JPH0246644A - イオン電流重心算定方法 - Google Patents
イオン電流重心算定方法Info
- Publication number
- JPH0246644A JPH0246644A JP19549488A JP19549488A JPH0246644A JP H0246644 A JPH0246644 A JP H0246644A JP 19549488 A JP19549488 A JP 19549488A JP 19549488 A JP19549488 A JP 19549488A JP H0246644 A JPH0246644 A JP H0246644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- center
- gravity
- shielding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005484 gravity Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000009795 derivation Methods 0.000 title 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 38
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 38
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract description 7
- CLOMYZFHNHFSIQ-UHFFFAOYSA-N clonixin Chemical compound CC1=C(Cl)C=CC=C1NC1=NC=CC=C1C(O)=O CLOMYZFHNHFSIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、複数のウェーハを搭載した回転円盤を軸ま
わりに回転させつつ該円盤の面に垂直方向に生じている
イオンビームとの該円盤面内一方向の相対移動によりイ
オンビームを横切らせてウェーハにイオンを注入すると
ともに該円盤の前後側にイオンビームの照射により該ビ
ームのイオン電流を検出するイオン電流検出手段を備え
たイオン注入装置における打込みドーズ量（ウェーハに
注入されたイオン数の密度）一定制御において特に重要
な要素となるイオン電流の重心位置の算定方法に関する
。
わりに回転させつつ該円盤の面に垂直方向に生じている
イオンビームとの該円盤面内一方向の相対移動によりイ
オンビームを横切らせてウェーハにイオンを注入すると
ともに該円盤の前後側にイオンビームの照射により該ビ
ームのイオン電流を検出するイオン電流検出手段を備え
たイオン注入装置における打込みドーズ量（ウェーハに
注入されたイオン数の密度）一定制御において特に重要
な要素となるイオン電流の重心位置の算定方法に関する
。
−Ｊｌ的なイオン注入装置の打込み室の構成を第６図に
示す、第６８！ｌＩの構成による打込み方式はバッチ式
メカニカルスキャン方式と呼ばれ、量産型のイオン注入
装置で最も曽及しているタイプである。イオン流（以下
イオンビームもしくは単にビームと称す）４は一定位置
に固定され、周方向に間隔をおいて複数のウェーハ２を
搭載した回転円盤（以下ディスクと称する）１を駆動モ
ータ５で回転軸１ａまわりに一定回転数で回転させなが
らディスクの面内一方向に速度Ｖで徐々に移動させてビ
ーム４を横切らせ、イオンをウェーハ２に注入していく
方式である。
示す、第６８！ｌＩの構成による打込み方式はバッチ式
メカニカルスキャン方式と呼ばれ、量産型のイオン注入
装置で最も曽及しているタイプである。イオン流（以下
イオンビームもしくは単にビームと称す）４は一定位置
に固定され、周方向に間隔をおいて複数のウェーハ２を
搭載した回転円盤（以下ディスクと称する）１を駆動モ
ータ５で回転軸１ａまわりに一定回転数で回転させなが
らディスクの面内一方向に速度Ｖで徐々に移動させてビ
ーム４を横切らせ、イオンをウェーハ２に注入していく
方式である。
この方式に従って打ち込まれた場合の打込みドーズ量は
、 Ｉ■ Ｄ麿 ・・−・−・・−・・−・−
・−−−−−一・・・・−・（１）２πｑ’ｖ’ｒ で表される。ここで、ＤＸ打込みドーズ量（イオン数／
ａｊ）、［１：ビームの電流値（Ａ） 、 ｑ ：イオ
ンの電荷量（Ｃ）、ｖ：ディスクの面内一方向移動速度
（ｃｍ／ｓ）、 ｒ ：ディスク中心からビームまで
の距離（ａｍ）であり、ビームはディスク面で１点に集
中しているものとしている。打込みに際しては、ウェー
