JPH0229619A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH0229619A JPH0229619A JP17965188A JP17965188A JPH0229619A JP H0229619 A JPH0229619 A JP H0229619A JP 17965188 A JP17965188 A JP 17965188A JP 17965188 A JP17965188 A JP 17965188A JP H0229619 A JPH0229619 A JP H0229619A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１表示素子、光シャッター、ライトバルブ、光
メモリー等に適用可能な液晶素子に関するものである。
メモリー等に適用可能な液晶素子に関するものである。
メモリー性を持つ強誘電性液晶を用いた液晶素子のひと
つに特開昭５６−１０７２１６号公報に開示されたもの
がある。この液晶素子は表面安定化型強誘電性液晶素子
（以下５ＳＦＬＣＤという）である、理想的な５ＳＦＬ
ＣＤは２つの安定状態を持ち、印加する電界の極性によ
りこの２つの安定状態間でスイッチングができるとされ
ている。第１図は５ＳＦＬＣＤにおける液晶分子のスイ
ッチングの様子を液晶層の上方向から見た模式図である
０図中、 Ａ、Ｂは２つの安定化状態における液晶分子
長軸の方向を示している。
つに特開昭５６−１０７２１６号公報に開示されたもの
がある。この液晶素子は表面安定化型強誘電性液晶素子
（以下５ＳＦＬＣＤという）である、理想的な５ＳＦＬ
ＣＤは２つの安定状態を持ち、印加する電界の極性によ
りこの２つの安定状態間でスイッチングができるとされ
ている。第１図は５ＳＦＬＣＤにおける液晶分子のスイ
ッチングの様子を液晶層の上方向から見た模式図である
０図中、 Ａ、Ｂは２つの安定化状態における液晶分子
長軸の方向を示している。
紙面に垂直な方向に、例えば上が＋、下が−の向きに電
界を印加すると分子長軸はＡの方向にそろい、その後電
界を切ってもその配向状態が保たれる。一方、逆向きの
電界を印加すれば分子長軸はＢの方向にそろい、その後
電界を切ってもその配向状態が保たれる。
界を印加すると分子長軸はＡの方向にそろい、その後電
界を切ってもその配向状態が保たれる。一方、逆向きの
電界を印加すれば分子長軸はＢの方向にそろい、その後
電界を切ってもその配向状態が保たれる。
現在、種々の配向方法と液晶材料の組合わせで強誘電性
液晶素子が作られているが、上述のように２つの状態の
み、が安定化した素子の他に、みかけの分子長軸方向の
成す角が電界印加時と非印加時で異っているような素子
や、高電界印加時と低電界印加時で異った配向を示す素
子などの、不完全なメモリー性をもつ素子も提案されて
いる。
液晶素子が作られているが、上述のように２つの状態の
み、が安定化した素子の他に、みかけの分子長軸方向の
成す角が電界印加時と非印加時で異っているような素子
や、高電界印加時と低電界印加時で異った配向を示す素
子などの、不完全なメモリー性をもつ素子も提案されて
いる。
しかしながら、上記従来の液晶素子には以下に述べるよ
うな問題点があった。
うな問題点があった。
上述の液晶素子はメモリー性を持っているため。
電源のスイッチを切るなどして素子の駆動回路部を停止
させても、その直前の配向状態もしくはその配向状態か
ら自然に遷移していった配向状態をとり続けることにな
る。
させても、その直前の配向状態もしくはその配向状態か
ら自然に遷移していった配向状態をとり続けることにな
る。
このような素子を長時間放置すると、長時間とっていた
配向状態により、素子の特性が変化する。
配向状態により、素子の特性が変化する。
その変化の様子を第２図に示す、第２図は電極を有する
一対の基板間に強誘電性液晶を封入して構成されたセル
を２枚の偏光板に挾んだ構造を持つ液晶素子における入
力信号と光透過強度の関係を示したものである。電極に
上記入力信号を駆動信号として入力し、光のオン、オフ
を行うようになっている。第２図中、（ａ）は液晶を封
入して数日内に測定した結果、（ｂ）は暗状態になるよ
うにスイッチングした後に上下電極をショートし、液晶
層に電界がかからないようにして、室温で３週間保存し
た後の結果、（Ｃ）は（ｂ）の測定後にセルの温度を上
げて液晶を再配向させた後の結果、（ｄ）は明状態にな
るようにスイッチングした後に上下電極をショートし、
３週間保存後の結果である。第２図かられかるように、
長時間保存後は保存される直前のスイッチング方向には
良いメモリー性を持つが、反対方向のメモリー性が部分
的にそこなわれている。液晶によっては、上記と逆のメ
モリー性がそこなわれる場合もある。メモリー性がそこ
なわれる原因としては、基板界面近傍の非常に動きにく
い液晶分子が長時間の非駆動期間に再配向することや、
液晶に含まれる極微量の電解質成分が移動することなど
が考えられるが、現在のところは明確でない。
一対の基板間に強誘電性液晶を封入して構成されたセル
を２枚の偏光板に挾んだ構造を持つ液晶素子における入
力信号と光透過強度の関係を示したものである。電極に
上記入力信号を駆動信号として入力し、光のオン、オフ
を行うようになっている。第２図中、（ａ）は液晶を封
入して数日内に測定した結果、（ｂ）は暗状態になるよ
うにスイッチングした後に上下電極をショートし、液晶
層に電界がかからないようにして、室温で３週間保存し
た後の結果、（Ｃ）は（ｂ）の測定後にセルの温度を上
げて液晶を再配向させた後の結果、（ｄ）は明状態にな
るようにスイッチングした後に上下電極をショートし、
