JPH0237080B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0237080B2 JPH0237080B2 JP55174159A JP17415980A JPH0237080B2 JP H0237080 B2 JPH0237080 B2 JP H0237080B2 JP 55174159 A JP55174159 A JP 55174159A JP 17415980 A JP17415980 A JP 17415980A JP H0237080 B2 JPH0237080 B2 JP H0237080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- electron beam
- rays
- plasma gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009272 plasma gasification Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、X線の発生装置構成に関する。
従来、X線の発生装置は、所定のAL、Cu、Si
等の水冷ターゲツトに加速された電子線を照射
し、その材料の特性X線を得るのが通例であつ
た。
等の水冷ターゲツトに加速された電子線を照射
し、その材料の特性X線を得るのが通例であつ
た。
しかしながら、上記従来のX線発生装置ではX
線の輝度が充分でなく、例えばX線露光装置のX
線源として用いる場合、露光時間に長時間を要す
ると云う欠点があつた。又プラズマ・ガスに電子
線を照射してもプラズマ・ガスの密度が低く高輝
度のX線が発生しなかつた。
線の輝度が充分でなく、例えばX線露光装置のX
線源として用いる場合、露光時間に長時間を要す
ると云う欠点があつた。又プラズマ・ガスに電子
線を照射してもプラズマ・ガスの密度が低く高輝
度のX線が発生しなかつた。
本発明の目的は高輝度のX線を連続して発生す
るX線源を提供することにある。
るX線源を提供することにある。
以下図示する実施例に就き詳記する。第1図に
示すものは本発明の実施例としてのX線発生装置
の構成例である。このX線発生装置は真空系で構
成され、該真空系内に例えばCF4、CH3等のガス
をガス導入口1からコツク2、フロー・メータ3
を通して導入され、高周波あるいはマイクロ波電
極4により励起され、プラズマ・ガス5を発生す
る。該プラズマ・ガスの濃密度7に、電子線フイ
ラメント6から放射された電子線を加速、収束し
た電子線として照射することにより、上記ガス例
ではCの特性X線として40〜50Åの波長のX線を
高輝度で連続して発生することができ、該X線は
Be窓8を通して外部へ放出される。
示すものは本発明の実施例としてのX線発生装置
の構成例である。このX線発生装置は真空系で構
成され、該真空系内に例えばCF4、CH3等のガス
をガス導入口1からコツク2、フロー・メータ3
を通して導入され、高周波あるいはマイクロ波電
極4により励起され、プラズマ・ガス5を発生す
る。該プラズマ・ガスの濃密度7に、電子線フイ
ラメント6から放射された電子線を加速、収束し
た電子線として照射することにより、上記ガス例
ではCの特性X線として40〜50Åの波長のX線を
高輝度で連続して発生することができ、該X線は
Be窓8を通して外部へ放出される。
この様に高輝度のX線が得られる原因は、励起
された状態のプラズマに加速電子線が照射され、
一層高い励起が行なわれるためである。また発生
X線が連続して得られる原因は、プラズマ発生部
と電子線発生部を各々独立した構成としたためで
ある。
された状態のプラズマに加速電子線が照射され、
一層高い励起が行なわれるためである。また発生
X線が連続して得られる原因は、プラズマ発生部
と電子線発生部を各々独立した構成としたためで
ある。
上記実施例では、プラズマ・ガスを気体のプラ
ズマ化により得たが、その例、固体CをArガ
ス・プラズマで励起しCのガス・プラズマを得、
該Cガス・プラズマに加速電子線を照射しても良
い。
ズマ化により得たが、その例、固体CをArガ
ス・プラズマで励起しCのガス・プラズマを得、
該Cガス・プラズマに加速電子線を照射しても良
い。
又、発生したプラズマ・ガスを磁力により収束
され、該収束部に収束電子線を加速し照射するこ
とにより、一層高輝度のX線を発生することがで
きる。
され、該収束部に収束電子線を加速し照射するこ
とにより、一層高輝度のX線を発生することがで
きる。
又、電子線照射された後のプラズマ・ガスを直
ちに磁力等により真空排気系方向に偏向させるこ
とにより、プラズマ・ガスからのC等のBe窓へ
のデポジシヨンを減少することができる。
ちに磁力等により真空排気系方向に偏向させるこ
とにより、プラズマ・ガスからのC等のBe窓へ
のデポジシヨンを減少することができる。
又、本実施例ではC特性X線を対象としたが、
Al、Cu、Si等のガス化あるいは、プラズマ・ガ
ス化状態を用い、Al、Cu、Si等の特性X線を発
生することもできる。
Al、Cu、Si等のガス化あるいは、プラズマ・ガ
ス化状態を用い、Al、Cu、Si等の特性X線を発
生することもできる。
第1図は本発明のX線発生装置の実施例の縦断
面図を示すものである。 図中、1はガス導入口、2はコツク、3は流量
計、4は高周波電極、5はプラズマ・ガス、6は
電子線フイラメント、7は電子線のプラズマ・ガ
スへの照射部、8はBe窓である。
面図を示すものである。 図中、1はガス導入口、2はコツク、3は流量
計、4は高周波電極、5はプラズマ・ガス、6は
電子線フイラメント、7は電子線のプラズマ・ガ
