JPH0228311A - アライメント装置 - Google Patents

アライメント装置

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JPH0228311A
JPH0228311A JP63178557A JP17855788A JPH0228311A JP H0228311 A JPH0228311 A JP H0228311A JP 63178557 A JP63178557 A JP 63178557A JP 17855788 A JP17855788 A JP 17855788A JP H0228311 A JPH0228311 A JP H0228311A
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JP
Japan
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pupil
light
alignment
lens
optical system
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JP63178557A
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English (en)
Inventor
Yuji Imai
裕二 今井
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、半導体素子、又は液晶表示素子等を製造する
際に使われる投影型露光装置等に適用し得るアライメン
ト装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の投影型露光装置では、レチクル(マスク
)に形成された回路パターンを像側のみ、又は両側がテ
レセントリックな投影レンズを介して、感光基板(ウェ
ハ等)上に結像投影し、回路パターンの像をステップア
ンドリピート方式で基板上の異なるシゴット領域に次々
に露光している。
この場合、基板上の個々のショッ14iff域に予め形
成されている回路パターンとレチクルの回路パターン像
とを精密に重ね合わせるために、基板上のアライメント
マークの位置を投影レンズを介して光電的に検出し、精
密な位置合わせを行なう必要がある。
この位置合わせのために開発されたのが、TTL(スル
ーザレンズ)方式、又はTTR(スルーザレチクル)方
式のアライメント装置であり、各種のものが知られてい
る。ここでTTI、方式とは投影レンズのみを介してウ
ェハ上のマークを検出するアライメント系のことであり
、TTR方式とは投影レンズ以外にレチクルのマーク領
域も介してウェハマークを検出するアライメント系のこ
とである。TTR方式はレチクルマークとウェハマーク
とのずれを直接比較するので原理的には高精度であるが
、アライメント用の照明光の波長が制限(はとんどの場
合、露出光の波長に近(以)されるため、アライメント
シーケンス上のロス・タイムが多い。これに対して、T
TL方式はレチクルマークを検出する必要がないため、
アライメント用照明光の波長はウェハの感光をさけた範
囲に選ぶことができ、任意の位置、任意のタイミングで
自由にウェハマークを検出することができる。
ところが、このようなTTR方式、又はTTL方式では
、多くの場合、投影レンズの投影視野内の周辺、すなわ
ち軸外の局所領域を介してウェハマークを検出している
。これは一般に、投影されるべき回路パターン像(又は
ショット領域)の周辺部に極近接してウェハマークが形
成されるからである。このため、製造されるデバイスの
サイズが変わると、それに応じて回路パターン像(又は
ショット領域)の大きさも変わり、投影レンズの視野中
心に対するウェハマークの位置も変わってくることにな
る。またTTR方式の場合は1回(ある−11)のアラ
イメント時に、ウェハマークを含む局所領域を感光させ
ることもあるので、マークの打ち替えを行なって、多数
層の重ね合わせが可能になっている。この打ち替え時に
は、当然、投影視野中心に対するウェハマークの位置も
変わることになる。従って、投影視野内のどの位置にマ
ークがきても、確実に検出できるように、上記TTR方
式、又はTTL方式ではアライメント系の一部の光学系
、特に対物レンズ等を可動にしておき、投影視野内の任
意の位置に検出領域(数μm〜数十μm角)を設定でき
るようにしている。
〔発明が解決しようとする問題点] 上記従来の技術では、アライメント動作中、例えば1枚
のウェハの各シッフ)4I域に対する位置合わせのため
に、各ショット領域毎にTTRl又はTTL方式でマー
ク検出を行なう際、各ショット領域の露光が行われる間
はアライメント動作が中断され、次のショット6N域の
位置決めのためにアライメント動作が再開されるような
シーケンスにおいて、TTR,TTL方式のアライメン
ト光学系の一部、又は全部を動かすと、投影レンズの収
差、テレセンのくずれ等によって、アライメント光学系
に入射してくるウェハマークからの光情報がわずかに傾
いたものとなり、正確に検出系の方に戻ってこないとい
う欠点がある。特にアライメント光学系の検出系に空間
フィルターを配置して、ウェハマークからの光情報のう
ち特定のもの(正反射光、散乱光、回折光等)を選択的
に抽出してから光電変換する場合等は、戻り光のわずか
な傾きによって、本来抽出すべき特定の光情報がけられ
たり、検出光が歪みを持つ等の不都合が発生する。この
ため、アライメント光学系の可動部に制限を設け、投影
視野内でマーク検出に適した領域を制限していた。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
アライメント光学系の一部(又は全部)が投影光学系の
視野内の観察、ないしは検知位置を変える場合、すなわ
ち戻り光に傾きが生じた場合でも常に正確に所望の光情
報を安定な検出精度を保って検知するアライメント装置
を得ることを目的とする。
〔問題点を解決する為の手段〕
そこで本発明では、アライメント光学系(検知光学系)
によって投影光学系の瞳(入射瞳、又は射出瞳)と共役
な瞳共役面を作り、この瞳共役面の位置、もしくはその
近傍に、パターン(アライメントマーク)からの光情報
の傾き変化(テレセン誤差)に起因した瞳共役内での光
情報の位置変化の方向と交差する少なくとも一次元方向
に関して屈折力をもつトrリックレンズを設け、このト
ーリンクレンズの焦点位置、もしくはその近傍に受光面
が位置するような光電検出器を配置するように構成した
〔作  用〕
ここでTTR又はTTL方式のアライメント系の基本構
成と従来の問題点を、第2図を参照して簡単に説明する
両側(レチクルll側とウェハ13側)テレセンドリン
クの投影レンズ12の光軸AX、はレチクル11とウェ
ハ12の夫々と垂直になるように配置され、レチクル1
1のマーク領域の中心は投影レンズ12の軸外に位置し
、はぼそのマーク領域中心を通るような光軸AXを有す
るアライメント光学系の対物レンズ9bが、レチクル1
1の上方に配置される。光軸AXは光軸A X oと平
行となるように設定されているものとする。アライメン
ト用の照明ビーム(レーザービーム等)LBは、対物レ
ンズ9bの瞳(絞り面すなわち前側焦点面)epoの中
心0.を通り、瞳epoの中心を原点に、矢印Atのよ
うに揺動しているものとする。ここで対物レンズ9bも
テレセンドリンクであるものとすると、照明ビームLB
は対物レンズ9bから光軸AXと平行に射出し、レチク
ル11を垂直に照射する。ビームLBの振れ原点が瞳e
p0の中心01  (光軸AX上)にあるため、レチク
ルll上のビームLBは垂直状態のまま矢印A2の方向
に一次元走査される。その後、ビームLBは投影レンズ
12に入射し、投影レンズ12の瞳epの中心0:を通
り、ウェハ13を垂直に照射する。ここで投影レンズ1
2の瞳epよりも上のレンズ系部分と対物レンズ9bと
によって、瞳epと瞳ePoとは互いに共役関係になっ
ている。
このような系で、照射ビームLBがウェハ13上のマー
ク13°を垂直に照明すると、マーク13゛から正反射
光、散乱光、回折光が生じる。第2図では一例として散
乱光Ls+、Lszを示し、マーク13″からある開口
数(N、A、)をもって発生した散乱光Ls、、Lsz
は投影レンズ12内のビームLBの送光路に沿って逆進
し、瞳epの中心08以外の周囲を通り、レチクル11
のマーク領域内に焦光する。この散乱光Ls+、 Ls
、はさらに対物レンズ9b内のビームLBの送光路に沿
って逆進し、瞳epo  (投影レンズ12の瞳epと
共役な面)に達する。しかし投影レンズ12の瞳epに
収差等があり、テレセン性が保たれていないと、散乱光
束Ls+、 T−st (正反射光束も同じ)の主光線
は、投影レンズ12からレチクル12の方へ射出する時
点で、最早光軸AX、とは平行とならず、傾いてしまう
、このため対物レンズ9bを逆進した散乱光Lsl %
