JPH02297005A - 位置合わせ装置 - Google Patents
位置合わせ装置Info
- Publication number
- JPH02297005A JPH02297005A JP1118986A JP11898689A JPH02297005A JP H02297005 A JPH02297005 A JP H02297005A JP 1118986 A JP1118986 A JP 1118986A JP 11898689 A JP11898689 A JP 11898689A JP H02297005 A JPH02297005 A JP H02297005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- light
- wafer
- diffraction gratings
- diffracted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 15
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体などの露光装置に用い、マスクとウェ
ハとの位置合わせを行うための位置合わせ装置に関する
ものである。
ハとの位置合わせを行うための位置合わせ装置に関する
ものである。
従来の技術
従来、この種の位置合わせ装置として、特開昭60−1
88844号公報等に記載されている構成が知られてい
る。以下、上記従来の位置合わせ装置について図面を参
照しながら説明する。
88844号公報等に記載されている構成が知られてい
る。以下、上記従来の位置合わせ装置について図面を参
照しながら説明する。
第3図において、1o1は露光光源、102はマスク、
103はウェハ、104はマスク102を移動させ、所
定位置に固定させるマスクステージ、106はウェハ1
03を移動させ、所定位置に固定させるウェハステージ
、106はマスク102のパターンをウェハ103に縮
小して転写するための投影レンズである。マスク102
にはこのマスク102を位置合わせするためのマーク1
o7が形成され、ウェハ103にはこのウェハ103を
位置合わせするためのマーク108が形成されている。
103はウェハ、104はマスク102を移動させ、所
定位置に固定させるマスクステージ、106はウェハ1
03を移動させ、所定位置に固定させるウェハステージ
、106はマスク102のパターンをウェハ103に縮
小して転写するための投影レンズである。マスク102
にはこのマスク102を位置合わせするためのマーク1
o7が形成され、ウェハ103にはこのウェハ103を
位置合わせするためのマーク108が形成されている。
109はマスク102の上方に配置され、マスク102
のマーク107を位置合わせするための顕微鏡、110
は位置合わせ位置Aにおいてウェハ103の上方に配置
され、マーク108を用いて位置合わせするための顕微
鏡、111はウェハステージ105の移動量を計測する
レーザ測長器である。
のマーク107を位置合わせするための顕微鏡、110
は位置合わせ位置Aにおいてウェハ103の上方に配置
され、マーク108を用いて位置合わせするための顕微
鏡、111はウェハステージ105の移動量を計測する
レーザ測長器である。
次に上記従来の位置合わせ装置による位置合わせ動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、マスク102をマスクステージ104に設置し、
顕微鏡109でマーク107を観察して位置合わせを行
う。次に、ウェハ103を位置合わせ位置Aにおいて、
顕微鏡110でマーク10Bを観察して位置合わせを行
う。次に、ウェハステージ105を露光位置Bに移動さ
せ、上記観察結果からレーザ測長器111により移動量
を管理し、露光光源101からの光によりマスク102
のパターンをウェハ103に転写する。
顕微鏡109でマーク107を観察して位置合わせを行
う。次に、ウェハ103を位置合わせ位置Aにおいて、
顕微鏡110でマーク10Bを観察して位置合わせを行
う。次に、ウェハステージ105を露光位置Bに移動さ
せ、上記観察結果からレーザ測長器111により移動量
を管理し、露光光源101からの光によりマスク102
のパターンをウェハ103に転写する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来例の構成では、マスク102と
ウェハ103を別の顕微鏡109.11oを用いて位置
合わせしている。しかも、顕微m1oe、11oのよう
な画像では分解能に限界がある。更には、ウェハ1o3
の位置合わせ位置Aが実際の露光位置Bとは異なる。こ
のため、例えば64MBDRAMなど、ナノメーターオ
ーダーの位置合わせ精度を得ることができない。また、
従来、レーザ光の干渉を利用した位置合わせ方式も提案
されているが、マスクとウェハな2次元的に位置合わせ
することができない。
ウェハ103を別の顕微鏡109.11oを用いて位置
合わせしている。しかも、顕微m1oe、11oのよう
な画像では分解能に限界がある。更には、ウェハ1o3
の位置合わせ位置Aが実際の露光位置Bとは異なる。こ
のため、例えば64MBDRAMなど、ナノメーターオ
ーダーの位置合わせ精度を得ることができない。また、
従来、レーザ光の干渉を利用した位置合わせ方式も提案
されているが、マスクとウェハな2次元的に位置合わせ
することができない。
本発明は、上記のような従来の課題を解決するもので、
マスクとウェハな2次元にナノメーターオーダーで高精
度に位置合わせすることができるようにした位置合わせ
装置を提供し、また、各素子の正確なアライメントを達
成することができるようにした位置合わせ装置を提供す
ることを目的とするものである。
マスクとウェハな2次元にナノメーターオーダーで高精
度に位置合わせすることができるようにした位置合わせ
装置を提供し、また、各素子の正確なアライメントを達
成することができるようにした位置合わせ装置を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するための本発明の技術的手段は、互い
にわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異なる2波長
