JPH02250412A - Surface acoustic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、インターデジタルトランスデユーサの側方に
短絡型の反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、
特に、反射器の構造が改良されたものに関する。Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to an improvement of a surface acoustic wave device in which a short-circuit reflector is arranged on the side of an interdigital transducer.
In particular, it relates to a reflector with an improved structure.
第２図は、従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図で
ある０弾性表面波装置１は、３６°Ｙ−Ｘ、 Ｌ ｉ
Ｔ ａ Ｏｓからなる圧電基板２上に、互いに間挿し
合うくし歯電極３．４を有するインターデジタルトラン
スデユーサ５と、インターデジタルトランスデユーサ５
の両側に配置された反射器６．７とを有する。FIG. 2 is a plan view showing an example of a conventional surface acoustic wave device.
An interdigital transducer 5 having comb-shaped electrodes 3.4 interposed with each other on a piezoelectric substrate 2 made of TaOs, and an interdigital transducer 5
reflectors 6.7 arranged on both sides of the reflector 6.7.
くし歯電極３．４の電極指３ａ、４ａは、上述したよう
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６，７は、互いに平行に配置された複数本のメタル・
ストリップ６ａ、７ａと、メタル・ストリップ６ａ、１
ａを短絡する短絡部６ｂ、７ｂとを有する。The electrode fingers 3a, 4a of the comb-shaped electrode 3.4 are arranged so as to be inserted into each other as described above. In addition, the reflectors 6 and 7 are composed of a plurality of metal strips arranged parallel to each other.
Strips 6a, 7a and metal strips 6a, 1
It has short-circuit parts 6b and 7b that short-circuit a.
弾性表面波装置においても、他の電子部品と同様に、よ
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。Surface acoustic wave devices, like other electronic components, are also required to be more compact. Therefore, in the conventional surface acoustic wave device 1, by increasing the reflection efficiency in the reflector 6.7, the size of the reflector 6.7 in the surface wave propagation direction can be reduced, thereby reducing the overall size. is being attempted.
すなわち、メタル・ストリップ５ ａ、、７ ａの膜厚
を厚くすることにより、メタル・ストリップ１本当たり
の反射率を高め、それによってメタル・ストリップの数
を低減した構造が採用されていた。That is, a structure has been adopted in which the reflectance per metal strip is increased by increasing the film thickness of the metal strips 5a, 7a, thereby reducing the number of metal strips.
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
メタル・ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合に
は、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反
射効率にばらつきが生じがちであった。よって、膜厚を
厚くするにも自ずと限度があづた。[Technical problem to be solved by the invention] However,
When the film thickness of the metal strips 6a, 7a is increased, it is difficult to control the film thickness to be constant, and therefore the reflection efficiency tends to vary. Therefore, there is naturally a limit to increasing the film thickness.
他方、１２Ｂ” Ｙ−Ｘ、ＬｉＮｂＯ５からなる圧電基
板におけるレイリー波の反射゛に関しては、短絡型の反
射器においては、メタル・ストリップのデユーティ比、
すなわちメタル・ストリップの幅のメタルストリップ・
ピッチに対する割合ｄをｄ＜０．５とじた場合に反射係
数を高め得ることが報告されている。On the other hand, regarding the reflection of Rayleigh waves on a piezoelectric substrate made of 12B" Y-X, LiNbO5, in a short-circuit reflector, the duty ratio of the metal strip,
i.e. the width of the metal strip
It has been reported that the reflection coefficient can be increased when the ratio d to the pitch is d<0.5.
本発明の目的は、３６°回転Ｙ板、ＬｉＴａ０１からな
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、短絡型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device using a 36° rotated Y plate and a piezoelectric substrate made of LiTa01, which can stably and effectively increase the reflection efficiency of a short-circuit reflector. .
本発明の弾性表面波装置は、３６°回転Ｙ板。 The surface acoustic wave device of the present invention has a 36° rotating Y plate.
ＬｉＴａＯ５からなる圧電基板を用い、該圧電基板にＸ
軸に平行に伝搬するように励起される表面すべり波を利
用したものである。圧電基板上には、互いに間挿し合う
くし歯電極を有するインターデジタルトランスデユーサ
が形成されている。このインターデジタルトランスデユ
ーサの側方には、表面波伝搬方向と直交する方向に延び
る複数本の導電性ストリップを互いに平行に配置し、か
つ短絡部により短絡させた反射器が形成されている。A piezoelectric substrate made of LiTaO5 is used, and X
It uses surface shear waves that are excited to propagate parallel to the axis. An interdigital transducer having interdigitated electrodes is formed on the piezoelectric substrate. On the sides of this interdigital transducer, a reflector is formed in which a plurality of conductive strips extending in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction are arranged parallel to each other and short-circuited by a short-circuit portion.
反射器における複数本の導電性ストリップのデユーティ
比、すなわち導電性ストリップの幅のストリップ・ピッ
チに対する割合ｄは、ｄ≦０．４５とされている。また
、導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する割合
は、４％以下とされている。The duty ratio of the plurality of conductive strips in the reflector, that is, the ratio d of the width of the conductive strip to the strip pitch, is set to be d≦0.45. Further, the ratio of the thickness of the conductive strip to the wavelength of the surface wave is set to be 4% or less.
反射器における導電性ストリップの膜厚を厚くすること
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、短絡型の反射器のデユーティ比を上
記のようにｄ≦０．４５とし、かつ膜厚／波長を４％以
下とすることにより、後述の実施例に示すように反射効
率が高められている。すなわち、本発明は、デユーティ
比及び膜厚／波長を上述のように設定することにより、
反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面波装置
の小型化を図ったことに特徴を有するものである。Considering that there is a limit to increasing the reflection coefficient by increasing the film thickness of the conductive strip in the reflector, in the present invention, the duty ratio of the short-circuit type reflector is set to d≦0 as described above. .45 and the film thickness/wavelength is 4% or less, the reflection efficiency is improved as shown in the examples described later. That is, in the present invention, by setting the duty ratio and film thickness/wavelength as described above,
This device is characterized by increasing the reflection efficiency of the reflector and thereby reducing the size of the surface acoustic wave device.
（実施例の説明）
第１図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
３６°Ｙ−Ｘ，ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板１２を用
いて構成されている。圧電基板１２の中央には、互いに
間挿し合うくし歯電極１３．１４からなるインターデジ
タルトランスデユーサ１５が形成されている。クシ歯電
ｉ１３゜１４は、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の
電極指１３ａ、１４ａを有する。(Description of Embodiments) FIG. 1 is a plan view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. This surface acoustic wave device 11 is constructed using a piezoelectric substrate 12 made of LiTaO3 and having a rectangular planar shape of 36°YX. In the center of the piezoelectric substrate 12, an interdigital transducer 15 is formed which consists of interdigitated comb-shaped electrodes 13, 14. The comb tooth electrodes i13 and 14 each have a plurality of electrode fingers 13a and 14a that are inserted into each other.
インターデジタルトランスデユーサ１５の表面波伝搬方
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
１反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７．ｉを、短絡
部１６ｂ、１７ｂで短絡させた構造を有する。導電性ス
トリップ１６ａ、１７ａ及び短絡部１６ｂ、１７ｂは１
，１１等の金属またはその他の適宜の導電材で構成され
ている。A pair of reflectors 16.17 are formed outside the interdigital transducer 15 in the surface wave propagation direction.The reflectors 16.17 each extend in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction and are mutually A plurality of independent conductive strips 16a, 17. arranged in parallel. It has a structure in which i is short-circuited by short-circuit parts 16b and 17b. The conductive strips 16a, 17a and the short circuit parts 16b, 17b are 1
, 11, or other suitable conductive material.
本実施例の特徴のひとつは、この短絡型の反射器１６．
１７を構成する複数本の導電性ストリップ１６ａ、１７
ａのデユーティ比にある。One of the features of this embodiment is this short-circuit type reflector 16.
A plurality of conductive strips 16a, 17 constituting 17
It is at the duty ratio of a.
すなわち、第３図に、反射器１６の要部を拡大して断面
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの幅ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合−ａ／（ａ＋ｂ）が、ｄ≦０．４
５とされている。なお、反射器１７側も同様のデユーテ
ィ比を有するように構成されている。That is, as shown in FIG. 3, which is an enlarged cross-sectional view of the main part of the reflector 16, the duty ratio, that is, the strip pitch of the width a of the conductive strip 16a of the reflector 16 (
The ratio -a/(a+b) to a+b) is d≦0.4
It is said to be 5. Note that the reflector 17 side is also configured to have a similar duty ratio.