ハ２の全表面にわたりＤが指定値になるように制御する
ため、（１）式を（２）式のように変形し、ｒと！、と
を測定してＶを制御することになる。
、 Ｉ■ Ｄ麿 ・・−・−・・−・・−・−
・−−−−−一・・・・−・（１）２πｑ’ｖ’ｒ で表される。ここで、ＤＸ打込みドーズ量（イオン数／
ａｊ）、［１：ビームの電流値（Ａ） 、 ｑ ：イオ
ンの電荷量（Ｃ）、ｖ：ディスクの面内一方向移動速度
（ｃｍ／ｓ）、 ｒ ：ディスク中心からビームまで
の距離（ａｍ）であり、ビームはディスク面で１点に集
中しているものとしている。打込みに際しては、ウェー
ハ２の全表面にわたりＤが指定値になるように制御する
ため、（１）式を（２）式のように変形し、ｒと！、と
を測定してＶを制御することになる。
（２）式に従って打込みドーズ量りがウェーハの全表面
に指定値になるように制御する際の問題点は次の通りで
ある。すなわち、偉）式から明らかなように、打込みド
ーズ量りは、■、の測定精度とともにｒの測定精度によ
り大きく左右される。ｒはディスク中心からビームまで
の距離であるが、実際のビームは広がりをもってディス
ク面を照射するから、ｒはビーム４の電流重心における
値でなければならない。
に指定値になるように制御する際の問題点は次の通りで
ある。すなわち、偉）式から明らかなように、打込みド
ーズ量りは、■、の測定精度とともにｒの測定精度によ
り大きく左右される。ｒはディスク中心からビームまで
の距離であるが、実際のビームは広がりをもってディス
ク面を照射するから、ｒはビーム４の電流重心における
値でなければならない。
従来は、マルチファラデイと称するイオン電流検出手段
３ （以下ファラデイカツブと称す）の照射面を互いに
絶縁された小さな電極に細分化したものを用い、それぞ
れの電極に流入した電流を測定して重心を測定する方法
や、あえて測定方法をもたず注入後の評価試験によって
補正する方法がとられていた。しかしながら、前者の方
法は装置が高価で複雑な上に重心の計算精度が粗く、し
かもビーム電流の絶対量を測定するために別の手段を講
じなければならないという欠点があった。また、後者の
方法は、注入条件の再現性の良くない不安定な装置や経
時変化の大きい装置では使えないという問題があった。
３ （以下ファラデイカツブと称す）の照射面を互いに
絶縁された小さな電極に細分化したものを用い、それぞ
れの電極に流入した電流を測定して重心を測定する方法
や、あえて測定方法をもたず注入後の評価試験によって
補正する方法がとられていた。しかしながら、前者の方
法は装置が高価で複雑な上に重心の計算精度が粗く、し
かもビーム電流の絶対量を測定するために別の手段を講
じなければならないという欠点があった。また、後者の
方法は、注入条件の再現性の良くない不安定な装置や経
時変化の大きい装置では使えないという問題があった。
この発明の目的は、複雑な装置を用いることな（、比較
的簡便に電流重心の算定が可能な方法を提供することで
ある。
的簡便に電流重心の算定が可能な方法を提供することで
ある。
上記！ｌｌ！題を解決するために、この発明によれば、
イオン電流検出手段のイオンビーム側に、ディスクの移
動方向、広くはディスクとイオンビームとの相対移動方
向と同一方向に移動してイオンビームのイオン電流検出
手段の照射を遮蔽する遮蔽板を配し、この遮蔽板を上記
の方向に移動させつつ移動方向微小区間ごとに遮蔽板に
遮蔽されずにイオン電流検出手段を照射しているイオン
ビーム部分の電流を計測し、この計測値を用いてイオン
電流の重心を算定する方法をとるものとする。
イオン電流検出手段のイオンビーム側に、ディスクの移
動方向、広くはディスクとイオンビームとの相対移動方
向と同一方向に移動してイオンビームのイオン電流検出
手段の照射を遮蔽する遮蔽板を配し、この遮蔽板を上記
の方向に移動させつつ移動方向微小区間ごとに遮蔽板に
遮蔽されずにイオン電流検出手段を照射しているイオン
ビーム部分の電流を計測し、この計測値を用いてイオン
電流の重心を算定する方法をとるものとする。
イオン電流検出手段のイオンビーム側にこのような遮蔽
板を配し、この遮蔽板をディスクとイオンビームとの相
対移動方向と同一方向に移動させつつ移動方向微小区間
ごとに遮蔽板に遮蔽されずを にイオン電流検出手段今照射しているイオンビーム部分
の電流を計測すると、次式（式の誘導は実施例の図とと
もに実施例の項で説明する）により、電流の重心位置を
求めることができる。
板を配し、この遮蔽板をディスクとイオンビームとの相
対移動方向と同一方向に移動させつつ移動方向微小区間
ごとに遮蔽板に遮蔽されずを にイオン電流検出手段今照射しているイオンビーム部分
の電流を計測すると、次式（式の誘導は実施例の図とと
