JPH02261822A - Optical recording medium and preparation thereof - Google Patents
Optical recording medium and preparation thereofInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、保護層を有する光記録媒体に係り、さらに詳
しくは、膜割れが発生せず記録膜の酸化および腐食を防
ぐ性能に優れた保護層を有する光記録媒体およびその製
造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium having a protective layer, and more specifically, to an optical recording medium having a protective layer, and more specifically, to provide a protective layer that does not cause film cracking and has excellent performance in preventing oxidation and corrosion of the recording film. The present invention relates to an optical recording medium and a method for manufacturing the same.
発明の技術的背景ならびにその問題点
現在知られている代表的な光記録媒体として、次の三つ
のタイプの光記録媒体がある。第、１のタイプの光記録
媒体は、ピット形成タイプの光記録媒体であり、記録層
に情報に対応してエネルギービームを照射して穴（ピッ
ト）を配列することにより、情報の記録および再生が可
能になっている。Technical background of the invention and its problems There are the following three types of optical recording media as typical optical recording media currently known. The first type of optical recording medium is a pit-forming type optical recording medium, which records and reproduces information by irradiating the recording layer with an energy beam and arranging holes (pits) in accordance with the information. is now possible.
第２のタイプの光記録媒体は、相変化タイプの光記録媒
体であり、記録層の一部の材質を結晶状態から非晶質状
態もしくはその逆に変化させて、その部分の光学定数を
他の部分と変えることにより、情報の記録および再生が
可能になっている。第３のタイプの光記録媒体は、光磁
気記録媒体であり、膜面に垂直な方向に磁化されること
が可能な記録膜の磁化方向を情報に対応して変化させる
ことにより、情報の記録および再生が可能になっている
。The second type of optical recording medium is a phase-change type optical recording medium, in which the material of a part of the recording layer is changed from a crystalline state to an amorphous state or vice versa, and the optical constants of that part are changed to other values. By changing the part, it is possible to record and reproduce information. The third type of optical recording medium is a magneto-optical recording medium, which records information by changing the magnetization direction of a recording film that can be magnetized perpendicular to the film surface in accordance with the information. and playback is possible.
いずれのタイプの光記録媒体にあっても、基板上に設け
られた記録層の腐食等を防止する目的で、この記録層の
基板側もしくは反基板側に保護層を形成することがある
。保護層は、一般に紫外線硬化樹脂等をスピンコード法
などによって成膜することにより形成されるが、保護層
に記録層の光学特性変化をエンハンスする効果をも持た
せるために、透明誘電体膜で構成されることもある。In any type of optical recording medium, a protective layer may be formed on the substrate side or the opposite side of the recording layer for the purpose of preventing corrosion of the recording layer provided on the substrate. The protective layer is generally formed by depositing an ultraviolet curable resin or the like using a spin-coding method, but in order to give the protective layer the effect of enhancing changes in the optical properties of the recording layer, a transparent dielectric film may be used. It may also be configured.
たとえば光磁気記録媒体に用いられる透明誘電体膜とし
ては、特開昭６１−２２４５８号公報に示すように、窒
化シリコン５１３Ｎ４を主成分とし、ＴＩ、Ｚｒ、Ｍｏ
等の元素を第三成分として含む透明誘電体薄膜が知られ
ている。For example, as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 61-22458, transparent dielectric films used in magneto-optical recording media are mainly composed of silicon nitride 513N4, TI, Zr, and Mo.
Transparent dielectric thin films containing elements such as the following as a third component are known.
しかしながら、Ｓ ｌ ａ Ｎ４から成る誘電体薄膜に
、このように第三成分としてのα元素を含ませ、これを
基板上に積層させ、保護層兼カー効果エンハンス膜とし
て用いる場合には、この膜の膜割れが発生しやすくなる
と共に、保護膜の機能が低下する虞があった。However, when a dielectric thin film made of S la N4 contains an α element as a third component, is laminated on a substrate, and is used as a protective layer and Kerr effect enhancement film, this film There was a risk that the protective film would be more likely to crack and the function of the protective film would deteriorate.
本発明者等は、光記録媒体の保護層について鋭意研究し
た結果、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ５Ｃｕ、Ｔｃ。As a result of intensive research on the protective layer of optical recording media, the present inventors found that Ni, Pt, Pd5Cu, and Tc.
Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕの中から選ばれる少なく
とも１種以上の元素とＳｉとＮとを少なくとも含む透明
誘電体薄膜を保護層として用いた場合に、保護層の膜割
れが発生せず、また記録膜の酸化および腐食を防止する
性能に優れた保護層が得られることを見出し、本発明を
完成するに至った。When a transparent dielectric thin film containing at least one element selected from Ru, Rh, Ag, Ir, and Au and at least Si and N is used as a protective layer, no film cracking occurs in the protective layer. They also discovered that a protective layer with excellent performance in preventing oxidation and corrosion of a recording film can be obtained, and have completed the present invention.
発明の目的
本発明は、このような実情に鑑みてなされ、膜割れが発
生せず、記録膜の酸化および腐食を防止する性能等に優
れた保護層を有する光記録媒体を提供することを目的と
する。Purpose of the Invention The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical recording medium that does not cause film cracking and has a protective layer that has excellent performance in preventing oxidation and corrosion of the recording film. shall be.
発明の概要
本発明に係る光記録媒体は、基板上に記録層と保護層と
を有する光記録媒体であって、前記保護層が、Ｎｌ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ５ＣｕＳＴｃ、Ｒｕ、ＲｈＳＡｇ、Ｉｒ、Ａｕ
の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素とＳｉとＮ
とを含むことを特徴としている。Summary of the Invention An optical recording medium according to the present invention has a recording layer and a protective layer on a substrate, the protective layer comprising Nl, P
t, Pd5CuSTc, Ru, RhSAg, Ir, Au
At least one element selected from among Si and N
It is characterized by including.
本発明では前記保護層は、基板と記録層との間に積層さ
れることが好ましいが、基板／記録層／保護層、または
基板／保護層／記録層／保護層の順序で積層されていて
もよい。また基板は透明であることが好ましい。また、
保護層の光学定数である屈折率をｎとし、消衰係数をｋ
とした場合に、ｎ≧２．０、ｋ≦０．１であることが好
ましい。In the present invention, the protective layer is preferably laminated between the substrate and the recording layer, and may be laminated in the order of substrate/recording layer/protective layer or substrate/protective layer/recording layer/protective layer. Good too. Further, it is preferable that the substrate is transparent. Also,
The refractive index, which is the optical constant of the protective layer, is n, and the extinction coefficient is k.
In this case, it is preferable that n≧2.0 and k≦0.1.
このような光学定数を有する保護層は、エンハンス膜と
しての作用も有するからである。This is because a protective layer having such optical constants also functions as an enhancement film.
前記保護層によって保護される記録層は、膜面に対して
垂直な方向に一軸磁気異方性を有する光磁気記録層であ
っても良い。The recording layer protected by the protective layer may be a magneto-optical recording layer having uniaxial magnetic anisotropy in a direction perpendicular to the film surface.
また、本発明に係る光記録媒体の製造方法は、基板上に
形成された記録層の基板側もしくは反基板側に保護層を
成膜して光記録媒体の保護層を製造する方法において、
Ｎｌ５Ｐｔ、Ｐｄｘ ＣｕＳＴｃ、Ｒｕ、Ｒｈ。In addition, the method for manufacturing an optical recording medium according to the present invention is a method for manufacturing a protective layer for an optical recording medium by forming a protective layer on the substrate side or the opposite side of the recording layer formed on the substrate. , Pdx CuSTc, Ru, Rh.
Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕの中から選ばれる少なくとも１種以上
の元素とＳＩとの合金ターゲットをカソードとして用い
、不活性ガスとＮ２の混合ガス中で、反応性スパッタリ
ングを行うことにより、前記基板上に保護層を成膜する
ことを特徴としている。By performing reactive sputtering in a mixed gas of inert gas and N2 using an alloy target of SI and at least one element selected from Ag, Ir, and Au as a cathode, sputtering is performed on the substrate. It is characterized by forming a protective layer.
このような本発明に係る光記録媒体およびその製造方法
によれば、保護層中に、ＳｔおよびＮ以外に、Ｎ Ｉ
Ｐ ｔ ＳＰ ｄ −、Ｃｕ ｓ ’Ｔ ｃ −、Ｒ
ｕ −。According to the optical recording medium and the manufacturing method thereof according to the present invention, in addition to St and N, N I
P t SP d −, Cu s 'T c −, R
u-.
