JPH022612A - 多結晶シリコンの製法 - Google Patents
多結晶シリコンの製法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表示装置における各絵素に設けられるＦＥＴ
スイッチ等の材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンの調法に関する。
スイッチ等の材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンの調法に関する。
従来の技術
従来、多結晶シリコンの製法は、化学蒸着法（ＣＶＤ法
）が多用されている（例えば薄膜ハンドブック日本学術
振興会薄膜第１３１委員会編）。
）が多用されている（例えば薄膜ハンドブック日本学術
振興会薄膜第１３１委員会編）。
また電子ビーム蒸着（ＥＢ蒸着）や、スパッター法でシ
リコン膜が形成されてきたが、通常使われる１ ０．Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度の真空度においては、非晶質等出来た膜
の質は悪い。
リコン膜が形成されてきたが、通常使われる１ ０．Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度の真空度においては、非晶質等出来た膜
の質は悪い。
発明が解決しようとする課題
ＣＶＤ法では、約６００“Ｃ以下の基板温度で形成する
と、シリコン膜は非晶質となり、これ以上の基板温度で
多結晶シリコン膜が得られる。すなわら、基板温度が低
価格のものを使うには高過ぎる。
と、シリコン膜は非晶質となり、これ以上の基板温度で
多結晶シリコン膜が得られる。すなわら、基板温度が低
価格のものを使うには高過ぎる。
また、ＥＢ蒸着法やスパッター法でシリコン膜を形成す
ると、基板温度を約７００°Ｃ以上にした時、初めてＸ
線回折測定で若干の結晶性に由来する回折パターンが現
れる。この場合でも、低コスト基板、例えばソーダライ
ム・ガラスを基板として使うには、基板温度が高すぎる
。
ると、基板温度を約７００°Ｃ以上にした時、初めてＸ
線回折測定で若干の結晶性に由来する回折パターンが現
れる。この場合でも、低コスト基板、例えばソーダライ
ム・ガラスを基板として使うには、基板温度が高すぎる
。
これらの議論は、勿論、集積回路技術分野でも成り立つ
、すなわち、プロセス温度は低ければ低い方が良い。
、すなわち、プロセス温度は低ければ低い方が良い。
課題を解決するための手段
本発明は前述のような課題を解決するために、基板を多
結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化ストロ
ンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ化スト
ロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネル（Ｍ
ｇＡ ｌ ２０４）からなるか、多結晶質のアルミナか
、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化ストロン
チウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化ストロンチウ
ムの混晶からなる層で被覆し、この上に電子ビーム加熱
蒸着法（ＥＢ加熱蒸着法）でシリコンを沈積させるよう
な多結晶シリコンの製法を明らかにするものである。
結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化ストロ
ンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ化スト
ロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネル（Ｍ
ｇＡ ｌ ２０４）からなるか、多結晶質のアルミナか
、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化ストロン
チウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化ストロンチウ
ムの混晶からなる層で被覆し、この上に電子ビーム加熱
蒸着法（ＥＢ加熱蒸着法）でシリコンを沈積させるよう
な多結晶シリコンの製法を明らかにするものである。
本発明は前述のような課題を解決するために、基板上に
、イオンビームまたは電子ビームを照射しつつ、電子ビ
ーム加熱蒸着法でもって、シリコンを沈積させることを
特徴とする多結晶シリコンの製法を提供するものである
。
、イオンビームまたは電子ビームを照射しつつ、電子ビ
ーム加熱蒸着法でもって、シリコンを沈積させることを
特徴とする多結晶シリコンの製法を提供するものである
。
本発明は前述のような課題を解決するために、基板を多
結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化ストロ
ンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ化スト
ロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネル（Ｍ
ｇＡ ｌ□０４）からなるか、多結晶質のアルミナか、
多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化ストロンチ
ウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化ストロンチウム
の混晶からなる層で被覆し、この上に直流スパッター法
又は高周波スパッター法でシリコンを沈積させるような
多結晶シリコンの製法を提供するものである。
結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化ストロ
ンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ化スト
ロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネル（Ｍ
ｇＡ ｌ□０４）からなるか、多結晶質のアルミナか、
多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化ストロンチ
ウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化ストロンチウム
の混晶からなる層で被覆し、この上に直流スパッター法
又は高周波スパッター法でシリコンを沈積させるような
多結晶シリコンの製法を提供するものである。
また、本発明は前述のような課題を解決するために、基
板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化
ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ
化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネ
ル（ＭｇＡ ｌ ２０４）からなるか、多結晶質のアル
ミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化ス
トロンチうムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化ストロ
ンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上にイオンプ
レーティング法でシリコンを沈積させるような多結晶シ
リコンの製法を提供するものである。
板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化
ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ
化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネ
ル（ＭｇＡ ｌ ２０４）からなるか、多結晶質のアル
ミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化ス
トロンチうムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化ストロ
ンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上にイオンプ
レーティング法でシリコンを沈積させるような多結晶シ
リコンの製法を提供するものである。
更に、本発明は前述のような課題を解決するために、基
板上にイオンビームまたは電子ビームを照射しつつ、ク
ラスタ・イオンビーム蒸着法でもって、シリコンを沈積
させるような多結晶シリコンの製法をも提供するもので
ある。
板上にイオンビームまたは電子ビームを照射しつつ、ク
ラスタ・イオンビーム蒸着法でもって、シリコンを沈積
させるような多結晶シリコンの製法をも提供するもので
ある。
本発明は、更に前述のような課題を解決するために、基
板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化
ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ
化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネ
ル（ＭｇＡ ｌ ２０． ）からなるか、多結晶質のア
ルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化
ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化スト
ロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上にクラス
タ・イオンビーム蒸着法でもって、シリコンを沈積させ
るような多結晶シリコンの製法をも提供するものである
。
板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質のフッ化
ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウムとフッ
化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質のスピネ
ル（ＭｇＡ ｌ ２０． ）からなるか、多結晶質のア
ルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の酸化
ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化スト
ロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上にクラス
タ・イオンビーム蒸着法でもって、シリコンを沈積させ
るような多結晶シリコンの製法をも提供するものである
。
本発明は、更に前述のような課題を解決するために、基
板上に、イオンビームまたは電子ビームを照射しつつ、
イオンビーム・スパッター法でもって、シリコンを沈積
させるような多結晶シリコンの製法を提供するものであ
る。
板上に、イオンビームまたは電子ビームを照射しつつ、
イオンビーム・スパッター法でもって、シリコンを沈積
させるような多結晶シリコンの製法を提供するものであ
る。
また１本発明は、更に前述のような課題を解決するため
に、基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質の
フッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウム
とフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質の
スピネル（ＭｇＡ ｌ ２０４）からなるか、多結晶質
のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の
酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化
ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上にイ
オンビーム・スパッター法でもって、シリコンを沈積さ
せるような多結晶シリコンの製法を提供するものである
。
に、基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質の
フッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウム
とフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質の
スピネル（ＭｇＡ ｌ ２０４）からなるか、多結晶質
のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質の
酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸化
ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上にイ
オンビーム・スパッター法でもって、シリコンを沈積さ
せるような多結晶シリコンの製法を提供するものである
。
作用
本発明は、結晶的にヘテロ・エビタクノヤルが生起し易
い結晶面を有する多結晶質膜をシリコン沈積の下地とす
ることにより、沈積の際、多結晶シリコンを得ることの
出来る下地温度を下げ得たという発見に基すいている。
い結晶面を有する多結晶質膜をシリコン沈積の下地とす
ることにより、沈積の際、多結晶シリコンを得ることの
出来る下地温度を下げ得たという発見に基すいている。
更に、本発明はシリコン沈積の際、同時に電子ビーム、
またはイオン・ビームを基板に照射、基板に到達したシ
リコン原子又はシリコン・クラスターの易動度を大きく
し、結果としてシリコン膜の結晶化温度を下げ得るとい
う発見に基すいている。
またはイオン・ビームを基板に照射、基板に到達したシ
リコン原子又はシリコン・クラスターの易動度を大きく
し、結果としてシリコン膜の結晶化温度を下げ得るとい
う発見に基すいている。
実施例
以下、本発明の多結晶シリコンの製法の一実施例を説明
する。
する。
（実施例１）
よく洗浄し、１１１１１フツ酸でスライス・エッチした
アルミノ珪酸・ガラス基板上に、シリコンを沈積させる
電子ビーム加熱蒸着装置の概略図を第１図に示す。
アルミノ珪酸・ガラス基板上に、シリコンを沈積させる
電子ビーム加熱蒸着装置の概略図を第１図に示す。
第１図においで、ｌは真空チャンバー、２は熱電子放出
用タングステン・フィラメント、３は電子、４はハース
、５は水素イオン・ソース、６は基（反、７はヒーター
である。
用タングステン・フィラメント、３は電子、４はハース
、５は水素イオン・ソース、６は基（反、７はヒーター
である。
真空チャンバー■をターボ分子・ポンプで１×１０″６
Ｔｏ ｒ ｒ以下の真空度とし、基板６の温度を約４０
０度にし、シリコン沈積時に同時に基板６を水素イオン
で衝撃した。また、シリコンの沈積速度は約１オングス
トローム／秒とした。
Ｔｏ ｒ ｒ以下の真空度とし、基板６の温度を約４０
０度にし、シリコン沈積時に同時に基板６を水素イオン
で衝撃した。また、シリコンの沈積速度は約１オングス
トローム／秒とした。
沈積速度はある程度遅い方が結晶性の点では望ましい。
勿論、ハース４には高純度シリコンを入れた。
Ｘ線回折測定の結果は、多結晶シリコン特有の回折パタ
ーンを示していた。
ーンを示していた。
（実施例２）
よく洗浄し、緩衝フッ酸でスライス・エッチしたソーダ
ライム・ガラス基板の主面を多結晶質のフッ化カルシウ
ムか、多結晶質のフッ化ストロンチウムか、多結晶質の
フッ化カルシウムとフッ化ストロンチウムの混晶からな
るか、多結晶質のスピネル（ＭｇＡ １２０４）からな
るか、多結晶質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウム
か、多結晶質の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化
バリウムと酸化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆
する。
ライム・ガラス基板の主面を多結晶質のフッ化カルシウ
ムか、多結晶質のフッ化ストロンチウムか、多結晶質の
フッ化カルシウムとフッ化ストロンチウムの混晶からな
るか、多結晶質のスピネル（ＭｇＡ １２０４）からな
るか、多結晶質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウム
か、多結晶質の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化
バリウムと酸化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆
する。
第２図に後に示す様に、ニュウトラライザーを使用しつ
つ、基板にアルゴン・イオン・ビームを照射しつつ、イ
オン・ビーム・スパッター法で所望の多結晶膜を基板上
に得る。この時、ターゲットはフッ化カルシウムか、フ
ッ化ストロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化スト
ロンチウムの混晶からなるか、スピネル（ＭｇＡ ｌ
２０４）かラナルか、アルミナか、酸化バリウムか、酸
化ストロンチウムか、酸化バリウムと酸化ストロンチウ
ムの混晶からなる。基板温度は約３５０°Ｃ以上が望ま
しい。
つ、基板にアルゴン・イオン・ビームを照射しつつ、イ
オン・ビーム・スパッター法で所望の多結晶膜を基板上
に得る。この時、ターゲットはフッ化カルシウムか、フ
ッ化ストロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化スト
ロンチウムの混晶からなるか、スピネル（ＭｇＡ ｌ
２０４）かラナルか、アルミナか、酸化バリウムか、酸
化ストロンチウムか、酸化バリウムと酸化ストロンチウ
ムの混晶からなる。基板温度は約３５０°Ｃ以上が望ま
しい。
第２図はイオン・ビーム・スパッター装置の概略構成図
であり、８は真空チャンバー、９はニュウトラライザー
を備えたアルゴン・イオン・ソース、１０はターゲット
、１１はニュウトラライザーを有するアルゴン・イオン
・ソース、１２は法手反、１３はヒーターである。
であり、８は真空チャンバー、９はニュウトラライザー
を備えたアルゴン・イオン・ソース、１０はターゲット
、１１はニュウトラライザーを有するアルゴン・イオン
・ソース、１２は法手反、１３はヒーターである。
前期多結晶膜の望ましいｎり厚は、約０．５ミクロン以
上が、種々の点を考えると望ましい。
上が、種々の点を考えると望ましい。
このようにして、形成された膜のＸ線回折の結果は、タ
ーゲットによって決まるフッ化カルシウムか、フッ化ス
トロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化ストロンチ
ウムの混晶からなるか、スピネル（ＭｇＡ ｌ□０４）
からなるか、アルミナか、酸化バリウムか、酸化ストロ
ンチウムか、または酸化バリウムと酸化ストロンチウム
の混晶からなる多結晶質特有の回折パターンを示してい
た。
ーゲットによって決まるフッ化カルシウムか、フッ化ス
トロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化ストロンチ
ウムの混晶からなるか、スピネル（ＭｇＡ ｌ□０４）
からなるか、アルミナか、酸化バリウムか、酸化ストロ
ンチウムか、または酸化バリウムと酸化ストロンチウム
の混晶からなる多結晶質特有の回折パターンを示してい
た。
次に前期多結晶膜の被覆を存するソーダ・ライム・ガラ
ス基板に電子ビーム加熱蒸着法でシリコンを沈積させる
。装置の概略構成図を第１図と同様のものである。但し
、イオン・ソース５は使用しない。また、シリコンの沈
積速度は約１オングストローム／秒とした。沈積速度は
ある程度遅い方が結晶性の点では望ましい。勿論、ハー
ス４には高純度シリコンを入れた。
ス基板に電子ビーム加熱蒸着法でシリコンを沈積させる
。装置の概略構成図を第１図と同様のものである。但し
、イオン・ソース５は使用しない。また、シリコンの沈
積速度は約１オングストローム／秒とした。沈積速度は
ある程度遅い方が結晶性の点では望ましい。勿論、ハー
ス４には高純度シリコンを入れた。
Ｘ線回折測定の結果は、多結晶シリコン特有の回折パタ
ーンを示していた。
ーンを示していた。
（実施例３）
実施例２と同様にして、アルミノ硅酸ガラス基板上にフ
ッ化カルシウムか、フッ化ストロンチウムか、フッ化カ
ルシウムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、ス
ピネル（ＭｇＡ ｌ ２０４）からなるか、アルミナか
、酸化バリウムか、酸化ストロンチウムか、または酸化
バリウムと酸化ストロンチウムの混晶からなる多結晶質
の厚み約０．５ミク０ンの膜を形成した。
ッ化カルシウムか、フッ化ストロンチウムか、フッ化カ
ルシウムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、ス
ピネル（ＭｇＡ ｌ ２０４）からなるか、アルミナか
、酸化バリウムか、酸化ストロンチウムか、または酸化
バリウムと酸化ストロンチウムの混晶からなる多結晶質
の厚み約０．５ミク０ンの膜を形成した。
次に、高純度シリコンをターゲットとし、基板温度を３
５０°Ｃに保ち、直流プラズマスパンター法でシリコン
膜を形成した。膜厚は０．５ミクロンであった。伝導型
はｎ型であり、易動度は小さかったが、Ｘ線回折の結果
は明らかに結晶化が進んでいることを示していた。
５０°Ｃに保ち、直流プラズマスパンター法でシリコン
膜を形成した。膜厚は０．５ミクロンであった。伝導型
はｎ型であり、易動度は小さかったが、Ｘ線回折の結果
は明らかに結晶化が進んでいることを示していた。
直流スパック−法の代わりに、高周波プラズマスパッタ
ー法を用いても同様の結果が得られた。
ー法を用いても同様の結果が得られた。
（実施例４）
実施例２と同様にして、アルミノ硅酸ガラス基板上にフ
ッ化カルシウムか、フッ化ストロンチウムか、フッ化カ
ルシウムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、ス
ピネル（ＭｇＡ ｆ□０４）からなるか、アルミナか、
酸化バリウムか、酸化ストロンチウムか、または酸化バ
リウムと酸化ストロンチウムの混晶からなる多結晶質の
厚み約０．５ミクロンの膜を形成した。
ッ化カルシウムか、フッ化ストロンチウムか、フッ化カ
ルシウムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、ス
ピネル（ＭｇＡ ｆ□０４）からなるか、アルミナか、
酸化バリウムか、酸化ストロンチウムか、または酸化バ
リウムと酸化ストロンチウムの混晶からなる多結晶質の
厚み約０．５ミクロンの膜を形成した。
第３図に示すような高周波励起イオンプレーティング装
置でもって、この上にシリコン層を約０．５ミクロンの
膜厚で形成した。第３図は装置の概略構成図である。
置でもって、この上にシリコン層を約０．５ミクロンの
膜厚で形成した。第３図は装置の概略構成図である。
第３図において、１４は真空チャンバー、１５は膜材料
を入れるハース、１６は熱電子放出用タングステン・フ
ィラメント、１７は電子、１８はＲＦコイル、１９は基
板、２０は基板支持台を兼ねた陰極、２１はヒーターで
ある。本実施例では真空チャンバー１４内に意図的には
ガラスを導入しなかった。
を入れるハース、１６は熱電子放出用タングステン・フ
ィラメント、１７は電子、１８はＲＦコイル、１９は基
板、２０は基板支持台を兼ねた陰極、２１はヒーターで
ある。本実施例では真空チャンバー１４内に意図的には
ガラスを導入しなかった。
ハース１５には高純度シリコンを入れ、シリコン沈積時
の真空度は１０’Ｔｏｒｒ程度にした。
の真空度は１０’Ｔｏｒｒ程度にした。
また、この際の基板温度は約３５０°Ｃとした。
シリコン膜厚は約０．８ミクロンとなった。Ｘ線回折の
結果、シリコン膜は結晶化しており、しかも結晶の質も
かなり良好であることが分かった。
結果、シリコン膜は結晶化しており、しかも結晶の質も
かなり良好であることが分かった。
（実施例５）
良く洗浄し、緩衝フッ酸でスライス・エッチされたアル
ミノ珪酸ガラスを基板とし、クラスターイオン・ビーム
蒸着法でのシリコン沈積時に、同時に基板表面を水素イ
オンで衝撃した。第４図にクラスターイオン・ビーム蒸
着装置の概略構成図を示す。
ミノ珪酸ガラスを基板とし、クラスターイオン・ビーム
蒸着法でのシリコン沈積時に、同時に基板表面を水素イ
オンで衝撃した。第４図にクラスターイオン・ビーム蒸
着装置の概略構成図を示す。
第４図において、２２は真空チャンバー、２３はルツボ
加熱用電子放出フィラメント、２４は窒化硼素（ＢＮ）
からなる蒸着物質を入れるルツボ、２５は冷却水を内部
に流すシールド、２６は噴射ノズル、２７はイオン化用
電子放出フィラメント、２８はイオン化用電子、２９は
イオン化用電子引出グリッド、３０はシールド、３１は
加速電極、３２は基板、３３はヒーター、３４は水素イ
オン源である。
加熱用電子放出フィラメント、２４は窒化硼素（ＢＮ）
からなる蒸着物質を入れるルツボ、２５は冷却水を内部
に流すシールド、２６は噴射ノズル、２７はイオン化用
電子放出フィラメント、２８はイオン化用電子、２９は
イオン化用電子引出グリッド、３０はシールド、３１は
加速電極、３２は基板、３３はヒーター、３４は水素イ
オン源である。
ルツボ２３には高純度シリコンを入れた。基板温度は約
３５０ ’Ｃとした。膜厚は約０．５ミクロンであった
。伝導型はｎ型であり、易動度は小さかったが、Ｘ線回
折の結果は明らかに結晶化が進んでいることを示してい
た。
３５０ ’Ｃとした。膜厚は約０．５ミクロンであった
。伝導型はｎ型であり、易動度は小さかったが、Ｘ線回
折の結果は明らかに結晶化が進んでいることを示してい
た。
（実施例６）
良く洗浄し、緩衝フッ酸でスライス・エッチされたアル
ミノ珪酸ガラスを基板とし、実施例２と同様にして、ア
ルミノ硅酸ガラス基板上にフッ化カルシウムか、フッ化
ストロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化ストロン
チウムの混晶からなるか、スピネル０１ｇＡ ｌ□０４
）からなるか、アルミナか、酸化バリウムか、酸化スト
ロンチウムか、または酸化バリウムと酸化ストロンチウ
ムの混晶からなる多結晶質の厚み約０．５ミクロンの膜
を形成した。
ミノ珪酸ガラスを基板とし、実施例２と同様にして、ア
ルミノ硅酸ガラス基板上にフッ化カルシウムか、フッ化
ストロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化ストロン
チウムの混晶からなるか、スピネル０１ｇＡ ｌ□０４
）からなるか、アルミナか、酸化バリウムか、酸化スト
ロンチウムか、または酸化バリウムと酸化ストロンチウ
ムの混晶からなる多結晶質の厚み約０．５ミクロンの膜
を形成した。
実施例５と同様にして、クラスターイオン・ビーム蒸着
法でもって、シリコン膜を基板上に沈積させた。但し、
沈積時に水素イオンの基板上への照射は止めた。
法でもって、シリコン膜を基板上に沈積させた。但し、
沈積時に水素イオンの基板上への照射は止めた。
第４図、ルツボ２３には高純度シリコンを入れた。基板
温度は約３５０°Ｃとした。膜厚は約０１５ミクロンで
あった。伝導型はｎ型であり、易動度はちいさかったが
、Ｘ線回折の結果は明らかに結晶化が進んでいることを
示していた。
温度は約３５０°Ｃとした。膜厚は約０１５ミクロンで
あった。伝導型はｎ型であり、易動度はちいさかったが
、Ｘ線回折の結果は明らかに結晶化が進んでいることを
示していた。
（実施例７）
第２図のようなイオン・ビーム・スパッター装置を用い
、アルミノ硅酸ガラス上に約０．５ミクロン厚のシリコ
ン膜を形成した。勿論、ターゲットには高純度シリコン
を用い、沈積中、基板表面にはアルゴン・イオン衝撃を
加えた。基板温度は約４００°Ｃとした。
、アルミノ硅酸ガラス上に約０．５ミクロン厚のシリコ
ン膜を形成した。勿論、ターゲットには高純度シリコン
を用い、沈積中、基板表面にはアルゴン・イオン衝撃を
加えた。基板温度は約４００°Ｃとした。
Ｘ線回折の結果、シリコン膜は多結晶質であることを示
していた。
していた。
（実施例日）
実施例２と同様にして、フッ化カルシウムか、フッ化ス
トロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化ストロンチ
ウムの混晶からなるか、スピネル（ＭｇＡ Ｎ ２０４
’）からなるか、アルミナか、酸化バリウムか、酸化ス
トロンチウムか、または酸化バリウムと酸化ストロンチ
ウムの混晶からなる多結晶質膜を得た。膜厚約０．５ミ
クロンとした。
トロンチウムか、フッ化カルシウムとフッ化ストロンチ
ウムの混晶からなるか、スピネル（ＭｇＡ Ｎ ２０４
’）からなるか、アルミナか、酸化バリウムか、酸化ス
トロンチウムか、または酸化バリウムと酸化ストロンチ
ウムの混晶からなる多結晶質膜を得た。膜厚約０．５ミ
クロンとした。
この上に、実施例７と同様にして、シリコン膜を形成し
た。但し、基板表面のアルゴン・イオン衝撃は行わなか
った。膜厚は約０．６ミクロンとした。
た。但し、基板表面のアルゴン・イオン衝撃は行わなか
った。膜厚は約０．６ミクロンとした。
Ｘ線回折の結果、シリコン膜は多結晶質であることを示
していた。
していた。
発明の効果
本発明は、表示装置における各絵素に設けられるＦＥＴ
スインチ等を材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンに関するものであり、産業
上の価値は大なるものがある。
スインチ等を材料となる多結晶シリコンや、集積回路等
に用いられる多結晶シリコンに関するものであり、産業
上の価値は大なるものがある。
第１図はシリコンを沈積させる電子ビーム加熱蒸着装置
の概略構成図、第２図はイオン・ビーム・スパッター装
置の概略構成図、第３図はシリコンを沈積させる高周波
励起イオンプレーティング装置の概略構成図、第４図は
シリコンを沈積させるクラスターイオン・ビーム蒸着装
置の概略構成図である。 ｌ・・・・・・真空チャンバー、２・・・・・・熱電子
放出タングステン・フィラメント、３・・・・・・電子
、４・・・・・・ハース、５・・・・・・水素イオン・
ソース、６・・・・・・基板、７・・・・・・ヒーター
、８・・・・・・真空チャンバー、９・・・・・・ニュ
ウトラライザーを備えたアルゴン・イオン・ソース、ｌ
Ｏ・・・・・・ターゲット、１１・・・・・・ニュウト
ラライザーを有するアルゴン・イオン・ソース、１２・
・・・・・基板、１３・・・・・・ヒーター、１４・・
・・・・真空チャンバー、１５・・・・・・膜材料を入
れるハース、１６・・・・・・熱電子放出タングステン
・フィラメント、Ｉ７・・・・・・電子、１８・・・・
・・ＲＦコイル、Ｉ９・・・・・・基板、２０・・・・
・・基板支持台を兼ねた陰極、２１・・・・・・ヒータ
ー、２２・・・・・・真空チャンバー、２３・・・・・
・ルツボ加熱用電子放出フィラメント、２４・・・・・
・窒化硼素（ＢＮ）からなる蒸着物質を入れるルツボ、
２５・・・・・・冷却水を内部に流すシールド、２６・
・・・・・噴射ノズル、２７・・・・・・イオン化用電
子放出フィラメント、２８・・・・・・イオン化用電子
、２９・・・・・・イオン化用電子引出しグリノド、３
０・・・・・・シールド、３１・・・・・・加速１掻、
３２・・・・・・基板、３３・・・・・・ヒーター、３
４・・・・・・水素イオン源。 頭 代理人の氏名 弁理士 中尾敏央 ほか１名ｆ−−−真
空子インＪぐ− ２、−・ を仔→文＝用フィラメント ３−°−電子 ４−−− ノ＼−ス Ｊ−７）（素イオンソース ６−５．木丈 ８−真空子イン八゛− ｑ、 ｔｔ −゛アルゴンイオン ＩＯ−・−ターグツ） ／Ｚ −−１５板 ソース Ｉ４− 真空ティンハ― １５−°−ハース ／Ａ −−−黛を子方に出用フィラメント／７−−・電
子 １８−“−／ｉ’Ｆゴイ２し ＩＱ−、基、板 Ｌ−・°基板支符台Σ兼貞ｒ；准糧 第 図 ？？・−真空ナインへ゛− ３１°°−加速を砥 ３ｚ・−基板 田−ヒーター ３４− 水景イ２ン源
の概略構成図、第２図はイオン・ビーム・スパッター装
置の概略構成図、第３図はシリコンを沈積させる高周波
励起イオンプレーティング装置の概略構成図、第４図は
シリコンを沈積させるクラスターイオン・ビーム蒸着装
置の概略構成図である。 ｌ・・・・・・真空チャンバー、２・・・・・・熱電子
放出タングステン・フィラメント、３・・・・・・電子
、４・・・・・・ハース、５・・・・・・水素イオン・
ソース、６・・・・・・基板、７・・・・・・ヒーター
、８・・・・・・真空チャンバー、９・・・・・・ニュ
ウトラライザーを備えたアルゴン・イオン・ソース、ｌ
Ｏ・・・・・・ターゲット、１１・・・・・・ニュウト
ラライザーを有するアルゴン・イオン・ソース、１２・
・・・・・基板、１３・・・・・・ヒーター、１４・・
・・・・真空チャンバー、１５・・・・・・膜材料を入
れるハース、１６・・・・・・熱電子放出タングステン
・フィラメント、Ｉ７・・・・・・電子、１８・・・・
・・ＲＦコイル、Ｉ９・・・・・・基板、２０・・・・
・・基板支持台を兼ねた陰極、２１・・・・・・ヒータ
ー、２２・・・・・・真空チャンバー、２３・・・・・
・ルツボ加熱用電子放出フィラメント、２４・・・・・
・窒化硼素（ＢＮ）からなる蒸着物質を入れるルツボ、
２５・・・・・・冷却水を内部に流すシールド、２６・
・・・・・噴射ノズル、２７・・・・・・イオン化用電
子放出フィラメント、２８・・・・・・イオン化用電子
、２９・・・・・・イオン化用電子引出しグリノド、３
０・・・・・・シールド、３１・・・・・・加速１掻、
３２・・・・・・基板、３３・・・・・・ヒーター、３
４・・・・・・水素イオン源。 頭 代理人の氏名 弁理士 中尾敏央 ほか１名ｆ−−−真
空子インＪぐ− ２、−・ を仔→文＝用フィラメント ３−°−電子 ４−−− ノ＼−ス Ｊ−７）（素イオンソース ６−５．木丈 ８−真空子イン八゛− ｑ、 ｔｔ −゛アルゴンイオン ＩＯ−・−ターグツ） ／Ｚ −−１５板 ソース Ｉ４− 真空ティンハ― １５−°−ハース ／Ａ −−−黛を子方に出用フィラメント／７−−・電
子 １８−“−／ｉ’Ｆゴイ２し ＩＱ−、基、板 Ｌ−・°基板支符台Σ兼貞ｒ；准糧 第 図 ？？・−真空ナインへ゛− ３１°°−加速を砥 ３ｚ・−基板 田−ヒーター ３４− 水景イ２ン源
Claims (8)
- （１）基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質
のフッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウ
ムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質
のスピネル（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）からなるか、多結晶
質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質
の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸
化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上に
電子ビーム加熱蒸着法でシリコンを沈積させることを特
徴とする多結晶シリコンの製法。 - （２）基板上に、イオンビームまたは電子ビームを照射
しつつ、電子ビーム加熱蒸着法でもって、シリコンを沈
積させることを特徴とする多結晶シリコンの製法。 - （３）基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質
のフッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウ
ムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質
のスピネル（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）からなるか、多結晶
質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質
の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸
化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上に
直流スパッター法又は高周波スパッター法でシリコンを
沈積させることを特徴とする多結晶シリコンの製法。 - （４）基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質
のフッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウ
ムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質
のスピネル（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）からなるか、多結晶
質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質
の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸
化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上に
イオンプレーティング法でシリコンを沈積させることを
特徴とする多結晶シリコンの製法。 - （５）基板上に、イオンビームまたは電子ビームを照射
しつつ、クラスタ・イオンビーム蒸着法でもって、シリ
コンを沈積させることを特徴とする多結晶シリコンの製
法。 - （６）基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質
のフッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウ
ムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質
のスピネル（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）からなるか、多結晶
質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質
の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸
化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上に
クラスタ・イオンビーム蒸着法でもって、シリコンを沈
積させることを特徴とする多結晶シリコンの製法。 - （７）基板上に、イオンビームまたは電子ビームを照射
しつつ、イオンビーム・スパッタ法でもって、シリコン
を沈積させることを特徴とする多結晶シリコンの製法。 - （８）基板を多結晶質のフッ化カルシウムか、多結晶質
のフッ化ストロンチウムか、多結晶質のフッ化カルシウ
ムとフッ化ストロンチウムの混晶からなるか、多結晶質
のスピネル（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）からなるか、多結晶
質のアルミナか、多結晶質の酸化バリウムか、多結晶質
の酸化ストロンチウムか、多結晶質の酸化バリウムと酸
化ストロンチウムの混晶からなる層で被覆し、この上に
イオンビーム・スパッタ法でもって、シリコンを沈積さ
せることを特徴とする多結晶質シリコンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148541A JPH022612A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 多結晶シリコンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148541A JPH022612A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 多結晶シリコンの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022612A true JPH022612A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15455082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148541A Pending JPH022612A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 多結晶シリコンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008150649A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Tokki Corp | 真空蒸着装置 |
| US7747411B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-06-29 | Seiko Instruments Inc. | Pedometer |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148541A patent/JPH022612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7747411B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-06-29 | Seiko Instruments Inc. | Pedometer |
| JP2008150649A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Tokki Corp | 真空蒸着装置 |
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