の光を出射する光源と、この光源からの光を3方向に分
ける手段と、3つに分けた光をそれぞれ回折する第1、
第2、第3の基準回折格子と、これらの基準回折格子か
らの回折光を選択的に透過する第1、第2、第3の照明
光学系と、マスクとウェハにそれぞれ設けられ、上記各
照明光学系により照明される平行に配置された第1、第
2の回折格子およびこれら第1、第2の回折格子に対し
て直角方向に配置された第3の回折格子と、これら第1
、第2、第3の回折格子からの回折光の光ビート信号を
検出する第1、第2、第3の検出手段を備え、上記検出
手段から得られる光ビート信号の位相比較から得られる
位置ずれ信号により、上記マスクおよびウェハの相対位
置を制御するように構成したものである。
にわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異なる2波長
の光を出射する光源と、この光源からの光を3方向に分
ける手段と、3つに分けた光をそれぞれ回折する第1、
第2、第3の基準回折格子と、これらの基準回折格子か
らの回折光を選択的に透過する第1、第2、第3の照明
光学系と、マスクとウェハにそれぞれ設けられ、上記各
照明光学系により照明される平行に配置された第1、第
2の回折格子およびこれら第1、第2の回折格子に対し
て直角方向に配置された第3の回折格子と、これら第1
、第2、第3の回折格子からの回折光の光ビート信号を
検出する第1、第2、第3の検出手段を備え、上記検出
手段から得られる光ビート信号の位相比較から得られる
位置ずれ信号により、上記マスクおよびウェハの相対位
置を制御するように構成したものである。
そして、上記光源としてゼーマンレーザを用い、このゼ
ーマンレーザからのレーザ光を位相補償する1/4波長
板を備えることができる。
ーマンレーザからのレーザ光を位相補償する1/4波長
板を備えることができる。
また、上記光源からの光を3方向に分ける手段は、第1
、第2のビームスプリッタと、光を必要な方向に曲げる
複数個の反射ミラーとから構成することができる。
、第2のビームスプリッタと、光を必要な方向に曲げる
複数個の反射ミラーとから構成することができる。
また、上記各照明光学系は、上記各基準回折格子から0
0次および2次以降の回折光を除去する空間フィルター
と、±1次回折光の一方の位相を180度変更する位相
補償板を有し、少なくともマスク側でテレ七ントリック
に構成することができる。
0次および2次以降の回折光を除去する空間フィルター
と、±1次回折光の一方の位相を180度変更する位相
補償板を有し、少なくともマスク側でテレ七ントリック
に構成することができる。
また、上記各検出手段は、上記マスクとウェハの第1、
第2、第3の回折格子の再回折光を集める集光レンズと
、集光した回折光のうち、所望の偏光成分のみを選択す
る偏光素子と、選択された回折光のうち、マスクとウェ
ハからの回折光に分離するナイフェツジミラーと、分離
された回折光を受光する各2組のフォトディテクタとか
ら構成することができる。
第2、第3の回折格子の再回折光を集める集光レンズと
、集光した回折光のうち、所望の偏光成分のみを選択す
る偏光素子と、選択された回折光のうち、マスクとウェ
ハからの回折光に分離するナイフェツジミラーと、分離
された回折光を受光する各2組のフォトディテクタとか
ら構成することができる。
また、上記光源としてゼーマンレーザを用イ、このゼー
マンレーザからのレーザ光を位相補償する1/4波長板
を備え、上記光源からの光を3方向に分ける手段が第1
、第2のビームスプリッタと、光を必要な方向に曲げる
複数個の反射ミラーを備え、上記各照明光学系が基準回
折格子からの0次および2次以降の回折光を除去する空
間フィルターと、±1次回折光の一方の位相を180度
変更する位相補償板として1/2波長板を備え、少な(
ともマスク側でテレ七ントリックとなっており、上記各
検出手段がマスクとウェハの第1、第2、第3の回折路
、子の再回折光を集める集光レンズと、集光した回折光
のうち、所望の偏光成分のみを選択する偏光素子と、選
択された回折光のうち、マスクとウェハからの回折光に
分離するナイフェツジミラーと、分離された回折光を受
光する各一対のフォトディテクタを備え、そして、上記
ゼーマンレーザが光軸に対してあおり2軸と回転方向と
直交方向2軸を調整機構により調整され、上記ビームス
プリッタと反射ミラーが光軸に対してあおり2軸と回転
方向と水平1軸方向を調整機構により調整され、上記1
/4波長板、基準回折格子、1/2波長板および偏光素
子が光軸に対して回転方向を調整機構により調整され、
上記ナイフェツジミラーが上記マスクとウェハの再回折
光を切り分ける方向に調整機構により調整され、上記マ
スクとウェハが少なくとも直交方向に調整機構により調
整されるように構成することができる。
マンレーザからのレーザ光を位相補償する1/4波長板
を備え、上記光源からの光を3方向に分ける手段が第1
、第2のビームスプリッタと、光を必要な方向に曲げる
複数個の反射ミラーを備え、上記各照明光学系が基準回
折格子からの0次および2次以降の回折光を除去する空
間フィルターと、±1次回折光の一方の位相を180度
変更する位相補償板として1/2波長板を備え、少な(
ともマスク側でテレ七ントリックとなっており、上記各
検出手段がマスクとウェハの第1、第2、第3の回折路
、子の再回折光を集める集光レンズと、集光した回折光
のうち、所望の偏光成分のみを選択する偏光素子と、選
択された回折光のうち、マスクとウェハからの回折光に
分離するナイフェツジミラーと、分離された回折光を受
光する各一対のフォトディテクタを備え、そして、上記
ゼーマンレーザが光軸に対してあおり2軸と回転方向と
直交方向2軸を調整機構により調整され、上記ビームス
プリッタと反射ミラーが光軸に対してあおり2軸と回転
方向と水平1軸方向を調整機構により調整され、上記1
/4波長板、基準回折格子、1/2波長板および偏光素
子が光軸に対して回転方向を調整機構により調整され、
上記ナイフェツジミラーが上記マスクとウェハの再回折
光を切り分ける方向に調整機構により調整され、上記マ
スクとウェハが少なくとも直交方向に調整機構により調
整されるように構成することができる。
作用
上記技術的手段による作用は次のようになる。
光源からの光を3方向に分け、3つに分けた光をそれぞ
れ第1、第2、第3の基準回折格子により回折し、これ
ら基準回折格子からの回折光を第1、第2、第3の照明
光学系により選択的に透過させ、マスクとウェハにそれ
ぞれ平行に配置した第1、第2の回折格子およびこれら
第1、第2の回折格子と直角方向に配置した第3の回折
格子に照明させ、第1、第2、第3の回折格子からの回
折光の光ビート信号を第1、第2、第3の検出手段によ
り検出し、これらの検出手段から得られる光ビート信号
の位相比較から得られる位置ずれ信号によりマスクおよ
びウェハの相対位置を制御する。このように、マスクと
ウェハにそれぞれ平行に配置した第1、第2の回折格子
およびこれらと直角方向に配置した第3の回折格子を用
い、光の干渉を利用してマスクとウェハを位置合わせす
ることにより、2次元で位置合わせを行うことができる
。
れ第1、第2、第3の基準回折格子により回折し、これ
ら基準回折格子からの回折光を第1、第2、第3の照明
光学系により選択的に透過させ、マスクとウェハにそれ
ぞれ平行に配置した第1、第2の回折格子およびこれら
第1、第2の回折格子と直角方向に配置した第3の回折
格子に照明させ、第1、第2、第3の回折格子からの回
折光の光ビート信号を第1、第2、第3の検出手段によ
り検出し、これらの検出手段から得られる光ビート信号
の位相比較から得られる位置ずれ信号によりマスクおよ
びウェハの相対位置を制御する。このように、マスクと
ウェハにそれぞれ平行に配置した第1、第2の回折格子
およびこれらと直角方向に配置した第3の回折格子を用
い、光の干渉を利用してマスクとウェハを位置合わせす
ることにより、2次元で位置合わせを行うことができる
。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図および第2図は本発明の一実施例における位置合
わせ装置を示し、第1図は全体の概略斜視図、第2図(
a)ないしくe)は各素子の調整機構の概略斜視図であ
る。
わせ装置を示し、第1図は全体の概略斜視図、第2図(
a)ないしくe)は各素子の調整機構の概略斜視図であ
る。
第1図において、1はゼーマンレーザであり、基本的に
はわずかに周波数が異なり、直交偏光された2波長を含
むレーザ光2を出射する。このレーザ光2は1部楕円偏
光されているので、反14 ミラー3で反射された後、
1/4波長板4で位相補償を行う。位相補償されたレー
ザ光2は第1のビームスプリッタ6により光路を6と7
の2つに分ける。第1のビームスプリッタ6を透過した
レーザ光6は反射ミラー8で反射させ、第2のビームス
プIJ 、夕9で再び光路を10と11の2つに分ける
。第1のビームスプリッタ6で分けたレーザ光γは反射
ミラー12により、一方、第2のビームスプリッタ9で
分けたレーザ光1oと11はそれぞれ反射ミラー13.
14.16と16によりほぼ同じ方向に曲げる。3つに
分けられたレーザ光γ、1o、11は、位置合わせの基
準となる第1、第2、第3の基準回折格子17.18.
19により回折する。各基準回折格子1T、18.19
で回折した各回折光は第1、第2、第3の照明光学系2
0.21.22により選択的に透過させる。各照明光学
系19.20.21は空間フィルター23、位相補償板
である1//2波長板24およびフーリエ変換レンズ2
6等の光学素子から構成されている。そして、各基準回
折格子17.18.19で回折された各回折光のうち、
0次および2次以降の回折光は、各空間フィルター23
により除去し、±1次回折光26.27のみを選択する
。各−1次回折光2γは1//2波長板24により位相
を180度変更L、各+1次回折光26はそのままでそ
れぞれフーリエ変換レンズ26に入射させ、各フーリエ
変換レンズ26により各士回折光26.27を再びマス
ク28とウェハ29上にそれぞれ設けられた位置合わせ
マークである第1、第2、第3の回折格子30.31.
32と33.34.36に集光させ、再回折する。マス
ク28における対向する第1、第2の回折格子30.3
1は平行に配置され、第3の回折格子32は第1、第2
の回折格子30.31に対し直角方向に配置されている
。同様にウェハ29における対向する第1、第2の回折
格子33.34は平行に配置され、第3の回折格子36
は第1、第2の回折格子33.34に対し直角方向に配
置されている。第1、第2、第3の各回折格子30.3
1.32と33.34.36からの回折光のうち、同一
方向に進む±1次回折光36 a、36bと37a、3
7bを用いて第1、第2、第3の検出手段38.39.
4oにより光ビート信号を検出する。各検出手段38.
39.4oは、集光レンズ41、偏光フィルター42、
ナイフェツジミラー43、一対の光電子倍増管等のフォ
トディテクタ44.46等から構成されている。そして
、各±1次回折光36a、36bと37a、37bを集
光レンズ41により集光し、偏光フィルター42に通し
て必要な偏光方向のみを選択する。集光部にはナイフェ
ツジミラー43を設置し、このナイフェツジミラー43
によりマスク28とウェハ29からの同位相の回折光3
6as3γaと36b、 37bとに分離し、フォトデ
ィテクタ44と46に入射する。フォトディテクタ44
.46からの出力は回折光36.37の干渉した信号と
なり、ビート信号46.47として出力する。このビー
ト信号46.47は、マスク28とウェハ29の第1、
第2、第3の回折格子30.31.32と33.34.
350間のそれぞれの位置ずれ量と相関関係があり、そ
の結果、マスク28とウェハ29の位置ずれ量を求める
ことができる。
はわずかに周波数が異なり、直交偏光された2波長を含
むレーザ光2を出射する。このレーザ光2は1部楕円偏
光されているので、反14 ミラー3で反射された後、
1/4波長板4で位相補償を行う。位相補償されたレー
ザ光2は第1のビームスプリッタ6により光路を6と7
の2つに分ける。第1のビームスプリッタ6を透過した
レーザ光6は反射ミラー8で反射させ、第2のビームス
プIJ 、夕9で再び光路を10と11の2つに分ける
。第1のビームスプリッタ6で分けたレーザ光γは反射
ミラー12により、一方、第2のビームスプリッタ9で
分けたレーザ光1oと11はそれぞれ反射ミラー13.
14.16と16によりほぼ同じ方向に曲げる。3つに
分けられたレーザ光γ、1o、11は、位置合わせの基
準となる第1、第2、第3の基準回折格子17.18.