Ｒｈ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕの中がら選ばれる少なくとも１
種以上の元素も含有しているので、保護層の膜割れが発
生せず、また記録膜の酸化および腐食を防止する性能に
優れている。At least one selected from Rh, Ag, Ir, and Au
Since it contains more than one element, the protective layer does not crack and has excellent performance in preventing oxidation and corrosion of the recording film.
また、このような保護層を基板もしくは記録層上に成膜
するに際しては、合金ターゲットを使用することにより
、窒化シリコン膜を成膜する場合には採用できない直流
電源（Ｄ Ｃ）反応性スパッタリング法を採用すること
が可能になり、成膜の作業性が大幅に向上する。In addition, when forming such a protective layer on the substrate or recording layer, by using an alloy target, a direct current power supply (DC) reactive sputtering method, which cannot be used when forming a silicon nitride film, can be used. This makes it possible to adopt this method, greatly improving the workability of film formation.
発明の詳細な説明
以下、本発明を図面に示す実施例を参照しつつ、具体的
に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be specifically described below with reference to embodiments shown in the drawings.
第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の断面図、
第２図は本発明の他の実施例に係る光記録媒体の断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a sectional view of an optical recording medium according to another embodiment of the present invention.
本発明に係る光記録媒体１は、たとえば第１図に示すよ
うに、基板２上に保護層３と記録層４とがこの順で積層
された構造を有している。記録層４の表面には第２図に
示すように、反射膜５を積層させるようにしても良い。The optical recording medium 1 according to the present invention has a structure in which a protective layer 3 and a recording layer 4 are laminated in this order on a substrate 2, for example, as shown in FIG. A reflective film 5 may be laminated on the surface of the recording layer 4, as shown in FIG.
また、保護膜３は、基板２と記録層４との間には設けな
いで、記録層４の表面のみに積層させるようにして、光
記録媒体を構成することようにしても良い。第１，２図
に示す実施例は、基板２側からレーザ光等のエネルギー
ビームが矢印Ａ方向から入射し、逆方向に反射する光の
光学特性変化を検出するタイプの光記録媒体を示す。こ
の実施例では、基板２と記録層４との間に保護膜３が積
層されていることから、この保護膜３は光の光学特性変
化をエンハンスするエンハンス膜としても機能する。Further, the protective film 3 may not be provided between the substrate 2 and the recording layer 4, but may be laminated only on the surface of the recording layer 4 to form an optical recording medium. The embodiment shown in FIGS. 1 and 2 shows an optical recording medium of a type in which an energy beam such as a laser beam is incident from the substrate 2 side in the direction of arrow A, and changes in the optical characteristics of the light reflected in the opposite direction are detected. In this embodiment, since the protective film 3 is laminated between the substrate 2 and the recording layer 4, this protective film 3 also functions as an enhancement film that enhances changes in the optical characteristics of light.
本発明では、上記のような基板２の材質は特に限定され
ないが、透明基板であることが好ましく、具体的には、
ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネート
とポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４
７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン
、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリ
エーテルサルフオン、ポリサルフォン、ポリエーテルイ
ミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の有
機材料等を使用できる。In the present invention, the material of the substrate 2 as described above is not particularly limited, but it is preferably a transparent substrate, and specifically,
In addition to inorganic materials such as glass and aluminum, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polymer alloys of polycarbonate and polystyrene, US Patent No. 4614
Organic materials such as amorphous polyolefins, poly4-methyl-1-pentene, epoxy resins, polyethersulfones, polysulfones, polyetherimides, and ethylene-tetracyclododecene copolymers as shown in No. 778 etc. can be used.
また本発明では、記録層４の材質も特に限定されないが
、記録層４が膜面に対して垂直な方向に一輔異方性を有
する光磁気記録層である場合には、記録層４は、（ｉ）
３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（ｉ）耐
腐食性金属と、（ｉｉ ）希土類から選ばれる少なくと
″も１種の元素とがらなっていることが好ましい。Further, in the present invention, the material of the recording layer 4 is not particularly limited, but when the recording layer 4 is a magneto-optical recording layer having monotropy anisotropy in the direction perpendicular to the film surface, the recording layer 4 is , (i)
It is preferable that the material comprises at least one element selected from 3d transition metals, (i) a corrosion-resistant metal, and (ii) at least one element selected from rare earths.
