JPH0237080B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0237080B2 JPH0237080B2 JP55174159A JP17415980A JPH0237080B2 JP H0237080 B2 JPH0237080 B2 JP H0237080B2 JP 55174159 A JP55174159 A JP 55174159A JP 17415980 A JP17415980 A JP 17415980A JP H0237080 B2 JPH0237080 B2 JP H0237080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- electron beam
- rays
- plasma gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009272 plasma gasification Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘ線の発生装置構成に関する。
従来、Ｘ線の発生装置は、所定のAL、Cu、Si
等の水冷ターゲツトに加速された電子線を照射
し、その材料の特性Ｘ線を得るのが通例であつ
た。
等の水冷ターゲツトに加速された電子線を照射
し、その材料の特性Ｘ線を得るのが通例であつ
た。
しかしながら、上記従来のＸ線発生装置ではＸ
線の輝度が充分でなく、例えばＸ線露光装置のＸ
線源として用いる場合、露光時間に長時間を要す
ると云う欠点があつた。又プラズマ・ガスに電子
線を照射してもプラズマ・ガスの密度が低く高輝
度のＸ線が発生しなかつた。
線の輝度が充分でなく、例えばＸ線露光装置のＸ
線源として用いる場合、露光時間に長時間を要す
ると云う欠点があつた。又プラズマ・ガスに電子
線を照射してもプラズマ・ガスの密度が低く高輝
度のＸ線が発生しなかつた。
本発明の目的は高輝度のＸ線を連続して発生す
るＸ線源を提供することにある。
るＸ線源を提供することにある。
以下図示する実施例に就き詳記する。第１図に
示すものは本発明の実施例としてのＸ線発生装置
の構成例である。このＸ線発生装置は真空系で構
成され、該真空系内に例えばCF4、CH3等のガス
をガス導入口１からコツク２、フロー・メータ３
を通して導入され、高周波あるいはマイクロ波電
極４により励起され、プラズマ・ガス５を発生す
る。該プラズマ・ガスの濃密度７に、電子線フイ
ラメント６から放射された電子線を加速、収束し
た電子線として照射することにより、上記ガス例
ではＣの特性Ｘ線として40〜50Åの波長のＸ線を
高輝度で連続して発生することができ、該Ｘ線は
Be窓８を通して外部へ放出される。
示すものは本発明の実施例としてのＸ線発生装置
の構成例である。このＸ線発生装置は真空系で構
成され、該真空系内に例えばCF4、CH3等のガス
をガス導入口１からコツク２、フロー・メータ３
を通して導入され、高周波あるいはマイクロ波電
極４により励起され、プラズマ・ガス５を発生す
る。該プラズマ・ガスの濃密度７に、電子線フイ
ラメント６から放射された電子線を加速、収束し
た電子線として照射することにより、上記ガス例
ではＣの特性Ｘ線として40〜50Åの波長のＸ線を
高輝度で連続して発生することができ、該Ｘ線は
Be窓８を通して外部へ放出される。
この様に高輝度のＸ線が得られる原因は、励起
された状態のプラズマに加速電子線が照射され、
一層高い励起が行なわれるためである。また発生
Ｘ線が連続して得られる原因は、プラズマ発生部
と電子線発生部を各々独立した構成としたためで
ある。
された状態のプラズマに加速電子線が照射され、
一層高い励起が行なわれるためである。また発生
Ｘ線が連続して得られる原因は、プラズマ発生部
と電子線発生部を各々独立した構成としたためで
ある。
上記実施例では、プラズマ・ガスを気体のプラ
ズマ化により得たが、その例、固体ＣをArガ
ス・プラズマで励起しＣのガス・プラズマを得、
該Ｃガス・プラズマに加速電子線を照射しても良
い。
ズマ化により得たが、その例、固体ＣをArガ
ス・プラズマで励起しＣのガス・プラズマを得、
該Ｃガス・プラズマに加速電子線を照射しても良
い。
又、発生したプラズマ・ガスを磁力により収束
され、該収束部に収束電子線を加速し照射するこ
とにより、一層高輝度のＸ線を発生することがで
きる。
され、該収束部に収束電子線を加速し照射するこ
とにより、一層高輝度のＸ線を発生することがで
きる。
又、電子線照射された後のプラズマ・ガスを直
ちに磁力等により真空排気系方向に偏向させるこ
とにより、プラズマ・ガスからのＣ等のBe窓へ
のデポジシヨンを減少することができる。
ちに磁力等により真空排気系方向に偏向させるこ
とにより、プラズマ・ガスからのＣ等のBe窓へ
のデポジシヨンを減少することができる。
又、本実施例ではＣ特性Ｘ線を対象としたが、
Al、Cu、Si等のガス化あるいは、プラズマ・ガ
ス化状態を用い、Al、Cu、Si等の特性Ｘ線を発
生することもできる。
Al、Cu、Si等のガス化あるいは、プラズマ・ガ
ス化状態を用い、Al、Cu、Si等の特性Ｘ線を発
生することもできる。
第１図は本発明のＸ線発生装置の実施例の縦断
面図を示すものである。 図中、１はガス導入口、２はコツク、３は流量
計、４は高周波電極、５はプラズマ・ガス、６は
電子線フイラメント、７は電子線のプラズマ・ガ
スへの照射部、８はBe窓である。
面図を示すものである。 図中、１はガス導入口、２はコツク、３は流量
計、４は高周波電極、５はプラズマ・ガス、６は
電子線フイラメント、７は電子線のプラズマ・ガ
スへの照射部、８はBe窓である。
Claims (1)
- １ 気体に高周波又はマイクロ波を印加しプラズ
マ・ガスを発生させる手段、磁場を印加し前記プ
ラズマ・ガスを収束させる手段、電子を発生させ
る手段と前記電子に電場を印加し前記プラズマ・
ガスに前記電子を照射させる手段とからなること
を特徴とするＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55174159A JPS5798966A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Continous x-ray generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55174159A JPS5798966A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Continous x-ray generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5798966A JPS5798966A (en) | 1982-06-19 |
| JPH0237080B2 true JPH0237080B2 (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=15973718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55174159A Granted JPS5798966A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Continous x-ray generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5798966A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4975090A (ja) * | 1972-11-21 | 1974-07-19 |
-
1980
- 1980-12-10 JP JP55174159A patent/JPS5798966A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4975090A (ja) * | 1972-11-21 | 1974-07-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5798966A (en) | 1982-06-19 |
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