JPH02260449A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH02260449A JPH02260449A JP1078271A JP7827189A JPH02260449A JP H02260449 A JPH02260449 A JP H02260449A JP 1078271 A JP1078271 A JP 1078271A JP 7827189 A JP7827189 A JP 7827189A JP H02260449 A JPH02260449 A JP H02260449A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置、特に、高周波電力増幅回路
（高周波パワーアンプ・モジュール）に関し、たとえば
、特にセットの小型軽量化の要求が強いハンディタイプ
の自動車電話用のＧａＡｓＦＥＴパワーハイブリッドＩ
Ｃに適用して有効な技術に関する。
（高周波パワーアンプ・モジュール）に関し、たとえば
、特にセットの小型軽量化の要求が強いハンディタイプ
の自動車電話用のＧａＡｓＦＥＴパワーハイブリッドＩ
Ｃに適用して有効な技術に関する。
ＵＨＦ帯の高周波パワーアンプ・ハイブリッドＩＣ（高
周波パワーアンプ・モジュール）は、セラミック基板や
ガラスエポキシ樹脂基板（ガラエボ基１）等の配線基板
を、銅等のヒートシンクに接着する構造が一般的である
。高周波パワーアンプ・モジュールを組み込んだ一例と
して自動車電話がある。自動車電話の高周波パワーアン
プ・モジュールとして、たとえば、株式会社日立製作所
半導体事業部技術本部発行「ゲイン（ＧＡ Ｉ Ｎ）Ｊ
１９８８年９月号Ｐ２３〜Ｐ２５に記載されているよ
うに、高周波パワーＭＯ３ＦＥＴモジュール（高周波増
幅モジュール）が知られている。
周波パワーアンプ・モジュール）は、セラミック基板や
ガラスエポキシ樹脂基板（ガラエボ基１）等の配線基板
を、銅等のヒートシンクに接着する構造が一般的である
。高周波パワーアンプ・モジュールを組み込んだ一例と
して自動車電話がある。自動車電話の高周波パワーアン
プ・モジュールとして、たとえば、株式会社日立製作所
半導体事業部技術本部発行「ゲイン（ＧＡ Ｉ Ｎ）Ｊ
１９８８年９月号Ｐ２３〜Ｐ２５に記載されているよ
うに、高周波パワーＭＯ３ＦＥＴモジュール（高周波増
幅モジュール）が知られている。
この高周波増幅モジュールは、１．５μｍプロセス横形
パワーＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ （Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄ
ｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｆｅｌｄ−Ｅｆｆｅ
ｃｔ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）を三段に組み込むとと
もに、ｗ４（Ｃｕ）厚膜配線技術を駆使して高効率を達
成している。
パワーＭ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ （Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄ
ｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｆｅｌｄ−Ｅｆｆｅ
ｃｔ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ）を三段に組み込むとと
もに、ｗ４（Ｃｕ）厚膜配線技術を駆使して高効率を達
成している。
従来のこの種高周波パワーアンプ・モジュールは、第５
図の断面図および第６図の平面図に示されるような構造
となっている。高周波パワーアンプ・モジュール１は、
外観的には、熱伝導度が良好な矩形の金属板からなるヒ
ートシンク２と、このヒートシンク２の主面に取り付け
られた樹脂からなる矩形状のケース３と、前記ケース３
の一側面から突出する４本のり−ド４とからなっている
。
図の断面図および第６図の平面図に示されるような構造
となっている。高周波パワーアンプ・モジュール１は、
外観的には、熱伝導度が良好な矩形の金属板からなるヒ
ートシンク２と、このヒートシンク２の主面に取り付け
られた樹脂からなる矩形状のケース３と、前記ケース３
の一側面から突出する４本のり−ド４とからなっている
。
前記ヒートシンク２は、その両端がケース３がら突出す
る構造となっているとともに、先端中央には０字状の切
り欠きからなる取付溝５が設けられている。この取付溝
５はパワーアンプ・モジュール１をネジを用いて実装す
る際に利用される。
る構造となっているとともに、先端中央には０字状の切
り欠きからなる取付溝５が設けられている。この取付溝
５はパワーアンプ・モジュール１をネジを用いて実装す
る際に利用される。
また、前記リード４は左から右に向がって入力端子（Ｐ
ＩＮ）、ゲインコントロール端子（Ｖａｒｃ ） 。
ＩＮ）、ゲインコントロール端子（Ｖａｒｃ ） 。
電源端子（Ｖｅｍ）、出力端子（Ｐｏｕア）となってい
る。
る。
高周波パワーアンプ・モジュール１にあっては、第５図
に示されるように、ケース３内におけるヒートシンク２
の主面に高周波回路基板６が固定されている。この高周
波回路基板６はセラミック基板からなるとともに、その
主面には図示しないが配線層が形成されている。そして
、所定部に３個のパワーＭＯ３ＦＥＴ７，８．９やコン
デンサ１０等が固定されている。前記パワーＭＯ３ＦＥ
Ｔ７．８．９は１段、２段、最終段と３段に接続されて
いる。また、前記パワーＭＯＳＦＥＴ？、８゜９は、ワ
イヤ１１によって各電極が前記配線層に接続されている
。これにより、高周波パワーアンプ・モジュール１は、
３段増幅回路を構成し、出力は高効率なものとなる。
に示されるように、ケース３内におけるヒートシンク２
の主面に高周波回路基板６が固定されている。この高周
波回路基板６はセラミック基板からなるとともに、その
主面には図示しないが配線層が形成されている。そして
、所定部に３個のパワーＭＯ３ＦＥＴ７，８．９やコン
デンサ１０等が固定されている。前記パワーＭＯ３ＦＥ
Ｔ７．８．９は１段、２段、最終段と３段に接続されて
いる。また、前記パワーＭＯＳＦＥＴ？、８゜９は、ワ
イヤ１１によって各電極が前記配線層に接続されている
。これにより、高周波パワーアンプ・モジュール１は、
３段増幅回路を構成し、出力は高効率なものとなる。
自動車電話のセービスが拡大しているが、今後は小型軽
量のハンディタイプ のものが要求される。したがって
、自動車電話に組み込まれる高周波パワーアンプ・モジ
ュールもその外形寸法は一層小型なものが要請されてい
る。
量のハンディタイプ のものが要求される。したがって
、自動車電話に組み込まれる高周波パワーアンプ・モジ
ュールもその外形寸法は一層小型なものが要請されてい
る。
ところで、本出願人においては、使用帯域が９００ＭＨ
ｚの自動車電話用の高周波パワーアンプ・モジュールと
して、ＧａＡｓ−ＦＥＴパワーアンプ・モジュールの開
発を企画している。ＧａＡｓ−ＦＥＴを使用したパワー
アンプは、ゲートに負電源を必要とする。このため、負
電源回路を前記高周波回路基板に組み込む必要が生じる
が、従来構造では、高周波パワーアンプ・モジュールの
小型化のために高周波回路基板の大きさも最小限となっ
ていることから、前記負電源回路を組み込むスペースが
存在しない、したがって、前記負電源回路を高周波回路
基板の上面にそのまま組み込む構造では、高周波回路基
板は現状のものよりも大型化してしまい、高周波パワー
アンプ・モジュールの寸法も大きくなってしまう。
ｚの自動車電話用の高周波パワーアンプ・モジュールと
して、ＧａＡｓ−ＦＥＴパワーアンプ・モジュールの開
発を企画している。ＧａＡｓ−ＦＥＴを使用したパワー
アンプは、ゲートに負電源を必要とする。このため、負
電源回路を前記高周波回路基板に組み込む必要が生じる
が、従来構造では、高周波パワーアンプ・モジュールの
小型化のために高周波回路基板の大きさも最小限となっ
ていることから、前記負電源回路を組み込むスペースが
存在しない、したがって、前記負電源回路を高周波回路
基板の上面にそのまま組み込む構造では、高周波回路基
板は現状のものよりも大型化してしまい、高周波パワー
アンプ・モジュールの寸法も大きくなってしまう。
本発明の目的は回路実装密度の高い混成集積回路装置、
すなわち、高周波パワーアンプ・モジエールを提供する
ことにある。
すなわち、高周波パワーアンプ・モジエールを提供する
ことにある。
本発明の他の目的は、回路実装密度の向上が図れるとと
もに、外形寸法を少なくとも現状品と同一にできる高周
波パワーアンプ・モジュールを提供することにある。
もに、外形寸法を少なくとも現状品と同一にできる高周
波パワーアンプ・モジュールを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の高周波パワーアンプ・モジュールは
、ヒートシンクの上面に高周波回路基板が固定され、こ
の高周波回路基板の上面に３個のＧａＡｓ−ＦＥＴが３
段に亘って配設されていることから、高効率のパワーア
ンプ・モジュールとなっている。また、このモジエール
にあっては、発熱量の少ない１段目および２段目のＧａ
Ａｓ−ＦＥＴが固定されている領域に対面するヒートシ
ンク領域がくり抜かれ、この（り抜き空間に露出した高
周波回路基板の裏面には、高周波回路基板の上面の配線
層とスルーホールを介して有機的に繋がる負電源回路配
線が設けられているとともに、この負電源回路配線部分
には負電源回路を構成する電子部品が実装されている。
、ヒートシンクの上面に高周波回路基板が固定され、こ
の高周波回路基板の上面に３個のＧａＡｓ−ＦＥＴが３
段に亘って配設されていることから、高効率のパワーア
ンプ・モジュールとなっている。また、このモジエール
にあっては、発熱量の少ない１段目および２段目のＧａ
Ａｓ−ＦＥＴが固定されている領域に対面するヒートシ
ンク領域がくり抜かれ、この（り抜き空間に露出した高
周波回路基板の裏面には、高周波回路基板の上面の配線
層とスルーホールを介して有機的に繋がる負電源回路配
線が設けられているとともに、この負電源回路配線部分
には負電源回路を構成する電子部品が実装されている。
前記負電源回路構成部品は前記ヒートシンクの下面から
突出することなく前記くり抜き空間内に位置し、かつ（
り抜き空間内に充填されたレジンによって封止されてい
る。
突出することなく前記くり抜き空間内に位置し、かつ（
り抜き空間内に充填されたレジンによって封止されてい
る。
上記した手段によれば、本発明の高周波パワーアンプ・
モジュールは、前記ヒートシンクの一部をくり抜くとと
もに、このくり抜き空間に負電源回路を組み込んである
ことから、外形寸法は大きくならず、従来品と同様とす
ることができ、回路実装密度が向上する。また、前記ヒ
ートシンクのくり抜き部分は、第１段および第２段のＧ
ａＡｓ−ＦＥＴが配設された領域に対面するヒートシン
ク領域である。３段のＧａＡｓ−ＦＥＴで構成される高
周波パワーアンプ・モジュールにおいて、その発熱量は
、はぼ最終段のトランジスタが全体の発生熱の８割を占
める。したがって、１段目および２段目のＧａＡｓ−Ｆ
ＥＴの固定部分に対面したヒートシンク部分をくり抜い
た本構造の場合、熱放散性に特に支障を来すようなこと
はなく、高周波パワーアンプ・モジュールは安定して動
作する。
モジュールは、前記ヒートシンクの一部をくり抜くとと
もに、このくり抜き空間に負電源回路を組み込んである
ことから、外形寸法は大きくならず、従来品と同様とす
ることができ、回路実装密度が向上する。また、前記ヒ
ートシンクのくり抜き部分は、第１段および第２段のＧ
ａＡｓ−ＦＥＴが配設された領域に対面するヒートシン
ク領域である。３段のＧａＡｓ−ＦＥＴで構成される高
周波パワーアンプ・モジュールにおいて、その発熱量は
、はぼ最終段のトランジスタが全体の発生熱の８割を占
める。したがって、１段目および２段目のＧａＡｓ−Ｆ
ＥＴの固定部分に対面したヒートシンク部分をくり抜い
た本構造の場合、熱放散性に特に支障を来すようなこと
はなく、高周波パワーアンプ・モジュールは安定して動
作する。
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例による高周波パワーアンプ・
モジュールの要部を示す模式的断面図、第２図は同じく
ケースを外した状態のモジュールの模式的平面図、第３
図は同じく外観を示す斜視図、第４図は同じ（本発明の
モジュールの負電源回路部分を示す底面図である。
モジュールの要部を示す模式的断面図、第２図は同じく
ケースを外した状態のモジュールの模式的平面図、第３
図は同じく外観を示す斜視図、第４図は同じ（本発明の
モジュールの負電源回路部分を示す底面図である。
この実施例の高周波電力増幅回路（パワーアンプ・モジ
ュール）１は、第３図に示されるように、外観的にはヒ
ートシンク２、より具体的には銅等熱伝導度が高い矩形
の金属板からなるヒートシンク２と、このヒートシンク
２の主面に取り付けられた樹脂からなる矩形状のケース
３と、前記ケース３の一側面（手前側）から突出する４
本のり一部４とからなっている。このパワーアンプ・モ
ジュールｌは、たとえば長さ６０ｍｍ、幅１４ｍｍ。
ュール）１は、第３図に示されるように、外観的にはヒ
ートシンク２、より具体的には銅等熱伝導度が高い矩形
の金属板からなるヒートシンク２と、このヒートシンク
２の主面に取り付けられた樹脂からなる矩形状のケース
３と、前記ケース３の一側面（手前側）から突出する４
本のり一部４とからなっている。このパワーアンプ・モ
ジュールｌは、たとえば長さ６０ｍｍ、幅１４ｍｍ。
厚さ６ｍｍ程度となっている。また、前記ヒートシンク
２の厚さは２．３ｍｍとなっている。
２の厚さは２．３ｍｍとなっている。
前記ヒートシンク２の両端はケース３から突出する構造
となっているとともに、先端中央にはＵ字状の切り欠き
からなる取付溝５が設けられている。この取付溝５はパ
ワーアンプ・モジュール１をネジを用いて実装する際に
利用される。また、前記リード４は左から右に向かって
入力端子（ＰＩＮ） ＋ゲインコントロール端子（Ｖａ
ｐｃ）、電源端子（Ｖｓａ） 、出力端子（Ｐｏ。）と
なっている。
となっているとともに、先端中央にはＵ字状の切り欠き
からなる取付溝５が設けられている。この取付溝５はパ
ワーアンプ・モジュール１をネジを用いて実装する際に
利用される。また、前記リード４は左から右に向かって
入力端子（ＰＩＮ） ＋ゲインコントロール端子（Ｖａ
ｐｃ）、電源端子（Ｖｓａ） 、出力端子（Ｐｏ。）と
なっている。
パワーアンプ・モジュールｌは、第１図に示されるよう
に、ケース３内においてヒートシンク２の主面に高周波
回路基板６を固定した構造となっている。この高周波回
路基板６はセラミック基板からなるとともに、その主面
には図示しないが回路形成のための配線層が設けられて
いる。そして、所定部に３個のＧａＡｓ−ＦＥＴ （Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴ）１５．１６．１７やコンデンサ１０等
が固定されている。前記ＧａＡｓ−ＦＥＴＬ５，１６゜
１７は、ワイヤ１１によって各電極が前記配線層に接続
されている。これにより、パワーアンプ・モジュール１
は３段増幅回路を構成することになる。このパワーアン
プ・モジュール１は使用帯域が８００〜９００ＭＨｚと
なり、１ｍＷ程度の入力を２Ｗ程度の出力とすることが
できる。
に、ケース３内においてヒートシンク２の主面に高周波
回路基板６を固定した構造となっている。この高周波回
路基板６はセラミック基板からなるとともに、その主面
には図示しないが回路形成のための配線層が設けられて
いる。そして、所定部に３個のＧａＡｓ−ＦＥＴ （Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴ）１５．１６．１７やコンデンサ１０等
が固定されている。前記ＧａＡｓ−ＦＥＴＬ５，１６゜
１７は、ワイヤ１１によって各電極が前記配線層に接続
されている。これにより、パワーアンプ・モジュール１
は３段増幅回路を構成することになる。このパワーアン
プ・モジュール１は使用帯域が８００〜９００ＭＨｚと
なり、１ｍＷ程度の入力を２Ｗ程度の出力とすることが
できる。
一方、これが本発明の特徴的なことの一つであるが、前
記ヒートシンク２は部分的にくり抜かれ、そのくり抜き
空間２０には負電源回路が組み込まれている。すなわち
、くり抜き空間２０は、第１図および第２図に示される
ように、１段目のＧａＡｓ−ＦＥＴ１５が取り付けられ
た領域から２段目のＧａＡｓ−ＦＥＴ１６が取り付けら
れた領域に亘る領域に対面する前記ヒートシンク２の部
分がくり抜かれる。そして、この（り抜き空間２０に臨
む高周波回路基板６の裏面部分には、第４図に示される
ような負電源回路を構成するための電源回路配線２１が
設けられている。この電源回路配線２１は白抜きのパタ
ーンで示されている。そして、この電源回路配線２１の
周囲にはハツチングで示されるように、アース配線２２
が設けられている。このアース配線２２の存在によって
、前記高周波回路基板６の表ＩＮ面は磁気シールドされ
る。
記ヒートシンク２は部分的にくり抜かれ、そのくり抜き
空間２０には負電源回路が組み込まれている。すなわち
、くり抜き空間２０は、第１図および第２図に示される
ように、１段目のＧａＡｓ−ＦＥＴ１５が取り付けられ
た領域から２段目のＧａＡｓ−ＦＥＴ１６が取り付けら
れた領域に亘る領域に対面する前記ヒートシンク２の部
分がくり抜かれる。そして、この（り抜き空間２０に臨
む高周波回路基板６の裏面部分には、第４図に示される
ような負電源回路を構成するための電源回路配線２１が
設けられている。この電源回路配線２１は白抜きのパタ
ーンで示されている。そして、この電源回路配線２１の
周囲にはハツチングで示されるように、アース配線２２
が設けられている。このアース配線２２の存在によって
、前記高周波回路基板６の表ＩＮ面は磁気シールドされ
る。
前記電源回路配線２１はスルーホール２３に充填された
導体を介して、ヒートシンク２の上面に図示しない配線
の所定部に電気的に接続されている。前記電源回路配線
２１には、ＩＣ２４やコンデンサ２５が面付状態で実装
されている。また、前記くり抜き空間２０には、第１図
に示されるように絶縁性樹脂２６が充填され、前記ＩＣ
２４やコンデンサ２５等を封止している。この絶縁性樹
脂２６は前記くり抜き空間２０内にのみ設けられて、ヒ
ートシンク２の下面（裏面）には突出しないようになり
、高周波パワーアンプ・モジュールｌの実装時、ヒート
シンク２の下面が取付面から浮き上がらず密着するよう
になっている。これにより、各ＧａＡｓ−ＦＥＴ１５，
１６．１７等で発生する熱は、ヒートシンク２を介しか
つヒートシンク２の全面から高周波パワーアンプ・モジ
ュール１を支持する支持板等に伝熱放散されるこ七にな
る。
導体を介して、ヒートシンク２の上面に図示しない配線
の所定部に電気的に接続されている。前記電源回路配線
２１には、ＩＣ２４やコンデンサ２５が面付状態で実装
されている。また、前記くり抜き空間２０には、第１図
に示されるように絶縁性樹脂２６が充填され、前記ＩＣ
２４やコンデンサ２５等を封止している。この絶縁性樹
脂２６は前記くり抜き空間２０内にのみ設けられて、ヒ
ートシンク２の下面（裏面）には突出しないようになり
、高周波パワーアンプ・モジュールｌの実装時、ヒート
シンク２の下面が取付面から浮き上がらず密着するよう
になっている。これにより、各ＧａＡｓ−ＦＥＴ１５，
１６．１７等で発生する熱は、ヒートシンク２を介しか
つヒートシンク２の全面から高周波パワーアンプ・モジ
ュール１を支持する支持板等に伝熱放散されるこ七にな
る。
なお、最終段のＧａＡｓ−ＦＥＴＩ ７の発熱は、全体
の発熱量の８割を占める。したがって、この実施例では
最終段のＧａＡｓ−ＦＥＴ１７の伝熱（放熱）経路を避
け、可及的遠方である１段目のＧａＡｓ−ＦＥＴ１５側
にくり抜き空間２０を設ける構造としている。この結果
、ヒートシンク２を部分的にくり抜いても、最終段のＧ
ａＡｓ−ＦＥＴ１７で発生した熱はヒートシンク２を介
して直接放散されること、また、１段目および２段目の
ＧａＡｓ−ＦＥＴ１５，１６で発生した熱は、前記くり
抜き部分の周囲のヒートシンク部分や、前記くり抜き空
間２０に埋め込まれた絶縁性樹脂２６を介して放散され
ることから、高周波パワーアンプ・モジュール１の動作
に特に支障を来たすようなことはない。
の発熱量の８割を占める。したがって、この実施例では
最終段のＧａＡｓ−ＦＥＴ１７の伝熱（放熱）経路を避
け、可及的遠方である１段目のＧａＡｓ−ＦＥＴ１５側
にくり抜き空間２０を設ける構造としている。この結果
、ヒートシンク２を部分的にくり抜いても、最終段のＧ
ａＡｓ−ＦＥＴ１７で発生した熱はヒートシンク２を介
して直接放散されること、また、１段目および２段目の
ＧａＡｓ−ＦＥＴ１５，１６で発生した熱は、前記くり
抜き部分の周囲のヒートシンク部分や、前記くり抜き空
間２０に埋め込まれた絶縁性樹脂２６を介して放散され
ることから、高周波パワーアンプ・モジュール１の動作
に特に支障を来たすようなことはない。
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
る。
（１）本発明の高周波パワーアンプ・モジュールは、ヒ
ートシンクの上面に固定した高周波回路基板上に電子部
品を実装している以外に、部分的にヒートシンクをくり
抜いて、このくり抜き部分の高周波回路基板の裏面にも
電子部品を実装していることから、回路実装密度が向上
するという効果が得られる。
ートシンクの上面に固定した高周波回路基板上に電子部
品を実装している以外に、部分的にヒートシンクをくり
抜いて、このくり抜き部分の高周波回路基板の裏面にも
電子部品を実装していることから、回路実装密度が向上
するという効果が得られる。
（２）上記（１）により、本発明によれば、前記ヒート
シンクの前記くり抜き部分に電子部品を実装することか
ら、現状の外形寸法を変更することなく高周波パワーア
ンプ・モジュールを組み立てることができるという効果
が得られる。
シンクの前記くり抜き部分に電子部品を実装することか
ら、現状の外形寸法を変更することなく高周波パワーア
ンプ・モジュールを組み立てることができるという効果
が得られる。
（３）上記（１）および（２）により、本発明によれば
、現状の外形寸法を変えることなく負電源回路を組み込
んだＧａＡｓ−ＦＥＴによる高周波パワーアンプ・モジ
ュールを提供することができるという効果が得られる。
、現状の外形寸法を変えることなく負電源回路を組み込
んだＧａＡｓ−ＦＥＴによる高周波パワーアンプ・モジ
ュールを提供することができるという効果が得られる。
したがって、小型軽量のハンディタイプの自動車電話に
好適な高周波パワーアンプ・モジュールを提供すること
ができる。
好適な高周波パワーアンプ・モジュールを提供すること
ができる。
（４）本発明の高周波パワーアンプ・モジュールは、高
周波回路基板を部分的にくり抜き、このくり抜き部分に
負電源回路を組み込んでいるが、この負電源回路用の電
源回路配線の周囲全周にはアース配線が設けられている
ことから、高周波回路基板の表裏面間のシールドが可能
となるため、基板表面の高周波信号が裏面にリークし難
くなり、高周波によるＩＣの誤動作等が防止でき、安定
した動作が保証されるという効果が得られる。
周波回路基板を部分的にくり抜き、このくり抜き部分に
負電源回路を組み込んでいるが、この負電源回路用の電
源回路配線の周囲全周にはアース配線が設けられている
ことから、高周波回路基板の表裏面間のシールドが可能
となるため、基板表面の高周波信号が裏面にリークし難
くなり、高周波によるＩＣの誤動作等が防止でき、安定
した動作が保証されるという効果が得られる。
（５）本発明の高周波パワーアンプ・モジュールは、高
周波回路基板を部分的に（り抜いているが、このくり抜
き部分は、全体の発熱量の８割を占める最終段のＧａＡ
ｓ−ＦＥＴの固定領域から外れた対応領域に設けられて
いるため、高周波パワーアンプ・モジュールの動作に特
に支障を来たさないという効果が得られる。
周波回路基板を部分的に（り抜いているが、このくり抜
き部分は、全体の発熱量の８割を占める最終段のＧａＡ
ｓ−ＦＥＴの固定領域から外れた対応領域に設けられて
いるため、高周波パワーアンプ・モジュールの動作に特
に支障を来たさないという効果が得られる。
（６）上記（１）〜（５）により、本発明によれば、負
電源回路を内蔵しかつ現状の外形寸法を維持した動作特
性の安定したＧａＡｓ−ＦＥＴによる自動車電話用の高
周波パワーアンプ・モジュールを提供することができる
という相乗効果が得られる。
電源回路を内蔵しかつ現状の外形寸法を維持した動作特
性の安定したＧａＡｓ−ＦＥＴによる自動車電話用の高
周波パワーアンプ・モジュールを提供することができる
という相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＧａＡｓ−ＦＥＴを
多段に組み込んだ高周波パワーアンプ・モジュールに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、ＭＯＳＦＥＴを組み込んだ高周波パワーアン
プ・モジュールにも適用できる。
をその背景となった利用分野であるＧａＡｓ−ＦＥＴを
多段に組み込んだ高周波パワーアンプ・モジュールに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、ＭＯＳＦＥＴを組み込んだ高周波パワーアン
プ・モジュールにも適用できる。
本発明は少なくとも混成集積回路装置には適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明の高周波パワーアンプ・モジュールは、ヒートシ
ンクの上面に固定した高周波回路基板の上面に３つのＧ
ａＡｓ−ＦＥＴを３段に結線するように配設させである
ことから、出力の高効率化が達成できる。また、前記ヒ
ートシンクは一部がくり抜かれ、そのくり抜かれた部分
には負電源回路を構成する部品が配設されるため、外形
寸法を太き（することなく負電源回路を組み込むことが
でき、回路実装密度が向上する。また、前記くり抜き部
分は、１段目および２段目のＧａＡｓ−ＦＥＴが取り付
けられた領域に対応して設けられ、全体の発熱量の８割
を占める最終段のＧａＡｓ−ＦＥＴが取り付けられた領
域から外れた位置となっていることから、熱放散性に特
に支障が起きず、安定動作が達成できる。さらに、負電
源回路の電源回路配線の周囲には、アース配線が設けら
れていることから、高周波回路基板の表裏面間の磁気シ
ールドも可能となる。
ンクの上面に固定した高周波回路基板の上面に３つのＧ
ａＡｓ−ＦＥＴを３段に結線するように配設させである
ことから、出力の高効率化が達成できる。また、前記ヒ
ートシンクは一部がくり抜かれ、そのくり抜かれた部分
には負電源回路を構成する部品が配設されるため、外形
寸法を太き（することなく負電源回路を組み込むことが
でき、回路実装密度が向上する。また、前記くり抜き部
分は、１段目および２段目のＧａＡｓ−ＦＥＴが取り付
けられた領域に対応して設けられ、全体の発熱量の８割
を占める最終段のＧａＡｓ−ＦＥＴが取り付けられた領
域から外れた位置となっていることから、熱放散性に特
に支障が起きず、安定動作が達成できる。さらに、負電
源回路の電源回路配線の周囲には、アース配線が設けら
れていることから、高周波回路基板の表裏面間の磁気シ
ールドも可能となる。
第１図は本発明の一実施例による高周波パワーアンプ・
モジュールの要部を示す模式的断面図、第２図は同じく
ケースを外した状態のモジュールの模式的平面図、 第３図は同じく外観を示す斜視図、 第４図は同じく本発明のモジュールの負電源回路部分を
示す底面図、 第５図は従来の高周波パワーアンプ・モジュールの概要
を示す模式的断面図、 第６図ハ同し；＜ケースを外した状態のモジュールの模
式的平面図である。 １・・・高周波パワーアンプ・モジュール、２・・・ヒ
ートシンク、３・・・ケース、４・・・リード、５・・
・取付溝、６・・・高周波回路基板、７，８．９川パワ
−ＭＯ３ＦＥＴ、１０・・・コンデンサ、１１・・・ワ
イヤ、１５、 １６．１７＝ＧａＡｓ−ＦＥＴ、’２０
−（り抜き空間、２１・・・電源回路配線、２２・・・
アース配線、２３・・・スルーホール部、２４・・・ｒ
ｃ、２５・・・コンデンサ、２６・・・絶縁性樹脂。 ２−ヒートンジグ ３−ケース ２０−＜ン丁艮を（こ汽ｉ’１２４（Ｃ６−品凧′ＩＬ
θ詩ｌ歇」５祠ｙ−Ｇ、Ａｓ−ＦＥＴ２５−コ／ヂ！ν
’７ ２６−！Ｊ乞６４（弧オ孤（騒も ＡＰｃ Ｌν Ｐ６ワ。
モジュールの要部を示す模式的断面図、第２図は同じく
ケースを外した状態のモジュールの模式的平面図、 第３図は同じく外観を示す斜視図、 第４図は同じく本発明のモジュールの負電源回路部分を
示す底面図、 第５図は従来の高周波パワーアンプ・モジュールの概要
を示す模式的断面図、 第６図ハ同し；＜ケースを外した状態のモジュールの模
式的平面図である。 １・・・高周波パワーアンプ・モジュール、２・・・ヒ
ートシンク、３・・・ケース、４・・・リード、５・・
・取付溝、６・・・高周波回路基板、７，８．９川パワ
−ＭＯ３ＦＥＴ、１０・・・コンデンサ、１１・・・ワ
イヤ、１５、 １６．１７＝ＧａＡｓ−ＦＥＴ、’２０
−（り抜き空間、２１・・・電源回路配線、２２・・・
アース配線、２３・・・スルーホール部、２４・・・ｒ
ｃ、２５・・・コンデンサ、２６・・・絶縁性樹脂。 ２−ヒートンジグ ３−ケース ２０−＜ン丁艮を（こ汽ｉ’１２４（Ｃ６−品凧′ＩＬ
θ詩ｌ歇」５祠ｙ−Ｇ、Ａｓ−ＦＥＴ２５−コ／ヂ！ν
’７ ２６−！Ｊ乞６４（弧オ孤（騒も ＡＰｃ Ｌν Ｐ６ワ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ヒートシンクと、このヒートシンクの上面に固定さ
れた高周波回路基板と、この高周波回路基板の上面に配
設されたＦＥＴおよびコンデンサと、前記ＦＥＴや高周
波回路基板を被うように前記ヒートシンクの上面に取り
付けられたケースと、このケース外に外端を突出させか
つ内端は前記高周波回路基板に取り付けられたリードと
、を有する混成集積回路装置であって、前記ヒートシン
クは一部がくり抜かれ、このくり抜き空間に露出した前
記高周波回路基板の裏面には、前記高周波回路基板の上
面と電気的に接続された電子部品が配設されかつくり抜
き空間には絶縁性樹脂が充填されて前記電子部品を封止
していることを特徴とする混成集積回路装置。 ２、前記ＦＥＴはＧａＡｓ−ＦＥＴからなるとともに、
前記くり抜き部分には負電源回路が設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の混成集積回路
装置。 ３、前記くり抜き部分は最終段のＧａＡｓ−ＦＥＴが取
り付けられた領域から外れた可及的遠方領域に設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の混
成集積回路装置。 ４、前記負電源回路が形成される高周波回路基板裏面に
は、前記負電源回路形成用の電源回路配線を取り囲むよ
うにアース配線が設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078271A JPH02260449A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078271A JPH02260449A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260449A true JPH02260449A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13657319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1078271A Pending JPH02260449A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260449A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630727B1 (en) | 1998-03-03 | 2003-10-07 | Infineon Technologies Ag | Modularly expandable multi-layered semiconductor component |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1078271A patent/JPH02260449A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630727B1 (en) | 1998-03-03 | 2003-10-07 | Infineon Technologies Ag | Modularly expandable multi-layered semiconductor component |
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