JPH0246705A - コバルトフェライト磁性薄膜 - Google Patents
コバルトフェライト磁性薄膜Info
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- JPH0246705A JPH0246705A JP63197175A JP19717588A JPH0246705A JP H0246705 A JPH0246705 A JP H0246705A JP 63197175 A JP63197175 A JP 63197175A JP 19717588 A JP19717588 A JP 19717588A JP H0246705 A JPH0246705 A JP H0246705A
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Landscapes
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気効果を有し光磁気記録媒体、磁気光学素
子等に用いられる新規なコバルトフェライト磁性薄膜に
関する。
子等に用いられる新規なコバルトフェライト磁性薄膜に
関する。
［従来の技術］
コバルトフェライトが光磁気効果を有する磁性体である
ことは公知である（特開昭５９−７９４４７号）。コバ
ルトフェライト薄膜の製造法としてはスパッタ法［１コ
本応用磁気学会誌、９゜１３３（１９８５） ］ 、ス
プレー熱分解法（ＩＥＥＥトランザクション オン マ
グネティックス、ＭＡＧ−２０、Ｎｏ、５．９月、１９
８４．１００７）が公知である。
ことは公知である（特開昭５９−７９４４７号）。コバ
ルトフェライト薄膜の製造法としてはスパッタ法［１コ
本応用磁気学会誌、９゜１３３（１９８５） ］ 、ス
プレー熱分解法（ＩＥＥＥトランザクション オン マ
グネティックス、ＭＡＧ−２０、Ｎｏ、５．９月、１９
８４．１００７）が公知である。
コバルトフェライトをコバルト並びに鉄化合物溶液から
合成する方法は公知である［ジャーナル オン マグネ
ティック アンド マグネティック マテリアルズ１５
−１８ （１９８０） １１１７］。
合成する方法は公知である［ジャーナル オン マグネ
ティック アンド マグネティック マテリアルズ１５
−１８ （１９８０） １１１７］。
コバルトフェライト磁性薄膜の基板材料としては成型生
産性が優れているためプラスティックスが望ましいが、
スパッタ法、スプレー熱分解法により製膜する場合、基
板の温度がその変形温度を越してしまうことが多い。
産性が優れているためプラスティックスが望ましいが、
スパッタ法、スプレー熱分解法により製膜する場合、基
板の温度がその変形温度を越してしまうことが多い。
コバルトフェライト粒子分散液を塗布して製膜する場合
はこのような危険はないが、薄膜を光磁気素子として用
いる場合、ノイズが大きく、Ｃ／Ｎ比が低いという欠点
がある。
はこのような危険はないが、薄膜を光磁気素子として用
いる場合、ノイズが大きく、Ｃ／Ｎ比が低いという欠点
がある。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、その製造過、程で基板の温度を上昇させるこ
とがなく、しかも、薄膜を光磁気素子として用いた場合
に、ノイズが大きくないコバルトフェライト磁性薄膜を
提供しようとするものである。
とがなく、しかも、薄膜を光磁気素子として用いた場合
に、ノイズが大きくないコバルトフェライト磁性薄膜を
提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記従来技術のような問題点のないコバル
トフェライト磁性薄膜についで鋭意検討した結果、粒径
が０．２μｍ以下のコバルトフェライト粒子の分散液を
基板に塗布したコバルトフェライト薄膜を光磁気記録媒
体として用いた場合には、ノイズが小さいことを見いだ
し本発明に到達した。
トフェライト磁性薄膜についで鋭意検討した結果、粒径
が０．２μｍ以下のコバルトフェライト粒子の分散液を
基板に塗布したコバルトフェライト薄膜を光磁気記録媒
体として用いた場合には、ノイズが小さいことを見いだ
し本発明に到達した。
本発明のコバルトフェライトはＣＯ、−ＸＦｅ２＋ｘＯ
４、ただし、Ｘは−２を超え１未満である。
４、ただし、Ｘは−２を超え１未満である。
本発明のコバルトフェライト磁性薄膜の製法を例示する
と、粒径０．２μＩを超える粒子を除去したコバルトフ
ェライト粉体の分散液を基板に塗布、乾燥する。コバル
トフェライトの製造は公知のどの様な方法でもよく、例
えば、コバルト並びに鉄化合物の溶液に沈澱剤を加えて
析出させる共沈法がある。コバルト並びに鉄化合物とし
ては硝酸塩、硫酸塩、塩酸塩などの塩類、アセチルアセ
トナート錯体などの錯化合物が用いられ、アセチルアセ
トナート錯体を用いると純度の高いコバルトフェライト
が得られるのでさらに好ましい。
と、粒径０．２μＩを超える粒子を除去したコバルトフ
ェライト粉体の分散液を基板に塗布、乾燥する。コバル
トフェライトの製造は公知のどの様な方法でもよく、例
えば、コバルト並びに鉄化合物の溶液に沈澱剤を加えて
析出させる共沈法がある。コバルト並びに鉄化合物とし
ては硝酸塩、硫酸塩、塩酸塩などの塩類、アセチルアセ
トナート錯体などの錯化合物が用いられ、アセチルアセ
トナート錯体を用いると純度の高いコバルトフェライト
が得られるのでさらに好ましい。
粒径が０．２μｍを超える粒子を実質的に含まないコバ
ルトフェライト粒子を調製するにはコバルトフェライト
分散液より ０．２μｍを超えるコバルトフェライト粒
子を沈降法、濾過法等により分離するのがよく、沈降法
が好ましい分離法であり、この際、遠心力を加えると沈
降が促進されるので好ましい。
ルトフェライト粒子を調製するにはコバルトフェライト
分散液より ０．２μｍを超えるコバルトフェライト粒
子を沈降法、濾過法等により分離するのがよく、沈降法
が好ましい分離法であり、この際、遠心力を加えると沈
降が促進されるので好ましい。
コバルトフェライトの粒径は走査型電子顕微鏡観察によ
り求められる。
り求められる。
沈降分離あるいは塗布に用いる分散媒はコバルトフェラ
イトと反応しない分散媒であればなんでもよい。例えば
、水、エタノールなどのアルコール類、ケトン類、エス
テル類あるいはこれらの混合物が用いられる。沈降分離
と塗布工程で同じ分散媒を用いても異なる分散媒を用い
てもよいが、同じ分散媒を用いる方が好都合である。
イトと反応しない分散媒であればなんでもよい。例えば
、水、エタノールなどのアルコール類、ケトン類、エス
テル類あるいはこれらの混合物が用いられる。沈降分離
と塗布工程で同じ分散媒を用いても異なる分散媒を用い
てもよいが、同じ分散媒を用いる方が好都合である。
粒径が０．２μｍを超えるコバルトフェライト粒子が含
まれると、光磁気記録媒体等として用いた場合のノズル
が大きく、かつ、薄膜がひび割れを起こし易い。本発明
の磁性薄膜は粒径０．２μｌを超すコバルトフェライト
粒子を実質的に含まないため、ひび割れのない精密な薄
膜が形成でき、ノイズが小さい。
まれると、光磁気記録媒体等として用いた場合のノズル
が大きく、かつ、薄膜がひび割れを起こし易い。本発明
の磁性薄膜は粒径０．２μｌを超すコバルトフェライト
粒子を実質的に含まないため、ひび割れのない精密な薄
膜が形成でき、ノイズが小さい。
本発明の磁性薄膜は透明な基板上に製膜する。
基板はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アモルフ
ァスポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂
、各種透明なガラス類などが用いられるが、透明な樹脂
が好適な基板である。
ァスポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂
、各種透明なガラス類などが用いられるが、透明な樹脂
が好適な基板である。
基板の大きさは用途に応じて選択され、厚さは、通常、
０．５ないし３ｍｍのものが用いられる。
０．５ないし３ｍｍのものが用いられる。
本発明のコバルトフェライト薄膜の厚さは０．０３ない
し １μｍが望ましく 、０．０５ないし０．５μｍが
さらに望ましい。
し １μｍが望ましく 、０．０５ないし０．５μｍが
さらに望ましい。
［実施例］
次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施例
により限定されるものではない。
により限定されるものではない。
実施例１
コバルト（ｎ）アセチルアセトナート ０．１８７ｓｏ
ｌ／ｌと鉄（ｍ）アセチルアセトナート０．０９３ａ＋
ｏｌ／１を含むエタノール中に１３％アンモニア水を加
え、生成したコバルトフェライトの沈澱を分離し、乾燥
後、３５０℃で５時間加熱した。
ｌ／ｌと鉄（ｍ）アセチルアセトナート０．０９３ａ＋
ｏｌ／１を含むエタノール中に１３％アンモニア水を加
え、生成したコバルトフェライトの沈澱を分離し、乾燥
後、３５０℃で５時間加熱した。
得られたコバルトフェライト粒子１０ｇを水５０１中に
分散させ、回転速度１５００ｒｐｍの遠心分離機で２分
間沈降分離処理した。
分散させ、回転速度１５００ｒｐｍの遠心分離機で２分
間沈降分離処理した。
上澄み液を石英ガラス板に塗布し、乾燥した。
光沢のあるコバルトフェライトの薄膜が得られた。この
薄膜の厚さはｌＯμｌであり、走査電子顕微鏡による観
察では０．２μｍを超える粒子は含まれていず、体積平
均０．１８μｍの緻密な膜であった。８３３ｎｍのレー
ザ光を用いてこの磁場内での薄膜のファライデー回転角
を測定し、その結果を第１図に示した。
薄膜の厚さはｌＯμｌであり、走査電子顕微鏡による観
察では０．２μｍを超える粒子は含まれていず、体積平
均０．１８μｍの緻密な膜であった。８３３ｎｍのレー
ザ光を用いてこの磁場内での薄膜のファライデー回転角
を測定し、その結果を第１図に示した。
実施例２
ポリカーボネート円盤を基板として、実施例１と同様に
して光沢のある緻密なコバルトフェライト薄膜を得た。
して光沢のある緻密なコバルトフェライト薄膜を得た。
この薄膜の磁場内でのファラブー回転角を実施例１と同
様にして測定し、その結果を第２図に示した。
様にして測定し、その結果を第２図に示した。
比較例１
コバルトフェライト分散液を実施例１と同様にして製造
し、塗布液とした。その分散液の沈降分離操作を行なわ
ずに、石英ガラス板に塗布した。
し、塗布液とした。その分散液の沈降分離操作を行なわ
ずに、石英ガラス板に塗布した。
得られた薄膜には光沢がなく、走査電子顕微鏡観察によ
ると、０．２μｍを超える粒子が７０ｖｏ１％含まれて
おり、幅１０μｍ程度のひび割れが多数認められた。８
３３ｎｍのレーザ光の透過はほとんどなかった。
ると、０．２μｍを超える粒子が７０ｖｏ１％含まれて
おり、幅１０μｍ程度のひび割れが多数認められた。８
３３ｎｍのレーザ光の透過はほとんどなかった。
比較例２
実施例１と同様な方法でコバルトフェライト分散液を調
製した。但し、遠心分離操作の代わりに１２時間静置し
たコバルトフェライト分散液の上澄みを石英ガラス板に
塗布して製膜した。
製した。但し、遠心分離操作の代わりに１２時間静置し
たコバルトフェライト分散液の上澄みを石英ガラス板に
塗布して製膜した。
走査電子顕微鏡観察に依れば、０．２μｍを超え、最大
１μｍの粒子が５０ｖｏ１％含まれていた。
１μｍの粒子が５０ｖｏ１％含まれていた。
８３３ｎｍのレーザ光を用いて磁場内でのファラデー回
転角を求め、第３図に示した。第１図と比較すると明ら
かなようにノイズが大きい。
転角を求め、第３図に示した。第１図と比較すると明ら
かなようにノイズが大きい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の磁性薄膜は粒径０．２μ囮
を超えるコバルトフェライト粒子を除去した分散液を基
板に塗布したコバルトフェライト磁性薄膜であり、磁気
光学効果が大きく、かつ、ノイズが小さい。さらに、本
発明の磁性薄膜は耐熱性の低いプラスチック基板上に容
品に製膜する事ができる。
を超えるコバルトフェライト粒子を除去した分散液を基
板に塗布したコバルトフェライト磁性薄膜であり、磁気
光学効果が大きく、かつ、ノイズが小さい。さらに、本
発明の磁性薄膜は耐熱性の低いプラスチック基板上に容
品に製膜する事ができる。
第１図ないし第３図は、それぞれ、実施例１．２比較例
２で得たコバルトフェライト磁性薄膜のファラデー回転
角と磁場強度との関係を示したグラフである。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
２で得たコバルトフェライト磁性薄膜のファラデー回転
角と磁場強度との関係を示したグラフである。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (1)
- 粒径が０．２μｍ以下のコバルトフェライト粒子の分散
液を基板に塗布してなるコバルトフェライト磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63197175A JPH0246705A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | コバルトフェライト磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63197175A JPH0246705A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | コバルトフェライト磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246705A true JPH0246705A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16370048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63197175A Pending JPH0246705A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | コバルトフェライト磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0920205A4 (en) * | 1997-06-20 | 2004-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | DIGITAL DATA TRANSMITTER AND RELATED TRANSMISSION METHOD |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435900A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-16 | Philips Nv | Method of forming magnetooptical polycrystalline cobalt ferrite layer on substrate |
| JPS58199724A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Sentan Kako Kikai Gijutsu Shinko Kyokai | フエライトの製造方法 |
| JPS62216923A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性体超微粒子の製造方法 |
| JPS6417242A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Seiko Epson Corp | Production of magneto-optical recording medium |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP63197175A patent/JPH0246705A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435900A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-16 | Philips Nv | Method of forming magnetooptical polycrystalline cobalt ferrite layer on substrate |
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