JPH0233840A - マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管 - Google Patents
マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管Info
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- JPH0233840A JPH0233840A JP18502988A JP18502988A JPH0233840A JP H0233840 A JPH0233840 A JP H0233840A JP 18502988 A JP18502988 A JP 18502988A JP 18502988 A JP18502988 A JP 18502988A JP H0233840 A JPH0233840 A JP H0233840A
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- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 101710121996 Hexon protein p72 Proteins 0.000 description 23
- 101710125418 Major capsid protein Proteins 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光電面・で発生される電子を、チャンネル毎
に増倍して蛍光面に入射するためのマイクロチャンネル
プレートが内蔵されたマイクロチャンネルプレート内蔵
型イメージ管に係り、特に、イメージインテンシファイ
ヤ等の微弱光用イメージ管やストリーク管に用いるのに
好適な、バックグラウンド上昇やタロストーク発生の少
ないマイクロチャンネルプレート内蔵型イメージ管に関
するものである。
に増倍して蛍光面に入射するためのマイクロチャンネル
プレートが内蔵されたマイクロチャンネルプレート内蔵
型イメージ管に係り、特に、イメージインテンシファイ
ヤ等の微弱光用イメージ管やストリーク管に用いるのに
好適な、バックグラウンド上昇やタロストーク発生の少
ないマイクロチャンネルプレート内蔵型イメージ管に関
するものである。
イメージ管には、人が直接見られない赤外線やＸ線等の
像を可視光の像に変換するものや、微弱な光像を増強す
るもの等があるが、その１つに、例えば第９図に示すよ
うな近接型イメージ管がある。 この近接型イメージ管においては、内面に光電面１２が
形成された、例えばガラス板製又は繊維光学板製の入力
面板１０と、内面に蛍光面１６が形成された、例えばガ
ラス板製又は繊維光学板製の出力面板１４とが対向配設
され、環状絶縁体１８により所定間隔、例えば光電面１
２と蛍光面１６との間隔が１〜２ｎｎで真空気密に封着
されている。 このイメージ管の動作時は、光電面リード２０に対して
蛍光面リード２２に、例えば１０にＶ内外の高電圧が印
加される。この状態で、入力光が矢印の方向から照射さ
れ、光電面１２に光像が結像されると光電子が放出され
る。この光電子は、強い電界により光電面１２に垂直な
方向に加速されて蛍光面１６に到達し、該蛍光面１６を
発光させて、増強された光像を再生させる。 前記光電面１２と蛍光面１６の間に、光電子を集束させ
るための電子レンズを設けず、強い平行電界によって光
電子の広がりを制限して、分解能を保持していることが
近接型イメージ管の特徴で、小型で画像歪みがないとい
う利点を有するにのようなイメージ管においては、蛍光
面１６から発生する光が光電面１２にフィードバックし
て画像に無関係な光電子流を生起し、画像を埋没してし
まうのを防ぐため、第１０図に示す如く、蛍光面１６を
形成する螢光＃Ｎ２３の表面に遮光のためのメタルバッ
ク層２４が施されている。このメタルバック層２４は、
通常、電子透過性の良好なアルミニウム薄膜で形成され
ている。 又、光電面１２を透過してくる光が、蛍光面１６のメタ
ルバック層２４で乱反射されて再び光電面１２に入射し
、光電子を放出することによって、バックグラウンドが
上昇しなり、タロストークが生じるのを防ぐため、前記
光電面１２と蛍光面１６の間にマイクロチャンネルプレ
ート等が配設されていないイメージ管、特に前記のよう
な近接型イメージ管では、前記メタルバック層２４の上
に、光に対して低反射率の層を設けることが提案されて
