JPH02250132A - デュアルポートダイナミックメモリ - Google Patents

デュアルポートダイナミックメモリ

Info

Publication number
JPH02250132A
JPH02250132A JP1310233A JP31023389A JPH02250132A JP H02250132 A JPH02250132 A JP H02250132A JP 1310233 A JP1310233 A JP 1310233A JP 31023389 A JP31023389 A JP 31023389A JP H02250132 A JPH02250132 A JP H02250132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
vector
address
bus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1310233A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2557113B2 (ja
Inventor
Edowaado Haarin Roi
ロイ エドワード ハーリン
Aasaa Herinton Richiyaado
リチャード アーサー ヘリントン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/277,687 external-priority patent/US5148524A/en
Priority claimed from US07/277,637 external-priority patent/US5142637A/en
Priority claimed from US07/278,333 external-priority patent/US5148523A/en
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of JPH02250132A publication Critical patent/JPH02250132A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2557113B2 publication Critical patent/JP2557113B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • G11C11/4082Address Buffers; level conversion circuits
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/36Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1072Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/12Frame memory handling
    • G09G2360/122Tiling
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/12Frame memory handling
    • G09G2360/128Frame memory using a Synchronous Dynamic RAM [SDRAM]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/36Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • G09G5/393Arrangements for updating the contents of the bit-mapped memory
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/36Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • G09G5/395Arrangements specially adapted for transferring the contents of the bit-mapped memory to the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Digital Computer Display Output (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ラスクスキャングラフイノクアプリケーショ
ンに於いて使用されるように設計されたデュアルポート
ダイナミックメモリに関し、特に、メモリに格納されて
いるビデオ情報の線を変更する為に、単一集積回路チッ
プ上に於いてベクタモードアドレッシング機能とイメー
ジモードアドレッシング機能との双方を組み込んだ高密
度ダイナミックビデオRAMに関する。
(従来の技術及びその課題) 半導体メ去りの1ビット当りのコスト及びコンビニ−タ
ンステムの価格の低下に伴って、パーソナルワークステ
ーション、及びCAD/CAMシステム等の、グラフィ
ックスを使用した他のコンピュータシステムが益々容易
に入手可能となってきている。このようなシステムに必
要不可欠な部品は、グラフィックスアプリケーションを
サポートするダイナミックビデオRAMである。
マルチチップで入手可能な従来のダイナミックビデオR
AMは、ランダムポート及びシリアルポートを備えてお
り、ランダムポートを介してフンピユータがダイナミッ
クビデオRAMにアクセスすることができ、シリアルポ
ートによって必要なグラフィックス情報が送られて、例
えばカラーモニタか駆動される。
ダイナミックビデオRAMの設計に於いて、いくつかの
非常に重要な点かある。
第一に、チップからの外部ピンの数を最小にしつつ単一
集積回路チップ上にビデオRAMをツク。
ケージすることが重要である。第二に、チップ上に備え
られたメモリを最大にすることが重要である。第三に、
チップ以外のハードウェアによってチップ外に於いて非
常に低速で変更動作を行うよりも、チップ上で可能な限
り多くの変更動作を行って速度を上げることが重要であ
る。第四に、チップ内に格納されているデータのアドレ
ッシング機能を最大にすることが重要である。ビデオR
AMのランダムポートを制御するクロック入力の数は、
複雑化、低速化を招来する。
以下の特許は、市販のダイナミックRAMに関連する、
発行された特許の代表的なものである。
これらの各特許に於いては、本発明による、イメージモ
ードアドレッシング及び本発明によるベクタモードアド
レッシングの双方を、RAMを保持しているチップ上に
組み込むことは開示されていない。スクリーンの垂直線
が変更される場合には、従来のイメージモードアドレッ
シングでは処理が遅い。変更されるべき垂直線に対して
各走査線が1個の画素のみを有する場合であっても、メ
モリ内の各走査線がアドレス指定されなければならない
。したがって、メモリ内のかなりの数の走査線が、線を
変更するためにアドレス指定されなければならない。本
発明の教示によれば、垂直線はページ内の垂直ベクタと
してアドレス指定され得るために、その垂直線を構成す
る垂直ベクタのみがアドレス指定されるだけでよい。こ
のことにより、ダイナミックビデオRAMに於ける垂直
線のためのアドレッシングの速度はかなり上昇する。
さらに、これらの各特許に於いて、RAMを保持してい
るチップ上に描画ルール又は置換ルールを組み込むこと
は開示されていない。むしろ、RAM内に格納されてい
る情報の所定の線を変更するために、変更されるべき情
報はダイナミックビデオRAMから読み出されて、チッ
プ外で、獲得された論理操作に従って変更される。本発
明に於いては、チップ上に配設された回路を用いて描画
ルール又は置換ルールが実施され、さらに、読み出され
てRAMに戻されるべき変更された情報の領域が選択的
にマスクされ得る。
ノバク(Novak)らの米国特許第4.688197
号に於いて、第1のクロックによって始動されるシリア
ル出力ターミナルに接続されたシフトレジスタを備えて
いるRAMチップを有するビデオコンピュータシステム
が記載されている。第2のクロックはシリアルチップレ
ジスタに対してロードを行うために利用される。
レドウィン(Redvine)らの米国特許第4689
741号は、ノバクの特許と同じ発明に関するものであ
るが、2個以上の異なるデータビットが同時に現れるこ
とを防止するために、コラム線とチップレジスタとの間
でデータを結合することを開示している。
ターデン(Thaden)の米国特許第4.665.4
95号では、単一チップダイナミックRAMコントロー
ラ及びCRTコントローラシステムの構成が記載されて
いる。該発明に於いては、従来のシステムの制御回路が
最小となるようにされ、したがって単一のコントローラ
を利用することによってRAMに於ける電位ボトルネッ
クが除去される。これに関連する米国特許として、これ
もまたターデンらの米国特許第4.656.596号が
発行されている。ターデンのRAMは、コントローラチ
ップとは別のチップ上に配されており、制御信号がRA
Mに送られる。
ブルース(Bruce)の米国特許第4.546.45
1号に於いて、「ページモード」アドレッシングによっ
て水平又は垂直ベクタアドレッシングを行うことができ
るダイナミックRAMが記載されている。
グラフィックコントローラ素子(GDC)クロッりがブ
ルースによって示されているが、このクロックは、RA
Mチップから別のGDCに送られる。
さらに重要なことには、この別のGDCは、ロード信号
、カウントイネーブル信号及び他の制御信号をRAMチ
ップに直接提供しなければならない。
ヴオス(Voss)の米国特許筒4,646.270号
に於いて、標準RAM動作を行いつつ高速でデータを順
次読み出すことができるビデオグラフィックダイナミッ
クRAMが記載されている。
大容量メモリを含む単一チップ上でベクタモードアドレ
ッシング(即ち、水平及び垂直ベクタ)とイメージモー
ドアドレッシングとの双方を行い、格納されているビデ
オ情報のオンチップでの変更を行う為に必要なハードウ
ェアを含み、これを最小数の外部ピンを用いて達成する
ダイナミックビデオRAMが必要とされている。
上記の何れの特許に於いても、ランダムアクセスメモリ
を用いてチップ上で描画ルール変更を行う回路は開示さ
れていない。
日立のHM53462マルチボートDRAMの目的仕様
に於いては、論理操作及びマスキングが単一チップ上で
行われる。しかし、このアプローチでは、システムは、
まず、論理操作をチップへ送り、次にメモリをアドレス
指定するためのサイクルがあり、新しいソースデータを
送り、メモリから読み出し、そして、読み出された情報
を変更しなければならない。
RAMを備えているチップ上に描画ルールとマスキング
回路とを配する必要があるだけではなく、アドレスと共
に描画ルールを同時にチップに送ることによって性能を
最大にすることが必要とされている。
上記の特許に於いては、RAMのランダムボート側に於
いて単一クロックを利用して、アドレスレジスタ及びデ
ータレジスタに情報をロードすることを含むRAMの動
作、RAMの動作並びにRAMに於ける情報の変更を制
御することは、開示されていない。
従って、ここに記載した本発明は、以下の目的を達成す
るものである。
〜27− (1)垂直線のためのアドレッシングが高速となるダイ
ナミックビデオランダムアクセスメモリを提供すること
(2)垂直線がページ内の垂直ベクタとしてアドレス指
定されることができ、従って、垂直線を構成する垂直ベ
クタのみがアドレス指定されるだけでよいダイナミック
ビデオランダムアクセスメモリを提供すること。
(3)大容量メモリを有する単一チップ上でベクタモー
ドアドレッシング(水平及び垂直ベクタ)とイメージモ
ードアドレッシングとの双方を行うことができるダイナ
ミックビデオランダムアクセスメモリを提供すること。
(4)格納されたビデオ情報のオンチップでの変更を行
うために必要なハードウェアを備えているダイナミック
ビデオランダムアクセスメモリを提供すること。
(5)最小限の数の外部ピンを備えているダイナミック
ビデオランダムアクセスメモリを提供すること。
(6)ランダムアクセスメモリを有するチップ上で描画
ルール変更を行うための回路を備えているダイナミック
ビデオランダムアクセスメモリを提供すること。
(7)ランダムアクセスメモリを有するチップ上に描画
ルール及びマスキング回路を提供し、描画ルールをアド
レスと共に同時にチップに送ることによって性能を最大
にすることができる、ダイナミックビデオランダムアク
セスメモリを提供すること。
(8)メモリのランダムポート側に於ける単一クロック
を利用して、アドレス及びデータレジスタへの情報のロ
ードを含むメモリの動作、メモリの動作並びにメモリ内
の情報の変更を制御することができる、ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリを提供すること。
(9)より高速の動作を提供しつつ、チップへの、及び
チップからの信号バスの数を最小にすることができる、
ダイナミックランダムアクセスメモリを提供すること。
(課題を解決するための手段) 本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、集積回路チップ上に配され、バスに接続されたダイナ
ミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、それぞ
れが所定のページコラム位置及びページロウ位置を有す
るページであって、該ページ中のベクタロウ位置によっ
て規定される複数の水平ベクタ及び該ページ中のベクタ
コラムによって規定される複数の垂直ベクタをそれぞれ
が有している複数のn×mビットのページを備え、ビデ
オ情報を格納するためのメモリ、変更すべき該メモリの
ページ中の水平ベクタ又は垂直ベクタのアドレスであっ
て、(a)該アドレス指定されたページのページロウを
規定するための第1の複数ビット、(b)該アドレス指
