JPH0246705A - コバルトフェライト磁性薄膜 - Google Patents
コバルトフェライト磁性薄膜Info
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- JPH0246705A JPH0246705A JP63197175A JP19717588A JPH0246705A JP H0246705 A JPH0246705 A JP H0246705A JP 63197175 A JP63197175 A JP 63197175A JP 19717588 A JP19717588 A JP 19717588A JP H0246705 A JPH0246705 A JP H0246705A
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Landscapes
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光磁気効果を有し光磁気記録媒体、磁気光学素
子等に用いられる新規なコバルトフェライト磁性薄膜に
関する。
子等に用いられる新規なコバルトフェライト磁性薄膜に
関する。
[従来の技術]
コバルトフェライトが光磁気効果を有する磁性体である
ことは公知である(特開昭59−79447号)。コバ
ルトフェライト薄膜の製造法としてはスパッタ法[1コ
本応用磁気学会誌、9゜133(1985) ] 、ス
プレー熱分解法(IEEEトランザクション オン マ
グネティックス、MAG−20、No、5.9月、19
84.1007)が公知である。
ことは公知である(特開昭59−79447号)。コバ
ルトフェライト薄膜の製造法としてはスパッタ法[1コ
本応用磁気学会誌、9゜133(1985) ] 、ス
プレー熱分解法(IEEEトランザクション オン マ
グネティックス、MAG−20、No、5.9月、19
84.1007)が公知である。
コバルトフェライトをコバルト並びに鉄化合物溶液から
合成する方法は公知である[ジャーナル オン マグネ
ティック アンド マグネティック マテリアルズ15
−18 (1980) 1117]。
合成する方法は公知である[ジャーナル オン マグネ
ティック アンド マグネティック マテリアルズ15
−18 (1980) 1117]。
コバルトフェライト磁性薄膜の基板材料としては成型生
産性が優れているためプラスティックスが望ましいが、
スパッタ法、スプレー熱分解法により製膜する場合、基
板の温度がその変形温度を越してしまうことが多い。
産性が優れているためプラスティックスが望ましいが、
スパッタ法、スプレー熱分解法により製膜する場合、基
板の温度がその変形温度を越してしまうことが多い。
コバルトフェライト粒子分散液を塗布して製膜する場合
はこのような危険はないが、薄膜を光磁気素子として用
いる場合、ノイズが大きく、C/N比が低いという欠点
がある。
はこのような危険はないが、薄膜を光磁気素子として用
いる場合、ノイズが大きく、C/N比が低いという欠点
がある。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、その製造過、程で基板の温度を上昇させるこ
とがなく、しかも、薄膜を光磁気素子として用いた場合
に、ノイズが大きくないコバルトフェライト磁性薄膜を
提供しようとするものである。
とがなく、しかも、薄膜を光磁気素子として用いた場合
に、ノイズが大きくないコバルトフェライト磁性薄膜を
提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは上記従来技術のような問題点のないコバル
トフェライト磁性薄膜についで鋭意検討した結果、粒径
が0.2μm以下のコバルトフェライト粒子の分散液を
基板に塗布したコバルトフェライト薄膜を光磁気記録媒
体として用いた場合には、ノイズが小さいことを見いだ
し本発明に到達した。
トフェライト磁性薄膜についで鋭意検討した結果、粒径
が0.2μm以下のコバルトフェライト粒子の分散液を
基板に塗布したコバルトフェライト薄膜を光磁気記録媒
体として用いた場合には、ノイズが小さいことを見いだ
し本発明に到達した。
本発明のコバルトフェライトはCO、−XFe2+xO
4、ただし、Xは−2を超え1未満である。
4、ただし、Xは−2を超え1未満である。
本発明のコバルトフェライト磁性薄膜の製法を例示する
と、粒径0.2μIを超える粒子を除去したコバルトフ
ェライト粉体の分散液を基板に塗布、乾燥する。コバル
トフェライトの製造は公知のどの様な方法でもよく、例
えば、コバルト並びに鉄化合物の溶液に沈澱剤を加えて
析出させる共沈法がある。コバルト並びに鉄化合物とし
ては硝酸塩、硫酸塩、塩酸塩などの塩類、アセチルアセ
トナート錯体などの錯化合物が用いられ、アセチルアセ
トナート錯体を用いると純度の高いコバルトフェライト
が得られるのでさらに好ましい。
と、粒径0.2μIを超える粒子を除去したコバルトフ
ェライト粉体の分散液を基板に塗布、乾燥する。コバル
トフェライトの製造は公知のどの様な方法でもよく、例
えば、コバルト並びに鉄化合物の溶液に沈澱剤を加えて
析出させる共沈法がある。コバルト並びに鉄化合物とし
ては硝酸塩、硫酸塩、塩酸塩などの塩類、アセチルアセ
トナート錯体などの錯化合物が用いられ、アセチルアセ
トナート錯体を用いると純度の高いコバルトフェライト
が得られるのでさらに好ましい。
粒径が0.2μmを超える粒子を実質的に含まないコバ
ルトフェライト粒子を調製するにはコバルトフェライト
分散液より 0.2μmを超えるコバルトフェライト粒
子を沈降法、濾過法等により分離するのがよく、沈降法
が好ましい分離法であり、この際、遠心力を加えると沈
降が促進されるので好ましい。
ルトフェライト粒子を調製するにはコバルトフェライト
分散液より 0.2μmを超えるコバルトフェライト粒
子を沈降法、濾過法等により分離するのがよく、沈降法
が好ましい分離法であり、この際、遠心力を加えると沈
降が促進されるので好ましい。
コバルトフェライトの粒径は走査型電子顕微鏡観察によ
り求められる。
り求められる。
沈降分離あるいは塗布に用いる分散媒はコバルトフェラ
イトと反応しない分散媒であればなんでもよい。例えば
、水、エタノールなどのアルコール類、ケトン類、エス
テル類あるいはこれらの混合物が用いられる。沈降分離
と塗布工程で同じ分散媒を用いても異なる分散媒を用い
てもよいが、同じ分散媒を用いる方が好都合である。
イトと反応しない分散媒であればなんでもよい。例えば
、水、エタノールなどのアルコール類、ケトン類、エス
テル類あるいはこれらの混合物が用いられる。沈降分離
と塗布工程で同じ分散媒を用いても異なる分散媒を用い
てもよいが、同じ分散媒を用いる方が好都合である。
粒径が0.2μmを超えるコバルトフェライト粒子が含
まれると、光磁気記録媒体等として用いた場合のノズル
が大きく、かつ、薄膜がひび割れを起こし易い。本発明
の磁性薄膜は粒径0.2μlを超すコバルトフェライト
粒子を実質的に含まないため、ひび割れのない精密な薄
膜が形成でき、ノイズが小さい。
まれると、光磁気記録媒体等として用いた場合のノズル
が大きく、かつ、薄膜がひび割れを起こし易い。本発明
の磁性薄膜は粒径0.2μlを超すコバルトフェライト
粒子を実質的に含まないため、ひび割れのない精密な薄
膜が形成でき、ノイズが小さい。
本発明の磁性薄膜は透明な基板上に製膜する。
基板はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アモルフ
ァスポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂
、各種透明なガラス類などが用いられるが、透明な樹脂
が好適な基板である。
ァスポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の透明な樹脂
、各種透明なガラス類などが用いられるが、透明な樹脂
が好適な基板である。
基板の大きさは用途に応じて選択され、厚さは、通常、
0.5ないし3mmのものが用いられる。
0.5ないし3mmのものが用いられる。
本発明のコバルトフェライト薄膜の厚さは0.03ない
し 1μmが望ましく 、0.05ないし0.5μmが
さらに望ましい。
し 1μmが望ましく 、0.05ないし0.5μmが
さらに望ましい。
[実施例]
次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施例
により限定されるものではない。
により限定されるものではない。
実施例1
コバルト(n)アセチルアセトナート 0.187so
l/lと鉄(m)アセチルアセトナート0.093a+
ol/1を含むエタノール中に13%アンモニア水を加
え、生成したコバルトフェライトの沈澱を分離し、乾燥
後、350℃で5時間加熱した。
l/lと鉄(m)アセチルアセトナート0.093a+
ol/1を含むエタノール中に13%アンモニア水を加
え、生成したコバルトフェライトの沈澱を分離し、乾燥
後、350℃で5時間加熱した。
得られたコバルトフェライト粒子10gを水501中に
分散させ、回転速度1500rpmの遠心分離機で2分
間沈降分離処理した。
分散させ、回転速度1500rpmの遠心分離機で2分
間沈降分離処理した。
上澄み液を石英ガラス板に塗布し、乾燥した。
光沢のあるコバルトフェライトの薄膜が得られた。この
薄膜の厚さはlOμlであり、走査電子顕微鏡による観
察では0.2μmを超える粒子は含まれていず、体積平
均0.18μmの緻密な膜であった。833nmのレー
ザ光を用いてこの磁場内での薄膜のファライデー回転角
を測定し、その結果を第1図に示した。
薄膜の厚さはlOμlであり、走査電子顕微鏡による観
察では0.2μmを超える粒子は含まれていず、体積平
均0.18μmの緻密な膜であった。833nmのレー
ザ光を用いてこの磁場内での薄膜のファライデー回転角
を測定し、その結果を第1図に示した。
実施例2
ポリカーボネート円盤を基板として、実施例1と同様に
して光沢のある緻密なコバルトフェライト薄膜を得た。
して光沢のある緻密なコバルトフェライト薄膜を得た。
この薄膜の磁場内でのファラブー回転角を実施例1と同
様にして測定し、その結果を第2図に示した。
様にして測定し、その結果を第2図に示した。
比較例1
コバルトフェライト分散液を実施例1と同様にして製造
し、塗布液とした。その分散液の沈降分離操作を行なわ
ずに、石英ガラス板に塗布した。
し、塗布液とした。その分散液の沈降分離操作を行なわ
ずに、石英ガラス板に塗布した。
得られた薄膜には光沢がなく、走査電子顕微鏡観察によ
ると、0.2μmを超える粒子が70vo1%含まれて
おり、幅10μm程度のひび割れが多数認められた。8
33nmのレーザ光の透過はほとんどなかった。
ると、0.2μmを超える粒子が70vo1%含まれて
おり、幅10μm程度のひび割れが多数認められた。8
33nmのレーザ光の透過はほとんどなかった。
比較例2
実施例1と同様な方法でコバルトフェライト分散液を調
製した。但し、遠心分離操作の代わりに12時間静置し
たコバルトフェライト分散液の上澄みを石英ガラス板に
塗布して製膜した。
製した。但し、遠心分離操作の代わりに12時間静置し
たコバルトフェライト分散液の上澄みを石英ガラス板に
塗布して製膜した。
走査電子顕微鏡観察に依れば、0.2μmを超え、最大
1μmの粒子が50vo1%含まれていた。
1μmの粒子が50vo1%含まれていた。
833nmのレーザ光を用いて磁場内でのファラデー回
転角を求め、第3図に示した。第1図と比較すると明ら
かなようにノイズが大きい。
転角を求め、第3図に示した。第1図と比較すると明ら
かなようにノイズが大きい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の磁性薄膜は粒径0.2μ囮
を超えるコバルトフェライト粒子を除去した分散液を基
板に塗布したコバルトフェライト磁性薄膜であり、磁気
光学効果が大きく、かつ、ノイズが小さい。さらに、本
発明の磁性薄膜は耐熱性の低いプラスチック基板上に容
品に製膜する事ができる。
を超えるコバルトフェライト粒子を除去した分散液を基
板に塗布したコバルトフェライト磁性薄膜であり、磁気
光学効果が大きく、かつ、ノイズが小さい。さらに、本
発明の磁性薄膜は耐熱性の低いプラスチック基板上に容
品に製膜する事ができる。
第1図ないし第3図は、それぞれ、実施例1.2比較例
2で得たコバルトフェライト磁性薄膜のファラデー回転
角と磁場強度との関係を示したグラフである。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
2で得たコバルトフェライト磁性薄膜のファラデー回転
角と磁場強度との関係を示したグラフである。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (1)
- 粒径が0.2μm以下のコバルトフェライト粒子の分散
液を基板に塗布してなるコバルトフェライト磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63197175A JPH0246705A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | コバルトフェライト磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63197175A JPH0246705A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | コバルトフェライト磁性薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0246705A true JPH0246705A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16370048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63197175A Pending JPH0246705A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | コバルトフェライト磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0246705A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0920205A4 (en) * | 1997-06-20 | 2004-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | DIGITAL DATA TRANSMITTER AND RELATED TRANSMISSION METHOD |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5435900A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-16 | Philips Nv | Method of forming magnetooptical polycrystalline cobalt ferrite layer on substrate |
JPS58199724A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Sentan Kako Kikai Gijutsu Shinko Kyokai | フエライトの製造方法 |
JPS62216923A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁性体超微粒子の製造方法 |
JPS6417242A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Seiko Epson Corp | Production of magneto-optical recording medium |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP63197175A patent/JPH0246705A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5435900A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-16 | Philips Nv | Method of forming magnetooptical polycrystalline cobalt ferrite layer on substrate |
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---|---|---|---|---|
EP0920205A4 (en) * | 1997-06-20 | 2004-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | DIGITAL DATA TRANSMITTER AND RELATED TRANSMISSION METHOD |
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