JPH02284418A - Thermal treatment device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To prevent dislocation due to thermal stress from taking place in a wafer by establishing a connection between wafer retention grooves and the wafer so that stress at each point of contact with the opening edges in the wafer retention grooves becomes less than yield stress in the case of thermal treatment. CONSTITUTION:A wafer 1 is supported in a state that a part of the outer peripheral part of the water is inserted into retention grooves 12 and is placed against retention members. In such a case, as the groove width (d) of each retention groove 12 allows same surplus S for fitting the wafer into each groove, the wafer 1 has an inclination at the inside of the retention groove 12 and leans against a rising wall. Then, when the allowance S is less than 100mum, the groove width (d) is established so that a distance L between the uppermost point of contact 14 and the lowermost point of contact 15 with which the wafer 1 is in contact respectively in the retention grooves may become more than 15mm and less than the diameter of the wafer 1. In other words, each groove width (d) is established so that the wafer 1 supported at the retention grooves 12 allows each stress acting upon respective points of contact to be less than yield stress at the temp. of 1200 deg.. In this way, the state of stress prevents dislocation due to thermal stress from taking place in the wafer.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハ（以下、ウェハという。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers).

）の熱処理技術、特に、７００°Ｃ以上の高温度で熱処
理する技術に関し、例えば、半導体装置の製造工程にお
いて、ウェハに不純物を拡散する熱処理技術に利用して
有効なものに関する。The present invention relates to a heat treatment technique (), particularly a heat treatment technique at a high temperature of 700° C. or higher, which is effective for use as a heat treatment technique for diffusing impurities into a wafer, for example, in the manufacturing process of semiconductor devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置の製造工程において、ウェハに不純物を拡散
させる拡散装置として、複数枚のウェハを処理治具とし
てのホードに載せてプロセスチュブ内に収容し、ヒータ
で７００　℃以」二に加熱しながら、燐化合物または硼
素化合物等から発生された不純物ガスと接触さ〜Ｕるよ
・うに構成されているものがある。In the manufacturing process of semiconductor devices, as a diffusion device for diffusing impurities into wafers, a plurality of wafers are placed on a hoard serving as a processing jig, housed in a process tube, and heated to a temperature of 700°C or higher with a heater. Some devices are constructed so as to come into contact with impurity gases generated from phosphorus compounds, boron compounds, etc.

そして、このような拡散装置に使用されるホトとして、
３本以上の石英ガラス棒をボート形状に構築された保持
部材の上面に保持溝が複数条、互いに平行に横並びに配
されて、ウェハをその外周辺の一部を嵌入して保持し得
るように刻設されているものがある。このボートにおい
ては、保持溝におけるウェハに対する接触部分が可及的
に少なくなるように、その構造について配慮されている
。これは、ボートとウェハとの熱容量の違いによる転位
発生を防止するのには有効なものとなっている。And, as the photovoltaic material used in such a diffusion device,
A plurality of holding grooves are arranged side by side in parallel to each other on the upper surface of a holding member constructed of three or more quartz glass rods in a boat shape, so that a wafer can be held by fitting a part of its outer periphery. There is something engraved on it. In this boat, consideration has been given to the structure so that the contact area with the wafer in the holding groove is as small as possible. This is effective in preventing dislocations from occurring due to the difference in heat capacity between the boat and the wafer.

なお、拡散波４４ｉを述べである例としては、株式％式
％ 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、ウェハの口径が大きくなるにつれてウェハの自
重が重くなって来ると、熱容量の違いによる転位上は別
に、ウェハの保持溝との接点に熱応力による転位が発生
ずるという問題点があることが、本発明者によって明ら
かにされた。Incidentally, as an example of the diffusion wave 44i, the stock % formula % [Problem to be solved by the invention] However, as the diameter of the wafer becomes larger and the weight of the wafer becomes heavier, dislocations due to the difference in heat capacity occur. In addition to the above, the inventors have discovered that there is a problem in that dislocations occur due to thermal stress at the contact point of the wafer with the holding groove.

すなわち、ウェハ保持溝にはウェハ嵌入のための余裕が
見込まれているため、保持溝に嵌入保持された状態にお
いて、ウェハは保持溝内で傾斜して後壁乙こもたれかか
る。このとき、ウェハは保持溝開口縁の微小Ｖ４域にお
いてその自重を支えられることになるが、ウェハの自重
が大きくなると、この支点にお＆Ｊる単位面積当たりの
支持力、すなわち、応力が増大することになる。この応
力が高温度下の熱処理によってその温度での降伏応力を
越えると、熱応力が発生ずる。That is, since the wafer holding groove is expected to have a margin for fitting the wafer, when the wafer is fitted and held in the holding groove, the wafer inclines within the holding groove and leans against the rear wall. At this time, the wafer's own weight is supported by the tiny V4 area at the edge of the opening of the holding groove, but as the wafer's own weight increases, the supporting force per unit area, that is, the stress applied to this fulcrum increases. It turns out. When this stress exceeds the yield stress at high temperature due to heat treatment, thermal stress is generated.

本発明の目的は、このようにして発生ずる熱応力転位を
防止することができる熱処理技術を提供することにある
。An object of the present invention is to provide a heat treatment technique that can prevent thermal stress dislocations that occur in this manner.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添４１図面から明らかになるであろ
う。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するだめの手段〕[Failure to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。An overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、プロセスチューブに対して搬入搬出される治
具が長さを有する保持部材を備えており、この保持部材
の上面に半導体ウェハをその一部を嵌入されて保持する
保持溝が複数条、互いに平行に横並びに配されて刻設さ
れている熱処理装置において、前記保持溝に保持された
半導体ウェハが溝開口縁と接した状態において、その接
点乙こ加わる半導体ウェハ自重による応力がその半導体
ウェハの熱処理時における降伏応力以下になるように、
前記保持溝とウェハとの関係を設定したものである。That is, the jig carried in and out of the process tube is equipped with a long holding member, and a plurality of holding grooves into which a part of the semiconductor wafer is inserted and held are formed on the upper surface of the holding member. In a heat treatment device in which the semiconductor wafers are carved side by side in parallel, when the semiconductor wafers held in the holding grooves are in contact with the groove opening edges, the stress due to the weight of the semiconductor wafers applied to the contact points causes stress on the semiconductor wafers. To ensure that the stress is below the yield stress during heat treatment,
The relationship between the holding groove and the wafer is set.

〔作用〕[Effect]

前記した手段によれば、半導体ウェハの保持溝開口縁と
の接点における応力が、熱処理時乙こおりる降伏応力以
下になるため、半導体ウェハには熱応力による転位が発
生ずることはない。According to the above-described means, the stress at the contact point of the semiconductor wafer with the opening edge of the holding groove is less than the yield stress that occurs during heat treatment, so that no dislocation occurs in the semiconductor wafer due to thermal stress.

〔実施例〕〔Example〕

第１図は本発明の一実施例である拡散装置に使はその一
部省略一部切断側面図、第３図は第２図のｍｌ−ＩＩＩ
線に沿う断面図、第４図はその作用を説明するだめの線
図、第５図はその拡散装置を示す縦断面図である。Fig. 1 is a partially omitted side view of a diffusion device according to an embodiment of the present invention, and Fig. 3 is a partially cutaway side view of a diffusion device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line, FIG. 4 is a diagram for explaining its function, and FIG. 5 is a longitudinal cross-sectional view showing the diffusion device.

本実施例において、この拡散装置は、石英ガラス等から
略円筒形状乙こ形成されているプロセスチューブ１を備
えており、このプロセスチューブ１の内部室は処理室２
を形成している。プロセスチューブ１の外部にはヒータ
３が設置されており、ヒータ３は制御装置（図示せず）
に制御されて処理室２を加熱するように構成されている
。プロセスチューブ１の一端には燐化合物や硼素化合物
等から発生された不純物ガスを導入するだめの供給口４
が開設されている。プロセスチューブ１の他端には、被
処理物としてのウェハを出し入れするための開口部とし
ての炉口５が開設されており、炉口５にはこれを閉塞し
得るキャップ６が着脱自在に嵌入されるようになってい
る。In this embodiment, this diffusion device is equipped with a process tube 1 made of quartz glass or the like and formed into a substantially cylindrical shape.
is formed. A heater 3 is installed outside the process tube 1, and the heater 3 is connected to a control device (not shown).
It is configured to heat the processing chamber 2 under control. At one end of the process tube 1 is a supply port 4 for introducing impurity gas generated from phosphorus compounds, boron compounds, etc.
has been established. A furnace port 5 is provided at the other end of the process tube 1 as an opening for loading and unloading wafers as processing objects, and a cap 6 that can close the furnace port 5 is removably fitted into the furnace port 5. It is now possible to do so.

