JPH02271643A - ウエハ搬送装置 - Google Patents
ウエハ搬送装置Info
- Publication number
- JPH02271643A JPH02271643A JP1093689A JP9368989A JPH02271643A JP H02271643 A JPH02271643 A JP H02271643A JP 1093689 A JP1093689 A JP 1093689A JP 9368989 A JP9368989 A JP 9368989A JP H02271643 A JPH02271643 A JP H02271643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- center
- holder
- stage
- centering mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 232
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハに対しプラズマCV D。
エンチングなどの処理を施す半導体製造装置に組み込ん
で使用するウェハ搬送装置に関する。
で使用するウェハ搬送装置に関する。
真空準備室内に置かれたウェハカセットと真空準備室に
隣接するプロセス反応室の室内に装備したウェハステー
ジとの間で、ウェハを一枚ずつ受け取り、搬送、受け渡
し操作するウェハ搬送装置として従来より様々な装置が
既に実用化されている。また、その−例としてウェハを
水平姿勢に受容保持する短冊板形のウェハホルダをハン
ドとして取付けたロボットとしてのハンド駆動機構を真
空準備室の室内に配備し、該ハンド駆動機構の操作によ
りウェハホルダをウニバカセントとプロセス反応室の間
で前進、後退、昇降、水平旋回移動してウェハの受け取
り、WI送、受け渡しを行うようにしたものが例えば特
開昭63−23332゜実開昭63−152244など
で公知である。
隣接するプロセス反応室の室内に装備したウェハステー
ジとの間で、ウェハを一枚ずつ受け取り、搬送、受け渡
し操作するウェハ搬送装置として従来より様々な装置が
既に実用化されている。また、その−例としてウェハを
水平姿勢に受容保持する短冊板形のウェハホルダをハン
ドとして取付けたロボットとしてのハンド駆動機構を真
空準備室の室内に配備し、該ハンド駆動機構の操作によ
りウェハホルダをウニバカセントとプロセス反応室の間
で前進、後退、昇降、水平旋回移動してウェハの受け取
り、WI送、受け渡しを行うようにしたものが例えば特
開昭63−23332゜実開昭63−152244など
で公知である。
(発明が解決しようとする課題〕
ところで、前記のウニノー搬送装置でウニ/%の受け取
り、搬送、受け渡しを正確、高速で操作するには、機能
面で次記の点が重要課題となる。
り、搬送、受け渡しを正確、高速で操作するには、機能
面で次記の点が重要課題となる。
(11ウエハの受け取り、受け渡しの際に、ウエノ\が
ウェハホルダ上に指定したセンタ位置に正しく位置決め
して受容保持されること。
ウェハホルダ上に指定したセンタ位置に正しく位置決め
して受容保持されること。
(2)ハンド駆動機構の操作でウェハホルダを移動する
際に、その起動、停止に伴う慣性力でウエノ1の受容位
置が不用意にずれ動かないこと。
際に、その起動、停止に伴う慣性力でウエノ1の受容位
置が不用意にずれ動かないこと。
かかる点、従来の装置では、前記の+11項に関しては
ウェハホルダの上面に溝内径をウエノ1の外径寸法に合
わせたウェハ保持用の凹溝、ないしストッパを設け、ま
た(2)項に関してはうエバホルダの上面に摩擦抵抗の
大きな材料用いたウエノ1の滑り止め用バンドを備える
などして対処している。
ウェハホルダの上面に溝内径をウエノ1の外径寸法に合
わせたウェハ保持用の凹溝、ないしストッパを設け、ま
た(2)項に関してはうエバホルダの上面に摩擦抵抗の
大きな材料用いたウエノ1の滑り止め用バンドを備える
などして対処している。
しかしながら、ウェハカセット内に並べて収容されたウ
ェハは、カセットからの取り出し方向には拘束されてな
いために、カセットを真空準備室内に搬入、セットする
際の僅かな姿勢の乱れでウェハが多少飛び出すなどして
必ずしも正規の位置に収容されてない場合が多々ある。
ェハは、カセットからの取り出し方向には拘束されてな
いために、カセットを真空準備室内に搬入、セットする
際の僅かな姿勢の乱れでウェハが多少飛び出すなどして
必ずしも正規の位置に収容されてない場合が多々ある。
したがって、この状態のままカセット内にウェハホルダ
を挿入し、下方からウェハをすくい上げて受け取るとす
ると、ウェハがウェハホルダ上で指定したセンタ位置に
正しく載らず、不安定な姿勢のまま取り出されることに
なる。このために次の搬送行程の途中でウェハが不測に
ウェハホルダから脱落したり、運よく脱落しなくても次
の工程で相手側のステージヘウエハを受け渡す際に正し
い位置に移載することができないと言った搬送トラブル
、受け渡しミスが発生する。なお、ハンド駆動機構は通
常のロボットと同様に、ハンドであるウェハホルダの位
置データを基に自動運転制御される。
を挿入し、下方からウェハをすくい上げて受け取るとす
ると、ウェハがウェハホルダ上で指定したセンタ位置に
正しく載らず、不安定な姿勢のまま取り出されることに
なる。このために次の搬送行程の途中でウェハが不測に
ウェハホルダから脱落したり、運よく脱落しなくても次
の工程で相手側のステージヘウエハを受け渡す際に正し
い位置に移載することができないと言った搬送トラブル
、受け渡しミスが発生する。なお、ハンド駆動機構は通
常のロボットと同様に、ハンドであるウェハホルダの位
置データを基に自動運転制御される。
また、ウェハホルダに滑り止め用パッドを備えたもので
も、搬送速度を高速にすると、前進、後退、水平旋回の
起動、停止時に働く慣性力でウェハがウェハホルダの上
で不用意にずれ動くおそれがある。しかもウェハの載置
位置が正規の位置からずれると前記のように相手側のス
テージに対し正しい位置に受け渡すことができなくなる
問題があり、したがってウェハを低速搬送しなければな
らず、結果としてウェハ搬送のスルーブツトが低下する
。
も、搬送速度を高速にすると、前進、後退、水平旋回の
起動、停止時に働く慣性力でウェハがウェハホルダの上
で不用意にずれ動くおそれがある。しかもウェハの載置
位置が正規の位置からずれると前記のように相手側のス
テージに対し正しい位置に受け渡すことができなくなる
問題があり、したがってウェハを低速搬送しなければな
らず、結果としてウェハ搬送のスルーブツトが低下する
。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、従来
装置を改良することにより、ウェハの位置決め精度が高
く、かつ搬送トラブルのおそれなしにウェハを高速搬送
できるようにしたウェハ搬送装置を提供することを目的
とする。
装置を改良することにより、ウェハの位置決め精度が高
く、かつ搬送トラブルのおそれなしにウェハを高速搬送
できるようにしたウェハ搬送装置を提供することを目的
とする。
上記課題を解決するために、本発明のウェハ搬送装置は
、前後、昇降、水平旋回の自由度を持つハンド駆動機構
に取付けたウェハホルダに対し、その上面倒に溝内径が
ウェハの外径とほぼ一敗するウェハ受渡用の凹溝部、お
よびウェハ外径よりも一回り大きなウェハ受取用の凹溝
部を階段状に並べて成形するとともに、前記ハンド駆動
機構に並置してその動作領域内に、ウェハホルダ上に受
容されたウェハを前記のウェハ受渡用凹溝部に対し中心
位置決めするセンタリング機構を配備し、ウェハ受け取
り後の搬送工程の途上で、ウェハホルダに対するウェハ
の受容位置をセンタリング機構の中心位置決め操作によ
り修正して受渡用凹溝部内に保持させるよう構成したも
のである。
、前後、昇降、水平旋回の自由度を持つハンド駆動機構
に取付けたウェハホルダに対し、その上面倒に溝内径が
ウェハの外径とほぼ一敗するウェハ受渡用の凹溝部、お
よびウェハ外径よりも一回り大きなウェハ受取用の凹溝
部を階段状に並べて成形するとともに、前記ハンド駆動
機構に並置してその動作領域内に、ウェハホルダ上に受
容されたウェハを前記のウェハ受渡用凹溝部に対し中心
位置決めするセンタリング機構を配備し、ウェハ受け取
り後の搬送工程の途上で、ウェハホルダに対するウェハ
の受容位置をセンタリング機構の中心位置決め操作によ
り修正して受渡用凹溝部内に保持させるよう構成したも
のである。
上記の構成で、ハンド駆動機構、センタリング機構はプ
ロセス反応室と真空仕切弁を介して隔離された真空準備
室内に配備されている。また、センタリング機構は、ウ
ェハの外径に対応した円弧状の周壁を有する2個のセグ
メントに分割されたステージと、各セグメントをステー
ジのセンタに対して左右に開閉する駆動部とを組合せた
ものであり、ハンド駆動機構の側方に並べてその動作領
域内に設置されている。そして、待機時にはステージの
各セグメントが左右に開いて後退位置しており、センタ
リング操作の際に各セグメントを待機位置からセンタに
向は引き寄せ、ステージ上に載っているウェハをセグメ
ントの周壁の間に抱え込むようにしてウェハをハンドリ
ング機構のセンタに中心位置決めさせる。
ロセス反応室と真空仕切弁を介して隔離された真空準備
室内に配備されている。また、センタリング機構は、ウ
ェハの外径に対応した円弧状の周壁を有する2個のセグ
メントに分割されたステージと、各セグメントをステー
ジのセンタに対して左右に開閉する駆動部とを組合せた
ものであり、ハンド駆動機構の側方に並べてその動作領
域内に設置されている。そして、待機時にはステージの
各セグメントが左右に開いて後退位置しており、センタ
リング操作の際に各セグメントを待機位置からセンタに
向は引き寄せ、ステージ上に載っているウェハをセグメ
ントの周壁の間に抱え込むようにしてウェハをハンドリ
ング機構のセンタに中心位置決めさせる。
次にウェハをカセットから一枚ずつ取り出してプロセス
反応室内のウェハステージに受け渡す場合の搬送動作に
ついて述べる。真空準備室内でカセットからウェハを取
り出す際には、まずノ\ンド駆動機構の前進操作でウェ
ハホルダをカセット内に挿入し、続く上昇操作でウェハ
をすくい上げてウェハホルダに受容させる。この場合に
カセット内でのウェハ収容位置が正規の位置より多少ず
れていても、この収容位置のずれ分をカバーして溝内径
の大きなウェハ受取用凹溝部にウェハが確実に載って受
容保持される。
反応室内のウェハステージに受け渡す場合の搬送動作に
ついて述べる。真空準備室内でカセットからウェハを取
り出す際には、まずノ\ンド駆動機構の前進操作でウェ
ハホルダをカセット内に挿入し、続く上昇操作でウェハ
をすくい上げてウェハホルダに受容させる。この場合に
カセット内でのウェハ収容位置が正規の位置より多少ず
れていても、この収容位置のずれ分をカバーして溝内径
の大きなウェハ受取用凹溝部にウェハが確実に載って受
容保持される。
次に、ウェハホルダをカセットより引出した上で続く旋
回操作によりウェハホルダを前記のセンタリング機構に
移動し、かつウェハホルダに形成したウェハ受渡用凹溝
のセンタをハンドリング機構のセンタ位置に合わせた上
で、ウェハホルダを下降操作してウェハを一旦センタリ
ング機構のステージ側に受け渡す、ここでステージのセ
グメントを待機位置からセンタに向けて引き寄せるよう
に閉じると、この過程でステージのセグメントが左右よ
りウェハを抱え込み、ウェハの中心がセンタリング機構
のセンタと一致するように中心位置決めされる。したが
ってこの位置でウェハホルダを上昇操作し、かつセンタ
リング機構のステージを開放してウェハをセンタリング
機構から受け取ると、必然的にウェハはウェハ受渡用凹
溝内に正しく収まって受容保持されることになる。
回操作によりウェハホルダを前記のセンタリング機構に
移動し、かつウェハホルダに形成したウェハ受渡用凹溝
のセンタをハンドリング機構のセンタ位置に合わせた上
で、ウェハホルダを下降操作してウェハを一旦センタリ
ング機構のステージ側に受け渡す、ここでステージのセ
グメントを待機位置からセンタに向けて引き寄せるよう
に閉じると、この過程でステージのセグメントが左右よ
りウェハを抱え込み、ウェハの中心がセンタリング機構
のセンタと一致するように中心位置決めされる。したが
ってこの位置でウェハホルダを上昇操作し、かつセンタ
リング機構のステージを開放してウェハをセンタリング
機構から受け取ると、必然的にウェハはウェハ受渡用凹
溝内に正しく収まって受容保持されることになる。
そして、前記のセンタリング操作が済むと、次の工程で
ハンド駆動機構の操作でウェハホルダが真空仕切弁を通
じてプロセス反応室内に搬入され、続くウェハホルダの
下降操作によりウェハが室内に配備したウェハステージ
に受け渡しされる。しかも、この搬送過程では、ウェハ
外径とほぼ同一寸法に設定したウェハ受渡用凹溝内に収
まって拘束保持されているので、搬送途上で不用意にウ
ェハの受容位置がずれたり、脱落したりする搬送トラブ
ルのおそれはなく、さらにプロセス反応室内のウエハス
テージヘウエハを受け渡す際には、高い位置決め精度で
確実にウェハを移載することができる。
ハンド駆動機構の操作でウェハホルダが真空仕切弁を通
じてプロセス反応室内に搬入され、続くウェハホルダの
下降操作によりウェハが室内に配備したウェハステージ
に受け渡しされる。しかも、この搬送過程では、ウェハ
外径とほぼ同一寸法に設定したウェハ受渡用凹溝内に収
まって拘束保持されているので、搬送途上で不用意にウ
ェハの受容位置がずれたり、脱落したりする搬送トラブ
ルのおそれはなく、さらにプロセス反応室内のウエハス
テージヘウエハを受け渡す際には、高い位置決め精度で
確実にウェハを移載することができる。
なお、プロセス反応室内でウェハ処理した後にウェハを
回収してカセットに戻す際には、前記した搬送動作と逆
な順序で操作することにより、前記と同様に搬送トラブ
ルのおそれなしにウェハをカセット内に正しく収容する
ことができる。
回収してカセットに戻す際には、前記した搬送動作と逆
な順序で操作することにより、前記と同様に搬送トラブ
ルのおそれなしにウェハをカセット内に正しく収容する
ことができる。
〔実施例〕
第1図、第2図は本発明実施例によるウェハ搬送装!全
体の構成図、第3図(al、(blはウェハホルダの構
造図、第4図Tal〜(d)はウェハと各部品との間の
寸法関係を表した図である。
体の構成図、第3図(al、(blはウェハホルダの構
造図、第4図Tal〜(d)はウェハと各部品との間の
寸法関係を表した図である。
まず、第1図、第2図において、1は真空準備室、2は
プロセス反応室、3は真空準備室lとプロセス反応室2
との間を隔離する真空仕切弁、4はウェハカセット、5
はカセット4の内部に収容されているウェハ、6はウェ
ハホルダ、7はウェハホルダ6を取付けたハンド駆動機
構、8はセンタリング機構である。
プロセス反応室、3は真空準備室lとプロセス反応室2
との間を隔離する真空仕切弁、4はウェハカセット、5
はカセット4の内部に収容されているウェハ、6はウェ
ハホルダ、7はウェハホルダ6を取付けたハンド駆動機
構、8はセンタリング機構である。
ここで、前記のプロセス反応室2の内部には、高周波電
′Ix21に接続されたカソード電極22、カソード電
極22に対向するアノード電極を兼ねた上下動式のウェ
ハステージ23、ウェハステージ23を貫通して固定配
備した複数本からなるウェハ支持ピン24などがvtU
fIされている。また、ウェハカセット4は、前面を開
放した多段式の棚容器でその内部には複数枚のウェハ5
が上下段に並べて所定ピッチおきに収容されている。な
お、カセット4は真空準備室1の開閉扉11より室内に
搬入し、所定の位置にセツティングされる。
′Ix21に接続されたカソード電極22、カソード電
極22に対向するアノード電極を兼ねた上下動式のウェ
ハステージ23、ウェハステージ23を貫通して固定配
備した複数本からなるウェハ支持ピン24などがvtU
fIされている。また、ウェハカセット4は、前面を開
放した多段式の棚容器でその内部には複数枚のウェハ5
が上下段に並べて所定ピッチおきに収容されている。な
お、カセット4は真空準備室1の開閉扉11より室内に
搬入し、所定の位置にセツティングされる。
一方、ウェハホルダ6は、第3図(A)、(blに示す
ように平面が長方形である段付き板であり、その段付き
基部61の前方域で上面倒にはウェハ受渡用の凹溝部6
2.ウェハ受取用の凹溝部63が階段状に並べて形成さ
れている。ここで、ウェハ5の外径をdとして、前記し
た凹溝部62の溝内径Aはウェハ外径dとほぼ同じ(A
≧d)、凹溝部63の溝内径Bは凹溝部62より一回り
太きく (B>A)定めである。また凹溝部62.6
3の溝深さはそれぞれウェハ5の厚さ寸法と同程度とし
、段付き基部61の厚みは先記したウェハカセット4に
おけるウェハ5の配列ピッチよりは小に定めである。ま
た、ハンド駆動機構7は、前後、上下、水平旋回の方向
に自由度を持ったメカニカルパンタグラフ型ロボットで
あってウェハカセット4の前方に配備されており、その
パンタグラフアーム71の先端に先記したウェハホルダ
6が取付けけある。
ように平面が長方形である段付き板であり、その段付き
基部61の前方域で上面倒にはウェハ受渡用の凹溝部6
2.ウェハ受取用の凹溝部63が階段状に並べて形成さ
れている。ここで、ウェハ5の外径をdとして、前記し
た凹溝部62の溝内径Aはウェハ外径dとほぼ同じ(A
≧d)、凹溝部63の溝内径Bは凹溝部62より一回り
太きく (B>A)定めである。また凹溝部62.6
3の溝深さはそれぞれウェハ5の厚さ寸法と同程度とし
、段付き基部61の厚みは先記したウェハカセット4に
おけるウェハ5の配列ピッチよりは小に定めである。ま
た、ハンド駆動機構7は、前後、上下、水平旋回の方向
に自由度を持ったメカニカルパンタグラフ型ロボットで
あってウェハカセット4の前方に配備されており、その
パンタグラフアーム71の先端に先記したウェハホルダ
6が取付けけある。
また、センタリング機構8は、ウエノ\5の外径に対応
した円弧状の周壁を有する2個のセグメント81.82
に分割されたステージと、各セグメント81、82をス
テージのセンタに対して左右方向に開閉するねし機構8
3と駆動モータ84からなる駆動部とを組合せたもので
あり、前記したハンド駆動機構7の側方に並べてその動
作領域内に並置配備されている。なお、第1図ではセン
タリング機構8がハンド駆動機構7の後方に並べて描か
れているが、実際の配置は第2図に示すようにハンド駆
動機構7の側方に位置している。かかるセンタリング機
構8は、待機状態でステージの各セグメント81、82
が左右に開いて後退位置しており、センタリング操作の
際に各セグメント81.82を待機位置から中央に引き
寄せるように閉じると、ステージ上に載っているウェハ
がセグメントの周壁の間に抱え込まれてハンドリング機
構8のセンタに中心位置決めされる。
した円弧状の周壁を有する2個のセグメント81.82
に分割されたステージと、各セグメント81、82をス
テージのセンタに対して左右方向に開閉するねし機構8
3と駆動モータ84からなる駆動部とを組合せたもので
あり、前記したハンド駆動機構7の側方に並べてその動
作領域内に並置配備されている。なお、第1図ではセン
タリング機構8がハンド駆動機構7の後方に並べて描か
れているが、実際の配置は第2図に示すようにハンド駆
動機構7の側方に位置している。かかるセンタリング機
構8は、待機状態でステージの各セグメント81、82
が左右に開いて後退位置しており、センタリング操作の
際に各セグメント81.82を待機位置から中央に引き
寄せるように閉じると、ステージ上に載っているウェハ
がセグメントの周壁の間に抱え込まれてハンドリング機
構8のセンタに中心位置決めされる。
次に、第4図で先記したウェハホルダ6、センタリング
機構のステージセグメント81.82.プロセス反応室
内のウェハステージ23の各部品とウェハ5との寸法関
係を表す0図中、ウェハ5の外径をd、ウェハホルダ6
における受渡用凹溝部62の溝内径をA1受取用凹溝部
63の溝内径をB、センタリング機構のセグメント81
.82が開いた状態でのステージの差し渡し寸法をC,
プロセス反応室内のステージ23の凹溝内径をDとして
、各部品の寸法がd≦A<D<B<Cとなるよに定めで
ある。
機構のステージセグメント81.82.プロセス反応室
内のウェハステージ23の各部品とウェハ5との寸法関
係を表す0図中、ウェハ5の外径をd、ウェハホルダ6
における受渡用凹溝部62の溝内径をA1受取用凹溝部
63の溝内径をB、センタリング機構のセグメント81
.82が開いた状態でのステージの差し渡し寸法をC,
プロセス反応室内のステージ23の凹溝内径をDとして
、各部品の寸法がd≦A<D<B<Cとなるよに定めで
ある。
上記構成によるウェハ搬送装置の搬送動作は次のように
行われる。まず、カセット4からウェハ5を取り出して
プロセス反応室2のウェハステージ23に受け渡す場合
の搬送操作について述べると、カセット4に収容された
ウェハ5に対し、ハンド駆動機構7の前進操作でウェハ
ホルダ6がウェハ5の下面に挿入される。この場合に、
ウェハ5の収容位置がカセット4より多少突出している
場合には、ウェハホルダ6の段付き基部61の前端面に
当たってカセット内に押し戻される。続いてウェハホル
ダ6をウェハ受け取り位置に位置決めした後に上昇操作
し、ウェハ5をすくい上げてウェハホルダ6の受取用凹
溝部63に受容させる。この場合に、受取用凹溝部63
の溝内径Bはウェハ外径dより大きいので、ウェハ5の
収容位置が多少ずれていても支障なくウェハホルダ6へ
確実に移載される。
行われる。まず、カセット4からウェハ5を取り出して
プロセス反応室2のウェハステージ23に受け渡す場合
の搬送操作について述べると、カセット4に収容された
ウェハ5に対し、ハンド駆動機構7の前進操作でウェハ
ホルダ6がウェハ5の下面に挿入される。この場合に、
ウェハ5の収容位置がカセット4より多少突出している
場合には、ウェハホルダ6の段付き基部61の前端面に
当たってカセット内に押し戻される。続いてウェハホル
ダ6をウェハ受け取り位置に位置決めした後に上昇操作
し、ウェハ5をすくい上げてウェハホルダ6の受取用凹
溝部63に受容させる。この場合に、受取用凹溝部63
の溝内径Bはウェハ外径dより大きいので、ウェハ5の
収容位置が多少ずれていても支障なくウェハホルダ6へ
確実に移載される。
次にウェハホルダ6を後退操作してカセット4から完全
に抜き出した後、水平旋回操作によりつ工゛ハホルダ6
をセンタリング機構8に移動し、かつセンタリング機構
8のセンタ位置にウェハホルダ6で指定したウェハ受渡
用凹溝部62のセンタを合わせるように位置決めしたと
ころで、2分割したステージセグメント81と82との
間に下降してウェハ5をセンタリング機構8のステージ
側に一旦受け渡す、この場合に、第4図で述べたように
寸法CABの関係にあるので、ウェハ5はウェハホルダ
6からセンタリング機構8のステージ側に確実に載り移
る。続いてセンタリング機構8のステージセグメント8
1.82を中央に引き寄せるように閉じると、ウェハ5
はセンタリング機構のセンタ。
に抜き出した後、水平旋回操作によりつ工゛ハホルダ6
をセンタリング機構8に移動し、かつセンタリング機構
8のセンタ位置にウェハホルダ6で指定したウェハ受渡
用凹溝部62のセンタを合わせるように位置決めしたと
ころで、2分割したステージセグメント81と82との
間に下降してウェハ5をセンタリング機構8のステージ
側に一旦受け渡す、この場合に、第4図で述べたように
寸法CABの関係にあるので、ウェハ5はウェハホルダ
6からセンタリング機構8のステージ側に確実に載り移
る。続いてセンタリング機構8のステージセグメント8
1.82を中央に引き寄せるように閉じると、ウェハ5
はセンタリング機構のセンタ。
つまりウェハホルダ6における凹溝部62のセンタと合
致するように中心位置決めがなされる。したがって、次
にウェハホルダ6を上昇操作し、さらにセンタリング機
構8のステージセグメント8182を開放すれば、ウェ
ハ5はセンタリング機構8からウェハホルダ6に移載さ
れ、同時にウェハ5がウェハ受渡用の凹溝部62へ確実
に収まるように受容されることになる。
致するように中心位置決めがなされる。したがって、次
にウェハホルダ6を上昇操作し、さらにセンタリング機
構8のステージセグメント8182を開放すれば、ウェ
ハ5はセンタリング機構8からウェハホルダ6に移載さ
れ、同時にウェハ5がウェハ受渡用の凹溝部62へ確実
に収まるように受容されることになる。
これにより、カセット4から取出したウェハ5の受容位
置がウェハホルダ6の凹溝部62から外れていても、続
くセンタリング操作により受容位置が修正され、ウェハ
5はウェハホルダ6に対してあらかじめ指定したセンタ
位置に正しく位置決めされることになる。
置がウェハホルダ6の凹溝部62から外れていても、続
くセンタリング操作により受容位置が修正され、ウェハ
5はウェハホルダ6に対してあらかじめ指定したセンタ
位置に正しく位置決めされることになる。
次にハンド駆動機構7の前進操作により、ウェハホルダ
6は真空仕切弁3を通じてプロセス反応室2内に搬入さ
れ、続く下降操作でウェハ5を室内に配備したウェハ支
持ピン24の上に移載した後に室外に退避移動される。
6は真空仕切弁3を通じてプロセス反応室2内に搬入さ
れ、続く下降操作でウェハ5を室内に配備したウェハ支
持ピン24の上に移載した後に室外に退避移動される。
一方、ウェハホルダの室外退避後に真空仕切弁3を閉じ
た上で、ウェハステージ23を上昇湿作すれば、ウェハ
5が支持ピン24からステージ23に移載される。この
場合にステージ24の凹溝内径りはウェハホルダ6の凹
溝部62の溝内径Aに対してD>Aの関係にあり、した
がって支持ピン24の上に載っているウェハ5は受け渡
しミスなしにステージ23へ確実に移載される。
た上で、ウェハステージ23を上昇湿作すれば、ウェハ
5が支持ピン24からステージ23に移載される。この
場合にステージ24の凹溝内径りはウェハホルダ6の凹
溝部62の溝内径Aに対してD>Aの関係にあり、した
がって支持ピン24の上に載っているウェハ5は受け渡
しミスなしにステージ23へ確実に移載される。
この状態で、次にプロセス反応室2をI Torr程度
の真空圧力に保持しつつ、図示していないガス供給系か
ら反応ガスを導入し、カソード電極22とアノード電極
を兼ねたステージ23との間に高周波電R21から高周
波電圧を印加してプラズマを発生させ、ウェハ5にプラ
ズマCVD、あるいはプラズマエツチング処理を行う、
処理終了後はステージ23を下降してウェハ5を再び支
持ピン24の上に移載するとともに、一方では真空仕切
弁3を開いて室外に待機しているウェハホルダ6を室内
に搬入し、ウェハ5を支持ピン24からすくい上げて受
け取る。この場合に、ウェハホルダ側のウェハ受取用凹
溝部63の溝内径Bはステージ23の溝内径りに対して
B>Dの関係にあるので、ウェハ5はウェハホルダ6へ
確実に移載される。
の真空圧力に保持しつつ、図示していないガス供給系か
ら反応ガスを導入し、カソード電極22とアノード電極
を兼ねたステージ23との間に高周波電R21から高周
波電圧を印加してプラズマを発生させ、ウェハ5にプラ
ズマCVD、あるいはプラズマエツチング処理を行う、
処理終了後はステージ23を下降してウェハ5を再び支
持ピン24の上に移載するとともに、一方では真空仕切
弁3を開いて室外に待機しているウェハホルダ6を室内
に搬入し、ウェハ5を支持ピン24からすくい上げて受
け取る。この場合に、ウェハホルダ側のウェハ受取用凹
溝部63の溝内径Bはステージ23の溝内径りに対して
B>Dの関係にあるので、ウェハ5はウェハホルダ6へ
確実に移載される。
続いて、ウェハ5をカセット4へ戻す搬送経路の途上で
ウェハホルダ6をセンタリング機構8に移動して先述と
同様なセンタリング機作を行った後に、ウェハホルダ6
をカセット4に進入してウェハ5をカセットに収容し、
これで一連の搬送動作が終了する。以下前記と同様な操
作を繰り返し、カセット内に収容されている全てのウェ
ハに対してプロセス処理を実行する。
ウェハホルダ6をセンタリング機構8に移動して先述と
同様なセンタリング機作を行った後に、ウェハホルダ6
をカセット4に進入してウェハ5をカセットに収容し、
これで一連の搬送動作が終了する。以下前記と同様な操
作を繰り返し、カセット内に収容されている全てのウェ
ハに対してプロセス処理を実行する。
なお、センタリング機構は図示側以外の機構で実施する
こともできる。
こともできる。
本発明のウェハ搬送装置は、以上述べたように構成され
ているので、次記の効果を奏する。
ているので、次記の効果を奏する。
(1)ウェハカセット、ないしプロセス反応室内のウェ
ハステージからウェハを受け取った際に、ウェハの受容
位置がウェハホルダ上に指定した受渡用凹溝部と多少ず
れていても、ウェハは脱落することなく溝内径の大きな
受取用凹溝部に受容保持され、さらにセンタリング機構
で行う中心位置決め操作により、ウェハの受容位置が修
正されてウェハ受渡用の凹溝部へ正しく収まり、その凹
溝部内で拘束保持される。これによりウェハホルダから
相手側のステージヘウエハを受け渡す際の高い位置決め
精度が確保でき、搬送トラブル、受け渡しミスなしに確
実にウェハを相手側へ移載することができる。
ハステージからウェハを受け取った際に、ウェハの受容
位置がウェハホルダ上に指定した受渡用凹溝部と多少ず
れていても、ウェハは脱落することなく溝内径の大きな
受取用凹溝部に受容保持され、さらにセンタリング機構
で行う中心位置決め操作により、ウェハの受容位置が修
正されてウェハ受渡用の凹溝部へ正しく収まり、その凹
溝部内で拘束保持される。これによりウェハホルダから
相手側のステージヘウエハを受け渡す際の高い位置決め
精度が確保でき、搬送トラブル、受け渡しミスなしに確
実にウェハを相手側へ移載することができる。
(2)ウェハがウェハホルダの受渡用凹溝内に収まれば
、続く搬送の移動過程で起動、停止に伴う慣性力が働い
てもウェハの受容位置が不用意にずれ動くことがなく、
シたがって搬送速度の高速化が可能となり、これにより
ウェハ搬送のスルーブツトを従来装置と比べて格段に向
上できる。
、続く搬送の移動過程で起動、停止に伴う慣性力が働い
てもウェハの受容位置が不用意にずれ動くことがなく、
シたがって搬送速度の高速化が可能となり、これにより
ウェハ搬送のスルーブツトを従来装置と比べて格段に向
上できる。
第1図、第2図は本発明実施例にょるウェハ搬送装置の
構成配置を示す側面図、平面図、第3図(4)、(b)
はウェハホルダの平面図、側断面図、第4図はウェハ外
径と各部品における凹溝との寸法関係図である0図にお
いて、 1:真空準備室、2:プロセス反応室、23:ウェハス
テージ、4:ウェハカセット、5;ウェハ、6:ウェハ
ホルダ、62:ウェハ受渡用凹溝部、63;ウェハ受取
用凹溝部、7:ハンド駆動機構、8:センタリング機構
、d:ウェハ外径、A、B:凹溝部の溝内径。
構成配置を示す側面図、平面図、第3図(4)、(b)
はウェハホルダの平面図、側断面図、第4図はウェハ外
径と各部品における凹溝との寸法関係図である0図にお
いて、 1:真空準備室、2:プロセス反応室、23:ウェハス
テージ、4:ウェハカセット、5;ウェハ、6:ウェハ
ホルダ、62:ウェハ受渡用凹溝部、63;ウェハ受取
用凹溝部、7:ハンド駆動機構、8:センタリング機構
、d:ウェハ外径、A、B:凹溝部の溝内径。
Claims (1)
- 1)ウェハカセットとプロセス反応室内に装備したウェ
ハステージとの間でウェハの受け取り、搬送、受け渡し
を行うウェハ搬送装置であって、前後、昇降、水平旋回
の自由度を持つハンド駆動機構に搭載したウェハホルダ
に対し、その上面倒に溝内径がウェハの外径とほぼ一致
するウェハ受渡用の凹溝部、およびウェハ外径よりも一
回り大きなウェハ受取用の凹溝部を階段状に並べて成形
するとともに、前記ハンド駆動機構に並置してその動作
領域内に、ウェハホルダ上に受容されたウェハを前記の
ウェハ受渡用凹溝部に対し中心位置決めするセンタリン
グ機構を配備し、ウェハ受け取り後の搬送工程の途上で
、ウェハホルダに対するウェハの受容位置を前記センタ
リング機構のセンタリング操作により修正してウェハ受
渡用凹溝部内に保持させるようにしたことを特徴とする
ウェハ搬送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9368989A JP2510282B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | ウエハ搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9368989A JP2510282B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | ウエハ搬送装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02271643A true JPH02271643A (ja) | 1990-11-06 |
JP2510282B2 JP2510282B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=14089376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9368989A Expired - Fee Related JP2510282B2 (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | ウエハ搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2510282B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198658A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Nissin Electric Co Ltd | ウエーハ搬送装置 |
JPH05198659A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06278806A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板支持アーム |
JPH09115847A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 半導体ウエハーの加熱処理装置 |
JPH11314705A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Nippon Avionics Co Ltd | マガジン自動搬送装置 |
US6318948B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
US9182222B2 (en) | 2004-12-10 | 2015-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9368989A patent/JP2510282B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198659A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH05198658A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Nissin Electric Co Ltd | ウエーハ搬送装置 |