３週間保存後の結果である。第２図かられかるように、
長時間保存後は保存される直前のスイッチング方向には
良いメモリー性を持つが、反対方向のメモリー性が部分
的にそこなわれている。液晶によっては、上記と逆のメ
モリー性がそこなわれる場合もある。メモリー性がそこ
なわれる原因としては、基板界面近傍の非常に動きにく
い液晶分子が長時間の非駆動期間に再配向することや、
液晶に含まれる極微量の電解質成分が移動することなど
が考えられるが、現在のところは明確でない。
以上のように、非駆動期間の配向状態により特性が変化
することは素子の信頼性を低下させるので、非常に好ま
しくない。
することは素子の信頼性を低下させるので、非常に好ま
しくない。
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑み、非駆動
期間の配向状態による特性変化をなくシ。
期間の配向状態による特性変化をなくシ。
高速応答性を有し、高コントラストでかつ信頼性の高い
液晶素子を提供することを目的とする。
液晶素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために１本発明によれば、電極を有
する一対の基板間に挾持された強誘電性液晶層と、前記
基板の外側に配置された少なくとも１枚の偏光子からな
り、前記液晶層にしきい値電界以上の電界を印加したと
き液晶分子の配向状態が変化し、かつ電界非印加時にメ
モリー性を有する複数画素構成の液晶素子において、当
該素子のスイッチオフ時に、各画素がオンとオフの状態
を順次スイッチングさせながら、印加電界の大きさを少
しずつ小さくし、その印加電界値がしきい値より小さく
なってから液晶層に電界が印加されないようになり、そ
の後スイッチオフ状態となるような電界を印加する手段
を設けたことを特徴とする液晶素子が提供される。
する一対の基板間に挾持された強誘電性液晶層と、前記
基板の外側に配置された少なくとも１枚の偏光子からな
り、前記液晶層にしきい値電界以上の電界を印加したと
き液晶分子の配向状態が変化し、かつ電界非印加時にメ
モリー性を有する複数画素構成の液晶素子において、当
該素子のスイッチオフ時に、各画素がオンとオフの状態
を順次スイッチングさせながら、印加電界の大きさを少
しずつ小さくし、その印加電界値がしきい値より小さく
なってから液晶層に電界が印加されないようになり、そ
の後スイッチオフ状態となるような電界を印加する手段
を設けたことを特徴とする液晶素子が提供される。
上記手段の具体例としては、例えば、液晶素子のスイッ
チをオフするときに、最初はしきい値電界以上の大きさ
を持ちその大きさが次第に減少していくような交流電界
を印加する回路が挙げられる。この回路によれば、液晶
素子のスイッチオフ時に、最初は十分大きな交流電界を
印加するので全ての画素がＯＮ→ＯＦＦ→ＯＮ→ＯＦＦ
→・・・のようにスイッチングし、前記交流電界の大き
さは連続的に小さくなり、ある大きさまではスイッチン
グが続き。
チをオフするときに、最初はしきい値電界以上の大きさ
を持ちその大きさが次第に減少していくような交流電界
を印加する回路が挙げられる。この回路によれば、液晶
素子のスイッチオフ時に、最初は十分大きな交流電界を
印加するので全ての画素がＯＮ→ＯＦＦ→ＯＮ→ＯＦＦ
→・・・のようにスイッチングし、前記交流電界の大き
さは連続的に小さくなり、ある大きさまではスイッチン
グが続き。
その大きさより小さくなるとスイッチングが起こらなく
なる。そこで駆動回路部を非動作状態とする。このよう
にすることにより、各画素は明確なメモリー状態をとら
ないか、あるいは細かなドメインに分割されメモリー状
態となるため、非駆動期間が長くても特性が変化せず、
均質な特性が維持できる。
なる。そこで駆動回路部を非動作状態とする。このよう
にすることにより、各画素は明確なメモリー状態をとら
ないか、あるいは細かなドメインに分割されメモリー状
態となるため、非駆動期間が長くても特性が変化せず、
均質な特性が維持できる。
液晶素子のスイッチオフ時に液晶層に印加する電界の波
形は駆動方法に依存する。
形は駆動方法に依存する。
上記においては電界値を連続的に減少させる回路を用い
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば
、電界値を連続的に減少させる代わりに周波数を連続的
に増加させ、スイッチングが起きなくなった時点で駆動
回路部を非動作状態とするようにしても良い。
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば
、電界値を連続的に減少させる代わりに周波数を連続的
に増加させ、スイッチングが起きなくなった時点で駆動
回路部を非動作状態とするようにしても良い。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
チッソ社製の強誘電性液晶Ｃ５−１０１１を用い、液晶
層の厚さが２．０．のセルを作った。配向膜としてはポ
リイミドを用い、ラビング方向が平行になるように以下
のＩＴＯ電極付きガラス基板に貼り合わせた。このセル
を一対の偏光板に挾むと、入力信号により画像が形成さ
れる素子が得られた。この液晶素子はメモリー性を有す
るため、入力信号を切っても画像が残った。そこでもう
−度同じ条件で素子を作り、駆動回路に、液晶素子のス
イッチオフ時に最初はしきい値電界以上の大きさを持ち
その大きさが次第に減少していくような交流電界を印加
する回路を設け、前述のような動作を行うようにした。
層の厚さが２．０．のセルを作った。配向膜としてはポ
リイミドを用い、ラビング方向が平行になるように以下
のＩＴＯ電極付きガラス基板に貼り合わせた。このセル
を一対の偏光板に挾むと、入力信号により画像が形成さ
れる素子が得られた。この液晶素子はメモリー性を有す
るため、入力信号を切っても画像が残った。そこでもう
−度同じ条件で素子を作り、駆動回路に、液晶素子のス
イッチオフ時に最初はしきい値電界以上の大きさを持ち
その大きさが次第に減少していくような交流電界を印加
する回路を設け、前述のような動作を行うようにした。
すると素子は長期間保存しても特性が変化せず、均質な
画像が得られた。
画像が得られた。
以上詳細に説明したように、本発明によれば。
素子のスイッチオフ時に画素の全てがオンとオフの状態
を順次繰り返しながら非動作状態になり、しかる後にそ
のスイッチングを停止させる如き電界を印加する手段を
設けたので、非駆動期間において各画素は明確なメモリ
ー状態をとらないが、あるいは細かなドメインに分割さ
れてがらメモリー状態となるため、非駆動期間の配向状
態による特性変化がなくなり、高速応答性を有し、高コ
ントラストで信頼性の高い液晶素子が提供される。
を順次繰り返しながら非動作状態になり、しかる後にそ
のスイッチングを停止させる如き電界を印加する手段を
設けたので、非駆動期間において各画素は明確なメモリ
ー状態をとらないが、あるいは細かなドメインに分割さ
れてがらメモリー状態となるため、非駆動期間の配向状
態による特性変化がなくなり、高速応答性を有し、高コ
ントラストで信頼性の高い液晶素子が提供される。
第１図は５ＳＦＬＣＤにおける液晶分子の２つの安定状
態を示す模式図、第２図は従来の液晶素子における入力
信号と光透過強度の関係を示す図である。 Ａ、Ｂ・・・２つの安定化状態における液晶分子長軸方
向
態を示す模式図、第２図は従来の液晶素子における入力
信号と光透過強度の関係を示す図である。 Ａ、Ｂ・・・２つの安定化状態における液晶分子長軸方
向
Claims (1)
- （１）電極を有する一対の基板間に挾持された強誘電性
液晶層と、前記基板の外側に配置された少なくとも１枚
の偏光子からなり、前記液晶層にしきい値電界以上の電
界を印加したとき液晶分子の配向状態が変化し、かつ電
界非印加時にメモリー性を有する複数画素構成の液晶素
子において、当該素子のスイッチオフ時に、各画素がオ
ンとオフの状態を順次スイッチングさせながら、印加電
界の大きさを少しずつ小さくし、その印加電界値がしき
い値より小さくなってから液晶層に電界が印加されない
ようになり、その後スイッチオフ状態となるような電界
を印加する手段を設けたことを特徴とする液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17965188A JP2651842B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17965188A JP2651842B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229619A true JPH0229619A (ja) | 1990-01-31 |
| JP2651842B2 JP2651842B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16069501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17965188A Expired - Fee Related JP2651842B2 (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2651842B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030207A1 (fr) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede servant a prevenir et remedier a une persistance d'image d'un appareil a cristaux liquides ferroelectriques |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP17965188A patent/JP2651842B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030207A1 (fr) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede servant a prevenir et remedier a une persistance d'image d'un appareil a cristaux liquides ferroelectriques |
| US6812914B1 (en) | 1997-12-05 | 2004-11-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of image sticking prevention and recovery treatment for ferroelectric liquid crystal device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2651842B2 (ja) | 1997-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |