JPH0250130A - 液晶ディスプレイおよびその製造方法 - Google Patents
液晶ディスプレイおよびその製造方法Info
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- JPH0250130A JPH0250130A JP63199808A JP19980888A JPH0250130A JP H0250130 A JPH0250130 A JP H0250130A JP 63199808 A JP63199808 A JP 63199808A JP 19980888 A JP19980888 A JP 19980888A JP H0250130 A JPH0250130 A JP H0250130A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Digital Computer Display Output (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶ディスプレイおよびその製造方法に係り、
特に製造時に分割露光を必要とする大画面の液晶ディス
プレイにおいて全画面にわたり良好な画質を5るに好適
な液晶ディスプレイおよびその製造方法に関する。
特に製造時に分割露光を必要とする大画面の液晶ディス
プレイにおいて全画面にわたり良好な画質を5るに好適
な液晶ディスプレイおよびその製造方法に関する。
従来の軽量・薄形・低消費電力という優れた特微をもつ
液晶ディスプレイは、液晶の駆動回路をも液晶基板上に
形成するTPT (Th1n FilyLTran −
ziztar )技術の導入とともに増々その用途が広
がってきており、特に家庭用壁掛テレビや車載テレビや
テレビ電話への進出が期待されていて、液晶ディスプレ
イの画面の大型化が課題となっている。
液晶ディスプレイは、液晶の駆動回路をも液晶基板上に
形成するTPT (Th1n FilyLTran −
ziztar )技術の導入とともに増々その用途が広
がってきており、特に家庭用壁掛テレビや車載テレビや
テレビ電話への進出が期待されていて、液晶ディスプレ
イの画面の大型化が課題となっている。
第8図は従来の液晶ディスプレイの構造を例示する画素
部の拡大平面図である。第9図は同じく断面図である。
部の拡大平面図である。第9図は同じく断面図である。
第8図および第9図において、20はゲートライン、2
1はドレインライン、22はゲート電極、23はドレイ
ン電極、24はソース電極、25はトランジスタ、26
は画素、27は偏光子、28はガラス製の液晶ディスプ
レイ基板、29は透明電極、30は液晶、301は絶縁
層、61は液晶ディスプレイ基板(液晶基板)、32は
偏光子である。なお各図面を通じて同一符号は相当部分
を示すものとする。第8図および第9図の各画素26に
はゲート電極22とドレイン電極23とソース電極24
から成るトランジスタ25が接続している。ゲートライ
ン20とドレインライン21の双方が選択されると、こ
のトランジスタ25がオン状態となり、ソース電極24
に接続した画素(透明電極)26に電荷が加わる。これ
により第5図に示すように対向する透明電極29との間
に電界が発生し、中間に充満された液晶30の配向が崩
れて、2つの偏向子27.52の組み合わせにより、遮
光することが可能となる。
1はドレインライン、22はゲート電極、23はドレイ
ン電極、24はソース電極、25はトランジスタ、26
は画素、27は偏光子、28はガラス製の液晶ディスプ
レイ基板、29は透明電極、30は液晶、301は絶縁
層、61は液晶ディスプレイ基板(液晶基板)、32は
偏光子である。なお各図面を通じて同一符号は相当部分
を示すものとする。第8図および第9図の各画素26に
はゲート電極22とドレイン電極23とソース電極24
から成るトランジスタ25が接続している。ゲートライ
ン20とドレインライン21の双方が選択されると、こ
のトランジスタ25がオン状態となり、ソース電極24
に接続した画素(透明電極)26に電荷が加わる。これ
により第5図に示すように対向する透明電極29との間
に電界が発生し、中間に充満された液晶30の配向が崩
れて、2つの偏向子27.52の組み合わせにより、遮
光することが可能となる。
従来の液晶ディスプレイの製造方法は、半導体の製造方
法と同様に、レジストを塗布した液晶ディスプレイ基板
(液晶基板)31上に、マスク上に描画された回路パタ
ーンを光露光したのち、現像して化学処理する工程を経
る方法をとっている。
法と同様に、レジストを塗布した液晶ディスプレイ基板
(液晶基板)31上に、マスク上に描画された回路パタ
ーンを光露光したのち、現像して化学処理する工程を経
る方法をとっている。
この露光方法としては第1にマスクと液晶基板61を密
着(または微小間隙をおいた状態)で露光するコンタク
