JPH02265932A - 有機重合体材料のエッチング方法 - Google Patents
有機重合体材料のエッチング方法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
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- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、有機重合体材料の(Organjcpoly
Il+erjc 1iaterial)の湿式エツチン
グ方法に関し、特に集積回路の製造に関連する。
Il+erjc 1iaterial)の湿式エツチン
グ方法に関し、特に集積回路の製造に関連する。
B、従来の技術及びその課題
ポリイミドは誘電率の低い熱的に安定な重合体のクラス
であり、フレシキブル・プリント回路の絶縁基板に適し
ていることがわかっている。一般に、積層集積回路を形
成するには、粘着性の改善または材料を貫くバスウェイ
(Pathiiay)の形成のために、ポリイミドをエ
ツチングすることが必要になる。米国特許第46069
98号明細書は、半導体基板にパターン化された相互接
続層を形成する方法の、特別な、しかし非典型的とは言
えない例を開示している。そこでは、フォトレジスト・
マスクを使った異方性エツチングによってヴアイアが形
成されたポリイミド層に、金属層が付着される。
であり、フレシキブル・プリント回路の絶縁基板に適し
ていることがわかっている。一般に、積層集積回路を形
成するには、粘着性の改善または材料を貫くバスウェイ
(Pathiiay)の形成のために、ポリイミドをエ
ツチングすることが必要になる。米国特許第46069
98号明細書は、半導体基板にパターン化された相互接
続層を形成する方法の、特別な、しかし非典型的とは言
えない例を開示している。そこでは、フォトレジスト・
マスクを使った異方性エツチングによってヴアイアが形
成されたポリイミド層に、金属層が付着される。
処理ステップを1つ以上省くことによってパターン化プ
ロセスを改善しようとする試みがなされている。粘着性
を改善しようとして、またはフォトレジスト・マスクを
粘着する必要をなくそうとして、超純粋かつ感光性のポ
リイミドが開発されてきた。しかしながら、従来のやり
方の中で実際tこエツチング時間を短縮できたものはな
かった。
ロセスを改善しようとする試みがなされている。粘着性
を改善しようとして、またはフォトレジスト・マスクを
粘着する必要をなくそうとして、超純粋かつ感光性のポ
リイミドが開発されてきた。しかしながら、従来のやり
方の中で実際tこエツチング時間を短縮できたものはな
かった。
通常、ポリイミドの湿式エツチングのためには。
強アルカリ溶液が高温にて用いられる。レジスト粘着性
の劣化に加えて、このプロセスは、エツチング時間が長
く、そして非消散性のエッチ残余物(residue)
が形成されるという問題点を伴う。
の劣化に加えて、このプロセスは、エツチング時間が長
く、そして非消散性のエッチ残余物(residue)
が形成されるという問題点を伴う。
C9課題を解決するための手段
本発明は、これらの問題点の解決を目的とするものであ
り、エツチング溶液との反応によって有機重合体材料を
エツチングする方法において、エツチング溶液が反応材
料とも相互に作用し合って水素を発生されることによっ
て反応が促進されることを特徴とする。
り、エツチング溶液との反応によって有機重合体材料を
エツチングする方法において、エツチング溶液が反応材
料とも相互に作用し合って水素を発生されることによっ
て反応が促進されることを特徴とする。
D、実施例
以下、実施例について説明する。当業者には明らかなよ
うに、水素ガスの発生方法はいくつがある1例えば、電
気化学列(イオン化傾向)において水素より上にある反
応材料と酸性またはアルカリの水溶液との相互作用によ
って、水素ガスは発生する。実際、ポリイミド以外の有
機重合体と酸性またはアルカリどちらかのエツチング溶
液とを用い得ることも明らかである。さらに、水素は電
気化学的方法によってその場で’(in 5itu)発
生させてもよい。
うに、水素ガスの発生方法はいくつがある1例えば、電
気化学列(イオン化傾向)において水素より上にある反
応材料と酸性またはアルカリの水溶液との相互作用によ
って、水素ガスは発生する。実際、ポリイミド以外の有
機重合体と酸性またはアルカリどちらかのエツチング溶
液とを用い得ることも明らかである。さらに、水素は電
気化学的方法によってその場で’(in 5itu)発
生させてもよい。
本発明の一例においては、3/1000インチ(7,6
2/100100Oのポリイミド・フィルムがクリーン
にされ、露光して現像されることになるフォトレジスト
層で被覆される。フィルムのエツチングは、アルミニウ
ム・メタルのスラブを加えた、85℃に保たれた水酸化
カリウムの500グラム/リツトルの溶液に約5分間浸
すことによって行われた。アルミニウムは除々に溶けて
、水素の泡の流れを放出した。最後に、レジストをはい
で、エツチングされた表面を80℃〜90℃の10%塩
酸でパッシベートした。この方法によれば、エツチング
速度が少なくとも2倍になり。
2/100100Oのポリイミド・フィルムがクリーン
にされ、露光して現像されることになるフォトレジスト
層で被覆される。フィルムのエツチングは、アルミニウ
ム・メタルのスラブを加えた、85℃に保たれた水酸化
カリウムの500グラム/リツトルの溶液に約5分間浸
すことによって行われた。アルミニウムは除々に溶けて
、水素の泡の流れを放出した。最後に、レジストをはい
で、エツチングされた表面を80℃〜90℃の10%塩
酸でパッシベートした。この方法によれば、エツチング
速度が少なくとも2倍になり。
しかもエツチング残余物は溶液中に飛散し易くなり、レ
ジスト粘着性の劣化も少なかった。実際。
ジスト粘着性の劣化も少なかった。実際。
レジストを塗布する前に、ポリイミドをかようなエツチ
ング剤に数秒間晒し、洗い、そして乾かした場合には、
レジスト粘着性はさらに改善される。
ング剤に数秒間晒し、洗い、そして乾かした場合には、
レジスト粘着性はさらに改善される。
上記方法によれば、有機重合体、特にポリイミドの遅く
て問題の多いエツチングの困難が軽減される。したがっ
て、上記方法は、ラミネートからプリン)・・回路を製
造する場合に特に重要である。
て問題の多いエツチングの困難が軽減される。したがっ
て、上記方法は、ラミネートからプリン)・・回路を製
造する場合に特に重要である。
上記方法が有用である製造方法の他の例は、ポリエステ
ルの着色である。そこでは、染色に先立って、繊維のエ
ツチングまたは洗い流しくscouring)の処理が
必要とされる。
ルの着色である。そこでは、染色に先立って、繊維のエ
ツチングまたは洗い流しくscouring)の処理が
必要とされる。
E、効果
本発明によれば、エツチング溶液との反応によって行わ
れる有機重合体材料のエツチングにおいて、エツチング
速度が改善され、かつエツチング残余物の溶液中への消
散が促進されるという優れた効果が得られる。また、レ
ジストのマスクを使ってエツチングを行う場合にはレジ
スト粘n性が改善されるという効果が得られる。
れる有機重合体材料のエツチングにおいて、エツチング
速度が改善され、かつエツチング残余物の溶液中への消
散が促進されるという優れた効果が得られる。また、レ
ジストのマスクを使ってエツチングを行う場合にはレジ
スト粘n性が改善されるという効果が得られる。
出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション
・コーポレーション
Claims (1)
- エッチング溶液との反応によって有機重合体材料のエッ
チングを行う方法であって、上記溶液が水素を発生させ
る反応材料とも相互に作用し合うことによって、上記反
応が促進されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
GB8900780.1 | 1989-01-13 | ||
GB8900780A GB2226991A (en) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | Etching organic polymeric materials |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02265932A true JPH02265932A (ja) | 1990-10-30 |
JPH0613617B2 JPH0613617B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=10650009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1328601A Expired - Lifetime JPH0613617B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-12-20 | 有機重合体材料のエッチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4960491A (ja) |
EP (1) | EP0378904A1 (ja) |
JP (1) | JPH0613617B2 (ja) |
GB (1) | GB2226991A (ja) |
Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
DE69219998T2 (de) * | 1991-10-31 | 1997-12-18 | Sgs Thomson Microelectronics | Verfahren zur Entfernung von Polymeren aus Sacklöchern in Halbleitervorrichtungen |
US5350487A (en) * | 1993-05-03 | 1994-09-27 | Ameen Thomas J | Method of etching polyimide |
US5597983A (en) * | 1994-02-03 | 1997-01-28 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Process of removing polymers in semiconductor vias |
DE19955969A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Verwendung von Polyimid für Haftschichten und lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen |
US20020058462A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-05-16 | Oliver Michael R. | Chemical mechanical polishing of dielectric materials |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3235426A (en) * | 1961-08-01 | 1966-02-15 | Du Pont | Method of rendering thermoplastic resins receptive to coatings |
US4281034A (en) * | 1980-04-03 | 1981-07-28 | Sunbeam Corporation | Plating on plastics by softening with trichloroethylene and methylene chloride bath |
US4334949A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-15 | International Business Machines Corporation | Reducing carbonate concentration in aqueous solution |
US4353778A (en) * | 1981-09-04 | 1982-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of etching polyimide |
US4606998A (en) * | 1985-04-30 | 1986-08-19 | International Business Machines Corporation | Barrierless high-temperature lift-off process |
US4966664A (en) * | 1988-04-13 | 1990-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for removing photoresist |
-
1989
- 1989-01-13 GB GB8900780A patent/GB2226991A/en not_active Withdrawn
- 1989-11-29 EP EP89312447A patent/EP0378904A1/en not_active Withdrawn
- 1989-12-20 JP JP1328601A patent/JPH0613617B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-10 US US07/463,248 patent/US4960491A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8900780D0 (en) | 1989-03-08 |
GB2226991A (en) | 1990-07-18 |
US4960491A (en) | 1990-10-02 |
EP0378904A1 (en) | 1990-07-25 |
JPH0613617B2 (ja) | 1994-02-23 |
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