JPH02307838A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH02307838A JPH02307838A JP12665789A JP12665789A JPH02307838A JP H02307838 A JPH02307838 A JP H02307838A JP 12665789 A JP12665789 A JP 12665789A JP 12665789 A JP12665789 A JP 12665789A JP H02307838 A JPH02307838 A JP H02307838A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、コア用ロッドの回りにガラス微粒子を複数
本のバーナを用いて堆積させ、その透明ガラス化時にフ
ッ素をドープしてクラッドとする光ファイバ母材の製造
方法に関するもので、フッ素が均一にドープされるよう
にしてクラッドの屈折率を一定に保ち、得られるファイ
バの伝送特性の向上を図ったものである。
本のバーナを用いて堆積させ、その透明ガラス化時にフ
ッ素をドープしてクラッドとする光ファイバ母材の製造
方法に関するもので、フッ素が均一にドープされるよう
にしてクラッドの屈折率を一定に保ち、得られるファイ
バの伝送特性の向上を図ったものである。
（従来の技術）
従来のこの種の方法では、第３図に示すようにコア用の
ＳｉＯ□、もしくはドープ）Ｓｉｆｔロッド１上に、複
数本例えば２本のバーナ３，４を用いてバーナ３，４を
ロッド１の軸方向にトラバースさせつつＳｉｎｇガラス
微粒子層２を形成させる。なお、図において２１は先行
するバーナ３によるガラス微粒子層、２２は後行するバ
ーナ４によるガラス微粒子層である。次いでこのガラス
微粒子層２を必要に応じて脱水処理した後、フッ素ガス
雰囲気で高温に加熱して透明ガラス化してフッ素によっ
て屈折率が低下されたフッ素ドープＳｉＯ□ガラスとな
し、コアー°クラッド型の光ファイバ母材とする。
ＳｉＯ□、もしくはドープ）Ｓｉｆｔロッド１上に、複
数本例えば２本のバーナ３，４を用いてバーナ３，４を
ロッド１の軸方向にトラバースさせつつＳｉｎｇガラス
微粒子層２を形成させる。なお、図において２１は先行
するバーナ３によるガラス微粒子層、２２は後行するバ
ーナ４によるガラス微粒子層である。次いでこのガラス
微粒子層２を必要に応じて脱水処理した後、フッ素ガス
雰囲気で高温に加熱して透明ガラス化してフッ素によっ
て屈折率が低下されたフッ素ドープＳｉＯ□ガラスとな
し、コアー°クラッド型の光ファイバ母材とする。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、先行するバーナ炎の熱がコア用ロッード
１や、先に堆積されたガラス微粒子層２１に奪われるた
め、後行するバーナ炎に比較してその堆積面の温度が低
下するという現象が生じる。そのため、先行するバーナ
によって得られるガラス微粒子層２１のカサ密度と、後
行するバーナによって得られるガラス微粒子層２２のカ
サ密度とが異なることとなり、結果として透明ガラス化
時にドープさせるべきフッ素量に影響を及ぼし、第４図
に示すようにクラッド内において屈折率の微少変動が生
じ、コアとクラッド間の比屈折率差が不安定となる。な
お、バーナ温度ひいてはガラス微粒子堆積面の温度と、
得られるガラス微粒子のカサ密度との関係は、温度が低
いほどカサ密度の小さい柔らかな層となり、フッ素はド
ープしやすくなる。
１や、先に堆積されたガラス微粒子層２１に奪われるた
め、後行するバーナ炎に比較してその堆積面の温度が低
下するという現象が生じる。そのため、先行するバーナ
によって得られるガラス微粒子層２１のカサ密度と、後
行するバーナによって得られるガラス微粒子層２２のカ
サ密度とが異なることとなり、結果として透明ガラス化
時にドープさせるべきフッ素量に影響を及ぼし、第４図
に示すようにクラッド内において屈折率の微少変動が生
じ、コアとクラッド間の比屈折率差が不安定となる。な
お、バーナ温度ひいてはガラス微粒子堆積面の温度と、
得られるガラス微粒子のカサ密度との関係は、温度が低
いほどカサ密度の小さい柔らかな層となり、フッ素はド
ープしやすくなる。
（課題を解決するための手段）
この発明は、以上の観点からコア用ガラスロンドの回り
に、複数本のバーナを用いて外付は法によりガラス微粒
子層を堆積させ、このガラス微粒子層をフッ素ガス雰囲
気下で透明ガラス化してフッ素ドープクラッドプリフォ
ームとする際に、各バーナによるガラス微粒子の堆積面
の温度が一定になるようにバーナ内へのガスの供給量を
調整してカサ密度が等しくなるようにしたものである。
に、複数本のバーナを用いて外付は法によりガラス微粒
子層を堆積させ、このガラス微粒子層をフッ素ガス雰囲
気下で透明ガラス化してフッ素ドープクラッドプリフォ
ームとする際に、各バーナによるガラス微粒子の堆積面
の温度が一定になるようにバーナ内へのガスの供給量を
調整してカサ密度が等しくなるようにしたものである。
なお、ガラス微粒子の堆積成長面の温度の測定は例えば
放射温度計等を用いて測る。
放射温度計等を用いて測る。
（作 用）
各バーナによって生成されるガラス微粒子の堆積面の表
面温度を常に監視して、それらが等しくなるように各バ
ーナ内へのガスの供給量を調整しているので、得られる
各ガラス微粒子層のカサ密度は等しくなる。その結果、
フッ素のドープ景が一定になるためクラッド内における
屈折率に変動がなく半径方向に一定の値が得られる。
面温度を常に監視して、それらが等しくなるように各バ
ーナ内へのガスの供給量を調整しているので、得られる
各ガラス微粒子層のカサ密度は等しくなる。その結果、
フッ素のドープ景が一定になるためクラッド内における
屈折率に変動がなく半径方向に一定の値が得られる。
（実施例）
この発明を第１図にもとすいて説明する。図において第
３図と同一部には同じ符号を付しである。
３図と同一部には同じ符号を付しである。
コア用として予めＶＡＤ法によりＧｅＯ□ ドープＳｉ
０ｇ透明ガラスロッド１を用意した。このロッド１の外
径は１４ｍ５全長は１８００ｍｍ、そのうち有効長はお
よそ７５０ｍｍである。このロッド１を２Ｏｒｐｍで回
転させた。一方バーナ３．４として第２図に示す２連ノ
ズル型バーナを用いた。図において、１０は中央に並列
して配置された２連ノズルで、各々は同心２重管構造に
なされており、内部パイプ１２には５ｉＣ２４、外部パ
イプ１４にはシールガスとしてのＡｒが供給される。１
６はこの２連ノズル１０を囲むようにして位置される環
状パイプ群で、各々には酸素ガスが供給される。１８は
外管で、内部には水素ガスが供給される。これら２本の
バーナ３．４をロッド１の軸方向に４０ｍｍ／分の速度
でトラバースさせるとともに、いずれにも第１表に示す
流量のガスを供給した。
０ｇ透明ガラスロッド１を用意した。このロッド１の外
径は１４ｍ５全長は１８００ｍｍ、そのうち有効長はお
よそ７５０ｍｍである。このロッド１を２Ｏｒｐｍで回
転させた。一方バーナ３．４として第２図に示す２連ノ
ズル型バーナを用いた。図において、１０は中央に並列
して配置された２連ノズルで、各々は同心２重管構造に
なされており、内部パイプ１２には５ｉＣ２４、外部パ
イプ１４にはシールガスとしてのＡｒが供給される。１
６はこの２連ノズル１０を囲むようにして位置される環
状パイプ群で、各々には酸素ガスが供給される。１８は
外管で、内部には水素ガスが供給される。これら２本の
バーナ３．４をロッド１の軸方向に４０ｍｍ／分の速度
でトラバースさせるとともに、いずれにも第１表に示す
流量のガスを供給した。
第１表
内部バイブ１２ ５ｉＣｆａ ２．５ ＳＬＭ
Ａｒ １．５ＳＬＭ 外部パイプ１４ Ａｒ ３．５ＳＬＭ環状
パイプ群１６ ｏ、 １１．５ ＳＬＭ外管
１８ Ｈｚ ２３．ＯＳＬＭところ
が先行バーナ３によるガラス微粒子表面層２１の放射温
度計３１の温度が１１００°Ｃを示し、後行バーナ４に
よるガラス微粒子表面層２２の放射温度計４Ａの温度が
１２００℃を示したため、先行バーナ３内へのガスの供
給量を以下の第２表に示すように変更した。
Ａｒ １．５ＳＬＭ 外部パイプ１４ Ａｒ ３．５ＳＬＭ環状
パイプ群１６ ｏ、 １１．５ ＳＬＭ外管
１８ Ｈｚ ２３．ＯＳＬＭところ
が先行バーナ３によるガラス微粒子表面層２１の放射温
度計３１の温度が１１００°Ｃを示し、後行バーナ４に
よるガラス微粒子表面層２２の放射温度計４Ａの温度が
１２００℃を示したため、先行バーナ３内へのガスの供
給量を以下の第２表に示すように変更した。
第２表
内部バイブ１２ ５ｉＣ１＜ ２．５ ＳＬＭ
Ａｒ １．５ＳＬＭ 外部パイプ１４ Ａｒ ３．５ＳＬＭ循環
バイブ群１６ ０！ １１．５ ＳＬＭ外管１
８ Ｈ２２３，ＯＳＬＭこれにより、先
行バーナ３、後行バーナ４によって得られるガラス微粒
子表面層２１．２２の温度は等しくなった。
Ａｒ １．５ＳＬＭ 外部パイプ１４ Ａｒ ３．５ＳＬＭ循環
バイブ群１６ ０！ １１．５ ＳＬＭ外管１
８ Ｈ２２３，ＯＳＬＭこれにより、先
行バーナ３、後行バーナ４によって得られるガラス微粒
子表面層２１．２２の温度は等しくなった。
以降、トラバースするごとに先行バーナ３のガス供給量
の調整を行い、全ガラス微粒子層のカサ密度を等しくし
た。ひき続いてこのガラス微粒子層を加熱炉に入れてＣ
２！にて脱水処理した後、さらに高温に上げるとともに
炉内をフッ素ガス雰囲気にして透明ガラス化を図り、フ
ッ素ドープ５ｔ（ｈ層を得、コアークラッド型のプリフ
ォームとした。
の調整を行い、全ガラス微粒子層のカサ密度を等しくし
た。ひき続いてこのガラス微粒子層を加熱炉に入れてＣ
２！にて脱水処理した後、さらに高温に上げるとともに
炉内をフッ素ガス雰囲気にして透明ガラス化を図り、フ
ッ素ドープ５ｔ（ｈ層を得、コアークラッド型のプリフ
ォームとした。
二のプリフォームの屈折率を測定したところ、クラッド
部は半径方向に均一であった。
部は半径方向に均一であった。
（発明の効果）
この発明は、以上のように複数のバーナを用いてＳｉｎ
、からなるガラス微粒子層を得る際に、各バーナにより
得られるガラス微粒子の堆積面の温度を監視しつつ行い
、温度差がある場合にはバーナ内へのガス量を変えるこ
とで温度を一定になすようにしたので、得られるフッ素
ドープ５ｉＯｚクラツドの屈折率が一定に維持できるた
め、コアークラッド間の比屈折率差が安定した母材が得
られる。
、からなるガラス微粒子層を得る際に、各バーナにより
得られるガラス微粒子の堆積面の温度を監視しつつ行い
、温度差がある場合にはバーナ内へのガス量を変えるこ
とで温度を一定になすようにしたので、得られるフッ素
ドープ５ｉＯｚクラツドの屈折率が一定に維持できるた
め、コアークラッド間の比屈折率差が安定した母材が得
られる。
第１図は、この発明によるＳｉＯ□ガラス微粒子層の製
造方法を示す概略説明図、第２図は、ガラス微粒子製造
用バーナ、第３図は、従来の光ファイバ母材の製造方法
を示す概略説明図、第４図は、従来法により得られた母
材の屈折率分布を示す概′略図である。 図において、２ ： Ｓｉｎ、ガラス微粒子層、２１
：先行バーナ３による５ｉＯｚガラス微粒子層、２２：
後行バーナ４によるＳｉｎｇガラス微粒子層、３１゜４
１：放射温度計。
造方法を示す概略説明図、第２図は、ガラス微粒子製造
用バーナ、第３図は、従来の光ファイバ母材の製造方法
を示す概略説明図、第４図は、従来法により得られた母
材の屈折率分布を示す概′略図である。 図において、２ ： Ｓｉｎ、ガラス微粒子層、２１
：先行バーナ３による５ｉＯｚガラス微粒子層、２２：
後行バーナ４によるＳｉｎｇガラス微粒子層、３１゜４
１：放射温度計。
Claims (1)
- 石英ガラス系コア用ロッドの回りに、複数本のバーナを
用いて外付け法により石英ガラス微粒子を堆積させ、得
られる石英ガラス微粒子層をフッ素含有ガス雰囲気で透
明ガラス化してフッ素ドープ石英ガラスクラッドとする
工程を含む光ファイバ母材の製造方法において、前記各
バーナ内へのガス供給量を調整して各バーナによって得
られる石英ガラス微粒子層のカサ密度を等しくして堆積
させることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12665789A JPH0665614B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12665789A JPH0665614B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02307838A true JPH02307838A (ja) | 1990-12-21 |
| JPH0665614B2 JPH0665614B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14940645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12665789A Expired - Lifetime JPH0665614B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665614B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04310531A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-11-02 | Yazaki Corp | クラッド部材形成用バーナの制御装置 |
| EP0604785A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12665789A patent/JPH0665614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04310531A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-11-02 | Yazaki Corp | クラッド部材形成用バーナの制御装置 |
| JP2592359B2 (ja) * | 1991-04-03 | 1997-03-19 | 矢崎総業株式会社 | クラッド部材形成用バーナの制御装置 |
| EP0604785A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0665614B2 (ja) | 1994-08-24 |
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