定されたページのページコラムを規定するための第2の
複数ビット、及び(c)該アドレス指定されたページの
アドレス指定されたベクタを規定するための第3の複数
ビットを有するアドレスを受け取るための、該バスに接
続されたアドレス指定手段、ソースデータを受け取るた
めの、該バスに接続されたデータ手段、並びに該メモリ
中のアドレス指定されたベクタに於いて該ソースデータ
を用いて、格納されているビデオ情報を変更するための
、該メモリ、該アドレス指定手段、及び該データ手段に
接続されている制御手段を備えた、ベクタをアドレス指
定するためのアーキテクチャを有しており、そのことに
より上記目的が達成される。
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、バスに接続されたダイナミックビデオランダムアクセ
スメモリに於いて、集積回路チップ、複数の水平ベクタ
及び垂直ベクタをそれぞれが有している複数のn×mビ
ットのページを備え、ビデオ情報を格納するための、該
チップ上のメモリ、該メモリの該ページ中の水平ベクタ
又は垂直ベクタのアドレスであって、(a)アドレス指
定されたページを規定するための第1の複数ビット、及
び(b)該アドレス指定されたページ内の水平ベクタ又
は垂直ベクタを規定するための第2の複数ビットを有す
るアドレスを受け取るための、該チップ上に配され、該
バスに接続されたアドレス指定手段、並びに該メモリ中
のアドレス指定されたベクタ位置に於いて該ソースデー
タを用いて、格納されているビデオ情報を変更するため
の、該メモリ、該アドレス指定手段、及び該データ手段
に接続されている、該チップ上の制御手段を備えている
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、バスに接続されたダイナミックビデオランダムアクセ
スメモリに於いて、ベクタアドレス及びイメージアドレ
スのどちらかによってアドレス指定され、ビデオ情報を
格納するためのメモリであって、(a)該ベクタアドレ
スモードに於いては、それぞれが該メモリ中に所定のペ
ージコラム位置及びページロウ位置を有し、該ページ中
のベクタロウによって規定される複数の水平ベクタ及び
該ページ中のベクタフラムによって規定される複数の垂
直ベクタを含む複数のページを備え、(b)該イメージ
アドレスモードに於いては、それぞれが複数のワードを
含む複数の走査線を備えるメモリ、該メモリ中の変更す
べき水平ベクタ又は垂直ベクタのための、ベクタモード
アドレスであって、(a)該アドレス指定されたページ
のページロウを規定するための第1の複数ビット、(b
)該アドレス指定されたページのページコラムを規定す
るための第2の複数ビット、及び(c)該アドレス指定
されたページのアドレス指定されたベクタを規定するた
めの第3の複数ビットを有するベクタモードアドレス、
該メモリ中の変更すべきワードのイメージモードアドレ
スであって、(a)アドレス指定されている走査線を規
定するための第1の複数ビット、及び(b)該アドレス
指定された走査線中のアドレス指定されたワードを規定
するための第2の複数ビットを有するイメージモードア
ドレスのどちらか、及びアドレスモトを受け取るための
、該バスに接続されたアドレス指定手段、該ベクタアド
レス又はイメージアドレスに於いて格納されているビデ
オ情報を変更するために、ソースデータを受け取るため
の、該バスに接続されたデータ手段、並びにイメージモ
−ドアドレス又はベクタモードアドレスに於いて該ソー
スデータを用いて、格納されているビデオ情報を変更す
るための、該メモリ、該アドレス指定手段、及び該デー
タ手段に接続されている制御手段を備えた、イメージモ
ード及びベクタモードのどちらかに於いてアドレス指定
するためのアーキテクチャを有している。
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、単一集積回路チップ上に配され、バスに接続されたダ
イナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、該
チップ上に配されたメモリであって、それぞれが該メモ
リの中の所定のページコラム位置及びページロウ位置を
有する複数のページを備え、該ページのそれぞれが該ペ
ージ中のベクタロウ位置によって規定される複数の水平
ベクタ及び該ページ中のベクタコラムによって規定され
る複数の垂直ベクタをそれぞれが有しているメモリ中に
ビデオ情報を格納する手段、変更すべき該メモリのペー
ジ中のベクタのアドレスであって、(a)該アドレス指
定されたページのページロウを規定するための第1の複
数ビット、(b)該アドレス指定されたページのページ
コラムを規定するための第2の複数ビット、及び(c)
該アドレス指定されたページのアドレス指定されたベク
タを規定するための第3の複数ビットを有するアドレス
を、該バスを介して該チップ上で受け取る手段、該アド
レス指定されたページ中の該アドレス指定されたベクタ
に於いて、格納されているビデオ情報を変更するために
、該バスを介して該チップ上でソースデータを受け取る
手段、並びに該メモリ中のアドレス指定されたベクタ位
置に於いて、格納されているビデオ情報を該ソースデー
タを用いて、該チップ上で変更する手段を備えている。
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、ランダムバス及びシリアルバスに接続されたダイナミ
ックビデオランダムアクセスメモリに於いて、該ランダ
ムバス及びシリアルバスに接続された単一集積回路チッ
プ、/リアルデータ転送モード、ベクタモード及びイメ
ージモードに於いてアドレス指定される、ビデオ情報を
格納するための、該チップ上に配されたメモリであって
、(a)該ベクタアドレスモードに於いては、それぞれ
が複数の水平ベクタ及び垂直ベクタを有する複数のペー
ジを、(b)該イメージアドレスモードに於いては、そ
れぞれが複数の走査ワードを有する複数の走査線を、(
c)該ンリアルデータ転送モードに於いては、それぞれ
が複数の部分走査ワードを有する複数の部分走査線を備
えているメモリ、動作モード、及び(1)該メモリ中の
ベクタのためのベクタモードアドレス、〈2)該メモリ
中の走査線のためのイメージモードアドレス、及び(3
)該メモリ中の部分走査線のためのシリアルデータ転送
アドレスを受け取るために、該ランダムバスに接続され
、該チップ上に配されたアドレス指定手段、イメージモ
ードアドレス又はベクタモードアドレスのメモリ位置に
於いて情報をアクセスするために、該メモリ及び該アド
レス手段に接続され、該シリアルデータ転送アドレスに
於いて該メモリからの読み出しを行うランダムボート制
御手段、並びに該シリアルデータ転送アドレスに於いて
読み出された情報を該シリアルバスに供給するための、
該メモリに接続されているシリアルポート制御手段を備
えている。
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、集積回路チップ上に配され、バスに接続された高速ダ
イナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、情
報を格納するためのメモリ、該メモリ内の変更すべきベ
クタデータのアドレスを受け取るため、該バスに接続さ
れたアドレス指定手段、格納されている情報の該ベクタ
データを変更するための論理操作を指定する描画ルール
データと、変更に用いられる入力データであるソースデ
ータとを受け取り、該ベクタデータ中の始まりビット位
置データと終わりビット位置データとであるSTART
位置及びSTOP位置を更に受ケ取るため、該バスに接
続されたデータ手段、格納すべき該ベクタデータを得る
ために、該メモリに接続され、描画ルールデータを受け
取るための、該データ手段に接続されており、格納され
ている情報の該ベクタデータと該ソースデータとを該描
画ルール論理操作に従って論理的に組み合せて、格納す
べき情報の該ベクタデータを変更する描画ルール手段、
該START位置及びSTOP位置を得るために、該デ
ータ手段に接続され、該ベクタデータのSTARTビッ
ト位置とSTOPビット位置との間のみに於いて該論理
組合せの該メモリへの書込みを許容するために、該メモ
リに接続されているライトマスク手段、並びに該描画ル
ール手段をアクティブにして、該論理組合せを実行し、
該STARTビット位置とSTOPビット位置との開の
みに於いて、該論理組合せから得られる情報の該変更さ
れたベクタデータをメモリ内に書き込む制御手段を備え
た、該集積回路チップ上のアーキテクチャを有している
前記アドレスが、前記メモリ中の格納されているイメー
ジデータをアドレス指定するためのイメージアドレス、
又は該メモリ中の格納されているベクタデータをアドレ
ス指定するためのベクタアドレスを有しており、前記制
御手段が、該イメージアドレス又は該ベクタアドレスに
基づいて該メモリを別々にアクセスすることのできるよ
うにしてもよい。
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、集積回路チップ上に配され、バスに接続されたダイナ
ミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、情報を
格納するためのメモリ、変更すべき該メモリのページ中
の該格納された情報のベクタデータのアドレスを第1の
時間間隔の間に受け取るための、該アドレスバスに接続
されたアドレス指定手段、該ベクタデータを変更するた
めの論理操作を指定する描画ルールデータを、該第1の
時間間隔の間に受け取る、該データバスに接続されたデ
ータ手段、格納すべき情報の該ベクタデータを得るため
に、該メモリに接続され、そして、描画ルールを受け取
るために、該データ手段に接続されており、格納されて
いる情報の該線と該ソースデータとを該描画ルール論理
操作に従って第2の時間間隔の間に論理的に組み合せて
、格納すべき情報の該ベクタデータを変更する描画−3
9〜 ルール手段、並びに該描画ルール手段を該第2の時間間
隔の間アクティブにして、該論理組合せを実行するため
に、該メモリ、該アドレス手段、該データ手段及び該描
画ルール手段に接続され、第3の時間間隔の間に、該論
理的に組み合せられた情報をメモリ内に書き込む制御手
段を備えた、該集積回路上のアーキテクチャを有してい
る。
前記第1の時間間隔、第2の時間間隔及び第3の時間間
隔が該バスを介して供給される単一のクロック信号から
得られているようにすることもできる。
前記アドレスが、前記メモリ中の格納されているイメー
ジデータをアドレス指定するためのイメージアドレス、
又は該メモリ中の格納されているベクタデータをアドレ
ス指定するためのベクタアドレスを有しており、前記制
御手段が、該イメージアドレス又は該ベクタアドレスに
基づいて該メモリを別々にアクセスすることのできる構
成としてもよい。
本発明のダイナミックビデオランダムアクセスメモリは
、単一集積回路チップ上に配され、バスに接続されたダ
イナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、第
1の時間間隔の間に、(a)メモリ中に格納されている
変更すべきベクタデータのアドレス、(b)格納されて
いるベクタデータを変更するための論理操作を含む描画
ルール、並びに(c)始まりビット位置と終わりビット
位置との間でベクタデータを変更するためのSTART
位置及びSTOP位置をチップ上でバスから受け取る手
段、アドレス指定されたベクタデータと論理的に組み合
わせられるべきソースデータを、第1の時間間隔の後の
第2の時間間隔の開にチップ上でバスから受け取る手段
、受け取られた描画ルールデータの論理操作に基づいて
、アドレス指定されたベクタデータをソースデータを用
いて、第2の時間間隔の後の第3の時間間隔の間にチッ
プ上で変更する手段、並びに第3の時間間隔の後の第4
の時間間隔の間に、STARTビット位置及びSTOP
ビット位置の間に於いて、情報の変更されたベクタデー
タを用いて、メモリに対して書き込むを行う手段を備え
ている。
本発明のダイナミックランダムアクセスメモリは、単一
クロックを運ぶバスに接続された、ダイナミックランダ
ムアクセスメモリに於いて、該メモリ中の格納されてい
る情報のアドレスを受け取るための、該バスに接続され
ているアドレス指定手段、ソースデータを受け取るため
の、該ノzHスに接続されているソース手段、該アドレ
ス指定され格納されている情報を該メモリから該バスに
供給するための、該メモリに接続された出力手段、該ア
ドレス指定され格納されている情報を得るために、該メ
モリに接続され、該ソースデータを得るために、該ソー
ス手段に接続され、該アドレス指定され格納されている
情報と該ソースデータとを組み合わせて、該格納されて
いる情報を変更し、該変更された情報を該メモリ内に再
び書き込む変更手段、並びに該バスに接続され、また、
該アドレス手段、該ソース手段、該出力手段、該変更手
段、及び該メモリに接続され、該アドレス手段、該ソー
ス手段、該出力手段、該変更手段、及び該メモリの動作
を制御するために、該バスからの該単一クロックの受取
に応答する制御手段を備えたランダムポートを有してい
る。
前HE 制御手段がランダムステートマシンであり、前
記バスが制御イネーブルを有し、該ランダムステートマ
シンが、前記単一クロックに基づいて、内部制御パルス
の所定のシーケンスを発生するために、制御イネーブル
のそれぞれ異なった組に応答するように構成することも
できる。
前記変更手段が前記単一クロックにより動作する描画ル
ール手段を備え、該描画ルール手段は、前記アドレス指
定され格納されている情報を得るために、前記メモリに
接続され、前記ソースデータを得るために、前記ソース
手段に接続されており、該描画ルール手段は、該アドレ
ス指定され格納されている情報と該ソースデータとを論
理的に組み合わせ、その後に、格納されている情報の該
アドレスに於いて、前記論理組合せを該メモリに再び書
き込むようにすることもできる。
前記単一クロックで動作する前記ソース手段が、−43
= 前記アドレス指定され格納されている情報を変更するた
