JPH02258974A - スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 - Google Patents
スパッタリング装置のターゲット及び陰極部Info
- Publication number
- JPH02258974A JPH02258974A JP8069789A JP8069789A JPH02258974A JP H02258974 A JPH02258974 A JP H02258974A JP 8069789 A JP8069789 A JP 8069789A JP 8069789 A JP8069789 A JP 8069789A JP H02258974 A JPH02258974 A JP H02258974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- target material
- backing plate
- sputtering
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板に薄膜を形成する際に使用されるスパッ
タリング装置のターゲット及び陰極部に関するものであ
る。
タリング装置のターゲット及び陰極部に関するものであ
る。
基板上に薄膜を形成するための装置としてスパッタリン
グ装置が広く利用されてい息。この装置は、真空中にス
パッタガスを導入し、電極間に電圧を印加してグロー放
電を発生させ、プラズマ中の正イオンを陰極上のターゲ
ット材表面に衝突させ、ターゲット原子をはじき飛ばし
て基板上に成膜を行う装置である。
グ装置が広く利用されてい息。この装置は、真空中にス
パッタガスを導入し、電極間に電圧を印加してグロー放
電を発生させ、プラズマ中の正イオンを陰極上のターゲ
ット材表面に衝突させ、ターゲット原子をはじき飛ばし
て基板上に成膜を行う装置である。
スパッタリング装置を用いて上述したように成膜を行う
場合、プラズマ中のスパッタガスの正イオンがターゲッ
ト材に衝突するので、ターゲット材はその温度が上昇す
る。そして温度上昇に伴って、ターゲット材の組成変化
、ターゲット材の割れまたは融解が生じることがある。
場合、プラズマ中のスパッタガスの正イオンがターゲッ
ト材に衝突するので、ターゲット材はその温度が上昇す
る。そして温度上昇に伴って、ターゲット材の組成変化
、ターゲット材の割れまたは融解が生じることがある。
従って、ターゲット材の温度上昇を抑制するために、陰
極部に水冷機構を備え、スパッタリング中にターゲット
材を冷却することが一般的である。
極部に水冷機構を備え、スパッタリング中にターゲット
材を冷却することが一般的である。
第3図はこのような水冷機構を備えたスパッタリング装
置の従来の陰極部の構成を示す断面図であり、図中21
はアースシールドである。アースシ−ルビ21内には、
絶縁材29を介してステンレス鋼製のターゲット支持台
28が設けられており、ターゲット支持台28上には0
リング27を介して銅製のバッキングプレート26が取
付けられている。バフキングプレート26上にはターゲ
ット材23が載置されており、ターゲット材23とバフ
キングプレート26とは、In系合金等のボンディング
材24にて接着されている。また、ターゲット支持台2
8の底面には、冷却水導入口30a及び冷却水排出口3
0bが開設されている。
置の従来の陰極部の構成を示す断面図であり、図中21
はアースシールドである。アースシ−ルビ21内には、
絶縁材29を介してステンレス鋼製のターゲット支持台
28が設けられており、ターゲット支持台28上には0
リング27を介して銅製のバッキングプレート26が取
付けられている。バフキングプレート26上にはターゲ
ット材23が載置されており、ターゲット材23とバフ
キングプレート26とは、In系合金等のボンディング
材24にて接着されている。また、ターゲット支持台2
8の底面には、冷却水導入口30a及び冷却水排出口3
0bが開設されている。
このような構成の陰極部内に冷却水を流し、バッキング
プレート26を介してターゲット材23を水冷して、そ
の温度上昇を抑制するようにしている。
プレート26を介してターゲット材23を水冷して、そ
の温度上昇を抑制するようにしている。
また第4図は同様の水冷機構を備えた従来の別の陰極部
の構成を示す断面図であり、図中第3図と同番号を付し
た部分は同一または相当部分を示す。この例では、バフ
キングプレート26に接着させることなく、ターゲット