（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ５Ｃｏ、Ｔｌ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ５ＮＩ Ｃｕ、Ｚｎなどが用いられるが、
このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが
好ましい。(i) 3d transition metals include Fe5Co, Tl, V,
Cr, Mn5NI Cu, Zn, etc. are used,
Among these, Fe, Co, or both are preferable.
（ｉ）耐腐食性金属は、記録層４に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができる
。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ５Ｔｌ
、Ｚｒ５Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂなどが用いられるが、このう
ちｌ’ｔ 、 Ｐｄ ＳＴｌ カ好ましくとくにｐｔま
たはＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。(i) By including a corrosion-resistant metal in the recording layer 4, the oxidation resistance of the magneto-optical recording layer can be improved. Such corrosion-resistant metals include Pt, Pd5Tl
, Zr5Ta, Mo, Nb, etc. are used, and among these, l't, Pd STl, and especially pt and/or Pd are preferable.
（ｉｉｉ ）光磁気記録層としての記録層４は、上記（
ｉ）および（ｉ）に加えて、下記の群から選ばれる少な
くとも１種の希土類元素を含んで構成されることが好ま
しい。(iii) The recording layer 4 as a magneto-optical recording layer is the above (
In addition to i) and (i), it is preferable to include at least one rare earth element selected from the following group.
Ｇｄ、Ｔｂ５ＤｙＳＨＯ％ Ｅｒ、Ｔｍ５Ｙｂ。Gd, Tb5DySHO% Er, Tm5Yb.
Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、ＮｄＳ Ｐｍ、Ｓ［ｌｌ。Lu, La, Ce, Pr, NdS Pm, S [ll.
ｕ
このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐ’
ｒが好ましく用いられる。u Among these, Gd, Tb, Dy, , Ho, Nd, Sm, P'
r is preferably used.
記録層４が光磁気記録層以外の、たとえば相変化型記録
層である場合には、記録層４は、たとえば、Ｔｅを主成
分とした合金薄膜、Ｓθを主成分とした合金薄膜、Ｔ
ｅ−Ｇ ｅ−３ｂ合金薄膜、Ｉｎ５ｂ−Ｔｅ合金薄膜等
で構成される。When the recording layer 4 is other than a magneto-optical recording layer, for example, a phase change type recording layer, the recording layer 4 may be, for example, an alloy thin film mainly composed of Te, an alloy thin film mainly composed of Sθ, or a thin alloy film mainly composed of Sθ.
It is composed of e-G e-3b alloy thin film, In5b-Te alloy thin film, etc.
また本発明では、第２図に示すような反射膜５の材質も
特に限定されないが、たとえば、熱伝導率が２１／帥・
５ｅｃ−に以下好ましくはＩ Ｊ ／ ｃｍ・５ｅｃ−
に以下であるような金属または合金がら構成されている
ことが望ましい。Further, in the present invention, the material of the reflective film 5 as shown in FIG. 2 is not particularly limited.
5ec- or less preferably IJ/cm・5ec-
It is preferable that the metal or alloy is made of the following metals or alloys.
さらに好ましくは、反射膜５は、反射率が５０％以上好
ましくは７０％以上であり、かつ熱伝導率が２Ｊ／ｃｍ
＊ｓｅｃ＊に以下好ましくはＩＪ／ｃｍ拳５ｅＣ−に以
下であるような金属または合金から構成されている。More preferably, the reflective film 5 has a reflectance of 50% or more, preferably 70% or more, and a thermal conductivity of 2 J/cm.
It is composed of a metal or alloy of *sec* or less, preferably IJ/cm or less.
具体的には、反射膜５は、熱伝導率が２ Ｊ ／ ｃｍ
・５ｅｅ−に以下のニッケル系合金、熱伝導率が０．７
１Ｊ／ｃ＋ｎ−５ｅｃ−にであるｐｔ、熱伝導率が０．
７６Ｊ／ｃｍ−８ｅＣ−にであるＰｄ、熱伝導率が０．
２２Ｊ／ｃｍ・５ｅｃ−にであるＴＩ、または熱伝導率
が０．９９Ｊ／ｃｒｒＩ−８ｅＣ−にであるＣｏ、熱伝
導率が０．２３Ｊ／ｃｆｆｌ−８ｅＣ−にであるＺｒあ
るいはこれらの合金が例示できる。Specifically, the reflective film 5 has a thermal conductivity of 2 J/cm.
・Nickel-based alloy below 5ee-, thermal conductivity is 0.7
1 J/c+n-5ec-, thermal conductivity is 0.
Pd with a thermal conductivity of 76 J/cm-8eC-0.
TI with a thermal conductivity of 22 J/cm・5ec-, Co with a thermal conductivity of 0.99 J/crrI-8eC-, Zr with a thermal conductivity of 0.23 J/cffl-8eC-, or an alloy thereof. I can give an example.
本発明では、このような光記録媒体１における記録層４
を保護するための保護層３を、少なくともＳＩ Ｎお
よび特定の第三成分Ｍ（Ｎｉ、Ｐｔ。In the present invention, the recording layer 4 in such an optical recording medium 1
A protective layer 3 for protecting at least SI N and a specific third component M (Ni, Pt.
Ｐｄ５Ｃ０，ＴＣＳＲＬＩ、Ｒｈｓ Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕ
の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素）を含む薄
膜で構成している。保護層３中のＳＩ ＭおよびＮの
含有原子数比は、式（Ｓｉ Ｍ） Ｎ 中の
ｘ、ｙで表わしたｌ−ｘ ｘ ｌ−ｙ ｙ
場合に、０，０１≦Ｘ≦０．４、好ましくは０．０５≦
Ｘ≦０，３．０≦ｙ≦０，９、好ましくは０，２≦ｙ≦
４／７である。Pd5C0, TCSRLI, Rhs Ag, Ir, Au
It is composed of a thin film containing at least one element selected from the following. The atomic ratio of SIM and N in the protective layer 3 is 0.01≦X≦0.4, where x, y in the formula (Si M) N , preferably 0.05≦
X≦0, 3.0≦y≦0,9, preferably 0,2≦y≦
It is 4/7.
このような範囲でＳｉ、ＭおよびＮを含ませることによ
って、保護層３の膜割れが発生し難くなると共に、記録
膜、酸化および腐食を防止する性能が向上する。By including Si, M, and N in such ranges, cracking of the protective layer 3 becomes less likely to occur, and the performance of preventing oxidation and corrosion of the recording film improves.
本発明では、記録層４の膜厚は、５０〜５０００人、好
ましくは１００〜２０００人であり、保護層３の膜厚は
、５０〜５０００人、好ましくは１００〜３０００人で
ある。In the present invention, the thickness of the recording layer 4 is 50 to 5000 layers, preferably 100 to 2000 layers, and the thickness of the protective layer 3 is 50 to 5000 layers, preferably 100 to 3000 layers.
このような保護層３の光学定数は、屈折率をｎとし、消
衰係数をｋとした場合に、ｎ≧１．７、ｋ≦０．１であ
ることが好ましい。このような光学定数を有する保護層
３は、記録層４が光磁気記録層である場合に、カー効果
エンハンス膜として作用するからである。同様に、記録
層４が、光磁気記録層以外の、たとえば相変化型の記録
層である場合にも、保護層３はエンハンス膜として機能
することができるからである。The optical constants of such a protective layer 3 are preferably n≧1.7 and k≦0.1, where n is the refractive index and k is the extinction coefficient. This is because the protective layer 3 having such optical constants acts as a Kerr effect enhancement film when the recording layer 4 is a magneto-optical recording layer. Similarly, even when the recording layer 4 is a phase change type recording layer other than a magneto-optical recording layer, the protective layer 3 can function as an enhancement film.
