JPH02272768A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH02272768A JPH02272768A JP1093163A JP9316389A JPH02272768A JP H02272768 A JPH02272768 A JP H02272768A JP 1093163 A JP1093163 A JP 1093163A JP 9316389 A JP9316389 A JP 9316389A JP H02272768 A JPH02272768 A JP H02272768A
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- Japan
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- film
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- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は各画素の感度のバラツキを低減した固体撮像装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術）
近年の固体撮像装置は、撮像性能が急速に進歩して来て
おり、ますます高性能化の要望が大きくなっている。
おり、ますます高性能化の要望が大きくなっている。
第２図（ａ）は、従来の固体撮像素子の単位セルの模式
断面側図を示す。これは、光検出部の受光域（Ｎ）１、
伝達ゲート部のエンハンスメント領域（Ｐ”）２．埋込
チャネル（Ｎ”）３、伝達ゲート４を含み紙面に対し、
垂直方向へ電荷を運ぶ垂直転送レジスタ部からなる組が
、それらの間にチャネルストッパ５からなる絶縁分離領
域（Ｐ＋）を介して構成される。そして、Ｎ型半導体基
板１２上に選択的に形成されたＰウェル６及び、上記伝
達ゲート４上に絶縁膜７を介して受光域１の面積を決定
する遮光膜８を形成している。
断面側図を示す。これは、光検出部の受光域（Ｎ）１、
伝達ゲート部のエンハンスメント領域（Ｐ”）２．埋込
チャネル（Ｎ”）３、伝達ゲート４を含み紙面に対し、
垂直方向へ電荷を運ぶ垂直転送レジスタ部からなる組が
、それらの間にチャネルストッパ５からなる絶縁分離領
域（Ｐ＋）を介して構成される。そして、Ｎ型半導体基
板１２上に選択的に形成されたＰウェル６及び、上記伝
達ゲート４上に絶縁膜７を介して受光域１の面積を決定
する遮光膜８を形成している。
また、第２図（ｂ）は、同図（ａ）の周辺部ＭＯＳトラ
ンジスタの模式断面側図を示す。９はゲート電極、１０
は配線膜、１１はＮ型拡散層で、その他は（ａ）図と同
じである。
ンジスタの模式断面側図を示す。９はゲート電極、１０
は配線膜、１１はＮ型拡散層で、その他は（ａ）図と同
じである。
第２図（ａ）の遮光膜８と第２図（ｂ）の配線膜１０と
は製作の際、同時に形成し、遮光膜８と配線膜１０はＡ
ｇ材料を用いるが、第２図（ｂ）の場合、純Ａｄを用い
ると薄いＮ型拡散層１１へＡＱの突き抜けが生じるため
、従来はＡＩ＋にＳｉを含有（１，０％）させたＡｄ−
３ｉ（１，０％）を用い、ＡｌがＮ型拡散層へ突き抜け
るのを回避していた。
は製作の際、同時に形成し、遮光膜８と配線膜１０はＡ
ｇ材料を用いるが、第２図（ｂ）の場合、純Ａｄを用い
ると薄いＮ型拡散層１１へＡＱの突き抜けが生じるため
、従来はＡＩ＋にＳｉを含有（１，０％）させたＡｄ−
３ｉ（１，０％）を用い、ＡｌがＮ型拡散層へ突き抜け
るのを回避していた。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、その反面、ＡｌｌにＳｉを含有したため、製作
時、遮光膜８及び配線膜１０にヒロック８ｈ。
時、遮光膜８及び配線膜１０にヒロック８ｈ。
１０ｈ（ｌｌｉｌｌ・ｏｃｋ ）が発生しやすくなった
。これは、Ａ＋２−Ｓｉ膜を絶縁膜７やＮ型拡散層１１
上に蒸着し熱処理を行う過程において、再結晶により発
生するものと考えられる。
。これは、Ａ＋２−Ｓｉ膜を絶縁膜７やＮ型拡散層１１
上に蒸着し熱処理を行う過程において、再結晶により発
生するものと考えられる。
第２図（ａ）のヒロック８ｈは、図示のとおり受光域１
に突出しその一部分を遮光するため撮像画面では各画素
の感度のバラツキに影響を与える。また、第２図（ｂ）
のヒロックｔｏｈは１図示のとおり配線膜１０に薄い所
と厚い所が生ずるため抵抗値の変化（高くなる）が生じ
バラツクこととなる。
に突出しその一部分を遮光するため撮像画面では各画素
の感度のバラツキに影響を与える。また、第２図（ｂ）
のヒロックｔｏｈは１図示のとおり配線膜１０に薄い所
と厚い所が生ずるため抵抗値の変化（高くなる）が生じ
バラツクこととなる。
本発明は、このような遮光膜及び配線膜でのヒロック発
生を抑え、各画素の感度のバラツキがなく、良好な配線
コンタクトをうろことを目的とする。
生を抑え、各画素の感度のバラツキがなく、良好な配線
コンタクトをうろことを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため、遮光膜及び配線膜の
構造を二層構造とし、その膜材料はＡｌ１−３ｉ膜でな
り、上層及び下層のＳｉ含有率を変えるようにしたこと
を特徴とする。
構造を二層構造とし、その膜材料はＡｌ１−３ｉ膜でな
り、上層及び下層のＳｉ含有率を変えるようにしたこと
を特徴とする。
（作 用）
本発明は、上層のＡｌｔ−Ｓｉ膜のＳｉは０〜０．５％
。
。
下層（７）Ａｌ−８Ｌ膜（７） Ｓ ｉは０．８〜１．
６％、の範囲に夫々含有させることにより、上層におい
てＳｉを従来より少なくしヒロック発生を抑止し、下層
においてＳｉを従来より僅かに増減させてコンタクトの
向上をはかったものである。
６％、の範囲に夫々含有させることにより、上層におい
てＳｉを従来より少なくしヒロック発生を抑止し、下層
においてＳｉを従来より僅かに増減させてコンタクトの
向上をはかったものである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の模式断面図を示し、（ａ）
は単位セル、（ｂ）は周辺部のＭｏＳトランジスタであ
る。両図（ａ）、 （ｂ）において、遮光膜８′及び配
線膜１０’は夫々、二層のＡ Ｉ −Ｓ Ｌ膜８ａ、
８ｂ。
は単位セル、（ｂ）は周辺部のＭｏＳトランジスタであ
る。両図（ａ）、 （ｂ）において、遮光膜８′及び配
線膜１０’は夫々、二層のＡ Ｉ −Ｓ Ｌ膜８ａ、
８ｂ。
及び１０ａ、 １０ｂで構成し、上層８ａ、 １０ａの
Ｓｉ含有率をＯ〜０．５％、下層（７） ８ｂ、 １０
ｂ（７） Ｓｉ含有率を０．８〜１．６％、の各範囲で
製作されている。
Ｓｉ含有率をＯ〜０．５％、下層（７） ８ｂ、 １０
ｂ（７） Ｓｉ含有率を０．８〜１．６％、の各範囲で
製作されている。
このように構成することにより、上層８ａ、 １０ａは
従来に比べＳｉ含有率が１．０％から最大でもその１／
２の０．５％に低減された結果、Ａ＋２−８Ｌ膜を絶縁
膜７（ａ図）やＮ型拡散層１１（ｂ図）に蒸着し、加熱
処理する過程でヒロック８ｈ、 １０ｈの発生を抑え、
（ａ）図の場合、受光域１の各画素の感度のバラツキが
少なくなる。また、下層８ｂ、１０ｂは従来に比べＳｉ
含有率が１．０％を僅かに減増０．２〜０．６％してい
るのみであるから（ｂ）図の場合、薄いＮ型拡散層１１
を突き抜けることなく、良好なコンタクトが得られる。
従来に比べＳｉ含有率が１．０％から最大でもその１／
２の０．５％に低減された結果、Ａ＋２−８Ｌ膜を絶縁
膜７（ａ図）やＮ型拡散層１１（ｂ図）に蒸着し、加熱
処理する過程でヒロック８ｈ、 １０ｈの発生を抑え、
（ａ）図の場合、受光域１の各画素の感度のバラツキが
少なくなる。また、下層８ｂ、１０ｂは従来に比べＳｉ
含有率が１．０％を僅かに減増０．２〜０．６％してい
るのみであるから（ｂ）図の場合、薄いＮ型拡散層１１
を突き抜けることなく、良好なコンタクトが得られる。
なお、標準的なＳｉ含有率は上層８ａ、 １０ａに０．
５％、下層ｓｂ、 ｔａｂに１．０％とすることが、材
料の混成、及びヒロックを抑え、画素の感度のバラツキ
をなくしかつ良好な配線コンタクトをつる上で最適であ