もに実施例の項で説明する）により、電流の重心位置を
求めることができる。
ここで、ｒはディスク中心から電流重心までの距離＋Ｒ
Ｉは、遮蔽板が第６図におけるイオンビーム４の左方に
配され、右方へ水平に移動することにより遮蔽の範囲を
増して行（ものとしたとき、遮蔽板のディスク側先端が
ファラデイカツブ３を全開放する位置にあるときのこの
遮蔽板先端のディスク中心からの距離、Δｒは遮蔽板を
移動させつつ移動方向微小区間ごとに遮蔽板に遮蔽され
ずにファラデイカツブ３を照射しているイオンビーム部
分の電流を計測する際の該微小区間の幅、■、１は１番
目の微小区間まで遮蔽されたときの、遮蔽されないでフ
ァラデイカツブを照射しているイオンビーム部分の電流
、１．はイオンビームの総電流である。
Ｉは、遮蔽板が第６図におけるイオンビーム４の左方に
配され、右方へ水平に移動することにより遮蔽の範囲を
増して行（ものとしたとき、遮蔽板のディスク側先端が
ファラデイカツブ３を全開放する位置にあるときのこの
遮蔽板先端のディスク中心からの距離、Δｒは遮蔽板を
移動させつつ移動方向微小区間ごとに遮蔽板に遮蔽され
ずにファラデイカツブ３を照射しているイオンビーム部
分の電流を計測する際の該微小区間の幅、■、１は１番
目の微小区間まで遮蔽されたときの、遮蔽されないでフ
ァラデイカツブを照射しているイオンビーム部分の電流
、１．はイオンビームの総電流である。
第１図および第２図に本発明の一実施例を示す。
ここで、第１図はファラデイカツブのイオンビーム側に
配される遮蔽板の位置と、広がりをもつイオンビーム内
の電流密度分布例とを示し、第２図は遮蔽板の形状例を
示す、以下これらの図を参照しつつイオン電流の重心算
定方法を説明する。
配される遮蔽板の位置と、広がりをもつイオンビーム内
の電流密度分布例とを示し、第２図は遮蔽板の形状例を
示す、以下これらの図を参照しつつイオン電流の重心算
定方法を説明する。
遮蔽板８の左端部に固設された移動ナラ）８ｍと螺合す
るねじ捧９ａを駆動モータ９で回転させてウェーハ２と
ほぼ同一面内にある遮蔽板８を微小距離Δｒづつ、ファ
ラデイカツブ３を全開放する位置Ｒ１から全遮蔽する位
置Ｒ，まで移動させる。
るねじ捧９ａを駆動モータ９で回転させてウェーハ２と
ほぼ同一面内にある遮蔽板８を微小距離Δｒづつ、ファ
ラデイカツブ３を全開放する位置Ｒ１から全遮蔽する位
置Ｒ，まで移動させる。
電流の重心位置７は、それぞれの微小区間電流を１１１
＋ イオンビームの総電流を■、とすると、Σ■麿直Ｒ
１ ７ｇ−・−・・−−−−−−・−・−・−・−・・・（
舶で表される。又、第１図におけるＴ１４は、遮蔽板８
の先端が１番目の微小区間まで遮蔽したと専のファラデ
イカツブ３の検出電流であり、−これらの定数を使うと
、 Ｉｍｉ＝Ｔｍ＋−＋−丁、盈 ・−・・−・・−−−−
・・・・・・・・・・・・−・（６）Ｒｔ −Ｒ１％
（ｒｉ ＋ ｒｔ−＋） ・・−’＝＋＋＋＋＋（６１
よって（４式は、 ！、ム“１ さらに、 Ｒｔ−Ｒ− Δｒ− ・−−−−−−−−−−−−（８） ｒ、−１ｌΔｒ −１・−−−−＝−・−・・・（９）
とすると、 ここで、ビームの広がり範囲に対し、Ｒ１，ＲＮは十分
な余裕をもってこの広がり範囲をカバーしているから、 ■１゜−Ｉｓ 、 Ｉｍ−’−０’ （１１
）となり、（４）式は最終的に、 となる、前述のように、Ｉｍはビーム４の総電流。
＋ イオンビームの総電流を■、とすると、Σ■麿直Ｒ
１ ７ｇ−・−・・−−−−−−・−・−・−・−・・・（
舶で表される。又、第１図におけるＴ１４は、遮蔽板８
の先端が１番目の微小区間まで遮蔽したと専のファラデ
イカツブ３の検出電流であり、−これらの定数を使うと
、 Ｉｍｉ＝Ｔｍ＋−＋−丁、盈 ・−・・−・・−−−−
・・・・・・・・・・・・−・（６）Ｒｔ −Ｒ１％
（ｒｉ ＋ ｒｔ−＋） ・・−’＝＋＋＋＋＋（６１
よって（４式は、 ！、ム“１ さらに、 Ｒｔ−Ｒ− Δｒ− ・−−−−−−−−−−−−（８） ｒ、−１ｌΔｒ −１・−−−−＝−・−・・・（９）
とすると、 ここで、ビームの広がり範囲に対し、Ｒ１，ＲＮは十分
な余裕をもってこの広がり範囲をカバーしているから、 ■１゜−Ｉｓ 、 Ｉｍ−’−０’ （１１
）となり、（４）式は最終的に、 となる、前述のように、Ｉｍはビーム４の総電流。
■□は遮蔽板８がｒ１位置にあるときのファラデイカツ
ブ３で測定される電流であり、これをｍ回測定すること
により（３）式から重心位置を算定することができる。
ブ３で測定される電流であり、これをｍ回測定すること
により（３）式から重心位置を算定することができる。
遮蔽板８の形状は第２図に例を示すように、ディスク１
の中心からウェーハ２の中心までの半径ｒで先端部を円
弧状に加工したものとすれば重心位置の算定誤差が小さ
くてすみ、また、ディスクｌに対しビーム４が十分小さ
ければ、上記円弧は直線で代用することができる。
の中心からウェーハ２の中心までの半径ｒで先端部を円
弧状に加工したものとすれば重心位置の算定誤差が小さ
くてすみ、また、ディスクｌに対しビーム４が十分小さ
ければ、上記円弧は直線で代用することができる。
第３図は、特に遮蔽板を設けず、ディスク１の一部を遮
蔽板として利用する方法を示す、ディスク１の一部にあ
らかじめウェーハ２を搭載しない部分Ａを設け、この部
分を遮蔽板として利用する。
蔽板として利用する方法を示す、ディスク１の一部にあ
らかじめウェーハ２を搭載しない部分Ａを設け、この部
分を遮蔽板として利用する。
ディスク１を、回転モータ５ （第６図）で回転駆動す
る前に図の位置で固定し、このままディスクの並進モー
タ７によりディスク１を徐々に移動させることにより、
前記と同一方法によるイオン電流の重心算定が可能であ
る。
る前に図の位置で固定し、このままディスクの並進モー
タ７によりディスク１を徐々に移動させることにより、
前記と同一方法によるイオン電流の重心算定が可能であ
る。
第４図および第５図に本発明の方法による重心算定のア
ルゴリズムを示す、第４図は基本式（４）１（５）、
（６１に従って重心を算定する場合を示す、この場合に
はΔｒは一定でなくてもよく、測定点の数を必要に応じ
て減らすことができる利点がある。
ルゴリズムを示す、第４図は基本式（４）１（５）、
（６１に従って重心を算定する場合を示す、この場合に
はΔｒは一定でなくてもよく、測定点の数を必要に応じ
て減らすことができる利点がある。
第５図は（３）式に従って重心を算定する場合を示す。
Δｒを一定とし、測定データの後処理を簡素化したもの
で、自動計測に遺している。
で、自動計測に遺している。
以上に述べたように、本発明によれば、複数のウェーハ
を搭載した回転円盤を軸まわりに回転させつつ該円盤の
面に垂直方向に生じているイオンビームとの該円盤面内
一方向の相対移動によりイオンビームを横切らせてウェ
ーハにイオンを注入するとともに該円盤の背後側にイオ
ンビームの照射により該ビームのイオン電流を検出する
イオン電流検出手段を備えたイオン注入装置における前
記イオン電流の重心算定を、前記イオン電流検出手段の
イオンビーム側に、前記回転円盤とイオンビームとの相
対移動方向と同一方向に移動してイオンビームのイオン
電流検出手段の照射を遮蔽する遮蔽板を配し、この遮蔽
板を前記方向に移動させつつ移動方向微小区間ごとに該
遮蔽板に遮蔽されずにイオン電流検出手段を照射してい
るイオンビーム部分の電流を計測し、この計測値を用い
て行うようにしたので、従来方法に比べ簡便でかつより
正確な重心算定が可能となり、例えば、測定回数すなわ
ち（４）式もしくは（初成におけるｍを１００とすれば
、１００個の微小電極を備えたマルチファラデイと比べ
て同等以上の精度が得られ、より精度の高いドーズ量一
定制御を行うことができる。
を搭載した回転円盤を軸まわりに回転させつつ該円盤の
面に垂直方向に生じているイオンビームとの該円盤面内
一方向の相対移動によりイオンビームを横切らせてウェ
ーハにイオンを注入するとともに該円盤の背後側にイオ
ンビームの照射により該ビームのイオン電流を検出する
イオン電流検出手段を備えたイオン注入装置における前
記イオン電流の重心算定を、前記イオン電流検出手段の
イオンビーム側に、前記回転円盤とイオンビームとの相
対移動方向と同一方向に移動してイオンビームのイオン
電流検出手段の照射を遮蔽する遮蔽板を配し、この遮蔽
板を前記方向に移動させつつ移動方向微小区間ごとに該
遮蔽板に遮蔽されずにイオン電流検出手段を照射してい
るイオンビーム部分の電流を計測し、この計測値を用い
て行うようにしたので、従来方法に比べ簡便でかつより
正確な重心算定が可能となり、例えば、測定回数すなわ
ち（４）式もしくは（初成におけるｍを１００とすれば
、１００個の微小電極を備えたマルチファラデイと比べ
て同等以上の精度が得られ、より精度の高いドーズ量一
定制御を行うことができる。
第１図は本発明によるイオン電流算定方法の原理を示す
もので、一実施例としてこの算定に係わる遮蔽板の配置
とイオンビーム内の電流密度分布例とを示す説明図、第
２図は遮蔽板形状の一実施例を示す説明図、第３図は遮
蔽板の第２の実施例を示す説明図、第４図および第５図
は零発゛明による重心算定のそれぞれ異なるアルゴリズ
ムを示す図、第６図は一般的なイオン注入装置の打込み
室の構成図１ある。 １：ディスク、１ａ：回転軸、２：ウェーハ、３！フア
ラデイカツブ（イオン電流検出手段）、４：イオンビー
ム （ビーム、イオン流）、８：遮第２図 第１図 第３図 第４図
もので、一実施例としてこの算定に係わる遮蔽板の配置
とイオンビーム内の電流密度分布例とを示す説明図、第
２図は遮蔽板形状の一実施例を示す説明図、第３図は遮
蔽板の第２の実施例を示す説明図、第４図および第５図
は零発゛明による重心算定のそれぞれ異なるアルゴリズ
ムを示す図、第６図は一般的なイオン注入装置の打込み
室の構成図１ある。 １：ディスク、１ａ：回転軸、２：ウェーハ、３！フア
ラデイカツブ（イオン電流検出手段）、４：イオンビー
ム （ビーム、イオン流）、８：遮第２図 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- １）複数のウェーハを搭載した回転円盤を軸まわりに回
転させつつ該円盤の面に垂直方向に生じているイオンビ
ームとの該円盤面内一方向の相対移動によりイオンビー
ムを横切らせてウェーハにイオンを注入するとともに該
円盤の背後側にイオンビームの照射により該ビームのイ
オン電流を検出するイオン電流検出手段を備えたイオン
注入装置における前記イオン電流の重心を算定する方法
であって、前記イオン電流検出手段のイオンビーム側に
、前記回転円盤とイオンビームとの相対移動方向と同一
方向に移動してイオンビームのイオン電流検出手段の照
射を遮蔽する遮蔽板を配し、この遮蔽板を前記方向に移
動させつつ移動方向微小区間ごとに該遮蔽板に遮蔽され
ずにイオン電流検出手段を照射しているイオンビーム部
分の電流を計測し、この計測値を用いてイオン電流の重
心を算定することを特徴とするイオン電流重心算定方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19549488A JPH0246644A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | イオン電流重心算定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19549488A JPH0246644A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | イオン電流重心算定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246644A true JPH0246644A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16342021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19549488A Pending JPH0246644A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | イオン電流重心算定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246644A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114289A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
| JP2007005779A (ja) * | 2005-05-24 | 2007-01-11 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム計測方法およびイオン注入装置 |
| JP2010526412A (ja) * | 2007-04-30 | 2010-07-29 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオンビームプロファイリング方法およびシステム |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19549488A patent/JPH0246644A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114289A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
| JP4562485B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2010-10-13 | 株式会社アルバック | イオン注入装置 |
| JP2007005779A (ja) * | 2005-05-24 | 2007-01-11 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム計測方法およびイオン注入装置 |
| JP4561690B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-10-13 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム計測方法およびイオン注入装置 |
| JP2010526412A (ja) * | 2007-04-30 | 2010-07-29 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオンビームプロファイリング方法およびシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11691031B2 (en) | Systems, methods, and devices for radiation beam asymmetry measurements using electronic portal imaging devices | |
| US10940333B2 (en) | Systems, methods, and devices for radiation beam alignment and radiation beam measurements using electronic portal imaging devices | |
| US6690022B2 (en) | Ion beam incidence angle and beam divergence monitor | |
| KR940009197B1 (ko) | 이온비임의 평행도 측정방법, 주사파형 정형방법 및 이온주입장치 | |
| JP2535214B2 (ja) | 放射線療法用の治療機械からの放射電磁界をチェックするための測定装置 | |
| JPH10226880A (ja) | イオン注入装置及びこれを用いたイオン注入量の計算方法、及び制御方法 | |
| EP1318857A1 (en) | Automated calibration for radiation dosimetry | |
| TWI433698B (zh) | 線量監視裝置的感度修正方法及粒子線治療裝置 | |
| Beavis et al. | Implementation of the Varian EDW into a commercial RTP system | |
| JPH0246644A (ja) | イオン電流重心算定方法 | |
| US7652270B2 (en) | Techniques for ion beam current measurement using a scanning beam current transformer | |
| US20230087238A1 (en) | Devices and methods for calibrating and controlling collimator leaves | |
| Curtin-Savard et al. | An electronic portal imaging device as a physics tool | |
| TW201009880A (en) | Method and apparatus for measurement of beam angle in ion implantation | |
| JPH0589811A (ja) | イオン注入均一性予測方法 | |
| US4362940A (en) | Zero displacement ionization chamber | |
| JP2970851B1 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH07169431A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0429180B2 (ja) | ||
| JP2630165B2 (ja) | イオン処理方法 | |
| JPH02123656A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0757683A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2716790B2 (ja) | ビーム進行方向測定装置 | |
| JPS60141870A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH02148547A (ja) | イオン注入装置 |