JPH0242725A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0242725A JPH0242725A JP19271688A JP19271688A JPH0242725A JP H0242725 A JPH0242725 A JP H0242725A JP 19271688 A JP19271688 A JP 19271688A JP 19271688 A JP19271688 A JP 19271688A JP H0242725 A JPH0242725 A JP H0242725A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高集積微細ＭＯＳデバイスの製造方法に係り、
特に耐放射線、耐ホツトキャリア現象に対して優れた半
導体装置の製造方法に関する。
特に耐放射線、耐ホツトキャリア現象に対して優れた半
導体装置の製造方法に関する。
従来の報告例によれば、耐放射線特性、耐ホツトキャリ
ア特性の優れたゲート絶縁膜が、常圧下での乾燥酸化中
あるいは酸化前のＳｉの表面にＦ又はＣｌを適当な量導
入することによって得られることが示されている。
ア特性の優れたゲート絶縁膜が、常圧下での乾燥酸化中
あるいは酸化前のＳｉの表面にＦ又はＣｌを適当な量導
入することによって得られることが示されている。
これらの報告の例としては１例えば、アイ・イー・イー
・イー、エレクトロンデバイス レター第９巻（１９８
８年）第３８頁から４０頁（ＩＥ［１ＥＩＥｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒ、 ＥＤＬ−９（１
９８８）。
・イー、エレクトロンデバイス レター第９巻（１９８
８年）第３８頁から４０頁（ＩＥ［１ＥＩＥｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒ、 ＥＤＬ−９（１
９８８）。
ｐｐ３８−４０）において論じられている。
上記従来技術はｌＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の
信頼性向上を目的としている。したかつ＼ １て、酸化膜は乾燥（ドライ）酸化法によって形成され
た５００Å以下の簿膜であって、ＭＯＳデバイスのアイ
ソレーション等で必要とされる５０００人−１μｍ程度
の厚膜を形成できる水蒸気中での酸化（ウェット）法に
ついてハロゲンの効果については配慮されていなかった
。
信頼性向上を目的としている。したかつ＼ １て、酸化膜は乾燥（ドライ）酸化法によって形成され
た５００Å以下の簿膜であって、ＭＯＳデバイスのアイ
ソレーション等で必要とされる５０００人−１μｍ程度
の厚膜を形成できる水蒸気中での酸化（ウェット）法に
ついてハロゲンの効果については配慮されていなかった
。
Ｓｉデバイスにおいては浅接合化が必要であるが、その
さい、Ｓｉデバイスの製造工程における熱処理温度を低
く抑えることも重要になってきた。
さい、Ｓｉデバイスの製造工程における熱処理温度を低
く抑えることも重要になってきた。
従来の大気圧中の酸化法に比べて、高圧の酸素ガス中で
酸化することにより、酸化速度を増大させる方法（高圧
酸化法）がある。この高圧酸化方法によって、低温でも
ＭＯＳデバイスの実現に必要な酸化膜厚を得ることがで
きる。
酸化することにより、酸化速度を増大させる方法（高圧
酸化法）がある。この高圧酸化方法によって、低温でも
ＭＯＳデバイスの実現に必要な酸化膜厚を得ることがで
きる。
この高圧酸化法におけるハロゲンの効果についても配慮
されていなかった。
されていなかった。
本発明の目的は、ＭＯＳデバイス中等のアイソレーショ
ン等で必要とされる高信頼性のウェット酸化膜や低温で
形成できる高圧酸化膜を製造することにある。
ン等で必要とされる高信頼性のウェット酸化膜や低温で
形成できる高圧酸化膜を製造することにある。
上記目的は、ウェット酸化膜または高圧酸化膜と基板Ｓ
ｉとの界面に微量のハロゲンを８人することにより、達
成される。
ｉとの界面に微量のハロゲンを８人することにより、達
成される。
絶縁膜とＳｉとの界面の信頼性は、この絶縁膜（通常は
５ｉＯｚ）とＳｉの結合の格子不整合による歪に大きく
依存すると考えられる。この歪を持つ界面での５ｉ−０
