JPH02303115A - 真空処理方法 - Google Patents
真空処理方法Info
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- JPH02303115A JPH02303115A JP12511089A JP12511089A JPH02303115A JP H02303115 A JPH02303115 A JP H02303115A JP 12511089 A JP12511089 A JP 12511089A JP 12511089 A JP12511089 A JP 12511089A JP H02303115 A JPH02303115 A JP H02303115A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体ウェハ等を真空処理後に大気中に取り出す際のベ
ントの方法に関し。
ントの方法に関し。
真空処理装置において、真空状態から大気圧状態に移行
する際に舞い上がる塵埃をウエノ＼に付着させない方法
を提供することを目的とし。
する際に舞い上がる塵埃をウエノ＼に付着させない方法
を提供することを目的とし。
被処理物を真空処理後に大気中に取り出す処理方法にお
いて、内部に被処理物を載置し且つ真空状態の真空室内
に、該真空室内の温度より高温のパージガスを該被処理
物上に導入して該真空室内を大気圧にするように構成す
る。
いて、内部に被処理物を載置し且つ真空状態の真空室内
に、該真空室内の温度より高温のパージガスを該被処理
物上に導入して該真空室内を大気圧にするように構成す
る。
［産業上の利用分野］
本発明は真空処理方法に関し、特に半導体ウェハ等の被
処理物を真空処理後に大気中に取り出す際のベントの方
法に関する。
処理物を真空処理後に大気中に取り出す際のベントの方
法に関する。
近年、半導体デバイス及びその製造技術の進展に伴い、
微細化プロセスが進歩し、プロセス中の許容ダストの径
がますます小さくなり、環境の清浄化が要求されている
。
微細化プロセスが進歩し、プロセス中の許容ダストの径
がますます小さくなり、環境の清浄化が要求されている
。
本発明はこの要求に対応した方法として使用できる。
〔従来の技術］
プロセス中の許容ダスト径は１例えば半導体デバイスを
例にとると、 ４にピッｌ−ＤＲＡＭでは１μｍであっ
たが、１６ＭビットのＤＲＡＭでは０．１〜０．０５μ
ｍが要求されるものと予想される。
例にとると、 ４にピッｌ−ＤＲＡＭでは１μｍであっ
たが、１６ＭビットのＤＲＡＭでは０．１〜０．０５μ
ｍが要求されるものと予想される。
このため、製造装置、使用するガスや材料等からの塵埃
発生を無くする要求が高まっているが。
発生を無くする要求が高まっているが。
完全無塵化の実現には今後かなりの時間を要するものと
みられている。
みられている。
又、プロセス中に発生する塵埃は現状のプロセス装置で
は避けがたい。特に真空処理装置においては、真空状態
から大気圧状態に移行する際に真空室へのパージ（ベン
ト）ガス導入により塵埃が舞い上がり１ ウェハ上に付
着する。
は避けがたい。特に真空処理装置においては、真空状態
から大気圧状態に移行する際に真空室へのパージ（ベン
ト）ガス導入により塵埃が舞い上がり１ ウェハ上に付
着する。
このため、真空状態から大気圧状態に移行する際に塵埃
をウェハに付着しないようにする必要がある。
をウェハに付着しないようにする必要がある。
これに対処する従来方法としては、真空状態から大気圧
状態に移行する際に、パージガスを導入するバルブをゆ
っくり開け１出来るだけ塵埃が舞い上がらないようにし
ていた。ところが、いくらゆっくり開けても塵埃の舞い
上がりを完全に防止することは出来なかった。
状態に移行する際に、パージガスを導入するバルブをゆ
っくり開け１出来るだけ塵埃が舞い上がらないようにし
ていた。ところが、いくらゆっくり開けても塵埃の舞い
上がりを完全に防止することは出来なかった。
（発明が解決しようとする課題］
従って、一度舞い上がった塵埃は前記のようにウェハに
付着してしまうという問題を生じる。
付着してしまうという問題を生じる。
本発明は真空処理装置において、真空状態から大気圧状
態に移行する際に舞い上がる塵埃をウェハに付着させな
い方法を提供することを目的とする。
態に移行する際に舞い上がる塵埃をウェハに付着させな
い方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題の解決は、被処理物を真空処理後に大気中に取
り出す処理方法において、内部に被処理物を載置し且つ
真空状態の真空室内に、該真空室内の温度より高温のパ
ージガスを該被処理物上に導入して該真空室内を大気圧
にする真空処理方法により達成される。
り出す処理方法において、内部に被処理物を載置し且つ
真空状態の真空室内に、該真空室内の温度より高温のパ
ージガスを該被処理物上に導入して該真空室内を大気圧
にする真空処理方法により達成される。
本発明はパージガスとして、加熱された清浄な不活性ガ
スをウェハ上にゆっくりと流すことにより、ウェハ上部
空間の温度を上げ１発生した塵埃を高温部から低温部に
移動させることによりウェハ上に付着させないようにし
たものである。
スをウェハ上にゆっくりと流すことにより、ウェハ上部
空間の温度を上げ１発生した塵埃を高温部から低温部に
移動させることによりウェハ上に付着させないようにし
たものである。
即ち１本発明は塵埃等の微粒子が熱泳動による力で高温
部より低温部に移動する性質を利用したものである。
部より低温部に移動する性質を利用したものである。
従って、ウェハ上部空間に高温のガス層を広げて真空室
全体を大気圧状態にしていくことにより。
全体を大気圧状態にしていくことにより。
舞い上がった塵埃はウェハ上部空間から離れてウェハ上
に付着しないようになる。
に付着しないようになる。
上記の熱泳動とは、温度勾配の存在する気体では高温側
の気体分子は低温側の気体分子に比べて大きな運動エネ
ルギをもっているため、気体中にある微粒子は気体の衝
突により高温側から低温側に移動する現象を云う。一般
的に見られる現象として、室内を暖房したときに窓ガラ
スが曇るのは水蒸気（微粒子）が熱泳動により低温の窓
に衝突するからである。
の気体分子は低温側の気体分子に比べて大きな運動エネ
ルギをもっているため、気体中にある微粒子は気体の衝
突により高温側から低温側に移動する現象を云う。一般
的に見られる現象として、室内を暖房したときに窓ガラ
スが曇るのは水蒸気（微粒子）が熱泳動により低温の窓
に衝突するからである。
第１図は本発明の一実施例を説明する装置の模式断面図
である。
である。
この例は、被処理物が基板で、半導体ウェハの場合であ
る。
る。
図において、基板交換室１はゲート７を閉じ。
排気用ゲートバルブ８を開けて排気され、真空処理室６
で処理された基板２は、ゲート７を開けて基板交換室１
に搬入される。
で処理された基板２は、ゲート７を開けて基板交換室１
に搬入される。
次いで、ゲート７と排気用ゲートバルブ８を閉じ、パー
ジガス用バルブ９を開くことにより７ガス加熱装置３に
より加熱された窒素ガス（Ｎ２）がパージガス導入口４
より基板２上に徐々に導入される。
ジガス用バルブ９を開くことにより７ガス加熱装置３に
より加熱された窒素ガス（Ｎ２）がパージガス導入口４
より基板２上に徐々に導入される。
基板交換室１内が大気圧になったら、 ｌ！１４を開い
て基板２が取り出される。
て基板２が取り出される。
なお、基板交換室１は外側より冷却器５により冷却され
ている。
ている。
第２図は本発明の他の実施例を説明する装置の模式断面
図である。
図である。
この例は、被処理基板がディスクの場合であり。
第１図の例と相違する点は、ドーナツ状のディスりに対
して、窒素ガスが基板中央より導入される配置になって
いることである。
して、窒素ガスが基板中央より導入される配置になって
いることである。
本発明の効果を示す数値の一例を従来例と対比して次に
示す。
示す。
従来方法では、いくらゆっくりベントしても。
１ウエハあたり０，３〜１０μｍの塵埃が１０〜２０個
は付着していた。
は付着していた。
これに対して、実施例では、１ウエハあたり０．３〜１
０μｍの塵埃が２〜３個に低減した。
０μｍの塵埃が２〜３個に低減した。
上記の実施例では現実に即して、真空室として基板交換
室を例にとって説明したが、真空処理室自身であっても
９本発明は同様の効果がある。
室を例にとって説明したが、真空処理室自身であっても
９本発明は同様の効果がある。
以上説明したように本発明によれば、真空処理装置にお
いて、真空状態から大気圧状態に移行する際に舞い上が
る塵埃がウェハに付着することが低減され、塵埃による
プロセスの不良を大幅に少なくすることができる。
いて、真空状態から大気圧状態に移行する際に舞い上が
る塵埃がウェハに付着することが低減され、塵埃による
プロセスの不良を大幅に少なくすることができる。
特に、大気圧状態で浮遊する１μｍ以下の微粒子にたい
して有効であるため、微細パターンを用いる半導体デバ
イスの性能と歩留向上に寄与するところが大きい。
して有効であるため、微細パターンを用いる半導体デバ
イスの性能と歩留向上に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の一実施例を説明する装置の模式断面図
。 第２図は本発明の他の実施例を説明する装置の模式断面
図である。 図において ■は真空室で基板交換室。 ２は被処理物で基板。 ３はガス加熱装置。 ４はパージガス導入口。 ５は冷却器。 ６は真空処理室。 ７はゲート。 ８は排気用ゲートバルブ。 ９はパージガス用パルブ イ芭 の 欠 ろ七λ イダ・ｌ の 繰 イＸこ 声
ずｉｔｉ 口≧１第 ？ 図
。 第２図は本発明の他の実施例を説明する装置の模式断面
図である。 図において ■は真空室で基板交換室。 ２は被処理物で基板。 ３はガス加熱装置。 ４はパージガス導入口。 ５は冷却器。 ６は真空処理室。 ７はゲート。 ８は排気用ゲートバルブ。 ９はパージガス用パルブ イ芭 の 欠 ろ七λ イダ・ｌ の 繰 イＸこ 声
ずｉｔｉ 口≧１第 ？ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理物を真空処理後に大気中に取り出す処理方法にお
いて、 内部に被処理物を載置し且つ真空状態の真空室内に、該
真空室内の温度より高温のパージガスを該被処理物上に
導入して該真空室内を大気圧にすることを特徴とする真
空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12511089A JPH02303115A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12511089A JPH02303115A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 真空処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303115A true JPH02303115A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14902096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12511089A Pending JPH02303115A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303115A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632144A3 (en) * | 1993-06-30 | 1996-08-07 | Applied Materials Inc | Process for rinsing and pumping out a vacuum chamber to ultra-high vacuum. |
| JP2007042763A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | エッチング装置およびその方法 |
| JP2015079779A (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12511089A patent/JPH02303115A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632144A3 (en) * | 1993-06-30 | 1996-08-07 | Applied Materials Inc | Process for rinsing and pumping out a vacuum chamber to ultra-high vacuum. |
| KR100336917B1 (ko) * | 1993-06-30 | 2002-11-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진공챔버를정화시키기위한방법 |
| JP2007042763A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | エッチング装置およびその方法 |
| JP2015079779A (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理方法及び加熱処理装置 |
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