被処理物としてのウェハ７は第２図に示されているよう
に、構成されているウェハ保持治具としてのボート１０
に複数枚、互いに平行で同心軸上に並べられ略垂直に立
てられて保持されるようになっている。第２図に示され
ているボート１０ば３本の保持部材１１を備えており、
保持部材ＩＩは石英ガラスを用いられて細長い丸棒形状
に形成されている。３本の保持部材１１は互いに前後両
端を揃えられて長手方向に平行に、かつ、ウェハ７の円
周に対応する短い円弧上にそれぞれ位置するように整列
されているとともに、長さ方向の複数箇所における下面
に配されてそれぞれ溶着された連結部材１３により、ポ
ート形状に構築されている。The wafer 7 as an object to be processed is held in a boat 10 as a wafer holding jig configured as shown in FIG.
A plurality of them are lined up parallel to each other on concentric axes and are held in a substantially vertical position. The boat 10 shown in FIG. 2 is equipped with three holding members 11,
The holding member II is made of quartz glass and is formed into an elongated round bar shape. The three holding members 11 are arranged so that their front and back ends are aligned with each other, parallel to the longitudinal direction, and each located on a short arc corresponding to the circumference of the wafer 7, and a plurality of holding members 11 are arranged in a plurality of positions in the longitudinal direction. It is constructed in a port shape by connecting members 13 arranged on the lower surface at the points and welded to each other.

各保持部材１１にはウェハ７を保持するための保持溝１
２が各保持部材１１同士で１条の溝を構成するように刻
設されており、この保持溝１２ば複数条が保持部材１１
の長手方向に適当な間隔をおいて互いに平行に１列に配
列されている。Each holding member 11 has a holding groove 1 for holding the wafer 7.
2 are carved so that each holding member 11 constitutes one groove, and each holding groove 12 has a plurality of grooves formed on the holding member 11.
are arranged in a row parallel to each other at appropriate intervals in the longitudinal direction.

本実施例において、保持溝１２の幅ｄは、その溝幅ｄと
ウェハ７の厚さＬとの差Ｓが１００μｍ以下の時に、こ
の保持溝１２においてウェハ７がそれぞれ接する最上部
接点１４と最下部接点１５との間の距ＭＬが１５肛以上
であってウェハ７の直径以下になるように設定されてい
る。これは後述するように、ウェハの保持溝に対する接
点に働く応力σに関する式と、第５図に示されている線
図との関係により定められている。つまり、この保持溝
１２の溝幅ｄは、この保持溝１２に保持されたウェハ７
が各接点に働く応力σが第５図に示されているように、
ｌ　２００　℃における降伏応力以下になるように設定
されている。In this embodiment, when the difference S between the groove width d and the thickness L of the wafer 7 is 100 μm or less, the width d of the holding groove 12 is the same as the uppermost contact point 14 that the wafer 7 contacts in the holding groove 12. The distance ML from the lower contact point 15 is set to be 15 or more and less than the diameter of the wafer 7. As will be described later, this is determined by the relationship between the equation regarding the stress σ acting on the contact point of the wafer with respect to the holding groove and the diagram shown in FIG. In other words, the groove width d of this holding groove 12 is the width of the wafer 7 held in this holding groove 12.
As shown in Figure 5, the stress σ acting on each contact point is
It is set to be less than the yield stress at 200°C.

次に作用を説明する。Next, the action will be explained.

被処理物としてのウェハ７を複数枚整列保持したボート
１０は、プロセスチューブｌの炉口５から搬入されると
ともに、プロセスチューブ１の底面上を摺動されて処理
室２の所定位置にセントされる。A boat 10 holding a plurality of wafers 7 as objects to be processed is carried in through the furnace opening 5 of the process tube 1, and is slid on the bottom surface of the process tube 1 and placed at a predetermined position in the processing chamber 2. Ru.

その後、プロセスチューブ１の炉口５がキャップ６によ
り閉塞されるとともに、処理室２がヒータ３により所定
温度に加熱されると、ガス供給口４から処理ガスが供給
され、この処理ガスがボート１０に保持されているウェ
ハ７群に接触することにより、所定の拡散処理が行われ
る。Thereafter, when the furnace port 5 of the process tube 1 is closed by the cap 6 and the process chamber 2 is heated to a predetermined temperature by the heater 3, process gas is supplied from the gas supply port 4, and this process gas is transferred to the boat 10. A predetermined diffusion process is performed by contacting the group of 7 wafers held in the wafer 7 .

所定の処理が終了すると、ボートＩＯは引出棒を引っ掛
けられてプロセスチューブ１内の底面上を摺動されなが
ら、プロセスチューブ１の炉１コ５から引き出される。When a predetermined process is completed, the boat IO is pulled out from the furnace 1 5 of the process tube 1 while being hooked by a pull-out rod and sliding on the bottom surface of the process tube 1 .

ここで、第１図に示されているように、ウェハ７は保持
溝１２内にその外周辺の一部を嵌入され立脚された状態
で保持される。このとき、保持溝１２の溝幅ｄには嵌入
のための余裕Ｓが見込まれているため、ウェハ７は保持
溝１２の内部で傾斜して立ち上がり壁にもたれかかるこ
とになる。その結果、ウェハ７の保持溝１２内に嵌入さ
れた部分の両面は保持溝１２の立ち上がり壁面に接触す
ることになる。Here, as shown in FIG. 1, a part of the outer periphery of the wafer 7 is fitted into the holding groove 12 and is held in an upright state. At this time, since the groove width d of the holding groove 12 is expected to have a margin S for fitting, the wafer 7 tilts inside the holding groove 12 and leans against the wall. As a result, both surfaces of the portion of the wafer 7 fitted into the holding groove 12 come into contact with the rising wall surfaces of the holding groove 12.

このとき、各接点に働く応力σは、次式（１）に比例す
る。At this time, the stress σ acting on each contact point is proportional to the following equation (1).

６ｃｃｔ　ＸＳ／ｎＸＬ２・−・（１）ここで、ｔはウ
ェハの厚さ、Ｓはウェハと保持溝の幅との差（すなわち
、余裕）、Ｌは最上部接点１４と最下部接点１５との距
離（以下、接点間距離という、、）、ｎは接点の数、で
ある。6cct The distance (hereinafter referred to as the distance between contacts), n is the number of contacts.

この（１）式により、保持溝１２のウェハ７の厚さｔに
対する余裕Ｓと、接点間距離りとが、ウェハ７と保持溝
１２との相関関係を決定するパラメータになる。According to this equation (1), the margin S of the holding groove 12 with respect to the thickness t of the wafer 7 and the distance between the contacts become parameters that determine the correlation between the wafer 7 and the holding groove 12.

そして、保持溝１２のウェハ７の厚さｔに対する余裕Ｓ
が、１００μｍの時における応力σと、接点間距離りと
の相関関係を求めると、第５図に示されている線図の通
りになる。Then, a margin S of the holding groove 12 with respect to the thickness t of the wafer 7
However, when the correlation between the stress σ and the distance between the contacts when the stress is 100 μm is determined, the diagram shown in FIG. 5 is obtained.

第５図に示されている線図において、熱処理温度１２０
０°Ｃにおけるウェハ７の降伏応力はσｍａＸで示され
ている通りであり、これに対応する接点開路ｉｄＬは１
５ＩｕＩ１１である。したがって、１２００°Ｃの温度
で拡散処理される場合には、接点間距離りが１５ｍｍ以
下に、かつ、余裕Ｓが１００μｍなるように、保持溝１
２の溝幅ｄとウェハ７の厚さｔとを定めることにより、
熱応力σが降伏応力σｍａｘを越えるのを防止すること
ができる。In the diagram shown in FIG. 5, the heat treatment temperature is 120
The yield stress of the wafer 7 at 0°C is as shown by σmaX, and the corresponding contact opening idL is 1
5IuI11. Therefore, when diffusion treatment is performed at a temperature of 1200°C, the holding grooves should be set so that the distance between the contacts is 15 mm or less and the margin S is 100 μm.
By determining the groove width d of 2 and the thickness t of the wafer 7,
It is possible to prevent the thermal stress σ from exceeding the yield stress σmax.

このため、熱応力による転位が発生するのを防止するこ
とができる。その結果、転位発生によるデバイスのリー
ク不良の発生を未然に防止することができ、ウェハ周辺
部から採取されたデバイスについての不良の発生を防止
することにより、製造歩留りを高めることができ、製造
原価を低域さ−けることができる。Therefore, it is possible to prevent dislocations from occurring due to thermal stress. As a result, it is possible to prevent the occurrence of leakage defects in devices due to the occurrence of dislocations, and by preventing the occurrence of defects in devices sampled from the periphery of the wafer, it is possible to increase manufacturing yields and reduce manufacturing costs. You can search the low range.

前記実施例によれば次の効果が得られる。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.

（１）　　ウェハの保持溝開口縁との接点における応力
が熱処理時にお＋３る降伏応力以下になるように、熱処
理治具におけるウェハ保持２Ｍとウェハとの関係を設定
することにより、ウェハに熱応力による転位が発生ずる
のを防止することができるため、製造歩留りを高めるこ
とができ、製造原価を低減させることができる。(1) By setting the relationship between the wafer holder 2M in the heat treatment jig and the wafer so that the stress at the contact point of the wafer with the opening edge of the holding groove is less than the yield stress of +3 during heat treatment, thermal stress is reduced on the wafer. Since it is possible to prevent the occurrence of dislocations due to the formation of the metal, the manufacturing yield can be increased and the manufacturing cost can be reduced.

（２）　　前記（１）により、ウェハが大口径になった
場合ムこおいても、ウェハ自重増大化に伴う熱応力によ
る転位の発生を防止することができるため、ウェハの大
口径化を促進させることができ、その結果、半導体装置
の生産性を高めろことができる。(2) Due to (1) above, even if the diameter of the wafer becomes large, it is possible to prevent the occurrence of dislocations due to thermal stress due to the increase in the weight of the wafer, thereby promoting the increase in the diameter of the wafer. As a result, the productivity of semiconductor devices can be improved.

さとの差が１００μｍ以下の時に、接点間距離が１５ｍ
ｍ以−にになるように、保持溝とウェハとの関係を設定
することにより、その熱応力が１２００℃Ｌこおける降
伏応力を越えるのを防止することができるため、１２０
０°Ｃの熱処理下においても、熱応力による転位がウェ
ハに発生するのを防止することができる。The distance between the contacts is 15m when the difference between the
By setting the relationship between the holding groove and the wafer so that it is less than 120 m, it is possible to prevent the thermal stress from exceeding the yield stress at 1200°C.
Even under heat treatment at 0°C, it is possible to prevent dislocations from occurring in the wafer due to thermal stress.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

例えば、治具ば前記実施例に示されている構造のものを
使用するに限らず、第６図および第７図に示されている
ような治具１０Ａを使用してもよい。For example, the jig structure is not limited to that shown in the embodiment described above, but a jig 10A as shown in FIGS. 6 and 7 may also be used.

第６図および第７図において、治具１０Ａは両側壁が上
方法がりになったチャンＺル型鋼形状に形成されている
保持部材ＬＬＡを備えており、こＬ２Ａが複数条刻設さ
れている。そして、この保持溝１２　Ａはウェハ７との
関係において、余裕Ｓが１００　ｌｔ　ｍの時に、接点
間距離Ｉ、が１５ｍｍ以−（・になるようムこ設定され
ている。したがって、その作用および効果は前記実施例
と同様である。In FIGS. 6 and 7, the jig 10A is equipped with a holding member LLA formed in the shape of a channel Z-shaped steel with both side walls slanted upward, and a plurality of strips L2A are formed on the holding member LLA. . In relation to the wafer 7, this holding groove 12A is set so that when the margin S is 100 lt m, the distance I between the contacts is 15 mm or more. The effect is similar to that of the previous embodiment.

また、熱処理治具は石英ガラスを用いて製作するに限ら
ず、シリコン（Ｓｌ）や炭化シリコン（Ｓｉｃ）等のよ
うな耐熱性を有する材料を用いて製作してもよい。Further, the heat treatment jig is not limited to being manufactured using quartz glass, but may be manufactured using a heat-resistant material such as silicon (Sl) or silicon carbide (Sic).

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である拡散装置に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、熱酸化装置、アニーリング装置、減圧ＣＶＤ装置等
のような熱処理装置全般に適用することができる。特に
、本発明は、大口径または大重量のウェハを７００　℃
以」−の高温度下で熱処理する場合に適用して優れた効
果を発揮する。In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to a diffusion device, which is the background field of application. The present invention can be applied to general heat treatment equipment such as equipment. In particular, the present invention can process large diameter or heavy wafers at 700°C.
It exhibits excellent effects when applied to heat treatment at high temperatures as described below.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

のによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通り
である。A brief explanation of the effects obtained is as follows.

ウェハの保持溝開口縁との接点における応力が熱処理時
にお＋ｊる降伏応力以下になるよう乙こ、熱処理治具に
お＋Ｊるウェハ保持溝とウェハとの関係を設定すること
により、ウニ／％に熱応力乙こよる転位が発生ずるのを
防止することができるため、製造歩留りを高めることが
でき、原価を低減させることができる。By setting the relationship between the wafer holding groove and the wafer in the heat treatment jig so that the stress at the contact point of the wafer with the opening edge of the holding groove is less than the yield stress applied during heat treatment, the Since dislocations caused by thermal stress can be prevented from occurring, manufacturing yields can be increased and cost costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の一実施例である拡散装置に使用されて
いる治具を示す拡大部分断面図、第２図はその一部省略
一部切断側面図、第３図は第２図のＩＩＩ　−ＩＩＩ線
に沿う断面図、第４図はその作用を説明するための線図
、第５図はその拡散装置を示す縦断面図である。 第６図ば治具の変形例を示す正面断面図、第７図！、Ｊ
その−・部省略一部切断側面図である。 １・・・ブ【−１セスチユーブ、２・・・処理室〜３・
・・ヒータ、４　・ガス供給［］、５・・・炉ＩＪ、６
・・・キャップ、７・・・ウェハ、１０、ＩＯＡ・・・
ウェハ熱処理治具、１１、ＩＩＡ・・・保持部材、１２
．１２Ａ・・・ウェハ保持溝、Ｉ３・・・連結部材、１
４・・・最上部接点、１５・・・最下部接点、ｔ・・・
ウェハ厚、ｄ・・・保持溝幅、Ｓ・・・余裕、Ｌ・・・
接点間距離、σ・・・熱応力、σｍａＸ・・・降伏応力
。 ］ ＝１１９−Fig. 1 is an enlarged partial cross-sectional view showing a jig used in a diffusion device that is an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a partially omitted partially cut-away side view, and Fig. 3 is the same as Fig. 2. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line III--III, FIG. 4 is a diagram for explaining its operation, and FIG. 5 is a longitudinal cross-sectional view showing the diffusion device. Figure 6 is a front sectional view showing a modification of the jig, Figure 7! , J.
It is a partially cutaway side view with the - section omitted. 1...B [-1 Sestube, 2...Processing chamber~3.
... Heater, 4 - Gas supply [ ], 5 ... Furnace IJ, 6
... Cap, 7... Wafer, 10, IOA...
Wafer heat treatment jig, 11, IIA...holding member, 12
．． 12A... Wafer holding groove, I3... Connection member, 1
4...Top contact, 15...Bottom contact, t...
Wafer thickness, d...holding groove width, S...margin, L...
Distance between contacts, σ...thermal stress, σmaX...yield stress. ] =119-

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、プロセスチューブに対して搬入搬出される治具が長
さを有する保持部材を備えており、この保持部材の上面
に半導体ウェハをその一部を嵌入されて保持する保持溝
が複数条、互いに平行に横並びに配されて刻設されてい
る熱処理装置であって、前記保持溝に保持された半導体
ウェハが溝開口縁と接した状態において、その接点に加
わる半導体ウェハ自重による応力がその半導体ウェハの
熱処理時における降伏応力以下になるように、前記保持
溝とウェハとの関係が設定されていることを特徴とする
熱処理装置。 ２、前記各保持溝とウェハとは、その溝幅と半導体ウェ
ハ厚さとの差が１００μｍ以下の時に、この保持溝にお
いて半導体ウェハがそれぞれ接する最上部接点と最下部
接点との間の距離Ｌが１５ｍｍ以上であって、そのウェ
ハの直径以下になるように設定されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の熱処理装置。 ３、ウェハが大口径または大重量であり、処理温度が７
００℃以上の高温度下で熱処理されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の熱処理装置。[Claims] 1. A jig that is carried in and out of a process tube is provided with a long holding member, and a holding member that holds a semiconductor wafer by fitting a part of it onto the upper surface of the holding member. A heat treatment apparatus in which a plurality of grooves are carved in parallel and arranged horizontally, and when the semiconductor wafer held in the holding groove is in contact with the edge of the groove opening, the semiconductor wafer's own weight is applied to the contact point. 1. A heat processing apparatus, characterized in that the relationship between the holding groove and the wafer is set such that the stress caused by the wafer is less than the yield stress during heat processing of the semiconductor wafer. 2. When the difference between the groove width and the semiconductor wafer thickness is 100 μm or less, the distance L between the uppermost contact point and the lowermost contact point of the semiconductor wafer in this holding groove is The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment apparatus is set to have a diameter of 15 mm or more and a diameter of the wafer or less. 3. The wafer is large in diameter or heavy, and the processing temperature is 7.
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment is carried out at a high temperature of 00°C or higher.