 L s zは、瞳efoの面では中心O8をはさんで
対象的に位置せず、ずれてしまうことになる。第2図は
その様子を誇張して示したもので、極端な場合、図示の
ように瞳ep。をそれることにもなる。また照明ビーム
LBは瞳epoの中心O1で揺動しているため、瞳ep
。に戻ってくる散乱光Ls、、 Ls、及び正反射光は
瞳el)oでは、テレセン誤差の傾き方向に揺動するこ
とにもなる。第2図では、テレセン誤差の傾き方向が紙
面内にあるものとし、ビームLBの振動方向と一致して
いるため、瞳ef)oでの散乱光Ls+、Lsz (又
は正反射光)の振動的な横ずれは最大になる。ただし、
テレセン誤差の傾き方向が紙面と垂直な方向のみに生じ
ている場合は、散乱光Ls+、Ls、(正反射光)の振
動的な横ずれはなく、紙面と垂直な方向の静的な横ずれ
が生じることになる。
本発明では、戻り光(散乱光、正反射光、回折光等)に
瞳ep+1上での位置ずれ(振動的又は静的)が生じて
も、戻り光のうち特定の光情報を抽出する空間フィルタ
ー、又は光電素子上では位置ずれをほぼ零、もしくは掻
めて小さな量に低減させるために、瞳ePoの位置、も
しくはその近傍にトーリックレンズを配置した。
〔実 施 例〕
第1図は本発明の実施例によるアライメント装置を、投
影露光装置のTTR方弐O7ライメント系に組み込んだ
場合の構成を示す図である。この第1図中で、第2図で
示した部材と同じ機能のものには同一の符号をつけであ
る。
コヒーレントなビームLBを発生するレーザ光f11は
He−Neレーザ、He−Cdレーザ、Arイオンレー
ザあるいは色素レーザ等が代表的に使われ、それらレー
ザの高調波を利用してもよい。
ビームLBはビーム整形光学系2によって、所望のビー
ム断面形状及び収れん性が与えられる。第3図は整形光
学系2内に設けられたシリンドリカルレンズ2aによる
ビーム整形の様子を示し、レーザ光源1からほぼ平行な
ビームLBが入射すると、シリンドリカルレンズ2aの
焦点位置には、一方向、例えばX方向に帯状に伸びたス
リット状スポットSP、となって集光する。さて、この
ビームLBは第1図に示すようにビームスプリッタ3を
通り、リレーレンズ系4.6を介してスリット状スポッ
トSP、とじて再結像される。リレーレンズ系4.5の
間はビームLBがほぼ平行光束となり、リレーレンズ系
4の後側焦点面、すなわちリレーレンズ系5の前側焦点
面には振動ミラー5の反射面が位置する。この振動ミラ
ー5は駆動系24によって往復振動され、ビームLBを
揺動させる。このため再結像したスポット光SP1は第
1図中の紙面内で例えば上下方向に平行移動する。そし
てリレーレンズ系6を射出したビームは第2対物レンズ
7を介して再び平行光束に変換され、直角な反射面を有
する2つの反射部材8.8′から成るトロンポーン系に
入射する。TTRアライメント系の可動部9内には第1
対物レンズ9bと全反射ミラー9aとが配置され、可動
部9は駆動系10により、例えば図中矢印B1の方向に
移動する。尚、第1対物レンズ9bの光軸AXは第2対
物レンズ7の光軸と同軸になるように位置し、可動部9
の矢印B1方向の移動量の1/2だけトロンポーン系の
反射部材(直角プリズム、又はコーナーミラー)8°を
図中矢印B2方向に移動させることで光路長の補正を行
なう。またトロンポーン系の中央付近には、第2対物レ
ンズ7とリレーレンズ系6とによって、振動ミラー5の
振れ原点ep+ と共役な面epoが形成される。
この626は、第2図にも示したように第1対物レンズ
9bの瞳面でもあり、平行光束となったビームLBは、
この瞳面epoの中心を原点として揺動することになる
。ここで第1対物レンズ9bがテレセントリックである
ものとすると、レーザービームLBは第1対物レンズ9
b、ミラー9aを介してレチクル11の周囲のマーク領
域RMにスリット状スポットとなって常に垂直に集光さ
れ、このスポット光は長手方向と交差する方向に相対走
査される。このスリット状スポット光は、レチクル11
、投影レンズ12を介してウェハ13上に再結像される
。こくで第1対物レンズ9bの瞳面epoは、投影レン
ズ12の瞳面epと共役であり、そこではビームLBが
スリット状に集光して帯状分布となっているが、その帯
状分布の長手方向は、スポット光S P a 、S P
 + 、又はレチクル、ウェハ上のスポット光の長手方
向に対して直交している。これはビーム整形光学系2の
シリンドリカルレンズ2aの作用によるもので、像共役