このような保護層３を基板２上または記録層４上に成膜
するには、Ｓｉと特定の第三成分Ｍとの合金ターゲット
を用い、不活性ガスとＮ２の混合ガス雰囲気中で反応性
スパッタリングを行う。反応性スパッタリングは、高周
波印加型（ＲＦ）でも直流電圧印加型（Ｄ Ｃ）でも良
いが、好ましくはＤＣを用いる。ＤＣ反応性スパッタリ
ングは、ＲＦに比べて、成膜速度が速く、成膜作業性に
優れている。不活性ガスとしては、Ｈｅ 、 Ｎｅ 。In order to form such a protective layer 3 on the substrate 2 or recording layer 4, an alloy target of Si and a specific third component M is used, and a reactive layer is formed in a mixed gas atmosphere of inert gas and N2. Perform sputtering. The reactive sputtering may be of the radio frequency application type (RF) or the direct current voltage application type (DC), but DC is preferably used. Compared to RF, DC reactive sputtering has a faster film formation rate and is superior in film formation workability. Examples of inert gas include He and Ne.
Ａ ｒ ％ Ｋ ｒなどが用いられるが、好ましくはＡ
ｒが用いられる。A r % K r etc. are used, but preferably A
r is used.
本発明では、ＳｉおよびＮ以外に特定の第三成分Ｍを含
有させるようにしているため、このＤＣ反応性スパッタ
リングが可能になった。第三成分ＭとＳｔ との合金タ
ーゲットを用いることにより、スバ・シタリング時のグ
ロー放電が安定化するためと考えられる。In the present invention, this DC reactive sputtering is made possible because a specific third component M is contained in addition to Si and N. This is thought to be because the use of an alloy target of the third component M and St 2 stabilizes the glow discharge during suba-shittering.
保護層を成膜するための反応性スパッタリング時におけ
るＡｒなどの不活性ガスとＮ２の流量比は、９：１〜０
：１０、好ましくは９：２〜１：９、特に好ましくは７
；３〜２：８である。The flow rate ratio of inert gas such as Ar and N2 during reactive sputtering to form a protective layer is 9:1 to 0.
:10, preferably 9:2 to 1:9, particularly preferably 7
;3 to 2:8.
発明の効果
このような本発明に係る光記録媒体およびその製造方法
によれば、保護層中に、ＳｔおよびＮ以外に特定の第三
成分Ｍも含有しているので、保護層の膜割れが発生せず
、記録膜の酸化および腐食を防止する性能が向上する。Effects of the Invention According to the optical recording medium and the manufacturing method thereof according to the present invention, since the protective layer also contains a specific third component M in addition to St and N, film cracking of the protective layer can be prevented. This improves the ability to prevent oxidation and corrosion of the recording film.
また、このような保護層を基板もしくは記録層上に成膜
するに際しては、合金ターゲットを用いることにより、
第三成分Ｍを含まない窒化シリコン膜を成膜する場合に
は採用できない直流電源（ＤＣ）反応性スパッタリング
法を採用することが可能になり、成膜の作業性が大幅に
向上する。In addition, when forming such a protective layer on the substrate or recording layer, by using an alloy target,
It becomes possible to employ a direct current power supply (DC) reactive sputtering method, which cannot be employed when forming a silicon nitride film that does not contain the third component M, and the workability of film formation is greatly improved.
［実施例］
以下、本発明をさらに具体的な実施例により説明するが
、本発明はこれら実施例に限定されない。[Examples] The present invention will be described below using more specific examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例Ｉ
ＳｉとＮｉの合金ターゲット（Ｎ１１０原子％）をカソ
ードとして用い、Ａｒ ２０ ＳＣＣＭ、Ｎ２２０
ＳＣＣＭの混合ガス雰囲気中（約１．５＋ｕ＋Ｔｏｒｒ
）で、ＲＦ５００Ｗのパワーで反応性スバッタリングを
行い、非晶質ポリオレフィンから成る基板上に、約１０
００人の保護層を得た。保護層の屈折は、エリプソメー
タ（波長８３９ｍｍ）にて測定した。Example I Using a Si and Ni alloy target (N110 at.%) as a cathode, Ar20 SCCM, N220
In a mixed gas atmosphere of SCCM (approximately 1.5+u+Torr
), reactive sputtering was performed with an RF power of 500 W, and about 10
Obtained a protection layer of 00 people. The refraction of the protective layer was measured using an ellipsometer (wavelength: 839 mm).
保護層の膜割れについての試験結果を表１に示す。Table 1 shows the test results regarding film cracking of the protective layer.
これとは別にＳｉ 、！：Ｎ１の合金ターゲット（ＮＩ
ＩＯ原子％原子力ソードとして用い、Ａ「２０ ＳＣＣ
Ｍ、Ｎ２２０ ＳＣＣＭの混合ガス雰囲気中（約１ 、
５ ｍｍＴｏｒｒ）で、ＲＦ５００Ｗのパワーで反応
性スパッタリングを行い、非晶質ポリオレフィンから成
る基板上に、約１０００人の保護層（エンハンス層）を
得、次にＴ ｂ−Ｆ ｅ−Ｃｏ合金ターゲットを用い、
ＤＣマグネトロンスパッタ法により２０〜５０℃でＡ「
雰囲気下、真空到達度１、 ＯＸ １０”−７Ｔｏｒ
ｒ以下の条件で約１０００人のＴ ｂ−Ｆ ｅ−Ｃｏか
らなる記録膜層を成膜し、次に前記と同様の方法でこの
記録膜とにさらに約１０００人の３１−Ｎ ｌ−Ｎ保護
膜層を成膜して光記録媒体を得た。この光記録媒体を８
５℃、相対湿度８５ＲＨで１０００時間放置した後の記
録膜の状態を観察したが、ピンホールは発生していなか
った。Apart from this, Si! :N1 alloy target (NI
Used as an IO atomic% nuclear sword, A "20 SCC
M, N220 in a mixed gas atmosphere of SCCM (approximately 1,
5 mm Torr) and RF power of 500 W to obtain a protective layer (enhancement layer) of about 1000 layers on a substrate made of amorphous polyolefin, and then a T b-Fe-Co alloy target was applied. use,
A" at 20-50℃ by DC magnetron sputtering method.
Under atmosphere, vacuum level 1, OX 10”-7 Tor
A recording film layer made of about 1000 Tb-Fe-Co is formed under the conditions below r, and then about 1000 31-N l-N is further deposited on this recording film in the same manner as above. A protective film layer was formed to obtain an optical recording medium. This optical recording medium
The state of the recording film was observed after being left at 5° C. and relative humidity 85 RH for 1000 hours, and no pinholes were found.
実施例２
Ｓｉとｐｔの合金ターゲット（ＰｔｌＯ原子％原子力ソ
ードとして用いた以外は、実施例１と同様にして基板上
に保護層を得ると共に、光記録媒体を得た。Example 2 A protective layer was obtained on a substrate and an optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1 except that an alloy target of Si and PT (PtlO atomic % was used as a nuclear power sword).
保護層の膜割れについての試験結果を表１に示す。また
、光記録媒体における記録層にピンホール等は観察され
なかった。Table 1 shows the test results regarding film cracking of the protective layer. Further, no pinholes or the like were observed in the recording layer of the optical recording medium.
実施例３
Ｓｉ、！：Ｐｄの合金ターゲット（ＰｄｌＯ原子％原子
力ソードとして用いた以外は、実施例１と同様にして基
板上に保護層を得ると共に、光記録媒体を得た。Example 3 Si,! : Pd alloy target (PdlO atomic %) A protective layer was obtained on the substrate and an optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1 except that it was used as a nuclear power sword.
保護層の膜割れについての試験結果を表１に示す。また
、光記録媒体における記録層にピンホル等は観察されな
かった。Table 1 shows the test results regarding film cracking of the protective layer. Furthermore, no pinholes or the like were observed in the recording layer of the optical recording medium.
ＤＣ反応性スパッタリングを行った以外は、それぞれ実
施例１〜３と同様にして基板上に保護層を得ると共に、
光記録媒体を得た。A protective layer was obtained on the substrate in the same manner as in Examples 1 to 3, except that DC reactive sputtering was performed, and
An optical recording medium was obtained.
保護層の膜割れについての試験結果を表１に示す。また
、光記録媒体における記録層にピンホール等は観察され
なかった。Table 1 shows the test results regarding film cracking of the protective layer. Further, no pinholes or the like were observed in the recording layer of the optical recording medium.
比較例Ｉ
Ｓｉターゲットを単独でカソードとして用いた以外は、
実施例１と同様にして基板上に保護層を得ると共に、光
記録媒体を得た。Comparative Example I Except that the Si target was used alone as the cathode,
A protective layer was obtained on the substrate in the same manner as in Example 1, and an optical recording medium was also obtained.
この保護層の膜割れについての試験結果を表１に示す。Table 1 shows the test results regarding film cracking of this protective layer.
また、光記録媒体における記録層を観察したところ、ピ
ンホール等が観察された。Furthermore, when the recording layer of the optical recording medium was observed, pinholes and the like were observed.
比較例２
Ｓ１ターゲツト上にＭｏチップを並べた複合ターゲット
をカソードとして用いた以外は、実施例１と同様にして
基板上に保護層を得ると共に、光記録媒体を得た。Comparative Example 2 A protective layer was obtained on a substrate and an optical recording medium was obtained in the same manner as in Example 1, except that a composite target in which Mo chips were arranged on an S1 target was used as a cathode.
保護層の膜割れについての試験結果を表１に示す。また
、光記録媒体における記録層を観察したところ、ピンホ
ール等が観察された。Table 1 shows the test results regarding film cracking of the protective layer. Furthermore, when the recording layer of the optical recording medium was observed, pinholes and the like were observed.
表
注）「膜割れ」の欄でＯは、これらが観察されなかった
ことを示し、×は観察されたことを示す。Note in the table: In the "Membrane cracks" column, O indicates that these were not observed, and × indicates that they were observed.
第１図は本発明の一実施例に係る光記録媒体の断面図、
第２図は本発明の他の実施例に係る光記録媒体の断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an optical recording medium according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a sectional view of an optical recording medium according to another embodiment of the present invention.
Claims (1)
って、 前記保護層が、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕの中から選ばれる少なくとも１
種以上の元素とＳｉとＮとを含むことを特徴とする光記
録媒体。 ２）前記保護層が、基板と記録層との間に設けられてい
ることを特徴とする請求項第１項に記載の光記録媒体。 ３）前記保護層の光学定数である屈折率をｎとし、消衰
係数をｋとした場合に、ｎ≧２．０、ｋ≦０．１である
ことを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の光
記録媒体。 ４）前記記録層が、記録層を構成する膜の膜面に対して
垂直な方向に一軸磁気異方性を有する光磁気記録層であ
ることを特徴とする請求項第１項から第３項のいずれか
に記載の光記録媒体。 ５）基板上に形成された記録層の基板側もしくは反基板
側に保護層を成膜して光記録媒体の保護層を製造する方
法において、 Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｉ
ｒ、Ａｕの中から選ばれる少なくとも１種以上の元素と
Ｓｉとの合金ターゲットをカソードとして用い、不活性
ガスとＮ＿２の混合ガス中で、反応性・スパッタリング
を行うことにより、前記基板上に保護層を成膜すること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。[Claims] 1) An optical recording medium having a recording layer and a protective layer on a substrate, the protective layer comprising Ni, Pt, Pd, Cu, Tc, Ru,
At least one selected from Rh, Ag, Ir, and Au
An optical recording medium characterized by containing at least one element, Si, and N. 2) The optical recording medium according to claim 1, wherein the protective layer is provided between the substrate and the recording layer. 3) Where n is the refractive index, which is an optical constant of the protective layer, and k is the extinction coefficient, n≧2.0 and k≦0.1, or The optical recording medium according to item 2. 4) Claims 1 to 3, wherein the recording layer is a magneto-optical recording layer having uniaxial magnetic anisotropy in a direction perpendicular to the film surface of a film constituting the recording layer. The optical recording medium according to any one of. 5) In a method of manufacturing a protective layer of an optical recording medium by forming a protective layer on the substrate side or the opposite side of a recording layer formed on a substrate, Ni, Pt, Pd, Cu, Tc, Ru, Rh ,Ag,I
Using an alloy target of at least one element selected from r, Au and Si as a cathode, reactive sputtering is performed in a mixed gas of inert gas and N_2 to form a protective layer on the substrate. A method for producing an optical recording medium, comprising forming a layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083352A JPH02261822A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Optical recording medium and preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083352A JPH02261822A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Optical recording medium and preparation thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02261822A true JPH02261822A (en) | 1990-10-24 |
Family
ID=13800045
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083352A Pending JPH02261822A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Optical recording medium and preparation thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02261822A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2005010878A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same, and data recording method and data reproducing method for optical recording medium |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083352A patent/JPH02261822A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660451B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
| WO2005010878A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Tdk Corporation | Optical recording medium and process for producing the same, and data recording method and data reproducing method for optical recording medium |
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