JPH02298049A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積装置、特にヒユーズ回路に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a semiconductor integrated device, and particularly to a fuse circuit.
半導体集積装置のヒユーズ回路に用いられる従来のヒユ
ーズ素子の一例を第2図に示す。図において、ヒユーズ
素子F1はその両端の電極取り出し口1が金属配線2に
それぞれ接続され、各金属配線2は印加電圧用パッドP
、、P2に固定されている。FIG. 2 shows an example of a conventional fuse element used in a fuse circuit of a semiconductor integrated device. In the figure, the electrode outlet ports 1 at both ends of the fuse element F1 are connected to metal wirings 2, and each metal wiring 2 is connected to a pad P for applied voltage.
,, is fixed at P2.
ヒユーズ素子はもとよりヒユーズを切断した場合と、切
断しない場合とのいずれかの状態を設定するものである
。The state of the fuse element is set either when the fuse is cut or when it is not cut.
上述した従来のヒユーズ素子はヒユーズを切断した場合
と、切断しない場合とのいずれかの状態に設定されるの
で、例えば、第3図に示すように、端子A、B間の抵抗
値RABを広範囲に渡り精度良く設定するためには、前
記ヒユーズ素子F2〜F、を多数必要とする。そのため
、回路規模が大きくなり、また、外部より電源を印加す
るためのバッドP1〜P6が多数必要となるので、特に
半1体集積回路ではそのレイアウト面積が大きくなると
いう欠点がある。The conventional fuse element described above is set to either the state where the fuse is cut or the fuse is not cut, so for example, as shown in Fig. In order to set accurately over the period, a large number of the fuse elements F2 to F are required. This increases the circuit scale and requires a large number of pads P1 to P6 for applying power from the outside, which has the disadvantage that the layout area becomes large, especially in semi-integrated circuits.
本発明の目的は上記欠点を解消した半導体集積装置のヒ
ユーズ回路を提供することにある。An object of the present invention is to provide a fuse circuit for a semiconductor integrated device that eliminates the above-mentioned drawbacks.
前記目的を達成するため、本発明は半導体集積回路にお
いて、並列接続した複数のヒユーズ素子を備え、各ヒユ
ーズ素子の切断部分の幅を細くし、かつ、前記切断部分
の幅を各ヒユーズ素子ごとに異ならせたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor integrated circuit including a plurality of fuse elements connected in parallel, the width of the cut portion of each fuse element being narrowed, and the width of the cut portion being different for each fuse element. It is different.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
第1図に示すように、金属配線2,2間にヒユーズ素子
F工IFllF3を並列接続し、各ヒユーズ素子Ft。As shown in FIG. 1, a fuse element F IFllF3 is connected in parallel between the metal wirings 2 and 2, and each fuse element Ft is connected in parallel.
F、、F3のヒユーズ切断部分F’l#F’21F’3
の幅を細くし、コノ幅W、 、w、 、w4を各ヒユー
ズ素子F、 、F、 、F、毎に異ならせてあり、その
全体の長さくり、+L2+L3)及び幅讐□は同一とし
である。P工、F2は印加電圧用パッドである。F,, F3 fuse cut part F'l#F'21F'3
The width of the fuse element F, , F, , F is made different, and the overall length +L2+L3) and width □ are the same. It is. P and F2 are pads for applied voltage.
ここで、一対のパッドP□及びF2に取り付けられた接
続用金属配線2,2間にそれぞれヒユーズ素子F、 、
F2.F、はその電極取り出し口1によって接続されて
いる。Here, fuse elements F, , and 2 are connected between the connection metal wirings 2 and 2 attached to the pair of pads P□ and F2, respectively.
F2. F is connected through its electrode outlet 1.
本実施例においては、ヒユーズ素子F1.F2.F3に
はポリシリコンを用いて実現することとし、以下の説明
を行うが、その材質は限定されるものではない。In this embodiment, fuse element F1. F2. The following explanation will be given assuming that F3 is realized using polysilicon, but its material is not limited.
ヒユーズ素子F、 、F、 、F、の一部幅を細めた部
分、すなわち、ヒユーズ切断部分をそれぞれF’LIF
’21F/、とする。F'LIF is the part where the width of the fuse elements F, , F, , F is narrowed, that is, the part where the fuse is cut.
'21F/,'
ヒユーズ素子F1において、切断部分F11の抵抗値を
RF’ 、 、切断部分F11の右側部分の抵抗値をR
F、r。In the fuse element F1, the resistance value of the cut portion F11 is RF', and the resistance value of the right side of the cut portion F11 is R
F.r.
左側部分の抵抗値をRFl、とすると、各抵抗値は。If the resistance value of the left side part is RFl, each resistance value is.
となる。ここで、Pρはポリシリコンのシート抵抗値で
ある。becomes. Here, Pρ is the sheet resistance value of polysilicon.
ヒユーズ素子F□全体の抵抗値をRFlとすると、とな
る。If the resistance value of the entire fuse element F□ is RFl, then the following equation is obtained.
今、Lx + L2 > L3と設定すると、となり、
RF’、は無視することができる。Now, if we set Lx + L2 > L3, then
RF', can be ignored.
従って、 とみなせる。Therefore, It can be considered as
同様に、ヒユーズ素子F2の抵抗値をRF、、切断部分
F12の抵抗値をRF’ 、、F72の右側部分の抵抗
値をRF2r、 F’、の左側部分の抵抗値をRF、、
、ヒユーズ素子F、の抵抗値をRF、 、切断部分F/
、の抵抗値をRF’ 、、Fl、の右側部分の抵抗値を
RF、r、 F’、の左側となり、
RFよ=Rら=RF。Similarly, the resistance value of the fuse element F2 is RF, the resistance value of the cut portion F12 is RF', the resistance value of the right side of F72 is RF2r, the resistance value of the left side of F' is RF,...
, the resistance value of the fuse element F is RF, , the cutting part F/
The resistance value of , is RF', the resistance value of the right side of Fl, is RF, r, the left side of F', and RF yo = R et al = RF.
となる。becomes.
従って、バッドp、、p、間に印加する電圧VFによっ
てヒユーズ索子F工1F21F3それぞれに流れる電流
I、、I、、I、は、等しくなる。Therefore, the currents I, , I, , I, which flow through each of the fuse cables F 1F 21F 3 due to the voltage VF applied between the pads p, , p, become equal.
ここで、各ヒユーズ素子の切断部分F’it F’t1
1”/、で消費される電力をそれぞれ?F’xhPF”
2HPF’2とすれば、
となる。Here, the cut portion F'it F't1 of each fuse element
1"/, respectively?F'xhPF"
If it is 2HPF'2, then it becomes.
一方、ヒユーズ切断部分F’llF’21F’3 は、
許容最大消費電力Ppよりも消費電力PFが超えると溶
断する。ここでは、次の条件を満たすとき、ヒユーズ切
断部分F’L、F’2TF’3 は溶断する。On the other hand, the fuse cut portion F'llF'21F'3 is
If the power consumption PF exceeds the allowable maximum power consumption Pp, it will melt. Here, when the following conditions are met, the fuse cut portions F'L, F'2TF'3 are blown.
ココで、V、、V、、F3はヒユーズ切断部分F’l+
F’Z+pl、のそれぞれ切断耐圧である。Here, V,,V,,F3 is the fuse cutting part F'l+
F'Z+pl is the respective cutting withstand voltage.
以上3式とWz <wi <wnの関係よりvl くF
2 くv。From the above three equations and the relationship Wz <wi <wn, vl kuF
2.
が成り立つ。holds true.
従って、印加電圧Vl−が、V工<V’F <vzなら
ば、ヒユーズ切断部分F′1のみが溶断される。その後
、印加電圧VFをV2<VF <V3にすると、さらに
ヒユーズ切断部分FL2が溶断される。また、その後、
印加電圧VFをV3 <VFにすると、さらにヒユーズ
切断部分FJ3が溶断される。Therefore, if the applied voltage Vl- satisfies V<V'F<vz, only the fuse cut portion F'1 is blown. Thereafter, when the applied voltage VF is set to V2<VF<V3, the fuse cutting portion FL2 is further blown. Also, after that,
When the applied voltage VF is set to V3<VF, the fuse cutting portion FJ3 is further blown.
このように、外部からの印加電圧VFを調整することに
より、3本のヒユーズ素子より、任意の数のヒユーズ素
子のみを切断することが可能である。In this way, by adjusting the externally applied voltage VF, it is possible to cut only an arbitrary number of fuse elements out of three fuse elements.
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、抵抗値を広範囲に
渡り精度良く設定する場合においても、従来法に比べ抵
抗数が少なくでき、さらに、印加電圧用パッドの数を少
なくできるので、ヒユーズ回路の面積を小さくすること
ができる効果を有する。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, even when setting resistance values over a wide range with high precision, the number of resistors can be reduced compared to the conventional method, and furthermore, the number of applied voltage pads can be reduced. This has the effect of reducing the area of the fuse circuit.
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
の半導体集積装置におけるヒユーズ回路の一例を示す図
、第3図は従来のヒユーズ素子を適用した一例を示す図
である。
1・・・電極取り出し口 2・・・金属配線F□〜
Fs・・・ヒユーズ素子
F/1〜F13・・・ヒユーズ切断部分R0〜R6・・
・抵抗素子 P1〜P、・・・印加電圧用パッド特許
呂願人 日本電気株式会社
同 上 宮城日本電気株式会社
ム3
第1区
第2図
第3図FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an example of a fuse circuit in a conventional semiconductor integrated device, and FIG. 3 is a diagram showing an example to which a conventional fuse element is applied. . 1... Electrode outlet 2... Metal wiring F□~
Fs...Fuse element F/1~F13...Fuse cutting portion R0~R6...
・Resistance elements P1 to P, ... Applied voltage pad patent applicant NEC Co., Ltd. Same as above Miyagi NEC Co., Ltd. M3 District 1, Figure 2, Figure 3
Claims (1)
ューズ素子を備え、各ヒューズ素子の切断部分の幅を細
くし、かつ、前記切断部分の幅を各ヒューズ素子ごとに
異ならせたことを特徴とする半導体集積回路。(1) A semiconductor integrated circuit comprising a plurality of fuse elements connected in parallel, the width of the cutting portion of each fuse element being narrow, and the width of the cutting portion being different for each fuse element. semiconductor integrated circuits.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11962189A JPH02298049A (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11962189A JPH02298049A (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02298049A true JPH02298049A (en) | 1990-12-10 |
Family
ID=14765972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11962189A Pending JPH02298049A (en) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02298049A (en) |
Cited By (6)
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-
1989
- 1989-05-12 JP JP11962189A patent/JPH02298049A/en active Pending
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