いる（特開昭５８−２２５５４８号、特開昭５９−１１
４７３８号、特開昭５９−１８９５４４号〉。 一方、イメージ管には、前記のような近接型イメージ管
等の、マイクロチャンネルプレート（以下ＭＣＰと略す
る）を用いていないイメージ管の他に、光電面で発生さ
れた電子を、微少チャンネル毎に増倍して蛍光面に入射
するためのマイクロチャンネルプレートを内蔵して増幅
率が高められた微弱光用イメージ管（例えばイメージイ
ンテンシファイヤ）やストリーク管がある。 このＭＣＰ内蔵型イメージ管やストリーク管においても
、有効光電面の一点に強い光が入射したとき、その入射
点に対応する出力面板１４の蛍光面１６上の位置に出力
光像が得られるが、その位置以外にもその周辺が明るく
なり、バックグラウンド上昇やクロストークが発生して
いた。 しかしながら、第９図に示したような近接型イメージ管
等のＭＣＰを内蔵しないイメージ管とは異なり、ＭＣＰ
を内蔵したイメージ管では、光電面１２と蛍光面１６の
間にＭＣＰが挿入されているため、蛍光面１６のメタル
バック層２４で乱反射された光が再び光電面１２に入射
することはない、従って、従来は、ＭＣＰ内蔵型イメー
ジ管におけるバックグラウンド上昇やクロストークの原
因が不明で、有効な対策は取られていなかった。
像を可視光の像に変換するものや、微弱な光像を増強す
るもの等があるが、その１つに、例えば第９図に示すよ
うな近接型イメージ管がある。 この近接型イメージ管においては、内面に光電面１２が
形成された、例えばガラス板製又は繊維光学板製の入力
面板１０と、内面に蛍光面１６が形成された、例えばガ
ラス板製又は繊維光学板製の出力面板１４とが対向配設
され、環状絶縁体１８により所定間隔、例えば光電面１
２と蛍光面１６との間隔が１〜２ｎｎで真空気密に封着
されている。 このイメージ管の動作時は、光電面リード２０に対して
蛍光面リード２２に、例えば１０にＶ内外の高電圧が印
加される。この状態で、入力光が矢印の方向から照射さ
れ、光電面１２に光像が結像されると光電子が放出され
る。この光電子は、強い電界により光電面１２に垂直な
方向に加速されて蛍光面１６に到達し、該蛍光面１６を
発光させて、増強された光像を再生させる。 前記光電面１２と蛍光面１６の間に、光電子を集束させ
るための電子レンズを設けず、強い平行電界によって光
電子の広がりを制限して、分解能を保持していることが
近接型イメージ管の特徴で、小型で画像歪みがないとい
う利点を有するにのようなイメージ管においては、蛍光
面１６から発生する光が光電面１２にフィードバックし
て画像に無関係な光電子流を生起し、画像を埋没してし
まうのを防ぐため、第１０図に示す如く、蛍光面１６を
形成する螢光＃Ｎ２３の表面に遮光のためのメタルバッ
ク層２４が施されている。このメタルバック層２４は、
通常、電子透過性の良好なアルミニウム薄膜で形成され
ている。 又、光電面１２を透過してくる光が、蛍光面１６のメタ
ルバック層２４で乱反射されて再び光電面１２に入射し
、光電子を放出することによって、バックグラウンドが
上昇しなり、タロストークが生じるのを防ぐため、前記
光電面１２と蛍光面１６の間にマイクロチャンネルプレ
ート等が配設されていないイメージ管、特に前記のよう
な近接型イメージ管では、前記メタルバック層２４の上
に、光に対して低反射率の層を設けることが提案されて
いる（特開昭５８−２２５５４８号、特開昭５９−１１
４７３８号、特開昭５９−１８９５４４号〉。 一方、イメージ管には、前記のような近接型イメージ管
等の、マイクロチャンネルプレート（以下ＭＣＰと略す
る）を用いていないイメージ管の他に、光電面で発生さ
れた電子を、微少チャンネル毎に増倍して蛍光面に入射
するためのマイクロチャンネルプレートを内蔵して増幅
率が高められた微弱光用イメージ管（例えばイメージイ
ンテンシファイヤ）やストリーク管がある。 このＭＣＰ内蔵型イメージ管やストリーク管においても
、有効光電面の一点に強い光が入射したとき、その入射
点に対応する出力面板１４の蛍光面１６上の位置に出力
光像が得られるが、その位置以外にもその周辺が明るく
なり、バックグラウンド上昇やクロストークが発生して
いた。 しかしながら、第９図に示したような近接型イメージ管
等のＭＣＰを内蔵しないイメージ管とは異なり、ＭＣＰ
を内蔵したイメージ管では、光電面１２と蛍光面１６の
間にＭＣＰが挿入されているため、蛍光面１６のメタル
バック層２４で乱反射された光が再び光電面１２に入射
することはない、従って、従来は、ＭＣＰ内蔵型イメー
ジ管におけるバックグラウンド上昇やクロストークの原
因が不明で、有効な対策は取られていなかった。
本発明は、ＭＣＰ内蔵型イメージ管におけるバックグラ
ウンド上昇やクロストーク発生を抑えることを課題とし
ている。
ウンド上昇やクロストーク発生を抑えることを課題とし
ている。
本発明は、光電面で発生された電子を、チャンネル毎に
増倍して蛍光面に入射するためのマイクロチャンネルプ
レートが内蔵されたマイクロチャンネルプレート内蔵型
イメージ管において、前記マイクロチャンネルプレート
に対面した蛍光面の表面に、電子に対して低反射率の層
を設けることによって、前記目的を達成したものである
。 又、前記電子に対して低反射率の層を、少なくとも１層
の軽元素層としたものである。 あるいは、前記電子に対して低反射率の層を、少なくと
もＩＮの多孔質層としたものである。
増倍して蛍光面に入射するためのマイクロチャンネルプ
レートが内蔵されたマイクロチャンネルプレート内蔵型
イメージ管において、前記マイクロチャンネルプレート
に対面した蛍光面の表面に、電子に対して低反射率の層
を設けることによって、前記目的を達成したものである
。 又、前記電子に対して低反射率の層を、少なくとも１層
の軽元素層としたものである。 あるいは、前記電子に対して低反射率の層を、少なくと
もＩＮの多孔質層としたものである。
本発明は、従来原因が不明であったＭＣＰ内蔵型イメー
ジ管のバックグラウンド上昇やクロストーク発生の原因
について、発明者等が詳細な実験を行い、その原因を明
らかにして、対策を取ったものである。 即ち、発明者等が、ＭＣＰを内蔵したストリーク管につ
いて、出力螢光面上の輝度分布を正確に測定したところ
、第２図に実線で示すような分布になることが分かった
。更に、このバックグラウンド上昇がどのような機構で
発生しているが追及した結果、第３図に示す如く、ＭＣ
Ｐ３０からの増倍された信号電子群の一部が、蛍光面１
６の表面のメタルバックＮ２４で反射され、これが再び
ＭＣＰ３０−蛍光面１６間の逆電界で蛍光面１６側に押
し返されて蛍光面１６に流入するためであることが分か
った。即ち、電子の蛍光面１６による反射は散乱に近く
、種々の方向に反射するなめ、再び蛍光面１６に流入す
るときの位置は、元の信号電流の入射位置を中心に、か
なり広く分布し、第２図に実線で示したような分布が得
られることが分かつな。 本発明は、上記のような発明者等の研究の結果に基づい
てなされたもので、第１図に示す如く、ＭＣＰ３０に対
面した蛍光面３１（蛍光体層２３とメタルバック層２４
を含む）の表面に、電子に対して低反射率の層３２を設
けることによって、前記蛍光面３１による入射電子の反
射及び蛍光面３１への再流入を抑え、バックグラウンド
上昇やクロストークの発生を抑えたものである。
ジ管のバックグラウンド上昇やクロストーク発生の原因
について、発明者等が詳細な実験を行い、その原因を明
らかにして、対策を取ったものである。 即ち、発明者等が、ＭＣＰを内蔵したストリーク管につ
いて、出力螢光面上の輝度分布を正確に測定したところ
、第２図に実線で示すような分布になることが分かった
。更に、このバックグラウンド上昇がどのような機構で
発生しているが追及した結果、第３図に示す如く、ＭＣ
Ｐ３０からの増倍された信号電子群の一部が、蛍光面１
６の表面のメタルバックＮ２４で反射され、これが再び
ＭＣＰ３０−蛍光面１６間の逆電界で蛍光面１６側に押
し返されて蛍光面１６に流入するためであることが分か
った。即ち、電子の蛍光面１６による反射は散乱に近く
、種々の方向に反射するなめ、再び蛍光面１６に流入す
るときの位置は、元の信号電流の入射位置を中心に、か
なり広く分布し、第２図に実線で示したような分布が得
られることが分かつな。 本発明は、上記のような発明者等の研究の結果に基づい
てなされたもので、第１図に示す如く、ＭＣＰ３０に対
面した蛍光面３１（蛍光体層２３とメタルバック層２４
を含む）の表面に、電子に対して低反射率の層３２を設
けることによって、前記蛍光面３１による入射電子の反
射及び蛍光面３１への再流入を抑え、バックグラウンド
上昇やクロストークの発生を抑えたものである。
以下図面を参照して、ＭＣＰ内蔵型ストリーク管に適用
した本発明の実施例を詳細に説明する。 本発明の第１実施例は、第４図に示す如く、本発明を、
光電面１２で発生された電子を、微少チャンネル毎に増
倍して蛍光面３１に入射するためのＭＣＰ３０が内蔵さ
れたＭ ＣＰ内蔵型ストリーク管に適用したもので、第
５図に詳細に示す如く、前記ＭＣＰ３０に対面した蛍光
面３１（螢光体層２３とメタルバック！２４を含む）の
表面に、電子に対して低反射率である軽元素の炭素（Ｃ
）薄膜３４を形成したものである。 第４図において、４２は、前記光電面１２で発生した電
子像を加速する網状の加速電極、４４は、該加速電ｆ！
４２で加速された電子を一定範囲に集束するための集束
電極、４６は、電子を更に加速するためのアパーチャ電
極（陽ｆｆ１）、４８．５０は、該アパーチャ電極４２
を通過した電子を、それぞれ図の上下方向及び紙面に垂
直な方向に高速で掃引するための偏向板であり、該偏向
板４８．５０によって偏光された電子像を、前記蛍光面
３１で再び光学像（時間の経過が縦軸方向の位置で表さ
れた輝度情報像であるストリーク＠）に変換するように
されている。 本発明に係る蛍光面３１は、第５図に詳細に示した如く
、出力面板１４上に形成された蛍光体層２３と、アルミ
ニウムのメタルバック層２４と、炭素薄膜３４から構成
されている。 前記蛍光体ｆｆ１２３は、例えば粒径が数マイクロメー
トルの蛍光体を、遠心法等により数層重ねたものとされ
ている。 前記アルミニウムのメタルバックＮ！Ｉ２４は、該蛍光
体層２３の上に、アルミニウムを３００オングストロ一
ム程度、真空蒸着したものとされている。 又、前記炭素薄膜３４は、該メタルバック層２４の上か
ら、炭素を、例えばスパッタリング法によって３００オ
ングストロ一ム程度形成したものとされている。 本実施例によるストリーク管４０の光電面１２上の一点
に光を入射した場合の、出力蛍光面上の発光分布の例を
第６図に示す０図から明らかな如く、第２図に示した従
来の発光分布に比べて、バックグラウンドが約１／４に
減っており、大きな改善が見られることが確認できた。 本実施例においては、低反射率層を構成する軽元素が炭
素とされていたが、軽元素の種類は、これに限定されず
、例えばベリリウムを用いることもできる。 次に、本発明の第２実施例を詳細に説明する。 本実施例は、第７図に示す如く、ＭＣＰ３０に対面した
螢光面５２を、出力面板１４上に形成された蛍光体層２
３と、アルミニウムのメタルバック層２４と、多孔質Ｎ
ｌ５３から構成したものである。 前記多孔質層５３は、先ず不活性ガス中で例えばアルミ
ニウムを蒸着した後にガスを除去し、次に高真空度中で
アルミニウムを蒸着することによって、厚さ３００オン
グストロ一ム程度のアルミニウムの多孔質層が形成され
ている。 池の点については、前記第１実施例と同様であるので、
説明は省略する。 本実施例においては、蛍光面５２の表面が、アルミニウ
ムの多孔質層５３とされ、その表面に高真空度中でアル
ミニウム蒸着が実施されているので、多孔質のアルミニ
ウムが、基体のアルミニウム薄膜（２４）と強固に結び
付き、又、粒子相互の連結強度も増大して、容易に剥離
しなくなり、安定性が高まる。即ち、不活性カス雰囲気
中で形成されたアルミニウムの蒸！４層は、不活性ガス
を吸蔵しており、これがストリーク管４０の動作中途々
に真空中に放出して、ストリ〜り管の特性劣化をきたす
ことがあるが、このようにしてアルミニウムを表面に蒸
着することによって、ガス放出が抑制され、好ましい結
果が得られる。 次に、本発明の第３実施例を詳細に説明する。 この実施例は、第８図に示す如く、ＭＣＰ３０に対面し
た蛍光面５４を、出力面板１４上に形成された蛍光体層
２３と、アルミニウムのメタルバック層２４と、その上
に交互に重ねられた、炭素の多孔質層５５及びアルミニ
ウム薄膜５６で構成したものである。 前記多孔質層５５は、例えば炭素をスパッタリング法で
形成したものとされている。 又、前記アルミニウム薄！５６は、高真空度中で蒸着を
行うことによって形成されており、最上表面は、アルミ
ニウム薄膜５６となるようにされている。 本実施例においても、最上表面が蒸着によって形成され
たアルミニウム薄膜とされているので、多孔質層５５か
らのガス放出が抑制され、好ましい結果が得られる。 又、炭素は、光電面１２を構成するアルカリ金属を吸着
し易いため、高温時に多量に吸着されたアルカリ金属が
蛍光体（２３）にも損傷を与える恐れがあるが、このよ
うに、炭素の多孔質層５５の上にアルミニウム薄膜５６
を重ねることによって、蛍光面５４を保護することがで
きる。 なお前記実施例は、いずれも、本発明をストリーク管に
適用したものであるが、本発明の適用範囲はこれに限定
されず、ＭＣＰを内蔵したイメージ管一般、例えばイメ
ージインテンシファイヤや、高速応答光電子増倍管等に
も同様に適用できることは明らかである。勿論ＭＣＰが
２つ、例えばタンデム型に内蔵されているイメージ管に
も同様に適用できる。
した本発明の実施例を詳細に説明する。 本発明の第１実施例は、第４図に示す如く、本発明を、
光電面１２で発生された電子を、微少チャンネル毎に増
倍して蛍光面３１に入射するためのＭＣＰ３０が内蔵さ
れたＭ ＣＰ内蔵型ストリーク管に適用したもので、第
５図に詳細に示す如く、前記ＭＣＰ３０に対面した蛍光
面３１（螢光体層２３とメタルバック！２４を含む）の
表面に、電子に対して低反射率である軽元素の炭素（Ｃ
）薄膜３４を形成したものである。 第４図において、４２は、前記光電面１２で発生した電
子像を加速する網状の加速電極、４４は、該加速電ｆ！
４２で加速された電子を一定範囲に集束するための集束
電極、４６は、電子を更に加速するためのアパーチャ電
極（陽ｆｆ１）、４８．５０は、該アパーチャ電極４２
を通過した電子を、それぞれ図の上下方向及び紙面に垂
直な方向に高速で掃引するための偏向板であり、該偏向
板４８．５０によって偏光された電子像を、前記蛍光面
３１で再び光学像（時間の経過が縦軸方向の位置で表さ
れた輝度情報像であるストリーク＠）に変換するように
されている。 本発明に係る蛍光面３１は、第５図に詳細に示した如く
、出力面板１４上に形成された蛍光体層２３と、アルミ
ニウムのメタルバック層２４と、炭素薄膜３４から構成
されている。 前記蛍光体ｆｆ１２３は、例えば粒径が数マイクロメー
トルの蛍光体を、遠心法等により数層重ねたものとされ
ている。 前記アルミニウムのメタルバックＮ！Ｉ２４は、該蛍光
体層２３の上に、アルミニウムを３００オングストロ一
ム程度、真空蒸着したものとされている。 又、前記炭素薄膜３４は、該メタルバック層２４の上か
ら、炭素を、例えばスパッタリング法によって３００オ
ングストロ一ム程度形成したものとされている。 本実施例によるストリーク管４０の光電面１２上の一点
に光を入射した場合の、出力蛍光面上の発光分布の例を
第６図に示す０図から明らかな如く、第２図に示した従
来の発光分布に比べて、バックグラウンドが約１／４に
減っており、大きな改善が見られることが確認できた。 本実施例においては、低反射率層を構成する軽元素が炭
素とされていたが、軽元素の種類は、これに限定されず
、例えばベリリウムを用いることもできる。 次に、本発明の第２実施例を詳細に説明する。 本実施例は、第７図に示す如く、ＭＣＰ３０に対面した
螢光面５２を、出力面板１４上に形成された蛍光体層２
３と、アルミニウムのメタルバック層２４と、多孔質Ｎ
ｌ５３から構成したものである。 前記多孔質層５３は、先ず不活性ガス中で例えばアルミ
ニウムを蒸着した後にガスを除去し、次に高真空度中で
アルミニウムを蒸着することによって、厚さ３００オン
グストロ一ム程度のアルミニウムの多孔質層が形成され
ている。 池の点については、前記第１実施例と同様であるので、
説明は省略する。 本実施例においては、蛍光面５２の表面が、アルミニウ
ムの多孔質層５３とされ、その表面に高真空度中でアル
ミニウム蒸着が実施されているので、多孔質のアルミニ
ウムが、基体のアルミニウム薄膜（２４）と強固に結び
付き、又、粒子相互の連結強度も増大して、容易に剥離
しなくなり、安定性が高まる。即ち、不活性カス雰囲気
中で形成されたアルミニウムの蒸！４層は、不活性ガス
を吸蔵しており、これがストリーク管４０の動作中途々
に真空中に放出して、ストリ〜り管の特性劣化をきたす
ことがあるが、このようにしてアルミニウムを表面に蒸
着することによって、ガス放出が抑制され、好ましい結
果が得られる。 次に、本発明の第３実施例を詳細に説明する。 この実施例は、第８図に示す如く、ＭＣＰ３０に対面し
た蛍光面５４を、出力面板１４上に形成された蛍光体層
２３と、アルミニウムのメタルバック層２４と、その上
に交互に重ねられた、炭素の多孔質層５５及びアルミニ
ウム薄膜５６で構成したものである。 前記多孔質層５５は、例えば炭素をスパッタリング法で
形成したものとされている。 又、前記アルミニウム薄！５６は、高真空度中で蒸着を
行うことによって形成されており、最上表面は、アルミ
ニウム薄膜５６となるようにされている。 本実施例においても、最上表面が蒸着によって形成され
たアルミニウム薄膜とされているので、多孔質層５５か
らのガス放出が抑制され、好ましい結果が得られる。 又、炭素は、光電面１２を構成するアルカリ金属を吸着
し易いため、高温時に多量に吸着されたアルカリ金属が
蛍光体（２３）にも損傷を与える恐れがあるが、このよ
うに、炭素の多孔質層５５の上にアルミニウム薄膜５６
を重ねることによって、蛍光面５４を保護することがで
きる。 なお前記実施例は、いずれも、本発明をストリーク管に
適用したものであるが、本発明の適用範囲はこれに限定
されず、ＭＣＰを内蔵したイメージ管一般、例えばイメ
ージインテンシファイヤや、高速応答光電子増倍管等に
も同様に適用できることは明らかである。勿論ＭＣＰが
２つ、例えばタンデム型に内蔵されているイメージ管に
も同様に適用できる。
第１図は、本発明に係るＭＣＰ内蔵型イメージ管の蛍光
面部の構成を示す断面図、 第２図は、従来のＭＣＰ内蔵型ストリーク管に点状光を
入射したときの出力面上の輝度分布の例を示す線図、 第３図は、発明者等が発見した、ＭＣＰ内蔵型イメージ
管でバックグラウンドが上昇する機構を説明する断面図
、 第４図は、本発明に係るＭＣＰ内蔵型ストリーク管の第
１実施例の全＃構成を示す断面図、第５図は、第１実施
例の蛍光面部の構成を示す断面図、 第６図は、第１実施例に点状光を入射したときの出力面
上の輝度分布の例を示す線図、第７図は、本発明の第２
実施例の蛍光面部の構成を示す断面図、 第８図は、同じく第３実施例の蛍光面部の構成を示す断
面図、 第９図は、従来の近接型イメージ管の構成を示す断面図
、 第１０図は、近接型イメージ管におけるバックグラウン
ド発生の８！構を説明するための断面図である。 ２・・・光な面、 １．５２．５４・・・蛍光面、 ３・・・蛍光体層、 ４・・・メタルバック層、 ０・・・マイクロチャンネルプレート ２・・・低反射率層、 ４・・・炭素薄膜、 ０・・・ストリーク管、 ３．５５・・・多孔質層、 ６・・・アルミニウム薄膜。 （ＭＣＰ）
面部の構成を示す断面図、 第２図は、従来のＭＣＰ内蔵型ストリーク管に点状光を
入射したときの出力面上の輝度分布の例を示す線図、 第３図は、発明者等が発見した、ＭＣＰ内蔵型イメージ
管でバックグラウンドが上昇する機構を説明する断面図
、 第４図は、本発明に係るＭＣＰ内蔵型ストリーク管の第
１実施例の全＃構成を示す断面図、第５図は、第１実施
例の蛍光面部の構成を示す断面図、 第６図は、第１実施例に点状光を入射したときの出力面
上の輝度分布の例を示す線図、第７図は、本発明の第２
実施例の蛍光面部の構成を示す断面図、 第８図は、同じく第３実施例の蛍光面部の構成を示す断
面図、 第９図は、従来の近接型イメージ管の構成を示す断面図
、 第１０図は、近接型イメージ管におけるバックグラウン
ド発生の８！構を説明するための断面図である。 ２・・・光な面、 １．５２．５４・・・蛍光面、 ３・・・蛍光体層、 ４・・・メタルバック層、 ０・・・マイクロチャンネルプレート ２・・・低反射率層、 ４・・・炭素薄膜、 ０・・・ストリーク管、 ３．５５・・・多孔質層、 ６・・・アルミニウム薄膜。 （ＭＣＰ）
Claims (3)
- （１）光電面で発生された電子を、チャンネル毎に増倍
して蛍光面に入射するためのマイクロチャンネルプレー
トが内蔵されたマイクロチャンネルプレート内蔵型イメ
ージ管において、 前記マイクロチャンネルプレートに対面した蛍光面の表
面に、電子に対して低反射率の層を設けたことを特徴と
するマイクロチャンネルプレート内蔵型イメージ管。 - （２）請求項１に記載のマイクロチャンネルプレート内
蔵型イメージ管において、前記電子に対して低反射率の
層が、少なくとも１層の軽元素層であることを特徴とす
るマイクロチャンネルプレート内蔵型イメージ管。 - （３）請求項１に記載のマイクロチャンネルプレート内
蔵型イメージ管において、前記電子に対して低反射率の
層が、少なくとも１層の多孔質層とされていることを特
徴とするマイクロチャンネルプレート内蔵型イメージ管
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18502988A JPH0831308B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18502988A JPH0831308B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233840A true JPH0233840A (ja) | 1990-02-05 |
| JPH0831308B2 JPH0831308B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16163536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18502988A Expired - Fee Related JPH0831308B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831308B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619596A1 (en) * | 1993-04-06 | 1994-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image intensifier apparatus |
| US5491334A (en) * | 1994-08-22 | 1996-02-13 | Grumman Aerospace Corporation | Magneto-optical input system for infrared detectors |
| US5736731A (en) * | 1995-07-20 | 1998-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube comprising a second dynode having a saturated secondary electron emission ratio |
| US5923120A (en) * | 1995-03-10 | 1999-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microchannel plate with a transparent conductive film on an electron input surface of a dynode |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18502988A patent/JPH0831308B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0619596A1 (en) * | 1993-04-06 | 1994-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image intensifier apparatus |
| US5510588A (en) * | 1993-04-06 | 1996-04-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image intensifier apparatus |
| US5491334A (en) * | 1994-08-22 | 1996-02-13 | Grumman Aerospace Corporation | Magneto-optical input system for infrared detectors |
| US5923120A (en) * | 1995-03-10 | 1999-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microchannel plate with a transparent conductive film on an electron input surface of a dynode |
| US5736731A (en) * | 1995-07-20 | 1998-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube comprising a second dynode having a saturated secondary electron emission ratio |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831308B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
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