film forming system, electronic device, and electronic apparatus |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20137588A patent/JPH0250957A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
US7399497B2 (en) | 2003-04-15 | 2008-07-15 | Seiko Epson Corporation | Method for forming film, method of manufacturing electronic device, film forming system, electronic device, and electronic apparatus |
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