材23をバフキングプレート26上に単に載置している
だけである。また、第4図において、ターゲット材23
をバッキングプレート26上に載置し、ターゲット材2
3の周縁部を治具にて固定させるような構造をなした陰
極部もある。このような例におけるターゲット材23の
冷却機構は、前述の第3図に示す例と同じである。
の構成を示す断面図であり、図中第3図と同番号を付し
た部分は同一または相当部分を示す。この例では、バフ
キングプレート26に接着させることなく、ターゲット
材23をバフキングプレート26上に単に載置している
だけである。また、第4図において、ターゲット材23
をバッキングプレート26上に載置し、ターゲット材2
3の周縁部を治具にて固定させるような構造をなした陰
極部もある。このような例におけるターゲット材23の
冷却機構は、前述の第3図に示す例と同じである。
第3図に示す陰極部の構造にあっては、ターゲット材2
3がバッキングプレート26と一体化されているので、
同一のスパッタリング装置においてターゲット材23を
取換えたい場合には、バフキングプレート26も合せて
交換しなければならず、その作業に長時間を要すという
問題点がある。またこの交換時に冷却水の循環路が露出
されるので、水分子がスパッタリング装置の真空槽壁に
吸着されるという問題点もある。
3がバッキングプレート26と一体化されているので、
同一のスパッタリング装置においてターゲット材23を
取換えたい場合には、バフキングプレート26も合せて
交換しなければならず、その作業に長時間を要すという
問題点がある。またこの交換時に冷却水の循環路が露出
されるので、水分子がスパッタリング装置の真空槽壁に
吸着されるという問題点もある。
一方、単にターゲット材23をバッキングプレート26
に載置する構造(第4図参照)、またはターゲット材2
3をバッキングプレート26に載置してターゲット材2
30周縁部をねし止めする構造にあっては、ターゲット
材23とバフキングプレート26との密着性が弱くて、
ターゲット材23.バッキングプレート26間の熱交換
が十分に行えないので、ターゲット材23が低い熱伝導
性を有する非金属である場合には冷却効果が十分に得ら
れない場合があり、高スパフタ電力での放電中に、ター
ゲット材23の割れまたは融解が発生するという問題点
がある。なお、このようなターゲット材23の割れは、
ターゲット材23とバンキングプレート26との間の不
十分な熱交換に伴って生じるターゲット材23での不均
一な温度分布に起因すると考是られる。
に載置する構造(第4図参照)、またはターゲット材2
3をバッキングプレート26に載置してターゲット材2
30周縁部をねし止めする構造にあっては、ターゲット
材23とバフキングプレート26との密着性が弱くて、
ターゲット材23.バッキングプレート26間の熱交換
が十分に行えないので、ターゲット材23が低い熱伝導
性を有する非金属である場合には冷却効果が十分に得ら
れない場合があり、高スパフタ電力での放電中に、ター
ゲット材23の割れまたは融解が発生するという問題点
がある。なお、このようなターゲット材23の割れは、
ターゲット材23とバンキングプレート26との間の不
十分な熱交換に伴って生じるターゲット材23での不均
一な温度分布に起因すると考是られる。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、ター
ゲット材に金属板を裏打ちしたものをターゲットとして
使用し、このターゲットをバフキングプレート(載置台
)に固定して陰極部を構成することにより、ターゲット
材の交換時にバッキングプレートも合せて交換する必要
がなく、ターゲット材の割れまたは融解が発生せず、し
かもターゲット材に対する冷却効果が高いスパッタリン
グ装置のターゲット及び陰極部を提供することを目的と
する。
ゲット材に金属板を裏打ちしたものをターゲットとして
使用し、このターゲットをバフキングプレート(載置台
)に固定して陰極部を構成することにより、ターゲット
材の交換時にバッキングプレートも合せて交換する必要
がなく、ターゲット材の割れまたは融解が発生せず、し
かもターゲット材に対する冷却効果が高いスパッタリン
グ装置のターゲット及び陰極部を提供することを目的と
する。
本発明に係るスパッタリング装置のターゲットは、ター
ゲット材に金属板を裏打ちして一体化させてなることを
特徴とし、本発明に係るスパッタリング装置の陰極部は
、ターゲット材に金属板を裏打ちして一体化させたター
ゲットを治具にて載置台上に固定しであることを特徴と
する。
ゲット材に金属板を裏打ちして一体化させてなることを
特徴とし、本発明に係るスパッタリング装置の陰極部は
、ターゲット材に金属板を裏打ちして一体化させたター
ゲットを治具にて載置台上に固定しであることを特徴と
する。
本発明のスパッタリング装置の陰極部は、ターゲット材
に金属板を裏打ちしてなるターゲットを載置台に固定し
である。そうするとターゲット材と載置台との間の熱交
換が活発になってターゲット材の温度分布は低温均一と
なり、ターゲット材の割れまたは融解は発生しない、固
定方法は、例えばねし止め等の機械的手段が好適である
。
に金属板を裏打ちしてなるターゲットを載置台に固定し
である。そうするとターゲット材と載置台との間の熱交
換が活発になってターゲット材の温度分布は低温均一と
なり、ターゲット材の割れまたは融解は発生しない、固
定方法は、例えばねし止め等の機械的手段が好適である
。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に
説明する。
説明する。
第1図は本発明に係るスパッタリング装置の陰極部の構
成を示す断面図であり、図中1はアースシールドである
。アースシールド1内には、上部が開口した円筒状をな
すステンレス鋼製のターゲット支持台8が、その底面の
一部を絶縁材9に当接させて設けられている。ターゲッ
ト支持台8の上面には、0リング7を介して円板状をな
す銅製ののバフキングプレート6が取付けられており、
バッキングプレート6上には本発明のターゲ7)12が
載置されている。ターゲット12は、ボンディング材4
を用いてターゲ7)材3に金属板5を裏打ちポンディン
グして一体化させた構成をなす。
成を示す断面図であり、図中1はアースシールドである
。アースシールド1内には、上部が開口した円筒状をな
すステンレス鋼製のターゲット支持台8が、その底面の
一部を絶縁材9に当接させて設けられている。ターゲッ
ト支持台8の上面には、0リング7を介して円板状をな
す銅製ののバフキングプレート6が取付けられており、
バッキングプレート6上には本発明のターゲ7)12が
載置されている。ターゲット12は、ボンディング材4
を用いてターゲ7)材3に金属板5を裏打ちポンディン
グして一体化させた構成をなす。
なおボンディング材4の材質としては、金属または熱伝
導性が高い樹脂が好適である。ターゲット12の周縁部
はステンレス鋼製の治具2に覆われていて、治具2がバ
フキングプレート6にねし11゜11にてねじ止めされ
ており、このねじ止めにてターゲット12がバフキング
プレート6上に固定されている。ターゲット支持台8の
底面には、ターゲット支持台8の管内に冷却水を導入す
るための冷却水導入口10a1及びターゲット支持台8
の管内から冷却水を排出するための冷却水排出口10b
が開設されている。
導性が高い樹脂が好適である。ターゲット12の周縁部
はステンレス鋼製の治具2に覆われていて、治具2がバ
フキングプレート6にねし11゜11にてねじ止めされ
ており、このねじ止めにてターゲット12がバフキング
プレート6上に固定されている。ターゲット支持台8の
底面には、ターゲット支持台8の管内に冷却水を導入す
るための冷却水導入口10a1及びターゲット支持台8
の管内から冷却水を排出するための冷却水排出口10b
が開設されている。
このような構成をなすスパッタリング装置の陰極部にお
けるターゲット材3の冷却機構は、前述した従来の陰極
部における場合と同様である。つまり、冷却水導入口1
0a、ターゲット支持台8内。
けるターゲット材3の冷却機構は、前述した従来の陰極
部における場合と同様である。つまり、冷却水導入口1
0a、ターゲット支持台8内。
冷却水排出°口10bを通って冷却水を循環させ、バフ
キングプレート6を介してターゲット材3を冷却する。
キングプレート6を介してターゲット材3を冷却する。
本発明の陰極部にあっては、ターゲット材3の裏に熱伝
導性が高い金属板5をボンディングさせているので、タ
ーゲット材3.゛バッキングプレート6間の熱交換は活
発であり、ターゲット材3は均一に効率よく冷却されて
その温度上昇は抑制される。この結果、従来の陰極部の
ようにターゲット材3に割れまたは融解が発生すること
はない。
導性が高い金属板5をボンディングさせているので、タ
ーゲット材3.゛バッキングプレート6間の熱交換は活
発であり、ターゲット材3は均一に効率よく冷却されて
その温度上昇は抑制される。この結果、従来の陰極部の
ようにターゲット材3に割れまたは融解が発生すること
はない。
また、同一のスパッタリング装置においてターゲット材
3を取換える場合には、ターゲット12のみを治具2か
らはずして交換すればよく、従来のようにバッキングプ
レート6も合せて取りはずすことが不要であるので、そ
の交換作業は短時間にて済み、交換時に冷却水の循環路
が露出されることもない。
3を取換える場合には、ターゲット12のみを治具2か
らはずして交換すればよく、従来のようにバッキングプ
レート6も合せて取りはずすことが不要であるので、そ
の交換作業は短時間にて済み、交換時に冷却水の循環路
が露出されることもない。
本発明の陰極部と従来の陰極部(バフキングプレート2
6にターゲット材23を載置してターゲット材23の周
縁部を治具にて固定した構造をなす陰極部)とについて
、冷却効果を調べるべく、スパッタリングを行って夫々
のターゲット材の表面を観察した。ターゲット材3,2
3としては、何れも径250 n、 Hさ3鰭の5i(
hを使用し、またバンキングプレート6.26は、厚さ
、形状が同じである銅製のものを使用し、またバッキン
グプレート6゜26の表面の平滑度を同等とし、更に金
属板5の裏面とターゲット材23の裏面との平滑度を同
等とした。なお、本発明の陰極部においてボンディング
材4として、厚さ約0.1鶴の熱伝導性が高い合成樹脂
を用いた。また従来の陰極部では、本発明の陰極部に使
用する治具2と同様なステンレス鋼製の治具にてターゲ
ット材23の周縁部がねし止めされている。
6にターゲット材23を載置してターゲット材23の周
縁部を治具にて固定した構造をなす陰極部)とについて
、冷却効果を調べるべく、スパッタリングを行って夫々
のターゲット材の表面を観察した。ターゲット材3,2
3としては、何れも径250 n、 Hさ3鰭の5i(
hを使用し、またバンキングプレート6.26は、厚さ
、形状が同じである銅製のものを使用し、またバッキン
グプレート6゜26の表面の平滑度を同等とし、更に金
属板5の裏面とターゲット材23の裏面との平滑度を同
等とした。なお、本発明の陰極部においてボンディング
材4として、厚さ約0.1鶴の熱伝導性が高い合成樹脂
を用いた。また従来の陰極部では、本発明の陰極部に使
用する治具2と同様なステンレス鋼製の治具にてターゲ
ット材23の周縁部がねし止めされている。
このような構成をなす各陰極部を有する夫々のスパッタ
リング装置において、Arガス(スパッタガス)圧をI
X 10−’Torr、スパッタ電力を5に讐。
リング装置において、Arガス(スパッタガス)圧をI
X 10−’Torr、スパッタ電力を5に讐。
スパッタ時間を30分とするスパッタ条件にてスパッタ
リングを行い、スパッタリング終了後、各ターゲット材
3,23の表面を観察した。従来の陰極部を有するスパ
ッタリング装置におけるターゲット材23の表面には、
長さ10〜50鶴程度の亀裂がエロージョン領域付近に
多数見られた。これに対して本発明の陰極部を有するス
パッタリング装置におけるターゲット材3の表面には、
割れ等の異常は観察されなかった。
リングを行い、スパッタリング終了後、各ターゲット材
3,23の表面を観察した。従来の陰極部を有するスパ
ッタリング装置におけるターゲット材23の表面には、
長さ10〜50鶴程度の亀裂がエロージョン領域付近に
多数見られた。これに対して本発明の陰極部を有するス
パッタリング装置におけるターゲット材3の表面には、
割れ等の異常は観察されなかった。
また、上述したような構成をなす本発明の陰極部、従来
の陰極部を有する両スパッタリング装置内におけるスパ
ッタリング中の両ターゲット材3゜23の表面温度を測
定した。なお測定箇所は、両ターゲット材3.23の中
心から動径方向に6011の地点、つまりエロージョン
領域とし、このときのスパッタ電力は何れも2kWとし
てスパッタリング中はこの電力を変化させなかった。第
2図はこの測温結果を示すグラフであって、横軸はスパ
ッタ時間〔分〕を示し、縦軸はターゲット材3,23の
表面温度(’C)を示しており、図中O−Oは本発明に
おける結果を表し、・−・は従来例における結果を表し
ている。第2図から明らかなように、本発明における場
合の方が従来例に比してターゲット材の表面温度が低い
。これは、本発明の陰極部における冷却効果が従来の陰
極部における冷却効果より優れていることを示している
。
の陰極部を有する両スパッタリング装置内におけるスパ
ッタリング中の両ターゲット材3゜23の表面温度を測
定した。なお測定箇所は、両ターゲット材3.23の中
心から動径方向に6011の地点、つまりエロージョン
領域とし、このときのスパッタ電力は何れも2kWとし
てスパッタリング中はこの電力を変化させなかった。第
2図はこの測温結果を示すグラフであって、横軸はスパ
ッタ時間〔分〕を示し、縦軸はターゲット材3,23の
表面温度(’C)を示しており、図中O−Oは本発明に
おける結果を表し、・−・は従来例における結果を表し
ている。第2図から明らかなように、本発明における場
合の方が従来例に比してターゲット材の表面温度が低い
。これは、本発明の陰極部における冷却効果が従来の陰
極部における冷却効果より優れていることを示している
。
以上詳述した如く本発明によれば、金属板をターゲット
材に裏打ちしたターゲットを載置台(バンキングプレー
ト)に固定させているので、効率良くターゲット材の冷
却を行うことができて、ターゲット材の割れまたは融解
を防止することができ、またターゲット材の交換作業を
簡便に行なえる等、本発明は優れた効果を奏する。
材に裏打ちしたターゲットを載置台(バンキングプレー
ト)に固定させているので、効率良くターゲット材の冷
却を行うことができて、ターゲット材の割れまたは融解
を防止することができ、またターゲット材の交換作業を
簡便に行なえる等、本発明は優れた効果を奏する。
第1図は本発明に係るスパッタリング装置の陰極部の構
成を示す断面図、第2図は本発明例と従来例とにおける
ターゲット材の表面温度を示す特性図、第3図、第4図
は従来のスパッタリング装置の陰極部の構成を示す断面
図である。 2・・・治具 3・・・ターゲット材 4・・・ボンデ
ィング材 5・・・金属板 6・・・バッキングプレー
ト 8・・・ターゲット支持台 11・・・ねじ 12
・・・ターゲット特 許 出願人 住友金属工業株式会
社代理人 弁理士 河 野 登 夫藁 2 図 弔 図 弔 図
成を示す断面図、第2図は本発明例と従来例とにおける
ターゲット材の表面温度を示す特性図、第3図、第4図
は従来のスパッタリング装置の陰極部の構成を示す断面
図である。 2・・・治具 3・・・ターゲット材 4・・・ボンデ
ィング材 5・・・金属板 6・・・バッキングプレー
ト 8・・・ターゲット支持台 11・・・ねじ 12
・・・ターゲット特 許 出願人 住友金属工業株式会
社代理人 弁理士 河 野 登 夫藁 2 図 弔 図 弔 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、プラズマ中の正イオンが衝突するターゲット材を備
えたスパッタリング装置のターゲットであって、 前記ターゲット材に金属板を裏打ちして一 体化させてなることを特徴とするスパッタリング装置の
ターゲット。 2、ターゲットを載置する載置台を備えたスパッタリン
グ装置の陰極部において、 請求項1記載のターゲットを治具にて前記 載置台上に固定させてあることを特徴とするスパッタリ
ング装置の陰極部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8069789A JPH02258974A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8069789A JPH02258974A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02258974A true JPH02258974A (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=13725521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8069789A Pending JPH02258974A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02258974A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5259941A (en) * | 1991-02-21 | 1993-11-09 | Hauzer Holding Bv | Vaporizer for vacuum coating apparatus |
JP2006512479A (ja) * | 2002-07-10 | 2006-04-13 | テクマシーン | 真空スパッタリング用カソード |
US20130327635A1 (en) * | 2011-02-25 | 2013-12-12 | Mamoru Kawashita | Magnetron electrode for plasma processing |
CN105458486A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 焊接方法以及焊接装置 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP8069789A patent/JPH02258974A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5259941A (en) * | 1991-02-21 | 1993-11-09 | Hauzer Holding Bv | Vaporizer for vacuum coating apparatus |
JP2006512479A (ja) * | 2002-07-10 | 2006-04-13 | テクマシーン | 真空スパッタリング用カソード |
US20130327635A1 (en) * | 2011-02-25 | 2013-12-12 | Mamoru Kawashita | Magnetron electrode for plasma processing |
CN105458486A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 焊接方法以及焊接装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7550055B2 (en) | Elastomer bonding of large area sputtering target | |
KR100538661B1 (ko) | 진공챔버실드를가열및냉각시키는방법및장치 | |
US5603816A (en) | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid | |
JPH07197248A (ja) | 一体型スパッタリングターゲット組立体 | |
US8203104B2 (en) | Mounting table structure and heat treatment apparatus | |
CN1880000B (zh) | 溅镀靶材、溅镀靶材组件和焊接溅镀靶材牌的方法 | |
TWI612163B (zh) | 濺鍍靶 | |
JPH01255666A (ja) | 迅速交換型の標的を有するスパッタ源及びアダプタリング | |
US6591636B1 (en) | Material and method for coating glass forming equipment | |
JPH02258974A (ja) | スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 | |
TWI681867B (zh) | 抗蝕性之金屬與Mo或Mo合金經擴散接合之背板、以及具備該背板之濺鍍靶-背板組件 | |
JP2002030431A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JPH11504986A (ja) | 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット | |
KR102468589B1 (ko) | 합금 용사막 및 막 형성 장치 | |
JPH09176849A (ja) | スパッタリングターゲットのアッセンブリ | |
JPS59133369A (ja) | スパツタリング用のタ−ゲツト構造体 | |
JPH0559540A (ja) | スパツタリングカソード | |
JPH11131224A (ja) | スパッタリングターゲットおよびスパッタ装置用部材 | |
JPH02285068A (ja) | スパッタ装置 | |
JP2797111B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JP2001316798A (ja) | ターゲット装置およびそれを用いたスパッタリング装置 | |
JPH02301558A (ja) | スパッタ装置 | |
KR20230072292A (ko) | 스퍼터링 타겟 접합체 | |
JPS60135572A (ja) | スパツタリング方法 | |
JPH0499270A (ja) | スパッターターゲット及びスパッター成膜方法 |