JPH02260358A - Ion implantation apparatus - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To suppress the effect of secondary electrons on ion beam orbit and guarantee uniform ion implantation by installing a plate part for secondary electron suppression between each of deflection devices for neutral particle removal and of multipole deflection devices for parallel scanning. CONSTITUTION:Secondary electron suppressing plate parts 9 are inserted between a quadrupole-type lens 4 and dipole electrostatic deflection device 5, between the dipole electrostatic deflection device 5 and a first multipole electrostatic deflection device 6, between the first multipole electrostatic deflection device 6 and a second multipole electrostatic deflection device 7, and between the second multipole electrostatic deflection device 7 and a sample 8. Each plate part 9 is composed with a frame having a center opened part 10 where an ion beam passes and it is connected with a negative electric power source 11. By this method, during the implantation of ion beam to the sample 8, the effect of secondary electrons are efficiently suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、イオン源で生成したイオンを質量分析系に入
れ、所要の運動エネルギと質量とをもったイオンを取り
出し、これを加速管で加速した後偏向走査系を介して試
料面を常に一定の方向から平行なイオンビームで走査す
るようにしたイオン注入装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention introduces ions generated in an ion source into a mass spectrometry system, extracts ions with the required kinetic energy and mass, and collects them in an acceleration tube. This invention relates to an ion implantation apparatus in which a sample surface is always scanned in a fixed direction with a parallel ion beam via a deflection scanning system after acceleration.

［従来の技術］ 周知のようにイオン注入技術は、イオンを加速して試料
表面に照射させることにり不純物ドーピングや材料合成
等を行うものであり、試ｆ１表面の状態に影響されずに
ドーピングでき、きわめて高精度でしかも清浄な不純物
添加技術であり、この特徴を生かしてＬＳＩ　、超ＬＳ
Ｉ素子の製造や合金または非晶質材料の合成等に利用さ
れている。[Prior art] As is well known, ion implantation technology performs impurity doping, material synthesis, etc. by accelerating ions and irradiating them onto the sample surface.Doping can be performed without being affected by the condition of the sample f1 surface. It is an impurity doping technology with extremely high precision and cleanliness, and by taking advantage of this feature, LSI and ultra-LSI
It is used in the production of I elements and the synthesis of alloys or amorphous materials.

ところで、イオン注入装置においてはドーピングの高い
均一性を得る上でイオン源や走査系の安定化および中性
粒子の発生を抑えることは重要なことである、中性粒子
は、イオンビームがイオン源から試料に到達するまでに
残留ガス分子と厨突し、荷電交換により発生され、この
確率は真空度が悪い程また輸送される距離が長い程大き
くなる。By the way, in ion implantation equipment, it is important to stabilize the ion source and scanning system and to suppress the generation of neutral particles in order to obtain high doping uniformity. By the time it reaches the sample, it collides with residual gas molecules and is generated due to charge exchange, and this probability increases as the degree of vacuum deteriorates and the distance traveled becomes longer.

そのため、イオン注入装置では中性粒子の発生を抑える
ため、真空度を上げると共に中性粒子が試料に入射しな
いようにビームラインを漏向走査系において曲げる（７
°程度）等の手段が講じられている。すなわち、電気的
にはＸ方向走査電極の走査用三角波にイオンビームを７
°閾向させるためのＤＣバイアスを重畳させて電圧制御
されている。Therefore, in order to suppress the generation of neutral particles in ion implanters, the degree of vacuum is increased and the beam line is bent in the horizontal scanning system to prevent neutral particles from entering the sample (7
Measures have been taken such as: That is, electrically, the ion beam is applied to the scanning triangular wave of the X-direction scanning electrode.
The voltage is controlled by superimposing a DC bias for turning it toward the threshold.

従来の静電型Ｘ−Ｙ走査方式イオン注入装置では、１目
向走査系において、端部における電場の乱れのため有効
Ｋｉ域が狭く、幅を大きく収らなければならず、電極が
大きくなり、電気容量が大きくなると共に偏向歪がかな
り大きくなる。また濱向走査系の少なくとも一方の走査
電極に走査用三角波電圧と中性粒子除去用の偏向電圧と
を重畳させて印加しているため、電極に印加する電圧が
高くなり、高電圧の発生が必要となる。そのため、高速
で走査する場合、三角波電圧が鈍ってしまい、また電圧
が１０にνを越えるとコロナ放電やり一ゲージ対策が困
難となり、電源の設Ｊ１．製作が難しく、コストの面で
も高くなる。また電源の寿命も短く、さらには電力損失
の点でも問題がある。In a conventional electrostatic X-Y scanning ion implanter, the effective Ki region is narrow due to disturbance of the electric field at the end in the single-direction scanning system, and the width must be widened, resulting in a large electrode. , as the capacitance increases, the deflection distortion increases considerably. In addition, since a triangular wave voltage for scanning and a deflection voltage for removing neutral particles are applied in a superimposed manner to at least one scanning electrode of the horizontal scanning system, the voltage applied to the electrode becomes high and the generation of high voltage is prevented. It becomes necessary. Therefore, when scanning at high speed, the triangular wave voltage becomes dull, and if the voltage exceeds 10 ν, it becomes difficult to take measures against corona discharge. It is difficult to manufacture and expensive. Furthermore, the life of the power supply is short, and there are also problems in terms of power loss.

一方、イオン注入技術においてウェハのｔａ細化が進み
、パターン幅が狭くなるにつれてシャドーイングが問題
となってきた。このため、ウェハの全面にわたって一定
の方向からイオン注入を行う必要がある。すなわち、ウ
ェハが６インチ、８インチと大口径化し、４Ｍビット、
＋ＧＭビットと線幅が小さくなるにつれて平行イオンビ
ームでイオン注入を行うことが望まれるようになってき
た。On the other hand, in ion implantation technology, as wafers become thinner and pattern widths become narrower, shadowing becomes a problem. Therefore, it is necessary to perform ion implantation from a fixed direction over the entire surface of the wafer. In other words, the diameter of the wafer has increased to 6 inches, 8 inches, 4M bits,
As +GM bits and line widths become smaller, it has become desirable to perform ion implantation using a parallel ion beam.

しかし−組の静電偏向器を用いてイオンビームをラスタ
ー走査する方式のイオン注入装置では、偏向器とウェハ
との間の距離を１６０ｃｍに収っても例えば６インチウ
ェハでは最大閤向角は、θ１ｌａＸ　＝２．７°となる
。However, in an ion implantation system that raster scans the ion beam using a set of electrostatic deflectors, even if the distance between the deflector and the wafer is kept within 160 cm, the maximum deflection angle is small for a 6-inch wafer, for example. , θ1laX =2.7°.

例えば従来の静電型Ｘ−Ｙ走査方式ではイオンビームを
ｘ−ｙ方向にラスター走査する（　＋４ｉ向を繰り返す
）ため走査後のイオンビームは中心部を除き１ｑ向角（
走査角）をもっている、そのためこのイオンビームを平
らなウェハに注入する場合中心部は垂直注入になるが、
その曲の部位では角度をもった注入となる。この現象は
半導体ウェハｌ＼のイオン源・入においてはシャドーイ
ングを生じ、歩留まりの低下となる。またイオンビーム
の角度をもった注入においては注入されたウェハ面内で
注入角の大きくなるウェハの端部分における均一性が劣
り、チャンネリングが起こり易い。For example, in the conventional electrostatic X-Y scanning method, the ion beam is raster scanned in the x-y direction (+4i direction is repeated), so the ion beam after scanning has a direction angle of 1q (
Therefore, when implanting this ion beam into a flat wafer, the center will be vertically implanted, but
In that part of the song, the injection will be at an angle. This phenomenon causes shadowing at the ion source of the semiconductor wafer l\, resulting in a decrease in yield. Furthermore, in implantation with an ion beam at an angle, uniformity is poor at the end portion of the wafer where the implantation angle is large within the surface of the wafer where the ion beam is implanted, and channeling is likely to occur.

すなわち、従来技術の場合ウェハの中心から半径が大き
くなるにつれて１扁向角θは増加する。イオンの注入深
さは垂直成分で決まるのでウェハの外周にいく程浅く注
入されることになり、ウェハ面内の注入分布が−様でな
くなる。仮に径の大きなウェハへの注入において偏向角
θをあるレベル以内に抑えようとすると、ビーム輸送系
を長く取る必要があり、装置全体が大きくなり、設置面
積が増え、生産コストに響くことになる。That is, in the case of the prior art, as the radius from the center of the wafer becomes larger, the one orientation angle θ increases. Since the implantation depth of ions is determined by the vertical component, the implantation becomes shallower toward the outer periphery of the wafer, and the implantation distribution within the wafer surface becomes less uniform. If we were to try to suppress the deflection angle θ within a certain level when implanting large diameter wafers, the beam transport system would need to be long, which would increase the size of the entire device and increase the installation area, which would affect production costs. .

またウェハの微細化に仲ってトレンチのアスペクト比が
大きくなってきており、このようなＩ・レンチの底部に
イオン注入する場合、注入ずべきイオンビームが隔向角
θをもっていると底部全域に及ばない、これはウェハを
回転させながら注入することによっである程度緩和でき
るが、十分ではない、またｌ・レンチの側面への注入に
おいては、シャドーイングを防ぐためトレンチのアスペ
クト比に応じてウェハを傾けているが−様な注入分布を
得ることは困難であり、しかもトレンチの１ｌｌ１面に
対して斜めにイオンを注入すると、注入されずに跳ね返
ってくるイオンもあったり、あるいはイオン注入されな
い側面がでてくる恐れがある。Additionally, as wafers become smaller, the aspect ratio of trenches becomes larger, and when implanting ions into the bottom of such an I-wrench, if the ion beam to be implanted has an azimuthal angle θ, the entire bottom area will be covered. Although this can be alleviated to some extent by implanting while rotating the wafer, it is not sufficient.Also, when implanting into the sides of the l-trench, the wafer should be rotated according to the aspect ratio of the trench to prevent shadowing. However, it is difficult to obtain a similar implantation distribution, and if ions are implanted obliquely to one side of the trench, some ions may bounce back without being implanted, or some ions may bounce off the side where the ions are not implanted. There is a possibility that this may occur.

そこで、二組の静電偏向器を用い、第１の静電偏向器で
イオンビームをα°爛向させ、距ｆＪＬだけ、走らせた
後、第２の静電偏向器で一α゛］口向させて一定の方向
からウェハにイオンを打ち込む平行平板型の偏向器を利
用した平行走査方式がｌ；Ｃ来提案されてきたが、この
ような平行平板偏向器では端縁における電場の乱れのた
め有効頭載が侠く、幅を大きくとらなければならず、電
極が大きくなり、偏向歪みがかなり大きくなる。またｔ
く段の偏向器は、電気容量が大きくなり、そのため高速
走査の場合三角波電圧が鈍ってしまい走査電源の設計が
困難になる。Therefore, using two sets of electrostatic deflectors, the first electrostatic deflector deflects the ion beam by α°, and after the ion beam travels a distance fJL, the second electrostatic deflector deflects the ion beam by α°]. A parallel scanning method using a parallel plate deflector that implants ions into a wafer from a fixed direction has been proposed since then. Therefore, the effective head mounting is small and the width must be large, the electrodes are large, and the deflection distortion is considerably large. Also t
The second stage deflector has a large electric capacity, which makes the triangular wave voltage dull in high-speed scanning, making it difficult to design a scanning power supply.

このような観点から、先に、本発明者らは、−向走査系
の偏向機能と走査ｔｌｉ能とを分離ししかも走査機能を
有効領域が広く偏向歪の小さい電極で構成するようにし
たイオン注入装置を提案した。From this point of view, the present inventors have previously developed an ion system in which the deflection function and scanning tri-function of the -direction scanning system are separated, and the scanning function is composed of electrodes with a wide effective area and low deflection distortion. An injection device was proposed.

この先に提案したイオン注入装置は添付図面の第３図に
示すようにイオン源１と、イオン源１からのイオンから
所要の運動エネルギと質量とをもったイオンを取り出す
質量分離器２と、質量分離器２で取り出したイオンを加
速する加速管３と、加速管３を通って加速されてきたイ
オンを集束させる四重極レンズ４と、イオン源１から質
１分離器２、加速管３および四重極レンズ４を通ってき
たイオンビーム中の中性粒子を除去するための平行平板
電極から成る二極静電偏向器５と、適当なりＣ電源（図
示してない）に接続される。二極静電偏向器５で一定角
度１１向されたイオンビームの方向を中心軸線とし、イ
オンビームをＸ方向およびＹ方向に同時に走査する第１
多ｆｆｉ極静電濱向器６及び第１多重極Ｉｌ？電ＩｉＪ
向２＝６と相Ｗ形であるがそれより寸法の大きい第２多
重極静電鋼向器７がら成る平行走査用偏向器とから構成
され、８はイオン注入すべき試料である。As shown in FIG. 3 of the attached drawings, the ion implantation device proposed earlier includes an ion source 1, a mass separator 2 for extracting ions with required kinetic energy and mass from the ions from the ion source 1, and a mass An acceleration tube 3 that accelerates the ions extracted by the separator 2; a quadrupole lens 4 that focuses the ions accelerated through the acceleration tube 3; A bipolar electrostatic deflector 5 consisting of parallel plate electrodes for removing neutral particles in the ion beam passing through the quadrupole lens 4 is connected to a suitable C power source (not shown). The first beam scans the ion beam simultaneously in the X direction and the Y direction, with the direction of the ion beam directed at a fixed angle 11 by the bipolar electrostatic deflector 5 as the central axis.
Multi-ffi electrostatic Hamamuki device 6 and first multipole Il? Den IiJ
2=6 and a parallel scanning deflector consisting of a second multipole electrostatic steel deflector 7 which has a phase W shape but larger dimensions, and 8 is a sample to be ion-implanted.

四重極レンズ４で集束されてきたイオンビームは、中性
粒子を除去するため二極静電偏向器５で一定の角度（約
７°）だけ曲げられた後、第１多重極静電偏向器６によ
っである角度だけロコ向さＪし、第２多重極静電鋼向器
７に入る。第２多重何静電偏向器７に入ったイオンビー
ムは、第１多重極静電偏向器６における偏向方向とは逆
の方向に同じ角度だけ偏向され、第２多重極静電１４向
器７を出て中心軸線に平行なイオンビームとなって一定
の方向から試料（ターゲット）８に注入される。The ion beam that has been focused by the quadrupole lens 4 is bent by a certain angle (approximately 7°) by the dipole electrostatic deflector 5 to remove neutral particles, and then deflected by a first multipole electrostatic deflector. It is loco-directed by a certain angle by the device 6 and enters the second multipole electrostatic steel device 7. The ion beam entering the second multipole electrostatic deflector 7 is deflected by the same angle in the opposite direction to the deflection direction in the first multipole electrostatic deflector 6. The ion beam exits the ion beam, becomes an ion beam parallel to the central axis, and is injected into the sample (target) 8 from a fixed direction.

［発明が解決しようとする課題］ ところで、先に提案したイオン注入装置は、中性粒子除
去用偏向器にＤＣ電圧を印加し、走査用多重極偏向器に
走査用電圧を印加しているので、これら両電圧は独立し
て制御され得、比較的電圧を低く抑えることができ、ま
た二組の走査用多重極偏向器により光軸に対して平行な
イオンビームを得ることができ、イオンビームを平行走
査することができ、さらに走査用電圧の走査周波数を上
げることによ′り試料に注入されるイオンの均一性を向
上させることができるなど優れた特徴を備えている。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, in the ion implantation device proposed earlier, a DC voltage is applied to the neutral particle removal deflector, and a scanning voltage is applied to the scanning multipole deflector. , both of these voltages can be controlled independently, the voltage can be kept relatively low, and two sets of scanning multipole deflectors can be used to obtain an ion beam parallel to the optical axis. It has excellent features such as being able to perform parallel scanning, and by increasing the scanning frequency of the scanning voltage, the uniformity of ions injected into the sample can be improved.

しかし、このイオン注入装置においてもは各１４向器な
どを通過する際にイオンビーム、の一部がその構成部分
に衝突し、二次電子が発生される。この二次電子はイオ
ンビームの軌道中に入り込み、イオンビームと相互作用
を引き起こし、その結果イオンビームの軌道は設定され
た軌道からずれてしまい、イオン注入の均一性が損なわ
れるなどの問題がある。However, even in this ion implantation apparatus, a portion of the ion beam collides with its constituent parts when passing through each of the 14 beams, generating secondary electrons. These secondary electrons enter the trajectory of the ion beam and cause interaction with the ion beam, resulting in the trajectory of the ion beam being deviated from the set trajectory, causing problems such as impairing the uniformity of ion implantation. .

本発明は、先に提案したイオン注入装置におけるこのよ
うな問題点を解決するもので、二次電子によるイオンビ
ーム軌道への影響を抑制できるようにしたイオン注入装
置を提供することを目的としている。The present invention solves these problems in the previously proposed ion implantation device, and aims to provide an ion implantation device that can suppress the influence of secondary electrons on the ion beam trajectory. .

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、イオン源で生成したイオ
ンを質量分析系に入れ、所要の運動エネルギと質量とを
もったイオンを収り出し、これを加速管で加速した後、
中性粒子除去用は内器と平行走査用多重極偏向器とをＩ
に１えた４向走査系を介して試料に注入するようにした
本発明によるイオン注入装置は、中性粒子除去用偏向器
と平行走査用多重極偏向器の各Ｉ１１向２：）の間に二
次電子抑制用のプレート部材を設けたことを特徴ととし
ている。[Means for solving the problem] In order to achieve the above objective, ions generated in an ion source are introduced into a mass spectrometry system, ions with the required kinetic energy and mass are collected, and ions are accelerated. After accelerating in the tube,
For neutral particle removal, an internal device and a parallel scanning multipole deflector are used.
The ion implantation apparatus according to the present invention, which injects into a sample through a four-way scanning system with two parallel scanning beams, has an ion implantation system with an ion implanter that injects into a sample through a four-way scanning system with a neutral particle removal deflector and a parallel scanning multipole deflector. It is characterized by the provision of a plate member for suppressing secondary electrons.

二次電子抑制用のプレート部材は、平行走査用多重極偏
向器の第１多重極偏向器と第２多重瘉偏向器及び中性粒
子除去用偏向器のそれぞれの前後に配置され得る。The plate members for suppressing secondary electrons may be arranged before and behind each of the first multipole deflector, the second multipole deflector, and the neutral particle removal deflector of the parallel scanning multipole deflector.

［作　　　用］ 本発明によるイオン注入装置においては、二次電子抑制
用のプレー１一部材は、電圧を印加することにより形成
される電界によって偏向器などとイオンビームとの衝突
で発生する二次電子がイオンビームの軌道や各偏向器に
入り込むのを１τＪｉ　ＩＬするように作用する。[Function] In the ion implantation apparatus according to the present invention, the plate 1 member for suppressing secondary electrons suppresses the secondary electrons generated by the collision of the ion beam with the deflector etc. by the electric field formed by applying a voltage. It acts to prevent electrons from entering the trajectory of the ion beam and each deflector by 1τJi IL.

［実　　施　　例］ 以下添付図面を参照して本発明の実施例について説明す
る。[Examples] Examples of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

第１図には本発明によるイオン注入装置の一実施例を示
し、１はイオン源、２はイオン源１がらのイオンから所
要の運動エネルギと質量とをもったイオンを取り出す質
量分離器、３は質量分離器２で取り出したイオンを加速
する加速管、４は加速管３を通って加速されてきたイオ
ンを集束させる四重径レンズずなわち集束レンズ、５は
イオン源Ｉから質量分離器２、加速管３および集束レン
ズ４を通ってきたイオンビーム中の中性粒子を除去する
ための平行平板電極から成る二極静電偏向器で、適当な
りＣ電源（図示してない）に接続される。６．７は二極
静電偏向器５で一定角度渓向されたイオンビームの方向
を中心軸線とし、イオンビームをＸ方向およびＹ方向に
同時に走査する平行走査用の第１多重極静電調向器及び
第２多ｍ極静電偏向器であり、第１多重極静７１１ｔ１
誓向器６及び第２多１ｉ極ｌＩＰ電偏向器７には図示し
てない走査電源によって三角波電圧と鋸歯状波フ［圧が
印加され得る。なお８はイオン注入すべき試料である。FIG. 1 shows an embodiment of an ion implantation apparatus according to the present invention, in which 1 is an ion source, 2 is a mass separator for extracting ions with required kinetic energy and mass from the ions from the ion source 1, and 3 is a mass separator for extracting ions with required kinetic energy and mass. is an acceleration tube that accelerates the ions taken out by the mass separator 2, 4 is a quadruple diameter lens or focusing lens that focuses the ions accelerated through the acceleration tube 3, and 5 is a mass separator from the ion source I. 2. A bipolar electrostatic deflector consisting of parallel plate electrodes for removing neutral particles in the ion beam that has passed through the accelerating tube 3 and focusing lens 4, connected to an appropriate C power source (not shown). be done. 6.7 is a first multipole electrostatic control for parallel scanning that simultaneously scans the ion beam in the X direction and Y direction, with the direction of the ion beam directed at a certain angle by the bipolar electrostatic deflector 5 as the central axis. a first multi-pole electrostatic deflector 711t1; and a second multi-pole electrostatic deflector;
A triangular wave voltage and a sawtooth wave voltage can be applied to the deflector 6 and the second multi-pole IIP electric deflector 7 by a scanning power source (not shown). Note that 8 is a sample to be ion-implanted.

四重径レンズ４と中性粒子除去用の二極静電偏向器５と
の問、二極静電偏向器５と第１多重極静電偏向器６との
間、第１多重極靜電偏向器６と第２多重極静電偏向器７
との間、及び第２多重極静を偏向器７と試ｆ−１８との
間にはそれぞれ二次電子抑制用のプレート部材９が挿置
されている。各グレート部材９は第２図に示すようにイ
オンビームの通る中央開口１０を備えた枠状体から成り
、負の電圧源１１に接続されている。Between the quadruple diameter lens 4 and the dipole electrostatic deflector 5 for removing neutral particles, between the dipole electrostatic deflector 5 and the first multipole electrostatic deflector 6, the first multipole electrostatic deflector device 6 and second multipole electrostatic deflector 7
A plate member 9 for suppressing secondary electrons is inserted between the second multipolar static deflector 7 and the sample f-18. As shown in FIG. 2, each grate member 9 consists of a frame-shaped body having a central opening 10 through which the ion beam passes, and is connected to a negative voltage source 11.

次にこのように構成した図示装置の動１ヤについて説明
する。Next, the operation of the illustrated apparatus constructed as described above will be explained.

イオン源ｌで発生され、質量分離器２で同一電荷の単一
原子または分子イオンにされ、加速管３で加速され、四
重径レンズ４で集束されてきたイオンビームは二極静電
偏向器５に入る。この時にイオンビームの一部が二極静
電１鑓向器５の構成部材に衝突し、そこから二次電子が
発生される。この二次電子は四重径レンズ４の正電圧の
印加された電極によって形成された電界の作用で電極方
向または正の電荷をもったイオンビームの方向に力を受
は移動する。しかし四重径レンズ４と中性粒子除去用の
二極静電偏向器５との間に設けられ、負の電圧、例えば
−２ｋｖの印加さｊしたプレート部材９によってその周
辺に形成される電界の作用で、二次電子は四重径レンズ
４及びイオンビームに進入するのを阻止される。その池
のプレー１１．πτ部材についても同じｆｔ用が得られ
、こうしてイオンビームが試料８に注入されるまでの間
、二次電子の影響を有効に抑制することができる。The ion beam generated by the ion source 1, converted into single atomic or molecular ions of the same charge by the mass separator 2, accelerated by the acceleration tube 3, and focused by the quadruple diameter lens 4 is sent to the dipole electrostatic deflector. Enter 5. At this time, a part of the ion beam collides with the constituent members of the bipolar electrostatic one-direction device 5, and secondary electrons are generated therefrom. The secondary electrons are moved in the direction of the electrodes or in the direction of the positively charged ion beam by the action of the electric field formed by the electrodes of the quadruple diameter lens 4 to which a positive voltage is applied. However, the electric field formed around the plate member 9 provided between the quadruple diameter lens 4 and the bipolar electrostatic deflector 5 for removing neutral particles and to which a negative voltage, for example, -2 kV, is applied. By this action, secondary electrons are prevented from entering the quadruple diameter lens 4 and the ion beam. That pond play 11. The same ft value is obtained for the πτ member, and thus the influence of secondary electrons can be effectively suppressed until the ion beam is implanted into the sample 8.

ところで、図示実施例では各プレート部材９には負の電
圧を印加しているが、ゼロ電位（接地）にしてもよい。Incidentally, in the illustrated embodiment, a negative voltage is applied to each plate member 9, but it may be set to zero potential (ground).

また、各プレート部材９には負の電圧を印加する代わり
に磁石を取り付けることによっても同様な作用が期待で
きる。さらに必要ならば負の電圧と磁石とを併用するこ
ともできる。Furthermore, a similar effect can be expected by attaching a magnet to each plate member 9 instead of applying a negative voltage. Furthermore, if necessary, a negative voltage and a magnet can be used together.

［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明のイオン注入装置によ
れば、各偏向器の周辺に二次電子抑制用のプレー１一部
材を設けているので、イオンビームが各偏向器の構成部
材に衝突することで発生ずる二次電子がイオンビームの
軌道に影響を及ぼすのを防ぐことができ、その結果、イ
オンビームの軌道は設定された軌道からずれることがな
く、イオンの均一な注入を保障することができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the ion implantation apparatus of the present invention, the plate 1 member for suppressing secondary electrons is provided around each deflector, so that the ion beam is directed to each deflector. It is possible to prevent the secondary electrons generated by colliding with the component parts of the ion beam from affecting the trajectory of the ion beam. can ensure proper injection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の実施例を示す顆路線図、第２図は第１
図の装置の■−■線に沿った概略拡大断面図、第３図は
先に提案したイオン注入装置を示す顆路線図である。 図　中　１＝イオン源、２：質量分離器、３：加速管、
４：四重径レンズ、５：二４Ｉｉ静電偏向器、６：第１
多重極静電濯向器、７：第２多重拓静電偏向器、８：イ
オン注入すべき試料、９：二次電子抑制用のプレート部
材。 第１図 第２図 第３図Fig. 1 is a condylar route diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a condylar route diagram showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic enlarged sectional view taken along the line ■-■ of the device shown in the figure, and FIG. 3 is a condylar route diagram showing the previously proposed ion implantation device. In the figure 1 = ion source, 2: mass separator, 3: acceleration tube,
4: Quadruple diameter lens, 5: Two 4Ii electrostatic deflectors, 6: First
Multipole electrostatic deflector, 7: second multipole electrostatic deflector, 8: sample to be ion-implanted, 9: plate member for suppressing secondary electrons. Figure 1 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、イオン源で生成したイオンを質量分析系に入れ、所
要の運動エネルギと質量とをもつたイオンを取り出し、
これを加速管で加速した後、中性粒子除去用偏向器と平
行走査用多重極偏向器とを備えた偏向走査系を介して試
料に注入するようにしたイオン注入装置において、上記
中性粒子除去用偏向器と平行走査用多重極偏向器の各偏
向器の間に二次電子抑制用のプレート部材を設けたこと
を特徴とするイオン注入装置。 ２、偏向走査系における平行走査用多重極偏向器が第１
多重極偏向器と、上記第１多重極偏向器と相似形の構造
をもち、上記第１多重極偏向器で偏向されたイオンビー
ムの方向を試料面に対して一定方向にする第２多重極偏
向器とから成り、中性粒子除去用偏向器と上記第１、第
２多重極偏向器とのそれぞれの間に二次電子抑制用のプ
レート部材を設けた請求項１に記載のイオン注入装置。[Claims] 1. Put the ions generated in the ion source into a mass spectrometry system, extract the ions with the required kinetic energy and mass,
In an ion implantation apparatus that accelerates the neutral particles in an acceleration tube and then injects them into the sample via a deflection scanning system equipped with a neutral particle removal deflector and a parallel scanning multipole deflector, the neutral particles are An ion implantation apparatus characterized in that a plate member for suppressing secondary electrons is provided between each deflector of the removal deflector and the parallel scanning multipole deflector. 2. The parallel scanning multipole deflector in the deflection scanning system is the first
a multipole deflector; and a second multipole having a structure similar to the first multipole deflector, and making the direction of the ion beam deflected by the first multipole deflector constant with respect to the sample surface. 2. The ion implantation apparatus according to claim 1, further comprising a deflector, and a plate member for suppressing secondary electrons is provided between each of the neutral particle removal deflector and the first and second multipole deflectors. .