ト(またはプロキシミテイ)−括露光方法(例えば特開
昭54−55968号公報、またはセミコンニュース1
988年3月号第41頁(SamiconNawz 、
5 (1988) )と、第2に凹凸面鏡を用いたミ
ラー・プロジェクション走査露光方法(例えば特開昭6
1−247025号公報′)と、第3に縮小または等倍
のレンズを用いたステップ・アンド・リピート露光方法
(例えば特開昭60−119407号公報)などがある
。これらの露光法には、露光照明系と、マスクと液晶基
板の位置合わせ(アライメント)システムと、投影光学
系(または間隙均一化機構)等より成る露光装置が用い
られる。
着(または微小間隙をおいた状態)で露光するコンタク
ト(またはプロキシミテイ)−括露光方法(例えば特開
昭54−55968号公報、またはセミコンニュース1
988年3月号第41頁(SamiconNawz 、
5 (1988) )と、第2に凹凸面鏡を用いたミ
ラー・プロジェクション走査露光方法(例えば特開昭6
1−247025号公報′)と、第3に縮小または等倍
のレンズを用いたステップ・アンド・リピート露光方法
(例えば特開昭60−119407号公報)などがある
。これらの露光法には、露光照明系と、マスクと液晶基
板の位置合わせ(アライメント)システムと、投影光学
系(または間隙均一化機構)等より成る露光装置が用い
られる。
さらに液晶ディスプレイの大画面化に伴ない、上記露光
法では大型のマスクの製造が困難であるとか、あるいは
露光面積が小さすぎるなどの問題が発生してきた。そこ
で液晶ディスプレイの大型の画面をいくつかに分割して
、それぞれの部分を別々のマスクを用いて露光する分割
露光が必要となってきた(例えば特開昭60−1194
07号公報)。
法では大型のマスクの製造が困難であるとか、あるいは
露光面積が小さすぎるなどの問題が発生してきた。そこ
で液晶ディスプレイの大型の画面をいくつかに分割して
、それぞれの部分を別々のマスクを用いて露光する分割
露光が必要となってきた(例えば特開昭60−1194
07号公報)。
第10図は第8図(第9図)の従来の液晶ディスプレイ
の分割露光法を示す第1工程の模式化した説明図である
。第11図は同じく第2工程の模式化した説明図である
。第10図および第11図において40a、40a 、
40h、40hはアライメントマーク、41α。
の分割露光法を示す第1工程の模式化した説明図である
。第11図は同じく第2工程の模式化した説明図である
。第10図および第11図において40a、40a 、
40h、40hはアライメントマーク、41α。
41bはマスク、42α、42a、424,42bはア
ライメントマーク、43α、43α、 4!1,6 、
43iはアライメント光学系、44α、44bは露光光
、A、E、、4’、E’は分割回路パターン(領域)で
ある。第10図および第11図のレジストを塗布した液
晶基板31上の回路パターンを図中の回路パターン領域
A、Hのように複数の領域に分割する。この回路パター
ン領域A、Eの周辺には予めアライメントマーク40α
、40α、 40b、40bが設けられている。一方で
この液晶基板31上に形成したい次工程の第1.第2工
程の回路パターンA、B’が描画されたマスク41g、
41hを用意する。
ライメントマーク、43α、43α、 4!1,6 、
43iはアライメント光学系、44α、44bは露光光
、A、E、、4’、E’は分割回路パターン(領域)で
ある。第10図および第11図のレジストを塗布した液
晶基板31上の回路パターンを図中の回路パターン領域
A、Hのように複数の領域に分割する。この回路パター
ン領域A、Eの周辺には予めアライメントマーク40α
、40α、 40b、40bが設けられている。一方で
この液晶基板31上に形成したい次工程の第1.第2工
程の回路パターンA、B’が描画されたマスク41g、
41hを用意する。
このマスク41α、41hにはそれぞれ液晶基板′51
上のアライメントマーク40α、40c、40A、40
Aに対応した位置にアライメントマーク42α、42α
′、a2b、a2t;が設けられている。先づ第10図
の第1工程でマスク41aと液晶基板31のアライメン
トマーク40αと42α、40aと42aをアライメン
ト光学系45a、4Saにより検出して相対的な位置ず
れ量を補正したのち、露光光44aを照射することによ
りマスク41α上の回路パターンA′を液晶基板31上
の回路パターンA上に露光する。次に第11図の第2工
程でマスク41Aと液晶基板31のアライメントマーク
40Aとa2b、aabと42b′をアライメント光学
系45b。
上のアライメントマーク40α、40c、40A、40
Aに対応した位置にアライメントマーク42α、42α
′、a2b、a2t;が設けられている。先づ第10図
の第1工程でマスク41aと液晶基板31のアライメン
トマーク40αと42α、40aと42aをアライメン
ト光学系45a、4Saにより検出して相対的な位置ず
れ量を補正したのち、露光光44aを照射することによ
りマスク41α上の回路パターンA′を液晶基板31上
の回路パターンA上に露光する。次に第11図の第2工
程でマスク41Aと液晶基板31のアライメントマーク
40Aとa2b、aabと42b′をアライメント光学
系45b。
43Aにより検出して相対的な位置ずれ量を補正したの
ち、露光光44Aを照射することによりマスク41A上
の回路パターンB′を液晶基板31上の回路パターンB
上に露光する。
ち、露光光44Aを照射することによりマスク41A上
の回路パターンB′を液晶基板31上の回路パターンB
上に露光する。
上記従来技術は、マスクの熱による伸縮やマスク自体の
作成過程で生じる描画歪さらにはアライメント誤差など
の影響により1分割露光の際に液晶ディスプレイの分割
した領域のつなぎ(隣接)部において、比較的長い範囲
で相対的に微小な位置ずれが連続して発生するのを避け
るのが不可能であった。このため特に第8図に示した画
素部(透明電極)26の形成時に上記の位置ずれが発生
すると、人間の目に感知できるようになって液晶ディス
プレイ全体の画質を低下させる恐れがあった。
作成過程で生じる描画歪さらにはアライメント誤差など
の影響により1分割露光の際に液晶ディスプレイの分割
した領域のつなぎ(隣接)部において、比較的長い範囲
で相対的に微小な位置ずれが連続して発生するのを避け
るのが不可能であった。このため特に第8図に示した画
素部(透明電極)26の形成時に上記の位置ずれが発生
すると、人間の目に感知できるようになって液晶ディス
プレイ全体の画質を低下させる恐れがあった。
第12図は第10図(第11図)の液晶基板31の構成
図である。第12図において、49はつなぎ部の部分領
域、50はつなぎ部である。第13図は第12図のつな
ぎ部50付近の部分領域49を拡大して示す画素配列図
である。第13図において、51.52はつなぎ部50
の隣接画素列、α、bは各分割領域A、Hに属する画素
、ΔYは画素配列の位置ずれ量である。
図である。第12図において、49はつなぎ部の部分領
域、50はつなぎ部である。第13図は第12図のつな
ぎ部50付近の部分領域49を拡大して示す画素配列図
である。第13図において、51.52はつなぎ部50
の隣接画素列、α、bは各分割領域A、Hに属する画素
、ΔYは画素配列の位置ずれ量である。
第14図は第13図の画素配列の基準格子からの位置ず
れ量に対する頻度を示す分布図である。第14図におい
【、53.54は各画素列51.52の位置ずれ量に対
する頻度のピークである。第12図の液晶基板31の構
成において、第10図および第11図の分割露光法を実
施する際には、マスク41α、41bの熱により伸縮や
マスク41α、41b自体の製造工程で生じる回路パタ
ーンA、E の描画歪と、さらにはアライメント誤差
等の影響により分割した回路パターン領域A、Eのつな
ぎ(隣接)部5oで比較的長い範囲で相対的に微小な位
置ずれが連続して発生するのを避けるのが不可能である
。特に第8図に示した画素(透明電極)26の形成時に
この位置ずれが発生すると、第13図に第12図のつな
ぎ部5oの部分領域49の画素配列を拡大して示すよう
に、分割領域Aに属する隣接画素列51を含む画素(列
)αと、分割領域Bに属する隣接画素52を含む画素(
列)Aとの間にY方向(つなぎ部5oに沿う方向)に比
較的長い範囲で一様に発生する位置ずれ量ΔYにより、
液晶ディスプレイとして人間の目に感知できるようにな
って液晶ディスプレイ全体の画質を低下させる恐れがあ
る。このときの第13図の領域Aの端の画素列51と領
域Bの端の画素列52はつなぎ部50をはさんでY方向
に一様な位置ずれ量ΔYを生じており、この場合の画素
列51と画素列52の各画素αとbのY方向の基準格子
(位置)からの位置ずれに対する頻度は第14図に示す
ように画素列51のビーク53と画素列52のビーク5
4が相対的な位置ずれ量ΔYの距離をもって完全に分離
されている。このため液晶ディスプレイ全体の画質を低
下させる問題があった。
れ量に対する頻度を示す分布図である。第14図におい
【、53.54は各画素列51.52の位置ずれ量に対
する頻度のピークである。第12図の液晶基板31の構
成において、第10図および第11図の分割露光法を実
施する際には、マスク41α、41bの熱により伸縮や
マスク41α、41b自体の製造工程で生じる回路パタ
ーンA、E の描画歪と、さらにはアライメント誤差
等の影響により分割した回路パターン領域A、Eのつな
ぎ(隣接)部5oで比較的長い範囲で相対的に微小な位
置ずれが連続して発生するのを避けるのが不可能である
。特に第8図に示した画素(透明電極)26の形成時に
この位置ずれが発生すると、第13図に第12図のつな
ぎ部5oの部分領域49の画素配列を拡大して示すよう
に、分割領域Aに属する隣接画素列51を含む画素(列
)αと、分割領域Bに属する隣接画素52を含む画素(
列)Aとの間にY方向(つなぎ部5oに沿う方向)に比
較的長い範囲で一様に発生する位置ずれ量ΔYにより、
液晶ディスプレイとして人間の目に感知できるようにな
って液晶ディスプレイ全体の画質を低下させる恐れがあ
る。このときの第13図の領域Aの端の画素列51と領
域Bの端の画素列52はつなぎ部50をはさんでY方向
に一様な位置ずれ量ΔYを生じており、この場合の画素
列51と画素列52の各画素αとbのY方向の基準格子
(位置)からの位置ずれに対する頻度は第14図に示す
ように画素列51のビーク53と画素列52のビーク5
4が相対的な位置ずれ量ΔYの距離をもって完全に分離
されている。このため液晶ディスプレイ全体の画質を低
下させる問題があった。
本発明の目的は、上記した問題点を解決して、分割露光
によるつなぎ部周辺における画素配列の相対的な一様か
つ微小な位置ずれの影響を除去することにより、画面全
体の画質を向上できる液晶ディスプレイおよびその製造
方法を提供するにある。
によるつなぎ部周辺における画素配列の相対的な一様か
つ微小な位置ずれの影響を除去することにより、画面全
体の画質を向上できる液晶ディスプレイおよびその製造
方法を提供するにある。
上記目的は、画面を複数の領域に分割してそれぞれ実効
的に別個のマスクを用いて分散露光することにより画素
パターンを形成する際K、分割された各領域同士のつな
ぎ部周辺における各画素の配列または各画素の各マスク
への配分またはその両方を予め統計的に分散させたマス
クを用いて画素パターンを形成した液晶ディスプレイお
よびその製造方法により達成される。
的に別個のマスクを用いて分散露光することにより画素
パターンを形成する際K、分割された各領域同士のつな
ぎ部周辺における各画素の配列または各画素の各マスク
への配分またはその両方を予め統計的に分散させたマス
クを用いて画素パターンを形成した液晶ディスプレイお
よびその製造方法により達成される。
上記液晶ディスプレイおよびその製造方法は、マスク作
成段階から分割領域同士のつなぎ部周辺における各画素
の配列または各画素の各マスクへの配分またはその両方
を予め統計的に分散させておくことにより、分割露光に
より一様かつ微小な画素列の位置ずれが長く連続して発
生するのをなくすことができ、つなぎ部周辺における画
素配列の基準格子からの位置ずれ量の頻度のピークが第
4図のように連続した分布とすることができるので、つ
なぎ部が目立たなくなって画面全体の画質が向上する。
成段階から分割領域同士のつなぎ部周辺における各画素
の配列または各画素の各マスクへの配分またはその両方
を予め統計的に分散させておくことにより、分割露光に
より一様かつ微小な画素列の位置ずれが長く連続して発
生するのをなくすことができ、つなぎ部周辺における画
素配列の基準格子からの位置ずれ量の頻度のピークが第
4図のように連続した分布とすることができるので、つ
なぎ部が目立たなくなって画面全体の画質が向上する。
以下に本発明の実施例を第1図から第7図により説明す
る。
る。
第1図は本発明による液晶ディスプレイおよびその製造
方法の第1の実施例を示す液晶基板31とマスク41a
、41Aの関係の説明図である。第1図において、61
α、61bは液晶基板31の分割領域A、Eのつなぎ部
500周辺のつなぎ領域、61 a、 61 bはつな
ぎ領域61α、61bに対応するマスク41α、41b
の回路パターンA’、 B’のつなぎ領域である。第1
図の液晶基板51上には分割された回路パターン(領域
)A、Bとアライメントマーク40α、40a、40h
、40bがある。一方のマスク41α、41b上にはそ
れぞれ回路パターンA、Eとアライメントマーク42α
、 42a、 42A。
方法の第1の実施例を示す液晶基板31とマスク41a
、41Aの関係の説明図である。第1図において、61
α、61bは液晶基板31の分割領域A、Eのつなぎ部
500周辺のつなぎ領域、61 a、 61 bはつな
ぎ領域61α、61bに対応するマスク41α、41b
の回路パターンA’、 B’のつなぎ領域である。第1
図の液晶基板51上には分割された回路パターン(領域
)A、Bとアライメントマーク40α、40a、40h
、40bがある。一方のマスク41α、41b上にはそ
れぞれ回路パターンA、Eとアライメントマーク42α
、 42a、 42A。
42b′がある。本実施例では液晶基板31の分割領域
A、Hのつなぎ部500周辺のつなぎ領域61α、61
bに対応するマスク41α、41b上のつなぎ領域61
a 、 61 bの画素配列を統計的に基準格子から
ずらして作成している。
A、Hのつなぎ部500周辺のつなぎ領域61α、61
bに対応するマスク41α、41b上のつなぎ領域61
a 、 61 bの画素配列を統計的に基準格子から
ずらして作成している。
まず第10図の分割露光法による次工程の第1工程で、
第1図のマスク41αと液晶基板31のアライメントマ
ーク41αと42α、40aと42Jをアライメント光
学系43α、46Iにより検出して相対的な位置ずれ量
を補正したのち、露光光44gを照射することによりマ
スク41(E上の回路パターンA′を液晶基板31上の
回路パターンA上に露光する。次に第11図の第2工程
で第1図のマスク41Aと液晶基板31のアライメント
マーク40Aと42b、40b′と42b′をアライメ
ント光学系4sb、ashにより検出して相対的な位置
ずれ量を補正したのち、露光光44Aを照射することに
よりマスク41A上の回路)くターンB′を液晶基板3
1上の回路パターンB上に露光する。
第1図のマスク41αと液晶基板31のアライメントマ
ーク41αと42α、40aと42Jをアライメント光
学系43α、46Iにより検出して相対的な位置ずれ量
を補正したのち、露光光44gを照射することによりマ
スク41(E上の回路パターンA′を液晶基板31上の
回路パターンA上に露光する。次に第11図の第2工程
で第1図のマスク41Aと液晶基板31のアライメント
マーク40Aと42b、40b′と42b′をアライメ
ント光学系4sb、ashにより検出して相対的な位置
ずれ量を補正したのち、露光光44Aを照射することに
よりマスク41A上の回路)くターンB′を液晶基板3
1上の回路パターンB上に露光する。
第2図は第1図のマスク41α、41bの回路ノくター
ンA’、B’の像を液晶基板61上に投影した時のつな
ぎ部50の部分領域49を拡大して示す画素配列図であ
る。第2図において、1α、2α、3α、1h、2b、
3bは画素列である。第3図は第1図(第2図)の液晶
基板310つなぎ部500周辺のつなぎ領域61α、6
1hに対応するマスク41α、41h上のつなぎ領域6
1d。
ンA’、B’の像を液晶基板61上に投影した時のつな
ぎ部50の部分領域49を拡大して示す画素配列図であ
る。第2図において、1α、2α、3α、1h、2b、
3bは画素列である。第3図は第1図(第2図)の液晶
基板310つなぎ部500周辺のつなぎ領域61α、6
1hに対応するマスク41α、41h上のつなぎ領域6
1d。
616′の画素配列の統計的な基準格子からのY方向の
位置ずれ量の頻度を示す分布図である。第3図において
、4a、5a、6a、4A、5b、6hはそれぞれ第2
図の液晶基板31上のつなぎ領域61α、61bの画素
列1α。
位置ずれ量の頻度を示す分布図である。第3図において
、4a、5a、6a、4A、5b、6hはそれぞれ第2
図の液晶基板31上のつなぎ領域61α、61bの画素
列1α。
2a、3a、 1b、2h、5bに対応するマスク41
(1,4IA側のつなぎ領域61a、61bの画素列4
α、5α、6α、4b、5b、6bの配列分布である。
(1,4IA側のつなぎ領域61a、61bの画素列4
α、5α、6α、4b、5b、6bの配列分布である。
第4図は第2図の画素配列の基準格子からの位置ずれ量
に対する頻度を示す分布図である。第4図において、5
3.54は各画素列1α。
に対する頻度を示す分布図である。第4図において、5
3.54は各画素列1α。
1bの位置ずれ量に対する頻度のピークである。第4図
に示すように液晶基板31の分割露光による分割領域A
、Hのつなぎ部50の各画素列1α、IAの相対的な位
置ずれ量ΔYが生じても、位置ずれ量に対する頻度のピ
ーク55.54が連結するため、つなぎ部50の周辺の
つなぎ領域61α、61bの微小で−様な位置ずれが連
続して発生するのを抑えることができる。なお第3図の
画素配列分布は正規分布関数として与えたが、他の関数
(例えば2次曲線)を用いてもよい。
に示すように液晶基板31の分割露光による分割領域A
、Hのつなぎ部50の各画素列1α、IAの相対的な位
置ずれ量ΔYが生じても、位置ずれ量に対する頻度のピ
ーク55.54が連結するため、つなぎ部50の周辺の
つなぎ領域61α、61bの微小で−様な位置ずれが連
続して発生するのを抑えることができる。なお第3図の
画素配列分布は正規分布関数として与えたが、他の関数
(例えば2次曲線)を用いてもよい。
第5図は本発明による液晶ディスプレイおよびその製造
方法の第2の実施例を示す液晶基板31とマスク41α
、41bの関係の説明図である。第5図において、70
は液晶基板31の分割領域A、Hのつなぎ部50の周辺
のつなぎ領域、70α、70bはつなぎ領域70に対応
するマスク41α、41hの回路パターンA′。
方法の第2の実施例を示す液晶基板31とマスク41α
、41bの関係の説明図である。第5図において、70
は液晶基板31の分割領域A、Hのつなぎ部50の周辺
のつなぎ領域、70α、70bはつなぎ領域70に対応
するマスク41α、41hの回路パターンA′。
B′のつなぎ領域のパターンである。本実施例では液晶
基板31の分割領域A、Eのつなぎ部500周辺のつな
ぎ領域70に対応してマスク41α、41bの回路パタ
ーンA、E’のつなぎ領域のパターン70α、70hを
互いに補間する関係で重複して作成している。
基板31の分割領域A、Eのつなぎ部500周辺のつな
ぎ領域70に対応してマスク41α、41bの回路パタ
ーンA、E’のつなぎ領域のパターン70α、70hを
互いに補間する関係で重複して作成している。
その他の構成および分割露光法は第1図と同様である。
第6図は第5図のマスク41g、41Aの回路パターン
A’、E’の像を液晶基板51上に投影した時のつなぎ
部500部分領域49を拡大して示す画素配列図である
。第6図において、液晶基板51のつなぎ領域70に投
影するマスク41a、414のつなぎ領域のパターン7
0α、70bの画素α、bの基準格子からのY方向の位
置ずれはないが、画素α、bがつなぎ部50の両側の画
素列に混在している。第7図は第6図の画素列番号Nご
とのマスク41α、41bのパターン70m、 70A
の画素α、bの寄与率を例示するグラフである。第7図
において、9はマスク41αの寄与率10はマスク41
Aの寄与率である。この例ではマスク41α、41Aの
寄与率9,10はつなぎ部50のところで50−ずつに
なっている。なお画素列番号Nごとの寄与率9.10が
与えられた時の画素α、bのマスク41α、41hへの
割付けはランダムに行うものとする。このようにすれば
、つなぎ部50における画素配列の基準格子からの位置
ずれ量の頻度が第14図により近い分布になっても、−
様なずれが長く連続することがなくなるとともに、X方
向にも分散するため第4図と同等の効果を与えることが
できる。
A’、E’の像を液晶基板51上に投影した時のつなぎ
部500部分領域49を拡大して示す画素配列図である
。第6図において、液晶基板51のつなぎ領域70に投
影するマスク41a、414のつなぎ領域のパターン7
0α、70bの画素α、bの基準格子からのY方向の位
置ずれはないが、画素α、bがつなぎ部50の両側の画
素列に混在している。第7図は第6図の画素列番号Nご
とのマスク41α、41bのパターン70m、 70A
の画素α、bの寄与率を例示するグラフである。第7図
において、9はマスク41αの寄与率10はマスク41
Aの寄与率である。この例ではマスク41α、41Aの
寄与率9,10はつなぎ部50のところで50−ずつに
なっている。なお画素列番号Nごとの寄与率9.10が
与えられた時の画素α、bのマスク41α、41hへの
割付けはランダムに行うものとする。このようにすれば
、つなぎ部50における画素配列の基準格子からの位置
ずれ量の頻度が第14図により近い分布になっても、−
様なずれが長く連続することがなくなるとともに、X方
向にも分散するため第4図と同等の効果を与えることが
できる。
なお上記実施例では、つなぎ部50のY方向のみの位置
ずれを取り扱ったが、x、X方向について同様の操作が
可能である。またつなぎ部50の各画素の分散および各
画素の各マスクへの配分の両方を変える操作が可能であ
る。また分割数が2つ以上であっても同様の操作が可能
である。
ずれを取り扱ったが、x、X方向について同様の操作が
可能である。またつなぎ部50の各画素の分散および各
画素の各マスクへの配分の両方を変える操作が可能であ
る。また分割数が2つ以上であっても同様の操作が可能
である。
本発明によれば、分割露光を必要とする大画面の液晶デ
ィスプレイの画質を向上できるので製品価値を高めると
ともに、ある程度の位置ずれを許容できるためマスクの
温度管理やアライメントの高精度化の必要性が低減でき
るから製造コストを引き下げられる効果がある。
ィスプレイの画質を向上できるので製品価値を高めると
ともに、ある程度の位置ずれを許容できるためマスクの
温度管理やアライメントの高精度化の必要性が低減でき
るから製造コストを引き下げられる効果がある。
第1図は本発明による液晶ディスプレイおよびその製造
方法の第1の実施例を示す液晶基板とマスクの関係の説
明図、第2図は第1図のマスク像が投影された時のつな
ぎ領域の拡大画素配列図、第3図は第1図(第2図)の
マスク上のつなぎ領域の画素配列ずれ量の頻度分布図、
第4図は第2図の画素配列ずれ量の頻度分布図、第5図
は本発明ニよる液晶ディスプレイおよびその製造方法の
第2の実施例を示す液晶基板とマスクの関係の説明図、
第6図は第5図のマスク像が投影された時のつなぎ領域
の拡大画素配列図、第7図は第6図のマスク41α、4
1hの寄与率例のグラフ、第8図は従来の液晶ディスプ
レイの構造を例示する部分拡大平面図、第9図は同じく
断面図、第10図は同じく液晶ディスプレイの分割露光
法の第1工程の模式説明図、第11図は同じく第2工程
の模式説明図第12図は第10図(第11図)の液晶基
板の構成図、第13図は第12図のつなぎ領域の拡大画
素配列図、第14図は第1!1図の画素配列ずれ量の頻
度分布図である。 26・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・画素31・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・液晶基
板41α、41b・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・マスク50・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・つなぎ部61α、
61b、61α′、61h・・・つなぎ領域70.70
α、 70k・・・・・・・・・・・・・・・つなぎ領
域A、B、A、B・・・・・・・・・・・・分割領域〒
1図 粥2図 霧 61山 1b 414図 第+!刀 ホ ←1斃 基f−右に子〃・らの又゛し 45図 〒5図 〒G図 N 粥8図 粥a図 液晶基ネ反 粥7図 つ戸ざ゛音p 琶10図 オ胃Jマ入7 411図 412図 ffi+5図 八
方法の第1の実施例を示す液晶基板とマスクの関係の説
明図、第2図は第1図のマスク像が投影された時のつな
ぎ領域の拡大画素配列図、第3図は第1図(第2図)の
マスク上のつなぎ領域の画素配列ずれ量の頻度分布図、
第4図は第2図の画素配列ずれ量の頻度分布図、第5図
は本発明ニよる液晶ディスプレイおよびその製造方法の
第2の実施例を示す液晶基板とマスクの関係の説明図、
第6図は第5図のマスク像が投影された時のつなぎ領域
の拡大画素配列図、第7図は第6図のマスク41α、4
1hの寄与率例のグラフ、第8図は従来の液晶ディスプ
レイの構造を例示する部分拡大平面図、第9図は同じく
断面図、第10図は同じく液晶ディスプレイの分割露光
法の第1工程の模式説明図、第11図は同じく第2工程
の模式説明図第12図は第10図(第11図)の液晶基
板の構成図、第13図は第12図のつなぎ領域の拡大画
素配列図、第14図は第1!1図の画素配列ずれ量の頻
度分布図である。 26・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・画素31・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・液晶基
板41α、41b・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・マスク50・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・つなぎ部61α、
61b、61α′、61h・・・つなぎ領域70.70
α、 70k・・・・・・・・・・・・・・・つなぎ領
域A、B、A、B・・・・・・・・・・・・分割領域〒
1図 粥2図 霧 61山 1b 414図 第+!刀 ホ ←1斃 基f−右に子〃・らの又゛し 45図 〒5図 〒G図 N 粥8図 粥a図 液晶基ネ反 粥7図 つ戸ざ゛音p 琶10図 オ胃Jマ入7 411図 412図 ffi+5図 八
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、液晶ディスプレイにおいて、画面を複数の領域に分
割して画素パターンを形成し、分割された各領域同士の
つなぎ部周辺における各画素の配列を統計的に分散させ
て成る液晶ディスプレイ。 2、上記つなぎ部周辺における各画素の配列をつなぎ部
と同一方向につなぎ部に近いほどばらつきが大きくなる
ように分散させて成る請求項1記載の液晶ディスプレイ
。 3、液晶ディスプレイの製造工程において、画面を複数
の領域に分割してそれぞれ実効的に別個のマスクを用い
て分割露光することにより画素パターンを形成する際に
、分割された各領域同士のつなぎ部周辺における各画素
の配列または各画素の各マスクへの配分またはその両方
を予め統計的に分散させたマスクを用いることにより、
分割露光時に発生する一様かつ微小な画素間の位置ずれ
が連続しないようにした液晶ディスプレイの製造方法。 4、上記つなぎ部周辺における各画素の配列をつなぎ部
と同一方向につなぎ部に近いほどばらつきが大きくなる
ように分散させたマスクを用いる請求項3記載の液晶デ
ィスプレイの製造方法。 5、上記つなぎ部周辺における各画素の各マスクへの配
分をつなぎ部からの距離に応じて変化させたマスクを用
いる請求項3記載の液晶ディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63199808A JPH0250130A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 液晶ディスプレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63199808A JPH0250130A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 液晶ディスプレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250130A true JPH0250130A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16413978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63199808A Pending JPH0250130A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 液晶ディスプレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0250130A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002107905A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法および露光マスク |
US6504581B1 (en) | 1998-12-18 | 2003-01-07 | Advanced Display Inc. | Liquid crystal display apparatus and manufacturing method thereof |
KR100529575B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2006-02-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 기판 제조 방법 |
US7267912B2 (en) | 2003-03-19 | 2007-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Exposure mask and pattern exposure method |
KR20150128829A (ko) * | 2013-03-13 | 2015-11-18 | 퀄컴 인코포레이티드 | 재구성 메시지들의 재송신을 개선하기 위한 방법 및 장치 |
WO2016025105A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Pixtronix, Inc. | Displays having reduced optical sensitivity to aperture alignment at stepper field boundary |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63199808A patent/JPH0250130A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100529575B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2006-02-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 기판 제조 방법 |
US6504581B1 (en) | 1998-12-18 | 2003-01-07 | Advanced Display Inc. | Liquid crystal display apparatus and manufacturing method thereof |
JP2002107905A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法、薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法および露光マスク |
US7267912B2 (en) | 2003-03-19 | 2007-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Exposure mask and pattern exposure method |
KR20150128829A (ko) * | 2013-03-13 | 2015-11-18 | 퀄컴 인코포레이티드 | 재구성 메시지들의 재송신을 개선하기 위한 방법 및 장치 |
WO2016025105A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Pixtronix, Inc. | Displays having reduced optical sensitivity to aperture alignment at stepper field boundary |
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