19により回折する。各基準回折格子1T、18.19
で回折した各回折光は第1、第2、第3の照明光学系2
0.21.22により選択的に透過させる。各照明光学
系19.20.21は空間フィルター23、位相補償板
である1//2波長板24およびフーリエ変換レンズ2
6等の光学素子から構成されている。そして、各基準回
折格子17.18.19で回折された各回折光のうち、
0次および2次以降の回折光は、各空間フィルター23
により除去し、±1次回折光26.27のみを選択する
。各−1次回折光2γは1//2波長板24により位相
を180度変更L、各+1次回折光26はそのままでそ
れぞれフーリエ変換レンズ26に入射させ、各フーリエ
変換レンズ26により各士回折光26.27を再びマス
ク28とウェハ29上にそれぞれ設けられた位置合わせ
マークである第1、第2、第3の回折格子30.31.
32と33.34.36に集光させ、再回折する。マス
ク28における対向する第1、第2の回折格子30.3
1は平行に配置され、第3の回折格子32は第1、第2
の回折格子30.31に対し直角方向に配置されている
。同様にウェハ29における対向する第1、第2の回折
格子33.34は平行に配置され、第3の回折格子36
は第1、第2の回折格子33.34に対し直角方向に配
置されている。第1、第2、第3の各回折格子30.3
1.32と33.34.36からの回折光のうち、同一
方向に進む±1次回折光36 a、36bと37a、3
7bを用いて第1、第2、第3の検出手段38.39.
4oにより光ビート信号を検出する。各検出手段38.
39.4oは、集光レンズ41、偏光フィルター42、
ナイフェツジミラー43、一対の光電子倍増管等のフォ
トディテクタ44.46等から構成されている。そして
、各±1次回折光36a、36bと37a、37bを集
光レンズ41により集光し、偏光フィルター42に通し
て必要な偏光方向のみを選択する。集光部にはナイフェ
ツジミラー43を設置し、このナイフェツジミラー43
によりマスク28とウェハ29からの同位相の回折光3
6as3γaと36b、 37bとに分離し、フォトデ
ィテクタ44と46に入射する。フォトディテクタ44
.46からの出力は回折光36.37の干渉した信号と
なり、ビート信号46.47として出力する。このビー
ト信号46.47は、マスク28とウェハ29の第1、
第2、第3の回折格子30.31.32と33.34.
350間のそれぞれの位置ずれ量と相関関係があり、そ
の結果、マスク28とウェハ29の位置ずれ量を求める
ことができる。
上記のように第1、第2のビームスプリッタ6.9によ
り3つに分けられた各レーザ光7.1o、11は、1軸
がX方向(第3の回折格子32と36)、他の2軸がこ
れと直角なX方向(第1、第2の回折格子3o、31と
33.34)に配置され、かつX方向の2軸が露光領域
48に対して対向する構成となっている。
り3つに分けられた各レーザ光7.1o、11は、1軸
がX方向(第3の回折格子32と36)、他の2軸がこ
れと直角なX方向(第1、第2の回折格子3o、31と
33.34)に配置され、かつX方向の2軸が露光領域
48に対して対向する構成となっている。
上記ゼーマンレーザ1は第2図(a)に示す調整機構4
9に支持されている。すなわち、調整機構49は、フレ
ーム(図示省略)等に支持された一対のリング状の支持
部材6oにそれぞれ120度ごとに調整ねじ61が放射
方向で進退可能に螺合され、各組の調整ねじ61の内側
にゼーマンレーザ1が6点で支持されている。したがっ
て、各組の調整ねじ61の操作により、光軸に対してゼ
ーマンレーザ1の左右方向と上下方向のあおり2軸と回
転方向と直交方向の2軸の調整を行うことができる。
9に支持されている。すなわち、調整機構49は、フレ
ーム(図示省略)等に支持された一対のリング状の支持
部材6oにそれぞれ120度ごとに調整ねじ61が放射
方向で進退可能に螺合され、各組の調整ねじ61の内側
にゼーマンレーザ1が6点で支持されている。したがっ
て、各組の調整ねじ61の操作により、光軸に対してゼ
ーマンレーザ1の左右方向と上下方向のあおり2軸と回
転方向と直交方向の2軸の調整を行うことができる。
上記第1、第2のビームスプリッタ6.9と各反射ミラ
ー3.8.12.13.14.15.16はそれぞれ第
2図(b)に示す調整機構62に支持されている。すな
わち、各調整機構62は基台63上に可動台64が矢印
X方向に移動可能に支持され、両者がねじ等を用いた移
動手段(図示省略)により連係され、可動台64上に支
持部材66が矢印θで示すように旋回機構66を介して
旋回可能に支持され、支持部材66の先端のリング状の
支持部67に例えば上下2箇所に調整ねじ68が対向方
向で進退可能に支持され、この調整ねじ68の内側に反
射ミラー3等が支持されている。したがって、支持部材
65等を可動台64に対する旋回と調整ねじ58の操作
により、光軸に対して反射ミラー3等の左右方向(矢印
θI)と上下方向(矢印θ2)のあおり2軸を調整する
ことができ、また、調整ねじ58の後退操作により、光
軸に対して反射ミラー3等の回転方向(矢印θ)の調整
を行うことができ、また、可動台64等の基台63に対
する移動操作により、光軸に対して反射ミラー3等の水
平1軸方向(矢印Y)の調整を行うことができる。上記
1/4波長板4、第1、第2、第3の基準回折格子17
.18.19、各1//2波長板24、各偏光フィルタ
ー42はそれぞれ第2図(C)に示す調整機構69に支
持されている。すなわち、各調整機構69はフレーム等
に支持されたリング状の支持部材60の複数箇所に調整
ねじelが放射方向で進退可能に螺合され、これら調整
ねじ61の内側に1/4波長板4等が支持されている。
ー3.8.12.13.14.15.16はそれぞれ第
2図(b)に示す調整機構62に支持されている。すな
わち、各調整機構62は基台63上に可動台64が矢印
X方向に移動可能に支持され、両者がねじ等を用いた移
動手段(図示省略)により連係され、可動台64上に支
持部材66が矢印θで示すように旋回機構66を介して
旋回可能に支持され、支持部材66の先端のリング状の
支持部67に例えば上下2箇所に調整ねじ68が対向方
向で進退可能に支持され、この調整ねじ68の内側に反
射ミラー3等が支持されている。したがって、支持部材
65等を可動台64に対する旋回と調整ねじ58の操作
により、光軸に対して反射ミラー3等の左右方向(矢印
θI)と上下方向(矢印θ2)のあおり2軸を調整する
ことができ、また、調整ねじ58の後退操作により、光
軸に対して反射ミラー3等の回転方向(矢印θ)の調整
を行うことができ、また、可動台64等の基台63に対
する移動操作により、光軸に対して反射ミラー3等の水
平1軸方向(矢印Y)の調整を行うことができる。上記
1/4波長板4、第1、第2、第3の基準回折格子17
.18.19、各1//2波長板24、各偏光フィルタ
ー42はそれぞれ第2図(C)に示す調整機構69に支
持されている。すなわち、各調整機構69はフレーム等
に支持されたリング状の支持部材60の複数箇所に調整
ねじelが放射方向で進退可能に螺合され、これら調整
ねじ61の内側に1/4波長板4等が支持されている。
したがって、調整ねじ61の後退操作により、光軸に対
して1/4波長板4等の回転方向(矢印θ)の調整を行
うことができる。上記各ナイフェツジミラー43は第2
図(d)に示すようにねじ軸を用いた調整機構62の操
作により、光軸に対してマスク28とウェハ29の再回
折光36.37を分離する方向、すなわち2軸方向に調
整することができる。上記マスク28とウェハ29はそ
れぞれ第2図(e)に示す調整機構63に支持されてい
る。すなわち、各調整機構e3は基台64上にX軸可動
台66が移動可能に支持され、両者がねじ等を用いた移
動手段(図示省略)により連係され、X軸可動台66上
にY軸可動台e6が移動可能に支持され、両者がねじ等
を用いた移動手段(図示省略)により連係され、Y軸可
動台66上にマスク28等が支持されている。したがっ
て、X軸可動台66とY軸可動台6eの移動操作により
、マスク28等をX1Y軸の直交2方向に調整すること
ができる。
して1/4波長板4等の回転方向(矢印θ)の調整を行
うことができる。上記各ナイフェツジミラー43は第2
図(d)に示すようにねじ軸を用いた調整機構62の操
作により、光軸に対してマスク28とウェハ29の再回
折光36.37を分離する方向、すなわち2軸方向に調
整することができる。上記マスク28とウェハ29はそ
れぞれ第2図(e)に示す調整機構63に支持されてい
る。すなわち、各調整機構e3は基台64上にX軸可動
台66が移動可能に支持され、両者がねじ等を用いた移
動手段(図示省略)により連係され、X軸可動台66上
にY軸可動台e6が移動可能に支持され、両者がねじ等
を用いた移動手段(図示省略)により連係され、Y軸可
動台66上にマスク28等が支持されている。したがっ
て、X軸可動台66とY軸可動台6eの移動操作により
、マスク28等をX1Y軸の直交2方向に調整すること
ができる。
以上の構成において、以下、マスク28とウェハ29の
位置合わせ動作について説明する。
位置合わせ動作について説明する。
まず、ゼーマンレーザ1を調整機構49(第2図(a)
参照)により調整して位置決めし、反射ミラー3.8.
13を調整機構52(第2図(b)参照)により調整し
て位置決めし、レーザ光2のアライメントを行う。この
レーザ光2の光路中に第1、第2のビームスプリッタ6
.9と反射ミラー12.14.15.16を調整機構5
2(第2図(b)参照)により調整、位置決めしてアラ
イメントする。次に1/4波長板4の偏光方向を調整機
構69(第2図(C)参照)により調整して位置決めす
る。第1、第2のビームスプリッタ6.9により3方向
に分けられたレーザ光7.10,11に対して第1、第
2、第3の各基準回折格子17.18.19、各1//
2波長板24および各偏光フィルター41を調整機構6
9(第2図(c)参照)により調整して位置決めする。
参照)により調整して位置決めし、反射ミラー3.8.
13を調整機構52(第2図(b)参照)により調整し
て位置決めし、レーザ光2のアライメントを行う。この
レーザ光2の光路中に第1、第2のビームスプリッタ6
.9と反射ミラー12.14.15.16を調整機構5
2(第2図(b)参照)により調整、位置決めしてアラ
イメントする。次に1/4波長板4の偏光方向を調整機
構69(第2図(C)参照)により調整して位置決めす
る。第1、第2のビームスプリッタ6.9により3方向
に分けられたレーザ光7.10,11に対して第1、第
2、第3の各基準回折格子17.18.19、各1//
2波長板24および各偏光フィルター41を調整機構6
9(第2図(c)参照)により調整して位置決めする。
また、マスク28とウェハ29の再回折光36.37を
分離することができるようにナイフェツジミラー43を
調整機構62(第2図(d)参照)により調整して位置
決めする。その他の光学部品も各々の調整機構を用いて
光路中に調整する。
分離することができるようにナイフェツジミラー43を
調整機構62(第2図(d)参照)により調整して位置
決めする。その他の光学部品も各々の調整機構を用いて
光路中に調整する。
以上のようにアライメントした位置合わせ装置を用いて
マスク28とウェハ2eの位置合わせを行うには、まず
、マスク28とウェハ29をそれぞれ調整機構63のY
軸可動台66(第2図(e)参照)に装着し、光学手段
(図示省略)を用いて概略のアライメントを行う。その
後、上記のようにゼーマンレーザ1から互いにわずかに
周波数が異なり、かつ偏光面が異なるレーザ光2を出射
させ、このレーザ光2を反射ミラー3.8を介して第1
、第2のビームスプリッタ6.9により3方向のレーザ
光7.10.11に分ける。各レーザ光7.10゜11
は反射ミラー12.13.14.16.16によりその
光路を曲げ、第1、第2、第3の基準回折格子17.1
8.19へ入射させて回折する。そして、空間フィルタ
ー23.1/2波長板24、フーリエ変換レンズ26か
らなる第1、第2、第3の照明光学系20,21.22
により±1次回折光26.27をマスク28とウェハ2
9の位置合わせマークである第1、第2、第3の回折格
子3o、31.32と33.34.36に入射させる。
マスク28とウェハ2eの位置合わせを行うには、まず
、マスク28とウェハ29をそれぞれ調整機構63のY
軸可動台66(第2図(e)参照)に装着し、光学手段
(図示省略)を用いて概略のアライメントを行う。その
後、上記のようにゼーマンレーザ1から互いにわずかに
周波数が異なり、かつ偏光面が異なるレーザ光2を出射
させ、このレーザ光2を反射ミラー3.8を介して第1
、第2のビームスプリッタ6.9により3方向のレーザ
光7.10.11に分ける。各レーザ光7.10゜11
は反射ミラー12.13.14.16.16によりその
光路を曲げ、第1、第2、第3の基準回折格子17.1
8.19へ入射させて回折する。そして、空間フィルタ
ー23.1/2波長板24、フーリエ変換レンズ26か
らなる第1、第2、第3の照明光学系20,21.22
により±1次回折光26.27をマスク28とウェハ2
9の位置合わせマークである第1、第2、第3の回折格
子3o、31.32と33.34.36に入射させる。
これら第1、第2、第3の回折格子30.31.32と
33.34.36からの各再回折光36a、36bと3
了a、371)を用いて集光レンズ41、偏光フィルタ
ー42、ナイフェツジミラー43および一対のフォトデ
ィテクタ44.46からなる第1、第2、第3の検出手
段で光ビート信号を検出する。すなわち、各±1次回折
光36a、36bと3了a、37bを集光レンズ41に
より集光し、偏光フィルター42に通して必要な偏光方
向のみを選択し、ナイフェツジミラー43によりマスク
2Bとウェハ29からの同位相の回折光36a、37a
と36b、37bとに分離し、フォトディテクタ44と
46に入射させる。フォトディテクタ44.46からの
出力は回折光36.37の干渉した信号となり、ビート
信号46.47として出力する。このビート信号4e1
4アは、マスク28とウェハ29の第1、第2、第3の
回折格子30.31.32と33.34.360間のそ
れぞれの位置ずれ量と相関関係があり、その結果、マス
ク28とウェハ29の位置ずれ量を求めることができる
。すなわち、サフィックスyとθによりxy座標系にお
ける水平出しとy座標を測定し、サフィックスXにより
X座標を測定する。そしてマスクz8とウェハ29それ
ぞれの信号の位相差を0にするように第2図(e)に示
す調整機構63におけるX軸可動台66とY軸可動台6
6の少なくとも一方を駆動することによりマスク28と
ウェハ29を位置合わせすることができる。
33.34.36からの各再回折光36a、36bと3
了a、371)を用いて集光レンズ41、偏光フィルタ
ー42、ナイフェツジミラー43および一対のフォトデ
ィテクタ44.46からなる第1、第2、第3の検出手
段で光ビート信号を検出する。すなわち、各±1次回折
光36a、36bと3了a、37bを集光レンズ41に
より集光し、偏光フィルター42に通して必要な偏光方
向のみを選択し、ナイフェツジミラー43によりマスク
2Bとウェハ29からの同位相の回折光36a、37a
と36b、37bとに分離し、フォトディテクタ44と
46に入射させる。フォトディテクタ44.46からの
出力は回折光36.37の干渉した信号となり、ビート
信号46.47として出力する。このビート信号4e1
4アは、マスク28とウェハ29の第1、第2、第3の
回折格子30.31.32と33.34.360間のそ
れぞれの位置ずれ量と相関関係があり、その結果、マス
ク28とウェハ29の位置ずれ量を求めることができる
。すなわち、サフィックスyとθによりxy座標系にお
ける水平出しとy座標を測定し、サフィックスXにより
X座標を測定する。そしてマスクz8とウェハ29それ
ぞれの信号の位相差を0にするように第2図(e)に示
す調整機構63におけるX軸可動台66とY軸可動台6
6の少なくとも一方を駆動することによりマスク28と
ウェハ29を位置合わせすることができる。
このように、第1、第2のビームスプリッタ6.9によ
り3つに分けられた各レーザ光7.10.11を、マス
ク28とウェハ29において、それぞれ平行に配置した
第1、第2の回折格子30.31と33.34およびこ
れらと直角方向に配置した第3の回折格子32と33で
回折させ、第1、第2、第3の検出手段38.39.4
0で位置ずれ量を求めるので、マスク28とウェハ29
の2次元のアライメントがナノメーターのオーダーの高
精度で可能になる。
り3つに分けられた各レーザ光7.10.11を、マス
ク28とウェハ29において、それぞれ平行に配置した
第1、第2の回折格子30.31と33.34およびこ
れらと直角方向に配置した第3の回折格子32と33で
回折させ、第1、第2、第3の検出手段38.39.4
0で位置ずれ量を求めるので、マスク28とウェハ29
の2次元のアライメントがナノメーターのオーダーの高
精度で可能になる。
発明の効果
以上述べたように光源からの光を3方向に分け、3つに
分けた光をそれぞれ第1、第2、第3の基準回折格子に
より回折し、これら基準回折格子からの回折光を第1、
第2、第3の照明光学系により選択的に透過させ、マス
クとウェハにそれぞれ平行に配置した第1、第2の回折
格子およびこれら第1、第2の回折格子と直角方向に配
置した第3の回折格子に照明させ、第1、第2、第3の
回折格子からの回折光の光ビート信号を第1、第2、第
3の検出手段により検出し、これらの検出手段から得ら
れる光ビート信号の位相比較から得られる位置ずれ信号
によりマスクおよびウェハの相対位置を制御するように
している。このように、マスクとウェハにそれぞれ平行
に配置した第1、第2の回折格子およびこれらと直角方
向に配置した第3の回折格子を用い、光の干渉を利用し
てマスクとウェハを位置合わせすることにより、マスク
、ウェハの位置合わせを2次元で精密に行うことが可能
である。
分けた光をそれぞれ第1、第2、第3の基準回折格子に
より回折し、これら基準回折格子からの回折光を第1、
第2、第3の照明光学系により選択的に透過させ、マス
クとウェハにそれぞれ平行に配置した第1、第2の回折
格子およびこれら第1、第2の回折格子と直角方向に配
置した第3の回折格子に照明させ、第1、第2、第3の
回折格子からの回折光の光ビート信号を第1、第2、第
3の検出手段により検出し、これらの検出手段から得ら
れる光ビート信号の位相比較から得られる位置ずれ信号
によりマスクおよびウェハの相対位置を制御するように
している。このように、マスクとウェハにそれぞれ平行
に配置した第1、第2の回折格子およびこれらと直角方
向に配置した第3の回折格子を用い、光の干渉を利用し
てマスクとウェハを位置合わせすることにより、マスク
、ウェハの位置合わせを2次元で精密に行うことが可能
である。
また、各光学素子を光軸に対して調整機構により調整す
るようにしているので、正確なアライメントを達成する
ことができる。
るようにしているので、正確なアライメントを達成する
ことができる。
第1図および第2図は本発明の一実施例における位置合
わせ装置を示し、第1図は全体の概略斜視図、第2図(
a)ないしくe)は各素子の調整機構の概略斜視図、第
3図は従来の位置合わせ装置を示す概略説明図である。 1・・・ゼーマンレーザ、6.9・・・ビームスフリツ
タ、17,1B、19・・・基準回折格子、20,21
.22・・・照明光学系、23・・・空間フィルター、
24・・・1//2波長板、26・・・フーリエ変換レ
ンズ、28・・・マスク、29・・・ウェハ、30.3
1.32.33.34.36・・・回折格子、38.3
9.4o・・・検出手段、41・・・集光レンズ、42
・・・偏光フィルター43・・・ナイフェツジミラー、
44.46・・・フォトディテクタ、49.52.69
.62.63・・・調整機構。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名第 図 第 図
わせ装置を示し、第1図は全体の概略斜視図、第2図(
a)ないしくe)は各素子の調整機構の概略斜視図、第
3図は従来の位置合わせ装置を示す概略説明図である。 1・・・ゼーマンレーザ、6.9・・・ビームスフリツ
タ、17,1B、19・・・基準回折格子、20,21
.22・・・照明光学系、23・・・空間フィルター、
24・・・1//2波長板、26・・・フーリエ変換レ
ンズ、28・・・マスク、29・・・ウェハ、30.3
1.32.33.34.36・・・回折格子、38.3
9.4o・・・検出手段、41・・・集光レンズ、42
・・・偏光フィルター43・・・ナイフェツジミラー、
44.46・・・フォトディテクタ、49.52.69
.62.63・・・調整機構。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名第 図 第 図
Claims (7)
- (1)互いにわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異
なる2波長の光を出射する光源と、この光源からの光を
3方向に分ける手段と、3つに分けた光をそれぞれ回折
する第1、第2、第3の基準回折格子と、これらの基準
回折格子からの回折光を選択的に透過する第1、第2、
第3の照明光学系と、マスクとウェハにそれぞれ設けら
れ、上記各照明光学系により照明される平行に配置され
た第1、第2の回折格子およびこれら第1、第2の回折
格子に対して直角方向に配置された第3の回折格子と、
これら第1、第2、第3の回折格子からの回折光の光ビ
ート信号を検出する第1、第2、第3の検出手段を備え
、上記検出手段から得られる光ビート信号の位相比較か
ら得られる位置ずれ信号により、上記マスクおよびウェ
ハの相対位置を制御するように構成したことを特徴とす
る位置合わせ装置。 - (2)光源としてゼーマンレーザを用い、このゼーマン
レーザからのレーザ光を位相補償する1/4波長板を備
えた請求項1記載の位置合わせ装置。 - (3)光源からの光を3方向に分ける手段が第1、第2
のビームスプリッタと、光を必要な方向に曲げる複数個
の反射ミラーを備えた請求項1または2記載の位置合わ
せ装置。 - (4)各照明光学系が基準回折格子からの0次および2
次以降の回折光を除去する空間フィルターと、±1次回
折光の一方の位相を180度変更する位相補償板を有し
、少なくともマスク側でテレセントリックとなつている
請求項1ないし3のいずれかに記載の位置合わせ装置。 - (5)各検出手段がマスクとウェハの第1、第2、第3
の回折格子の再回折光を集める集光レンズと、集光した
回折光のうち、所望の偏光成分のみを選択する偏光素子
と、選択された回折光のうち、マスクとウェハからの回
折光に分離するナイフエッジミラーと、分離された回折
光を受光する各一対のフォトディテクタを備えた請求項
1ないし4のいずれかに記載の位置合わせ装置。 - (6)光源としてゼーマンレーザを用い、このゼーマン
レーザからのレーザ光を位相補償する1/4波長板を備
え、光源からの光を3方向に分ける手段が第1、第2の
ビームスプリッタと、光を必要な方向に曲げる複数個の
反射ミラーを備え、各照明光学系が基準回折格子からの
0次および2次以降の回折光を除去する空間フィルター
と、±1次回折光の一方の位相を180度変更する位相
補償板として1/2波長板を備え、少なくともマスク側
でテレセントリックとなつており、各検出手段がマスク
とウェハの第1、第2、第3の回折格子の再回折光を集
める集光レンズと、集光した回折光のうち、所望の偏光
成分のみを選択する偏光素子と、選択された回折光のう
ち、マスクとウェハからの回折光に分離するナイフエッ
ジミラーと、分離された回折光を受光する各2組のフォ
トディテクタを備えた請求項1記載の位置合わせ装置。 - (7)ゼーマンレーザが光軸に対してあおり2軸と回転
方向と直交方向2軸を調整機構により調整され、ビーム
スプリッタと反射ミラーが光軸に対してあおり2軸と回
転方向と水平1軸方向を調整機構により調整され、1/
4波長板、基準回折格子、1/2波長板および偏向素子
が光軸に対して回転方向を調整機構により調整され、ナ
イフエッジミラーがマスクとウェハの再回折光を分離す
る方向に調整機構により調整され、マスクとウェハが少
なくとも直交方向に調整機構により調整される請求項6
記載の位置合わせ装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1118986A JPH02297005A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 位置合わせ装置 |
US07/518,420 US5025168A (en) | 1989-05-12 | 1990-05-03 | Alignment apparatus including three beams and three gratings |
DE69010978T DE69010978T2 (de) | 1989-05-12 | 1990-05-11 | Ausrichtvorrichtung. |
EP90305127A EP0397530B1 (en) | 1989-05-12 | 1990-05-11 | Alignment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1118986A JPH02297005A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 位置合わせ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02297005A true JPH02297005A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=14750178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1118986A Pending JPH02297005A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 位置合わせ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5025168A (ja) |
EP (1) | EP0397530B1 (ja) |
JP (1) | JPH02297005A (ja) |
DE (1) | DE69010978T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5321502A (en) * | 1991-07-11 | 1994-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and measuring apparatus |
US5404220A (en) * | 1991-10-03 | 1995-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and measuring apparatus for determining the relative displacement of a diffraction grating with respect to a plurality of beams |
CN106092038A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-09 | 宁波大学 | 一种探测激光二维方位及波长的装置及方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2913755B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1999-06-28 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法及び装置 |
WO2018156702A1 (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Nikon Corporation | Measurement of a change in a geometrical characteristic and/or position of a workpiece |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6378004A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合せ方法および露光装置 |
JPS6489323A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Alignment device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5419263B2 (ja) * | 1973-10-17 | 1979-07-13 | ||
FR2436967A1 (fr) * | 1978-09-19 | 1980-04-18 | Thomson Csf | Procede d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches et dispositif d'alignement mettant en oeuvre un tel procede |
JPH0616478B2 (ja) * | 1983-12-19 | 1994-03-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置の位置合せ装置 |
US4708484A (en) * | 1984-10-24 | 1987-11-24 | Hitachi, Ltd. | Projection alignment method and apparatus |
US4870289A (en) * | 1987-09-25 | 1989-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1118986A patent/JPH02297005A/ja active Pending
-
1990
- 1990-05-03 US US07/518,420 patent/US5025168A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-11 DE DE69010978T patent/DE69010978T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-11 EP EP90305127A patent/EP0397530B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6378004A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合せ方法および露光装置 |
JPS6489323A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Alignment device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5321502A (en) * | 1991-07-11 | 1994-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and measuring apparatus |
US5404220A (en) * | 1991-10-03 | 1995-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and measuring apparatus for determining the relative displacement of a diffraction grating with respect to a plurality of beams |
CN106092038A (zh) * | 2016-06-06 | 2016-11-09 | 宁波大学 | 一种探测激光二维方位及波长的装置及方法 |
CN106092038B (zh) * | 2016-06-06 | 2018-08-17 | 宁波大学 | 一种探测激光二维方位及波长的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0397530A3 (en) | 1992-03-25 |
EP0397530A2 (en) | 1990-11-14 |
DE69010978T2 (de) | 1994-12-15 |
EP0397530B1 (en) | 1994-07-27 |
US5025168A (en) | 1991-06-18 |
DE69010978D1 (de) | 1994-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4631416A (en) | Wafer/mask alignment system using diffraction gratings | |
TWI471535B (zh) | 用來判斷關於沿著編碼器刻度之自由度改變的資訊的方法、編碼器系統、光刻系統、光刻方法 | |
EP0467445B1 (en) | Apparatus for projecting a mask pattern on a substrate | |
EP0906590B1 (en) | Lithographic projection apparatus with off-axis alignment unit | |
US6710876B1 (en) | Metrology system using optical phase | |
US9170498B2 (en) | Lithographic apparatus and a method for determining a polarization property of a projection system using an adjustable polarizer and interferometric sensor | |
JP3034115B2 (ja) | 結像方法及び装置並びに物体を正確に変位及び位置決めする装置 | |
TWI636280B (zh) | 物鏡系統 | |
WO2020216325A1 (zh) | 位移测量装置、位移测量方法及光刻设备 | |
JP3187093B2 (ja) | 位置ずれ測定装置 | |
NL1036179A1 (nl) | Lithographic apparatus and method. | |
WO2008052405A1 (en) | Alignment system used in lithography apparatus and diffraction orders-combining system used in alignment system | |
KR20090095505A (ko) | 위치 측정 장치, 위치 측정 방법 및 노광 장치 | |
US9534934B2 (en) | High resolution encoder head | |
US7019843B2 (en) | Method and apparatus for stage mirror mapping | |
JPH02297005A (ja) | 位置合わせ装置 | |
JPH0749926B2 (ja) | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 | |
US5838449A (en) | Optical apparatus | |
US20020196448A1 (en) | Interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system | |
JP3305058B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
EP1492994A2 (en) | Method and apparatus for stage mirror mapping | |
JPH09250904A (ja) | 位置検出装置 | |
JP2809439B2 (ja) | 位置合せ装置 | |
JPH07119575B2 (ja) | 露光装置 | |
JPH08162401A (ja) | 露光装置 |