JPH0247116A - ポリアセチレンの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレンの製造方法Info
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- JPH0247116A JPH0247116A JP19821388A JP19821388A JPH0247116A JP H0247116 A JPH0247116 A JP H0247116A JP 19821388 A JP19821388 A JP 19821388A JP 19821388 A JP19821388 A JP 19821388A JP H0247116 A JPH0247116 A JP H0247116A
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- group
- polyacetylene
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- acetylene
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- Pending
Links
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Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はポリアセチレンの製造方法に関するものである
。
。
従来の技術
近年、分子デバイスとしてポリアセチレンの形成にだい
しいろいろな試みがなされている。従来の技術として、
ラングミュア−プロジェット法（ＬＢ法）を用いて機能
性単分子膜を形成する試みで、直鎖状炭化水素分子内に
機能性基としてアセチレン基を設け、エネルギービーム
を加えてポリアセチレンを形成しようとする試みがある
。
しいろいろな試みがなされている。従来の技術として、
ラングミュア−プロジェット法（ＬＢ法）を用いて機能
性単分子膜を形成する試みで、直鎖状炭化水素分子内に
機能性基としてアセチレン基を設け、エネルギービーム
を加えてポリアセチレンを形成しようとする試みがある
。
発明が解決しようとする課題
ところが、エネルギービームを照射してポリアセチレン
形成をするにともない、直鎖状炭化水素分子の末端のカ
ルボキシル基間の距離に比べて、ポリアセチレン部位で
はその分子間距離が短くなり、一方、直鎖状炭化水素分
子の末端のカルボキシル基間の距離は変化することはな
い。そのため、単分子膜に歪が生じ、アセチレン基間の
距離が広がり過ぎると重合反応が起こらなくなる。一般
にアセチレン基同志が０．４オングストローム離れると
重合反応が起こらないといわれている。その結果、長い
共役二重結合などの機能性基を形成することができず、
導電性などの機能を持たせられない。
形成をするにともない、直鎖状炭化水素分子の末端のカ
ルボキシル基間の距離に比べて、ポリアセチレン部位で
はその分子間距離が短くなり、一方、直鎖状炭化水素分
子の末端のカルボキシル基間の距離は変化することはな
い。そのため、単分子膜に歪が生じ、アセチレン基間の
距離が広がり過ぎると重合反応が起こらなくなる。一般
にアセチレン基同志が０．４オングストローム離れると
重合反応が起こらないといわれている。その結果、長い
共役二重結合などの機能性基を形成することができず、
導電性などの機能を持たせられない。
課題を解決するための手段
本発明のポリアセチレンの製造方法は、１つ以上の側鎖
を有し、また、主鎖の一端にカルボキシル基を存し、か
つ、主鎖および側鎖の任意の炭素・炭素結合間に、光、
熱、電子イオン等のエネルギーに感応する基として１つ
以上のアセチレン基を有した直鎖状炭化水素分子を複数
個もちいて単分子膜を形成する工程と光、熱、電子イオ
ン等のエネルギービームを前記感応基に照射して前記直
鎖状炭化水素分子を重合させる工程からなることを特徴
としたポリアセチレンの製造方法である。
を有し、また、主鎖の一端にカルボキシル基を存し、か
つ、主鎖および側鎖の任意の炭素・炭素結合間に、光、
熱、電子イオン等のエネルギーに感応する基として１つ
以上のアセチレン基を有した直鎖状炭化水素分子を複数
個もちいて単分子膜を形成する工程と光、熱、電子イオ
ン等のエネルギービームを前記感応基に照射して前記直
鎖状炭化水素分子を重合させる工程からなることを特徴
としたポリアセチレンの製造方法である。
作用
本発明のポリアセチレンの製造方法は、直鎖状炭化水素
分子の任意の箇所に１つ以上の側鎖を有し、その主鎖及
び側鎖に機能性を持たせる感応基を備えた直鎖状炭化水
素分子を用いて単分子膜を形成し、エネルギービームを
前記感応基に照射して重合させることにより、また、前
記重合させた膜を多層化することにより、従来、直鎖状
炭化水素分子が側鎖を持たないため機能性基同志が反応
するためには距離的に離れていた問題点が解決され、機
能性基の反応距離が短くなり反応性を高めることができ
、さらに、構造的にも歪を生じることが少なくなる。
分子の任意の箇所に１つ以上の側鎖を有し、その主鎖及
び側鎖に機能性を持たせる感応基を備えた直鎖状炭化水
素分子を用いて単分子膜を形成し、エネルギービームを
前記感応基に照射して重合させることにより、また、前
記重合させた膜を多層化することにより、従来、直鎖状
炭化水素分子が側鎖を持たないため機能性基同志が反応
するためには距離的に離れていた問題点が解決され、機
能性基の反応距離が短くなり反応性を高めることができ
、さらに、構造的にも歪を生じることが少なくなる。
したがって、本発明のポリアセチレンの製造方法は、理
想的な構造で形成されるため、その効果は大なるものが
ある。
想的な構造で形成されるため、その効果は大なるものが
ある。
実施例
以下に、第１の実施例としてポリアセチレンの製造方法
をを第１，２図を用いて段階的に説明する。
をを第１，２図を用いて段階的に説明する。
１はポリアセチレンを形成する任意の基板（たとえば、
半導体Ｓｉ基板）である。２は任意の基板１上に形成さ
れた親水性膜（たとえば、ＳｉＯ２膜）である。３は直
鎖状炭化水素分子 （ｐ＋ Ｑ＋ ｒ＋ Ｓ＋ ｔは、任意の整数
）で、Ｃ０ＯＨ基からｒ＋Ｌ番目の炭素原子に側鎖を持
ち、また、同炭素原子から主鎖のｑ＋を番目の炭素原子
の位置に、また、側鎖のｔ＋ｉ番目の炭素原子の位置に
機能性基としてアセチレン基（−ＣＨＥＥＣＨ−）４を
持つ単分子膜５である。ここで、単分子膜を形成する前
の直鎖状炭化水素分子は、前記化学式のメチル基側と反
対の末端がカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）となっており
、ラングミュア−プロジェット法の単分子膜形成法を用
いて親水性膜たとえばＳｉＯ２膜２表面での結合を成し
、単分子膜５を形成している。このとき、直鎖状炭化水
素分子の主鎖の末端基のメチル基（ＣＨａ −）及び側
鎖のメチル基（ＣＨｓ−）は基板表面に並んで成膜され
る。 （第１図）機能性を持たせるためには前記単分子
膜５に遠紫外光を照射して主鎖及び側鎖に設けられたア
セチレン基同志を光反応させ、共役系を持つポリアセチ
レン（−（−Ｃ＝Ｃ−） ｍ−） ８を形成する。
半導体Ｓｉ基板）である。２は任意の基板１上に形成さ
れた親水性膜（たとえば、ＳｉＯ２膜）である。３は直
鎖状炭化水素分子 （ｐ＋ Ｑ＋ ｒ＋ Ｓ＋ ｔは、任意の整数
）で、Ｃ０ＯＨ基からｒ＋Ｌ番目の炭素原子に側鎖を持
ち、また、同炭素原子から主鎖のｑ＋を番目の炭素原子
の位置に、また、側鎖のｔ＋ｉ番目の炭素原子の位置に
機能性基としてアセチレン基（−ＣＨＥＥＣＨ−）４を
持つ単分子膜５である。ここで、単分子膜を形成する前
の直鎖状炭化水素分子は、前記化学式のメチル基側と反
対の末端がカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）となっており
、ラングミュア−プロジェット法の単分子膜形成法を用
いて親水性膜たとえばＳｉＯ２膜２表面での結合を成し
、単分子膜５を形成している。このとき、直鎖状炭化水
素分子の主鎖の末端基のメチル基（ＣＨａ −）及び側
鎖のメチル基（ＣＨｓ−）は基板表面に並んで成膜され
る。 （第１図）機能性を持たせるためには前記単分子
膜５に遠紫外光を照射して主鎖及び側鎖に設けられたア
セチレン基同志を光反応させ、共役系を持つポリアセチ
レン（−（−Ｃ＝Ｃ−） ｍ−） ８を形成する。
このポリアセチレンは、導電性や非線形光学効果を示し
光電子機能材料として利用され、同一面内の任意の方向
に形成できる。この時、アセチレン基の存在密度が、従
来の２倍となっているためポリアセチレンを形成する光
反応性は高く、また、主鎖及び側鎖ともにポリアセチレ
ンを形成することから構造上の歪も解消される。（第２
図）また、単分子膜５上にさらにポリアセチレンを形成
するには、同様にラングミュアーブロジェ、。
光電子機能材料として利用され、同一面内の任意の方向
に形成できる。この時、アセチレン基の存在密度が、従
来の２倍となっているためポリアセチレンを形成する光
反応性は高く、また、主鎖及び側鎖ともにポリアセチレ
ンを形成することから構造上の歪も解消される。（第２
図）また、単分子膜５上にさらにポリアセチレンを形成
するには、同様にラングミュアーブロジェ、。
ト法を用いれば容易に多層膜を形成することができる。
なお、本発明の実施例では側鎖を１つだけもつ（ｐｙ
ｑ＋ ｒｚ Ｓ＋ ｊは、任意の整数）を用い
たが必要により側鎖の数を増やしてもよい。
ｑ＋ ｒｚ Ｓ＋ ｊは、任意の整数）を用い
たが必要により側鎖の数を増やしてもよい。
また、本発明の実施例ではエネルギービームとして遠紫
外光を用いたが、Ｘ線、電子線などの放射線を用いて重
合してもよい。
外光を用いたが、Ｘ線、電子線などの放射線を用いて重
合してもよい。
さらに、機能性基として本発明の実施例ではアセチレン
基を示したが、ジアセチレン基、ピロール基、チェニレ
ン基、フェニレン基などをはじめとする機能性基であっ
てももちろん構わない。
基を示したが、ジアセチレン基、ピロール基、チェニレ
ン基、フェニレン基などをはじめとする機能性基であっ
てももちろん構わない。
さらになお、多層構造を形成するに際し各層にポリアセ
チレン、ポリジアセチレンなどの機能性部を組み合わせ
て形成しても良いことは自明である。
チレン、ポリジアセチレンなどの機能性部を組み合わせ
て形成しても良いことは自明である。
発明の効果
本発明のポリアセチレンの形成方法を用いることにより
、ポリアセチレン形成時の反応性は格段に高まり、さら
に、ポリアセチレンの形成により生じる内部の歪は皆無
となり、分子デバイスなどの分野に対する効果は大なる
ものがある。
、ポリアセチレン形成時の反応性は格段に高まり、さら
に、ポリアセチレンの形成により生じる内部の歪は皆無
となり、分子デバイスなどの分野に対する効果は大なる
ものがある。
第１図、第２図本発明の実施例であるポリアセチレンの
形成方法を説明するための断面図である。 １・・・任意の基板、２・・・親水性膜（ＳｉＯａ膜）
、３・・・・・・・・・直鎖状炭化水素分子、４・・・
・・・・・・機能性基（アセチレン基）、５・・・・・
・・・・単分子膜、６・・・・・・・・・ポリアセチレ
ン。
形成方法を説明するための断面図である。 １・・・任意の基板、２・・・親水性膜（ＳｉＯａ膜）
、３・・・・・・・・・直鎖状炭化水素分子、４・・・
・・・・・・機能性基（アセチレン基）、５・・・・・
・・・・単分子膜、６・・・・・・・・・ポリアセチレ
ン。
Claims (1)
- １つ以上の側鎖を有し、主鎖の一端にカルボキシル基を
有し、主鎖および側鎖の任意の炭素・炭素結合間に、光
、熱、電子イオン等のエネルギーの感応基として１つ以
上のアセチレン基を有した直鎖状炭化水素分子を複数個
用いて単分子膜を形成する工程と、光、熱、電子イオン
等のエネルギービームを前記感応基に照射し、前記直鎖
状炭化水素分子を重合させる工程を備えてなることを特
徴としたポリアセチレンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19821388A JPH0247116A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポリアセチレンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19821388A JPH0247116A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポリアセチレンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247116A true JPH0247116A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16387373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19821388A Pending JPH0247116A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポリアセチレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247116A (ja) |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19821388A patent/JPH0247116A/ja active Pending
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