JPH02259622A - 液晶セル用基体パネルの被覆方法 - Google Patents
液晶セル用基体パネルの被覆方法Info
- Publication number
- JPH02259622A JPH02259622A JP1288947A JP28894789A JPH02259622A JP H02259622 A JPH02259622 A JP H02259622A JP 1288947 A JP1288947 A JP 1288947A JP 28894789 A JP28894789 A JP 28894789A JP H02259622 A JPH02259622 A JP H02259622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask layer
- polyamide
- mask
- functional layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 title claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 25
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 9
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract description 20
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract description 20
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 abstract description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- HXHCOXPZCUFAJI-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;styrene Chemical compound OC(=O)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 HXHCOXPZCUFAJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/32—Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
- B05D1/322—Removable films used as masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
- B05D3/0254—After-treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、基体パネル上に配置されている導体を有す
る液晶セルの基体パネル上に縁部層の形態で熱の影響下
にキュアが行われる機能層材料を形成する方法に関する
ものである。
る液晶セルの基体パネル上に縁部層の形態で熱の影響下
にキュアが行われる機能層材料を形成する方法に関する
ものである。
［従来の技術］
導体層が表面に配置される液晶セルの基体パネルは、導
体層に加えて機能層のような少なくとも一つの整列層を
設けられ、さらにしばしばそれらの層に加えて絶縁層も
設けられる。各機能層は液体の層が形成され、乾燥され
、キュアされることによって形成される。絶縁層は習慣
的にこの目的のために与えられた物質の被覆、例えばメ
ルク社のりキコート・シップ（Ｌｌｑｕｉｃｏａｔ−３
ＩＰ ）の被覆が施され、乾燥され、約３７０’ Ｃの
温度での焼成によって５ｉｎ２に変化される。５ｉ０２
の絶縁層はあらゆる方向で導体を被覆する。しかしなが
ら導体の接触部が縁部区域に設けられなければならない
のでこれは好ましいことではない。結果的に縁部区域の
ＳｉＯ２の絶縁層を除去する必要があり、フッ酸により
エツチングして除去している。
体層に加えて機能層のような少なくとも一つの整列層を
設けられ、さらにしばしばそれらの層に加えて絶縁層も
設けられる。各機能層は液体の層が形成され、乾燥され
、キュアされることによって形成される。絶縁層は習慣
的にこの目的のために与えられた物質の被覆、例えばメ
ルク社のりキコート・シップ（Ｌｌｑｕｉｃｏａｔ−３
ＩＰ ）の被覆が施され、乾燥され、約３７０’ Ｃの
温度での焼成によって５ｉｎ２に変化される。５ｉ０２
の絶縁層はあらゆる方向で導体を被覆する。しかしなが
ら導体の接触部が縁部区域に設けられなければならない
のでこれは好ましいことではない。結果的に縁部区域の
ＳｉＯ２の絶縁層を除去する必要があり、フッ酸により
エツチングして除去している。
整列層は対応して設けられる。しばしば例えばメルク社
のりキコート・エミドキットにより処理されたタイプの
ポリアミド溶液が被覆のための液体として使用される。
のりキコート・エミドキットにより処理されたタイプの
ポリアミド溶液が被覆のための液体として使用される。
被着に続いて液体は乾燥される。乾燥後ポリアミド層は
縁部区域を除いて光に露出される。これは最初の状態で
はポリアミドが溶解したシクロペンタノン等の溶媒に対
して不溶性にする。乾燥されたが露光されない縁部区域
のポリアミドは溶媒によって洗い流される。層をキュア
させる３００” Ｃで焼成が行われる。縁部区域のポリ
アミド層を除去することが必要であり、それは二つの基
体パネルをその縁部区域で接着する場合に通常の接着剤
の接着力が弱くなるからである。
縁部区域を除いて光に露出される。これは最初の状態で
はポリアミドが溶解したシクロペンタノン等の溶媒に対
して不溶性にする。乾燥されたが露光されない縁部区域
のポリアミドは溶媒によって洗い流される。層をキュア
させる３００” Ｃで焼成が行われる。縁部区域のポリ
アミド層を除去することが必要であり、それは二つの基
体パネルをその縁部区域で接着する場合に通常の接着剤
の接着力が弱くなるからである。
［発明の解決すべき課題］
フッ酸で絶縁層の一部をエツチングして除去し、或いは
整列層の一部を露光して洗い流す必要をなくすために、
種々のマスク法が使用され、それによれば接着性テープ
で縁部区域をマスクし、続いて機能層材料を被覆する。
整列層の一部を露光して洗い流す必要をなくすために、
種々のマスク法が使用され、それによれば接着性テープ
で縁部区域をマスクし、続いて機能層材料を被覆する。
被覆を形成するために供給された液体が乾燥された後、
接着性テープは除去される。しかしながら、この方法は
しばしば接着性テープの接着剤による不純物が残される
欠点がある。
接着性テープは除去される。しかしながら、この方法は
しばしば接着性テープの接着剤による不純物が残される
欠点がある。
この発明の目的は、簡単に実行することができ、縁部区
域に汚染を生じることのない前記の形式の方法を提供す
ることである。
域に汚染を生じることのない前記の形式の方法を提供す
ることである。
［課題解決のための手段］
この発明の方法は、導体が基体パネル上に配置されてい
る液晶セルの基体パネル上の縁部層の形態で熱によりキ
ュアされる機能層材料を形成する方法において、熱によ
って蒸発されるマスク層材料の層が所望の縁部区域に形
成され、基体パネルが前記機能層によって被覆され、こ
の層を有する基体パネルは前記マスク層材料が蒸発され
、前記機能層材料がキュアされるのに充分なように加熱
されことを特徴とする。
る液晶セルの基体パネル上の縁部層の形態で熱によりキ
ュアされる機能層材料を形成する方法において、熱によ
って蒸発されるマスク層材料の層が所望の縁部区域に形
成され、基体パネルが前記機能層によって被覆され、こ
の層を有する基体パネルは前記マスク層材料が蒸発され
、前記機能層材料がキュアされるのに充分なように加熱
されことを特徴とする。
この発明の有利な実施態様は特許請求の範囲第２項以下
に記載されている。それらの実施態様に示された特徴は
互に排除されることなく自由に組合わせることができる
。
に記載されている。それらの実施態様に示された特徴は
互に排除されることなく自由に組合わせることができる
。
［発明の効果］
この発明の方法はマスク方法であるが、接着テープの除
去の利用によって動作するのではなく、加熱により蒸発
するマスク層によって動作するものである。結果的にマ
スク層の除去によってもはや汚染が残されるおそれはな
い。この蒸発するマスク層が加熱されるまでキュアしな
い機能層材料の適用において使用されることは大きな利
点である。これは焼成処理が常に機能層材料を処理する
ために必要であることを意味する。この処理過程中にお
いてマスク層は同時に蒸発して、そのため機能層の縁部
区域を露出させるための別の工程の必要をなくしている
。マスク層上に残された機能層材料の粒は次の処理工程
の前に通常行われる？ｅｔ浄化処理において吹き飛ばさ
れ、あるいは洗い流される。
去の利用によって動作するのではなく、加熱により蒸発
するマスク層によって動作するものである。結果的にマ
スク層の除去によってもはや汚染が残されるおそれはな
い。この蒸発するマスク層が加熱されるまでキュアしな
い機能層材料の適用において使用されることは大きな利
点である。これは焼成処理が常に機能層材料を処理する
ために必要であることを意味する。この処理過程中にお
いてマスク層は同時に蒸発して、そのため機能層の縁部
区域を露出させるための別の工程の必要をなくしている
。マスク層上に残された機能層材料の粒は次の処理工程
の前に通常行われる？ｅｔ浄化処理において吹き飛ばさ
れ、あるいは洗い流される。
もしも非常に鋭く限定された縁部区域が得られるならば
、浸漬によってマスク層を設けることが効果的である。
、浸漬によってマスク層を設けることが効果的である。
反対に絶縁層や整列層の場合のように正確な境界がそれ
程重要でなければ、マスク層はブラシ法で形成されると
よい。それはこの方法は材料の消費の面で特に経済的で
あるからである。
程重要でなければ、マスク層はブラシ法で形成されると
よい。それはこの方法は材料の消費の面で特に経済的で
あるからである。
［実施例］
この発明のさらに詳細な利点は添付図面を参照とする以
下の実施例の説明により明白になるであろう。
下の実施例の説明により明白になるであろう。
以下第１図乃至第３図を参照にして説明する。
まず第１図に示すように、例えば溶液中への浸漬によっ
て構成導体層１１を有する基体パネルｌｏ上にマスク層
１２が形成される。マスク層１２は基体パネル１０の縁
部に沿って形成されている。溶液はブタノン中の５重量
％のポリメチルメタクリレートまたは５％のポリ（αメ
チル）スチレンを含む。約２５０℃の温度に加熱された
ときポリマーは対応するモノマーに分解する。もしも加
熱処理が真空または不活性ガス中で行われるならば、例
えばポリエチレンが使用されて、トリクロロエタンに分
解する。
て構成導体層１１を有する基体パネルｌｏ上にマスク層
１２が形成される。マスク層１２は基体パネル１０の縁
部に沿って形成されている。溶液はブタノン中の５重量
％のポリメチルメタクリレートまたは５％のポリ（αメ
チル）スチレンを含む。約２５０℃の温度に加熱された
ときポリマーは対応するモノマーに分解する。もしも加
熱処理が真空または不活性ガス中で行われるならば、例
えばポリエチレンが使用されて、トリクロロエタンに分
解する。
マスク層は第２図に示された工程が行われることができ
るように室温でブタノンを蒸発させることによって充分
に乾燥される。すなわち通常の方法、例えばシクロペン
タノン中の２重量％のポリアミドの溶液によるスピン被
覆法を使用することによりポリアミド層が形成される。
るように室温でブタノンを蒸発させることによって充分
に乾燥される。すなわち通常の方法、例えばシクロペン
タノン中の２重量％のポリアミドの溶液によるスピン被
覆法を使用することによりポリアミド層が形成される。
ポリアミド膜を感光性にする物質の通常の添加は必要な
い。それは縁部区域はもはや露光法により生成されるの
ではなくマスク層１２によって生成されるからである。
い。それは縁部区域はもはや露光法により生成されるの
ではなくマスク層１２によって生成されるからである。
ポリアミド層１３とマスク層１２を設けられた基体１０
はテンパー炉中に配置され、そこで約３００℃の温度に
加熱される。この処理中にポリアミド層１３はまず乾燥
され、それによって交差結合度が増加し、それをキュア
することにより最大限の交差結合度が得られる。マスク
層材料は約２５０℃で蒸発する。マスク層１２がポリア
ミド層１３によって覆われていた縁部区域にはポリアミ
ドの粒が残される。
はテンパー炉中に配置され、そこで約３００℃の温度に
加熱される。この処理中にポリアミド層１３はまず乾燥
され、それによって交差結合度が増加し、それをキュア
することにより最大限の交差結合度が得られる。マスク
層材料は約２５０℃で蒸発する。マスク層１２がポリア
ミド層１３によって覆われていた縁部区域にはポリアミ
ドの粒が残される。
それらのポリアミドの粒はそれから吹き飛ばされ、また
は洗い流される。
は洗い流される。
溶媒の代わりに加熱した溶融体、例えば溶融した通常の
アクリルまたはアクリレートスチレンベースの熱溶融接
着剤もマスク材料として使用可能である。
アクリルまたはアクリレートスチレンベースの熱溶融接
着剤もマスク材料として使用可能である。
ポリマー層は湿っているとき比較的よく基体に接着する
ので、機能層が乾燥するまで蒸発しないマスク層の材料
として選択すると都合がよい。機能層が乾燥する前にマ
スク層が蒸発してしまうと、機能層は縁部区域の基体に
付着して好ましくない影響を生じる。
ので、機能層が乾燥するまで蒸発しないマスク層の材料
として選択すると都合がよい。機能層が乾燥する前にマ
スク層が蒸発してしまうと、機能層は縁部区域の基体に
付着して好ましくない影響を生じる。
上記の実施例はポリアミドの整列層の適用に関するもの
であるが、方法のシーケンスは適用される機能層、この
場合には整列層１３に対して使用される材料に左右され
ない。また例えば絶縁層または制御素子例えば薄膜トラ
ンジスタ用の層に適用することも可能である。
であるが、方法のシーケンスは適用される機能層、この
場合には整列層１３に対して使用される材料に左右され
ない。また例えば絶縁層または制御素子例えば薄膜トラ
ンジスタ用の層に適用することも可能である。
設けられるべき層の境界は基体パネルの縁部に沿って配
置される必要はない。その代わりに機能層の境界部を基
体パネルの表面に配置することもできる。
置される必要はない。その代わりに機能層の境界部を基
体パネルの表面に配置することもできる。
鋭く限定された境界が所望され、もしもこの境界が基体
パネルの縁部に沿って配置されるならば、マスク層１２
は前記のように浸漬によって設けられると有利である。
パネルの縁部に沿って配置されるならば、マスク層１２
は前記のように浸漬によって設けられると有利である。
もしもそれ程鋭く限定された境界が所望されるのでなけ
れば、例えば約１１程度の誤差が許容されるならば、ブ
ラシによる方法を使用すると便利である。それはこの方
法は作業が迅速で材料の使用量が特に少なくてすむから
である。ブラシ法は基体の全表面で行うことができる。
れば、例えば約１１程度の誤差が許容されるならば、ブ
ラシによる方法を使用すると便利である。それはこの方
法は作業が迅速で材料の使用量が特に少なくてすむから
である。ブラシ法は基体の全表面で行うことができる。
同様にテンプレートを介してスプレー法によって行うこ
ともできる。スプレー法によればブラシ法よりも正確な
境界を得ることができるが、テンプレートを頻繁に清掃
する必要があり、処理のために工程を追加する必要があ
る。もしも加熱溶融接着剤がマスク層として使用される
ならば、鋭く限定された境界を生じるために印刷法で行
うこともできる。
ともできる。スプレー法によればブラシ法よりも正確な
境界を得ることができるが、テンプレートを頻繁に清掃
する必要があり、処理のために工程を追加する必要があ
る。もしも加熱溶融接着剤がマスク層として使用される
ならば、鋭く限定された境界を生じるために印刷法で行
うこともできる。
第１図は、導電層とマスク層を有する基体パネルの一部
の断面図である。 第２図は、付加的に設けられた機能層を有する第１図の
基体パネルの断面図である。 第３図は、第２図のマスク層が除去されて機能層が完成
された状態を示す。 ｌＯ・・・基体、１１・・・導体層、１２・・・マスク
層、１３・・・機能層。
の断面図である。 第２図は、付加的に設けられた機能層を有する第１図の
基体パネルの断面図である。 第３図は、第２図のマスク層が除去されて機能層が完成
された状態を示す。 ｌＯ・・・基体、１１・・・導体層、１２・・・マスク
層、１３・・・機能層。
Claims (6)
- （１）導体が基体パネル上に配置されている液晶セルの
基体パネル上に縁部層の形態で加熱によってキュアされ
る機能層材料を形成する方法において、 熱によって蒸発されるマスク層材料の層が所望の縁部区
域に形成され、基体パネルが供給される前記機能層によ
って被覆され、この層を有する基体パネルは、前記マス
ク層材料が蒸発され、前記機能層材料がキュアされるの
に充分なように加熱されることを特徴とする機能層材料
を形成する方法。 - （２）マスク層材料が前記機能層の乾燥処理中まだ蒸発
しないように選択されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の方法。 - （３）前記マスク層材料がポリメタクリレートまたはポ
リ（αメチル）スチレンの溶液であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （４）前記マスク層が浸漬法によつて形成されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （５）前記マスク層がブラシ法によつて形成されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （６）前記縁部区域は前記機能層材料がキュアされた後
に吹き飛ばされ、または洗い流されて清浄にされること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3837826.4 | 1988-11-08 | ||
| DE3837826A DE3837826A1 (de) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Verfahren zum beschichten einer substratplatte fuer eine fluessigkristallzelle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02259622A true JPH02259622A (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=6366699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1288947A Pending JPH02259622A (ja) | 1988-11-08 | 1989-11-08 | 液晶セル用基体パネルの被覆方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0368200B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02259622A (ja) |
| DE (2) | DE3837826A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4203913C2 (de) * | 1992-02-11 | 1996-09-19 | Fairchild Convac Gmbh Geraete | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen und/oder zum partiellen Entfernen einer dünnen Schicht auf ein bzw. von einem Substrat |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116736A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3785937A (en) * | 1971-04-28 | 1974-01-15 | W Mcmahon | Thin film metallization process for microcircuits |
| DE2352138A1 (de) * | 1973-10-17 | 1975-04-30 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung |
| JPS51114145A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-07 | Sharp Corp | A method of forming twist-nematic liquid crystal indicating element of field effect type |
| JPS5227654A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Electrooptical cell |
| US4354740A (en) * | 1980-05-23 | 1982-10-19 | General Electric Company | Surface alignment process for liquid crystal displays |
-
1988
- 1988-11-08 DE DE3837826A patent/DE3837826A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-11-06 EP EP89120493A patent/EP0368200B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-06 DE DE8989120493T patent/DE58903663D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-08 JP JP1288947A patent/JPH02259622A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116736A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0368200B1 (de) | 1993-03-03 |
| EP0368200A1 (de) | 1990-05-16 |
| DE58903663D1 (de) | 1993-04-08 |
| DE3837826A1 (de) | 1990-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5116704A (en) | Barrier rib forming method of PDP | |
| JPH05205640A (ja) | 外囲器の支柱形成方法 | |
| JPH06151295A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH02259622A (ja) | 液晶セル用基体パネルの被覆方法 | |
| CN108628498A (zh) | 触控面板、触控显示屏幕及触控显示设备 | |
| US4262080A (en) | Method for applying photographic resist to otherwise incompatible substrates | |
| JPS6167224A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62193248A (ja) | レジスト塗布・ベ−ク装置 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPS5823735B2 (ja) | 薄膜コンデンサ−ないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法 | |
| US7368228B2 (en) | Multilayer MEMS device and method of making same | |
| JPS61131529A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS62286579A (ja) | 基板へのレジスト塗布方法 | |
| JPH04104158A (ja) | フォトレジスト膜形成方法 | |
| JPS6152567B2 (ja) | ||
| JPH04184915A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| KR20020051289A (ko) | 플라스틱 박막상의 인듐주석산화막 패터닝 방법과 그를위한 회전 도포기 | |
| JPS6360526B2 (ja) | ||
| JPS6154256A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS62199781A (ja) | レジスト膜の塗布方法 | |
| JP2002214463A (ja) | 光導波路素子製造方法 | |
| JPH02138468A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH02137229A (ja) | 金属配線形成方法 | |
| JPS6171869A (ja) | 塗装板の製造方法 | |
| JPS61208050A (ja) | 導電性フイルムのパタ−ン形成法 |