面にできるスリット状スポット光と瞳共役面にできるス
リット状スポット光とは、幾何光学的な配置で採用する
場合は、互いに直交して伸びることになる。第4図は投
影レンズ12の瞳epからウェハ側の系を模式的に示し
たもので、ビームLBは瞳epのほぼ中心を通るが、そ
の分布はX方向に伸びた帯状スボントSP3となる。こ
の際、シリンドリカルレンズ2aの作用で、ビームLB
はX−Z面内では瞳epに収れんし、y−z面ではほぼ
平行となるような光束となる。瞳epを通ったビームL
Bは投影レンズ12の像側のレンズ系12aによってウ
ェハ上にスリット状スポット光SP、として結像するが
、レンズ系12aの入射するビームLBは、X方向とX
方向とで開口数が異なることと、レンズ系12aの前側
焦点が瞳epに一致していることから、スリット状スポ
ット光SP、はX方向に伸び、X−Z面内でのビーム開
口数は極めて小さくほぼ平行となり、12面内でのビー
ム開口数は、それにくらべると大きくなる。
尚、第4図で瞳epの中心を通る線2.は、ビームLB
の主光線であり、ウェハ上のスリット状スポット光SP
、を振動ミラー5によって長手方向と交差するX方向に
走査するものとすると、瞳epにおけるビームLBは、
主光線21とy軸とによって規定される面内で揺動する
ことになる。
さて、第1図において、ウェハ13は2次元移動するス
テージ14上に保持され、ステージ14)よモータ15
によってアライメント時、露光時に所定の移動を行なう
。ステージ14の座標位置はレーザ干渉計16等によっ
て高精度に検出される。
これらレーザ干渉計16からの位置情報は制御系17に
取り込まれ、制御系17はモータ15へ制御信号を出力
する。また振動ミラー5の駆動系24はレチクル11上
、又はウェハ13上のスリット状スポット光の走査位置
に対応したパルス信号を制御系17へ出力する。このパ
ルス信号の位置分解能はレーザ干渉計16の位置分解能
と一義的な比列関係となっている。
ところで、ウェハ13上のスポット光がマーク13“を
走査すると、正反射光以外にマーク13°のエツジから
散乱光、回折光が発生する。これら光情報はビームLB
の送光路に沿って逆進し、振動ミラー5で反射され、ビ
ームスプリッタ3で分割されて受光系へ達する。受光系
には瞳リレー用のレンズ18と、このレンズ18の後側
焦点面、すなわち投影レンズ12の瞳epと共役な面e
p°又はその近傍にはトーリンクレンズとしてのシリン
ドリカルレンズ19が配置され、このシリンドリカルレ
ンズ19で一方向に関して集光された光情報は、シリン
ドリカルレンズ19の焦点位置、もしくはその近傍に配
置された光電素子20によって受光される。光電素子2
0は受光した光情報の光量に応じた光電信号を増幅器2
1に出力する。増幅器21はその光電信号を所定のレベ
ルに調整し、制御系17へ送る。制御系17はその光電
信号、駆動系24からのパルス信号、及びレーザ干渉計
16からの位置情報とに基づいて、マーク13°の座標
位置、あるいはレチクル11のマーク領域RMに対する
マーク13°の相対的な位置ずれ量を求める。これによ
ってウェハ13単独のアライメント、又はレチクル11
とウェハ13の相対的アライメントの制御が行われる。
第5図は、第1図中のシリンドリカルレンズ19の作用
を説明する斜視図であり、アライメント系の光軸AXに
沿って進む光束Ffは、ウェハ13からの正反射光であ
るものとする。ここでシリンドリカルレンズ19は光電
素子20側の面がフラットで、光情報の入射側の面には
所定の曲率で円柱面が形成されている。そして光束の入
射面側が瞳共役位置、もしくはその近傍に配置される。
このシリンドリカルレンズ19の屈折力は、同図中x−
z面内で働き、光軸AX上を通った正反射光Fffiは
、そのまま直進し、光電素子20の受光面上に光束FF
として達する。そして正反射光Flが光軸AXからX方
向に矢印C9のように変位してF2 となった場合でも
、シリンドリカルレンズ■9の屈折力の作用で光軸AX
上の焦点位置に光束FFとして達する。ここで正反射光
T”j2、FJ2’ の瞳共役面ego“での形状は、
送光するビームLBの瞳ep内での形状と全く相似であ
り、第4図に示した状態を前提とすると、第5図中でX
方向に伸びたスリット状になる。また正反射光F/!、
F/!’の瞳共役面epo°での状態は、第4図中の瞳
epにおけるビームLBの状態とほぼ同しであり、正反
射光F2、F!°の断面の長手方向(X方向)について
は光束の開口数が極めて小さく、はぼ平行光束に近くな
っており、短手方向(X方向)については瞳共役面ep
、’で集光するような開口数を持っている。投影レンズ
12の視野内のある位置でテレセン誤差が発生している
と、アライメント光学系内の瞳共役面eP。
上では正反射光Flがほぼ平行に横ずれを起こすと考え
てよい。第5図のように、F2からF2のようにX方向
に横ずれを起こすのは、第4図を参照すると、本来、送
光ビームLBと全く同し光路を通って戻って(るべき正
反射光の主光線が、第4図の主光線21と異なる位置に
ずれて、瞳epの中心からX方向にずれたこと、すなわ
ち投影レンズ12において視野中心から放射方向(サジ
タル方向)に関するテレセン誤差が生じていることを意
味する。このように、テレセン誤差によって正反射光F
2がFi!、’のように横ずれを起こしても、シリンド
リカルレンズ19の一次元の集光作用により、正反射光
は常に光束FFとなって光軸AX上に漣することになる
。光電素子20はこの光束FFを受光し、正反射光の光
量に応じた信号を増幅器21を介して制御系17へ出力
する。
さて第6図は、マーク13″を直格子としたときの光情
報のうち、回折光±Dをアライメント信号とするもので
、シリンドリカルレンズ19の全体形状や配置は第5図
の場合と同じであるが、シリンドリカルレンズI9のフ
ラットな面に正反射光F2を遮断する遮光部19aが形
成されている。
この遮光部19aのX方向の幅は、アライメント光学系
の可動部9が移動して検出位置を変えたときに起こり得
るテレセン誤差による正反射光F2の戻り位置変化を十
分カバーできる程度に定められ、なおかつ回折光±Dを
けらないように定められている。この第6図の場合も、
回折光±Dは光軸AX上のある位置で1ケ所に集められ
、光束FFとして光電素子20に受光される。尚、この
ような回折光子りは正反射光Fj2とほぼ同じ形状及び
回折角によって決まる分布で発生するが、これはマーク
13′として直格子を用いるからであり、詳しくは例え
ば特開昭61−128106号公報に開示されている。
また第5図、第6図ではシリンドリカルレンズ19のフ
ラット面を光電素子20側としたが、正反射光Fjl!
、回折光±Dの入射面側としてもよく、この場合でもフ
ラット面は瞳共役面ePo°と一致させることが望まし
い。さらに第6図の場合は、遮光部19aが空間フィル
タリングとしての機能をもつため、空間フィルターとシ
リンドリカルレンズを一体に形成したとも言える。
第7図は、シリンドリカルレンズ19におけるx−z面
内での実際の光束のふるまいを模式的に示した平面図で
ある。第7図においては正反射光FiV、、回折光±D
とも瞳共役面egoでは直格子による回折角に基づいて
明瞭に分離する。直格子の回折角とは、第8図に示すよ
うに、マーク13“をX方向に伸びた回折格子にしたと
き、回折光(例えば1次光)±Dの正反射光Fl(光軸
AXと平行)に対する角度θである。従って瞳共役面e
po°から離れるに従って、正反射光と回折光とは入り
混じることになり、像面、又はその共役面上では一点に
結像することになる。シリンドリカルレンズ19は瞳共
役面ep、+の位置、もしくはその近傍に配置されるた
め、正反射光F2、回折光±Dの夫々を焦点位置Sの光
軸AX上に屈曲させて寄せ集めるフィールドレンズとし
ての機能を有する。従って、正反射光FN、回折光±D
のシリンドリカルレンズ19に対する入射位置がX方向
に変位しても、焦点位置Sではその光束FFの位置は横
ずれを起こさない、ただし、瞳共役面epo°では正反
射光FN、回折光±Dとも最小の光束径(ビームウェス
ト)で収れんするものの、焦点位置Sでは、全ての光束
が寄せ集められて、存る大きさに広がっている。このた
め光電素子20の受光面は、受光効率を考えると、この
光束FFを十分に受光できる程度の大きさにする必要が
ある。
第9図は、シリンドリカルレンズ19を瞳共役面epo
’から少し光電素子20側へ近づけた場合を示し、配置
によっては焦点位置Sにできる光束FFの断面積を第7
図の場合より小さくすることもできる。
また、先に説明した第7図のような場合、正反射光F2
、回折光±Dの両方を別々に光電検出してアライメント
に使うようなときは、各光FN、±Dが分離している間
、例えば第7図中でシリンドリカルレンズ19から距離
m(ただしmく焦点距離)までの位置に、各光束を個別
に受光する光電センサーを配置すればよい、この場合は
、受光面が焦点位置Sからずれているため、正反射光F
l、回折光±Dの横ずれの影響を完全に除くことはでき
ないので、テレセン誤差による横ずれがもともと少ない
ときに有効である。
さらに第9図のような配置を採る場合は、瞳共役面ep
o°にガラス板を挿入し、正反射光Fffiに対する遮
光部を形成するようにしてもよい。この場合、遮光部の
位置に対して正反射光FAが横ずれを起すと、回折光±
Dもいっしょに横ずれを起し、回折光±Dが遮光部でけ
られることもある。
そこで遮光部付きのガラス板を、例えば第9図中のX方
向に微小変位させる構造としてもよい。この場合、アラ
イメント光学系の可動部9の移動によって、投影レンズ
12の視野内での局所観察領域を変えたことに起因する
テレセン誤差に対応させて、自動的にガラス板を変位さ
せる機構を設けることは言うまでもない。
第10図は、第2の実施例によるシリンドリカルレンズ
19の構成を示し、正反射光Fl、回折光±Dの夫々に
対して独立したシリンドリカルレンズ19b、19c、
19dの円柱面側の先端を瞳共役面el)o″、もしく
はその近傍に配置し、光電素子20も、各シリンドリカ
ルレンズ19b119c、19dに対応して独立に3つ
の素子20a、20b、20cに分離しておく。このよ
うにすると、3つの光電素子20a、20b、20cの
各受光面はシリンドリカルレンズ19b、19C119
dの各焦点位置に配置でき、正反射光F!、回折光±D
の各横ずれに対し、受光位置が変化せず、しかも各光束
を独立に光電検出できる。
第11図は第3の実施例によるトーリックレンズの構成
を示す斜視図である。
先にも説明したように、テレセン誤差による正反射光F
Il、回折光±D等は2次元的に横ずれを起すことがあ
る。第11図では正反射光F2のみについて示すが、回
折光±Dについても同様である。第11図において、光
軸AXJ:に位置していた正反射光Fj2が矢印C1の
ようにX方向、及び矢印C2のようにX方向に2次元的
にずれた光束Fjl!’になった場合、2つの互いに直
交する母線をもって配置されたシリンドリカルレンズ1
9x、19yによって、正反射光Fl’ は光軸AX上
の一点に円形のスポットとなって集光する。ここで正反
射光Ff(回折光±D)は長手方向(X方向)に関して
は開口数が極めて小さい(はぼ平行光束)ものとすると
、X方向に屈折力を有するシリンドリカルレンズ19x
は、先述の例えば第7図のシリンドリカルレンズ19と
同一に瞳共役面epo  に配置され、そのレンズ19
xの焦点位置に光電素子20を配置する。そしてX方向
に屈折力を有するシリンドリカルレンズ19yは、レン
ズ19xと光電素子20の間に配置され、レンズ19x
の焦点位置に光電素子20が位置するように配置される
この場合、瞳共役面ePo“を通るウェハ13からの光
情報の開口数がX方向とX方向とで非等方的になってい
るため、2次元的なテレセン誤差にかかわらず、常に光
電素子20上の1点に光情報を集光させるためには、X
方向とX方向とで有限の異なる屈折力を有するトーりン
クレンズ(レンズ19xと19・yの対)にする必要が
ある。
次元の横ずれ補正のみの場合は、どちらか一方について
のパワー(屈折力)を零にしたトーリックレンズとなる
。以上のように、ウェハからの光情報を一点に円形スポ
ット状に集光できると、それだけ光量が上がるとともに
、光電素子20の受光面を小さくでき、高速応答のデバ
イスを使用できるという利点がある。
以上、本発明の各実施例について説明したが、投影レン
ズ12のテレセン誤差は送光ビームLBに対しても同様
の影響を与えることもある。この場合、レチクル11に
対してビームLBの主光線が垂直(光軸A X oと平
行)になっていたとじても、ウェハ13に照射されると
きのビームLBの主光線が光軸AX、に対して傾いたも
のとする。
そこで、ウェハ13上におけるビームLBの主光線を光
軸AXゆと平行にするため、アライメント位置の変化に
対応してレチクル11に達する前の送光ビームLBに所
定の傾きを与える手法が考えられる。具体的には送光ビ
ームLBの光路中に傾斜可能な平行平板ガラスを設け、
第1対物レンズ9bの瞳面epoの中心(光軸AX)に
位置するビームLBをわずかに中心から横ずれさせれば
よい。
また上記各実施例では、マーク13°からの光情報のう
ち正反射光Fffi、回折光±Dを用いるものとしたが
、特開昭61−128106号公報に開示されているよ
うに、直線的なバー状のマークからのエツジ散乱を検出
する場合にも、本発明は全く同様に利用できる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、アライメント光学系(検
知光学系)の少なくとも一部の可動部を移動させて、ア
ライメントのための検知位置を変えたときに生じる光情
報の位置ずれがあっても、受光系(光電検出器)に対し
ては何ら位置ずれが生じないように補正することができ
る。このためアライメント位置の変更に伴って、受光系
の一部を機械的に移動させる必要もなく、さらに様々の
アライメント位置に応じたテレセン誤差の見積りを予め
求めてマツプ化しておく等の作業も必要なく、掻めて簡
便である。従って、アライメント系を用いた各種シーケ
ンスの簡素化、システム全体の簡素化が計られることに
なる。さらに、アライメント光学系に入射してくる光情
報に不要なけられ等を与えることがなくなるので、アラ
イメント信号処理における精度向上も期待できる。
尚、本発明は、レチクルとウェハとを同時に観察する方
式に限らず、例えばレチクルの下方から投影光学系を介
してウェハのみを観察する方式においても同様に利用で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例によるアライメント装置を投影
型露光装置に適用したときの構成を示す図、第2図は本
発明のアライメント装置におけるテレセン誤差の様子を
説明する原理図、第3図はアライメント用の送光ビーム
の整形の様子を示す斜視図、第4図は投影レンズと送光
ビームの各部の形状との関係を示す斜視図、第5図、第
6図はシリンドリカルレンズを用いた受光系の一部の構
成を示す斜視図、第7図はシリンドリカルレンズによる
作用を説明する平面図、第8図は回折格子による光情報
の発生を説明する断面図、第9図は、第7図に示したシ
リンドリカルレンズの配置の変形例を示す平面図、第1
0図は第2の実施例による受光系の構成を示す斜視図、
第11図は第3の実施例による受光系の構成を示す斜視
図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ■・・・レーザ光源、    5・・・振動ミラー9b
・・・第1対物レンズ、10・・・駆動部、11・・・
レチクル、    12・・・投影レンズ、13・・・
ウェハ、 19・・・シリンドリカルレンズ(トーリックレンズ)
20、・・・光電素子、 ep・・・瞳、 ep。 ・・・瞳共役面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスクのパターンを基板上に結像投影するための少なく
    とも像側がテレセントリックな投影光学系と、該投影光
    学系の投影視野内の任意の局所領域を介して、前記基板
    上のパターンからの光情報を検知する検知光学系とを備
    えた装置において、前記投影光学系の瞳面とほぼ共役な
    位置に前記検知光学系により作られた瞳共役面、もしく
    はその近傍に配置され、該瞳共役面内を通る前記パター
    ンの光情報の位置変化の方向と交差する少なくとも一次
    元方向に関して所定の屈折力をもつトーリックレンズと
    ;該トーリックレンズの焦点位置、もしくはその近傍に
    受光面を位置させた光電検出器とを備え、該光電検出器
    からの光電信号に基づいて前記基板のパターンを検知す
    ることを特徴とするアライメント装置。
JP63178557A 1988-07-18 1988-07-18 アライメント装置 Pending JPH0228311A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017058132A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 株式会社ミツトヨ 光電式エンコーダ
JP2022532029A (ja) * 2019-05-06 2022-07-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 暗視野顕微鏡

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US11940608B2 (en) 2019-05-06 2024-03-26 Asml Netherlands B.V. Dark field microscope

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