結合は、放射線ダメージ。
５ｉＯｚ）とＳｉの結合の格子不整合による歪に大きく
依存すると考えられる。この歪を持つ界面での５ｉ−０
結合は、放射線ダメージ。
ホットキャリア注入で生ずる欠陥の該Ｓｉ／ＳｉＯ２界
面に拡散により切断される。この切断された結合によっ
て、界面準位、固定電荷トラップ中心などが形成される
ことが知られている。これに対して、Ｓｉと結合力の強
いＦ、ＣＩ２などのハロゲン元素をＳｉ／ＳｉＯｘ界面
に適当な量導入することによって、この界面での歪を緩
和することができ、これによって高信頼のＳｉ／ＳｉＯ
ｘ界面を形成できると考えられる。
面に拡散により切断される。この切断された結合によっ
て、界面準位、固定電荷トラップ中心などが形成される
ことが知られている。これに対して、Ｓｉと結合力の強
いＦ、ＣＩ２などのハロゲン元素をＳｉ／ＳｉＯｘ界面
に適当な量導入することによって、この界面での歪を緩
和することができ、これによって高信頼のＳｉ／ＳｉＯ
ｘ界面を形成できると考えられる。
本発明によって、ドライ酸化膜が確かめられていた、ハ
ロゲン導入によるＳ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ２の信頼性の
向上が、ウェット酸化法によって形成されたＳｉ／Ｓｉ
Ｏｘの界面においても同様に起こることが明らかになっ
た。
ロゲン導入によるＳ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ２の信頼性の
向上が、ウェット酸化法によって形成されたＳｉ／Ｓｉ
Ｏｘの界面においても同様に起こることが明らかになっ
た。
以下、実施例によって、本発明の概念を詳細に説明する
。
。
（実施例１）
本実施例においては、本発明の効果を明確に示すために
、従来法を用いて形成した酸化膜と本発明を用いた絶縁
膜とを形成して、キャパシタを作り、耐ホツトキャリア
特性を調べた。
、従来法を用いて形成した酸化膜と本発明を用いた絶縁
膜とを形成して、キャパシタを作り、耐ホツトキャリア
特性を調べた。
従来技術を用いたＭＯＳキャパシタは例えば、Ｓｉ基板
の洗浄後に１０００℃の乾燥酸素中で約５０分酸化して
約５００人のドライ酸化膜を形成したのち、１０００℃
の水蒸気を含む酸素中で約３０分酸化して合計約５００
０人の酸化膜を形成した。
の洗浄後に１０００℃の乾燥酸素中で約５０分酸化して
約５００人のドライ酸化膜を形成したのち、１０００℃
の水蒸気を含む酸素中で約３０分酸化して合計約５００
０人の酸化膜を形成した。
一方、本発明の方法を用いたＭＯＳキャパシタは、Ｓｉ
基板の洗浄後に、この基板を２．５％の弗化水素酸の水
溶液に約５分間侵し、そのまま乾燥させる。そのさい、
このＳｉ基板の表面には、多量の弗素が吸着されている
。このＳｉ基板を１０００℃の乾燥雰囲気で５０分間酸
化して５００人の酸化膜を形成する。さらに、この５０
０人の弗素を導入したドライ酸化膜を１０００℃の水蒸
気を含む酸素中で約３０分酸化することによって合計約
５０００人の膜厚の酸化膜を形成する。
基板の洗浄後に、この基板を２．５％の弗化水素酸の水
溶液に約５分間侵し、そのまま乾燥させる。そのさい、
このＳｉ基板の表面には、多量の弗素が吸着されている
。このＳｉ基板を１０００℃の乾燥雰囲気で５０分間酸
化して５００人の酸化膜を形成する。さらに、この５０
０人の弗素を導入したドライ酸化膜を１０００℃の水蒸
気を含む酸素中で約３０分酸化することによって合計約
５０００人の膜厚の酸化膜を形成する。
上記の方法によって
ｉ）通常のドライ酸化膜５００人
ｉｉ）ドライ＋ウェット酸化膜５０００人１ｉｉ）ウェ
ット酸化膜５０００人 ｉｙ）フッ素を含むドライ酸化膜５００人Ｖ）フッ素を
含むドライ＋ウェット酸化膜５０００人 の５種類の膜を形成して、この絶縁膜（ＳｉＯ２）上に
ＡＱ組電極形成してキャパシタを作成し、そのホットキ
ャリア注入による界面準位の発生量を比較した。
ット酸化膜５０００人 ｉｙ）フッ素を含むドライ酸化膜５００人Ｖ）フッ素を
含むドライ＋ウェット酸化膜５０００人 の５種類の膜を形成して、この絶縁膜（ＳｉＯ２）上に
ＡＱ組電極形成してキャパシタを作成し、そのホットキ
ャリア注入による界面準位の発生量を比較した。
ホットキャリア注入は、Ｓｉ基板から酸化膜中に電子を
注入するＦ−Ｎトンネル法で行った。電流密度は６ ｘ
１０””Ａ／ｃｉで、注入時間は２００秒である。界
面準位の測定は、高周波（Ｉ Ｍ Ｈｚ ）と準静的容
量−電圧測定により行った。
注入するＦ−Ｎトンネル法で行った。電流密度は６ ｘ
１０””Ａ／ｃｉで、注入時間は２００秒である。界
面準位の測定は、高周波（Ｉ Ｍ Ｈｚ ）と準静的容
量−電圧測定により行った。
第１図に、ホットキャリア注入後に発生した界面準位密
度のＳｉのバンドキャップ中での分布を、比較して示す
。第１図の１は弗素を含まない５００人の膜厚のドライ
酸化膜、２は弗素を含まない５０００人の膜厚のドライ
＋ウェット酸化膜、３は弗素を含まない５０００人のウ
ェット酸化膜、４は弗素を含む５００人のドライ酸化膜
、５は本発明の実施例の弗素を含む５００人の膜厚のド
ライ＋ウェット酸化膜をそれぞれ示す。
度のＳｉのバンドキャップ中での分布を、比較して示す
。第１図の１は弗素を含まない５００人の膜厚のドライ
酸化膜、２は弗素を含まない５０００人の膜厚のドライ
＋ウェット酸化膜、３は弗素を含まない５０００人のウ
ェット酸化膜、４は弗素を含む５００人のドライ酸化膜
、５は本発明の実施例の弗素を含む５００人の膜厚のド
ライ＋ウェット酸化膜をそれぞれ示す。
１と４を比較するとすでに知られているように、弗素を
含むドライ酸化膜の界面準位の発生量が、弗素を含まな
いドライ酸化膜の約１／１ｏになっている。５の弗素を
含むドライ＋ウェット酸化膜は、４の弗素を含むドライ
酸化膜に比べて、やや界面準位の量が多くなっているが
、これは、ウェット酸化によって、酸化膜中に水素や水
酸基が導入されたためと考えられる。しかし、２，３の
ドライ＋ウェット酸化膜、ウェット酸化膜に比較すると
本発明の方法によって形成した。５の酸化膜の信頼性の
高さが極めて著るしいことが明らかとなる。
含むドライ酸化膜の界面準位の発生量が、弗素を含まな
いドライ酸化膜の約１／１ｏになっている。５の弗素を
含むドライ＋ウェット酸化膜は、４の弗素を含むドライ
酸化膜に比べて、やや界面準位の量が多くなっているが
、これは、ウェット酸化によって、酸化膜中に水素や水
酸基が導入されたためと考えられる。しかし、２，３の
ドライ＋ウェット酸化膜、ウェット酸化膜に比較すると
本発明の方法によって形成した。５の酸化膜の信頼性の
高さが極めて著るしいことが明らかとなる。
なお、本実施例において、ドライ酸化＋ウェット酸化と
いうやや複雑な酸化工程を用いたが、このドライ酸化工
程を省略して、直接ウェット酸化中に弗素を導入しても
、まったく同等の効果が得られた。このドライ＋ウェッ
ト法によって本発明を応用するさいには、通常ゲート絶
縁膜として用いる薄いドライ酸化膜にも弗素を導入する
ことによって、高信頼性のデバイスが形成できるためで
ある。
いうやや複雑な酸化工程を用いたが、このドライ酸化工
程を省略して、直接ウェット酸化中に弗素を導入しても
、まったく同等の効果が得られた。このドライ＋ウェッ
ト法によって本発明を応用するさいには、通常ゲート絶
縁膜として用いる薄いドライ酸化膜にも弗素を導入する
ことによって、高信頼性のデバイスが形成できるためで
ある。
（実施例２）
上記の実施例１に比べてさらに制御性の良いＦの酸化膜
中への導入法の一つにＮＦａ酸化法がある。
中への導入法の一つにＮＦａ酸化法がある。
この方法において、ウェット酸化の初期にＮ Ｆ ａガ
スの０２中での濃度が０．０５％ となるようにして、
流し、このＮ Ｆ ａガスの４入を行なっている時間を
変えて、酸化膜中のＦの量を調節した。
スの０２中での濃度が０．０５％ となるようにして、
流し、このＮ Ｆ ａガスの４入を行なっている時間を
変えて、酸化膜中のＦの量を調節した。
第２図は、ホットキャリア注入によって発生した界面準
位の密度（ミツドギャップより高エネルギー側にあるピ
ークの高さ）を、ＮＦａガス導入時間の関数として示し
たものである。界面準位密度は、ＮＦａ導入時間が１０
０秒以下で著しく減少する。また、この界面準位の少な
い領域は、ＮＦ３ガス感度（％）とＮＦａ導入時間の積
が５％Ｘ秒以下に現れることがさらに一般的に明らかと
なった。
位の密度（ミツドギャップより高エネルギー側にあるピ
ークの高さ）を、ＮＦａガス導入時間の関数として示し
たものである。界面準位密度は、ＮＦａ導入時間が１０
０秒以下で著しく減少する。また、この界面準位の少な
い領域は、ＮＦ３ガス感度（％）とＮＦａ導入時間の積
が５％Ｘ秒以下に現れることがさらに一般的に明らかと
なった。
本実施例では、ＮＦａは、ウェット酸化中に導入したが
、このＮ Ｆ ｓはドライ酸化中に導入して、さらにウ
ェット酸化工程を導入してもまったく同等の効果が得ら
れる。
、このＮ Ｆ ｓはドライ酸化中に導入して、さらにウ
ェット酸化工程を導入してもまったく同等の効果が得ら
れる。
上記の２つの実施例１と２において、酸化膜中にＦを導
入する方法について述べたが、はとんど同等な効果が塩
素（Ｃｌ）を導入することによっても得られた。以下、
ＷＮ単に説明する。
入する方法について述べたが、はとんど同等な効果が塩
素（Ｃｌ）を導入することによっても得られた。以下、
ＷＮ単に説明する。
ウェットあるいは、ドライ酸化中にトリクロルエタンＣ
ｘＨｓＣｌａ（通称ＴＣＡ）を導入するさいには、０２
中のＴＣＡの濃度と導入時間との積が。
ｘＨｓＣｌａ（通称ＴＣＡ）を導入するさいには、０２
中のＴＣＡの濃度と導入時間との積が。
１０００℃の酸化温度においては、３０％・秒以下で界
面準位の著しい減少が認められた。
面準位の著しい減少が認められた。
また、ＨＣｌガス導入によってＣｌを酸化膜中に導入す
るさいには、０２中のＨＣｌの濃度とこのＨＣｌガスの
酸化炉中への導入時間との積が１０％・秒以下とするこ
とによって著しい界面準位の低下が実現する。なお１本
実施例中で示した酸化は大気圧下で行った。
るさいには、０２中のＨＣｌの濃度とこのＨＣｌガスの
酸化炉中への導入時間との積が１０％・秒以下とするこ
とによって著しい界面準位の低下が実現する。なお１本
実施例中で示した酸化は大気圧下で行った。
また、本実施例と同様な効果は、Ｆ、Ｃｌの代りに同じ
ハロゲン族のＢｒ、Ｉを用いても期待できる。
ハロゲン族のＢｒ、Ｉを用いても期待できる。
なお１本発明によって、界面準位の減少効果のみではな
く、さらに、絶縁膜中の固定電荷も少なくすることがで
きた。
く、さらに、絶縁膜中の固定電荷も少なくすることがで
きた。
また、本実施例において、ホットキャリア法によって５
ｉＯｚ／Ｓｉ 系の信頼性の評価を行ったが、まった
く同等な効果が、Ｘ線、電子線照射による界面準位の発
生過程においても確認された。
ｉＯｚ／Ｓｉ 系の信頼性の評価を行ったが、まった
く同等な効果が、Ｘ線、電子線照射による界面準位の発
生過程においても確認された。
また１本実施例において、ウェット酸化は水蒸気を含む
酸素による酸化法を用いた結果を示したが、本発明の実
施例とまったく同等の効果が、Ｈ２と０２を酸化炉に導
入して酸化を行なうパイロジェニック酸化法においても
確認された。
酸素による酸化法を用いた結果を示したが、本発明の実
施例とまったく同等の効果が、Ｈ２と０２を酸化炉に導
入して酸化を行なうパイロジェニック酸化法においても
確認された。
（実施例３）
上記のウェット酸化膜にＦ、Ｃｌを導入する方法に加え
て、ここでは、乾燥酸素中で行なうシリコンの高圧酸化
においても実施例１，２と同様な改善効果があったので
照合する。
て、ここでは、乾燥酸素中で行なうシリコンの高圧酸化
においても実施例１，２と同様な改善効果があったので
照合する。
本発明の方法を用いたＭＯＳゲート酸化膜は。
Ｓｉ基板の洗浄後に、この基板を２．５％の弗化水素酸
の水溶液に約５分間侵し、そのまま乾燥させた。この基
板を８５０℃の高圧酸素雰囲気（４−７気圧）中で酸化
した。この方法によって、約２０ｎｍ−５０ｎｍの膜厚
の酸化膜が形成された。
の水溶液に約５分間侵し、そのまま乾燥させた。この基
板を８５０℃の高圧酸素雰囲気（４−７気圧）中で酸化
した。この方法によって、約２０ｎｍ−５０ｎｍの膜厚
の酸化膜が形成された。
この方法によって形成した酸化膜のホットキャリア注入
または放射線照射による界面準位の発生量は、従来の高
圧酸化膜に比べて約１／１０以下であった。
または放射線照射による界面準位の発生量は、従来の高
圧酸化膜に比べて約１／１０以下であった。
これと同様な高圧酸化膜の改善効果は、実施例１と２に
示した。Ｆ、Ｃｌの導入条件下でも得られた。
示した。Ｆ、Ｃｌの導入条件下でも得られた。
本発明によれば、アイソレーション等に用いられる厚い
２酸化シリコン中の界面準位の発生量を従来法によって
形成した２酸化シリコンの１／１０程度以下ば減らすこ