JPH06278806A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板支持アーム |
JPH09115847A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 半導体ウエハーの加熱処理装置 |
JPH11314705A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Nippon Avionics Co Ltd | マガジン自動搬送装置 |
US6318948B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus |
US9182222B2 (en) | 2004-12-10 | 2015-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US9740106B2 (en) | 2004-12-10 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US10345711B2 (en) | 2004-12-10 | 2019-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2510282B2 (ja) | 1996-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200309455A1 (en) | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith | |
EP1094921B1 (en) | Transferring substrates with different holding end effectors | |
US6678581B2 (en) | Method of calibrating a wafer edge gripping end effector | |
US7059817B2 (en) | Wafer handling apparatus and method | |
US4412771A (en) | Sample transport system | |
JP2003179121A (ja) | 半導体加工装置のためのローディング及びアンローディング用ステーション | |
WO2003105218A1 (ja) | 被処理体の収納容器体 | |
US12027397B2 (en) | Enclosure system shelf including alignment features | |
JPS636857A (ja) | ウエ−ハ移し替え装置 | |
US20070018469A1 (en) | Contamination-free edge gripping mechanism with withdrawable pads and method for loading/unloading and transferring flat objects | |
US5915957A (en) | Method of transferring target substrates in semiconductor processing system | |
US20080056861A1 (en) | Processing apparatus and processing method | |
JPH02271643A (ja) | ウエハ搬送装置 | |
JPS6169966A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH10209243A (ja) | 基板搬送装置およびそれを用いた基板搬送方法ならびに基板姿勢変換装置 | |
JP6948927B2 (ja) | 基板搬入出装置、基板処理装置及び基板搬送容器の除電方法 | |
JP2020004839A (ja) | 半導体ワーク搬送装置 | |
JP3941359B2 (ja) | 被処理体の処理システム | |
JP3928527B2 (ja) | ティーチング方法及び基板処理システム | |
JPH0870033A (ja) | 半導体製造装置のウェーハ移載機 | |
JP3438826B2 (ja) | 処理装置及びその使用方法 | |
JPH03155619A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH0636582Y2 (ja) | エッチング装置 | |
JP2945837B2 (ja) | 板状体の搬送機構および搬送方法 | |
JPS62169347A (ja) | 処理済ウエーハを所望の真空状態下で保管する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |