JPH02275368A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH02275368A JPH02275368A JP1096993A JP9699389A JPH02275368A JP H02275368 A JPH02275368 A JP H02275368A JP 1096993 A JP1096993 A JP 1096993A JP 9699389 A JP9699389 A JP 9699389A JP H02275368 A JPH02275368 A JP H02275368A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｉｌ要〕
電子ビームを半導体集積回路の内部配線に照射し、照射
点から放出される２次電子のエネルギーを分析して内部
配線の電圧を測定する電子ビーム装置に関し、 測定精度が向上し、かつ測定を高速に行なうことを目的
とし、 電子ビームを対物レンズで収束して試料に照射し、該試
料から放出される２次電子のエネルギーを該対物レンズ
内に設けられたエネルギー分析器で分析した後２次電子
検出器で検出して該試料各部の電圧を測定する電子ビー
ム装置において、該エネルギー分析器と２次電子検出器
との間に該エネルギー分析器の分析グリッドと対向させ
て配置され、２次電子を増倍して出力するアノードの無
いマイクロチャンネルプレートを有し、該マイクロチャ
ンネルプレートで増倍された２次電子をシンチレータ及
びフォトマルよりなる２次電子検出器で検出するよう構
成する。
点から放出される２次電子のエネルギーを分析して内部
配線の電圧を測定する電子ビーム装置に関し、 測定精度が向上し、かつ測定を高速に行なうことを目的
とし、 電子ビームを対物レンズで収束して試料に照射し、該試
料から放出される２次電子のエネルギーを該対物レンズ
内に設けられたエネルギー分析器で分析した後２次電子
検出器で検出して該試料各部の電圧を測定する電子ビー
ム装置において、該エネルギー分析器と２次電子検出器
との間に該エネルギー分析器の分析グリッドと対向させ
て配置され、２次電子を増倍して出力するアノードの無
いマイクロチャンネルプレートを有し、該マイクロチャ
ンネルプレートで増倍された２次電子をシンチレータ及
びフォトマルよりなる２次電子検出器で検出するよう構
成する。
本発明は電子ビーム装置に関し、更に詳しくは電子ビー
ムを半導体集積回路の内部配線に照射し、照射点から放
出される２次電子のエネルギーを分析して内部配線の電
圧を測定する電子ビーム装置に関する。
ムを半導体集積回路の内部配線に照射し、照射点から放
出される２次電子のエネルギーを分析して内部配線の電
圧を測定する電子ビーム装置に関する。
近年、ＬＳＩ診ＷｆＩなどの分界で電子ビームによる電
圧波形測定技術が広く利用されるに至っている。その電
圧測定の原理は、２次電子を放出する試料の電位の変化
により、そのエネルギーがリニアに変化するという物理
現象を利用したものであり、２次電子のエネルギー分布
を測定し、そのエネルギーシフトｍを求め、電圧に換算
するというものである。
圧波形測定技術が広く利用されるに至っている。その電
圧測定の原理は、２次電子を放出する試料の電位の変化
により、そのエネルギーがリニアに変化するという物理
現象を利用したものであり、２次電子のエネルギー分布
を測定し、そのエネルギーシフトｍを求め、電圧に換算
するというものである。
したがって、その測定精度はエネルギー分析精度に依存
しており、特に試料が半導体集積回路（ＬＳＩ）などの
ように微細で複雑な構造をもっている場合その優劣が顕
著に現れる。エネルギー分析器の精度を左右する要素の
ひとつとして、分析器を通過した電子（すなわち、分析
グリッドを通過した電子）の検出効率がある。理想的な
分析器として必要な特性は、この検出効率ができるかぎ
り大ぎく、かつ常に一定であること、つまり試料の電圧
や分析電圧によって変らないことである。
しており、特に試料が半導体集積回路（ＬＳＩ）などの
ように微細で複雑な構造をもっている場合その優劣が顕
著に現れる。エネルギー分析器の精度を左右する要素の
ひとつとして、分析器を通過した電子（すなわち、分析
グリッドを通過した電子）の検出効率がある。理想的な
分析器として必要な特性は、この検出効率ができるかぎ
り大ぎく、かつ常に一定であること、つまり試料の電圧
や分析電圧によって変らないことである。
（従来の技術）
第５図、第６図は従来装置の各側の構造図を示す。
第５図において、電子ビームは磁界型の対物レンズ１０
により収束されてＬＳＩ等の試料１１に照射される。試
料１１から放出される２次電子は対物レンズ１０内に設
けられたエネルギー分析器を構成する引出しグリッド１
２の引出し電圧Ｖ［により対物レンズ１０に向かって加
速され、バッファグリッド１３のバッノ７電圧Ｖｕによ
り分析グリッド１４に略垂直に入射するよう軌道を制御
される。分析グリッド１４の分析Ｔｌ 圧Ｖ Ｒを越え
る２次電子だけが分析グリッド１４を通過し、リフレク
タ２０及びコレクタ１５によりシンチレータ１６に集め
られて入射される。シンチレータ１６に２次電子が衝突
するとシンチレータ１６により光信号に変換され、この
光信号はライトガイド１７によってフォトマル（光電子
倍増管）１Ｂに導かれ、ここで電流信号として増幅され
る。、この電流信号は端子１９より次段のプリアンプに
供給される。
により収束されてＬＳＩ等の試料１１に照射される。試
料１１から放出される２次電子は対物レンズ１０内に設
けられたエネルギー分析器を構成する引出しグリッド１
２の引出し電圧Ｖ［により対物レンズ１０に向かって加
速され、バッファグリッド１３のバッノ７電圧Ｖｕによ
り分析グリッド１４に略垂直に入射するよう軌道を制御
される。分析グリッド１４の分析Ｔｌ 圧Ｖ Ｒを越え
る２次電子だけが分析グリッド１４を通過し、リフレク
タ２０及びコレクタ１５によりシンチレータ１６に集め
られて入射される。シンチレータ１６に２次電子が衝突
するとシンチレータ１６により光信号に変換され、この
光信号はライトガイド１７によってフォトマル（光電子
倍増管）１Ｂに導かれ、ここで電流信号として増幅され
る。、この電流信号は端子１９より次段のプリアンプに
供給される。
第６図中、第５図と同一部分には同一符号を付し、その
説明を省略する。第６図中、分析グリッド１４を通過し
た２次電子はアノード２５を持つマイクロチャンネルプ
レート２６に入射され、ここで電子が増倍される。？イ
タロチヤンネルプレート２６から出力される増倍された
電子は７ノード２５に入射され、この電子の争に応じた
Ｍ流が７ノード２５に流れ、電流信号として端子２７よ
り次段のプリアンプに供給される。
説明を省略する。第６図中、分析グリッド１４を通過し
た２次電子はアノード２５を持つマイクロチャンネルプ
レート２６に入射され、ここで電子が増倍される。？イ
タロチヤンネルプレート２６から出力される増倍された
電子は７ノード２５に入射され、この電子の争に応じた
Ｍ流が７ノード２５に流れ、電流信号として端子２７よ
り次段のプリアンプに供給される。
なお、第５図、第６図中、ハップング部分は金属材料、
梨地部分はセラミック等の絶縁材料であることを示す。
梨地部分はセラミック等の絶縁材料であることを示す。
第５図の装置では電圧Ｖｓの試料１１がらエネルギーＶ
ＳＥＯ（ｅＶ）で放出された２次電子は引出しグリッド
１２を通過するときｖＳＥＯ＋ Ｖヒ−Ｖｓ （ｅＶ）
のエネルギーを持ち、バッファグリッド１３を通過する
ときＶＳＥＯ＋Ｖｏ −Ｖｓ（ｅｖ）のエネルギーを持
ち、ＶＳＥＯ−ＩＶｅ −Ｖｓ （ｅＶ）持つこととな
り、エネルギー分析器内で第７図に模式的に示す如き２
次電子軌道をとる１゜ つまり分析グリッド１４を通過する位置Ｒにおける２次
電子のエネルギーは試料電圧Ｖｓ及び分析電圧ＶＲに従
って変化することになる。そのため、測定を行なうため
分析Ｔｉ Ｉ）Ｖ Ｒを可変すると２次電圧の軌道が変
化しシンチレータ１６まで２次電子が到達しない場合も
生じ検出効率が変動する。
ＳＥＯ（ｅＶ）で放出された２次電子は引出しグリッド
１２を通過するときｖＳＥＯ＋ Ｖヒ−Ｖｓ （ｅＶ）
のエネルギーを持ち、バッファグリッド１３を通過する
ときＶＳＥＯ＋Ｖｏ −Ｖｓ（ｅｖ）のエネルギーを持
ち、ＶＳＥＯ−ＩＶｅ −Ｖｓ （ｅＶ）持つこととな
り、エネルギー分析器内で第７図に模式的に示す如き２
次電子軌道をとる１゜ つまり分析グリッド１４を通過する位置Ｒにおける２次
電子のエネルギーは試料電圧Ｖｓ及び分析電圧ＶＲに従
って変化することになる。そのため、測定を行なうため
分析Ｔｉ Ｉ）Ｖ Ｒを可変すると２次電圧の軌道が変
化しシンチレータ１６まで２次電子が到達しない場合も
生じ検出効率が変動する。
このため、試料電Ｊ３−ＯＶ、５Ｖ夫々で分析電圧ＶＲ
を可変したときの検出信号ＳＥのレベル即ち分析カーブ
は第８図の実線１ａ、Ｉｂの如く、分析電圧軸に沿って
平行移動した関係であることが理想的であるにも拘らず
、実際には破線［ａ。
を可変したときの検出信号ＳＥのレベル即ち分析カーブ
は第８図の実線１ａ、Ｉｂの如く、分析電圧軸に沿って
平行移動した関係であることが理想的であるにも拘らず
、実際には破線［ａ。
ｎｂの如く試料電圧Ｖｓの変化に対して分析電圧軸に沿
う移動とともにその形を大きく変えてしまう。従って、
正確に分析カーブの移動１を求めることができなくなり
、電圧測定誤差を生じるという問題があった。
う移動とともにその形を大きく変えてしまう。従って、
正確に分析カーブの移動１を求めることができなくなり
、電圧測定誤差を生じるという問題があった。
なお第６図の装置において、？イタロチヤンネルプレー
ト２６を分析グリッド１４に接近させることにより、検
出効率の改善を図れるが、第６図の装置では７ノード２
５が大きいため、対人、出力１１４間等との静電容量も
大きく、次段のプリアンプの高速化が困難であり、また
端子２７における電流信号が数１００ｖの高電圧にバイ
アスされるため、この高電庁と信号電流とのアイソレー
ションをする回路が必要となり、この点からも高速化が
困難であるという問題があった。
ト２６を分析グリッド１４に接近させることにより、検
出効率の改善を図れるが、第６図の装置では７ノード２
５が大きいため、対人、出力１１４間等との静電容量も
大きく、次段のプリアンプの高速化が困難であり、また
端子２７における電流信号が数１００ｖの高電圧にバイ
アスされるため、この高電庁と信号電流とのアイソレー
ションをする回路が必要となり、この点からも高速化が
困難であるという問題があった。
本発明は上記の点に罵みなされたもので、測定精度が向
上し、かつ測定を高速に行なう電子ビーム装置を提供す
ることを目的とする。
上し、かつ測定を高速に行なう電子ビーム装置を提供す
ることを目的とする。
本発明の電子ビーム装置は、電子ビームを対物レンズで
収束して試料に照射し、試料から放出される２次電子の
エネルギーを対物レンズ内に設けられたエネルギー分析
器で分析した後２次電子検出器で検出して試料各部の電
圧を測定する電子ビーム装置において、 エネルギー分析器と２次電子検出器との間にエネルギー
分析器の分析グリッドと対向させて配冒され、２次電子
を増倍して出力する７ノードの無いマイクロチャンネル
プレートを有し、マイクロチャンネルプレートで増倍さ
れた２次電子をシンチレータ及びフォトマルよりなる２
次電子検出器で検出する。
収束して試料に照射し、試料から放出される２次電子の
エネルギーを対物レンズ内に設けられたエネルギー分析
器で分析した後２次電子検出器で検出して試料各部の電
圧を測定する電子ビーム装置において、 エネルギー分析器と２次電子検出器との間にエネルギー
分析器の分析グリッドと対向させて配冒され、２次電子
を増倍して出力する７ノードの無いマイクロチャンネル
プレートを有し、マイクロチャンネルプレートで増倍さ
れた２次電子をシンチレータ及びフォトマルよりなる２
次電子検出器で検出する。
〔０用）
本発明においては、アノード無しマイクロチャンネルプ
レートにより分析グリッドを通過した２次電子を増倍し
、かつ一定エネルギーとして出力し、増倍された２次電
子をシンチレータ及びフォトマルよりなる２次電子検出
器で検出する。このため、増倍された２次電子の軌道が
試料来庁や分析電圧の影響を受けず、検出効率が一定と
なり、測定精度が向上し、また２次電子検出器の静電容
量が小さく出力電流信号の高速の測定が可能となる。
レートにより分析グリッドを通過した２次電子を増倍し
、かつ一定エネルギーとして出力し、増倍された２次電
子をシンチレータ及びフォトマルよりなる２次電子検出
器で検出する。このため、増倍された２次電子の軌道が
試料来庁や分析電圧の影響を受けず、検出効率が一定と
なり、測定精度が向上し、また２次電子検出器の静電容
量が小さく出力電流信号の高速の測定が可能となる。
第１図は本発明装置の一実施例の構造図を示す。
同図中、第５図と同一部分には同一符号を付し、王の説
明を省略する。また第１図中、ハツチング部分は金属材
料、梨地部分はセラミック材料等の絶縁材料である。
明を省略する。また第１図中、ハツチング部分は金属材
料、梨地部分はセラミック材料等の絶縁材料である。
第１図において、対物レンズ１０内に電子ビーム軸に沿
って試料１１側から順に引出しグリッド１２、バッフ７
グリツド１３１分析グリッド１４゜アノード無しマイク
ロチャンネルプレート３０が設けられている。
って試料１１側から順に引出しグリッド１２、バッフ７
グリツド１３１分析グリッド１４゜アノード無しマイク
ロチャンネルプレート３０が設けられている。
アノード無しマイクロチャンネルプレート３０は第２図
に示す如く、照射される電子ビームの通過孔３０ａに略
沿った無数の微細貫通孔（チャネル）３０ｂを設けた板
材（例えばガラス）３０Ｃの両面に例えばＦｅ−Ｃｒを
蒸着で形成した入力電極３０ｄと出力電極３０ｅを設け
ており、各微細口通孔３０ｂの内周面には電子が入射す
ると２次電子を放出して電子増倍を行なう物質が塗布さ
れている。入力電極３０ｄには＋５０〜１００Ｖ程度の
電圧（例えば＋１００Ｖ ）が印加され、出力電極３０
ｅには＋５００〜１ｏｏｏｙ稈度の電圧（例えば→５０
０Ｖ）が印加されている。
に示す如く、照射される電子ビームの通過孔３０ａに略
沿った無数の微細貫通孔（チャネル）３０ｂを設けた板
材（例えばガラス）３０Ｃの両面に例えばＦｅ−Ｃｒを
蒸着で形成した入力電極３０ｄと出力電極３０ｅを設け
ており、各微細口通孔３０ｂの内周面には電子が入射す
ると２次電子を放出して電子増倍を行なう物質が塗布さ
れている。入力電極３０ｄには＋５０〜１００Ｖ程度の
電圧（例えば＋１００Ｖ ）が印加され、出力電極３０
ｅには＋５００〜１ｏｏｏｙ稈度の電圧（例えば→５０
０Ｖ）が印加されている。
入力電極３０ｄは分析グリッド１４を通過した被検出電
子を加速して微細１通孔３０ｂの入口附近の内壁に衝突
させるための加速電極である。このため貫通孔３０ｋ）
は被検出電子の入射１ノ向に対して傾けて配ｌされてい
る。
子を加速して微細１通孔３０ｂの入口附近の内壁に衝突
させるための加速電極である。このため貫通孔３０ｋ）
は被検出電子の入射１ノ向に対して傾けて配ｌされてい
る。
出力電極３０ｅはｎ通孔３０ｂの内壁から放出された二
次電子を更に加速し、次の衝突時に高い二次電子放出効
率が得られるようにするため、ｄ通孔３０ｂ内の孔に沿
った加速電界を発生さヒるための電極である。
次電子を更に加速し、次の衝突時に高い二次電子放出効
率が得られるようにするため、ｄ通孔３０ｂ内の孔に沿
った加速電界を発生さヒるための電極である。
第１図に戻って説明するに、電子ビームを照射された試
料１１から放出される２次電子は引出しグリッド１２．
バッファグリッド１３を通って分析グリッド１４に入射
され、ここを通過した２次電子は７ノード無しマイクロ
チャンネルプレート３０で電子増倍される。アノード無
しマイクロチャンネルプレート３０で増倍され出力され
た電子はり７レクタ２０及びコレクタ１５によってシン
チレータ１６に集められて入射され、端子１９から電流
信号が出力される。
料１１から放出される２次電子は引出しグリッド１２．
バッファグリッド１３を通って分析グリッド１４に入射
され、ここを通過した２次電子は７ノード無しマイクロ
チャンネルプレート３０で電子増倍される。アノード無
しマイクロチャンネルプレート３０で増倍され出力され
た電子はり７レクタ２０及びコレクタ１５によってシン
チレータ１６に集められて入射され、端子１９から電流
信号が出力される。
ここで、ＩＪ３−Ｖｓの試料１１からエネルギーＶＳＥ
Ｏ（ｅＶ）で放出された２次電子は引出しグリッド１２
を通過するときＶＳＥＯ＋ＶＥ −Ｖｓ（ｅＶ）のエネ
ルギーを持ち、バッフ７グリツド１３を通過すると８Ｖ
ＳＥＯ−Ｉ Ｖａ −Ｖｓ （ｅＶ）のエネルギーを持
ち、分析グリッド１４を通過するときＶＳＥＯ＋ＶＨ−
Ｖｓ （ｅＶ）のエネルギーを持ち、試料型Ｊ）’、
Ｖ ｓ及び分析用１１Ｊ＋ＶＲにより２次電子のエネル
ギーは変動する。
Ｏ（ｅＶ）で放出された２次電子は引出しグリッド１２
を通過するときＶＳＥＯ＋ＶＥ −Ｖｓ（ｅＶ）のエネ
ルギーを持ち、バッフ７グリツド１３を通過すると８Ｖ
ＳＥＯ−Ｉ Ｖａ −Ｖｓ （ｅＶ）のエネルギーを持
ち、分析グリッド１４を通過するときＶＳＥＯ＋ＶＨ−
Ｖｓ （ｅＶ）のエネルギーを持ち、試料型Ｊ）’、
Ｖ ｓ及び分析用１１Ｊ＋ＶＲにより２次電子のエネル
ギーは変動する。
しかし、分析グリッド１４から数層の位置にアノード無
しマイクロチャンネルプレート３０Ｍ設けられているた
め、アノード無しマイク［１チヤンネルプレート３０の
位置における２次電子のエネルギー変動による軌道の変
化は小さくほとんど無視できる。そして７ノード烈しマ
イクロチャンネルプレート３０の出力１［１３０ｅから
出力される増倍された電子のエネルギーは、？イクロヂ
ャンネルプレート内部の材料からの２次電子であるから
常に数１０ｅＶと一定で、かつ出力電極の電圧は５００
Ｖで一定である。このため増倍された電子の軌道はりコ
レクタ２０及びコレクタ１５等の電界分布で決まり、試
料型１１ＪＶｓ及び分析電圧ＶＲの影響を受けない。つ
まり検出効率も一定となり、第４図に示す如く理想的な
分析カーブが得られる。
しマイクロチャンネルプレート３０Ｍ設けられているた
め、アノード無しマイク［１チヤンネルプレート３０の
位置における２次電子のエネルギー変動による軌道の変
化は小さくほとんど無視できる。そして７ノード烈しマ
イクロチャンネルプレート３０の出力１［１３０ｅから
出力される増倍された電子のエネルギーは、？イクロヂ
ャンネルプレート内部の材料からの２次電子であるから
常に数１０ｅＶと一定で、かつ出力電極の電圧は５００
Ｖで一定である。このため増倍された電子の軌道はりコ
レクタ２０及びコレクタ１５等の電界分布で決まり、試
料型１１ＪＶｓ及び分析電圧ＶＲの影響を受けない。つ
まり検出効率も一定となり、第４図に示す如く理想的な
分析カーブが得られる。
粘度の高い電圧測定が可能となる。同図中、実線ｍａ、
Ｉ［Ｉｂは夫々試料電圧ＯＶ、５Ｖでの分析カーブを示
す。
Ｉ［Ｉｂは夫々試料電圧ＯＶ、５Ｖでの分析カーブを示
す。
また、シンチレータ１６．ライトガイド１７゜フォトマ
ル１８で構成した電子検出器を使用するため、アノード
を持つマイクロチャンネルプレートによる検出器に比し
て端子１９における静電容がが小さく、かつ電流信号が
高電圧にバイアスされないために、次段のプリアンプの
高速化がなされ、測定を高速に行なうことができる。。
ル１８で構成した電子検出器を使用するため、アノード
を持つマイクロチャンネルプレートによる検出器に比し
て端子１９における静電容がが小さく、かつ電流信号が
高電圧にバイアスされないために、次段のプリアンプの
高速化がなされ、測定を高速に行なうことができる。。
（発明の効果〕
上述の如く、本発明の電子ビーム装置によれば、試料電
圧の測定精度が向上し、かつ測定を高速に行なうことが
でき実用上きわめて有用である。
圧の測定精度が向上し、かつ測定を高速に行なうことが
でき実用上きわめて有用である。
第１図は本発明装置の一実施例のＷＩ構造図第２図はア
ノード無しマイクロチャンネルプレートの一実施例の構
成図、 第３図は本発明￥ｉ置の電子Ｉｌ／Ｌ道を模式的に丞す
図、 第４図は本発明装置の分析カーブを示す図、第５図、第
６図は従来装置の各個の構造図、第７図は従来装置の電
Ｔ軌道を模式的に示す図、第８図は従来装置の分析カー
ブを示す図である。 図において、 １１は試料、 １２は引出しグリッド、 １３はバッフ７グリツド、 １４は分析グリッド、 １６はシンチレータ、 １７はライトガイド、 １８はフォトマル、 ３０はアノード無しマイクロチャンネルプレートを示す
。 本発明装置の４外造図 卒１図 フッーＹ′鎌しマ）Ｌ＋キャ〉午ルブし一トの講■【レ
コ第２図 第 図 Ａ建米基Ｉの１しｉ図 第６ ズ 本発日月簑ｔの覧′３−机遵乏メ炙八自りｊ；示１凹硝
３図 本発明装置の今剪刀−７゛百示す図 イ足′Ｌ栗ＩＣ電チ助Ｕ〔ご後式幻に形ゴ図第７図 樅来装潰５つ勺桿牟〃−）゛ご書Ｔ才図第８ 図
ノード無しマイクロチャンネルプレートの一実施例の構
成図、 第３図は本発明￥ｉ置の電子Ｉｌ／Ｌ道を模式的に丞す
図、 第４図は本発明装置の分析カーブを示す図、第５図、第
６図は従来装置の各個の構造図、第７図は従来装置の電
Ｔ軌道を模式的に示す図、第８図は従来装置の分析カー
ブを示す図である。 図において、 １１は試料、 １２は引出しグリッド、 １３はバッフ７グリツド、 １４は分析グリッド、 １６はシンチレータ、 １７はライトガイド、 １８はフォトマル、 ３０はアノード無しマイクロチャンネルプレートを示す
。 本発明装置の４外造図 卒１図 フッーＹ′鎌しマ）Ｌ＋キャ〉午ルブし一トの講■【レ
コ第２図 第 図 Ａ建米基Ｉの１しｉ図 第６ ズ 本発日月簑ｔの覧′３−机遵乏メ炙八自りｊ；示１凹硝
３図 本発明装置の今剪刀−７゛百示す図 イ足′Ｌ栗ＩＣ電チ助Ｕ〔ご後式幻に形ゴ図第７図 樅来装潰５つ勺桿牟〃−）゛ご書Ｔ才図第８ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子ビームを対物レンズ（１０）で収束して試料（１１
）に照射し、該試料（１０）から放出される２次電子の
エネルギーを該対物レンズ（１０）内に設けられたエネ
ルギー分析器で分析した後２次電子検出器で検出して該
試料（１０）各部の電圧を測定する電子ビーム装置にお
いて、 該エネルギー分析器と２次電子検出器との間に該エネル
ギー分析器の分析グリッド（１４）と対向させて配置さ
れ、２次電子を増倍して出力するアノードの無いマイク
ロチャンネルプレート（３０）を有し、 該マイクロチャンネルプレート（３０）で増倍された２
次電子をシンチレータ（１６）及びフオトマル（１８）
よりなる２次電子検出器で検出するよう構成したことを
特徴とする電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096993A JP2678059B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096993A JP2678059B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 電子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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1989
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