JPH0235639A - Recording and reproducing device by latent charge image - Google Patents
Recording and reproducing device by latent charge imageInfo
- Publication number
- JPH0235639A JPH0235639A JP63185101A JP18510188A JPH0235639A JP H0235639 A JPH0235639 A JP H0235639A JP 63185101 A JP63185101 A JP 63185101A JP 18510188 A JP18510188 A JP 18510188A JP H0235639 A JPH0235639 A JP H0235639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- latent image
- field effect
- charge
- charge latent
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 162
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 111
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 281
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 90
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 206010000060 Abdominal distension Diseases 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 208000024330 bloating Diseases 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 101100327819 Caenorhabditis elegans chl-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
- G01R29/14—Measuring field distribution
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電荷潜像（静ｒｌｉ潜像）による記録再生装置
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a recording/reproducing device using a charge latent image (static RLI latent image).
（従来の技術）
記録再生の対象とされている情報信号と対応する電荷潜
像（静電潜像）を電荷潜像形成部材に形成させることに
よって情報（ｆｉ号の記録を行い、また、電荷潜像形成
部材（被検出体）の表面に接近させた状態の電圧検出用
電極へ、前記の電荷潜像形成部材に形成させた電荷潜像
による表面電位から静電誘導によって生じた電圧を検出
することにより前記のようにして記録された情報信号を
再生しようとする場合には、従来から知られている各種
の被検出体の表面電位の検出法が使用できる。(Prior art) Information (fi number) is recorded by forming a charge latent image (electrostatic latent image) corresponding to an information signal to be recorded and reproduced on a charge latent image forming member. Detecting the voltage generated by electrostatic induction from the surface potential due to the charge latent image formed on the charge latent image forming member to a voltage detection electrode brought close to the surface of the latent image forming member (detected object). When attempting to reproduce the information signal recorded as described above, various conventionally known methods for detecting the surface potential of the object to be detected can be used.
しかし、一般に、被検出体の表面電位の検出法における
電圧検出用電極回路は非常に晶いインピーダンスを有し
ているものであるために、電圧検出用電極からの電圧の
取出しはインピーダンス変換回路を介して行われるよう
にされているのが通常である。However, in general, the voltage detection electrode circuit in the method of detecting the surface potential of the object to be detected has a very crystalline impedance, so an impedance conversion circuit is used to extract the voltage from the voltage detection electrode. Normally, this is done through a
そして、前記したインピーダンス変換回路としては、そ
れに用いられる能動素子として人力抵抗の極めて大きな
ＭＯＳ型電界効果トランジスタを採用したものを使用す
ることもできるが５周知のようにＭＯＳ型電界効果トラ
ンジスタでは使用中にゲートが静電荷の蓄積によって破
壊されるようなことがないように、例えばゲート電極の
入力端回路に保護ダイオードを付加するなどの保護手段
を適用することが行われる。The impedance conversion circuit described above may employ a MOS field effect transistor with an extremely large human resistance as an active element; however, as is well known, MOS field effect transistors are currently used. In order to prevent the gate from being destroyed due to the accumulation of static charges, protection means are applied, such as adding a protection diode to the input terminal circuit of the gate electrode.
そのために、前記の保護手段の存在によりＭＯＳ型電界
効果トランジスタのゲート回路には漏洩電流が生じ、そ
の漏洩電流が電界効果トランジスタのゲート電極の入力
側回路の静電容量を充電して行き、それにつれてゲート
電極の電位が次第に−ｂ ｊｌ、 して行く現象が起こ
る。Therefore, due to the existence of the above-mentioned protection means, leakage current occurs in the gate circuit of the MOS field effect transistor, and this leakage current charges the capacitance of the input side circuit of the gate electrode of the field effect transistor. As time passes, a phenomenon occurs in which the potential of the gate electrode gradually decreases to -b jl.
それで、被検出体の表面電位と対応じて静電誘導によっ
て生じた電圧を、ＭＯＳ型電界効果トランジスタを用い
たインピーダンス変換回路を介して取出す動作が比較的
に長い時間にわたって行、ねれるときには、検出された
電圧値が不正確になってしまうということが問題になり
、検出時間がさらに°長くなった場合には出力信号が飽
和状態になって被検出体の表面電位の検出が不能となる
ことも生しる。Therefore, when the operation of extracting a voltage generated by electrostatic induction corresponding to the surface potential of the object to be detected via an impedance conversion circuit using a MOS field effect transistor is performed for a relatively long time, The problem is that the detected voltage value becomes inaccurate, and if the detection time becomes longer, the output signal becomes saturated and it becomes impossible to detect the surface potential of the object to be detected. This also happens.
したがって、ＭＯＳ型電界効果トランジスタを使用した
インピーダンス変換回路では、ＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタのゲート電極の入力側回路の静電容量にドレイン
電極・ゲート電極間の漏洩電流によって充電した電荷を
放電させるような手段を施すことが必要とされ、従来か
らＭＯＳ型電界効果トランジスタのゲート電極の入力側
回路には、ＭＯＳ型電界効果トランジスタのゲート電極
の入力側回路の静電容量にドレイン電極・ゲート電極間
の漏洩電流によって充電した電荷を放電させるためのリ
セット手段が設けられていた。Therefore, in an impedance conversion circuit using a MOS type field effect transistor, the electric charge accumulated in the capacitance of the input side circuit of the gate electrode of the MOS type field effect transistor by leakage current between the drain electrode and the gate electrode is discharged. Conventionally, the input side circuit of the gate electrode of a MOS type field effect transistor has a capacitance of the input side circuit of the gate electrode of the MOS type field effect transistor. A reset means was provided for discharging the charge accumulated by the leakage current.
第２１図は電荷潜像による記録再生装置の従来例におけ
る問題点の所在を説明するために示した本出願人会社に
よる既提案の表面電位分布と対応する電気信号の発生装
置の一例構成のブロック図であり、第２１図において０
は被検出体、ＥＩ）Ａは例えば第２２図示のような構成
態様のものとして構成されている検出ヘッドであって、
前記の検出ヘッドＥＤＡは、それに設けられている電圧
検出用電極ＥＤＩ〜ＥＤｎと被検出体０の表面との間隔
が、空間に設定された２つの所定の位置の間で変化され
つるようになされている。FIG. 21 is a block diagram of an example of the configuration of an electric signal generating device corresponding to the surface potential distribution proposed by the applicant company, which is shown to explain the problems in conventional recording and reproducing devices using charge latent images. 21, 0
is an object to be detected, EI) A is a detection head configured as shown in FIG. 22, for example,
The detection head EDA is configured so that the distance between the voltage detection electrodes EDI to EDn provided thereon and the surface of the detected object 0 can be changed between two predetermined positions set in space. ing.
第２１図において、検出ヘッドＥＤＡは変位駆動装置Ｂ
ＧＭにおける可動部５と連結部材３によって連結されて
いる。４は変位駆動装置ＢＧＭにおける可動部５の中心
保持子である。変位駆動装置ＢＧＭとしては、例えば、
ボイスコイルモータ、あるいは電歪索子、その他の適当
な電気−機械変換素子を用いて構成させた変位駆動装置
が使用されるのであり、前記の変位駆動装置ＢＣＭは信
号発生器ＳＧで発生された駆動信号が供給されることに
よって、第２１図中の実線位置の検出ヘッドＥＤＡのよ
うに５検出ヘツドＥＤＡにおける電圧検出用ｔｉｉ極（
第２２図中のＥＤＩ−ＥＤｎ）が被検出体０の表面に近
接した所定の位置になるようにしたり、あるいは第２１
図中の点線位置の検出ヘッドＥＤＡのように、検出ヘッ
ドＥＤＡにおける電圧検出用電極（第２２図中のＥＤＩ
−ＥＤｎ）が被検出体０の表面から離隔された所定の位
置になるようにしたり、検出ヘッドＥＤＡを空間中の予
め定められた２位置間で変位させる。６は変位駆動装置
ＢＧＭの場合に可動部５のコイルに対して所定の磁界を
与える永久磁石を含んで構成された磁界発生部である。In FIG. 21, the detection head EDA is a displacement drive device B.
It is connected by a movable part 5 in the GM and a connecting member 3. 4 is a center holder of the movable part 5 in the displacement drive device BGM. As the displacement drive device BGM, for example,
A displacement drive device constructed using a voice coil motor, an electrostrictive cable, or other suitable electro-mechanical conversion element is used, and the displacement drive device BCM is generated by a signal generator SG. By supplying the drive signal, the voltage detection tii pole (
EDI-EDn) in FIG. 22 is located at a predetermined position close to the surface of the detected object
As shown in the detection head EDA at the dotted line position in the figure, the voltage detection electrode in the detection head EDA (EDI in Figure 22)
-EDn) is at a predetermined position separated from the surface of the object to be detected 0, or the detection head EDA is displaced between two predetermined positions in space. Reference numeral 6 denotes a magnetic field generating section that includes a permanent magnet that applies a predetermined magnetic field to the coil of the movable section 5 in the case of the displacement drive device BGM.
複数の電圧検出用電極Ｅ ＤＩ。Multiple voltage detection electrodes E DI.
Ｅｌ）２・・を所定の配列パターンで配列させた検出ヘ
ッドＥＤＡとしては１例えば第２２図に示されているよ
うな構成態様のものが使用でき、第２２図においてＥＤ
Ｉ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎは電圧検出用電極である。As the detection head EDA in which El) 2... are arranged in a predetermined arrangement pattern, one having the configuration shown in FIG. 22, for example, can be used.
I, ED2. ED3-EDn are voltage detection electrodes.
前記した電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・Ｅ
Ｄｎは、それぞれ個別の接続線Ｉ２１．Ｑ２．Ｑ３・・
ｕｎによって電圧検出用ＭＯ５）ｊ：！電界効果トラン
ジスタＤ Ｆｌ、 Ｄ Ｆ２． Ｄ Ｆ３−Ｄ Ｆｎの
ゲート電極に接続されるとともに、リセット用スイッチ
ング手段として使用される電界効果トランジスタＲＦ１
、ＲＦ２．ＲＦ３・・・ＲＦｎにおける対応するものの
ドレイン電極に接続されている。The voltage detection electrodes EDI, ED2. ED3...E
Dn are connected to individual connection lines I21 . Q2. Q3...
MO5) for voltage detection by un:! Field effect transistor D Fl, D F2. A field effect transistor RF1 connected to the gate electrode of D F3-D Fn and used as a reset switching means.
, RF2. RF3...Connected to the drain electrode of the corresponding one in RFn.
前記のリセット用スイッチング手段として使用される各
電界効果トランジスタＲＦｌ、 ＲＦ２． ＲＦ３・・
・ＲＦｎにおけるゲート電極はリセットパルスの入力端
子２に共通接続されており、また、各電界効果トランジ
スタＲＦＩ、ＲＦ２．ＲＦ３−ＲＦｎにおけるソース電
極は、リセット動作時に電圧検出用電極Ｅ ＤＩ、 Ｅ
Ｄ２． Ｅ Ｄ３− Ｅ Ｄｎや電圧検出用ＭＯ８型
電界効果トランジスタのゲート電極に与えるべき基準電
圧を供給する電源Ｖｓｓに共通接続されている。Each of the field effect transistors RF1, RF2. used as the above-mentioned reset switching means. RF3...
- The gate electrodes of RFn are commonly connected to the reset pulse input terminal 2, and each field effect transistor RFI, RF2 . The source electrodes in RF3-RFn are voltage detection electrodes E DI, E during reset operation.
D2. It is commonly connected to the power source Vss that supplies the reference voltage to be applied to E D3-E Dn and the gate electrode of the MO8 type field effect transistor for voltage detection.
また、前記した各電圧検出用ＭＯ３型電界効果トランジ
スタＤＰＩ、ＤＦ２．ＤＦ３−ＤＦｎのドレイン電極は
動作用電源Ｖに対して共通に接続されていて、一定の電
圧が供給されており、また、前記した各電圧検出用ＭＯ
５型電界効果トランジスタＤＦＩ、ＤＦ２．ＤＦ３・＝
ＤＦｎのソース電極は。In addition, each of the voltage detection MO3 type field effect transistors DPI, DF2 . The drain electrodes of DF3 to DFn are commonly connected to the operating power supply V, and a constant voltage is supplied thereto.
Type 5 field effect transistors DFI, DF2. DF3・=
The source electrode of DFn.
それぞれ個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３・−３Ｆ ｎにおける対
応するもののドレイン電極に接続されており、さらに前
記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ Ｆ
ｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３＝Ｓ Ｆ ｎにおける各ソー
ス電極は共通に接続されて出力端子１に接続されている
。第２２図中のＲΩは負荷抵抗である。Each individual switching field effect transistor S
Fl, S F2. It is connected to the drain electrode of the corresponding one in S F3·-3F n, and is further connected to the drain electrode of the respective switching field effect transistor S F
l, S F2. Each source electrode in S F3=S F n is connected in common to the output terminal 1. RΩ in FIG. 22 is the load resistance.
前記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−８ Ｆ ｎにおける各ゲ
ート電極には、シフトレジスタＳＲからスイッチングパ
ルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎが供給されていて。The individual switching field effect transistor S
Fl, S F2. Each gate electrode in SF3-8Fn receives switching pulses PL, P2 . P3...Pn is supplied.
前記のシフトレジスタＳＲから出力されるスイッチング
パルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎは、第２４図に例示
されている波形図から明らかなように、シフトレジスタ
ＳＲのクロック端子８に供給されている第２４図の（ａ
）に示されているクロック信号Ｐｃによって、第２４図
の（ｂ）〜（ｄ）に例示されているように時間軸上でＰ
１→Ｐ２→Ｐ３→・・・のように順次にシフトレジスタ
ＳＲから出力されるから。Switching pulses PL, P2 . As is clear from the waveform diagram exemplified in FIG. 24, P3...Pn is the signal (a) in FIG.
) on the time axis as illustrated in (b) to (d) of FIG.
This is because they are sequentially output from the shift register SR as follows: 1→P2→P3→...
前記した個別のスイッチング用ＭＯ８型電界効果トラン
ジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−８ Ｆ ｎの
内の選択された次々の１個のものが時間軸上で順次にオ
ンの状態にされて行く。The individual switching MO8 type field effect transistors S Fl, S F2. One selected one of SF3-8Fn is sequentially turned on on the time axis.
それで、それぞれ個別の接続＠Ｑ１．Ｑ２．Ｑ：Ｉ−・
・Ｑｎによって電圧検出用ＭＯ８型電界効果トランジス
タＤＰＩ、ＤＦ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのゲート電極に
接続されている複数の電圧検出用電極ＥＤＩ。So each separate connection @Q1. Q2. Q:I-・
- MO8 type field effect transistors for voltage detection DPI, DF2 . DF3... A plurality of voltage detection electrodes EDI connected to the gate electrode of DFn.
ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎに生じている被検出体の複
数個所における個々の個所の表面電位と対応する電圧は
、前記した複数の電圧検出用ＭＯ８型電界効果トランジ
スタＤ Ｆｌ、 Ｄ Ｆ２． Ｄ Ｆ３−Ｄ Ｆｎのソ
ース側から、それぞれ対応する個別のスイッチング用電
界効果トランジスタＳＦＩ、ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦ
ｎのドレインに供給されているから、前記したシフトレ
ジスタＳ ＲからスイッチングパルスＰｉ、Ｐ２． Ｆ
３・・・が順次に出力されるのに従って次々にオンの状
態にされる個別のスイッチング用電界効果トランジスタ
Ｓ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３＝Ｓ Ｆ ｎのソース
側からは、被検出体の複数個所における個々の個所の表
面電位と対応じて静電誘導によって個別の電圧検出用電
極ＥＤＩ、ＥＤＴ、ＥＤ３・ＥＤｎに生じた電圧と対応
じている電圧が１時間軸上に直列的に出力端子１に送出
されることになる。ED2. The voltages occurring at ED3...EDn and corresponding to the surface potentials at individual locations on the object to be detected are determined by the voltage detection MO8 type field effect transistors D Fl, D F2 . From the source side of D F3-D Fn, corresponding individual switching field effect transistors SFI, SF2 . SF3...SF
Since the switching pulses Pi, P2 . F
3... are sequentially output, the individual switching field effect transistors S Fl, S F2 . are turned on one after another. From the source side of S F3=S F n, voltages are generated at individual voltage detection electrodes EDI, EDT, ED3 and EDn by electrostatic induction corresponding to the surface potential of each of multiple locations on the object to be detected. A voltage corresponding to 1 is sent to the output terminal 1 in series on the 1-time axis.
したがって、例えば第２３図示のように複数の電圧検出
用電極Ｅ ＤＩ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−Ｅ Ｄｎが
１直線上に配列しているように設けられている検出ヘッ
ドを、それの複数の電圧検出用電極Ｅ ＤＩ。Therefore, for example, as shown in FIG. 23, a plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2. A plurality of voltage detection electrodes E DI of a detection head provided such that E D3-E Dn are arranged on one straight line.
ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎが整列している方向と直交
する方向に被検出体に対して相対的に移動させると、被
検出体に形成されている２次元的な電荷像と対応じてい
る時系列的な電気信号が出力端子１に送出されることに
なる。ED2. ED3: When EDn is moved relative to the object to be detected in a direction perpendicular to the direction in which it is aligned, a time series corresponding to a two-dimensional charge image formed on the object to be detected. A typical electrical signal will be sent to the output terminal 1.
前記した第２３図示の検出ヘッドは、複数の電圧検出用
電極Ｅ Ｄｌ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３− Ｅ Ｄｎや
接続線Ｑｌ−Ｏｎなどを周知の薄膜技術によって基体Ｂ
Ｐに形成させた構成態様のものである。The detection head shown in FIG. 23 includes a plurality of voltage detection electrodes E Dl, E D2. E D3- E Dn and connection line Ql-On are connected to base B using well-known thin film technology.
This is a configuration in which P is formed.
ところで、第２１図に例示されている電荷潜像による記
録再生装置において、検出ヘッドＥＤＡを被検出体０の
上面に近接して配置した状態とし。Incidentally, in the recording/reproducing apparatus using a charge latent image illustrated in FIG. 21, the detection head EDA is placed close to the upper surface of the detected object 0.
第２２図を参照して説明したようにシフトレジスタＳＲ
からのスイッチングパルスＰＬ、Ｐ２． Ｐ：ｌ・・が
順次に出力されるのに従って次々にオンの状態にされる
個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ Ｆｌ、
Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−Ｓ Ｆ ｎのソース側から。As explained with reference to FIG. 22, the shift register SR
The switching pulse PL from P2. Individual switching field effect transistors S Fl, which are turned on one after another as P:l... are sequentially output;
SF2. From the source side of SF3-SFn.
被検出体の複数個所におけるＸ方向に整列している個々
の個所の表面電位と対応じて静電誘導によって個別の電
圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎに生
じた電圧と対応する電圧が、時間軸上に直列的に並んで
いる１ブロツクの時系列信号として出力端子１に送出さ
れるようにし、前記した個別の電圧検出用電極Ｅ Ｄｉ
、Ｅ Ｄ２．Ｅ Ｄ３・・・ＥＤｎに生じた電圧のすべ
てに対応じている電圧が時間軸上に直列的に並んだ状態
の１ブロツクの時系列信号が得られる度毎に入力端子２
にリセットパルスＰｒを供給してリセット用スイッチン
グ手段を動作させて、前記したリセットパルスが供給さ
れた時点で、すべての電圧検出用電極ＥＤＩ、Ｅ０２、
ＥＤ３・・・ＥＤｎの電位とすべての電圧検出用ＭＯ９
Ｏ９型電界効果トランジスタＩ、ＤＦ２・・・のゲート
電極の電位とがリセット電源の電圧Ｖｓｓに設定される
ようにする。という動作を検出ヘッドＥＤＡと被検出体
Ｏとを所定の態様で相対的に所定の距離だけ移動させる
度毎に繰返して、被検出体０の表面の２次元的な電荷像
と対応する出力信号が検出ヘッドＥＤＡの出力端子１か
ら送出されるようにするためには、前記した検出ヘッド
ＥＤＡにおけるすべての電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２
、ＥＤ３・・・ＥＤｎの電位とすべての電圧検出用ＭＯ
８型電界効果トランジスタＤＰＩ、ＤＦ２・・・のゲー
ト電極の電位とに対するリセットの時点における被検出
体０と検出ヘッドＥＤＡとの相対的な位置関係と、被検
出体Ｏの電荷像を検出ヘッドＥＤＡによって検出してい
る状態における被検出体０と検出ヘッドＥＤＡとの相対
的な位置関係とが。Individual voltage detection electrodes EDI, ED2 . ED3: The voltage corresponding to the voltage generated at EDn is sent to the output terminal 1 as one block of time-series signals arranged in series on the time axis, and the voltage corresponding to the voltage generated at EDn is sent to the output terminal 1. E Di
, E D2. E D3...Input terminal 2 is input every time one block of time-series signals in which voltages corresponding to all the voltages generated at EDn are arranged in series on the time axis is obtained.