とができる。これによって、酸化シリコンとＳｉの界面
に発生する界面準位、固定電荷によって生ずる表面リー
クを防ぎ。
２酸化シリコン中の界面準位の発生量を従来法によって
形成した２酸化シリコンの１／１０程度以下ば減らすこ
とができる。これによって、酸化シリコンとＳｉの界面
に発生する界面準位、固定電荷によって生ずる表面リー
クを防ぎ。
高信頼性（例えば、Ｘｉ、 ｆＩｉ子線などによるラジ
エーション、ホットキャリヤ注入に対する）のＭＯＳデ
バイスを形成できる。
エーション、ホットキャリヤ注入に対する）のＭＯＳデ
バイスを形成できる。
第１図は、本発明の一実施例と従来例におけるホットキ
ャリア注入によって発生した界面準位のエネルギー分布
を示す図、第２図は、ホットキャリア注入によって発生
した界面準位密度のＮ Ｆ ａガス導入時間依存性を示
す図である。 １・・・従来法によるドライ酸化膜、２・・・従来法に
よるドライ＋ウェット酸化膜、３・・・従来法によるウ
ェット酸化膜、４・・・弗素を含むドライ酸化膜、５・
・・弗素を含むドライ＋ウェット酸化膜（本発明）。 鴇 口 Ｂ−Ｅη＜ｅｖ） 第 図 Ｆｌ 導入時間（＃）
ャリア注入によって発生した界面準位のエネルギー分布
を示す図、第２図は、ホットキャリア注入によって発生
した界面準位密度のＮ Ｆ ａガス導入時間依存性を示
す図である。 １・・・従来法によるドライ酸化膜、２・・・従来法に
よるドライ＋ウェット酸化膜、３・・・従来法によるウ
ェット酸化膜、４・・・弗素を含むドライ酸化膜、５・
・・弗素を含むドライ＋ウェット酸化膜（本発明）。 鴇 口 Ｂ−Ｅη＜ｅｖ） 第 図 Ｆｌ 導入時間（＃）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、微量のハロゲン原子をＳｉ基板の乾燥酸化法によつ
て形成されたＳｉＯ＿２との界面に含む半導体装置を、
水蒸気を含む酸素雰囲気中または、パイロジエニツク雰
囲気中、または高圧の酸素中で酸化することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 ２、上記の半導体装置の製造方法において、ハロゲン原
子はＦであり、該Ｆ原子は、上記乾式酸化の前に上記Ｓ
ｉ基板を弗化水素酸の水溶液を塗布し乾燥させた後に、
乾燥酸素雰囲気中で該Ｓｉ基板を酸化することにより導
入することを特徴とする請求項第１項記載の半導体装置
の製造方法。 ３、上記の半導体装置の製造方法において、ハロゲン原
子はＦであり、該Ｆ原子は、上記乾燥酸化中に、ＮＦ＿
３ガスのＯ＿２ガス中での濃度（％）と該ＮＦ＿３ガス
の導入時間の積が、５％・秒以下の条件で導入されるこ
とを特徴とする請求項第１項記載の半導体装置の製造方
法。 ４、上記の半導体装置の製造方法において、ハロゲン原
子はＣｌであり、上記乾式酸化中に、トリクロルエタン
（ＴＣＡ）ガスのＯ＿２ガス中の濃度と該ＴＣＡガスの
導入時間の積が、３０％・秒以下で導入することを特徴
とする請求項第１項記載の半導体装置の製造方法。 ５、ハロゲン原子はＣｌであり、上記乾燥酸化中に、Ｏ
＿２ガス中ＨＣｌの濃度と該ＨＣｌの導入時間の積が１
０％・秒以下であることを特徴とする請求項第１項記載
の半導体装置の製造方法。 ６、Ｓｉ基板を酸化する前の該Ｓｉ基板の表面にハロゲ
ン原子を吸着させるか、もしくは、酸化中に微量のハロ
ゲン原子を酸化炉中に導入し、該Ｓｉ基板を水蒸気を含
む酸素雰囲気中又は、パイロジエニツク雰囲気中で酸化
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 ７、上記ハロゲン原子はＦであり、該Ｆ原子はＳｉ基板
表面に弗化水素酸の水溶液を塗布し、乾燥させることに
より吸着させることを特徴とする請求項第６項記載の半
導体装置の製造方法。 ８、上記ハロゲン原子はＦであり、該Ｆ原子量は、上記
の水蒸気を含む酸素中のＮＦ＿３ガス濃度（％）と導入
時間の積が５％・秒以下であることを特徴とする請求項
第６項記載の半導体装置の製造方法。 ９、上記ハロゲン原子はＣｌであり、上記の水蒸気を含
む酸素中に、トリクロルエタン（ＴＣＡ）ガスのＯ＿２
ガス中での濃度と該ＴＣＡガスの導入時間との積が３０
％・秒以下で導入することを特徴とする請求項第６項記
載の半導体装置の製造方法。 １０、上記ハロゲン原子はＣｌであり、上記の水蒸気を
含む酸素中に、Ｏ＿２ガス中のＨＣｌ濃度（％）と該Ｈ
Ｃｌの導入時間との積が１０％・秒以下であることを特
徴とする請求項第６項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19271688A JPH0242725A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19271688A JPH0242725A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242725A true JPH0242725A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16295872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19271688A Pending JPH0242725A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242725A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428265A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Seiko Instr Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0456223A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | シリコン酸化膜の形成方法および薄膜形成装置 |
| US5846888A (en) * | 1996-09-27 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Method for in-situ incorporation of desirable impurities into high pressure oxides |
| JP2000012864A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2007158371A (ja) * | 2007-02-02 | 2007-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2014103175A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19271688A patent/JPH0242725A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428265A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Seiko Instr Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0456223A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | シリコン酸化膜の形成方法および薄膜形成装置 |
| US5846888A (en) * | 1996-09-27 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Method for in-situ incorporation of desirable impurities into high pressure oxides |
| JP2000012864A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2007158371A (ja) * | 2007-02-02 | 2007-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2014103175A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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