スへの照射部、8はBe窓である。
Claims (1)
- 1 気体に高周波又はマイクロ波を印加しプラズ
マ・ガスを発生させる手段、磁場を印加し前記プ
ラズマ・ガスを収束させる手段、電子を発生させ
る手段と前記電子に電場を印加し前記プラズマ・
ガスに前記電子を照射させる手段とからなること
を特徴とするX線発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55174159A JPS5798966A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Continous x-ray generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55174159A JPS5798966A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Continous x-ray generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5798966A JPS5798966A (en) | 1982-06-19 |
JPH0237080B2 true JPH0237080B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=15973718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55174159A Granted JPS5798966A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Continous x-ray generator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5798966A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4975090A (ja) * | 1972-11-21 | 1974-07-19 |
-
1980
- 1980-12-10 JP JP55174159A patent/JPS5798966A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4975090A (ja) * | 1972-11-21 | 1974-07-19 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5798966A (en) | 1982-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20040028183A1 (en) | Method and apparatus for controlling electron beam current | |
US7706506B1 (en) | X-ray system for irradiating material used in transfusions | |
JPS60221566A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0666307B2 (ja) | プラズマ装置 | |
WO2004030162A3 (en) | System for alternately pulsing energy of accelerated electrons bombarding a conversion target | |
JPH06181100A (ja) | マイクロトロン電子加速器 | |
JPH11288678A (ja) | 蛍光x線源 | |
ATE334476T1 (de) | Röntgen-bestrahlungsvorrichtung | |
US5805620A (en) | Beam conditioner for free electron lasers and synchrotrons | |
JP3432545B2 (ja) | 高速原子線を用いる加工装置 | |
JPH0237080B2 (ja) | ||
US3821579A (en) | X ray source | |
JP2000241600A (ja) | 荷電粒子線照射装置 | |
JP3602356B2 (ja) | 電磁波発生装置 | |
Monchinsky et al. | Laser ion source of Synchrophasotron and Nuclotron in Dubna | |
JPH0760654B2 (ja) | イオンビ−ム発生方法および装置 | |
JPS5852294B2 (ja) | 高密度固体物質イオン生成装置 | |
EP0058137A2 (en) | Apparatus for providing X-rays | |
JPH0714503A (ja) | レーザー熱陰極構造体 | |
Ghigo et al. | Free electron laser seeded by betatron radiation | |
JPS5866296A (ja) | X線源装置 | |
SU1670825A2 (ru) | Способ получени импульсных пучков пол ризованных электронов | |
JPS58204453A (ja) | X線発生装置 | |
JPH10289797A (ja) | X線発生装置 | |
JP3818116B2 (ja) | 電子ビーム管 |