めの論理操作である描画ルールを前記バスから受け取り
、前記ソースデータが該変更の実行に用いられる入力デ
ータであり、該ソース手段が、前記アドレス指定され格
納されている情報を変更するために、その間で該変更が
起こる該アドレス指定され格納されている情報中の始ま
りビット位置と終わりビット位置とであるSTART位
置及びSTOP位置を更に受け取り、前記変更手段が、
(a)該単一クロックにより動作し、前記アドレス指定
手段中の前記アドレスに基づいた前記メモリからの該格
納されている情報を保持するための、該メモリに接続さ
れている保持手段、(b)該単一クロックにより動作し
、該アドレス指定され格納されている情報を得るために
、該保持手段に接続され、描画ルールを得るために該デ
ータ手段に接続されており、該アドレス指定され格納さ
れている情報と該ソースデータとを該描画ルール論理操
作に従って論理的に組み合せて、該アドレス指定され格
納されている情報を変更する描画ルール手段、並びに(
c)該単一クロックにより動作し、該START位置及
びSTOP位置を得るために、該データ手段に接続され
、該格納されている情報のSTARTビット位置とST
O,Pビット位置との間のみに於いて該論理組合せの該
書込みを許容するために、該メモリに接続されているラ
イトマスク手段を備えるようにしてもよい。
本発明のダイナミックランダムアクセスメモリは、ラン
ダムポートバス及びシリアルポートバスに接続されたダ
イナミックランダムアクセスメモリに於いて、該ランダ
ムポートバスが、アドレス、データ、ランダムボート制
御イネーブル、及び単一ランダムポートクロック信号を
運び、該シリアルポートバスか、シリアルデータ、ンリ
アルポート制御イネーブル、及び単一シリアルボートク
ロック信号を運び、該ランダムポートバス及びシリアル
ポートバスに接続された単一集積回路チップ、情報を格
納するための、該チップ上のメモリ、(1)該メモリの
ためのランダムアクセスアドレス及び(2)該メモリの
ためのシリアルデータ転送アドレスである該アドレスを
受け取るための、該単一ランダムポートクロック信号に
よって動作し、該ランダムポートからの該ランクムボー
ト制御イネーブルを受け取り、該受け取られたランタム
アクセスアドレスのメモリ位置に於いて情報をアクセス
するために該メモリに接続され、該受け取られたシリア
ルデータ転送アドレスに於いて該メモリから情報を読み
出す、該チップ上のランダムポート手段、並びに該読み
出された情報を該シリアルデータ転送アドレスに於ける
該メモリから該シリアルポートバスに供給するための、
該単一シリアルポートクロック信号によって動作し、該
シリアルポート制御イネーブルを受け取る、該チップ上
のシリアルポート手段を備えている。
本発明のダイナミックランダムアクセスメモリは、単一
集積回路上に配されたダイナミックランダムアクセスメ
モリであって、ランダムポート及び該ダイナミックラン
ダムアクセスメモリとランダムポートバスとをインター
フェイスするランダムポートを制御する制御手段を有し
、該制御手段が、各組が該ランダムポートの動作の異な
ったモードに対応する複数組の制御信号の1組を該ラン
ダムポートバスから受け取る手段、該受け取られた1組
に対応するランダムポートの動作を制御するため、内部
制御イネーブルパルスの所定のシーケンスを構成する手
段、ランダムポートバスを介して、所定の周波数を宵す
る単一クロック信号を受け取る手段、及びランダムポー
トが制御信号の受け取られた組に対応する動作のモード
で動作するように、受け取られた単一クロックのクロッ
クパルスによって、内部制御イネーブルパルスの構成さ
れた所定のシーケンスを実行する手段を備えている。
本発明は、好ましい実施例に於いて、ランダムポート及
びシリアルポートを有する1、 310.720ビツト
のデュアルポートダイナミックメモリである。
メモリには100万ビツトをかなり上回る情報が格納さ
れている。ランダムポートは2個のアクセスモード、即
ち、32x32ビツトのページへのベクタアクセス及び
16×1のワードへのイメージアクセスをサポートする
。シリアルボートは8個の32ビツトダイナミツクラツ
チを備えており、これらによってスクリーンのりフレッ
シュのための256個の連続したビットが提供される。
本発明のダイナミックビデオRAMには、描画ルールサ
イクルが内蔵され、同期操作のためのクロックされた(
clocked)ランダムポート、最適化されたベクタ
操作及び16ビツト読出し書込みアクセスが組み込まれ
ている。
好ましい実施例では、ビデオRAMかチップ上にパッケ
ージされ、該チップに於いてランダムボーlが11ピン
のアドレス、16ビンのデータバス、チップセレクト、
ベクタ/イメージセレクト、読出し/書込み信号及びラ
ンクムポートクロソクによってアクセスされる。シリア
ルボートはシリアルクロック、シリアル出力イネーブル
、ロード信号及び4個のシリアル出力データラインによ
ってサポートされる。チップには、少なくとも2個のV
ccラインと2個のVssラインによって電力が供給さ
れる。好ましい実施例では、少なくとも44個のピンが
このチップ上に設けられているが、さらに多くのピンが
設けられていてもよい。
ベクタ動作モードに於いて、本発明のダイナミ、クビデ
オRAMは、水平ベクタと垂直ベクタとの双方を32X
32のビットページに書き込む。
好ましい実施例のページ内のセルは、32ビツトの垂直
又は水平ベクタコラム又はロウとしてアドレス指定され
る。しかし、呼び出しに於いては、「n」×「m」など
の何れか所望のものが選択され得る。アドレスによって
、ベクタのページ位置及びページ内でのベクタのロウ・
コラムが選択される。データラインは、ページ内に於け
るSTART位置及びSTOP位置、並びにセル内での
ベクタの水平/垂直の向きを運ぶ。ベクタに対する描画
ルールもまた、デフオールドでは常に1とされるベクタ
ソースと共に、データラインによって運ばれる。−旦選
択されると、ベクタページは、コラム又はロウ並びにS
TART位置及びSTOP位置を特定する一連のページ
モードサイクルとしてアクセスされ得る。好ましい実施
例では、ベフタは書込み専用である。
イメージ動作モードに於いては、本発明のグイナミソク
ピデオRAMによって、ランダムアクセスメモリボート
アレイへの直接書込み、及びこれからの直接読出しが可
能となる。書込みに際しては、アドレスラインのアドレ
ス入力によって、ベクタモードに於いて選択されたペー
ジと同等のものである32X32ビツトのページが選択
される。
ページ内のロウは、ベクタモードに於いて選択されたベ
クタロウと同等のものである。ワードは、サイクルの第
1のデータモードに於いて特定されたSTART位置及
びSTOP位置に従ってマスクされる。この第1のデー
タワードもまた描画ルール仕様を備えている。サイクル
の第2のデータワードは、16ビツ′ト幅のイメージワ
ードを保持している。読出しもまた、16ビツト幅であ
り、アドレスは書込みサイクルに於いて特定される。
その際には、ロウの中で最下位又は最上位の何れのワー
ドが16ビソトデータバス上に配されているかを制御す
るために最下位のアドレスが追加される。START、
STOP及び描画ルールはリードサイクルに影響を与え
ない。ページモードは、読出し及び書込みの双方のため
に作動し、これによって、1個のページサイクルで32
X32のページ全てがアクセスされ得る。本発明に於い
て、メモリに従来の内部リフレッシュが備えられている
最後に、シフトレジスタへのデータの転送は、ベクタ/
イメージラインがベクタに設定され、読出し/書込みラ
インが読出しに設定されたサイクルを実行することによ
って達成される。これによって、256個のセルの内容
が、シリアルボートレジスタにすぐにロードされ得るよ
うにされているダイナミックラッチに配置される。わず
か256f[!itのセルが内部ラッチに書き込まれて
いる間に、8192個のセルが全てシリアルデータ転送
中にアクセスされ、リフレッシュされる。転送中に転送
された256ビツトは、部分走査線と称される。
置換ルールは、シリアルデータ転送に影響を与えない。
l− 上記の全てのランダムボート動作(即ち、シリアルボー
トを介しての転送ではない)は、ランダムステートマシ
ンに送られた単一のクロックパルスを使用することによ
り、さらにV/I(ベクタ・イメージ)、R/W(読出
し・書込み)、リフレッシュ及びC3(チップセレクト
)コントロールラインのイネーブルレベルと共に行われ
る。
(以下余白) (実施例) 本発明を実施例について説明する。以下では、先ず本実
施例の概要を説明し、次にその詳細な説明を行う [1コ概要 第1図は、ライン30を介してカラーマツプ回路40に
接続されたカラーモニタ20を有するシステム環境に用
いられている、本発明のダイナミックビデオRAMl0
を示している。このシステムでは、カラーマツプ回路4
0は、ビデオデータバス50を介して本発明のビデオR
AMl0に接続されている。ビデオRAMl0とカラー
マツプ回路40は、ライン70及び80を介してシリア
ルボート制御部60によって制御されている。ビデオR
AMI Oは、データバス90及びアドレスバス100
を介して図形ハードウェア回路110にも接続されてい
る。ランダムボート制御部120によって、図形ハード
ウェア回路110はライン130を介して、ビデオRA
Ml0はライン140を介して制御されている。図形ハ
ードウェア=53= 回路110は、標準バス170に接続されているインタ
ーフェイス回路160にライン150を介して接続され
ている。
本発明のビデオRAMl0は、カラーモニタ20に実際
に表示されている画像を格納する。ビデオRAMl0内
の格納されている情報は、データバス50を介してカラ
ーマツプ回路40に順次送られ、モニタ20に表示され
る。シリアルポート制御部60は、ビデオRAMI O
内に格納されている情報のカラーマツプ回路40への転
送を制御する。
カラーモニタ20に表示する画像を変えるために、ビデ
オRAMl0内に格納されている情報を変更する場合に
は、図外のCPU等からバス170を介して適宜の命令
がインターフェイス回路160に送られ、図形ハードウ
ェア回路110内に送達される。ランダムポート制御部
120は、バス150から図形ハードウェア回路110
が受け取った情報に基づいて、ビデオRAMl0内に格
納されている情報の変更を制御する。変更する情報のア
ドレスはアドレスバス100を介して、変更のためのデ
ータはバス90を介してそれぞれ供給される。このよう
にして、ビデオRAMの情報は修正されて、カラーモニ
タ20上の画像を変更することができる。
第1図に示すシステム環境は説明のためのものであり、
本発明のダイナミックビデオRAMは他のシステムにも
使用し得ることは当然に理解されるであろう。例えば、
カラーマツプやカラーモニタを用いる必要はない。
第12図に示すような単一チップの実施例では、ランダ
ムポートバスは、11ビツト幅のアドレスバス100.
16ビツト幅のデータバス90、及び5ビット幅の制御
バス140を有している。シリアルポートバスは、4ビ
、ト幅のデータバス50、及び3ビット幅の制御バス7
0を宵している。
従って、ビデオRAMl0は、39本のピンと、電源用
及び接地用の4本のピンとを含む合計44本のピンを有
している。しかし、本発明はこのようなピン数に限定さ
れるものではない。第1図に示すように、幾つかのこの
ような単一チップをシステム環境に用いることができる
。制御バス140によって運ばれる/C3制御イネーブ
ル信号によりどのチップがアクセスされるかが選択され
る。
アドレスバス100を介するビデオRAMl0のアドレ
ッシング及び操作の3モードがある。それらは、(a)
シリアルデータ転送モード、(b)ベクタアドレスモー
ド、(c)イメージアドレスモードである。各モードを
以下に説明する。
a、シリアルデータ転送モード 第2図に、モニタ20の画面200を示す。画面200
は通常のものであり、例えば、画面を横切る水平行に1
280画素と、垂直方向に1024本の走査線又はラス
ク線とを備えている。本発明に於いては、画素及び走査
線の構成は任意である。第2図では、部分走査線210
が示されている。1部分走査線」とは、ここではl走査
線中の256個の連続する画素として定義される。「ワ
ード」は16画素である。従って、部分走査線は16ワ
ードを有している。これは、他のビデオRAM装置に見
られる従来のイメージモードアドレッシングに対応して
いる。
本発明のビデオRAMl0は、ランダムポートアドレス
バス100を介してアドレス指定され、シリアルポート
制御部60によってライン70を介してシリアルポート
データ転送を行うことができる。第3図にシリアルデー
タ転送アドレスを示す。1024本の走査線は10ピツ
トの走査線フィールドにより選択され、部分走査線21
0は3ビ、トの部分走査線フィールドにより選択される
シリアルボートデータ転送のアドレッシングには合計1
3ビツトが必要である。アドレスバス100は11ビツ
ト幅しか有していないので、2個のアドレスが第4図の
ように送られる。第1の転送は上位アドレス(MSA)
であり、第2の転送は下位アドレス(LSA)である。
ここでも、本発明に於いてはビット数及びアドレッシン
グの構成はこれらに限定されない。
従って、第2図〜第4図は本発明ビデオRAM10のシ
リアルデータ転送モードに於けるアドレノシングを示し
ている。
b、ベクタアドレスモード 本発明によれば、ページが画面上で水平方向または垂直
方向にアクセスされ得るベクタアドレッシングのモード
が提供される。これを第5図〜第8図を用いて説明する
ページは、画素の32X32配列によって定義される。
第5図に於いて、ページPG[1,[lは、32本の水
平走査線×32個の水平画素を有している。
ページは他の形態のmxn構成であってもよい。
第5図のスクリーンモニタは、32X40即ち1280
のページを有している。用語「ページコラム」はページ
の水平位置であり、用語「ページロウ」はページの垂直
位置であるとする。例えば、ページPG31.39では
、ページ列は39であり、ページ行は31である。32
列の好ましい実施例では、ページ列は5ビツト幅のアド
レスで指定することができる。例えば、ページPG3.
.。のページ行の値は11111である。同様に、12
80画素の好ましい実施例では、40個のページ列は1
6ビツト幅のアドレスで指定することができる。
第6図は、個々のページPG、、、を示している。
用語「ベクタコラム」はページ内でのベクタの水平方向
の位置を示している。例えば、ベクタ600は垂直列2
内に位置している。用語「ベクタロウ」はページ内での
ベクタの垂直方向の位置を示している。例えば、ベクタ
610は行3内に位置している。本発明のベクタモード
アドレッシング体系に於いては、1個のビット、即ちH
/Vビットによってベクタが水平ベクタ610であるの
か垂直ベクタ600であるかが示される。ページ内のベ
クタの位置を示すために、5ビツトが用いられる。例え
ば、ベクタ610に対しては、H/Vビットを1として
水平ベクタを示し、残りの5ビツトは00011である
。垂直ベクタ600は、0に設定されたH/Vビットを
有しており、残りの5ビツトは00010である。
第5図及び第6図に示されたベクタモードアドレッシン
グ体系は本発明特有のものであり、選択されたページP
Gをアドレスするだけではなく、該ページ内の垂直又は
水平ベクタをアドレスするのにも用いることができる。
従って、第7図に示されている好ましい実施態様では、
必要なページアドレスは、ページ行を示す5ビツトと、
ページ列を示す6ビ、トと、ベクタを示す5ビツトとを
有する16ビツトワードである。付加的な水平/垂直(
H/V)ビットは、ベクタがページ内で水平であるのか
垂直であるのかを示す。このようにして、スクリーン2
00上の選択されたページに於いて第6図に示すベクタ
600又は610のような特定のベクタをアドレスする
ことができる。
第1図に示すアドレスバス100は11ビツト幅である
ので、図形ハードウェア回路110は、第7図のベクタ
アドレスを2回の別々の転送として出力する。第8図に
示すように、第1の転送は上位アドレス(MSA)であ
り、第2の転送は下位アドレス(LSA)である。
第5図〜第8図は本発明の教示による1実施例を示した
ものであり、ベクタモードアドレッシングを行うために
は他の態様のビット配列及びアドレス構成であってもよ
いのは当然である。
C,イメージアドレスモード 本発明は、第9図〜第11図に示すようなイメージモー
ドアドレッシングをも行うことができる。
走査線をスクリーン200上で位置決めするためには、
1024本の水平走査線を有する図示の実施例の場合に
は10ビツトが必要である。走査線は、ラスク走査表示
装置上の完全な走査線を形成する連続した画素の組とし
て定義される。1走査線には、80個の16ビノトワー
ドがある。従って、所定の走査線内でワードを示すため
には7ビツトが必要である。それ故、第10図に示すイ
メージアドレスは、走査線を示す10ビツトと、該走査
線内のワードを示す7ビツトとを有している。
本発明のビデオRAMの構成の故に、第1図に示すアド
レスバス100は11ビツトに制限され、従って、第1
1図に示すように、イメージアドレスはMSAサイクル
及びLSAサイクル中に転送される。
上述のように、アドレスバス100には3種類のアドレ
ッシングモードが発生する。これら3種のモードは、シ
リアルデータ転送(第2図〜第4図)、ベクタモードア
ドレッング(第5図〜第8図)、及びイメージモードア
ドレッシング(第9図〜第11図)であり、本発明のビ
デオRAM10はこれらの3モードに於いて動作するよ
うにされている。シリアルデータ転送によって、RAM
1O内部に於いてランダムシリアルボート情報転送が行
われる。ベクタモード及びイメージモードは、RAMl
0内に格納されている情報に対する変更を行うことを許
容する。
東−f Lj盪灰 第12図に、本発明のビデオRAMI Oをディスクリ
ート単一集積回路チップとして示す。第1図に戻って、
RAMl0のランダムボートサイド1200は次のよう
なビン構成を有している。
アドレスバス100(11ピン) データバス90(16ピン) /C3・・・チップ選択 V/I・・・ベクタ/イメージ選択 R/W・・・リード/ライト選択 /RFR3H・・・リフレッシュ RCLK・・・ランダムボートクロックビデオRAMl
0のシリアルボートサイド1210には、次のビンが指
定されている。
5CLK・・・シリアルクロック /SOE・・・シリアル出力イネーブル/LOAD・・
・ロード信号 データバス(4ビン) 更に、2本の電源ビン(Vcc)及び2本の接地ビン(
Vss)が必要である。
チップ選択信号/C3は選択すべきチップを選択する。
例えば、第1図に於いて、システム内に配されるチップ
10の数は限定されない。16個のチップか必要な場合
には、ランダムボート制御部120により適宜の/CS
ピンがアクティブにされる。
前述のように、ベクタ/イメージ信号V/Iによってそ
のチップがベクタモードでアドレス指定されているか又
はイメージモードでアクセス指定されているかが示され
る。本実施例ては、V/I信号がハイの時、該チップは
ベクタモードであり、V/I信号がローの時、イメージ
モードが実行される。
リード/ライト信号R/Wを説明する。R/Wがハイの
場合、チップ10はリードモードであり、データはデー
タバス90上に現れる。R/Wがローの場合、チップ1
0はライトモードであり、データはチップ10内のメモ
リに書き込まれる。チップ10内では次のような動作モ
ードが行われる。
第  1 又Z」−□ 表 サイクル イメージライト イメージリ ベクタライト シリアルデータ転送 ド に供給される単一クロック信号である。チップlOの内
部のランダムボートの動作の全てはこのクロック信号に
同期しており、それに基づいている。
これはランダムボートに対する唯一のクロック信号であ
り、好ましくはIMHzである。
ランダムボートアドレスバス100上のアドレス信号は
、シリアルデータ転送のためには第4図に示すような、
ベクタモードアドレッシングのためには第8図に示すよ
うな、そしてイメージモードアドレッシングのためには
第11図に示すようなMSAアドレス及びLSAアドレ
スのためのビットアドレスを運ぶ。
ランダムボートデータバス90上に現れるデータは、1
6個のパラレルビットであ、す、下記第2表に示す2組
のデータDINI及びDIN2としてチップIOに供給
される。
(以下余白) ランダムボートクロックRCLKはチ・ノブ10モード ベクタ イメージ 第  2  表 INI DR,START/STOP、 H/V DR,START/STOP IN2 リードデータ又は ライトデータ ここで、DRは描画ルールを、H/Vは水平/垂直を示
す。
ランダムポート制御部120から本発明のビデオRAM
l0には、内部リフレッシュ信号として用いられる/R
FR3Hも送られてきている。
また、本発明のビデオRAMl0は、シリアルポート制
御バス70を介してシリアルポート制御部60から制御
信号を受け取る。S CLK信号は単一シリアルポート
クロックであり、/SOEはシリアル出力イネーブル信
号である。/SOEがローの時、シリアルリードデータ
がデータバス50上に現れる。/LOADはデータロー
ド信号である。本発明では、シリアルポートにデータを
転送するために、シリアルポート12】0では単一のク
ロックのみを用いる。
第12図に示す2本のVccピンは、本実施例では+5
■の電力を供給する。Vssは2本の接地ビンである。
本発明に於いては、2本以上又はそれ以下の電源用及び
接地用のビンを用いてもよい。
第12図に示す単一集積チップは、ランダムポーl−1
200及びシリアルポート1210中に、RAMを3種
の動作モード(シリアルデータ転送、ベクタアドレッシ
ング、及びイメージアドレッシング)で動作させるため
に必要な回路の全てを有している。ランダムポートは、
RAMを各モードで動作させる制御イネーブルの複数組
の1つをバス140を介して受け取ることによって制御
される。そして、単一クロックRCLKの供給は、選択
された動作モードの実行に必要な内部制御イネプルの発
生に使用される。
第12図に示す各ビンに現れる信号については、本発明
のビデオRAMl0の内部構成及び動作についての下記
の説明に於いて説明する。ビンの数及び選択は好ましい
実施態様を示したものであって、本発明に於いては他の
態様とすることもできることに注意されたい。
[2]詳細な説明 以下に、本発明ビデオRAMの実施例の内部構成及び動
作を説明する。個々のレジスタ回路、ラッチ回路、シフ
ト回路等のそれ自体の動作及び構成は従来のものと同様
である。しかし、それらが組み合わされた回路構成は独
特のものである。その好ましい配置を説明するが、本発
明の教示により他の配置とすることも可能である。
a、シリアルポートサイド1210の構成複数のメモリ
ブロック1300を含む本発明のダイナミックビデオR
AMl0を第13図に示す。
本実施例では、各メモリブロック1300は、160メ
モリセルX1024メモリセルを有している。1個のチ
ップには8個のメモリブロックが設けられているので、
全部で1310720メモリセルがある。このメモリセ
ルの数は任意である。
メモリブロック1300の出力はライン1302を介し
て複数のダイナミックラッチ1304に与えられる。各
ダイナミックラッチ1304は、その対応して接続され
ているメモリブロック1300から読み出される32ビ
ツトの情報を記憶する。従って、8個のラッチによって
256ビツト又は1個の部分走査線が保持される。各ダ
イナミックラッチ1304の出力は接続ライン1308
を介して対応するシリアルデータポートレジスタ130
6に与えられる。各シリアルデータポートレジスタ13
06は32ビツトのレジスタを有しており、各レジスタ
は、第1図に示すように例えばカラーマツプ40に供給
するためにデータバス50に4ビツトをシリアルに供給
することができる。シリアルポート制御部60からの制
御信号70はシリアルステートマシン1314に供給さ
れる。シリアルステートマシン1314は、ダイナミッ
クラッチ1304からの情報の逐次読み出しを制御する
ために、ライン1316を介してシリアルデータポー1
−1306に接続されている。
従って、ダイナミックラッチ1304、シリアルデータ
ポート1306、及びシリアルポ−トサイド1314に
より、本発明のビデオRAMl0のシリアルポートサイ
ド1210が構成される。
b、ランダムポートサイド1200の構成ランダムポー
トサイド1200は、ランダムポートアドレスバス10
0に接続され、□更にライン1322(8ビツト)及び
ライン1324(5ビツト)を介してメモリブロック1
300に接続されたアドレスレジスタ1320を有して
いる。また、アドレスレジスタ1320は、ライン13
26(3ビツト)を介してブロックデコード回路133
0に、ライン1334を介してライトマスク1336及
び出力制御回路1338にも接続されている。ブロック
デコード回路1330はライン1332を介してメモリ
ブロック1300に接続されている。
データレジスタ1340はデータバス90に接続され、
更に、ライン1341(H/Vビット)を介してメモリ
ブロック1300に、ライン1344 (START、
5ビツト)及びライン1346 (STOP、5ビツト
)を介してライトマスク1336に接続されている。ラ
イトマスク1336は、ライン1348(32ビツト)
を介してメモリブロック1300に接続されている。デ
ータレジスタ1340は、ライン1350(4ビツト)
及びライン1352(16ビツト)を介して描画ルール
回路1354にも接続されている。描画ルール回路13
54は、ライン1356(32ビツト)を介してメモリ
ブロック1300に接続されている。
出力制御回路1338はランダムポートデータバス90
に接続されており、ライン1358によってメモリブロ
ック1300にも接続されている。
ライン1358にはテ゛ステイネ−ジョンラッチ136
0も接続されており、デスティネーションラッチ136
0は、ライン1362(32ビツト)を介して描画ルー
ル回路1354に、ライン1364を介してランダムス
テートマシン1366に接続されている。ランダムステ
ートマシン1366は、ランダムポートコントロールバ
ス140よりランダムポート制御入力信号を受け取る。
従って、アドレスレジスタ1320、フロックデコード
回路1330、データレジスタ1340、ライトマスク
1336、出力制御部1338、描画ルール回路135
4、デステイ不−ンヨンラノチ1360.及びランダム
ステートマシン1366によって、本発明のビデオRA
Mのランダムポートサイド1200が構成される。ラン
ダムポートサイドの構成はこれに限定されるものではな
く、他の構成とすることもできる。例えば、デステイ不
−ンヨンラノチ1360をストローフ゛された組合せ論
理を用いて設計し、格納されているビデオ情報を供給又
は保持するようにすることもてきる。
C,シリアルポートサイド1210の 本発明のダイナミックビデオRAMの動作を、メモリブ
ロック1300内の情報を送り出して第1図のカラーモ
ニタ20上に画像を形成するノリアルデータ転送モード
の動作について先ず説明する。この走査線転送動作モー
ドは、第2図〜第4図に示したアドレッシング技法を用
いている。
第18図のタイミングチャートでは、RCLK。
/C8、V/I及びR/Wの各イネーブルが制御バス1
40によってランダムポート制御部120から供給され
る。アドレスADDはバス100を介して図形ハードウ
ェア回路110から供給されている。/C3信号はどの
ビデオRAMチップ10をアクティブにするのかを選択
する。このシリアルデータ転送の動作モードでは、R/
Wビットがハイであって、メモリブロック1300の読
出しが行われる。シリアルデータ転送の場合には、第1
8図に示すようにハイに設定されたV/Iビット(第1
表参照)が選択されると、第1表に示すようにヘクタモ
ードが選択される。従って、メモリブロック1300か
らダイナミツクラ、ツチ1304へ転送されるデータの
アドレス(MSA及びLSA)はバス100に含まれる
(第4図参照)。第18図に示す第′1の時間間隔(時
間1800及び1810)の間に、単一のクロック信号
RCLKによりランダムステートマシン1366はアド
レス(MSA及びLSA)をアドレスレジスタ1320
に入力するようにする。メモリブロック1300の内容
がカラーマツプ40にシリアルに供給されるように該メ
モリブロックを読み出す場合には、スクリーンリフレッ
ンユのための選択された部分走査線の転送は次のように
して起こる。
8個のメモリブロック1300の各々からの情報の32
ビツトは、ライン1302を介してダイナミックラッチ
1304によって読み取られる。ダイナミックラッチ1
304は、ラインEN−DLを介してランダムステート
マシン1366から、メモリブロックからデータを読み
取るべき旨を示す信号を受け取る。8個のダイナミック
ラッチの全てがそのようにイネーブルされ、256ビツ
トの部分走査線のための32ビツトを各々が読み取る。
読み取りの後、EN−DLは適宜に活性化され、読み出
された情報はライン1308を通じてシリアルデータポ
ート1306に送られる。また、これは、8個のシリア
ルシフトレジスタの各々のための情報の32ビツト情報
の並列転送である。
シリアルデータポート1306はシフトレジスタによっ
て構成されている。また、8個のシリアルデータポート
1306の各々は、シリアルステートマシン1314及
びシリアルクロック5CLKの制御下にある。ラインS
Lを介してシリアルデータポート1306がイネーブル
されると、各クロック信号は所定のシリアルデータポー
ト1306からデータバス50に4ビツトを転送する。
このデータの転送は次のようにして行われる。
シリアルステートマシン1314は、シリアルクロック
パルス5CLKをカウントするカウンタを備えている。
従って、5CLKのパルスが入来する毎にそれらはシリ
アルデータポー)1306に送られ、該ポートはそのよ
うなパルスが8個与えられることによって、記憶してい
る32ビツトを1度に4ビツトずつビデオデータバス5
0に出力する。そして、次の8個の5CLKパルスによ
って次のメモリブロック部分からの32ビ、トがビデオ
データバス50に出力される。このようにして、シリア
ルステートマシン1314は、シリアルデータポート1
306から、1個の部分走査線が出力されるまで、格納
されているデータを各シリアルデータポート1306が
ら出力するようにさせる。部分走査線が出力されると、
シリアルポートコントロールバス70を介して/LOA
D信号がシリアルステートマシン1314に与えられ、
シリアルデータポート1306の全てに次の部分走査線
のためのデータをダイナミックラッチ1304からロー
ドするようライン1316を介して指令が与えられる。
シリアルデータポート1306に入力される/SOEに
よって、マルチプレクサは、−時に4ビツトの情報をカ
ラーマツプ40に供給するようにされる。
本発明によれば、シリアルポートを他の構成とすること
もできる。シリアルボートをランダムポートとは非同期
とし、チップ10が他の動作をしている間にバス50を
介してデータを転送するようにすることもできる。
d、ランダムポートサイド1200の動作ダイナミック
ビデオRAMl0のランダムポート1200の動作を説
明する。
用語「描画ルール」は、メモリブロック1300に書き
込む際の「ソース」と「ディスティネーション」とを組
み合わせる論理演算子であるとする。本実施例では、描
画ルールは下記第3表のように決められている。
(以下余白) 揃j」り1土 ooo。
0 l 11 111 l 第  3  表 肱果 クリア(全て0) ソースANDデスティネーション ソースAND (NOTORデスティ ネーショ ンース (NOTソース)ANDデスティネ ーション デスティネーション ソースXORデスティネーション ソースORデスティネーション ソースNORデスティネーション ソースNXORデスティネーション NOTデスティネーション ソースOR(NOTデスティネーシ ョ ン) NOTソース (NOTソース)ORデスティネー ション ソースNANDデスティネーション セット(全てl) 第3表の説明は後で行う。更に、本発明では、DINI
及びDIN2と称する2個のデータサイクルを用いる。
第14図では、DINI及びDIN2はイメージモード
のためのものとして示されている。第15図では、DI
NI及びDIN2はベクタモードのためのものとして示
されている。
本発明によれば、描画ルールの機能はダイナミックビデ
オRAMチップ10内に直接設けられている。これによ
り、メモリブロック1300内でのデータの変更が速く
なる。従来のビデオRAMの設計によれば、メモリブロ
ック内の情報をビデオRAMチップから読み出し、他の
チップ又は回路で変更する必要がある。チップ外で変更
された後にメモリブロック内に再び書き込まれるので、
処理が遅い。
本実施例では、最大32個の画素を1回の処理で変更す
ることができる。従来の手法はイメージモードを用いる
ものであったのに対して、本発明では、所定ページ内の
水平又は垂直ベクタを所定の描画ルールに従って修正し
、変更することができる。この特徴によって、メモリブ
ロック内の情報の変更するための時間を極めて速くする
ことができる。例えば、従来の手法でスクリーン200
の垂直線を変更する場合には、その垂直線に対応する1
個のビットを変更するために多数の水平走査線をメモリ
から読み出さなければならない。本発明によれば、1個
の垂直ベクタのみをアクセスして変更すれば良いので、
従来の手法に比べてシステム性能を飛躍的に改善するこ
とができる。現在のビデオRAMでは毎秒30万〜70
万のベクタを処理することができるものと見積られてい
る。
本発明によれば、毎秒400万の水平又は垂直ベクタを
処理することができる。
この高速化は後述のようにベクタライトモードを設ける
ことに基づいている。ベクタライトモードに於いて、第
8図のMSAアドレス及びLSAアドレスは、アドレス
レジスタ1320内に逐次にロードされる。これを第1
9図のタイミングチャートに示す。ここでは、/C3が
適切なチップを選択し、V/Iリードはベクタモードを
選択するためにハイであり、R/Wは書込みを行うため
にローである。従って、アドレス(第8図)のMSA及
びLSAはアドレスレジスタ1320にロードされ、描
画ルール、START、及びSTOP(第15図)はラ
ンダムボートデータバス90を介してデータレジスタ1
340にロードされる。
ベクタアドレス(MSA及びLSA)並びにデータ(D
INI)は第1の時間間隔の間に供給される。
第20図に、ベクタライト、ページモードのためのタイ
ミングを示す。ここでは、MSAは同じままであるが、
LSA及びDINについては、時刻2000及び201
0に於いてLSAが、時刻2020及び2030に於い
てDINIが変えられる。第8図のページロウ、ページ
コラム及びベクタ識別を有するMSAアドレス及びLS
Aアドレスは、アドレスレジスタ1320内に格納され
る。ライン1322を経て8ビツトの出力が供給されて
、メモリブロック1300のメモリロウをアドレスする
。5ビツトはライン1324を介して供給されメモリブ
ロック1300のメモリコラムをアドレスし、残りの3
ビツトはライン1326を介してブロックデコード回路
部1330に供給される。ブロックデコード回路部13
30は、8個のメモリブロック1300の1個を選択的
にアクティブにするための、8出力の内の1個を選択す
るデコーダである。
ベクタモードに於いては、第15図に示すDINlはデ
ータバス90を介してデータレジスタ1340内に読み
込まれる。DIN2はこのモードでは用いられない。5
ピツトのSTARTビツトはライン1344を経てライ
トマスク1336に、5ビツトのSTOPビツトはライ
ン1346を経てライトマスク1336に供給される。
4ビ・ソトの描画ルールビットは、ライン1350を経
て描画ルール回路部1354に供給される。H/Vビッ
トは、データレジスタ1340からライン1342を介
してメモリブロック1300に供給される。
アドレスレジスタは、データをバスから読み出すように
し、情報をレジスタ内に格納するようにする通常のレジ
スタ構成とすることができる。アドレスレジスタは、M
SAイネーブルによって上位アドレスを読み出すように
、LSAイネーブルによって下位アドレスを読み出すよ
うにイネ−フルされる。同様に、データレジスタ134
0は通常の構成であり、DINIイネーブルライン及び
DIN2イネーブルラインによって選択的にイネーブル
されると、データバス90からデータを読み込み、それ
を内部に格納する。この時点で、アドレスレジスタ13
20及びデータレジスタ1340は、水平又は垂直ベク
タのどちらかを識別し、それに対して描画ルール操作を
行うための必要なベクタ情報を有している。他の回路は
前述のアドレス機能及びデータ機能を有するようにする
ことができる。
第5図〜第8図を再び参照すれば、選択された垂直ベク
タ600又は水平ベクタ610は32個の画素で、或い
はメモリブロック1300内にある場合には32個のメ
モリセルで構成されていることが判るであろう。STA
RT及びSTOP情報は、描画ルールに従って変更され
るべきベクタの正確な部分を伝える。例えば、ベクタ内
の変更を始める場所が該ベクタの先頭から7ビノト目で
ある場合には、STARTコマンドは00111であり
、STOP位置が15ビツト目である場合には、STO
Pコマンドは01111である。START及びSTO
P情報は、32個のライトプロテクトモード号をライン
1348を介して与え得るライトマスクに供給される。
従って、32ビツトベクタに於いて位置7で始まり、位
置15で終わる本例の場合には、始めの7ビツトはライ
トプロテクトモードでアクティブにされ、終わりの16
ビツトはライトプロテクトモードでアクティブにされて
、ライン1356を介してNEWデータがメモリ内にフ
ィードバックされる際に、START位置とSTOP位
置との間のメモリセルの所望の部分のみがメモリ内に書
き込まれるようにされる。
第16図に、ベクタライトベージモードに於いて描画ル
ールを実行する例を示す。アドレスレジスタ1320は
、メモリブロック1300内の特定の水平ベクタ又は垂
直ベクタをアドレス指定する。ベクタが水平であるのか
垂直であるのかは、第15図のDINl中の最下位のビ
ットであるライン1342上のH/V信号によって決定
される。
○LD情報はメモリブロックからライン1358上に読
み出される。第16図に於いて、DESTは「デスティ
ネーション」を示している。情報は、必要に応じて出力
制御部1338を経てシステムに送り返してもよいし、
デスティネーションラッチ1360に送ってもよいこと
に注意されたい。
ライン1364上の適切なイネーブル信号DESTによ
り、デスティネーションラッチ1360はOLD情報を
読み込むことが可能となる。第16図に示すデスティ不
−ンヨン情報の32ビツトの全てがラッチ1360に読
み込まれる。デスティネーションラノチ1360の出力
1362は、デスティネーション入力として描画ルール
回路1354に供給される。ベクタ動作モードでは、デ
ー6一 タレジスタ1340からライン1352に出力されるソ
ース(SRC)信号は全て1に設定されており、このこ
とは第16図に示されている。描画ルールは第3表に示
されている。
第16図に示す例では、l’−NOTデスティネーショ
ン」描画ルールである1010がデータレジスタ134
0に現れる。従って、OLD情報又はデスティネーショ
ンデータDESTは反転されて、第16図でNEWと称
される新たな変更されたベクタとなる。しかし、この情
報のメモリブロックへの書き込みはライトマスク133
6の制御下で行われ、前述したように、例えばピッ1−
31〜26及びビット15〜0が書き込み禁止となる。
NEWデータのビット25〜16のみがメモリに書き込
み可能である。同様にして、描画ルールの全ての論理関
数は、START及びSTOP情報に基づいて、ベクタ
全体又はベクタの一部に対して実行される。
ベクタ動作モードに於いては、メモリブロック1300
内の最大32画素の変更が、チップ上での1回の操作で
行われうる。本発明に於いては、H/Vビットを使用す
ることにより、第6図に示すような水平に配置されたベ
クタ及び垂直に配置されたベクタの何れをも変更するこ
とができる。
イメージ動作モードに於いては、第11図のMSAアド
レス及びLSAアドレスが用いられる。
イメージリード及びイメージライトの両方のタイミング
を第21図に示す。ここでもまた、/C3が適切にイネ
ーブルされる。V/Iはイメージモード用にローに設定
される。R/Wが読み出しのためにハイに設定された場
合には、読み出しアドレス(MSA2100及びLSA
2110)がバス100を介して供給され、データDO
UTがバス90上に読み出される。R/Wが書き込みの
ためにローに設定された場合には、書き込みアドレス(
MSA2120及びLSA2130)がバス100を介
して供給され、データDINIプラスDIN2がバス9
0を介してチップに供給される。
ここで、アドレス及びDINI  (即ち、描画ルール
及びSTART/STOP)は第1の時間間隔中に供給
され、DIN2(即ちソースデータ)は第2の時間間隔
中に供給される。
第22図にベージモードでのイメージリード及びイメー
ジライトのタイミングを示す。ページモードでは、アド
レスのLSA部分が変化する。従って、読み出しに於い
ては、LSAの変化により新たなデータDOUTの読み
出しが起こる。R/Wがローの書き込みの場合には、L
SAの供給の直後に新たなデータが与えられる。
最後に、第23図にイメージリードモディファイライト
のタイミングを示す。ここでは、第14図のDINlに
よりSTART、STOP及び描画ルールが供給される
。また、Doutはアドレス指定された位置のデータで
あり、DIN2はチップに読み込まれるべきソースデー
タである。前と同様に、MSA及びLSAがアドレスレ
ジスタ1320に読み込まれ、第14図の対応するDI
Nl及びDIN2のデータ構成がデータレジスタ134
0に読み込まれる。イメージ動作モードでは、走査線か
らの16ビノトのワードがメモリフロック1300から
読み出され、デスティネーションラッチ1360に供給
される。
第17図に、メモリブロック1300からOLD情報と
して読み出されたDESTと称されるワードの一例を示
す。イメージ動作モードでは、ソースデータは第14図
に示すようにDIN2で供給され、また、SRCとして
示されている。第17図はソースデータの一例を示して
いる。この16ビツトのソースデータはSRCは、ライ
ン1352を介して描画ルール回路1354に供給され
る。 「exclusive−ORJ  (DR=01
10)のような描画ルールが用いられると、回路135
4は第17図に示されるNEWワードをリード1356
上に出力する。再び、イメージ動作モードはマスキング
の目的のためのワード内のSTART及びSTOP位置
を有することができる。
この例ではSTARTが0011であり、STOPが1
000であるとしている。従って、マスク回路1336
は、第17図のMASKに於いて示されているビットの
ための書き込み禁止WPを提供する。メモリに書き込ま
れるデータは第17図にMEMとして示されている。本
発明では、イメージ動作モードに於いて、描画ルールの
操作をチップ上で行うことができる。
上述し、第23図に示すように、本発明では、描画ルー
ルはアドレスの供給と共に、アドレスサイクルと同じ時
間間隔中に並行して供給される。
このことにより、描画ルールを供給するための別個の時
間間隔を必要とする前述の日立のアプローチに比して大
ぎな高速化が可能となる。
シリアルデータ転送モードの動作に於いては、第4図の
MSAアドレス及びLSAアドレスが用いられ、これら
がアドレスレジスタ1320に読み込まれる。第2表に
示したように、ここでは対応するDINI又はDIN2
データワードは存在しない。これらのMSA及びLSA
アドレスワードが読み込まれると、上述したように、適
切な走査線及び走査線部分がメモリブロック1300か
らダイナミックラッチ1304へ読み出される。
ランダムステートマシン1366は、通常の設計のもの
であり、入力される制御イネーブル(即ち、V/L  
R/WS RFR3H及び/C3)の組に基づき、単一
クロックRCLKのパルスに従って、下記の内部ランダ
ムボートイネーブルパルスを供給する。この内部ランダ
ムポートイネ−フルパルスは、(1)アドレスバス10
0上の上位アドレス及び下位アドレスをアドレスレジス
タ1320に読み込むためのEN−MSA及びCLKL
SA、(2)パス90上に現れるデータをデータレジス
タ1340に読み込むためのCLKDINI及びEN−
DIN2、(3)デスティネーションラッチ1360を
イネーブルするためのDEST、(4)メモリブロック
1300のそれぞれを通常の方式でプリチャージするた
めのPRECH,(5)メモリプロ!り1300からの
データをダイナミックラッチ1304が読み込むことを
可能にするためのEN−DL、(6)ライトマスク13
36をイ不−フ゛ルして、START及びSTOP情報
に基づくメモリブロック1300の書き込み禁止を行う
ための/WE、(7)アトレスのブロック選択部分によ
って指定された特定のメモリブロックではなく、全ての
メモリブロックにアクセスするためのALL (この信
号は全ての標準及びシリアルデータ転送サイクルの期間
中に用いられる)、並びに(8)出力制御部1338を
イ不−フ゛ルして、データバス90にデータを出力させ
るOE倍信号ある。本実施例ではこれらの内部イネーブ
ルが用いられるが、このアプローチに基づく変更例に於
いては、他のイネーブルを用いることもできる。
ランダムステートマシン1366は、例えば第24図に
示すプログラマブルロジックアレイを有することができ
る。ここでは、単一クロックRCLKの使用に基づく入
力140(即ち、制御イネーブルの組)により、上述の
出力が生成される。
ランダムステートマシン1366に対する内部信号は、
ロジックアレイ2400の次の状態である。
次状態を第25図に示す。
第25図に於いて、人力の組のフォーマットは、/C3
,RFR3H,V/I及びR/Wである。
第25図からから分かるように、制御バス140からの
異なるイネーブルの組(入力)に対して、ランダムステ
ートマシンはクロック(RCL K)に導かれて、状態
の所定のシーケンスを生成し、以下に規定される制御パ
ルスを出力する。
出力の5TATE信号は状態からデコードされる。これ
を第4表に示す。
(以下余白) 第 4表 出力の関係を第5表に示す。
状態 出力 ×  × ×  × ×  × ×  × X  × ×  × ×  X ×  × ×  × ×  × ×  × ×  × ×  × ×  l 出力10 出力9 出力8 出カフ 出力6 出力5 出力4 出力3 出力2 出力l 出力0 第 5表 RECH EN−MSA CLK−LSA CLK−DINI EN−D  I  N2 EN−DEST /WE 0E LL /IRFR3H EN−DL 第5表に示すランダムボート制御信号は、ランダムボー
ト1200に於いて、第18図から第23図に示すよう
にクロックRCL Kのエツジで有効となる。
−9に の開示に基づき、単一クロックパルスRCLKのみが本
発明のランダムボート1200を制御していることが明
瞭に理解される。換言すれば、本発明のランダムボート
1200は制御信号の組(即ち、第25図の入力)を受
け取る。各組はランダムボートの異なる動作モードに対
応している。
ランダムステートマシン1366は受け取られた組に対
してシーケンス構成(即ち、第25図の状態及び次状態
)を与える。異なる組のそれぞれは異なるシーケンス構
成を有しており、その結果、それ自身の内部制御パルス
の所定のシーケンス(第4表)が得られる。単一ランダ
ムボート制御信号は、内部制御パルスの構成されたシー
ケンスを実行するために必要なタイミング信号を提供し
、その結果、ランダムボートは受け取った制御信号の組
に対応する動作モードで動作する。好ましいアプローチ
は第25図、第4表及び第5表に示されているが、本発
明の教示の下で、本実施例では16.7MHzである単
一ランダムボートクロックが供給される状況に於いて動
作するための、制御信号及び状態の他の構成を規定する
ことができることを理解すべきである。
上述の状態表を第19図から第23図のタイミング図と
組み合わせると、メモリ内の記憶された情報を変更する
方法は、単一ランダムポートクロノクRCLKから導出
される一連の時間間隔に基づいている。第1の時間間隔
中には、ベクタアドレス又はイメージアドレス並びに描
画ルール、START位置及びSTOP位置がチップに
与えられる。次に、制御イネーブルの組に基づいて、R
CLKは適宜の状態表を通じてシーケンスする。
従って、第2の時間間隔中に、アドレス指定された情報
がメモリから供給され、ソースデータがチップに供給さ
れる。第3の時間間隔中には、供給された情報(即ち、
第16図及び第17図のDEST)が、描画ルール(即
ち、第3表)に基づいて、ソースデータ(即ち、第16
図及び第17図の5RC)を用いて変更される。第4の
時間間隔中には、変更された情報(即ち、第16図及び
第17図のNEW)が、START及びSTOPビット
位置(即ち、第16図及び第17図のMASK)の間に
於いて、メモリに書き込まれる。本発明の教示の下で、
この方法に変更を加えることは可能である。
好ましい実施例では特定のビットフィールド及びパター
ン、特定のピン構成並びに配置を例示したが、本発明は
これらに限定されず、本発明の教示に基づく他の実施態
様を用いることかできることを理解すべきである。
本発明の好ましい実施例を示したが、この実施例に対す
る修正及び変更を行うことができることを理解されたい
(以下余白) 4、′ の。 な8日 第1図は、本発明のダイナミ・ツクビデオRAMを組み
込んだシステムのブロック図である。
第2図は、第1図のシステムのカラーモニタ20のスク
リーン及び部分走査線を示す図である。
第3図は、本発明のシリアルデータ転送アドレスを説明
する図である。
第4図は、第3図のシリアルデータ転送アドレスの最上
位アドレス及び最下位アドレスを説明する図である。
第5図は、本発明のカラーモニタ20のスクリーンのペ
ージレイアウトを示す図である。
第6図は、単一のページ内のベクタを示す図である。
第7図は、ページアドレスのためのフォーマ・ノドを示
す図である。
第8図は、第7図のページアドレスの最上位及び最下位
アドレスビットを説明する図である。
第9図は、本発明のカラーモニタのイメージモードアド
レノソング構成を示す図である。
第10図は、イメージアドレスのフォーマットを示す図
である。
第11図は、第10図のイメージアドレスの最上位及び
最下位のアドレス部分を説明する図である。
第12図は、本発明のダイナミックビデオRAMの単一
チップの構成を示す図である。
第13図は、本発明のグイナミソクビデオRAMチップ
の回路ブロック図である。
第14図は、イメージ動作モードのためのデータ入力の
フォーマットを示す図である。
第15図は、ベクタ動作モードのためのデータ入力のフ
ォーマットを示す図である。
第16図は、ベクタ動作モードを説明する図である。
第17図は、イメージ動作モードを説明する図である。
第18図は、シリアルデータ転送のためのタイミングを
示す図である。
第19図は、ベクタ書込みのためのタイミングを示す図
である。
第20図は、ベクタ書込み、ページモードのためのタイ
ミングを示す図である。
第21図は、イメージ読出し/書込みのためのタイミン
グを示す図である。
第22図は、イメージ読出し/書込み、ページモードの
ためのタイミングを示す図である。
第23図は、イメージ読出し変更書込みのためのタイミ
ングを示す図である。
第24図は、ランダムボートステートマシンの実施例を
示す図である。
第25図は、ランダムボートステートマシンに於ける入
力、現在の状態及び次状態の表を示す図である。
IO・・・ダイナミックビデオRAM 1200・・・ランダムボート 1210・・・シリアルボート 1300・・・メモリブロック 1304・・・ダイナミックラッチ 1314・・・シリアルステートマシン0・・・データ
レジスタ 6・・・ランダムステ トマシン (以上)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、集積回路チップ上に配され、バスに接続されたダイ
    ナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、 それぞれが所定のページコラム位置及びページロウ位置
    を有するページであって、該ページ中のベクタロウ位置
    によって規定される複数の水平ベクタ及び該ページ中の
    ベクタコラムによって規定される複数の垂直ベクタをそ
    れぞれが有している複数のn×mビットのページを備え
    、ビデオ情報を格納するためのメモリ、 変更すべき該メモリのページ中の水平ベクタ又は垂直ベ
    クタのアドレスであって、 (a)該アドレス指定されたページのページロウを規定
    するための第1の複数ビット、 (b)該アドレス指定されたページのページコラムを規
    定するための第2の複数ビット、及び(c)該アドレス
    指定されたページのアドレス指定されたベクタを規定す
    るための第3の複数ビット を有するアドレスを受け取るための、該バスに接続され
    たアドレス指定手段、 ソースデータを受け取るための、該バスに接続されたデ
    ータ手段、並びに 該メモリ中のアドレス指定されたベクタに於いて該ソー
    スデータを用いて、格納されているビデオ情報を変更す
    るための、該メモリ、該アドレス指定手段、及び該デー
    タ手段に接続されている制御手段 を備えた、ベクタをアドレス指定するためのアーキテク
    チャを有するダイナミックビデオランダムアクセスメモ
    リ。 2、バスに接続されたダイナミックビデオランダムアク
    セスメモリに於いて、 集積回路チップ、 複数の水平ベクタ及び垂直ベクタをそれぞれが有してい
    る複数のn×mビットのページを備え、ビデオ情報を格
    納するための、該チップ上のメモリ、 該メモリの該ページ中の水平ベクタ又は垂直ベクタのア
    ドレスであって、 (a)アドレス指定されたページを規定するための第1
    の複数ビット、及び (b)該アドレス指定されたページ内の水平ベクタ又は
    垂直ベクタを規定するための第2の複数ビット を有するアドレスを受け取るための、該チップ上に配さ
    れ、該バスに接続されたアドレス指定手段、並びに 該メモリ中のアドレス指定されたベクタ位置に於いて該
    ソースデータを用いて、格納されているビデオ情報を変
    更するための、該メモリ、該アドレス指定手段、及び該
    データ手段に接続されている、該チップ上の制御手段 を備えているダイナミックビデオランダムアクセスメモ
    リ。 3、バスに接続されたダイナミックビデオランダムアク
    セスメモリに於いて、 ベクタアドレス及びイメージアドレスのどちらかによっ
    てアドレス指定され、ビデオ情報を格納するためのメモ
    リであって、 (a)該ベクタアドレスモードに於いては、それぞれが
    該メモリ中に所定のページコラム位置及びページロウ位
    置を有し、該ページ中のベクタロウによって規定される
    複数の水平ベクタ及び該ページ中のベクタコラムによっ
    て規定される複数の垂直ベクタを含む複数のページを備
    え、 (b)該イメージアドレスモードに於いては、それぞれ
    が複数のワードを含む複数の走査線を備える メモリ、 該メモリ中の変更すべき水平ベクタ又は垂直ベクタのた
    めの、ベクタモードアドレスであって、(a)該アドレ
    ス指定されたページのページロウを規定するための第1
    の複数ビット、 (b)該アドレス指定されたページのページコラムを規
    定するための第2の複数ビット、及び(c)該アドレス
    指定されたページのアドレス指定されたベクタを規定す
    るための第3の複数ビット を有するベクタモードアドレス、 該メモリ中の変更すべきワードのイメージモードアドレ
    スであって、 (a)アドレス指定されている走査線を規定するための
    第1の複数ビット、及び (b)該アドレス指定された走査線中のアドレス指定さ
    れたワードを規定するための第2の複数ビット を有するイメージモードアドレス のどちらか、及びアドレスモードを受け取るための、該
    バスに接続されたアドレス指定手段、該ベクタアドレス
    又はイメージアドレスに於いて格納されているビデオ情
    報を変更するために、ソースデータを受け取るための、
    該バスに接続されたデータ手段、並びに イメージモードアドレス又はベクタモードアドレスに於
    いて該ソースデータを用いて、格納されているビデオ情
    報を変更するための、該メモリ、該アドレス指定手段、
    及び該データ手段に接続されている制御手段 を備えた、イメージモード及びベクタモードのどちらか
    に於いてアドレス指定するためのアーキテクチャを有す
    るダイナミックビデオランダムアクセスメモリ。 4、単一集積回路チップ上に配され、バスに接続された
    ダイナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、 該チップ上に配されたメモリであって、それぞれが該メ
    モリの中の所定のページコラム位置及びページロウ位置
    を有する複数のページを備え、該ページのそれぞれが該
    ページ中のベクタロウ位置によって規定される複数の水
    平ベクタ及び該ページ中のベクタコラムによって規定さ
    れる複数の垂直ベクタをそれぞれが有しているメモリ中
    にビデオ情報を格納する手段、 変更すべき該メモリのページ中のベクタのアドレスであ
    って、 (a)該アドレス指定されたページのページロウを規定
    するための第1の複数ビット、 (b)該アドレス指定されたページのページコラムを規
    定するための第2の複数ビット、及び(c)該アドレス
    指定されたページのアドレス指定されたベクタを規定す
    るための第3の複数ビット を有するアドレスを、該バスを介して該チップ上で受け
    取る手段、 該アドレス指定されたページ中の該アドレス指定された
    ベクタに於いて、格納されているビデオ情報を変更する
    ために、該バスを介して該チップ上でソースデータを受
    け取る手段、並びに 該メモリ中のアドレス指定されたベクタ位置に於いて、
    格納されているビデオ情報を該ソースデータを用いて、
    該チップ上で変更する手段 を備えているダイナミックビデオランダムアクセスメモ
    リ。 5、ランダムバス及びシリアルバスに接続されたダイナ
    ミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、 該ランダムバス及びシリアルバスに接続された単一集積
    回路チップ、 シリアルデータ転送モード、ベクタモード及びイメージ
    モードに於いてアドレス指定される、ビデオ情報を格納
    するための、該チップ上に配されたメモリであって、 (a)該ベクタアドレスモードに於いては、それぞれが
    複数の水平ベクタ及び垂直ベクタを有する複数のページ
    を、 (b)該イメージアドレスモードに於いては、それぞれ
    が複数の走査ワードを有する複数の走査線を、 (c)該シリアルデータ転送モードに於いては、それぞ
    れが複数の部分走査ワードを有する複数の部分走査線を 備えているメモリ、 動作モード、及び(1)該メモリ中のベクタのためのベ
    クタモードアドレス、(2)該メモリ中の走査線のため
    のイメージモードアドレス、及び(3)該メモリ中の部
    分走査線のためのシリアルデータ転送アドレスを受け取
    るために、該ランダムバスに接続され、該チップ上に配
    されたアドレス指定手段、 イメージモードアドレス又はベクタモードアドレスのメ
    モリ位置に於いて情報をアクセスするために、該メモリ
    及び該アドレス手段に接続され、該シリアルデータ転送
    アドレスに於いて該メモリからの読み出しを行うランダ
    ムポート制御手段、並びに 該シリアルデータ転送アドレスに於いて読み出された情
    報を該シリアルバスに供給するための、該メモリに接続
    されているシリアルポート制御手段 を備えているダイナミックビデオランダムアクセスメモ
    リ。 6、集積回路チップ上に配され、バスに接続された高速
    ダイナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、 情報を格納するためのメモリ、 該メモリ内の変更すべきベクタデータのアドレスを受け
    取るため、該バスに接続されたアドレス指定手段、 格納されている情報の該ベクタデータを変更するための
    論理操作を指定する描画ルールデータと、変更に用いら
    れる入力データであるソースデータとを受け取り、該ベ
    クタデータ中の始まりビット位置データと終わりビット
    位置データとであるSTART位置及びSTOP位置を
    更に受け取るため、該バスに接続されたデータ手段、 格納すべき該ベクタデータを得るために、該メモリに接
    続され、描画ルールデータを受け取るための、該データ
    手段に接続されており、格納されている情報の該ベクタ
    データと該ソースデータとを該描画ルール論理操作に従
    って論理的に組み合せて、格納すべき情報の該ベクタデ
    ータを変更する描画ルール手段、 該START位置及びSTOP位置を得るために、該デ
    ータ手段に接続され、該ベクタデータのSTARTビッ
    ト位置とSTOPビット位置との間のみに於いて該論理
    組合せの該メモリへの書込みを許容するために、該メモ
    リに接続されているライトマスク手段、並びに 該描画ルール手段をアクティブにして、該論理組合せを
    実行し、該STARTビット位置とSTOPビット位置
    との間のみに於いて、該論理組合せから得られる情報の
    該変更されたベクタデータをメモリ内に書き込む制御手
    段 を備えた、該集積回路チップ上のアーキテクチャを有す
    るダイナミックビデオランダムアクセスメモリ。 7、前記アドレスが、前記メモリ中の格納されているイ
    メージデータをアドレス指定するためのイメージアドレ
    ス、又は該メモリ中の格納されているベクタデータをア
    ドレス指定するためのベクタアドレスを有しており、前
    記制御手段が、該イメージアドレス又は該ベクタアドレ
    スに基づいて該メモリを別々にアクセスすることのでき
    る請求項6に記載のダイナミックビデオランダムアクセ
    スメモリ。 8、集積回路チップ上に配され、バスに接続されたダイ
    ナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて、 情報を格納するためのメモリ、 変更すべき該メモリのページ中の該格納された情報のベ
    クタデータのアドレスを第1の時間間隔の間に受け取る
    ための、該アドレスバスに接続されたアドレス指定手段
    、 該ベクタデータを変更するための論理操作を指定する描
    画ルールデータを、該第1の時間間隔の間に受け取る、
    該データバスに接続されたデータ手段、 格納すべき情報の該ベクタデータを得るために、該メモ
    リに接続され、そして、描画ルールを受け取るために、
    該データ手段に接続されており、格納されている情報の
    該線と該ソースデータとを該描画ルール論理操作に従っ
    て第2の時間間隔の間に論理的に組み合せて、格納すべ
    き情報の該ベクタデータを変更する描画ルール手段、並
    びに該描画ルール手段を該第2の時間間隔の間アクティ
    ブにして、該論理組合せを実行するために、該メモリ、
    該アドレス手段、該データ手段及び該描画ルール手段に
    接続され、第3の時間間隔の間に、該論理的に組み合せ
    られた情報をメモリ内に書き込む制御手段 を備えた、該集積回路上のアーキテクチャを有するダイ
    ナミックビデオランダムアクセスメモリ。 9、前記第1の時間間隔、第2の時間間隔及び第3の時
    間間隔が該バスを介して供給される単一のクロック信号
    から得られている請求項8に記載のダイナミックビデオ
    ランダムアクセスメモリ。 10、前記アドレスが、前記メモリ中の格納されている
    イメージデータをアドレス指定するためのイメージアド
    レス、又は該メモリ中の格納されているベクタデータを
    アドレス指定するためのベクタアドレスを有しており、
    前記制御手段が、該イメージアドレス又は該ベクタアド
    レスに基づいて該メモリを別々にアクセスすることので
    きる請求項8に記載のダイナミックビデオランダムアク
    セスメモリ。 11、単一集積回路チップ上に配され、バスに接続され
    たダイナミックビデオランダムアクセスメモリに於いて
    、 第1の時間間隔の間に、 (a)メモリ中に格納されている変更すべきベクタデー
    タのアドレス、 (b)格納されているベクタデータを変更するための論
    理操作を含む描画ルール、並びに(c)始まりビット位
    置と終わりビット位置との間でベクタデータを変更する
    ためのSTART位置及びSTOP位置 をチップ上でバスから受け取る手段、 アドレス指定されたベクタデータと論理的に組み合わせ
    られるべきソースデータを、第1の時間間隔の後の第2
    の時間間隔の間にチップ上でバスから受け取る手段、 受け取られた描画ルールデータの論理操作に基づいて、
    アドレス指定されたベクタデータをソースデータを用い
    て、第2の時間間隔の後の第3の時間間隔の間にチップ
    上で変更する手段、並びに第3の時間間隔の後の第4の
    時間間隔の間に、STARTビット位置及びSTOPビ
    ット位置の間に於いて、情報の変更されたベクタデータ
    を用いて、メモリに対して書き込むを行う手段 を備えているダイナミックビデオランダムアクセスメモ
    リ。 12、単一クロックを運ぶバスに接続された、ダイナミ
    ックランダムアクセスメモリに於いて、該メモリ中の格
    納されている情報のアドレスを受け取るための、該バス
    に接続されているアドレス指定手段、 ソースデータを受け取るための、該バスに接続されてい
    るソース手段、 該アドレス指定され格納されている情報を該メモリから
    該バスに供給するための、該メモリに接続された出力手
    段、 該アドレス指定され格納されている情報を得るために、
    該メモリに接続され、該ソースデータを得るために、該
    ソース手段に接続され、該アドレス指定され格納されて
    いる情報と該ソースデータとを組み合わせて、該格納さ
    れている情報を変更し、該変更された情報を該メモリ内
    に再び書き込む変更手段、並びに 該バスに接続され、また、該アドレス手段、該ソース手
    段、該出力手段、該変更手段、及び該メモリに接続され
    、該アドレス手段、該ソース手段、該出力手段、該変更
    手段、及び該メモリの動作を制御するために、該バスか
    らの該単一クロックの受取に応答する制御手段 を備えたランダムポートを有するダイナミックランダム
    アクセスメモリ。 13、前記制御手段がランダムステートマシンであり、
    前記バスが制御イネーブルを有し、該ランダムステート
    マシンが、前記単一クロックに基づいて、内部制御パル
    スの所定のシーケンスを発生するために、制御イネーブ
    ルのそれぞれ異なった組に応答する請求項12に記載の
    ダイナミックランダムアクセスメモリ。 14、前記変更手段が前記単一クロックにより動作する
    描画ルール手段を備え、該描画ルール手段は、前記アド
    レス指定され格納されている情報を得るために、前記メ
    モリに接続され、前記ソースデータを得るために、前記
    ソース手段に接続されており、該描画ルール手段は、該
    アドレス指定され格納されている情報と該ソースデータ
    とを論理的に組み合わせ、その後に、格納されている情
    報の該アドレスに於いて、前記論理組合せを該メモリに
    再び書き込む請求項12に記載のダイナミックランダム
    アクセスメモリ。 15、前記単一クロックで動作する前記ソース手段が、
    前記アドレス指定され格納されている情報を変更するた
    めの論理操作である描画ルールを前記バスから受け取り
    、前記ソースデータが該変更の実行に用いられる入力デ
    ータであり、該ソース手段が、前記アドレス指定され格
    納されている情報を変更するために、その間で該変更が
    起こる該アドレス指定され格納されている情報中の始ま
    りビット位置と終わりビット位置とであるSTART位
    置及びSTOP位置を更に受け取り、前記変更手段が、 (a)該単一クロックにより動作し、前記アドレス指定
    手段中の前記アドレスに基づいた前記メモリからの該格
    納されている情報を保持するための、該メモリに接続さ
    れている保持手段、 (b)該単一クロックにより動作し、該アドレス指定さ
    れ格納されている情報を得るために、該保持手段に接続
    され、描画ルールを得るために該データ手段に接続され
    ており、該アドレス指定され格納されている情報と該ソ
    ースデータとを該描画ルール論理操作に従って論理的に
    組み合せて、該アドレス指定され格納されている情報を
    変更する描画ルール手段、並びに (c)該単一クロックにより動作し、該START位置
    及びSTOP位置を得るために、該データ手段に接続さ
    れ、該格納されている情報のSTARTビット位置とS
    TOPビット位置との間のみに於いて該論理組合せの該
    書込みを許容するために、該メモリに接続されているラ
    イトマスク手段 を備えている 請求項12に記載のダイナミックランダムアクセスメモ
    リ。 16、ランダムポートバス及びシリアルポートバスに接
    続されたダイナミックランダムアクセスメモリに於いて
    、 該ランダムポートバスが、アドレス、データ、ランダム
    ポート制御イネーブル、及び単一ランダムポートクロッ
    ク信号を運び、 該シリアルポートバスが、シリアルデータ、シリアルポ
    ート制御イネーブル、及び単一シリアルポートクロック
    信号を運び、 該ランダムポートバス及びシリアルポートバスに接続さ
    れた単一集積回路チップ、 情報を格納するための、該チップ上のメモリ、(1)該
    メモリのためのランダムアクセスアドレス及び(2)該
    メモリのためのシリアルデータ転送アドレスである該ア
    ドレスを受け取るための、該単一ランダムポートクロッ
    ク信号によって動作し、該ランダムポートからの該ラン
    ダムポート制御イネーブルを受け取り、該受け取られた
    ランダムアクセスアドレスのメモリ位置に於いて情報を
    アクセスするために該メモリに接続され、該受け取られ
    たシリアルデータ転送アドレスに於いて該メモリから情
    報を読み出す、該チップ上のランダムポート手段、並び
    に 該読み出された情報を該シリアルデータ転送アドレスに
    於ける該メモリから該シリアルポートバスに供給するた
    めの、該単一シリアルポートクロック信号によって動作
    し、該シリアルポート制御イネーブルを受け取る、該チ
    ップ上のシリアルポート手段 を備えているダイナミックランダムアクセスメモリ。 17、単一集積回路上に配されたダイナミックランダム
    アクセスメモリであって、ランダムポート及び該ダイナ
    ミックランダムアクセスメモリとランダムポートバスと
    をインターフェイスするランダムポートを制御する制御
    手段を有し、該制御手段が、 各組が該ランダムポートの動作の異なったモードに対応
    する複数組の制御信号の1組を該ランダムポートバスか
    ら受け取る手段、 該受け取られた1組に対応するランダムポートの動作を
    制御するため、内部制御イネーブルパルスの所定のシー
    ケンスを構成する手段、 ランダムポートバスを介して、所定の周波数を有する単
    一クロック信号を受け取る手段、及びランダムポートが
    制御信号の受け取られた組に対応する動作のモードで動
    作するように、受け取られた単一クロックのクロックパ
    ルスによって、内部制御イネーブルパルスの構成された
    所定のシーケンスを実行する手段 を備えているダイナミックランダムアクセスメモリ。
JP1310233A 1988-11-29 1989-11-29 デュアルポートダイナミックメモリ Expired - Fee Related JP2557113B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US278,333 1988-11-29
US277,687 1988-11-29
US07/277,687 US5148524A (en) 1988-11-29 1988-11-29 Dynamic video RAM incorporating on chip vector/image mode line modification
US277,637 1988-11-29
US07/277,637 US5142637A (en) 1988-11-29 1988-11-29 Dynamic video RAM incorporating single clock random port control
US07/278,333 US5148523A (en) 1988-11-29 1988-11-29 Dynamic video RAM incorporationg on chip line modification

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7051626A Division JP2604568B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7051624A Division JP2940809B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7051625A Division JP2593060B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02250132A true JPH02250132A (ja) 1990-10-05
JP2557113B2 JP2557113B2 (ja) 1996-11-27

Family

ID=27402922

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1310233A Expired - Fee Related JP2557113B2 (ja) 1988-11-29 1989-11-29 デュアルポートダイナミックメモリ
JP7051626A Expired - Fee Related JP2604568B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7051624A Expired - Fee Related JP2940809B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7051625A Expired - Fee Related JP2593060B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7076899A Expired - Fee Related JP2642899B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-31 半導体メモリ、半導体メモリのアクセス方法及びシステム
JP7076875A Pending JPH07325752A (ja) 1988-11-29 1995-03-31 ダイナミックビデオランダムアクセスメモリ

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7051626A Expired - Fee Related JP2604568B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7051624A Expired - Fee Related JP2940809B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7051625A Expired - Fee Related JP2593060B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-10 ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
JP7076899A Expired - Fee Related JP2642899B2 (ja) 1988-11-29 1995-03-31 半導体メモリ、半導体メモリのアクセス方法及びシステム
JP7076875A Pending JPH07325752A (ja) 1988-11-29 1995-03-31 ダイナミックビデオランダムアクセスメモリ

Country Status (3)

Country Link
EP (9) EP0778576B1 (ja)
JP (6) JP2557113B2 (ja)
DE (9) DE68929451T2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH052873A (ja) * 1990-10-15 1993-01-08 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH05274864A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Toshiba Corp 画像専用半導体記憶装置
JPH0696579A (ja) * 1992-03-19 1994-04-08 Toshiba Corp クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法
US5986968A (en) * 1992-03-19 1999-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device and access method thereof
US6249481B1 (en) 1991-10-15 2001-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6310821B1 (en) 1998-07-10 2001-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device and access method thereof
US6895171B1 (en) 1995-04-14 2005-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproduction and reproducing system for the same
WO2010001433A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 メモリ装置及びそれを制御するメモリコントローラ

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69124932D1 (de) * 1990-10-31 1997-04-10 Ibm Video-RAM mit schnellen Rücksetzung und Kopiermöglichkeit
NL194254C (nl) * 1992-02-18 2001-10-02 Evert Hans Van De Waal Jr Inrichting voor het converteren en/of integreren van beeldsignalen.
JP4236713B2 (ja) * 1997-07-30 2009-03-11 ソニー株式会社 記憶装置およびアクセス方法
JP4162348B2 (ja) * 2000-02-04 2008-10-08 株式会社東芝 メモリ混載画像処理用lsiおよび画像処理装置
KR100921683B1 (ko) * 2007-12-17 2009-10-15 한국전자통신연구원 키-값 데이터 모델을 위한 메모리 페이지 내 데이터저장방법
US8074040B2 (en) * 2008-09-23 2011-12-06 Mediatek Inc. Flash device and method for improving performance of flash device
KR20160132243A (ko) * 2015-05-08 2016-11-17 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147789A (ja) * 1982-02-12 1983-09-02 メセウス・コ−ポレ−ション 表示メモリおよびそのアドレス方法
JPS60113396A (ja) * 1983-11-25 1985-06-19 Toshiba Corp メモリlsi
JPS6198441A (ja) * 1984-10-19 1986-05-16 Fujitsu Ltd 半導体集積回路

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50102236A (ja) * 1974-01-07 1975-08-13
US3996559A (en) * 1974-11-07 1976-12-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for accessing horizontal sequences, vertical sequences and regularly spaced rectangular subarrays from an array stored in a modified word organized random access memory system
DE3015125A1 (de) * 1980-04-19 1981-10-22 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Einrichtung zur speicherung und darstellung graphischer information
WO1984003970A1 (en) * 1983-03-30 1984-10-11 Siemens Ag Hybrid associative memory and method for the retrieval and sorting of data contained therein
US4663735A (en) * 1983-12-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Random/serial access mode selection circuit for a video memory system
US4712190A (en) * 1985-01-25 1987-12-08 Digital Equipment Corporation Self-timed random access memory chip
US4755810A (en) * 1985-04-05 1988-07-05 Tektronix, Inc. Frame buffer memory
JPH0816882B2 (ja) * 1985-06-17 1996-02-21 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JP2575090B2 (ja) * 1985-06-17 1997-01-22 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPS62223891A (ja) * 1986-03-26 1987-10-01 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS6334795A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
DE3628286A1 (de) * 1986-08-20 1988-02-25 Staerk Juergen Dipl Ing Dipl I Prozessor mit integriertem speicher
US4870619A (en) * 1986-10-14 1989-09-26 Monolithic Systems Corp. Memory chip array with inverting and non-inverting address drivers
JPS63123142A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Nec Corp 半導体記憶装置
JP2593322B2 (ja) * 1987-11-06 1997-03-26 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5226147A (en) * 1987-11-06 1993-07-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device for simple cache system
JP3992757B2 (ja) * 1991-04-23 2007-10-17 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド マイクロプロセッサと同期するメモリ、及びデータプロセッサ、同期メモリ、周辺装置とシステムクロックを含むシステム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147789A (ja) * 1982-02-12 1983-09-02 メセウス・コ−ポレ−ション 表示メモリおよびそのアドレス方法
JPS60113396A (ja) * 1983-11-25 1985-06-19 Toshiba Corp メモリlsi
JPS6198441A (ja) * 1984-10-19 1986-05-16 Fujitsu Ltd 半導体集積回路

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7158444B2 (en) 1990-10-15 2007-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6535456B2 (en) 1990-10-15 2003-03-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
JPH052873A (ja) * 1990-10-15 1993-01-08 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US5875486A (en) * 1990-10-15 1999-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with clock timing to activate memory cells for subsequent access
US5926436A (en) * 1990-10-15 1999-07-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US7061827B2 (en) 1990-10-15 2006-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US5995442A (en) * 1990-10-15 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6654314B2 (en) 1990-10-15 2003-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6317382B2 (en) 1990-10-15 2001-11-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6373785B2 (en) 1990-10-15 2002-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6249481B1 (en) 1991-10-15 2001-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US6510101B2 (en) 1992-03-19 2003-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device
US7085193B2 (en) 1992-03-19 2006-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device
US6639869B2 (en) 1992-03-19 2003-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device
JPH0696579A (ja) * 1992-03-19 1994-04-08 Toshiba Corp クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法
US6842397B2 (en) 1992-03-19 2005-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device
US6973009B2 (en) 1992-03-19 2005-12-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device capable of switching between an asynchronous normal mode and a synchronous mode and method thereof
US5986968A (en) * 1992-03-19 1999-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device and access method thereof
JPH05274864A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Toshiba Corp 画像専用半導体記憶装置
US8254749B2 (en) 1995-04-14 2012-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8265451B2 (en) 1995-04-14 2012-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US7203414B2 (en) 1995-04-14 2007-04-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US6895171B1 (en) 1995-04-14 2005-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproduction and reproducing system for the same
US8233766B2 (en) 1995-04-14 2012-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8249417B2 (en) 1995-04-14 2012-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8249418B2 (en) 1995-04-14 2012-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8320737B2 (en) 1995-04-14 2012-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8254751B2 (en) 1995-04-14 2012-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8254748B2 (en) 1995-04-14 2012-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8254750B2 (en) 1995-04-14 2012-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8417093B2 (en) 1995-04-14 2013-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8275240B2 (en) 1995-04-14 2012-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8275239B2 (en) 1995-04-14 2012-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8275238B2 (en) 1995-04-14 2012-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8285112B2 (en) 1995-04-14 2012-10-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8295675B2 (en) 1995-04-14 2012-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8301010B2 (en) 1995-04-14 2012-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8306388B2 (en) 1995-04-14 2012-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8306389B2 (en) 1995-04-14 2012-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US8311388B2 (en) 1995-04-14 2012-11-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium capable of interactive reproducing and reproduction system for the same
US6310821B1 (en) 1998-07-10 2001-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Clock-synchronous semiconductor memory device and access method thereof
WO2010001433A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 メモリ装置及びそれを制御するメモリコントローラ
US8493400B2 (en) 2008-06-30 2013-07-23 Fujitsu Semiconductor Limited Memory device and memory control for controlling the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0371488A3 (en) 1992-08-12
DE68929482D1 (de) 2003-09-18
EP0798734B1 (en) 2004-02-18
DE68928839D1 (de) 1998-11-26
DE68929485D1 (de) 2003-11-06
EP0778579A3 (en) 1998-02-18
EP0798734A2 (en) 1997-10-01
EP0635817B1 (en) 1998-10-21
DE68929485T2 (de) 2004-07-29
EP0778577A3 (en) 1998-02-18
EP0778576A3 (en) 1998-03-18
DE68928839T2 (de) 1999-04-01
EP0635817A2 (en) 1995-01-25
DE68929407T2 (de) 2003-01-16
EP0635816B1 (en) 1998-10-21
DE68928840D1 (de) 1998-11-26
DE68928840T2 (de) 1999-04-01
EP0371488B1 (en) 1996-01-31
DE68925569D1 (de) 1996-03-14
EP0778579B1 (en) 2003-10-01
JP2593060B2 (ja) 1997-03-19
JPH087565A (ja) 1996-01-12
EP0635817A3 (en) 1995-05-17
DE68929195D1 (de) 2000-05-18
EP0798733B1 (en) 2003-08-13
EP0798733A2 (en) 1997-10-01
EP0778576A2 (en) 1997-06-11
JPH07271970A (ja) 1995-10-20
JP2557113B2 (ja) 1996-11-27
EP0778576B1 (en) 2000-04-12
DE68925569T2 (de) 1996-08-08
DE68929514D1 (de) 2004-03-25
EP0778577B1 (en) 2002-06-12
DE68929482T2 (de) 2004-06-24
DE68929407D1 (de) 2002-07-18
EP0371488A2 (en) 1990-06-06
EP0635816A2 (en) 1995-01-25
DE68929451T2 (de) 2003-06-05
JPH07271657A (ja) 1995-10-20
DE68929451D1 (de) 2003-02-20
EP0798734A3 (en) 1998-02-18
DE68929195T2 (de) 2000-12-21
JP2604568B2 (ja) 1997-04-30
EP0778577A2 (en) 1997-06-11
JPH07287978A (ja) 1995-10-31
EP0778578A2 (en) 1997-06-11
EP0778579A2 (en) 1997-06-11
JPH07325752A (ja) 1995-12-12
JP2940809B2 (ja) 1999-08-25
EP0778578A3 (en) 1998-02-18
DE68929514T2 (de) 2004-12-30
EP0798733A3 (en) 1998-02-18
JP2642899B2 (ja) 1997-08-20
EP0635816A3 (en) 1995-05-17
EP0778578B1 (en) 2003-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5148524A (en) Dynamic video RAM incorporating on chip vector/image mode line modification
US4961171A (en) Read/write memory having an on-chip input data register
US5661692A (en) Read/write dual port memory having an on-chip input data register
US5142637A (en) Dynamic video RAM incorporating single clock random port control
US5148523A (en) Dynamic video RAM incorporationg on chip line modification
US5761694A (en) Multi-bank memory system and method having addresses switched between the row and column decoders in different banks
US4745407A (en) Memory organization apparatus and method
US4933879A (en) Multi-plane video RAM
JP2557113B2 (ja) デュアルポートダイナミックメモリ
US5654932A (en) Memory devices with selectable access type and methods using the same
US5581513A (en) Continuous page random access memory and systems and methods using the same
KR0174630B1 (ko) Dram/vram 메인 메모리의 블록/플래시 기입 기능을 위한 다중 데이타 레지스터 및 번지 지정 기술
USRE35680E (en) Dynamic video RAM incorporating on chip vector/image mode line modification
JPH04362692A (ja) マルチポートメモリ
JPH03207080A (ja) マルチポートメモリ

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees