JPH02297923A - 多結晶シリコン再結晶化法 - Google Patents
多結晶シリコン再結晶化法Info
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- JPH02297923A JPH02297923A JP11810289A JP11810289A JPH02297923A JP H02297923 A JPH02297923 A JP H02297923A JP 11810289 A JP11810289 A JP 11810289A JP 11810289 A JP11810289 A JP 11810289A JP H02297923 A JPH02297923 A JP H02297923A
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面表示装置の駆動用トランジスタを構成す
る基本要素である薄膜の多結晶シリコンの再結晶化方法
に関する。
る基本要素である薄膜の多結晶シリコンの再結晶化方法
に関する。
近年、ELDSLCD等の表示装置が大容量化するにつ
れて、各セルを、TFTで駆動するアクティブマトリッ
クス駆動方式が検討されるように、なってきた。この方
式では、各セル毎に設けられたTPTの他に、X1Yの
電極線を駆動するためのドライバが必要であるが、これ
らはTPTと共にガラス基板の上にIC化されるのがコ
スト低減のために望ましい。このドライバを構成するト
ランジスタとしては、高速に動作するほど、表示装置の
性能が向上し、大容量化が可能になる。
れて、各セルを、TFTで駆動するアクティブマトリッ
クス駆動方式が検討されるように、なってきた。この方
式では、各セル毎に設けられたTPTの他に、X1Yの
電極線を駆動するためのドライバが必要であるが、これ
らはTPTと共にガラス基板の上にIC化されるのがコ
スト低減のために望ましい。このドライバを構成するト
ランジスタとしては、高速に動作するほど、表示装置の
性能が向上し、大容量化が可能になる。
通常よく用いられる低圧CVD法で成膜された多結晶シ
リコンの移動度は非常に低く数c+f/Vsec程度で
あり、単結晶シリコンと比べて2桁も小さい。低圧CV
D法で成膜された多結晶シリコンの移動度が単結晶シリ
コンに比べて2桁も低い原因としては、ダングリングボ
ンドが多く、結晶の粒界カ多くのトラップ順位を持つた
めに、この電気的に活性なトラップにキャリアが捕えら
れ、周辺領域を空乏化し、電位障壁が形成されるからと
考えられている。このような問題を解決するために、水
素イオンでダングリングボンドをターミネイトすること
により電位障壁をなくす水素プラズマ処理法も検討され
ているが、高々10cd/VsθC程度の移動度しか得
らていない。これに対し、多結晶シリコン薄膜に電子ビ
ームやレーザービームを照射することにより溶融再結晶
化して、結晶粒度の大きい、若しくは粒界のほとんどな
い単結晶膜を得る方法も検討されている。
リコンの移動度は非常に低く数c+f/Vsec程度で
あり、単結晶シリコンと比べて2桁も小さい。低圧CV
D法で成膜された多結晶シリコンの移動度が単結晶シリ
コンに比べて2桁も低い原因としては、ダングリングボ
ンドが多く、結晶の粒界カ多くのトラップ順位を持つた
めに、この電気的に活性なトラップにキャリアが捕えら
れ、周辺領域を空乏化し、電位障壁が形成されるからと
考えられている。このような問題を解決するために、水
素イオンでダングリングボンドをターミネイトすること
により電位障壁をなくす水素プラズマ処理法も検討され
ているが、高々10cd/VsθC程度の移動度しか得
らていない。これに対し、多結晶シリコン薄膜に電子ビ
ームやレーザービームを照射することにより溶融再結晶
化して、結晶粒度の大きい、若しくは粒界のほとんどな
い単結晶膜を得る方法も検討されている。
次に、第2図を用いて、従来の多結晶シリコンの再結晶
化法の例を説明する。
化法の例を説明する。
ガラス基板201上に島状に設けた多結晶シリコン層2
05を二酸化珪素や窒化珪素等の絶縁膜からなるキャッ
プ層206で覆い、その上からCwArレーザーやパル
スモードのYAGレーザーでスポット上のビームを走査
照射する。この場合、キャップ層206は溶融したシリ
コンが蒸発するのを防止するために設けられているもの
である。
05を二酸化珪素や窒化珪素等の絶縁膜からなるキャッ
プ層206で覆い、その上からCwArレーザーやパル
スモードのYAGレーザーでスポット上のビームを走査
照射する。この場合、キャップ層206は溶融したシリ
コンが蒸発するのを防止するために設けられているもの
である。
高エネルギーのビームで照射すると、多結晶シ1yコン
が溶融するために、ガラス基板201との界面付近の温
度はシリコンの溶融点(〜1400℃)近くになる。こ
のためガラス基板201としては石英ガラスのごとき高
融点ガラスに制限される。また石英ガラスは熱伝導率が
低いので、多結晶シリコン層205の結晶粒子の成長に
不適当な(エツジ部より中央部の温度が高い)熱分布が
でき、結晶性のよい膜が形成されにくい。
が溶融するために、ガラス基板201との界面付近の温
度はシリコンの溶融点(〜1400℃)近くになる。こ
のためガラス基板201としては石英ガラスのごとき高
融点ガラスに制限される。また石英ガラスは熱伝導率が
低いので、多結晶シリコン層205の結晶粒子の成長に
不適当な(エツジ部より中央部の温度が高い)熱分布が
でき、結晶性のよい膜が形成されにくい。
第3図は、従来の多結晶シリコン再結晶化法の第2例を
説明するための図である。
説明するための図である。
この第2例は、第1の例よりも簡便な手法であり、石英
基板301上の多結晶シリコン層305に直接ビーム状
のレーザー光307を照射して溶融再結晶化する方法を
用いている。この場合も、ガラス基板301の界面付近
の温度は第1の例と同じように高温に達するので、ガラ
ス基板301としては石英ガラスに制限される。
基板301上の多結晶シリコン層305に直接ビーム状
のレーザー光307を照射して溶融再結晶化する方法を
用いている。この場合も、ガラス基板301の界面付近
の温度は第1の例と同じように高温に達するので、ガラ
ス基板301としては石英ガラスに制限される。
第4図は、従来の多結晶シリコン再結晶化法の第3の例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
この第3例の公開特許公報(A)昭62−.18141
9のものであり、減圧CVDで形成された多結晶シリコ
ン層の結晶粒径を大きくすることを特徴としている。こ
の第3例の多結晶シリコンの再結晶化法は、ガラス基板
上に402の絶縁膜と403の高熱伝導層膜を積層し、
さらに該高熱伝導層上に絶縁膜404と多結晶シリコン
層405と該多結晶シリコン層を覆う絶縁層406から
なるキャップ層とを島状に連続して積み重ね、前記キャ
ップ層上から高エネルギービームとしてレーザー光40
7を照射している。
9のものであり、減圧CVDで形成された多結晶シリコ
ン層の結晶粒径を大きくすることを特徴としている。こ
の第3例の多結晶シリコンの再結晶化法は、ガラス基板
上に402の絶縁膜と403の高熱伝導層膜を積層し、
さらに該高熱伝導層上に絶縁膜404と多結晶シリコン
層405と該多結晶シリコン層を覆う絶縁層406から
なるキャップ層とを島状に連続して積み重ね、前記キャ
ップ層上から高エネルギービームとしてレーザー光40
7を照射している。
第3例の方法では低圧CVDで形成された多結晶層より
も結晶粒度の大きい多結晶層膜を得るものの、ヒートシ
ンク材403が多結晶シリコン層405より広い範囲に
わたって形成されていることにより、高エネルギービー
ムを照射したときに発生する島状多結晶シリコン層40
5の周辺部と中央部の熱は、はぼ一様に高熱伝導絶縁膜
404を通じてヒートシンク材403に伝導する。この
ため多結晶シリコン層の中心部が低くなるエツジヒート
シンク効果が効率よく行なわれないので、高精細高階調
の平面表示装置の駆動TFT用の粒界のほとんどない単
結晶用シリコンは容易に得られ難かった。
も結晶粒度の大きい多結晶層膜を得るものの、ヒートシ
ンク材403が多結晶シリコン層405より広い範囲に
わたって形成されていることにより、高エネルギービー
ムを照射したときに発生する島状多結晶シリコン層40
5の周辺部と中央部の熱は、はぼ一様に高熱伝導絶縁膜
404を通じてヒートシンク材403に伝導する。この
ため多結晶シリコン層の中心部が低くなるエツジヒート
シンク効果が効率よく行なわれないので、高精細高階調
の平面表示装置の駆動TFT用の粒界のほとんどない単
結晶用シリコンは容易に得られ難かった。
本発明はかかる欠点を除きシリコン層から熱が高熱伝導
層を伝導しシリコン層から効率よく熱が放散することが
できるヒートシンク層を設けて、基板への熱的影響の少
ない多結晶シリコンの再結晶化及する方法を、提供する
ものである。
層を伝導しシリコン層から効率よく熱が放散することが
できるヒートシンク層を設けて、基板への熱的影響の少
ない多結晶シリコンの再結晶化及する方法を、提供する
ものである。
ところで、石英ガラス基板上に形成されたドライバをE
LDやLCD等の表示装置と一体化すると、表示装置の
価格は高くなる。更に表示価格が大きくなるほど、基板
の価格が大きな役割を占めるようになる。従来の方法で
は、高温処理にともなう熱歪により安価な(例えばコー
ニング社製7059)ガラスを使うことが不可能だった
ので表示装置が高くならざるを得なかった。また島状に
設けた多結晶シリコンを再結晶する際の温度分布が結晶
粒子の成長には不適当になるため(中央部が高温)、結
晶性のよい膜を容易に形成し難かった。
LDやLCD等の表示装置と一体化すると、表示装置の
価格は高くなる。更に表示価格が大きくなるほど、基板
の価格が大きな役割を占めるようになる。従来の方法で
は、高温処理にともなう熱歪により安価な(例えばコー
ニング社製7059)ガラスを使うことが不可能だった
ので表示装置が高くならざるを得なかった。また島状に
設けた多結晶シリコンを再結晶する際の温度分布が結晶
粒子の成長には不適当になるため(中央部が高温)、結
晶性のよい膜を容易に形成し難かった。
更に従来技術である公開特許公報昭62−181419
の方法で低圧CVDの多結晶シリコンよりは結晶粒度の
大きな多結晶シリコンが得られるものの高速駆動TPT
に必要な粒界のほとんどない単結晶シリコンは得られ難
かった。
の方法で低圧CVDの多結晶シリコンよりは結晶粒度の
大きな多結晶シリコンが得られるものの高速駆動TPT
に必要な粒界のほとんどない単結晶シリコンは得られ難
かった。
本発明の目的はかかる従来の欠点を取り除き、低熱伝導
度の絶縁膜と高熱伝導度のパターニングされたヒートシ
ンク層を設けて、基板への熱的影響のない粒界のほとん
どない単結晶シリコンを効率よく再結晶化する方法を提
供することにある。
度の絶縁膜と高熱伝導度のパターニングされたヒートシ
ンク層を設けて、基板への熱的影響のない粒界のほとん
どない単結晶シリコンを効率よく再結晶化する方法を提
供することにある。
本発明の多結晶シリコン再結晶化法は、ガラス基盤上に
第1の絶縁膜を形成し、さらに第1の絶縁層上に高熱伝
導層を形成し該高熱伝導層をパターニングし、さらに該
高熱伝導層上に第2の絶縁膜と該多結晶シリコン層を覆
う第3の絶縁膜からなるキャップ層とを連続して積み重
ね、前記キャップ層上から高エネルギービームを照IS
、Iして前記多結晶シリコン層を単結晶化することを特
徴とする。
第1の絶縁膜を形成し、さらに第1の絶縁層上に高熱伝
導層を形成し該高熱伝導層をパターニングし、さらに該
高熱伝導層上に第2の絶縁膜と該多結晶シリコン層を覆
う第3の絶縁膜からなるキャップ層とを連続して積み重
ね、前記キャップ層上から高エネルギービームを照IS
、Iして前記多結晶シリコン層を単結晶化することを特
徴とする。
ガラス基板上に適当な膜厚の二酸化珪素のごとき絶縁膜
とタングステンの様な高融点金属からなる高熱伝導層と
を形成し、更に該高熱伝導層を、効率よく熱伝導し熱放
散できるよう所望の形状にパターニングし、更にAIN
のような高熱伝導絶縁膜を該高熱伝導層上に形成する。
とタングステンの様な高融点金属からなる高熱伝導層と
を形成し、更に該高熱伝導層を、効率よく熱伝導し熱放
散できるよう所望の形状にパターニングし、更にAIN
のような高熱伝導絶縁膜を該高熱伝導層上に形成する。
さらに多結晶シリコン層を島状に形成する。さらに窒化
珪素のような絶縁膜からなるキャップ層でこれら高熱伝
導絶縁膜と多結晶シリコン層を覆う。この上から、cw
ArレーザーやパルスモードのYAGレーザーを用いて
ビームを照射すると、多結晶シリコンは溶融再結晶化さ
れ高熱転勤絶縁膜上の多結晶は単結晶化される。
珪素のような絶縁膜からなるキャップ層でこれら高熱伝
導絶縁膜と多結晶シリコン層を覆う。この上から、cw
ArレーザーやパルスモードのYAGレーザーを用いて
ビームを照射すると、多結晶シリコンは溶融再結晶化さ
れ高熱転勤絶縁膜上の多結晶は単結晶化される。
この場合、多結晶シリコン層の下に、熱伝導度の高い絶
縁膜及び高融点金属を設けであるので、熱はこの高熱伝
導絶縁膜を通して金属膜へと伝導し、熱伝導率の著しく
小さい二酸化珪素膜で阻止され、島状の多結晶シリコン
層の領域外に延びて設けられている高融点金属膜からほ
とんどの熱が外部へ放散されることになる。従って、多
結晶シリコン層に高エネルギービームを照射している時
の多結晶シリコン層の温度は融点近傍になるが、二酸化
珪素膜下のガラス基板の温度は二酸化珪素膜 なり、熱歪点が約600℃の(例えばコーニング社製7
059)ガラスを基板として用いることができるように
なる。さらに、高熱伝導膜を基板全面にではなく島状の
多結晶層よりも範囲の狭い中央部に設けたことにより、
レーザービームを照射したときに多結晶シリコン膜の中
心部の温度が周辺部より低くなり、単結晶シリコンが成
長する。
縁膜及び高融点金属を設けであるので、熱はこの高熱伝
導絶縁膜を通して金属膜へと伝導し、熱伝導率の著しく
小さい二酸化珪素膜で阻止され、島状の多結晶シリコン
層の領域外に延びて設けられている高融点金属膜からほ
とんどの熱が外部へ放散されることになる。従って、多
結晶シリコン層に高エネルギービームを照射している時
の多結晶シリコン層の温度は融点近傍になるが、二酸化
珪素膜下のガラス基板の温度は二酸化珪素膜 なり、熱歪点が約600℃の(例えばコーニング社製7
059)ガラスを基板として用いることができるように
なる。さらに、高熱伝導膜を基板全面にではなく島状の
多結晶層よりも範囲の狭い中央部に設けたことにより、
レーザービームを照射したときに多結晶シリコン膜の中
心部の温度が周辺部より低くなり、単結晶シリコンが成
長する。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の1実施例となる多結晶シリコンの多結
晶化を説明するための図である。
晶化を説明するための図である。
まずガラス基板101上に二酸化珪素のような低熱伝導
度を持つ第1の絶縁膜102とWやM。
度を持つ第1の絶縁膜102とWやM。
の様な高融点金属からなる高熱伝導層103を形成する
。高熱伝導層として103としては、必ずしも高融点金
属にのみこだわるわけでなく、ほかの高熱伝導度を有す
る不純物を導入した多結晶シリコンのような膜であって
もよい。
。高熱伝導層として103としては、必ずしも高融点金
属にのみこだわるわけでなく、ほかの高熱伝導度を有す
る不純物を導入した多結晶シリコンのような膜であって
もよい。
この高熱転勤層103を図2のように帯状にパターニン
グする。更に該帯状の高熱伝導層103と該絶縁膜10
1上に、窒化アルミ等の高熱伝導度を有する絶縁11!
II 04を形成する。さらに該絶縁膜104上に多結
晶シリコン105を島状に形成する。なお絶縁膜104
は、多結晶シリコン105を加熱したときに高熱伝導層
103と多結晶シリコン層中に不純物が混入して膜質が
部分的に劣化するのを防止するために設けている。絶縁
膜104としては熱をよく伝導する薄い膜厚からなる二
酸化珪素膜であってもよい。
グする。更に該帯状の高熱伝導層103と該絶縁膜10
1上に、窒化アルミ等の高熱伝導度を有する絶縁11!
II 04を形成する。さらに該絶縁膜104上に多結
晶シリコン105を島状に形成する。なお絶縁膜104
は、多結晶シリコン105を加熱したときに高熱伝導層
103と多結晶シリコン層中に不純物が混入して膜質が
部分的に劣化するのを防止するために設けている。絶縁
膜104としては熱をよく伝導する薄い膜厚からなる二
酸化珪素膜であってもよい。
次に島状の多結晶シリコン層105を二酸化珪素膜や窒
化珪素膜あるいは、二酸化珪素と窒化珪素の多層膜から
なるキャップ層106で覆い、その上からcwArレー
ザーやパルスモードのYAGレーザ−ビームによりレー
ザ光107を照射する。するF1多結晶シリコン層10
5は溶融され、加えられた熱エネルギーは、まず絶縁膜
104を通り次に高熱伝導層103を通る。高熱伝導層
103は島状のシリコン層の中心部にあるため、周辺部
よりも中心のシリコンの熱がまず放散するため多結晶シ
リコン層の周辺部よりも中心部の温度が低い、いわゆる
エツジヒーティング効果が効率よく起こることにより高
品質の単結晶化膜が得られる。
化珪素膜あるいは、二酸化珪素と窒化珪素の多層膜から
なるキャップ層106で覆い、その上からcwArレー
ザーやパルスモードのYAGレーザ−ビームによりレー
ザ光107を照射する。するF1多結晶シリコン層10
5は溶融され、加えられた熱エネルギーは、まず絶縁膜
104を通り次に高熱伝導層103を通る。高熱伝導層
103は島状のシリコン層の中心部にあるため、周辺部
よりも中心のシリコンの熱がまず放散するため多結晶シ
リコン層の周辺部よりも中心部の温度が低い、いわゆる
エツジヒーティング効果が効率よく起こることにより高
品質の単結晶化膜が得られる。
一方、ヒートシンク材としての高熱伝動層103の下に
設けである絶縁膜102の熱伝導度は、例えば二酸化珪
素の場合は珪素に比べても3桁以上も小さいので、下の
ガラス基板101への熱伝導は大部分阻止される。従っ
て、熱伝導を阻止する絶縁膜の102の膜厚を適切に選
べば、ガラス基板101としては高砺な石英基板でなく
、安価な(例えばコーニング社製7059)ガラスを使
うこともできる。
設けである絶縁膜102の熱伝導度は、例えば二酸化珪
素の場合は珪素に比べても3桁以上も小さいので、下の
ガラス基板101への熱伝導は大部分阻止される。従っ
て、熱伝導を阻止する絶縁膜の102の膜厚を適切に選
べば、ガラス基板101としては高砺な石英基板でなく
、安価な(例えばコーニング社製7059)ガラスを使
うこともできる。
以上説明したように本発明によれば、多結晶シリコン層
の下にヒートシンク用の高熱伝導層を、熱が効果的に多
結晶シリコン層の中心部から周辺部へ伝導し外部へ放散
するようにパターニングしているので、エツジヒーティ
ング効果が従来の技・術よりもよりよく作用するため、
はとんど粒界のない単結晶シリコン膜が得られる。
の下にヒートシンク用の高熱伝導層を、熱が効果的に多
結晶シリコン層の中心部から周辺部へ伝導し外部へ放散
するようにパターニングしているので、エツジヒーティ
ング効果が従来の技・術よりもよりよく作用するため、
はとんど粒界のない単結晶シリコン膜が得られる。
また基板に対する発熱効果を小さくすることができるの
で、石英よりも低い歪点を持つ(例えばコーニング社製
7059)ガラス基板上にも単結晶シリコン膜を形成す
ることができるので、平面表示装置の駆動用のTPTを
石英等の高価なガラス上に形成する必要がないので、駆
動用トランジスタを同一基板内に形成した平面表示装置
の価格が安価になる。
で、石英よりも低い歪点を持つ(例えばコーニング社製
7059)ガラス基板上にも単結晶シリコン膜を形成す
ることができるので、平面表示装置の駆動用のTPTを
石英等の高価なガラス上に形成する必要がないので、駆
動用トランジスタを同一基板内に形成した平面表示装置
の価格が安価になる。
さらにほとんど粒界のない単結晶シリコンによって高速
動作の駆動用TPTが形成されるため、高精細、高階調
表示の平面表示装置が得られる。
動作の駆動用TPTが形成されるため、高精細、高階調
表示の平面表示装置が得られる。
第1図(a)は第1図(b)は、それぞれ本発明の第1
の実施例を説明するための断面図と平面図、第2図及び
第3図、第4図は従来の多結晶シリコンの再結晶化法を
説明するための図である。 101.201.301.401 働・舎ガラス基板 102.402伽・・絶縁膜 103.403・・・高温伝導層 1’04.404・・Φ絶縁膜 105.205.305.405 ・・・多結晶シリコン層 106.206.406 ・・・キャップ層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)ro7レー
イ噴−ド 第1図(a) 第2図 ノ07 レーイー札− 第3図 o7 レーザーも 第4図
の実施例を説明するための断面図と平面図、第2図及び
第3図、第4図は従来の多結晶シリコンの再結晶化法を
説明するための図である。 101.201.301.401 働・舎ガラス基板 102.402伽・・絶縁膜 103.403・・・高温伝導層 1’04.404・・Φ絶縁膜 105.205.305.405 ・・・多結晶シリコン層 106.206.406 ・・・キャップ層 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)ro7レー
イ噴−ド 第1図(a) 第2図 ノ07 レーイー札− 第3図 o7 レーザーも 第4図
Claims (1)
- (1)ガラス基板上に第1の絶縁膜を形成し、次に第1
の絶縁膜上に高熱伝導層を形成し該高熱伝導層をパター
ニングし、さらに該高熱伝導層上に第2の絶縁膜と多結
晶シリコン層を覆う第3の絶縁膜からなるキャップ層と
を連続して積み重ね、前記キャップ層上から高エネルギ
ービームを照射して前記多結晶シリコン層を単結晶化す
ることを特徴とする多結晶シリコン再結晶化法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11810289A JPH02297923A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 多結晶シリコン再結晶化法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11810289A JPH02297923A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 多結晶シリコン再結晶化法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02297923A true JPH02297923A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14728059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11810289A Pending JPH02297923A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 多結晶シリコン再結晶化法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02297923A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6133583A (en) * | 1994-03-11 | 2000-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
JP2003178979A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
WO2002019363A3 (en) * | 2000-08-28 | 2003-08-28 | Applied Materials Inc | Pre-polycoating of glass substrates |
US6624009B1 (en) | 1996-11-06 | 2003-09-23 | Pacific Solar Pty Limited | Forming a crystalline semiconductor film on a glass substrate |
US6700133B1 (en) | 1994-03-11 | 2004-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11810289A patent/JPH02297923A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6133583A (en) * | 1994-03-11 | 2000-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
US6700133B1 (en) | 1994-03-11 | 2004-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
US6624009B1 (en) | 1996-11-06 | 2003-09-23 | Pacific Solar Pty Limited | Forming a crystalline semiconductor film on a glass substrate |
WO2002019363A3 (en) * | 2000-08-28 | 2003-08-28 | Applied Materials Inc | Pre-polycoating of glass substrates |
JP2003178979A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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