った。
５％、下層ｓｂ、 ｔａｂに１．０％とすることが、材
料の混成、及びヒロックを抑え、画素の感度のバラツキ
をなくしかつ良好な配線コンタクトをつる上で最適であ
った。
（発明の効果）
以」二説明したように本発明は、製作時に同時に形成さ
れる＋４位セルの遮光膜及び周辺部ＭＯＳトランジスタ
の配線膜を従来の一層から二層構造とし、そのＡｆ！−
３ｊ膜のＳｉ含有率を上層を少なく、下層はそれより多
くし、上層でのヒロックの発生を抑止し、下層でのコン
タクトを良好ならしめた。
れる＋４位セルの遮光膜及び周辺部ＭＯＳトランジスタ
の配線膜を従来の一層から二層構造とし、そのＡｆ！−
３ｊ膜のＳｉ含有率を上層を少なく、下層はそれより多
くし、上層でのヒロックの発生を抑止し、下層でのコン
タクトを良好ならしめた。
この結果、ｊｌｌ−位セルにおける各画素の感度のバラ
ツキがなくなり品質の向上が得られる。
ツキがなくなり品質の向上が得られる。
第１図は本発明の一実施例の模式断面図、第２図は従来
の固体撮像素子の模式断面側図を示す。 １ ・・・受光域、 ２・・・エンハンスメント、３・
・・埋込チャネル、４ ・・・伝達ゲート、５ ・・・
チャネルストッパ、 ６ ・・・ Ｐウェル、 ７・・
・絶縁層、 ８，８′ ・・・遮光膜、８ａ、 １０ａ
−上層、 ８ｂ、 １０ｂ ・・・下層。 ９ ・・・ゲート電極、１０．１０′ ・・・配線膜、
１１・・・Ｎ型拡散層、１２・・・Ｎ型半導体基板。 特許出闇人 松下電子工業株式会社 第 図 第 図 Ｎ型平早捧蟇棟
の固体撮像素子の模式断面側図を示す。 １ ・・・受光域、 ２・・・エンハンスメント、３・
・・埋込チャネル、４ ・・・伝達ゲート、５ ・・・
チャネルストッパ、 ６ ・・・ Ｐウェル、 ７・・
・絶縁層、 ８，８′ ・・・遮光膜、８ａ、 １０ａ
−上層、 ８ｂ、 １０ｂ ・・・下層。 ９ ・・・ゲート電極、１０．１０′ ・・・配線膜、
１１・・・Ｎ型拡散層、１２・・・Ｎ型半導体基板。 特許出闇人 松下電子工業株式会社 第 図 第 図 Ｎ型平早捧蟇棟
Claims (1)
- 光電変換素子部、伝達ゲート部及び垂直転送レジスタ部
からなる単位セルを複数個有する固体撮像装置において
、遮光用のＡｌ−Ｓｉ膜と配線用のＡｌ−Ｓｉ膜を二層
の膜で形成したことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093163A JPH02272768A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1093163A JPH02272768A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272768A true JPH02272768A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14074900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1093163A Pending JPH02272768A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196167A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH04225565A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1093163A patent/JPH02272768A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04196167A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH04225565A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
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