JPH02295051A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH02295051A JPH02295051A JP1116314A JP11631489A JPH02295051A JP H02295051 A JPH02295051 A JP H02295051A JP 1116314 A JP1116314 A JP 1116314A JP 11631489 A JP11631489 A JP 11631489A JP H02295051 A JPH02295051 A JP H02295051A
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- JP
- Japan
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- substrate
- ion implantation
- amount
- light
- ellipsometer
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- Pending
Links
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 22
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関する。
従来のイオン注入装置では、注入量をモニターずる方法
として、ビーム電流をファラデー計測系て測定し、注入
量換算を行っていた。以下第４図を用いて説明する。
として、ビーム電流をファラデー計測系て測定し、注入
量換算を行っていた。以下第４図を用いて説明する。
イオン源７から引き出されたイオンビームは分析管６，
加速管５を通った後、被注入材料である基板１に注入さ
れる。基板１および基板の支持具２でうけたヒーム電流
は、電流増幅器１８で増幅，積分され、イオン注入量と
して測定されていた。実際のイオンの注入量制御はビー
ムシャッター１７を駆動することにより行われている。
加速管５を通った後、被注入材料である基板１に注入さ
れる。基板１および基板の支持具２でうけたヒーム電流
は、電流増幅器１８で増幅，積分され、イオン注入量と
して測定されていた。実際のイオンの注入量制御はビー
ムシャッター１７を駆動することにより行われている。
ビームシャッター１７を立てた状態で所定の調整実施後
、ビームシャッター１７を倒して基板１にイオン注入を
開始する。この操作によりイオンビームが基板１に達す
る。前述の計測手段で得られた注入量が目標の注入量に
達した時、ビームシャッター１−７を立ててイオンビー
ムが基板］に到達しないようにする。この一連の動作で
注入量の制御をしていた。
、ビームシャッター１７を倒して基板１にイオン注入を
開始する。この操作によりイオンビームが基板１に達す
る。前述の計測手段で得られた注入量が目標の注入量に
達した時、ビームシャッター１−７を立ててイオンビー
ムが基板］に到達しないようにする。この一連の動作で
注入量の制御をしていた。
一般にイオン注入を行う真空チャンバーの真空度が通常
より悪くなった場合、イオンは中性化する割合がふえる
。中性化したイオンは、基板に打ちこまれているのにか
かわらずビーム電流として測定されないので、イオン注
入量として測定されない。逆に、ヒーム電流測定系にイ
オン源やザプレッサーからのリーク電流が流れ込むと、
基板にはイオンが打ちこまれていないのにかかわらずリ
ーク電流をイオン注入量として測定してしまう。
より悪くなった場合、イオンは中性化する割合がふえる
。中性化したイオンは、基板に打ちこまれているのにか
かわらずビーム電流として測定されないので、イオン注
入量として測定されない。逆に、ヒーム電流測定系にイ
オン源やザプレッサーからのリーク電流が流れ込むと、
基板にはイオンが打ちこまれていないのにかかわらずリ
ーク電流をイオン注入量として測定してしまう。
このように従来のイオン注入装置での、ヒーム電流測定
によるイオン注入量モニターでは誤差が大きくなるとい
う欠点があった。
によるイオン注入量モニターでは誤差が大きくなるとい
う欠点があった。
本発明のイオン注入装置は、イオン源からのイオンを分
離・加速し、真空チャンバー内に保持された基板に注入
するイオン注入装置において、発光部がレーザと偏光子
と変調器からなり、偏光変調されたレーザ光を基板に照
射し、反射しなレーザ光を検光子と受光器からなる受光
部にて検出するように構成されたエリプソメータを備え
たものてある。
離・加速し、真空チャンバー内に保持された基板に注入
するイオン注入装置において、発光部がレーザと偏光子
と変調器からなり、偏光変調されたレーザ光を基板に照
射し、反射しなレーザ光を検光子と受光器からなる受光
部にて検出するように構成されたエリプソメータを備え
たものてある。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図である。
イオン源７から引き出されたイオンビームは、分析管６
と加速管５を通った後、真空チャンバー９内の保持具２
に保持された基板１に垂直に注入される。そして、この
基板１に斜方よりレーザー光線を照射する発光部３と、
基板１からの反射光を受光する受光部４とからなるエリ
プソメータが設けられている。
と加速管５を通った後、真空チャンバー９内の保持具２
に保持された基板１に垂直に注入される。そして、この
基板１に斜方よりレーザー光線を照射する発光部３と、
基板１からの反射光を受光する受光部４とからなるエリ
プソメータが設けられている。
このエリプソメータは第２図に示すように、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザー１１の先に偏光子１２，変調器１３を設け、偏
光・変調されたレーザー光線を基板１に照射する発光部
３と、基板１からの反射光を検出するための検光子１４
と受光器１５とからなる受光部４とから構成されている
。
レーザー１１の先に偏光子１２，変調器１３を設け、偏
光・変調されたレーザー光線を基板１に照射する発光部
３と、基板１からの反射光を検出するための検光子１４
と受光器１５とからなる受光部４とから構成されている
。
受光器１５からの検出信号を電算器１６で処理し、基板
１の光吸収係数を求める。イオン注入前後の光吸収係数
の差は、注入されたイオン量に比例するので、これらの
操作により基板１に注入されたイオン量を求めることが
できる。つまりエリプソメータによる光吸収係数の測定
を、イオン注入中の基板１に対して行うことで、即時に
正碑なイオン注入量が判明する。
１の光吸収係数を求める。イオン注入前後の光吸収係数
の差は、注入されたイオン量に比例するので、これらの
操作により基板１に注入されたイオン量を求めることが
できる。つまりエリプソメータによる光吸収係数の測定
を、イオン注入中の基板１に対して行うことで、即時に
正碑なイオン注入量が判明する。
実際の注入量制御は、 ビームシャッター１７をエアシ
リンダー（図省略）により立てたり倒したりして行う。
リンダー（図省略）により立てたり倒したりして行う。
注入開始時ビームシャッター１７を倒すことで基板１に
イオンが注入される。エリプソメータによる光吸収係数
の測定で得られた注入量が目標の注入量に到達したら、
電算器１６は注入終了信号を発しビームシャッター １
７を立てる。基板１の出し入れは、予備真空室８を通し
て行う。
イオンが注入される。エリプソメータによる光吸収係数
の測定で得られた注入量が目標の注入量に到達したら、
電算器１６は注入終了信号を発しビームシャッター １
７を立てる。基板１の出し入れは、予備真空室８を通し
て行う。
また本第１の実施例は、ビームラインに対し基板］の表
面が垂直になる例であるが、任意の注入角度になるよう
に基板１を傾けた場合、レーザ受光部４の位置を基板１
からの反射光を受光できる位置に設置すれば問題ない。
面が垂直になる例であるが、任意の注入角度になるよう
に基板１を傾けた場合、レーザ受光部４の位置を基板１
からの反射光を受光できる位置に設置すれば問題ない。
第３図は、本発明の第２の実施例の平面図である。
イオン源、７分析管６，加速管５．発光部３受光部４は
、第１の実施例と同し楕造である。この第２の実施例で
はさらに基板１及び保持具２に受けるヒーム電流を、電
流増幅器１８で測定するようにする。この電流増幅器１
８で測定したイオン注入量と、エリプソメータで測定し
た注入量とを比較する比較器１９を設け、比較器１９に
より差が生じた時は、警報を出すようアラームブザー２
０が設けてある。
、第１の実施例と同し楕造である。この第２の実施例で
はさらに基板１及び保持具２に受けるヒーム電流を、電
流増幅器１８で測定するようにする。この電流増幅器１
８で測定したイオン注入量と、エリプソメータで測定し
た注入量とを比較する比較器１９を設け、比較器１９に
より差が生じた時は、警報を出すようアラームブザー２
０が設けてある。
このように構成された第２の実施例によれば、真空チャ
ンバーのリーク等、装置のトラブルを早期に発見できる
という利点がある。
ンバーのリーク等、装置のトラブルを早期に発見できる
という利点がある。
以上説明したように本発明は、イオン注入を行う真空チ
ャンバー中の基板に対し、偏光・変調されたレーザー光
線を照射し、反射したレーザ光線を受光するエリプソメ
ータを備えることにより、真空度やリーク電流に影響さ
れることなく、正確なイオン注入量を測定できる効果か
ある。
ャンバー中の基板に対し、偏光・変調されたレーザー光
線を照射し、反射したレーザ光線を受光するエリプソメ
ータを備えることにより、真空度やリーク電流に影響さ
れることなく、正確なイオン注入量を測定できる効果か
ある。
第１図は本発明の第コの実施例の平面図、第２図は第１
図のエリプソメータの拡大図、第３図は本発明の第２の
実施例の平面図、第４図は従来のイオン注入装置の平面
図である。
図のエリプソメータの拡大図、第３図は本発明の第２の
実施例の平面図、第４図は従来のイオン注入装置の平面
図である。
Claims (1)
- イオン源からのイオンを分離・加速し、真空チャンバー
内に保持された基板に注入するイオン注入装置において
、発光部がレーザと偏光子と変調器からなり、偏光・変
調されたレーザ光を基板に照射し、反射したレーザ光を
検光子と受光器からなる受光部にて検出するように構成
されたエリプソメータを備えたことを特徴とするイオン
注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116314A JPH02295051A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116314A JPH02295051A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295051A true JPH02295051A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14683928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1116314A Pending JPH02295051A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295051A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091342A3 (en) * | 2004-03-18 | 2005-11-17 | Axcelis Tech Inc | In-situ monitoring on a spinning-disk ion implanter |
| JP2006179875A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の作製方法 |
| KR100764696B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2007-10-08 | 한양대학교 산학협력단 | 광경로 보호형 진공자외선 분광타원해석기 |
| US8188402B2 (en) | 2004-11-29 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment apparatus, laser treatment method, and manufacturing method of semiconductor device |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1116314A patent/JPH02295051A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005091342A3 (en) * | 2004-03-18 | 2005-11-17 | Axcelis Tech Inc | In-situ monitoring on a spinning-disk ion implanter |
| JP2006179875A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-07-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の作製方法 |
| US8188402B2 (en) | 2004-11-29 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment apparatus, laser treatment method, and manufacturing method of semiconductor device |
| KR100764696B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2007-10-08 | 한양대학교 산학협력단 | 광경로 보호형 진공자외선 분광타원해석기 |
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