A reset pulse Pr is supplied to operate the reset switching means, and at the time the reset pulse is supplied, all voltage detection electrodes EDI, E02,
ED3... EDn potential and all voltage detection MO9
The potentials of the gate electrodes of the O9 type field effect transistors I, DF2, . . . are set to the voltage Vss of the reset power supply. This operation is repeated every time the detection head EDA and the object to be detected O are relatively moved by a predetermined distance in a predetermined manner, and an output signal corresponding to a two-dimensional charge image on the surface of the object to be detected O is obtained. In order to send out from the output terminal 1 of the detection head EDA, all the voltage detection electrodes EDI and ED2 in the detection head EDA described above must be connected to each other.
, ED3... EDn potential and all voltage detection MOs
The relative positional relationship between the detected object 0 and the detection head EDA at the time of reset with respect to the potential of the gate electrodes of the 8-type field effect transistors DPI, DF2, etc., and the charge image of the detected object O are detected by the detection head EDA. The relative positional relationship between the detected object 0 and the detection head EDA in the state of detection is as follows.
それぞれ適切でなければならない（詳細な理由は、本出
願人会社が昭和６３年５月１０日に特許出願した特願Ｖ
ｉ６３−１１３３０６号Ｆ電荷潜像による記録再生装置
」の明細書に記述されている）。Each must be appropriate (for detailed reasons, see patent application V filed by the applicant company on May 10, 1988).
i63-113306 F (described in the specification of ``Recording and reproducing apparatus using charge latent images'').
そのために、第２１図に示されている既提案の表面電位
分布と対応する電気信号の発生装置では。For this purpose, the electric signal generator corresponding to the previously proposed surface potential distribution shown in FIG.
検出ヘッドＥＤＡにおける電圧検出用電極ＥＤと被検出
体○の表面との間隔が、空間に設定された２つの所定の
位置の間で変化されるようにしておき、また、電圧検出
用ＭＯ８型電界効果トランジスタＤＦＩ〜ＤＦｎにおけ
るドレイン・ゲート間の漏洩電流によるゲート電極の電
位上昇に対するリセット動作を、前記した空間に設定さ
れた２つの所定の位置の予め定められた方の位置で行わ
れるようにしているのである５第２１図中における矢印
Ｕは、電圧検出用電極と被検出体０との間隔の変化態様
を示すためのものである。The distance between the voltage detection electrode ED in the detection head EDA and the surface of the detected object ○ is changed between two predetermined positions set in space, and the MO8 type electric field for voltage detection is A reset operation in response to an increase in the potential of the gate electrode due to a leakage current between the drain and gate in the effect transistors DFI to DFn is performed at a predetermined position of the two predetermined positions set in the space. The arrow U in FIG. 21 is for showing how the distance between the voltage detection electrode and the object to be detected 0 changes.
第２１図に示されている既提案の表面電位分布と対応す
る電気信号の発生装置では、それの実施に際して検出ヘ
ッドＥＤＡにおける電圧検出用電極と被検出体０の表面
との間隔が、空間に設定された２つの所定の位置の間で
変化されるようになされることが必要とされるために機
械的な振動機構を用いなければならず、したがって、構
成が大掛かりになるという欠点がある他、振動の発生や
騒音の発生などが問題になり、記録再生装置、撮像型記
録再生装置などの構成に当っては前記のような諸欠点の
無い装置の出現が望まれた。In the previously proposed electric signal generation device corresponding to the surface potential distribution shown in FIG. Another disadvantage is that a mechanical vibration mechanism must be used because it needs to be changed between two predetermined positions, and therefore the construction becomes bulky. , generation of vibrations and noise have become problems, and it has been desired to develop devices that do not have the above-mentioned drawbacks in the construction of recording and reproducing devices, imaging type recording and reproducing devices, and the like.
それで１本出願人会社では前記した第２１図示のような
構成の装置における欠点の無い装置として、記録再生対
象の情報信号と対応する電荷潜像が形成される電荷潜像
形成部材の表面電位に応じて静電誘導で生した電圧がゲ
ート電極に与えられる電圧検出用ＭＯ８型電界効果トラ
ンジスタと、前記の電圧検出用ＭＯ３型電界効果トラン
ジスタにおける入力側回路の静電容量に前記の電圧検出
Ｊｌｌ Ｍ ＯＳ型電界効果トランジスタのドレイン電
極・ゲート電極間のａ洩電流によって充電した電荷を放
電させるためのリセット手段とを含んで構成されている
電荷潜像による記録再生装置において、電荷潜像形成部
材の記録再生領域からの電荷潜像の再生動作が、記録再
生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面電位分
布を示す第１の領域と、予め定められた一定の表面電位
分布を示す第２の領域とについて順次交互に行われるよ
うにする手段と、前記した第１の領域と第２の領域とに
おける予め定められた一方の領域においてリセット動作
が行われるようにする手段とを備えてなる電荷潜像によ
る記録再生装置を提案した。Therefore, the applicant company has developed an apparatus having the structure as shown in FIG. The voltage detection MO8 field effect transistor, in which a voltage generated by electrostatic induction is given to the gate electrode, and the voltage detection MO3 field effect transistor have capacitances in the input circuit of the voltage detection MO3 field effect transistor. In a charge latent image recording/reproducing device comprising a reset means for discharging charges accumulated by a leakage current between a drain electrode and a gate electrode of an OS type field effect transistor, a charge latent image forming member is The operation of reproducing a charge latent image from a recording/reproduction area results in a first area exhibiting a surface potential distribution due to a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded/reproduced, and a second area exhibiting a predetermined constant surface potential distribution. and means for causing the reset operation to be performed in a predetermined one of the first and second areas. A recording and reproducing device using charge latent images was proposed.
前記した既提案の電荷潜像による記録再生装置の構成原
理及び動作原理を第２０図を参照して説明すると次のと
おりである。第２０図は既提案の電荷潜像による記録再
生装置における電荷潜像形成部材の記録再生領域に対す
る検出ヘッドＥＤＡによる再生動作を説明するための電
荷潜像形成部材の記録再生領域ＲＺと検出ヘッドＥＤＡ
との対応関係を示している平面図である。The principle of construction and operation of the previously proposed recording and reproducing apparatus using charge latent images will be explained with reference to FIG. 20 as follows. FIG. 20 shows the recording/reproducing area RZ of the charge latent image forming member and the detection head EDA for explaining the reproducing operation by the detection head EDA for the recording/reproducing area of the charge latent image forming member in the previously proposed recording/reproducing apparatus using the charge latent image.
FIG.
第２０図においてＥＤＡは検出ヘッドであって、この検
出ヘッドＥＤＡは第２０図中のＸ方向に主走査が行われ
るとともに、第２０図中のＹ方向に副走査が行われるよ
うになもので、前記の検出ヘッドＥＤＡとしては第２１
図示の既提案装置に関連して第２２図乃至＠２４図を参
照して既述されているような構成態様のものが使用され
てもよい。In FIG. 20, EDA is a detection head, and this detection head EDA is designed to perform main scanning in the X direction in FIG. 20 and sub-scanning in the Y direction in FIG. , the 21st detection head EDA is
The configurations already described with reference to FIGS. 22 to 24 in connection with the previously proposed device shown may be used.
第２０図においてＲＺは電荷潜像形成部材における記録
再生領域を例示したもので、この電荷潜像形成部材の記
録再生領域ＲＺ中において、ＴＲ１、ＴＲ２・・・のよ
うにＴＲ（ＴＲＩ、ＴＲ２・・・のように、それぞれの
部分を区別することなく表示する場合には、添字の１，
２記載が省略される）として表示されているそれぞれの
領域は、電荷潜像形成部材の記録再生領域ＲＺにおいて
記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による表面
電位分布を示す第１の領域であり、また、電荷潜像形成
部材の記録再生領域ＲＺ中において、ＯＰＩ、 ＯＰｌ
・・・のように０Ｐ（ＯＰｌ、、ＯＰｌ・・・のように
。In FIG. 20, RZ is an example of the recording/reproducing area in the charge latent image forming member. In the recording/reproducing area RZ of the charge latent image forming member, TR(TRI, TR2, When displaying each part without distinguishing them, as in the case of
2 (description omitted)) is a first area showing a surface potential distribution due to a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced in the recording and reproduction region RZ of the charge latent image forming member. In addition, in the recording/reproducing area RZ of the charge latent image forming member, OPI, OPl
...like 0P(OPl,,OPl...like).
それぞれの部分を区別することなく表示する場合には、
添字の１，２記載が省略される）として表示されている
それぞれの領域は、電荷潜像形成部材の記録再生領域Ｒ
Ｚにおいて予め定められた一定の表面電位分布を示す第
２の領域である。If you want to display each part without distinguishing them,
The respective areas indicated by subscripts 1 and 2 are omitted are the recording/reproducing area R of the charge latent image forming member.
This is a second region exhibiting a predetermined constant surface potential distribution in Z.
そして、第２０図示の既提案の電荷潜像による記録再生
装置において、記録再生対象の情報信号と対応する電荷
潜像による記録が行われている電荷潜像形成部材の記録
再生領域ＲＺに電荷像として記録されている情報信号の
再生が行われる場合には、電荷潜像形成部材における記
録再生領域■ζＺの電荷像の検出に用いられる検出ヘッ
ドＥＤＡが、電荷潜像形成部材の記録再生領域ＲＺにお
いて記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像による
表面電位分布を示す第１の領域ＴＲと、予め定められた
一定の表面電位分布を示す第２の領域ＯＰとに順次交互
に位置するようになされるとともに、前記した第１の領
域ＴＲと第２の領域○Ｐとにおける予め定められた一方
の領域において読出し動作が行われたときには、前記の
読出し動作が行われなかった他方の領域においてはリセ
ット動作が行われるようになされるのである。In the already proposed charge latent image recording and reproducing apparatus shown in FIG. When reproducing information signals recorded as , the detection head EDA used to detect the charge image in the recording/reproducing area A first area TR showing a surface potential distribution due to a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced and a second area OP showing a predetermined constant surface potential distribution are sequentially and alternately located in the area. At the same time, when a read operation is performed in one of the predetermined regions of the first region TR and second region ○P, the read operation is performed in the other region where the read operation is not performed. is set such that a reset operation is performed.
前記の点を具体的に説明すると次のとおりである。すな
わち、例えば、電荷潜像形成部材の記録再生領域ＲＺに
電荷像として記録されている情報信号の読出しに当って
、検出ヘッドＥＤＡが電荷潜像形成部材の記録再生領域
ＲＺにおける＠１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・にお、いて
読出し動作が行われるようになされたときには、前記の
読出し動作が行われなかった他方の領域、すなわち、第
２の領域ＯＰＩ、ＯＰ２・・・においてリセット動作が
行われるようになされるのであり、また前記の場合とは
逆に、例えば、重荷潜像形成部材の記録再生領域ＲＺに
電荷像として、４ｄ録されている情報信号の読出しに当
って、検出ヘッドＥＤＡが電荷潜像形成部材の記録再生
領域ＲＺにおける第２の領域ＯＰｉ、ＯＰ２・・・にお
いて読出し動作を行うようになされたときには、前記の
読出し動作が行われなかった他方の領域、すなわち、第
１の領域Ｔ Ｒ１゜ＴＲ２・・・においてリセット動作
が行われるようになされるのである。The above point will be specifically explained as follows. That is, for example, when reading an information signal recorded as a charge image in the recording and reproducing area RZ of the charge latent image forming member, the detection head EDA detects the area TRI of @1 in the recording and reproducing area RZ of the charge latent image forming member. , TR2..., the reset operation is performed in the other area where the read operation was not performed, that is, the second area OPI, OP2... Contrary to the above case, for example, when reading out an information signal recorded as a 4D charge image in the recording and reproducing area RZ of the heavy latent image forming member, the detection head EDA When a read operation is performed in the second areas OPi, OP2, etc. in the recording and reproducing area RZ of the charge latent image forming member, the other area where the read operation was not performed, that is, the first The reset operation is performed in the regions TR1, TR2, . . . .
そして、電荷潜像形成部材の記録再生領域ＲＺに電荷像
として記録されている情報信号の読出し動作とリセット
動作とが検出ヘッドＥＤＡによって前述のような態様、
すなわち、検出ヘッドＥＤＡが電荷潜像形成部材の記録
再生領域ＲＺにおける第１の領域ＴＲＩ、ＴＲ２・・と
、第２の領域ｏｐ１、ＯＦ２・・・との何れか一方の予
め定められた領域において読出し動作が行われ、また、
前記の読出し動作が行われなかった他方の領域において
リセット動作が行われるようになされたときは、第２１
図を参照して説明した既提案の装置における電荷像によ
る情報信号の読取り動作及びリセット動作と同様な電荷
像による情報信号の読取り動作及びリセット動作とが、
検出ヘッドＥＤＡを振動させない状態で良好に行うこと
ができるのである。Then, the reading operation and resetting operation of the information signal recorded as a charge image in the recording/reproducing area RZ of the charge latent image forming member are carried out by the detection head EDA in the manner described above.
In other words, the detection head EDA detects a predetermined area in one of the first areas TRI, TR2, etc. and the second areas op1, OF2, etc. in the recording and reproducing area RZ of the charge latent image forming member. A read operation is performed, and
When the reset operation is performed in the other area where the read operation was not performed, the 21st
The information signal read operation and reset operation using a charge image are similar to the information signal read operation and reset operation using a charge image in the previously proposed device described with reference to the figures.
This can be done well without vibrating the detection head EDA.
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、第２０図を参照して説明した既提案の電荷潜
像による記録再生装置では、第２１図を参照して説明し
た既提案の装置における電荷像による情報信号の読取り
動作及びリセット動作と同様な電荷像による情報信号の
読取り動作及びリセット動作とを、検出ヘッドＥＤＡを
振動させない状態で良好に行わせることができるとはい
っても、検出ヘッドＥＤＡによる電荷像の読出しに際し
ては、電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号
を発生させるための検出ヘッドＥＤＡの構成に使用され
ている電圧検出用電界効果トランジスタに対するリセッ
ト動作が必要とされるために。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the recording/reproducing device using the charge latent image of the previously proposed device explained with reference to FIG. Although it is possible to perform the information signal reading operation and resetting operation similar to the information signal reading operation and resetting operation using a charge image without vibrating the detection head EDA, the electric charge caused by the detection head EDA When reading out an image, a reset operation is required for the voltage detection field effect transistor used in the configuration of the detection head EDA to generate an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member. .
検出ヘッドＥＤＡによる情報信号の読出し動作にに伴っ
て必らずリセット動作が必要とされるのであり、１を荷
潜像形成部材の記録再生領域ＲＺにおける第１の領域Ｔ
ＲＩ、ＴＲ２・・・と、第２の領域ＯＰｉ、ＯＰ２・・
・との何れか一方の予め定められた領域においての読出
し動作に対して、前記の読出し動作が行われなかった他
方の領域についてリセット動作が行われるようにされろ
、というような煩雑な動作の繰返しが必要であった。A reset operation is always required in conjunction with the reading operation of the information signal by the detection head EDA.
RI, TR2... and second areas OPi, OP2...
・In response to a read operation in one of the predetermined areas, a reset operation is performed in the other area where the read operation was not performed. Repetition was necessary.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像
が形成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電
誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられることにより
電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生
させる電圧検出用電界効果トランジスタを含んで構成さ
れている検出ヘッドを備えた電荷潜像による記録再生装
置であって、１１１荷潜像形成部材の表面電位に応じて
静電誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられることに
より電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を
発生させる電圧検出用電界効果トランジス、夕としてフ
ローティング・ゲート電界効果トランジスタを含んで構
成させた検出ヘッドを備えている電荷潜像による記録再
生装置と、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像
が形成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電
誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられることにより
電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生
させる電圧検出用電界効果トランジスタとしてフローテ
ィング・ゲート電界効果トランジスタを用いるとともに
、前記した電圧検出用のフローティング・ゲート電界効
果トランジスタのゲート電位を外部からの印加電圧によ
って制御可能にする手段を備えた電荷潜像による記録再
生装置と、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像
が形成されろ電荷潜像形成部材の複数個所における個々
の表面電位に応じて静ｆｌＩＭ導で生じた電圧が個別に
ゲートｆｆ電極に与えられる電圧検出用の複数個のフロ
ーティング・ゲート電界効果トランジスタと、前記した
複数個のフローティング・ゲート電界効果トランジスタ
の出力信号を時間軸上で直列的に並ぶように順次に取出
して時系列信号として出力させる手段とを備えてなる電
荷潜像による記録再生装置と、少なくとも３種類の異な
る細条片を１組とする細条片組を繰返し配列してなる色
分解縞状フィルタによって色分解した記録再生対象の光
学像情報と対応する電荷潜像が形成された電荷潜像形成
部材の複数個所における個々の表面電位に応じて静電誘
導で生じた電圧が個別にゲート電極に与えられる電圧検
出用の複数個のフローティング・ゲート電界効果トラン
ジスタと、前記した複数個のフローティング・ゲート電
界効果トランジスタの出力信号を時間軸上で直列的に並
ぶように順次に取出して時系列信号として出力させる手
段とを備えてなる電荷潜像による記録再生装置であって
、前記した色分解縞状フィルタにおける各細条片と対応
じて電荷潜像形成部材に形成された記録再生領域の長手
方向と検出ヘッドの複数のゲート電極の配列の方向とが
一致するような配置態様で配置させた検出ヘッドを、前
記した色分解縞状フィルタにおける各細条片と対応じて
電荷潜像形成部材に形成された記録再生領域の個々のも
の毎に順次に対応させるようにする手段を備えてなる電
荷潜像による記録再生装置、及び少なくとも３種類の異
なる細条片を１組とする細条片組を繰返し配列してなる
色分解縞状フィルタによって色分解した記録再生対象の
光学像情報と対応する電荷潜像が形成された電荷潜像形
成部材の複数個所における個々の表面電位に応じて静電
誘導で生じた電圧が個別にゲート電極に与えられる電圧
検出用の複数個のフローティング・ゲート電界効果トラ
ンジスタと、前記した複数個のフローティング・ゲート
電界効果トランジスタの出力信号を時間軸上で直列的に
並ぶように順次に取出して時系列信号として出力させる
手段とを備えてなる電荷潜像による記録再生装置であっ
て、前記した色分解縞状フィルタにおける各細条片と対
応じて電荷潜像形成部材に形成された記録再生領域の配
列のピンチと略々等しいピッチで複数のゲート電極が配
列されている検出ヘッドを用い、また、前記した色分解
縞状フィルタにおける各細条片の長手方向に対して前記
した検出ヘッドの複数のゲート電極の配列方向が直交す
るような配置態様で配置される検出ヘッドを、前記した
色分解縞状フィルタにおける各細条片の長手方向に副走
査させるようにする手段を備えてなる電荷潜像による記
録再生装置と、記録再生対象の光学情報を波長域を異に
している少なくとも３個の光学像に分解して得た個別の
光学像の結像面を同一平面上に並列的に形成させ、前記
した個別の光学像の結像面における光学情報と対応する
電荷潜像が形成されている電荷潜像形成部材の表面電位
に応じて静電誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられ
ることにより電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電
気信号を発生させる電圧検出用電界効果トランジスタを
含んで構成されている検出ヘッドを備えた電荷潜像によ
る記録再生装置であって、電荷潜像形成部材の表面電位
に応じて静電誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられ
ることにより電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電
気信号を発生させる電圧検出用電界効果トランジスタと
してフローティング・ゲート電界効果トランジスタを含
んで構成させた検出ヘッドを用いて前記した波長域を異
にしている個別の光学像と対応じている電荷像の検出を
行う手段と、前記した検出ヘッドの出力信任に基づいて
個別の色信号を発生させる手段とを備えている電荷潜像
による記録再生装置、ならびに記録再生対象の情報信号
と対応する電荷潜像が形成される電荷潜像形成部材の複
数個所における個々の表面電位に応じて静電誘導で生じ
た電圧が個別にゲート電極に与えられる電圧検出用の複
数個のフローティング・ゲート電界効果トランジスタと
。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a gate for a voltage generated by electrostatic induction in accordance with the surface potential of a charge latent image forming member on which a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced is formed. A recording/reproducing device using a latent charge image, comprising a detection head including a field effect transistor for detecting voltage that generates an electric signal corresponding to the surface potential of a latent charge image forming member when applied to an electrode. , 111 A field effect transistor for voltage detection that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode in accordance with the surface potential of the charge latent image forming member. , a charge latent image recording and reproducing device equipped with a detection head including a floating gate field effect transistor, and a charge latent image forming device in which a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced is formed. A floating gate field effect transistor is used as a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode according to the surface potential of the member. A recording/reproducing device using a charge latent image, which uses a transistor and is equipped with means for controlling the gate potential of the floating gate field effect transistor for voltage detection by means of an externally applied voltage, and an information signal to be recorded and reproduced. A charge latent image corresponding to the charge latent image is formed.A plurality of floating electrodes are provided for voltage detection, in which voltages generated by static flIM conduction are individually applied to gate ff electrodes in accordance with individual surface potentials at a plurality of locations of the charge latent image forming member. - A charge latent comprising a gate field effect transistor and a means for sequentially extracting the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors so as to be arranged in series on the time axis and outputting them as time series signals. Optical image information of the object to be recorded and reproduced color-separated by an image-based recording and reproducing device and a color separation striped filter formed by repeatedly arranging a set of strips of at least three different types and electric charges corresponding to the optical image information. A plurality of floating gate field effect transistors for voltage detection in which voltages generated by electrostatic induction are individually applied to gate electrodes in accordance with individual surface potentials at a plurality of locations of a charge latent image forming member on which latent images are formed. and means for sequentially extracting the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors so that they are arranged in series on the time axis and outputting them as time-series signals. The longitudinal direction of the recording and reproducing area formed on the charge latent image forming member corresponding to each strip in the color separation striped filter described above coincides with the direction of arrangement of the plurality of gate electrodes of the detection head. The detection head arranged in such a manner as to correspond to each strip of the color separation striped filter mentioned above is sequentially applied to each of the recording and reproducing areas formed on the charge latent image forming member. Color separation was performed using a charge latent image recording and reproducing device comprising a means for making the color separated, and a color separation striped filter formed by repeatedly arranging a set of strips each consisting of at least three different types of strips. Voltage detection in which voltages generated by electrostatic induction are individually applied to gate electrodes in response to individual surface potentials at multiple locations of a charge latent image forming member on which charge latent images corresponding to optical image information to be recorded and reproduced are formed. a plurality of floating gate field effect transistors, and means for sequentially extracting the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors so as to be arranged in series on the time axis and outputting them as time series signals; A charge latent image recording/reproducing device comprising: a charge latent image recording/reproducing device, which has approximately a pinch in the array of recording/reproducing areas formed on the charge latent image forming member corresponding to each strip in the color separation striped filter described above; A detection head in which a plurality of gate electrodes are arranged at equal pitches is used, and the arrangement direction of the plurality of gate electrodes of the detection head is arranged relative to the longitudinal direction of each strip in the color separation striped filter. A recording/reproducing device using a charge latent image, comprising means for sub-scanning detection heads disposed in an orthogonal manner in the longitudinal direction of each strip in the color separation striped filter; The optical information to be recorded and reproduced is decomposed into at least three optical images having different wavelength ranges, and the imaging planes of the individual optical images are formed in parallel on the same plane, and the individual optical images described above are formed in parallel on the same plane. A charge latent image forming member is formed by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode in accordance with the surface potential of the charge latent image forming member, on which a charge latent image corresponding to optical information on the image forming surface is formed. A charge latent image recording/reproducing device equipped with a detection head including a field effect transistor for voltage detection that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member. The voltage detection field effect transistor is configured to include a floating gate field effect transistor as a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode. means for detecting charge images corresponding to the individual optical images having different wavelength ranges using a detection head described above, and generating individual color signals based on the output confidence of the detection head described above; and a charge latent image recording and reproducing device comprising means for recording and reproducing information signals to be recorded and reproduced, and electrostatic induction according to individual surface potentials at multiple locations of a charge latent image forming member on which charge latent images corresponding to information signals to be recorded and reproduced are formed. a plurality of floating gate field effect transistors for voltage detection, in which the voltages generated at are individually applied to the gate electrodes;
前記した複数個のフローティング・ゲート電界効果トラ
ンジスタの出力信号を時間軸上で直列的に並ぶように順
次に取出して時系列信号として出力させる手段と、出力
信号が取出されるように選択されている電圧検出用のフ
ローティング°ゲート電界効果トランジスタにおけるゲ
ート電位を外部からの印加電圧により選択的に制御する
手段を備えた電荷潜像シ；よろ記録再生装置を提供する
ものである。means for sequentially extracting the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors so as to be arranged in series on the time axis and outputting them as time-series signals; The object of the present invention is to provide a charge latent image wobbling recording and reproducing device that is equipped with means for selectively controlling the gate potential of a floating gate field effect transistor for voltage detection using an externally applied voltage.
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の電荷潜像による記録
再生装置のり、体的な内容を詳細に説明する。第１図は
本発明の電荷潜像による記録再生装置の記録系の概１Ｉ
Ｉ８構成を示す側面図、第２図は本発明の電荷潜像によ
る記録再生装置の再生系の概略構成を示すブロック図、
第３図は検出ヘッドの構成を説明するための検出ヘッド
の一部の斜視図。(Example) Hereinafter, the physical contents of the recording/reproducing apparatus using charge latent images of the present invention will be explained in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a schematic diagram of a recording system of a recording/reproducing apparatus using a charge latent image according to the present invention.
2 is a side view showing the I8 configuration; FIG. 2 is a block diagram showing the schematic configuration of the reproducing system of the recording/reproducing apparatus using charge latent images of the present invention;
FIG. 3 is a perspective view of a portion of the detection head for explaining the configuration of the detection head.
第４図乃至第６図は本発明の電荷潜像による記録再生装
置で使用される検出ヘッドの構成の説明に使用するブロ
ック図、第７図は本発明の電荷潜像による記録再生装置
の記録系の他の構成ｍ様の概煽構成を示す側面図、第８
図は第７図示の電荷潜像による記録再生装置の記録系で
使用される色分解縞状フィルタの概略を示す平面図、第
９図は第７図に示した本発明の電荷潜像による記録再生
装置の記録系の他の構成態様のものの正面図、第１Ｏ図
及び第１１図は第７図示の電荷潜像による記録再生装置
の記録系によって記録形成された記録領域に対する検出
ヘッドの走査態様を説明するための平面図、第１２図及
び第１３図は検出ヘッドの出力信号の信号処理を行う回
路例を示すブロック図、第１４図はは本発明の電荷潜像
による記録再生装置の記録系の他の構成態様の概＋１８
構成を示す側面図、第１５図は３色分解光学系の一例構
成の平面図、第１６図は第１５図示の３色分解光学系の
斜視図、第１７図は第１４図示の電荷潜像による記録再
生装置の記録系によって記録形成された記録領域に対す
る検出ヘッドの走査態様を説明するための平面図、第１
８＠は電圧検出用フローティング・ゲート電界効果トラ
ンジスタのゲート電圧のバイアス点の補正の説明のため
の曲線図。4 to 6 are block diagrams used to explain the configuration of the detection head used in the recording and reproducing apparatus using charge latent images of the present invention, and FIG. Side view showing the general configuration of other configurations of the system, No. 8
The figure is a plan view schematically showing a color separation striped filter used in the recording system of the recording/reproducing apparatus using the charge latent image shown in FIG. 7, and FIG. 9 is the recording using the charge latent image of the present invention shown in FIG. Front views of other configurations of the recording system of the reproducing apparatus, FIGS. 1O and 11 show the scanning mode of the detection head with respect to the recording area recorded by the recording system of the recording and reproducing apparatus using the charge latent image shown in FIG. 7. 12 and 13 are block diagrams showing an example of a circuit for signal processing of the output signal of the detection head. FIG. Overview of other configuration aspects of the system +18
15 is a plan view of an example configuration of the three-color separation optical system, FIG. 16 is a perspective view of the three-color separation optical system shown in FIG. 15, and FIG. 17 is a latent charge image shown in FIG. 14. FIG.
8@ is a curve diagram for explaining correction of the bias point of the gate voltage of the floating gate field effect transistor for voltage detection.
第１９図は検出ヘッドの構成例を示すブロック図である
。FIG. 19 is a block diagram showing an example of the configuration of the detection head.
本発明の電荷潜像による記録再生Ｖｉ置の記録系の概略
構成を示す第１図において、Ｑは記録再生の対象にされ
ている被写体であり、またＤｒは記録再生の対象にされ
ている被写体Ｑの光学像を電荷像として記録する記録媒
体（第１図示の例では記録媒体円盤・・・ディスク・・
・とじて示されている）、Ｌは撮像レンズである。In FIG. 1 showing a schematic configuration of a recording system for recording and reproducing by position Vi using a charge latent image of the present invention, Q is a subject to be recorded and reproduced, and Dr is a subject to be recorded and reproduced. A recording medium for recording the optical image of Q as a charge image (in the example shown in the first figure, a recording medium disk...disc...
・L is an imaging lens.
前記した記録媒体Ｄｒは記録媒体の基板を兼ねている電
極Ｅと良好な絶縁物質で構成されている電荷潜像形成部
材ＣＨＬとによって構成、されており１回転軸７により
回転可能になされている。Ｒｅ Ｈはガラス基板ＢＰと
透明電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬとによって構成され
ている記録ヘッドであり、この記録ヘッドＲａＨにおけ
る透明電極Ｅｔと記録媒体Ｄｒにおける電極Ｅとの間に
は電源ｖｂが接続されて、記録ヘッドＲａＨにおける透
明ｆｆｉ極Ｅｔと記録媒体Ｄｒの電極Ｅとの間に所定の
強さの電界が形成されるようになされている。The recording medium Dr described above is composed of an electrode E which also serves as a substrate of the recording medium, and a charge latent image forming member CHL made of a good insulating material, and is rotatable about a rotation shaft 7. . Re H is a recording head composed of a glass substrate BP, a transparent electrode Et, and a photoconductive layer member PCL, and a power supply vb is connected between the transparent electrode Et of this recording head RaH and the electrode E of the recording medium Dr. They are connected so that an electric field of a predetermined strength is formed between the transparent ffi pole Et in the recording head RaH and the electrode E of the recording medium Dr.
それで、被写体Ｑの光学像が撮像レンズＬによって記録
ヘッドＲａＨにおける光導電層部材ＰＣＩ７に結像され
ると、記録ヘッドＲｅＨにおける光導ｔ１！層部材ＰＣ
Ｌ、の電気抵抗値が被写体の光学像に対応じて変化する
ために、記録媒体Ｄｒにおける電荷潜像形成部材ＣＨＬ
には被写体Ｑの光学像に対応する電荷像が形成される。Therefore, when the optical image of the subject Q is formed by the imaging lens L onto the photoconductive layer member PCI7 in the recording head RaH, the light guide t1 in the recording head ReH! Layer member PC
Since the electric resistance value of L changes in accordance with the optical image of the subject, the charge latent image forming member CHL in the recording medium Dr
A charge image corresponding to the optical image of the subject Q is formed.
前記した記録媒体Ｄｒとしてはディスク状に限らず、テ
ープ状、シート状、カード状、その他、任意の形状寸法
のものになされていてもよいことは勿論である。Of course, the recording medium Dr described above is not limited to a disk shape, but may be a tape shape, a sheet shape, a card shape, or any other shape and size.
第２図は記録再生の対象にされている光学像に対応する
電荷像が記録されている記録媒体Ｄｒがら電荷像を読出
すのに使用される検出ヘッドの構成例を示すブロック図
であり、また、第３図は検出ヘッドの構成の説明に使用
する検出ヘッドの一部の斜視図である。FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of a detection head used to read out a charge image from a recording medium Dr on which a charge image corresponding to an optical image to be recorded and reproduced is recorded. Further, FIG. 3 is a perspective view of a portion of the detection head used to explain the configuration of the detection head.
第２図及び第３図においてＤ Ｆ ｆｇｌ−ｒｊ Ｆ
ｆｇｎなどは、電圧検出用のブローティング・ゲート電
界効果トランジスタであるが、以下の説明において電圧
検出用のフローティング・ゲートＭＯ５型電界効果トラ
ンジスタＤ Ｆ ｆｇｌ −Ｄ Ｆ ｆｇｎの個々のも
のを区別することなく記述するとき及び図示説明すると
きなどには、電圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ
８型電界効果トランジスタＤＦｆｇのように記載される
ことがある。In Figures 2 and 3, D F fgl-rj F
fgn, etc. are bloating gate field effect transistors for voltage detection, but in the following explanation, it is important to distinguish between floating gate MO5 type field effect transistors DF fgl -D F fgn for voltage detection. Floating gate MO for voltage detection
It is sometimes described as an 8-type field effect transistor DFfg.
第２図に示されている検出ヘッドにおいて、ＥＤＩ、Ｅ
Ｄ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎは電圧検出用電極であり、前
記した電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ：１−ＥＤ
ｎは、それぞれ個別の接続＆ＩＱ Ｉ、 Ｑ ２． Ｑ
３・・・Ｏｎによって電圧検出用のフローティング°
ゲートＭＯ３型電界効果トランジスタＤＦｆｇｌ、ＤＦ
ｆｇ２ 、 Ｄ Ｆ ｆｇ３・・・Ｄ Ｆ ｆｇｎの
ゲートｆｔｌｌ４ｉｉに接続されている。In the detection head shown in FIG.
D2. ED3...EDn are voltage detection electrodes, which are similar to the voltage detection electrodes EDI, ED2. ED:1-ED
n are each individual connection &IQ I, Q 2. Q
3...Floating for voltage detection by turning on
Gate MO3 type field effect transistor DFfgl, DF
fg2, D F fg3... are connected to the gate ftll4ii of D F fgn.
また、前記した各電圧検出用のフローティング・ゲート
ＭＯ３型電界効果トランジスタＤＦｆｇｌ。Also, the floating gate MO3 type field effect transistor DFfgl for each voltage detection described above.
Ｄ Ｆ ｆｇ２． Ｄ Ｆ ｆｇ：ｌ−Ｄ Ｆ ｆｇｎ
のドレイン電極は動作用電源■に対して共通に接続され
ていて、一定の電圧が供給されており、また、前記した
各電圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ３型電界効
果トランジスタＤＦｆｇｌ、 ＤＦｆｇ２． ＤＦｆじ
３・・・ＤＦｆｇｎのソース電極は、それぞれ個別のス
イッチング用電界効果トランジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ
２．Ｓ Ｆ３ＳＦｒ口こおける対応するもののドレイン
電極に接続されており、さらに前記の個別のスイッチン
グ用電界効果トランジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ
Ｆ３・・・ＳＦｎにおける各ソース電極は共通に接続さ
れて出力端子１に接続されている。第２図中のＲＱは負
荷抵抗である。D F fg2. D F fg:l-D F fgn
The drain electrodes of the floating gate MO3 type field effect transistors DFfgl, DFfg2 . DFfji3...The source electrodes of DFfgn are connected to individual switching field effect transistors S Fl, S F
2. S F3SFr is connected to the drain electrode of the corresponding one in S F3SFr, and is further connected to the respective switching field effect transistors S Fl, S F2 . S
Each source electrode in F3...SFn is connected in common to the output terminal 1. RQ in FIG. 2 is a load resistance.
前記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−５ Ｆ ｎにおける各ゲ
ート電極には、シフトレジスタＳＲからスイッチングパ
ルスＰＩ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎが供給されていて。The individual switching field effect transistor S
Fl, S F2. Each gate electrode in SF3-5Fn receives switching pulses PI, P2 . P3...Pn is supplied.
前記のシフトレジスタＳＲから出力されるスイッチング
パルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎは、第２４図に例示
されている波形図から明らかなように、シフトレジスタ
ＳＲのクロック端子８に供給されている＠２４図の（ａ
）に示されているクロック信号ＰＣによって、第２４図
の（ｂ）〜（ｄ）に例示されているように時間軸上でＰ
１→Ｐ２→Ｐ３→・・・のように順次にシフトレジスタ
ＳＲから出力されるから。Switching pulses PL, P2 . As is clear from the waveform diagram illustrated in FIG. 24, P3...Pn are supplied to the clock terminal 8 of the shift register SR (a in FIG.
), P on the time axis as illustrated in FIG. 24(b) to (d).
This is because they are sequentially output from the shift register SR as follows: 1→P2→P3→...
前記した個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−３ Ｆ ｎの内の選択
された次々の１個のものが時間軸上で順次にオンの状態
にされて行く。The above-mentioned individual switching field effect transistor S
Fl, S F2. One selected one of SF3-3Fn is sequentially turned on on the time axis.
それで、それぞれ個別の接続線Ｑ １． Ｑ ２． Ｑ
３・・・Ｑｎによって電圧検出用のフローティング・
ゲートＭＯ５型電界効果トランジスタＤＦｆｇ１． Ｄ
Ｆｆｇ２． ＤＦｆｇ３・・・ＤＩ−ｆｇｎのゲート電
極に接続されている複数の電圧検出用型Ｖｉ４ＥＤ＋、
ＥＤ２．ＥＤ３・・ＥＤｎに生じている被検出体の複数
個所における個々の個所の表面電位と対応する電圧は、
前記した複数の電圧検出用のフローティング・ゲートＭ
Ｏ８型電界効果トランジスタＤ Ｆｆｇｌ、 Ｄ Ｆｆ
ｇ２゜１）Ｆｆｇ３・・・ＤＦｆｇｎのソース側から、
それぞれ対応する個別のスイッチング用電界効果トラン
ジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−Ｓ Ｆ ｎの
ドレインに供給されているから、前記したシフトレジス
タＳＲからスイッチングパルスＰＬ、Ｐ２． Ｆ３・・
・が順次に出力されるのに従って次々にオンの状態にさ
れる個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳＦ１
゜ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦｎのソース側からは、被検
出体の複数個所における個々の個所の表面電位と対応じ
て静電誘導によって個別の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ
２．ＥＤ３・・・ＥＤｎに生じた電圧と対応じている電
圧が１時間軸上に直列的に出力端子１に送出されること
になる。So each individual connection line Q1. Q2. Q
3...Floating for voltage detection by Qn.
Gate MO5 type field effect transistor DFfg1. D
Ffg2. DFfg3...a plurality of voltage detection type Vi4ED+ connected to the gate electrode of DI-fgn,
ED2. The voltage corresponding to the surface potential of each of the multiple locations of the object to be detected occurring at ED3...EDn is:
Floating gate M for multiple voltage detection described above
O8 type field effect transistor D Ffgl, D Ff
g2゜1) Ffg3...From the source side of DFfgn,
Individual switching field effect transistors S Fl, S F2 . Since the switching pulses PL, P2 . F3...
・Individual switching field effect transistors SF1 that are turned on one after another as are sequentially output.
゜SF2. From the source side of SF3...SFn, individual voltage detection electrodes EDI and ED are formed by electrostatic induction corresponding to the surface potential of each of multiple locations on the object to be detected.
2. A voltage corresponding to the voltage generated at ED3...EDn is sent out to the output terminal 1 in series on the one time axis.
したがって１例えば第３図示のように複数の電圧検出用
電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎが１直線上に配列
しているように設けられている検出ヘッドＥＤＡを、そ
れの複数の電圧検出用電極Ｅ Ｉ）１、ＥＤ２．ＥＤ３
・・・ＥＤｎが整列している方向と直交する方向に被検
出体に対して相対的に移動させると、被検出体に形成さ
れている２次元的な電荷像と対応じている時系列的な電
気信号が出力端子１に送出されることになる。Therefore, for example, as shown in the third diagram, a plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2. The detection head EDA, which is provided so that ED3-EDn are arranged in one straight line, is connected to a plurality of voltage detection electrodes E I)1, ED2. ED3
...When the EDn is moved relative to the object to be detected in a direction perpendicular to the direction in which it is aligned, a time-series image corresponding to the two-dimensional charge image formed on the object to be detected is generated. An electrical signal will be sent to the output terminal 1.
前記した第３図示の検出ヘッドは、複数の電圧検出用電
極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・や接続ｌｌｌＡ１２１
〜Ｑｎ、及び複数の電圧検出用のフローティング・ゲー
トＭＯ８型電界効果トランジスタＤＦｆｇｌ。The detection head shown in the third figure described above includes a plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2 . ED3... and connection lllA121
~Qn, and a floating gate MO8 type field effect transistor DFfgl for multiple voltage sensing.
Ｄ Ｆｆｇ２． Ｄ Ｆｆｇ３・・・、シールド部材Ｓ
Ａ、複数個のスイッチング用電界効果トランジスタＳＦ
Ｉ。D Ffg2. D Ffg3..., shield member S
A. Multiple switching field effect transistors SF
I.
ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦｎなどを周知の集積回路技術
により高集積化して基体ＢＰに形成させた構成態様のも
のである。SF2. SF3...SFn and the like are highly integrated using well-known integrated circuit technology and formed on the base BP.
そして、検出ヘッドＥＤＡの基体ＢＰには、複数の電圧
検出用１ｔ１４ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・と複数の
電圧検出用のフローティング・ゲート開Ｏ８型電界効果
トランジスタＤＦｆｇｌ、 ＤＦｆｇ２． ＤＦｆｇ３
・・及びシールド部材ＳＡその他の構成部材などにより
それぞれ所定の薄膜パターンが形成された後に、それら
の全体が絶縁膜例えば二酸化硅素の薄膜によって被覆さ
れることにより、検出ヘッドの構成部材を大気から遮断
された状態にされている。The base body BP of the detection head EDA includes a plurality of voltage detection 1t14EDI, ED2. ED3... and a plurality of floating gate open O8 field effect transistors for voltage detection DFfgl, DFfg2. DFfg3
After a predetermined thin film pattern is formed by the shield member SA and other constituent members, the entirety thereof is covered with an insulating film, for example, a thin film of silicon dioxide, thereby shielding the constituent members of the detection head from the atmosphere. is in a state of being
なお、第３図においては第４図乃至第６図を参照して後
述されている検出ヘッドの構成原理と動作原理との理解
が容易となるように、複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、Ｅ
Ｄ２．ＥＤ３・・・と複数の電圧検出用のフローティン
グ・ゲートＭＯ８型電界効果トランジスタＤト’ｆｇｌ
、 ＤＦｆｇ２． ＤＦｆｇ３・・・及びシールド部材
ＳＡなどの概略の配置を型式的に基体ＢＰとともに示す
のに止めである。In addition, in FIG. 3, a plurality of voltage detection electrodes EDI, E are shown to facilitate understanding of the principle of construction and operation of the detection head, which will be described later with reference to FIGS. 4 to 6.
D2. ED3... and floating gate MO8 type field effect transistor Dt'fgl for multiple voltage detection.
, DFfg2. DFfg3 . . . and the shield member SA, etc., are merely shown schematically along with the base body BP.
前記のように、検出ヘッドＥＤＡの基体ＢＰに設けられ
た複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２゜ＥＤ３・・・
と複数の電圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ５型
電界効果トランジスタｐＦｆｇｌ。As described above, the plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2, ED3, . . . are provided on the base body BP of the detection head EDA.
and a plurality of voltage sensing floating gate MO5 field effect transistors pFfgl.
Ｄ Ｆｆｇ２． Ｄ Ｆｆｇ３・・・などの全体が絶縁
膜１例えば二酸化硅素の薄膜によって被覆されて大気か
ら遮断されていることにより、各電圧検出用のフローテ
ィング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタＤ Ｆｆ
ｇｌ、Ｄ Ｆｆｇ２． Ｄ Ｆｆｇ３・・・における電
圧検出用のフローティング・ゲートと、それに接続され
ている各電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３・・・
ならびに接続線などの全体が絶Ｉ４膜によって大気から
隔離された状態になっているから、ｉｔ電圧検出用フロ
ーティング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタＤ
Ｆｆｇｌ、Ｄ Ｆｆｇ２． Ｄ Ｆｆｇ３・・・におけ
る電圧検出用のフローティング・ゲートの回路には。D Ffg2. D Ffg3, etc. are entirely covered with an insulating film 1, for example, a thin film of silicon dioxide, and are shielded from the atmosphere, so that each voltage detection floating gate open O8 type field effect transistor D Ff
gl, D Ffg2. A floating gate for voltage detection in D Ffg3... and each voltage detection electrode EDI, ED2... connected thereto. ED3...
In addition, since the entire connection line etc. is isolated from the atmosphere by the insulation I4 film, the floating gate open O8 type field effect transistor D for detecting the IT voltage is used.
Ffgl, D Ffg2. For the floating gate circuit for voltage detection in D Ffg3...
電圧検出用のフローティング・ゲート回路と大気との摩
擦によって生じる静電気が与えられることはなく、検出
ヘッドＥＤＡにおける電圧検出用のフローティング・ゲ
ートＭＯ５型電界効果トランジスタＤ Ｆｆｇｌ、Ｄ
Ｆｆｇ２． Ｄ Ｆｆｇ３・・・における電圧検出用の
フローティング・ゲートの回路では、前記した絶縁膜を
介して静ｔ！！誘導によって与えられる記録媒体Ｄｒの
電荷潜像形成部材ＣＨＬの表面電位が良好に検出できる
のである。Static electricity caused by friction between the floating gate circuit for voltage detection and the atmosphere is not applied, and the floating gate MO5 type field effect transistor D Ffgl, D for voltage detection in the detection head EDA
Ffg2. In the floating gate circuit for voltage detection in D Ffg3..., static t! ! The surface potential of the charge latent image forming member CHL of the recording medium Dr given by induction can be detected satisfactorily.
第４図は記録媒体りにおける電荷潜像形成部材ＣＨＬに
検出ヘッドＥＤＡにおける電圧検出用電極ＥＤを近接さ
せた場合には、記録媒体りにおける電荷潜像形成部材Ｃ
ＨＬの表面電位と対応じて検出ヘッドＥＤＡにおける電
圧検出用電極ＥＤに静電誘導で生じた電圧が、検出ヘッ
ドＥＤＡにおける電圧検出用のフローティング・ゲート
開Ｏ８型電界効果トランジスタＤＦｆｇのフローティン
グ・ゲートに与えられることにより、電圧検出用のフロ
ーティング・ゲートＭＯ３型電界効果トランジスタＤＦ
ｆｇでは、それのソースに接続された抵抗９の非接地端
から出力端子１０に対して記録媒体Ｄｒの電荷潜像形成
部材ＣＨＬの表面電位と良好に対応じている電圧を出力
できることを示している図であり、この第４図において
電圧検出用電極ＥＤはシールド部材ＳＡによって他の電
圧検出用電極ＥＤとは静電遮蔽されているから高い検出
の分解能で記録媒体Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬの表
面電位の検出を行うことができる。FIG. 4 shows the charge latent image forming member CHL on the recording medium when the voltage detection electrode ED in the detection head EDA is brought close to the charge latent image forming member CHL on the recording medium.
A voltage generated by electrostatic induction in the voltage detection electrode ED in the detection head EDA in accordance with the surface potential of HL is applied to the floating gate of the floating gate open O8 type field effect transistor DFfg for voltage detection in the detection head EDA. Floating gate MO3 type field effect transistor DF for voltage sensing by given
fg shows that it is possible to output a voltage that corresponds well to the surface potential of the charge latent image forming member CHL of the recording medium Dr from the non-grounded end of the resistor 9 connected to its source to the output terminal 10. In FIG. 4, the voltage detection electrode ED is electrostatically shielded from the other voltage detection electrodes ED by the shield member SA, so that it can detect the charge latent image forming member of the recording medium Dr with high detection resolution. The surface potential of CHL can be detected.
さて、前記したように本発明の電荷潜像による記録再生
装置では、記録媒体Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬにお
ける電荷像の検出、すなわち、電荷潜像形成部材ＣＨＬ
における表面電位の検出に際しては、記録媒体Ｄｒの電
荷潜像形成部材ＣＨＬにおける表面電位と対応じて電圧
検出用電極ＥＤに静電誘導によって生じた電圧が電圧検
出用のフローティング・ゲートＭＯ３型電界効果トラン
ジスタＤＦｆｇのゲートに与えられればよいので、電圧
検出用のフローティング・ゲートＭＯ５型電界効果トラ
ンジスタＤＦｆｇのゲート回路が完全に大気と隔離され
るように絶縁膜によって被覆されていたとしても、記録
媒体Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬにおける表面電位の
検出は支障なく行われるのであり、また、従来の検出ヘ
ッドにおけるようなリセット動作を行うことなく常に良
好に記録媒体Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬにおける電
荷像の検出、すなわち、電荷潜像形成部材ＣＨＬにおけ
る表面電位の検出が行われるのである。As described above, in the charge latent image recording/reproducing apparatus of the present invention, the charge image on the charge latent image forming member CHL of the recording medium Dr is detected, that is, the charge latent image forming member CHL
When detecting the surface potential of the recording medium Dr, a voltage generated by electrostatic induction in the voltage detection electrode ED corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member CHL of the recording medium Dr is connected to a floating gate MO3 type field effect for voltage detection. Since it is sufficient to apply it to the gate of the transistor DFfg, even if the gate circuit of the floating gate MO5 field effect transistor DFfg for voltage detection is covered with an insulating film so as to be completely isolated from the atmosphere, Detection of the surface potential on the latent charge image forming member CHL of the recording medium Dr is carried out without any trouble, and the charge on the latent charge image forming member CHL of the recording medium Dr is always well detected without performing a reset operation as in conventional detection heads. Image detection, that is, detection of the surface potential on the charge latent image forming member CHL is performed.
しかし、前記のように電圧検出用のフローティング・ゲ
ートＭＯ８／１１２１１界効果トランジスタＤＦｆｇの
ゲート回路が完全に大気と隔離されるように絶縁膜によ
って被覆されている場合には、検出ヘッドＥＤＡｔｉ−
構成するのに使用されている複数個の電圧検出用のフロ
ーティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦ
ｆｇの個々のもののゲートがそれぞれ完全に浮いた状態
であるために、それぞれの電圧検出用のフローティング
・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦｆｇのゲー
ト電位は不定の状態になるから、それぞれの電圧検出用
のフローティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジス
タＤＦｆｇのゲート電位がそれぞれ適正な状態になるよ
うにする手段が必要とされる。However, if the gate circuit of the floating gate MO8/11211 field effect transistor DFfg for voltage detection is covered with an insulating film so as to be completely isolated from the atmosphere as described above, the detection head EDAti-
Multiple floating gate MOS type field effect transistors DF for voltage detection used to configure
Since the gates of each of fg are completely floating, the gate potential of each floating gate MOS field effect transistor DFfg for voltage detection is in an undefined state. A means is required to ensure that the gate potentials of the floating gate MOS field effect transistors DFfg are each in an appropriate state.
第５図及び第６図は電圧検出用のフローティング・ゲー
トＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦｆｇのゲート電位
をそれぞれ適正な状態にさせるための手段を説明するた
めの図である。検出ヘッドＥＤＡが第３図に示されてい
るように、Ｗｉ数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．Ｅ
Ｄ３・・・や接続線Ｑｌ〜Ｑｎ、及び複数の電圧検出用
のフローティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジス
タＤＦｆｇｌ。FIGS. 5 and 6 are diagrams for explaining means for bringing the gate potential of the floating gate MOS type field effect transistor DFfg for voltage detection into an appropriate state, respectively. As shown in FIG. 3, the detection head EDA has Wi number of voltage detection electrodes EDI, ED2 . E
D3..., connection lines Ql to Qn, and a plurality of floating gate MOS field effect transistors DFfgl for voltage detection.
Ｄ Ｆｆｇ２． Ｄ Ｆｆｇ３・・・、複数個のスイッ
チング用電界効果トランジスタＳ Ｆ’ｌ、 Ｓ Ｆ２
．Ｓ Ｆ３−＝Ｓ ｆ’ ｎなどの構成部材がシールド
部材ＳＡによって静電遮蔽されている場合の電圧検出用
のフローティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジス
タ１）１・’ｆｇと電圧検出用電極ＥＤ及びシールド部
材ＳＡとの間の電気的な接続関係は第５図及び第６図に
示されているとおりであり、電圧検出用電極Ｅ Ｄとシ
ールド部材ＳＡとの間は浮遊容ｆｃｓ、Ｃｓによって電
気的に結合されており、また、電圧検出用のフローティ
ング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦｆ、の
ゲートと接地＋１ｊには浮遊容量Ｃｇが、さらに電圧検
出用のフローティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタＤＦｆｇのゲートとドレイン間には浮遊容量Ｃｄ
が存在しているから、シールド部材ＳＡに接続されてい
る第５図及び第６図中に示されている端子１１に電圧を
供給すると、第５図及び第６図中に示されているように
、電圧検出用電極ＥＤとシールド部材ＳＡと電圧検出用
のフローティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジス
タＤＦｆｇなどの相互間は、コンデンサＣｓ、Ｃｇ、Ｃ
ｄなどによって、それぞれ。D Ffg2. D Ffg3..., multiple switching field effect transistors S F'l, S F2
．． Floating gate MOS type field effect transistor for voltage detection when constituent members such as S F3-=S f' n are electrostatically shielded by shield member SA 1)1.'fg and voltage detection electrode ED and The electrical connection relationship between the shield member SA and the shield member SA is as shown in FIGS. Furthermore, a stray capacitance Cg is connected to the gate of the floating gate MOS field effect transistor DFf for voltage detection and the ground +1j, and a stray capacitance Cg is connected to the gate of the floating gate MOS field effect transistor DFf for voltage detection. There is a stray capacitance Cd between the gate and drain.
exists, so when voltage is supplied to the terminal 11 shown in FIGS. 5 and 6 connected to the shield member SA, as shown in FIGS. In addition, capacitors Cs, Cg, and C are connected between the voltage detection electrode ED, the shield member SA, and the voltage detection floating gate MOS field effect transistor DFfg.
d etc., respectively.
電気的に結合されているために、電圧検出用のフローテ
ィング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦｆｇ
の７０−ティング・ゲートの電圧は端子１１に供給され
た電圧に応じて変化される。Since it is electrically coupled, a floating gate MOS field effect transistor DFfg for voltage detection
The voltage on the 70-ting gate of is varied in response to the voltage supplied to terminal 11.
したがって、前記した端子１１に供給する電圧を変化さ
せることによって、電圧検出用のフローティング・ゲー
トＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦｆｇのフローティ
ング・ゲートの電圧を、それぞれの電圧検出用のフロー
ティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジスタＤＦｆ
ｇが良好に動作できるような適正な値に制御することが
できる。Therefore, by changing the voltage supplied to the terminal 11 described above, the voltage at the floating gate of the floating gate MOS field effect transistor DFfg for voltage detection can be adjusted to the voltage of each floating gate MOS field effect transistor for voltage detection. Transistor DFf
It is possible to control g to an appropriate value for good operation.
そして、前記したシールド部材ＳＡが複数の電圧検出用
のフローティング・ゲートＭＯＳ型電界効果トランジス
タＤＦｆｇ＠に個別に設けられていれば、それぞれの電
圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ５型電界効果ト
ランジスタＤＦｆｇ毎のシールド部材ＳＡに供給する電
圧を変化させることにより、複数の電圧検出用のフロー
ティング・ゲートＭＯ５型電界効果トランジスタｏ＋ｈ
ｆｇ毎のゲート電圧をそれぞれ個別に適正な値に設定で
きることはいうまでもない。If the above-mentioned shield member SA is individually provided for a plurality of voltage detection floating gate MOS type field effect transistors DFfg@, each of the voltage detection floating gate MO5 type field effect transistors DFfg@ By changing the voltage supplied to the shield member SA, a floating gate MO5 type field effect transistor o+h for multiple voltage detection
It goes without saying that the gate voltage for each fg can be individually set to an appropriate value.
第１８図は検出ヘッドＥＤＡの構成に使用されている各
電圧検出用電極ＥＤＬ、ＥＤ２・・がそれぞれ接続され
ている各電圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ５Ｗ
ｆｌｔ界効果トランジスタＤＦｆｇｌ、ＤＦ ｆｇ２・
・・のフローティング・ゲートの電圧が、それぞれ図中
で補正前として示されであるような値であった場合に、
前記した端子１１に供給する電圧を変化させることによ
って、電圧検出用のフローティング・ゲートＭＯＳ型電
界効果トランジスタＤ Ｆｆｇｌ、 Ｄ Ｆｆｇ２のフ
ローティング・ゲートの電圧を図中で補正後として示さ
れであるような値に矢印方向に変化させうろことを図示
説明している図である（なお、第１８図中においては電
圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ５型電界効果ト
ランジスタＤ Ｆ ｆｇｌ、 Ｄ Ｆ ｆｇ２・・・の
フローティング・ゲートのバイアス電圧を、電圧検出用
のフローティング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジス
タＤＦｆｇｌ、 Ｄ Ｆｆｇ２・・・のフローティング
°ゲートに接続されている電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ
２（７）ゲートバイアスのように記載しているが、それ
は前記の電圧が同一であるからである）。Figure 18 shows the floating gate MO5W for each voltage detection to which each voltage detection electrode EDL, ED2, etc. used in the configuration of the detection head EDA is connected.
flt field effect transistor DFfgl, DFfg2・
If the voltage of the floating gate of ... is the value shown before correction in the figure, then
By changing the voltage supplied to the terminal 11 described above, the voltages at the floating gates of the floating gate MOS field effect transistors D Ffgl and D Ffg2 for voltage detection can be changed as shown after correction in the figure. FIG. 18 is a diagram illustrating and explaining scales that change the value in the direction of the arrow. The bias voltage of the floating gate is applied to the voltage detection electrodes EDI, ED connected to the floating gates of the floating gate open O8 type field effect transistors DFfgl, D Ffg2... for voltage detection.
2(7) gate bias because the voltages mentioned above are the same).
ところで、検出ヘッドＥＤＡの構成に使用されている複
数の電圧検出用のフローティング・ゲートＭＯ５型電界
効果トランジスタＤＦｆｇｌ、 ＤＦｆｇ２・・・は微
小な形状寸法のものであり、かつ、それらは相互に極め
て微小な距離毎に配置されているから、それらのものの
相互間に各別のシールド部材ＳＡを設けて前記の複数の
電圧検出用のフローティング・ゲート開Ｏ８型電界効果
トランジスタＤＦｆｇ毎に個別に設けたシールド部材Ｓ
Ａに供給する電圧を変化させ、それぞれの電圧検出用の
フローティング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタ
ＤＦｆｇ毎のゲート電圧をそれぞれ個別に適正な値に設
定できるように構成するのには困難が伴う。By the way, the plurality of floating gate MO5 type field effect transistors DFfgl, DFfg2, etc. for voltage detection used in the configuration of the detection head EDA have minute shapes, and they are mutually extremely small. Since they are arranged at different distances from each other, a separate shield member SA is provided between them, and a separate shield is provided for each of the plurality of floating gate open O8 type field effect transistors DFfg for voltage detection. Part S
It is difficult to configure a structure in which the voltage supplied to A can be changed and the gate voltage of each floating gate open O8 type field effect transistor DFfg for voltage detection can be individually set to an appropriate value.
それで、複数個の電圧検出用のフローティング・ゲート
開Ｏ８型電界効果トランジスタＤＦｆｇ毎のゲート電圧
を、シールド部材ＳＡに供給する電圧を変化させること
により、それぞれ個別に適正な値に設定させることがで
きるようにした検出ヘッドとしては第１９図に示すよう
な構成態様の検出ヘッドＥＤＡが好適である。Therefore, by changing the voltage supplied to the shield member SA, the gate voltage of each of the plurality of floating gate open O8 type field effect transistors DFfg for voltage detection can be individually set to an appropriate value. As such a detection head, a detection head EDA having a configuration as shown in FIG. 19 is suitable.
すなわち、第１９図のブロック図に例示した検出ヘッド
ＥＤＡは、検出ヘッドＥＤＡの構成に使用されている複
数の電圧検出用のブローティング・ゲート開Ｏ８型電界
効果トランジスタＤＦｆ、１゜ＤＦｆｇ２・・・からの
出力信号が時間軸上で直列的に順次に取出されるような
構成の検出ヘッドＥＤＡにおいては、検出ヘッドＥＤＡ
の構成に使用されている複数の電圧検出用のフローティ
ング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタＤＦｆｇｌ
、 ＤＦｆｇ２・・・の内で、ある時点に出力信号が取
り出されている状態の電圧検出用のフローティング・ゲ
ートＭＯ３型電界効果トランジスタＤＦｆｇは常に一個
だけである。という点に着目して、第１９図のブロック
図に例示した検出ヘッドＥＤＡにおいては既述した第３
図示の検出ヘッドＥＤＡの構成と同様に、検出ヘッドＥ
ＤＡの構成に使用されている複数個の各電圧検出用電極
ＥＤＩ、ＥＤ２・・・や、複数個の電圧検出用のフロー
ティング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタＤ Ｆ
ｆｇｌ、 Ｄ Ｆｆｇ２・・・その他の構成部分の全体
に対して共通に用いられている１個のシールド部材ＳＡ
の電位を、そのときに出力信号が取出されるような動作
状態になされている１個の電圧検出用のフローティング
・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタＤＦｆｇのゲー
ト電圧が適正なゲート電圧に設定されるように時分割的
に制御できるような構成としている。That is, the detection head EDA illustrated in the block diagram of FIG. 19 includes a plurality of bloating gate open O8 type field effect transistors DFf, 1°DFfg2, . . . for voltage detection used in the configuration of the detection head EDA. In a detection head EDA configured such that output signals from the detection head EDA are sequentially extracted in series on the time axis, the detection head EDA
Floating gate open O8 type field effect transistor DFfgl for multiple voltage detection used in the configuration of
, DFfg2, . . . , there is always only one floating gate MO3 type field effect transistor DFfg for voltage detection from which an output signal is taken out at a certain point in time. Focusing on this point, in the detection head EDA illustrated in the block diagram of FIG.
Similar to the configuration of the illustrated detection head EDA, the detection head E
The plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2, etc. used in the configuration of the DA, and the plurality of floating gate open O8 type field effect transistors for voltage detection DF
fgl, D Ffg2...One shield member SA commonly used for all other components
The gate voltage of one floating gate open O8 type field effect transistor DFfg for voltage detection, which is in an operating state such that an output signal is taken out at that time, is set to an appropriate gate voltage. The structure is such that it can be controlled in a time-division manner.
第１９図においてＬＭはメモリ（ラインメモリ）であっ
て、このメモリＬＭには検出ヘッドＥＤＡの構成に使用
されている複数個の各電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２・
・・と対応じて設けられている複数の電圧検出用のフロ
ーティング・ゲートＭＯ３型電界効果トランジスタＤ
Ｆ ｆｇｌ＝ Ｄ Ｆ ｆｇｎにおける個々の電圧検出
用のフローティング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジ
スタＤＦｆｇが、それぞれ適正な動作を行う際に必要と
されるゲート・バイアス値に関連するデータを記憶させ
ておく。In FIG. 19, LM is a memory (line memory), and this memory LM includes a plurality of voltage detection electrodes EDI, ED2, ED2,
A plurality of floating gate MO3 type field effect transistors D for voltage detection are provided corresponding to...
F fgl= D F fgn The individual voltage sensing floating gate open O8 field effect transistors DFfg each store data relating to the gate bias value required for proper operation. .
そして、検出ヘッドＥＤＡの構成に使用されている複数
の電圧検出用のフローティング・ゲート開Ｏ８型電界効
果トランジスタＤＦｆｇｌ、 ＤＦｆｇ２・・・の内で
、出力信号が取り出されている状態の電圧検出用のフロ
ーティング・ゲートＭＯ５型電界効果トランジスタＤＦ
ｆｓｃのゲート・バイアスに関連するデータを前記した
メモリＬＭから読出して、それをデジタル・アナログ変
換器ＤＡＣに供給し、前記のデジタル・アナログ変換器
ＤＡＣからの出力信号を増幅器ＡＭＰで増幅して、検出
ヘッドＥＤＡにおけるシールド部材ＳＡに供給すること
により、シールド部材ＳＡの電位をその時点で出力信号
が取り出されている状態の電圧検出用のフローティング
・ゲートＭＯ５型電界効果トランジスタＤＦｆＨのゲー
ト・バイアスが適切なゲートバイアスに設定されるよう
にする。Among the plurality of floating gate open O8 type field effect transistors DFfgl, DFfg2, etc. for voltage detection used in the configuration of the detection head EDA, the one for voltage detection from which the output signal is extracted is Floating gate MO5 type field effect transistor DF
reading data related to the gate bias of fsc from the memory LM and supplying it to the digital-to-analog converter DAC; amplifying the output signal from the digital-to-analog converter DAC by an amplifier AMP; By supplying the potential of the shield member SA to the shield member SA in the detection head EDA, the gate bias of the floating gate MO5 type field effect transistor DFfH for voltage detection in the state where the output signal is taken out at that time is appropriate. Ensure that the gate bias is set to a suitable value.
そして、前記したメモリＬＭから順次に読出されたデー
タによって、前記したシールド部材ＳＡの°電位がその
時点で出力信号が取り出されている状態の電圧検出用の
フローティング・ゲート開Ｏ８型電界効果トランジスタ
ＤＦｆｇのゲート・バイアスを適切なゲートバイアスに
設定できるように変化されることにより、検出ヘッドＥ
ＤＡの構成に使用されている複数個の電圧検出用のフロ
ーティング・ゲートＭＯ３型電界効果トランジスタＤＦ
ｆｇは順次に適正な動作を行うようになされるのである
。Then, based on the data sequentially read out from the memory LM, the potential of the shield member SA is changed to a floating gate open O8 type field effect transistor DFfg for voltage detection in which the output signal is being taken out at that time. By changing the gate bias of the detection head E to be able to set an appropriate gate bias
Multiple floating gate MO3 type field effect transistors DF for voltage detection used in the DA configuration
fg is made to perform proper operations in sequence.
次に１本発明の電荷潜像による記録再生装置をカラー画
像の記録再生装置として構成する場合の実施例について
説明する。まず、第７図は本発明の電荷潜像による記録
再生装置をカラー画像の記録再生装置として構成する場
合の一実施例における記録系の構成例の一部の側面図で
あり、また、第８図は少なくとも３種類の異な委細条片
を１組とする細条片組を繰返し配列しである構成の色分
解縞状フィルタの一部の平面図であり、さらに。Next, an embodiment will be described in which the charge latent image recording and reproducing apparatus of the present invention is configured as a color image recording and reproducing apparatus. First, FIG. 7 is a side view of a part of a configuration example of a recording system in an embodiment in which the charge latent image recording and reproducing apparatus of the present invention is configured as a color image recording and reproducing apparatus. The figure is a plan view of a part of a color separation striped filter having a structure in which a set of strips each having at least three different types of strips is repeatedly arranged.
第９図は第７図中に示されている記録媒体円盤の平面図
を示し、さらにまた、第１０図及び第１１図は電荷潜像
による記録再生装置におけろ電荷潜像形成部材の記録再
生領域に対する検出ヘッドによる再生動作を説明するた
めの電荷潜像形成部材の記録再生領域と検出ヘッドとの
対応関係を示すための平面図であり、第１２図及び第１
３図は信号処理回路の構成例のブロック図である。FIG. 9 shows a plan view of the recording medium disk shown in FIG. 7, and FIGS. 10 and 11 show recording of a charge latent image forming member in a recording/reproducing apparatus using charge latent images. FIG. 12 is a plan view showing the correspondence between the recording and reproducing area of the charge latent image forming member and the detecting head for explaining the reproducing operation by the detecting head with respect to the reproducing area;
FIG. 3 is a block diagram of a configuration example of a signal processing circuit.
第７図に示す記録媒体円盤Ｄｒは導電性材料で構成され
た電極Ｅｌと電荷潜像形成部材ＣＨＬとによって構成さ
れており、この記録媒体円盤Ｄｒは回転軸または回動軸
１２の回転または回動により第９図中の矢印Ｒの方向に
回転または回動して、被写体Ｑの光学像と対応する電荷
像が領域ＲＺＩ。The recording medium disk Dr shown in FIG. 7 is composed of an electrode El made of a conductive material and a charge latent image forming member CHL. As a result of the movement, the charge image is rotated or rotated in the direction of arrow R in FIG.
ＲＺ２・・・に順次に記録されて行くようになされてい
る。The data are recorded sequentially in RZ2...
第７図中に示されている記録媒体内４１Ｄｒ−において
は、電極Ｅｌと記録媒体円盤Ｏｒの基板とが兼用されて
おり、また前記の記録媒体円盤Ｄｒにおける電荷潜像形
成部材ＣＨＬとしては、それに形成された電荷像を長時
間にわたって保持できるような高い絶縁性を有する材料
層、例えば高分子材料によって形成された絶縁層が用い
られてもよい。In the recording medium interior 41Dr- shown in FIG. 7, the electrode El and the substrate of the recording medium disk Or are also used as the charge latent image forming member CHL in the recording medium disk Dr. A material layer having high insulating properties that can hold the charge image formed thereon for a long time, for example, an insulating layer formed of a polymeric material, may be used.
第７図に示されている電荷潜像による記録再生装置にお
いて、被写体Ｑと記録媒体円盤Ｄｒとの間には、被写体
Ｑの光学像を色分解するとともに撮像レンズＬによって
結像された被写体の光学像に対応した電荷像を発生させ
る機能を備えた記録ヘッドとして使用される光学像−電
荷像変換素子が設けられているが、第７図に示されてい
る電荷潜像による記録再生装置中に記録ヘッドとして使
用されている光学像−電荷像変換素子は、透明な支持基
板ＢＰと、少なくとも３種類の異なる細条片を１組の細
条片組とし、その細条片組を繰返し配列した構成態様の
色分解縞状フィルタＦと、透明電極Ｅｔｗと、光導電層
部材ＰＣＬとを積層して構成させたものである。In the recording and reproducing apparatus using a charge latent image shown in FIG. 7, between the subject Q and the recording medium disk Dr, the optical image of the subject Q is separated into colors, and the image of the subject formed by the imaging lens L is disposed between the subject Q and the recording medium disk Dr. An optical image-to-charge image conversion element used as a recording head having a function of generating a charge image corresponding to an optical image is provided. The optical image-to-charge image conversion element used as a recording head in The color separation striped filter F having the above configuration, a transparent electrode Etw, and a photoconductive layer member PCL are laminated.
前記した色分解縞状フィルタＦとしては、色分解用の３
種類の色細条片１例えば第８図に例示されているように
加法混色の三原色による色細条片（第８図中において赤
、緑、青のように示されている３種類の色細条片）、す
なわち、３Ｎ順の細条片を１組の細条片組とし、その細
条片組を繰返し配列した構成態様の色分解縞状フィルタ
Ｆが使用できる。The above-mentioned color separation striped filter F includes 3 for color separation.
Types of color strips 1 For example, as illustrated in Figure 8, color strips with three primary colors of additive color mixture (three types of color strips shown as red, green, and blue in Figure 8) In other words, it is possible to use a color separation striped filter F having a configuration in which strips in 3N order are made into one strip set and the strip sets are repeatedly arranged.
なお、前記した色分解用の３種類の色細条片としては、
前述の例のように加法混色の三原色による色細条片に限
られることはない。また、前記した色分解縞状フィルタ
Ｆは被写体Ｑと光学像−電荷像変換素子における光導電
層部材ＰＣＬとの間の光路中に設けられればよい。The three types of color strips for color separation mentioned above are as follows:
The color strips are not limited to the three primary colors of additive color mixture as in the above example. Furthermore, the color separation striped filter F described above may be provided in the optical path between the subject Q and the photoconductive layer member PCL in the optical image-to-charge image conversion element.
第７図示の電荷潜像による記録再生装置において、光学
像−電荷像変換素子における透明電極Ｅｔｗと記録媒体
円盤Ｄｒの電極Ｅ１との間に、電源ｖｂによって一定の
電圧を与えている状態において、被写体Ｑからの光が撮
像レンズＬを介して光学像−電荷像変換素子に与えられ
て光学像−電荷像変換素子における光導電層部材ＰＣＬ
に被写体の光学像が結像すると、前記した光学像−電荷
像変換前すにおける光導電層部材Ｐ ＣＬの電気抵抗値
は、それに結像された被写体Ｑの光学像に従−）で変化
している状ｊｌｌ？になる。In the recording/reproducing apparatus using a charge latent image shown in FIG. 7, in a state where a constant voltage is applied by a power supply vb between the transparent electrode Etw in the optical image-to-charge image conversion element and the electrode E1 of the recording medium disk Dr, Light from the subject Q is applied to the optical image-charge image conversion element via the imaging lens L, and the photoconductive layer member PCL in the optical image-charge image conversion element is
When an optical image of the subject is formed on the photoconductor, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL before the optical image-to-charge image conversion changes according to the optical image of the subject Q formed thereon. What are you doing? become.
それで、光学像−電荷像変換素子におけろ記録媒体円盤
１） ｒ・の電荷潜像形成部材ＣＨＬに対面している光
導電層部材ＰＣＬの端面には、被写体の光学像を色分解
縞状フィルタＦにおける３種類の色別条片の色に分解さ
れた状態の３種類の電荷像が形成される電荷像領域が形
成される。Therefore, in the optical image-to-charge image conversion element, the optical image of the object is formed in the form of color-separated stripes on the end surface of the photoconductive layer member PCL facing the charge latent image forming member CHL. A charge image area is formed in which three types of charge images separated into three types of color strips in the filter F are formed.
前記のようにして光導電層部材Ｐ ＣＩ、の端面に形成
された電荷像領域における被写体の光学像に応じた電荷
像は、記録媒体円盤Ｄｒにおける電荷潜像形成部材ＣＨ
Ｌに、前記したそれぞれの電荷像領域の電荷像と対応す
る電荷像領域の電荷像として第１０図及び第１１図中＜
７）Ｚ（ｌ（）、 Ｚ（Ｇ）、 Ｚ（１１） 、 Ｚ
（１（） 、 Ｚ （Ｇ） 、 Ｚ （ｎ）−・のよう
な各領域に記録される。The charge image corresponding to the optical image of the subject in the charge image area formed on the end face of the photoconductive layer member PCI as described above is transferred to the charge latent image forming member CH on the recording medium disk Dr.
In FIG. 10 and FIG. 11, <<
7) Z(l(), Z(G), Z(11), Z
It is recorded in each area such as (1(), Z (G), Z (n)-.
記録媒体円盤Ｏｒにおける電荷ＷＩｆｋ形成部材ＣＨＬ
に光導電層部材ＰＣＬの端面に形成されたそれぞれの電
荷像領域と第１０図及び第１１図中の電荷像領域Ｚ（Ｒ
）、Ｚ（Ｇ）、Ｚ（ＩＩ）、Ｚ（Ｒ）、 ７．（Ｇ）、
Ｚ（１３）・・・どの対応関係は、色分解縞状フィルタ
Ｆにおける色細条片（赤）と第１０図及び第１１図中の
電荷像領域ｚ（ｉ＋）とが対応し、さらに色分解縞状フ
ィルタ１１における色細条片（緑）と第１０図及び第１
１図中の電荷像領域Ｚ（Ｇ）とが対応し、さらにまた、
色分解縞状フィルタＦにおける色細条片（青）と第１０
図及び第１１図中の電荷像領域Ｚ（ｌ（）とが対応する
というような対応関係になっている。Charge WIfk forming member CHL in recording medium disk Or
The respective charge image areas formed on the end face of the photoconductive layer member PCL and the charge image area Z (R
), Z(G), Z(II), Z(R), 7. (G),
Z(13)... Which correspondence relationship is the correspondence between the color strip (red) in the color separation striped filter F and the charge image area z(i+) in FIGS. Color stripes (green) in the separation striped filter 11 and FIGS.
The charge image area Z(G) in FIG. 1 corresponds to, and furthermore,
Color stripe (blue) in color separation striped filter F and the 10th
The correspondence relationship is such that the charge image area Z(l() in the figure and FIG. 11 corresponds to each other).
なお、記録動作時において前記した光学像−電荷像変換
素子における光導電層部材ＰＣＬの端面と記録媒体円盤
Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬとの両者は密着状態、あ
るいは前記の両者間に微小な間隙が形成されるようにな
され５１つの記録ｉ１Ｇ生領域に対する記録動作の終了
により記録媒体円盤Ｄｒが回転または回動される際には
、前記した光学像−電荷像変換素子における光導電層部
材ＰＣＬの端面と記録媒体用［Ｄｒの電荷潜像形成部材
ＣＨＬとの間が離隔された状態になされる。During the recording operation, the end surface of the photoconductive layer member PCL in the optical image-to-charge image conversion element and the charge latent image forming member CHL of the recording medium disk Dr are in close contact with each other, or there is a minute gap between them. When the recording medium disk Dr is rotated or rotated by completing the recording operation for the 51 recording i1G raw areas such that a gap is formed, the photoconductive layer member PCL in the optical image-charge image conversion element described above is The end face of the charge latent image forming member CHL for the recording medium [Dr] is spaced apart from each other.
第１Ｏ図及び第１１−図においてＥ Ｄ Ａは検出へソ
ドであって、この検出ヘッドＥ Ｄ Ａは第１０図及び
第１１図中のＸ方向に主走査が行われるとともに、第１
０図及び第１１図中のＹ方向に副走査が行われるように
なされる。前記の検出ヘッドＥ１）Ａとしては第１９図
示のような構成Ｓ様のものが使用されてもよい。In FIGS. 1O and 11-, EDA is a detection head, and this detection head EDA performs main scanning in the X direction in FIGS.
Sub-scanning is performed in the Y direction in FIGS. 0 and 11. As the detection head E1)A, a configuration S as shown in FIG. 19 may be used.
そして、本発明の電荷潜像による記録再生装置にｔノい
て、記録再生対象の光学像と対応する電荷潜像による記
録が行われている電荷潜像形成部材ＣＨＬの記録再生領
域に電荷像として記録されている情報信号の再生が行わ
れる場合には、第１０図に例示されているように、前記
した色分解縞状フィルタＦにおける各細条片と対応じて
電荷潜像形成部材ＣＩ（Ｌに形成された記録再生領域に
対して、被写体の光学像を色分解縞状フィルタＦにおけ
る３種類の色細条片の色に分解された状態の３種類の電
荷像が形成される電荷像領域Ｚ（Ｒ）、 Ｚ（Ｇ） 、
Ｚ （Ｂ）の各記録再生領域の長手方向に、複数の電
極の配列方向が一致するような配置態様で検出ヘッドＥ
ＤＡを配置して、前記の検出ヘンドＥＤＡを図中の矢印
Ｙ方向に副走査したり、あるいは第１１図に例示されて
いるように、前記した色分解縞状フィルタＦにおける各
細条片と対応じて電荷潜像形成部材ＣＨＬに形成された
記録再生領域に対して、被写体の光学像を色分解縞状フ
ィルタＦにおける３種類の色細条片の色に分解された状
態の３種類の電荷像が形成される順次の電荷像領域Ｚ（
Ｒ）、 Ｚ（Ｇ）、 Ｚ（Ｂ）（７）各１つの記録再生
領域に対して、検出ヘッドＥＤＡに配列されている順次
の検出電極Ｅｄｌ、ＥＤ２・・・（あるいは順次の電圧
検出用のフローティング・ゲートＭＯ８）！：！電界効
果トランジスタＤＦｆｇのフローティング・ゲートｆｆ
電極）の各１つのものが対応じているような配置の態様
に配置された状態として、検出ヘッドＥＤＡを前記した
電荷潜像形成部材ＣＨＬに形成された記録再生領域の長
手方向に副走査したりする。Then, in the charge latent image recording and reproducing apparatus of the present invention, the charge latent image is stored as a charge image in the recording and reproducing area of the charge latent image forming member CHL where the charge latent image corresponding to the optical image to be recorded and reproduced is being recorded. When a recorded information signal is to be reproduced, as illustrated in FIG. 10, a charge latent image forming member CI ( A charge image in which three types of charge images are formed in the recording and reproducing area formed in L, in which the optical image of the subject is separated into three types of color strip colors in the color separation striped filter F. Area Z(R), Z(G),
The detection head E is arranged in such a manner that the arrangement direction of the plurality of electrodes coincides with the longitudinal direction of each recording/reproducing area of Z (B).
DA is arranged and the detection hand EDA is sub-scanned in the direction of the arrow Y in the figure, or as illustrated in FIG. The optical image of the subject is divided into three types of color strips in the color separation striped filter F for the recording/reproducing area formed on the charge latent image forming member CHL in accordance with the pair. Sequential charge image areas Z (
R), Z(G), Z(B)(7) For each recording/reproducing area, sequential detection electrodes Edl, ED2... (or sequential voltage detection electrodes) arranged on the detection head EDA floating gate MO8)! :! Floating gate ff of field effect transistor DFfg
The detection head EDA is sub-scanned in the longitudinal direction of the recording and reproducing area formed on the charge latent image forming member CHL, with each one of the electrodes corresponding to each other. or
それにより、第１０図示の場合には各原色信号が線順次
信号として得られ、また、第１１図示の場合には各原色
信号が点順次信号として得られろことになるが、第１０
図示のようにして検出ヘッドＥＤＡにより電荷像領域Ｚ
（Ｒ）から読出された赤の原色信号と、電荷像領域Ｚ
（Ｇ）から読出された緑の原色信号と、電荷像領域Ｚ
（Ｂ）から読出された青の原色信号とは、＃！順次信号
として時ｎｎ軸上に直列的に送出されて第１２図に例示
されているような構成の信号処理回路の入力端子３に供
給され、また、第１１図示のようにして検出ヘッドＥ
Ｉ） Ａにより電荷像領域Ｚ（Ｒ）から読出された赤の
原色信号と、電荷像領域Ｚ （Ｇ）から読出された緑の
原色信号と、電荷像領域Ｚ（８）から読出された青の原
色信号とからなる点順次信号は第１３図に例示されてい
るような構成の信号処理回路の入力端子１３に供給され
る。As a result, in the case shown in Fig. 10, each primary color signal is obtained as a line sequential signal, and in the case shown in Fig. 11, each primary color signal is obtained as a dot sequential signal.
As shown in the figure, the charge image area Z is detected by the detection head EDA.
The red primary color signal read from (R) and the charge image area Z
The green primary color signal read from (G) and the charge image area Z
The blue primary color signal read from (B) is #! The signals are sequentially sent out in series on the time nn axis and supplied to the input terminal 3 of the signal processing circuit configured as illustrated in FIG.
I) The red primary color signal read out from the charge image area Z (R) by A, the green primary color signal read out from the charge image area Z (G), and the blue signal read out from the charge image area Z (8). The point sequential signal consisting of the primary color signals is supplied to the input terminal 13 of a signal processing circuit configured as illustrated in FIG.
第１２図に示す信号処理回路において、それの入力端子
１３に対して第１０図中の検出ヘッドＥＤＡから出力さ
れた線順次信号形態の出力信号が供給されると、前記の
各原色信号は切換スイッチＳＷの可動接点■に与えられ
ているから、前記の切換スイッチＳＷの可動接点Ｖが１
水平走査期間毎に固定接点ａ−＋ｂ−＋Ｃ→Ｂ −＋
ｌ）→Ｃ→・・・のようにに巡回的に切換えられている
ことにより、Ｏｎ記した切、換スイッチＳＷにおける各
固定接点ａ、ｂ。In the signal processing circuit shown in FIG. 12, when an output signal in the form of a line sequential signal outputted from the detection head EDA in FIG. 10 is supplied to the input terminal 13 of the circuit, each of the primary color signals is switched. Since the movable contact V of the changeover switch SW is given to the movable contact ■ of the switch SW, the movable contact V of the changeover switch SW is
Fixed contacts a-+b-+C→B-+ for each horizontal scanning period
The fixed contacts a and b in the switching switch SW shown as on are switched cyclically as follows: l)→C→...
Ｃからの出力信号は、それぞれ個別の１ライン°メモリ
ＬＭＩ、ＬＭ２．ＬＭ３に記憶されるようになされてい
る。The output signals from C are sent to individual one-line memories LMI, LM2 . It is configured to be stored in LM3.
前記した各１ラインメモリＬＭＩ、ＬＭ２．ＬＭ３は、
それに記憶された１水平走査期間の情報信号を所定の回
数ずつ繰返して再生して出力端子１４゜１５．１６に送
出しているから、前記の出力端子１４〜１６に送出され
た各原色信号の同時信号の加算によって形成される輝度
信号は、それを構成するのに使用される各原色信号が１
水平走査期間毎に循環的に切換えられている状態のもの
であるために高い精細度の輝度信号になる。第１０図中
における輝度信号Ｙｌ、Ｙ２．Ｙ３などは、輝度信号と
して高い精細度の輝度信号が得られることを説明したも
のである。Each of the one-line memories LMI, LM2 . LM3 is
Since the information signals for one horizontal scanning period stored therein are repeatedly reproduced a predetermined number of times and sent to the output terminals 14, 15, and 16, each primary color signal sent to the output terminals 14 to 16 is The luminance signal formed by the addition of simultaneous signals is such that each primary color signal used to compose it has one
Since the brightness signal is cyclically switched every horizontal scanning period, it becomes a brightness signal with high definition. Luminance signals Yl, Y2 . Y3 and the like explain that a high-definition luminance signal can be obtained as a luminance signal.
また、第１３図に示す信号処理回路において、それの入
力端子１３に対して第１１図中の検出ヘッドＥＤＡから
出力された点順次信号形態の出力信号が供給されると、
前記の各原色信号は切換スイッチＳＷの可動接点Ｖに与
えられているから。Further, in the signal processing circuit shown in FIG. 13, when an output signal in the form of a dot sequential signal outputted from the detection head EDA in FIG. 11 is supplied to its input terminal 13,
This is because each of the primary color signals mentioned above is given to the movable contact V of the changeover switch SW.
前記の切換スイッチＳＷの可動接点Ｖが１画素期間毎に
固定接点ａ→ｂ −＋ ｃ −＋ ａ−ｓ ｂ−＋ Ｑ
→・・・のようにに巡回的に切換えられていることによ
り、前記した切換スイッチＳＷにおける各固定接点ａ。The movable contact V of the changeover switch SW changes from fixed contact a to b −+ c −+ a-s b-+ Q every pixel period.
→ Each fixed contact a in the changeover switch SW is cyclically switched as follows.
ｂ、ｃからの出力信号は、それぞれ個別の１画素メモリ
ＰＭ１．．ＰＭ２．ＰＭ３に記憶されるようになされて
いる。The output signals from b and c are respectively sent to individual one-pixel memories PM1. ．． PM2. The information is stored in PM3.
前記した各１画素メモリＰＭＩ、ＰＭ２．ＰＭ３は、そ
れに記憶された１画素期間の情報信号を所定の回数ずつ
繰返して再生して出力端子１４，１５゜１６に送出して
いるから、前記の出力端子１４〜１６に送出された各原
色信号の同時信号の加算によって形成される輝度信号は
、それを構成するのに使用される各原色信号が１画素期
間毎に循環的に切換えられている状態のものであるため
に高い精細度の輝度信号になる。第１１図中における輝
度信号Ｙｌ、Ｙ２．Ｙ３などは、輝度信号として高い精
細度の輝度信号が得られることを説明したものである。Each of the one-pixel memories PMI, PM2 . Since the PM 3 repeatedly reproduces the information signal of one pixel period stored in it a predetermined number of times and sends it to the output terminals 14, 15 and 16, each primary color sent to the output terminals 14 to 16 is The luminance signal formed by the addition of simultaneous signals has high definition because each of the primary color signals used to compose it is cyclically switched every pixel period. It becomes a luminance signal. Luminance signals Yl, Y2 . Y3 and the like explain that a high-definition luminance signal can be obtained as a luminance signal.
なお、第１０図及び第１１図のようにして信号を再生す
る際には、検出ヘッドＥＤＡと記録再生領域との位置合
わせを正確に行うことができるような位置制御を施すの
である。In addition, when reproducing a signal as shown in FIGS. 10 and 11, position control is performed so that the detection head EDA and the recording/reproducing area can be accurately aligned.
次に、第１４図乃至第１７図を参照して本発明の電荷潜
像による記録再生装置をカラー画像の記録再生装置とし
て構成した他の実施例について説明する。Next, with reference to FIGS. 14 to 17, another embodiment in which the charge latent image recording and reproducing apparatus of the present invention is configured as a color image recording and reproducing apparatus will be described.
第１４図は３色分解光学系によって各原色毎に分解され
た３個の光学像を記録再生できるように構成した本発明
の電荷潜像による記録再生装置の一実施例における記録
系の一部の平面図であり、また、第１５図は３色分解光
学系の平面図、第１６図は３色分解光学系の斜視図、第
１７図は電荷潜像による記録再生装置における電荷潜像
形成部材の記録再生領域に対する検出ヘッドによる再生
動作を説明するための電荷潜像形成部材の記録再生領域
と検出ヘッドとの対応関係を示すための平面図である。FIG. 14 shows a part of a recording system in an embodiment of the recording and reproducing apparatus using charge latent images of the present invention, which is configured to record and reproduce three optical images separated for each primary color by a three-color separation optical system. FIG. 15 is a plan view of the three-color separation optical system, FIG. 16 is a perspective view of the three-color separation optical system, and FIG. 17 is a charge latent image formation in a recording/reproducing device using a charge latent image. FIG. 3 is a plan view illustrating the correspondence between the recording/reproducing area of the charge latent image forming member and the detection head for explaining the reproducing operation by the detection head with respect to the recording/reproducing area of the member.
まず、第１４図においてＱは被写体、Ｌｌｉｌｌ像レン
ズ、Ｃ８Ａは３色分解光学系、Ｒｅ Ｉｉは記録ヘッド
ｆ） ｒは記録媒体円盤であり、Ｉ） ｒは導電性材料
で構成された電ｔ４ｉ Ｅ ｌと電荷潜像形成部材ＣＨ
Ｌとによって構成されており、この記録媒体円盤Ｄｒは
回転軸またはＩ！：Ｊ！肋・ｊＩＩ１１２の回転または
回動により図中の矢印Ｒの方向に回転または回動される
。First, in Fig. 14, Q is the subject, Llill image lens, C8A is the three-color separation optical system, Re Ii is the recording head f) r is the recording medium disk, and I) r is the electric current t4i made of conductive material. El and charge latent image forming member CH
L, and this recording medium disk Dr is a rotating shaft or I! :J! The rib jII 112 rotates or rotates in the direction of arrow R in the figure.
記録媒体円盤Ｄｒは、電極Ｅ１と記録媒体円盤Ｄｒの基
板とが兼用されており５また前記の記録媒体円盤Ｄｒに
おける電荷潜像形成部材ＣＨＬとしては、それに形成さ
れた電荷像を長時間にわたって保持できるような高い絶
縁性を有する材料層。In the recording medium disk Dr, the electrode E1 and the substrate of the recording medium disk Dr are also used. A layer of material with high insulation properties.
例えば高分子材料によって形成された絶縁層が用いられ
てもよい。For example, an insulating layer formed of a polymeric material may be used.
また、記録ヘッドＲＱＨは透明な支持、ＩＡ４ｆｉＢＰ
と、透明電極Ｅｔｗと、光導″ｆｔ１層部材ＰｃＬとを
積層して構成させたものである。In addition, the recording head RQH has a transparent support, IA4fiBP
, a transparent electrode Etw, and a light guide "ft1 layer member PcL" are laminated.
さらに３色分解光学系Ｃ８Ａは、それの全体の斜視図が
第１６図に例示されており、また、それの構成原理の説
明用の平面図が第１５図に示されており、この３色分解
光学系Ｃ３Ａは互に光学特性を異にしている第１．第２
の２個のダイクロインクミラーの双方を透過した光によ
る第１の光学像が結像される第１の結像面と、前記した
第１のダイクロインクミラーによる反射光が第１のプリ
ズムの全反射面により第１のプリズム中を通過するよう
に反射されて光路長が所定のように伸ばされた状態で第
２の光学像が結像される第２の結像面と、前記した第２
のダイクロインクミラーによる反射光が第２のプリズム
の全反射面により第２のプリズム中を通過するように反
射されて光路長が所定のように伸ばされた状態で第３の
光学像が結像される第３の結像面とを同一の平面内で互
に近接した状態において一直線状に配置させうるように
構成されており、第１５図及び第１６図においてｏｐは
赤色光を反射し緑色光と青色光とを透過するダイクロイ
ックミラー（Ｒ面）と、青色光を反射し緑色光と赤色光
とを透過するダイクロイックミラー（Ｂ面）とを直交さ
せて構成したプリズム形態のダイクロインクミラー（ダ
イクロイックプリズム１）ｐ）であり、またＰｒは全反
射面Ｍｒを有するプリズム、１】ｂは全反射面Ｍｂを有
するプリズムである。Furthermore, a perspective view of the entire three-color separation optical system C8A is illustrated in FIG. 16, and a plan view for explaining the principle of its construction is shown in FIG. 15. The resolving optical system C3A has a first optical system having different optical properties. Second
A first imaging plane on which a first optical image is formed by the light transmitted through both of the two dichroic ink mirrors, and a first imaging surface on which the light reflected by the first dichroic ink mirror is formed on the entire first prism. a second imaging surface on which a second optical image is formed with the optical path length being extended in a predetermined manner by being reflected by the reflective surface so as to pass through the first prism;
The light reflected by the dichroic ink mirror is reflected by the total reflection surface of the second prism so as to pass through the second prism, and a third optical image is formed with the optical path length extended in a predetermined manner. 15 and 16, OP reflects red light and reflects green light. A prism-shaped dichroic ink mirror (a dichroic mirror (R surface) that transmits light and blue light, and a dichroic mirror (B surface) that reflects blue light and transmits green and red light, which are orthogonal to each other). The dichroic prism 1)p) is a prism having a total reflection surface Mr, and 1]b is a prism having a total reflection surface Mb.
第１５図において被写体Ｑからの光が撮像レンズＬを介
して前記したダイクロインクプリズムＤｐに入射すると
５ダイクロインクプリズムＤｐへの入射光の内でＪダイ
クロイックミラー（Ｒ面）とダイクロイックミラー（Ｂ
面）との双方を通過した被写体の光学像の緑色光成分は
結像面Ｉｇに結像し、また、ダイクロイックプリズムＤ
ｐへの入射光の内で、ダイクロイックミラーＲ面で反射
した被写体の光学像の赤色光成分は、プリズムＰｒの全
反射面で反射した後にプリズムＰｒ中を通過して、前記
した結像面Ｉｇと同一の平面内にあり。In FIG. 15, when the light from the object Q enters the dichroic ink prism Dp mentioned above through the imaging lens L, among the light incident on the five dichroic ink prisms Dp, the J dichroic mirror (R surface) and the dichroic mirror (B
The green light component of the optical image of the object that has passed through both the dichroic prism D
Of the light incident on p, the red light component of the optical image of the subject reflected on the dichroic mirror R surface is reflected on the total reflection surface of the prism Pr, passes through the prism Pr, and is reflected on the above-mentioned image forming surface Ig. in the same plane as.
かつ、前記した結像面ｒｇに近接している結像面Ｉｒに
結像し、さらに、ダイクロイックプリズムｏｐへの入射
光の内で、ダイクロイックミラー８面で反射した被写体
の光学像の青色光成分は、プリズムｐｂの全反射面で反
射した後にプリズムＰｂ中を通過して、前記した結像面
［ｇ＋Ｉｒと同一の平面内にあり、かつ、前記した結像
面Ｉｇ ｒＩｒに近接している結像面Ｉｂに結像する。In addition, the blue light component of the optical image of the subject is imaged on the image forming surface Ir that is close to the above-mentioned image forming surface rg, and of the light incident on the dichroic prism OP, is reflected by the 8 surfaces of the dichroic mirror. is reflected by the total reflection surface of prism pb, passes through prism Pb, and forms an image that is in the same plane as the above-mentioned image formation plane [g+Ir and is close to the above-mentioned image formation plane IgrIr. The image is formed on the image plane Ib.
そして、前記した３つの結像面Ｉ ｇ、Ｉ ｒ、Ｉ ｂ
は、既述のように同一の平面内に形成されているととも
に、−直線上に配置されているような配置Ｍ様のものと
して形成されるようになされている。Then, the three imaging planes I g, I r, I b
are formed in the same plane as described above, and are arranged in the arrangement M such that they are arranged on a straight line.
第１５図及び第１６図に示されている３色分解光学系Ｃ
８Ａにおいて、プリズムＰｒは赤色光の光路長を伸ばし
、また、プリズムｐｂは青色光の光路長を伸ばして、前
記したように緑色光の結像面Ｉｇと、赤色光の結像面Ｉ
ｒと、青色光の結像面Ｉｂとが、既述のように同一の平
面内で、がっ、−直線上に近接して配置されているよう
な状態にさせるのであり、前記したプリズムＰｒ、Ｐｂ
による光路長の伸び量又は、各色光の光軸のずれ批ａと
等しく、すなわち、Ｘ＝ａとなるようにされる。 前記
したプリズムＰｒ、Ｐｂによる光路長の伸び量Ｘは、プ
リズムＰｒ、Ｐｂ中の光路長をｄとし、プリズムＰｒ、
Ｐｂの構成＃ｙ質の屈折率をｎとすると、 Ｘ＝ｄ（
ｎ−１）／ｎ で表わされるから、前記したように
プリズムＰｒ、Ｐｂによる光路長の伸びＭＸと各色光の
光軸のずれ址ａとを等しくするには、プリズムＰｒ、Ｐ
ｂ中の光路長ｄと、プリズムＰｒ、Ｐｂの構成材料の屈
折型ｎとを変えることによって行うことができる。Three-color separation optical system C shown in FIGS. 15 and 16
In 8A, the prism Pr extends the optical path length of the red light, and the prism pb extends the optical path length of the blue light, and as described above, the imaging plane Ig of the green light and the imaging plane Ig of the red light are formed.
As described above, the prism Pr and the blue light imaging plane Ib are arranged in the same plane and close to each other on a straight line. , Pb
The length of the optical path is increased by 1, or the deviation of the optical axis of each color light is equal to a, that is, X=a. The amount of extension of the optical path length by the prisms Pr and Pb described above is calculated as follows: where the optical path length in the prisms Pr and Pb is d, and the prisms Pr,
If the refractive index of #y quality of Pb is n, then X=d(
Since it is expressed as
This can be done by changing the optical path length d in b and the refraction type n of the constituent materials of the prisms Pr and Pb.
前記の構成態様のコ３色分解光学系Ｃ３Ａのように、同
一平面内で一直線に近接して形成される３個の結像面１
ｒ、Ｉｇ、Ｔｂに個別の色に分解された被写体の光学像
が結像されるようになされた色分解光学系を用いると、
前記した複数の結像面の位置に高い解像度の：３つの画
像が並列した状態で結像される。As in the three-color separation optical system C3A of the configuration described above, three image forming surfaces 1 are formed adjacent to each other in a straight line within the same plane.
When using a color separation optical system that forms an optical image of the subject separated into individual colors r, Ig, and Tb,
Three high-resolution images are formed in parallel at the positions of the plurality of imaging planes described above.
それで、第１４図に示されている１Ｅ荷潜像による記録
再生装置において、記録ヘッドＲｅ Ｈにおける透明＊
極Ｅｔｗと記録媒体円盤Ｄｒの″直棒Ｅｌとの間に、′
市源ｖｂによって一定の電圧を与えている状態において
、被写体Ｑの光学像が撮像レンズＬと前記した３色分解
光学系Ｃ８Ａとを介して、記録ヘッドＲｅＨにおける光
導電層部材ＰＣ［、へ、同一平面内で一直線に近接して
形成される３個の結像面Ｉｒ、Ｉｇ、Ｉｂに個別の色に
分解されて結像されると、記録ヘッドＲｅ Ｈにおける
光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに結像された
被写体Ｑの光学像に従って変化している状態になり、記
録ヘッドＲｅＨにおける記録媒体円盤Ｄｒの電荷潜像形
成部材ＣＨＬに対面している先導ｆｆ１ｔ層部材ＰＣＬ
の端面には、被写体の光学像を色分解縞状フィルタＦに
おける３種類の色細条片の色に分解された状態の３種類
の電荷像が形成される電荷像領域が形成される。Therefore, in the recording and reproducing apparatus using the 1E latent image shown in FIG.
Between the pole Etw and the "straight rod El of the recording medium disk Dr,'
In a state where a constant voltage is applied by the source Vb, an optical image of the subject Q is transmitted to the photoconductive layer member PC in the recording head ReH via the imaging lens L and the above-mentioned three-color separation optical system C8A. When images are separated into individual colors and formed on three imaging planes Ir, Ig, and Ib that are formed close to each other in a straight line in the same plane, the electrical resistance of the photoconductive layer member PCL in the recording head ReH increases. The value of the leading ff1t layer member PCL facing the charge latent image forming member CHL of the recording medium disk Dr in the recording head ReH changes in accordance with the optical image of the subject Q imaged thereon.
A charge image area is formed on the end face of the image forming apparatus 1, in which three types of charge images are formed in which the optical image of the subject is separated into the colors of the three types of color stripes in the color separation striped filter F.
前記のようにして光導電層部材ＰＣＩ、の端面に形成さ
れた電荷像領域における被写体の光学像に応じた電荷像
は、記録媒体円盤Ｄｒにおける電荷潜像形成部材ＣＨＬ
に、前記したそれぞれの電荷像領域の電荷像と対応する
電荷像領域の電荷像として第１７図の（ａ）、（ｂ）に
おけるＲ、Ｇ、Ｂのような各領域に記録される。The charge image corresponding to the optical image of the subject in the charge image area formed on the end face of the photoconductive layer member PCI as described above is transferred to the charge latent image forming member CHL on the recording medium disk Dr.
Then, charge images in the charge image areas corresponding to the charge images in the respective charge image areas described above are recorded in the respective areas such as R, G, and B in FIGS. 17(a) and 17(b).
記録動作時において前記した記録ヘッドＲＣＨにおける
光導電層部材ＰＣＬの端面と記録媒体円盤Ｄ「の電荷潜
像形成部材Ｃ）Ｉ Ｌとの両者は密着状態、あるいは前
記の両者間に微小な間隙が形成さＪしるようになされ、
１つの記録再生領域に対する記録動作の終了により記録
媒体円盤Ｄｒが回転または回動される際には、前記した
光学像−電荷像変換素子における光導電層部材ＰＣＬの
端面と記録媒体円盤Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬとの
間が離隔された状態になされる。During the recording operation, the end surface of the photoconductive layer member PCL in the recording head RCH described above and the charge latent image forming member C)IL of the recording medium disk D are in close contact with each other, or there is a minute gap between them. He was made to be formed,
When the recording medium disk Dr is rotated or rotated due to the end of the recording operation for one recording/reproducing area, the electric charges on the end face of the photoconductive layer member PCL in the optical image-to-charge image conversion element and the recording medium disk Dr are The latent image forming member CHL is separated from the latent image forming member CHL.
第１７図の（ａ＞、（ｂ）においてＥＤＡは検出ヘッド
であって、この検出ヘッドＥＤＡは第１７図の（ａ）、
（ｈ）中のＸ方向に主走査が行われるとともに、第１７
図の（ａ）、（ｂ）中のＹ方向に副走査が行われろよう
になされる。そして、前記の検出ヘッドＥＤＡとしては
第１９図示のような構成態様のものが使用されてもよい
。In (a>, (b) of FIG. 17, EDA is a detection head, and this detection head EDA is shown in (a) of FIG. 17,
Main scanning is performed in the X direction in (h), and the 17th
Sub-scanning is performed in the Y direction in (a) and (b) of the figures. As the detection head EDA, a configuration shown in FIG. 19 may be used.
それにより、第１７図の（ａ）の場合には各原色信号が
面順次信号として得られ、また、第１７図の（ｂ）の場
合には各原色信号が線順次信号として得られることにな
る。As a result, in the case of (a) in FIG. 17, each primary color signal is obtained as a field sequential signal, and in the case of (b) in FIG. 17, each primary color signal is obtained as a line sequential signal. Become.
なお、検出ヘッドＥＤＡを複数個同時に使用して同時信
号が得られるようになされてもよいことは勿論である。It goes without saying that a plurality of detection heads EDA may be used simultaneously to obtain simultaneous signals.
これまでに記述された各実施例から出力された信号は、
それに必要に応じて信号処理を施した後にプリンタに供
給したハードコピーを得たり、あるいはデイスプレィ装
置に供給してソフトコピーを得たりして利用したり、フ
ァイル装置ａに供給してファイルしたり、または記録媒
体円盤Ｄｒの電荷潜像形成部材ＣＨＬに情報が記録され
た状態に記録媒体円盤Ｄｒを保存しておいて後で再生利
用する等１色々な利用態様での利用が可能である。The signals output from each embodiment described so far are:
After performing signal processing on it as necessary, it can be used to obtain a hard copy supplied to a printer, or supplied to a display device to obtain a soft copy, or supplied to a file device a for filing, Alternatively, the recording medium disk Dr can be used in various ways, such as storing information recorded on the charge latent image forming member CHL of the recording medium disk Dr and reusing it later.
（発明の効果）
本発明は記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が
形成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘
導で生じた電圧がゲート電極に快えられることにより電
荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生さ
せる電圧検出用電界効果トランジスタを含んで構成され
ている検出ヘッドを備えた電荷潜像による記録再生装置
であって、電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘
導で生じた電圧がゲート電極に与えられることにより゛
電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生
させる電圧検出用電界効果トランジスタとしてフローテ
ィング・ゲート電界効果トランジスタを含んで構成させ
た検出ヘッドを備えている電荷潜像による記録再生装置
と、記録再生対象の情￥Ｍ１８妙と対応する電荷潜像が
形成される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘
導で生じた電圧がゲート電極に与えられることにより電
荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生さ
せる電圧検出用電界効果トランジスタとしてフローティ
ング・ゲート電界効果トランジスタを用いるとともに、
前記した電圧検出用のフローティング・ゲート電界効果
トランジスタのゲート電位を外部からの印加電圧によっ
て制御可能にする手段を備えた電荷潜像による記録再生
装置と、記録Ｎｊ生対象の情報信号と対応する電ｇｉ潜
像が形成されろ電荷潜像形成部材の複数個所における個
々の表面電位に応じて静電誘導で生じた電圧が個別にゲ
ート電極に与えられる電圧検出用の複数個のフローティ
ング・グー１−１ｉ界効果トランジスタと、前記した複
数個のフローティング・ゲート電界効果トランジスタの
出力信号を時間軸上で直列的に徹ぶように順次に取出し
て時系列信号として出方させる手段とを備えてなる電荷
潜像による記録再生装置と、少なくとも３種類の異なる
細条片を１組とする細条片組を繰返し配列してなる色分
解縞状フィルタによって色分解した記録再生対象の光学
像情報と対応する電荷潜像が形成された電荷潜像形成部
材の複数個所における個々の表面電位に応じて静ｗｉＭ
導で生じた電圧が個別にゲート電極に与えられる電圧検
出用の複数個のフローティング・ゲート電界効果トラン
ジスタと、前記した複数個のフローティング・ゲート電
界効果トランジスタの出力信号を時間軸上で直列的に披
ぶように順次に取出して時系列信号として出力させる手
段とを備えてなる電荷潜像による記録再生装置であって
、前記した色分解縞状フィルタにおける各細条片と対応
じて電荷潜像形成部材に形成された記録再生領域の長平
方向と検出ヘッドの複数のゲー１〜１を極の配列の方向
とが−ｅするような配置態様で配置させた検出ヘットを
、前記した色分解縞状フィルタにおける各細条片と対応
じて電荷潜像形成部材に形成された記録再生領域の個々
のもの毎に順次に対応させるようにする手段を備えてな
る電荷潜像による記録再生装置と、少なくとも３種類の
異なる細条片を１組とする細条片組を繰返し配列してな
る色分解縞状フィルタによって色分解した記録１４生対
象の光学像情報と対応する電荷潜像が形成された電荷潜
像形成部材の複数個所におけろ個々の表面電位に応じて
ｉ７％電誘導で生じた電圧が個別にゲート電極に与えら
れる電圧検出用の複数個のフローティング・ゲート電界
効果トランジスタと、前記した複数個のフローティング
・グー１−ｆｉｔ界効果トランジスタの出力信号を時間
軸上で直列的に並ぶように順次に取出して時系列（８号
として出力させる手段とを備えてなる電荷潜像による記
録ＩＩ￥生装置であって、前記した色分解縞状フィルタ
における各細条片と対応じて電荷潜像形成部材に形成さ
れた記録再生領域の配列のピッチと略々等しいピッチで
複数のゲー＋−＃電極が配列されている検出ヘッドを用
い、また、前記した色分解縞状フィルタにおける各細条
片の長平方向に対して前記した検出ヘッドの複数のゲー
ト電極の配列方向が直交するような配置態様で配置され
る検出ヘッドを、前記した色分解縞状フィルタにおける
各細条片の長平方向に副走査させるようにする手段を備
えてなる電荷潜像による記録再生装置。(Effects of the Invention) The present invention provides that a voltage generated by electrostatic induction is applied to the gate electrode in accordance with the surface potential of a charge latent image forming member on which a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced is formed. A charge latent image recording/reproducing device comprising a detection head including a field effect transistor for voltage detection that generates an electric signal corresponding to the surface potential of a charge latent image forming member, A floating gate electric field is used as a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode according to the surface potential of the member. A charge latent image recording and reproducing device equipped with a detection head including an effect transistor, and a surface potential of a charge latent image forming member on which a charge latent image corresponding to the information to be recorded and reproduced is formed. A floating gate field effect transistor is used as a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode, and
A recording/reproducing device using a charge latent image, which is equipped with a means for controlling the gate potential of the floating gate field effect transistor for voltage detection by means of an externally applied voltage; A plurality of floating groups 1- for voltage detection in which voltages generated by electrostatic induction are individually applied to gate electrodes in accordance with individual surface potentials at a plurality of locations on a charge latent image forming member in which latent images are formed. 1i field effect transistor, and a means for sequentially extracting the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors described above in series on the time axis and outputting them as time series signals. Corresponds to the optical image information of the object to be recorded and reproduced, color-separated by a latent image recording/reproducing device and a color separation striped filter formed by repeatedly arranging a set of strips each consisting of at least three different types of strips. static wiM depending on the individual surface potentials at multiple locations of the charge latent image forming member on which charge latent images are formed.
A plurality of floating gate field effect transistors for voltage detection, in which the voltage generated by the conductor is individually applied to the gate electrode, and the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors described above are serially connected on the time axis. A charge latent image recording and reproducing device is provided with a means for sequentially extracting charge latent images and outputting them as time-series signals. A detection head arranged in such a manner that the longitudinal direction of the recording/reproducing area formed on the forming member and the direction in which the poles of the plurality of gates 1 to 1 of the detection head are arranged are -e, is used to form the above-mentioned color separation stripes. A charge latent image recording and reproducing device comprising means for sequentially corresponding each of the recording and reproducing areas formed on a charge latent image forming member in correspondence with each strip in a charge latent image forming member; A charge latent image corresponding to the optical image information of the object was formed as a color-separated record using a color-separated striped filter formed by repeatedly arranging a set of strips each consisting of at least three different types of strips. a plurality of floating gate field effect transistors for voltage detection in which voltages generated by i7% electric induction are individually applied to gate electrodes in accordance with individual surface potentials at a plurality of locations on the charge latent image forming member; Recording by latent charge image comprising means for sequentially extracting the output signals of a plurality of floating goo 1-fit field effect transistors arranged in series on the time axis and outputting them in time series (No. 8) II. The recording/reproducing device is a color separation striped filter in which a plurality of game + - A detection head in which # electrodes are arranged is used, and the arrangement direction of the plurality of gate electrodes of the detection head is perpendicular to the longitudinal direction of each strip in the color separation striped filter. A recording/reproducing apparatus using a latent charge image, comprising means for sub-scanning a detection head arranged in an arrangement manner in the longitudinal direction of each strip in the color separation striped filter.
及び記録再生対象の光学情報を波長域を異にしている少
なくとも３個の光学像に分解して得た個別の光学像の結
像面を同一平面上に並列的に形成させ、前記した個別の
光学像の結像面における光学情報と対応する電荷潜像が
形成されている電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静
ｒｔＩＭ導で生した電圧がゲート電極に与えられること
により電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号
を発生させろ電圧検出用電界効果トランジスタを含んで
構成されている検出ヘッドを備えた電荷潜像による記録
再生装置であって、電荷潜像形成部材の表面電位に応じ
て静電誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられること
により電荷ＷＩ像形成部材の表面電位と対応した電気（
ｉｔ号を発生させる電圧検出用電界効果１−ランジスタ
としてフローティング・ゲート電界効果トランジスタを
含んで構成させた検出ヘッドを用いて前記した波長域を
異にしている個別の光学像と対応じている電荷像の検出
を行う手段と、ｈη記した検出ヘッドの出力信号に基づ
いて個別の色信号を発生させる手段とを備えている電荷
潜像による記録再生装置、ならびに記録再生対象の情報
信号と対応する電荷潜像が形成される電荷潜像形成部材
の複数個所における個々の表面電位に応じて静ｖＩｉ誘
導で生じた電圧が個別にグー１〜電極に与えられる電圧
検出用の複数個のフローティング・ゲート電界効果１〜
ランジスタと、前記した複数個のフローティング・ゲー
ト電界効果トランジスタの出力信号を時間軸上で直列的
に並ぶように順次に取出して時系列信号として出力させ
る手段と、出力４８号が取出されるように選択されてい
る電圧検出用のフローティング・ゲート電界効果トラン
ジスタにおけるゲート電位を外部からの印加電圧により
選択的に制御する手段を備えた電荷潜像による記録再生
装置であるから、この本発明の電荷潜像による記録再生
装置では記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が
形成される電荷潜像形成部材の複数個所における個々の
表面電位に応じて静電誘導で生じた電圧を個別にゲート
′Ｉｊ！、極に与えて電圧の検出を行う複数個の世界効
果トランジスタを用いた場合に、従来、電界効果トラン
ジスタのドレインとゲートとの間の漏洩電流に基づいて
ゲート回路の電位が次第に上昇して行くことによる問題
点の解決のために実施していたリセット動作が不用とな
されるのであり１本発明によれば既述の問題点゛は良好
に解決できる。The optical information to be recorded and reproduced is decomposed into at least three optical images having different wavelength ranges, and the imaging planes of the individual optical images obtained are formed in parallel on the same plane, and the individual optical information described above is formed in parallel on the same plane. A charge latent image is formed by applying a voltage generated by static rtIM conduction to the gate electrode in accordance with the surface potential of the charge latent image forming member on which a charge latent image corresponding to optical information on the optical image forming surface is formed. A charge latent image recording/reproducing device equipped with a detection head including a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the member, the charge latent image recording/reproducing device Accordingly, a voltage generated by electrostatic induction is applied to the gate electrode, so that a charge WI corresponding to the surface potential of the image forming member (
Field Effect for Voltage Detection to Generate 1-Electric charge corresponding to the individual optical images having different wavelength ranges as described above using a detection head including a floating gate field effect transistor as a transistor. A charge latent image recording/reproducing device comprising means for detecting an image and means for generating individual color signals based on the output signal of the detection head described as hη, and corresponds to an information signal to be recorded and reproduced. A plurality of floating gates for voltage detection in which voltages generated by static vIi induction are individually applied to the electrodes according to the individual surface potentials at multiple locations of the charge latent image forming member where charge latent images are formed. Electric field effect 1~
transistor, a means for sequentially taking out the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors so as to be arranged in series on the time axis and outputting them as time-series signals, and a means for taking out the output signal No. 48. Since this is a recording/reproducing device using a charge latent image, which is equipped with means for selectively controlling the gate potential of a selected floating gate field effect transistor for voltage detection by an externally applied voltage, the charge latent image of the present invention is In an image recording/reproducing device, voltages generated by electrostatic induction are individually gated in accordance with individual surface potentials at multiple locations of a charge latent image forming member where charge latent images corresponding to information signals to be recorded and reproduced are formed. Ij! Conventionally, when multiple world effect transistors are used to detect the voltage applied to the pole, the potential of the gate circuit gradually increases based on the leakage current between the drain and gate of the field effect transistor. According to the present invention, the above-mentioned problems can be satisfactorily solved, since the reset operation that has been carried out to solve the problems caused by this is no longer necessary.
第１図は本発明の電荷潜像による記録再生装置の記録系
の概略構成を示す側面図、第２図は本発明の電荷潜像に
よる記録再生袋はの再生系の概略構成を示すブロック図
、第３図は検出ヘッドの構成を説明するための検出ヘッ
ドの一部の斜視図。
第４図乃至９５６図は本発明の電荷潜像による記録再生
装置で使用される検出ヘッドの構成の説明に使用するブ
ロック図、第７図は本発明の電荷潜像による記録再生装
置の記録系の他の構成態様の概略構成を示す側面図、第
８図は第７図示の電荷潜像による記録再生装置の記録系
で使用される色分解縞状フィルタの概略を示す平面図、
第９図は第７図に示した本発明の電荷潜像による記録再
生装置の記録系の他の構成態様のものの正面図、第１０
図及び第１１図は第７図示の電荷潜像による記録再生装
置の記録系によって記録形成された記録領域に対する検
出ヘッドの走査態様を説明するための平面図、第１２図
及び第１３図は検出ヘッドの出力信号の信号処理を行う
回路例を示すブロック図、第１４図は本発明の電荷潜像
による記録再生装置の記録系の他の構成態様の概略構成
を示す側面図、第１５図は３色分解光学系の一例構成の
平面図、第１６図は第１５図示の３色分解光学系の斜視
図、第１７図は第１４図示の電荷潜像による記録再生装
置の記録系によって記録形成された記録領域に対する検
出ヘッドの走査態様を説明するだめの平面図、第１８図
は電圧検出用フローティング・ゲート電界効果トランジ
スタのゲート電圧のバイアス点の補正の説明のための曲
線図、第１９図は検出ヘッドの構成例を示すブロック図
、第２０図及び第２１図は既提案の電荷潜像による記録
再生装置の概略構成を示すブロック図、第２２回は既提
案の電荷潜像による記録再生装置に使用されている検出
ヘッドの一例のものの回路図。
第２３図は既提案の電荷潜像による記録再生装置に使用
されている検出ヘッドの一例のものの一部の斜視図、第
２４図は検出ヘッドの動作の説明用の波形図である。
１・・・出力端子、２・・・リセットパルスの入力端子
、３・・・連結部材、４・・・変位駆動装置８ＣＭにお
ける可動部５の中心保持子、５・・・可動部、７，１．
２・・・回転軸、８・・・シフトレジスタＳＲのクロッ
ク端子。
０・・・被検出体、ＥＤＡ・・・検出ヘッド、Ｅｒ）１
−ＥＤｎ・・・電圧検出用電極、ＢＧＭ・・・変位駆動
装置、Ｓ ａ−信号発生器、ｆｌ １− Ｑ ｎ−接続
線、Ｉ）ｌ”１〜１） Ｆ １１・・・電圧検出用ＭＯ
８型電界効果トランジス夕、ＲＦＩ〜ＲＦｎ・・・リセ
ット用ス、イツチング手段として使用される電界効果ト
ランジスタ、ＳＦ１〜ＳＦｎ ・スイッチング用電界
効果トランジスタ。
Ｓ Ｒ・シフトレジスタ、ＲＺ・・電荷潜像形成部材に
おける記＠再生領域、ＤＦｆｇＩ〜Ｄ［・’ｆｇｎ・・
電圧検出用フローティング・ゲート電界効果トランジス
タ、ＳＡ シールド部材、 Ｒｅ Ｈ−・・記録ヘッ
ド、ｌ：ｔ、Ｅｊｗ・・透明電極、Ｄｒ・記録媒体円盤
、 Ｅ ｌ ・−［１，Ｖ ｂ ・−［源、ＬＭＩ−Ｌ
Ｍ３・−・ラインメモリ、ＰＭＩ−ＰＭ３−・ｌｒｌ！
！ｉ！４メモリ、ＳＷ・・・切換スイッチ、Ｑ・・・被
写体、Ｌ・・・撮像レンズ、Ｃ５Ａ・・・３色分解光学
系、Ｉ） ＣＬ・・光導電層部材。
Ｉ ｒ、 Ｉ ｇ、 Ｔ ｂ−結像面、 ＣＨＬ −
１荷潜像形成部材、
特許出願人 日本ビクター株式会社
“（：、ＥＩＩＡＯ″″”“０′“７′“’＜、、−、
、＋石８図
乃１０品FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a recording system of a recording and reproducing apparatus using a charge latent image according to the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a recording and reproducing system of a bag for recording and reproducing using a charge latent image according to the present invention. , FIG. 3 is a perspective view of a portion of the detection head for explaining the configuration of the detection head. 4 to 956 are block diagrams used to explain the configuration of the detection head used in the recording and reproducing device using charge latent images of the present invention, and FIG. 7 is a recording system of the recording and reproducing device using charge latent images of the present invention. FIG. 8 is a plan view schematically showing the color separation striped filter used in the recording system of the charge latent image recording and reproducing apparatus shown in FIG. 7;
9 is a front view of another configuration of the recording system of the recording/reproducing apparatus using charge latent images of the present invention shown in FIG. 7; FIG.
11 and 11 are plan views for explaining the manner in which the detection head scans the recording area recorded by the recording system of the recording and reproducing apparatus using the charge latent image shown in FIG. 7, and FIGS. 12 and 13 are the detection FIG. 14 is a block diagram showing an example of a circuit for signal processing of the output signal of the head; FIG. 14 is a side view showing a schematic configuration of another embodiment of the recording system of the recording/reproducing apparatus using a charge latent image according to the present invention; FIG. FIG. 16 is a plan view of an example configuration of the three-color separation optical system, FIG. 16 is a perspective view of the three-color separation optical system shown in FIG. FIG. 18 is a plan view illustrating the scanning mode of the detection head for the recorded recording area; FIG. 18 is a curve diagram illustrating correction of the bias point of the gate voltage of the floating gate field effect transistor for voltage detection; FIG. 20 and 21 are block diagrams showing a schematic configuration of a recording/reproducing device using a previously proposed charge latent image. Part 22 is a block diagram showing an example of the configuration of a detection head. FIG. 3 is a circuit diagram of an example of a detection head used in the device. FIG. 23 is a partial perspective view of an example of a detection head used in the previously proposed recording and reproducing apparatus using charge latent images, and FIG. 24 is a waveform diagram for explaining the operation of the detection head. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Output terminal, 2... Reset pulse input terminal, 3... Connecting member, 4... Center holder of movable part 5 in displacement drive device 8CM, 5... Movable part, 7, 1.
2... Rotation axis, 8... Clock terminal of shift register SR. 0...Detected object, EDA...Detection head, Er)1
-EDn...Electrode for voltage detection, BGM...Displacement drive device, S a-signal generator, fl 1- Q n- connection line, I)l"1~1) F 11... For voltage detection M.O.
Type 8 field effect transistors, RFI to RFn...Field effect transistors used as reset means and switching means, SF1 to SFn - Field effect transistors for switching. S R/shift register, RZ...Record @reproduction area in charge latent image forming member, DFfgI~D[/'fgn...
Floating gate field effect transistor for voltage detection, SA shield member, Re H-...recording head, l:t, Ejw...transparent electrode, Dr/recording medium disk, E l ・-[1, V b ・-[ Source, LMI-L
M3--Line memory, PMI-PM3--lrl!
! i! 4 memory, SW...changeover switch, Q...subject, L...imaging lens, C5A...three-color separation optical system, I) CL...photoconductive layer member. I r, I g, T b - imaging plane, CHL -
1 latent image forming member, patent applicant: Victor Japan Co., Ltd.
, + 8 stones and 10 items
Claims (1)
される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導で
生じた電圧がゲート電極に与えられることにより電荷潜
像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生させる
電圧検出用電界効果トランジスタを含んで構成されてい
る検出ヘッドを備えた電荷潜像による記録再生装置であ
って、電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導で
生じた電圧がゲート電極に与えられることにより電荷潜
像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生させる
電圧検出用電界効果トランジスタとしてフローティング
・ゲート電界効果トランジスタを含んで構成させた検出
ヘッドを備えている電荷潜像による記録再生装置 ２、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が形成
される電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静電誘導で
生じた電圧がゲート電極に与えられることにより電荷潜
像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発生させる
電圧検出用電界効果トランジスタとしてフローティング
・ゲート電界効果トランジスタを用いるとともに、前記
した電圧検出用のフローティング・ゲート電界効果トラ
ンジスタのゲート電位を外部からの印加電圧によって制
御可能にする手段を備えた電荷潜像による記録再生装置 ３、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が形成
される電荷潜像形成部材の複数個所における個々の表面
電位に応じて静電誘導で生じた電圧が個別にゲート電極
に与えられる電圧検出用の複数個のフローティング・ゲ
ート電界効果トランジスタと、前記した複数個のフロー
ティング・ゲート電界効果トランジスタの出力信号を時
間軸上で直列的に並ぶように順次に取出して時系列信号
として出力させる手段とを備えてなる電荷潜像による記
録再生装置 ４、少なくとも３種類の異なる細条片を１組とする細条
片組を繰返し配列してなる色分解縞状フィルタによって
色分解した記録再生対象の光学像情報と対応する電荷潜
像が形成された電荷潜像形成部材の複数個所における個
々の表面電位に応じて静電誘導で生じた電圧が個別にゲ
ート電極に与えられる電圧検出用の複数個のフローティ
ング・ゲート電界効果トランジスタと、前記した複数個
のフローティング・ゲート電界効果トランジスタの出力
信号を時間軸上で直列的に並ぶように順次に取出して時
系列信号として出力させる手段とを備えてなる電荷潜像
による記録再生装置であって、前記した色分解縞状フィ
ルタにおける各細条片と対応して電荷潜像形成部材に形
成された記録再生領域の長手方向と検出ヘッドの複数の
ゲート電極の配列の方向とが一致するような配置態様で
配置させた検出ヘッドを、前記した色分解縞状フィルタ
における各細条片と対応して電荷潜像形成部材に形成さ
れた記録再生領域の個々のもの毎に順次に対応させるよ
うにする手段を備えてなる電荷潜像による記録再生装置 ５、少なくとも３種類の異なる細条片を１組とする細条
片組を繰返し配列してなる色分解縞状フィルタによって
色分解した記録再生対象の光学像情報と対応する電荷潜
像が形成された電荷潜像形成部材の複数個所における個
々の表面電位に応じて静電誘導で生じた電圧が個別にゲ
ート電極に与えられる電圧検出用の複数個のフローティ
ング・ゲート電界効果トランジスタと、前記した複数個
のフローティング・ゲート電界効果トランジスタの出力
信号を時間軸上で直列的に並ぶように順次に取出して時
系列信号として出力させる手段とを備えてなる電荷潜像
による記録再生装置であって、前記した色分解縞状フィ
ルタにおける各細条片と対応して電荷潜像形成部材に形
成された記録再生領域の配列のピッチと略々等しいピッ
チで複数のゲート電極が配列されている検出ヘッドを用
い、また、前記した色分解縞状フィルタにおける各細条
片の長手方向に対して前記した検出ヘッドの複数のゲー
ト電極の配列方向が直交するような配置態様で配置され
る検出ヘッドを、前記した色分解縞状フィルタにおける
各細条片の長手方向に副走査させるようにする手段を備
えてなる電荷潜像による記録再生装置 ６、記録再生対象の光学情報を波長域を異にしている少
なくとも３個の光学像に分解して得た個別の光学像の結
像面を同一平面上に並列的に形成させ、前記した個別の
光学像の結像面における光学情報と対応する電荷潜像が
形成されている電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静
電誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられることによ
り電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発
生させる電圧検出用電界効果トランジスタを含んで構成
されている検出ヘッドを備えた電荷潜像による記録再生
装置であって、電荷潜像形成部材の表面電位に応じて静
電誘導で生じた電圧がゲート電極に与えられることによ
り電荷潜像形成部材の表面電位と対応した電気信号を発
生させる電圧検出用電界効果トランジスタとしてフロー
ティング・ゲート電界効果トランジスタを含んで構成さ
せた検出ヘッドを用いて前記した波長域を異にしている
個別の光学像と対応している電荷像の検出を行う手段と
、前記した検出ヘッドの出力信号に基づいて個別の色信
号を発生させる手段とを備えている電荷潜像による記録
再生装置 ７、記録再生対象の情報信号と対応する電荷潜像が形成
される電荷潜像形成部材の複数個所における個々の表面
電位に応じて静電誘導で生じた電圧が個別にゲート電極
に与えられる電圧検出用の複数個のフローティング・ゲ
ート電界効果トランジスタと、前記した複数個のフロー
ティング・ゲート電界効果トランジスタの出力信号を時
間軸上で直列的に並ぶように順次に取出して時系列信号
として出力させる手段と、出力信号が取出されるように
選択されている電圧検出用のフローティング・ゲート電
界効果トランジスタにおけるゲート電位を外部からの印
加電圧により選択的に制御する手段を備えた電荷潜像に
よる記録再生装置 ８、フローティング・ゲート電界効果トランジスタを含
んで構成される検出ヘッドを集積回路技術により高集積
化して構成した請求項１乃至７の何れかに記載の電荷潜
像による記録再生装置 ９、フローティング・ゲートを絶縁層で被覆した電界効
果トランジスタを含んで構成させた検出ヘッドを備えた
請求項１乃至７の何れかに記載の電荷潜像による記録再
生装置[Claims] 1. By applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode in accordance with the surface potential of a charge latent image forming member on which a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced is formed. A charge latent image recording/reproducing device comprising a detection head including a field effect transistor for voltage detection that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member, the charge latent image forming member comprising: A floating gate field effect transistor is used as a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by electrostatic induction to the gate electrode according to the surface potential of the charge latent image forming member. A charge latent image recording/reproducing device 2 is equipped with a detection head configured to include an electrostatic charge latent image recording/reproducing device 2, which detects electrostatic charge according to the surface potential of a charge latent image forming member on which a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded/reproduced is formed. A floating gate field effect transistor is used as a field effect transistor for voltage detection that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by applying a voltage generated by induction to the gate electrode, and the above-mentioned voltage detection A charge latent image recording/reproducing device 3 comprising means for controlling the gate potential of a floating gate field effect transistor by an externally applied voltage, in which a charge latent image corresponding to an information signal to be recorded and reproduced is formed. a plurality of floating gate field effect transistors for voltage detection in which voltages generated by electrostatic induction are individually applied to gate electrodes in accordance with individual surface potentials at a plurality of locations of a charge latent image forming member; There are at least three types of charge latent image recording and reproducing devices 4, which are equipped with means for sequentially extracting the output signals of the floating gate field effect transistors so that they are arranged in series on the time axis and outputting them as time-series signals. Formation of a charge latent image in which a charge latent image corresponding to the optical image information of the object to be recorded and reproduced is color-separated by a color-separated striped filter formed by repeatedly arranging a set of strips each having different stripes. A plurality of floating gate field effect transistors for voltage detection in which voltages generated by electrostatic induction are individually applied to gate electrodes in accordance with individual surface potentials at a plurality of locations of a member, and the plurality of floating gates described above. A charge latent image recording/reproducing device comprising means for sequentially extracting output signals of field effect transistors so as to be arranged in series on a time axis and outputting them as time-series signals, the device comprising: Detection arranged in such a manner that the longitudinal direction of the recording and reproducing area formed on the charge latent image forming member corresponding to each strip in the filter matches the direction of arrangement of the plurality of gate electrodes of the detection head. A charger comprising means for causing the head to correspond sequentially to each of the recording and reproducing areas formed on the charge latent image forming member corresponding to each strip in the color separation striped filter. The latent image recording and reproducing device 5 corresponds to optical image information of a target to be recorded and reproduced color-separated by a color separation striped filter formed by repeatedly arranging a set of strips each having at least three different types of strips. A plurality of floating gate field effects for voltage detection in which voltages generated by electrostatic induction are individually applied to gate electrodes in accordance with the individual surface potentials at multiple locations of a charge latent image forming member on which charge latent images are formed. Recording and reproducing using a latent charge image, comprising a transistor and a means for sequentially extracting the output signals of the plurality of floating gate field effect transistors described above so that they are arranged in series on the time axis and outputting them as time-series signals. The device comprises a plurality of gate electrodes arranged at a pitch substantially equal to the pitch of the array of recording and reproducing regions formed on the charge latent image forming member corresponding to each strip in the color separation striped filter described above. A detection head is used, and the arrangement direction of the plurality of gate electrodes of the detection head is orthogonal to the longitudinal direction of each strip in the color separation striped filter. A charge latent image recording/reproducing device 6 comprising means for sub-scanning the detection head in the longitudinal direction of each strip in the color separation striped filter described above, records and reproduces optical information to be recorded and reproduced in a wavelength range. The imaging planes of the individual optical images obtained by separating into at least three different optical images are formed in parallel on the same plane, and correspond to the optical information on the imaging plane of the individual optical images described above. A voltage generated by electrostatic induction according to the surface potential of the charge latent image forming member on which the charge latent image is formed is applied to the gate electrode, thereby generating an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member. A charge latent image recording/reproducing device equipped with a detection head including a field effect transistor for voltage detection, in which a voltage generated by electrostatic induction according to the surface potential of a charge latent image forming member is gated. A detection head configured to include a floating gate field effect transistor as a voltage detection field effect transistor that generates an electric signal corresponding to the surface potential of the charge latent image forming member by being applied to the electrode is used to detect the wavelength range described above. A charge latent image comprising means for detecting charge images corresponding to individual optical images having different colors, and means for generating individual color signals based on the output signals of the detection head described above. The recording/reproducing device 7 applies voltages generated by electrostatic induction to the gate electrodes individually according to the surface potentials at multiple locations of the charge latent image forming member where charge latent images corresponding to information signals to be recorded/reproduced are formed. The output signals of the plurality of floating gate field effect transistors for detecting the applied voltage and the plurality of floating gate field effect transistors described above are sequentially extracted so as to be arranged in series on the time axis and are converted into time series signals. A charge latent image comprising a means for outputting the output signal and a means for selectively controlling the gate potential of the floating gate field effect transistor for voltage detection from which the output signal is selected by means of an externally applied voltage. A recording/reproducing device (9) using a latent charge image according to any one of claims 1 to 7, wherein the recording/reproducing device (8) is constructed by highly integrating a detection head including a floating gate field effect transistor using integrated circuit technology. 8. A recording/reproducing device using a latent charge image according to claim 1, further comprising a detection head including a field effect transistor having a floating gate covered with an insulating layer.
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185101A JPH0235639A (en) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | Recording and reproducing device by latent charge image |
| IL90175A IL90175A0 (en) | 1988-05-10 | 1989-05-03 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
| US07/347,642 US5065102A (en) | 1988-05-10 | 1989-05-05 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
| CA000599106A CA1326880C (en) | 1988-05-10 | 1989-05-09 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
| EP89108337A EP0341669B1 (en) | 1988-05-10 | 1989-05-09 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
| CN 89104299 CN1029065C (en) | 1988-05-10 | 1989-05-09 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
| DE68919525T DE68919525T2 (en) | 1988-05-10 | 1989-05-09 | Device for detecting the distribution of an electrical surface potential. |
| BR898902529A BR8902529A (en) | 1988-05-10 | 1989-05-10 | APPLIANCE TO DETECT THE DISTRIBUTION OF THE ELECTRIC SURFACE POTENTIAL |
| KR1019890006211A KR920009911B1 (en) | 1988-05-10 | 1989-05-10 | Surface voltage distribution detecting system |
| US07/700,680 US5260796A (en) | 1988-05-10 | 1991-05-15 | Apparatus detecting distribution of surface potential on a medium holding charge latent image |
| US07/977,456 US5268763A (en) | 1988-05-10 | 1992-11-17 | Apparatus for recording a charge latent image on a medium and for producing color signals from the charge latent image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185101A JPH0235639A (en) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | Recording and reproducing device by latent charge image |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235639A true JPH0235639A (en) | 1990-02-06 |
Family
ID=16164872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63185101A Pending JPH0235639A (en) | 1988-05-10 | 1988-07-25 | Recording and reproducing device by latent charge image |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235639A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191408A (en) * | 1990-02-28 | 1993-03-02 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Color imaging system with selectively openable optical shutter |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP63185101A patent/JPH0235639A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191408A (en) * | 1990-02-28 | 1993-03-02 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Color imaging system with selectively openable optical shutter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4380023A (en) | Electronic imaging apparatus with light valve area arrays | |
| CA1332465C (en) | Method and apparatus of repeatedly recording optical image information and image pickup device | |
| JPH01211719A (en) | Light/light converting element | |
| EP0341668B1 (en) | Apparatus for recording and reproducing charge latent image | |
| EP0341669B1 (en) | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential | |
| JPH0235639A (en) | Recording and reproducing device by latent charge image | |
| US5025209A (en) | Apparatus for detecting surface potential distribution | |
| JPH0670692B2 (en) | Light-to-light conversion element | |
| JPH02143778A (en) | Read system for electric charge latent image | |
| US5055936A (en) | Charge latent image recording medium and recording/reproducing apparatus thereof | |
| US5268763A (en) | Apparatus for recording a charge latent image on a medium and for producing color signals from the charge latent image | |
| JPH02178612A (en) | Optical modulating method and device | |
| JPH01283148A (en) | Recording and reproducing apparatus of color image by charged latent image | |
| EP0500398B1 (en) | Apparatus for driving photoelectric element array | |
| US5260796A (en) | Apparatus detecting distribution of surface potential on a medium holding charge latent image | |
| JPH02125264A (en) | Charged image recording medium and recording and reproducing device for charged image | |
| JP2623894B2 (en) | Recording method of electromagnetic radiation information | |
| JPH05276451A (en) | Image pickup device | |
| SU1467532A2 (en) | Apparatus for recording and playing back information | |
| JPH01283573A (en) | Recording and reproducing device using charged latent image | |
| JPH02250058A (en) | Charge image recording medium and recording and reproducing device for charge image | |
| JPH02125280A (en) | Erasure system for electrostatic latent image in charged image recording medium | |
| JPH02103589A (en) | Display device | |
| JPH02131094A (en) | Recording and reproducing device for color picture by charge latent image | |
| JPH0813102B2 (en) | Position control method of the reading element in the recording / reproducing apparatus by the charge latent image |