３６°Ｙ−Ｘ，ＬｉＴａＯ３圧電基板を用いた従来構造
（第２図）では、反射器のデユーティ比は約０．５とさ
れていたが、本発明においてデユーティ比ｄを上述の範
囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電性ストリッ
プ−本当たりの反射効率が効果的に高められ、それによ
って反射器１６．１７を小型化し得るからである。これ
を、第４図及び第５図を参照して説明する。In the conventional structure (Fig. 2) using a 36°Y-X, LiTaO3 piezoelectric substrate, the duty ratio of the reflector was approximately 0.5, but in the present invention, the duty ratio d was set within the above range. This is because within this range the reflection efficiency per conductive strip of the reflector is effectively increased, thereby allowing the reflector 16, 17 to be miniaturized. This will be explained with reference to FIGS. 4 and 5.
第４図は、第１図実施例の構造において、デユーティ比
ｄを変化させた場合の導電性ストリップ１本当たりの反
射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６．
１７における゛導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜厚
／波長（単位はいずれもμｍ）を１％、２％及び３％と
した場合の３種類の特性を示した。FIG. 4 is a diagram showing the reflectance per conductive strip when the duty ratio d is changed in the structure of the embodiment shown in FIG. In addition, in FIG. 4, the reflector 16.
Three types of characteristics were shown when the film thickness/wavelength (all units are μm) of the conductive strips 16a and 17a in No. 17 were set to 1%, 2%, and 3%.
第４図から明らかなように、膜厚／波長が１゜２及び３
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０．５
を越えると、低下することがわかる。As is clear from Figure 4, the film thickness/wavelength is 1°2 and 3°.
%, the conductive strip 16a,
The reflectance per 17a is when the duty ratio d is 0.5
It can be seen that when it exceeds , it decreases.
また、第５図は、導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜
厚／波長を０〜４％の範囲で変化させ、デユーティ比を
１． ０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数
が最大の場合から一１Ｏ％の範囲の領域（斜線でハツチ
ングを付した領域Ｂ）を示す。Further, in FIG. 5, the film thickness/wavelength of the conductive strips 16a and 17a is varied in the range of 0 to 4%, and the duty ratio is set to 1. The combination that maximizes the reflection coefficient when varied in the range up to 0 (indicated by solid line A), and the area where the reflection coefficient is within 10% from the maximum (area B with hatching) shows.
第５図の破線Ｃから明らかなように、（膜厚／波長）が
０〜４％の範囲では、デユーティ比を０゜４５以下とし
た場合には、高反射係数を実現し得ることがわかる。従
って、本発明では、デユーティ比ｄが０．４５％以下で
あり、かつ膜厚／波長が４％以下とされている。As is clear from the broken line C in Figure 5, in the range of (film thickness/wavelength) from 0 to 4%, a high reflection coefficient can be achieved if the duty ratio is set to 0°45 or less. . Therefore, in the present invention, the duty ratio d is 0.45% or less, and the film thickness/wavelength is 4% or less.
なお、より好ましくは、すなわち、より高い反射係数を
求める場合には、第５図の領域りの範囲に膜厚／波長を
選べばよい。More preferably, when seeking a higher reflection coefficient, the film thickness/wavelength may be selected within the range shown in FIG.
また、膜厚／波長を０．７％以下にとる場合には、デユ
ーティ比を０．４５以下にとること、より望ましくは第
５図の領域りの範囲にとることがデユーティ比０．５の
場合に比べての効果が大きい。In addition, when the film thickness/wavelength is set to 0.7% or less, the duty ratio is set to 0.45 or less, and more preferably within the range shown in Figure 5. The effect is greater than in the case of
なお、例としてインターデジタルトランスデユーサ１個
を用いたｌポート型の弾性表面波装置を示したが、２個
のインターデジタルトランスデユーサを用いた２ボ一ト
型弾性表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図っ
たフィルタ等、反射器を利用した表面波装置−最に本発
明は適用できる。Although an l-port type surface acoustic wave device using one interdigital transducer is shown as an example, a two-port type surface acoustic wave resonator using two interdigital transducers, The present invention is most applicable to surface wave devices using reflectors, such as filters that use reflectors to reduce loss.
なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インクふデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。For resonators with only an interdigital transducer and no reflector, the duty ratio of the ink digital transducer may be increased to increase the reflectance of surface acoustic waves inside the interdigital transducer. However, in a structure like the device of the present invention using a reflector, the surface wave confinement efficiency can also be increased by increasing the duty ratio of the interdigital transducer.
以上のように、本発明では、３６°Ｙ’−Ｘ、ＬａＴｉ
ｏ、基板を用い、かつ複数本の導電性ストリップを短絡
部で短絡させた短絡型反射器を構成したものにおいて、
デユーティ比ｄが０．４５以下、膜厚／波長が４％以下
に設定されているので、反射器における反射効率が効果
的に高められる。As described above, in the present invention, 36°Y'-X, LaTi
o. In a short-circuit reflector configured using a substrate and having a plurality of conductive strips short-circuited at a short-circuit part,
Since the duty ratio d is set to 0.45 or less and the film thickness/wavelength is set to 4% or less, the reflection efficiency in the reflector is effectively increased.
よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より小
さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも、
導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高めた
ような場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。Therefore, the number of conductive strips in the reflector can be reduced, and a smaller surface acoustic wave device can be realized. Moreover,
Variations in reflection efficiency are less likely to occur, as would be the case when the reflection coefficient is increased by increasing the film thickness of the conductive strip.
第１図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図の■−■腺に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデエ′−ティ比ｄと反射器の導電性ストリップ１本当
たりの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高
められる範囲を示す図である。
図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデエーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップ、１６ｂ。
１７ｂは短絡部を示す。
第３図
第４図
ラジュー干ィｒ【ム
第５図
咥汚／ぼ通（幻FIG. 1 is a plan view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a plan view of a conventional surface acoustic wave device, and Figure 3 is a plan view of a conventional surface acoustic wave device.
Figure 4 is an enlarged cross-sectional view of the part along the ■-■ gland in the figure. Figure 4 is a diagram showing the relationship between the duty ratio d and the reflectance per conductive strip of the reflector. Figure 5. FIG. 2 is a diagram showing a range in which the reflection coefficient can be increased. In the figure, 11 is a surface acoustic wave device, 12 is a piezoelectric substrate,
13.14 is a comb-shaped electrode, 15 is an interdigital transducer, 16.17 is a reflector, 16a and 17a are conductive strips, and 16b. 17b indicates a short circuit portion. Fig. 3 Fig. 4 Raju drying
Claims (1)
に形成されており、互いに間挿し合うくし歯電極を有す
るインターデジタルトランスデューサと、 前記インターデジタルトランスデューサの側方に配置さ
れており、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延び、
かつ互いに平行に設けられた複数本の導電性ストリップ
と、該複数本の導電性ストリップを短絡する導電性短絡
部とを有する反射器とを備え、表面すべり波を利用した
弾性表面波装置において、 前記反射器における導電性ストリップの幅のストリップ
・ピッチに対する割合ｄが、ｄ≦０．４５とされており
、かつ導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する
割合が４％以下であることを特徴とする、弾性表面波装
置。[Scope of Claims] A piezoelectric substrate made of a 36° rotated Y plate and LiTaO_3, and a comb-shaped electrode formed on the piezoelectric substrate so as to propagate a surface wave parallel to the X-axis and interposed with each other. an interdigital transducer; disposed on the side of the interdigital transducer and extending in a direction perpendicular to the surface wave propagation direction;
A surface acoustic wave device using surface shear waves, comprising a plurality of conductive strips provided in parallel to each other and a reflector having a conductive short-circuit portion that short-circuits the plurality of conductive strips, The ratio d of the width of the conductive strip to the strip pitch in the reflector is d≦0.45, and the ratio of the thickness of the conductive strip to the wavelength of the surface wave is 4% or less. Features: surface acoustic wave device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150289A JPH02250412A (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150289A JPH02250412A (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250412A true JPH02250412A (en) | 1990-10-08 |
Family
ID=13462516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150289A Pending JPH02250412A (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250412A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729186A (en) * | 1995-04-12 | 1998-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonator ladder surface acoustic wave filter suppressing spurious signals |
| US6369674B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| EP1289134A2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-03-05 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| US7528685B2 (en) | 2005-05-11 | 2009-05-05 | Seiko Epson Corporation | Lamb wave type high frequency device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130010A (en) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Alps Electric Co Ltd | Surface acoustic wave element and its manufacture |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7150289A patent/JPH02250412A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130010A (en) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Alps Electric Co Ltd | Surface acoustic wave element and its manufacture |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729186A (en) * | 1995-04-12 | 1998-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonator ladder surface acoustic wave filter suppressing spurious signals |
| US6369674B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| EP1289134A2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-03-05 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| EP1289134B1 (en) * | 2001-08-09 | 2006-10-25 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| US7528685B2 (en) | 2005-05-11 | 2009-05-05 | Seiko Epson Corporation | Lamb wave type high frequency device |
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