JPH02247616A - 高分子液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高分子液晶素子に関し、特に強誘電性高分子
液晶化合物を表示層として有する高分子液晶素子に関す
るものである。

［従来の技術］ 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（１ｇ
、５ｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリツヒ（Ｗ。

ｌ１ｅｌｆｒｉｃｈ）著“アプライド・フィジックス・
レターズ″　（“Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ　”　）第１８巻、第４号（１９７１年２
月１５日発行）第１２７頁〜１２８頁の“ボルテージ・
デイペンダント・オプティカル・アクティビイティー・
オブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリ
スタル”（“Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ　０
ｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａＴｗｉｓｔ
ｅｄ　Ｎｅ＋＊ａｔｉｃ　１ｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａ
ｌ”）に示されたライステ・ンド・ネマチック（ｔｗｉ
ｓｔｅｄ　ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知られ
ている。このＴＮ液晶は画素密度を高くしたマトリクス
電ａｌｉｌｌ造を用いた時分割駆動の時、クロストーク
を発生する問題点があるため、画素数が制限されていた
。

また、電界応答が遅く視野角特性か悪いためにデイスプ
レィとしての用途は限定されていた。また、各画素に薄
膜トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、大面
積の表示素子を作成することが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用か、クラーク（Ｃ１
ａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）によ
り提案されている（特開昭５１ｉ−１ｃ＋７２１６号公
報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）、双安定性
を有する液晶としては、一般にカイラルスメクティック
Ｃ相（Ｓｍ”Ｃ）またはＨ相（Ｓｍ’″Ｈ）を有する強
誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶（ＦＬＣ）は、自発分極を有するため
に非常に速い応答速度を有する上に、メモリー性のある
双安定状態を発現させることかτ゛きる。さらに、視野
角特性もすぐれていることから、大容量、大面積のデイ
スプレィ用材料として適していると考えられる。しかし
、実際に液晶セルを形成する場合、広い面積にわたって
モノドメイン化することは困難であり、大画面の表示素
子を作るには技術上の問題があった。

このような問題に対して、界面エネルギーを利用し、エ
ピタキシー的手法により強誘電性スメクチック液晶のモ
ノドメインを作成することか報告されている。（米国特
許第４５６１７２６号明細書）しかしながら、このよう
にして得られたモノドメインは本質的に安定でなく、圧
力や熱刺激により容易にマルチドメイン化するために大
面積化は困難である。

一方、素子化が容易で大面積表示に適したものとして高
分子液晶素子が提案されている。電場によって駆動する
ものとしては、米国特許第４２３９４３５号等が知られ
ている。

又、熱によって５代表的には、レーザー光によってアド
レスするものとして英国特許第２１４６７８７号が知ら
れており、サーマルヘッド等でアドレスするものとして
特開昭６２−１４１１４号公報等がある。

これらの高分子液晶素子を用いるものは大面積で高精細
な表示に適するものであるが、応答速度か遅いため動画
や書き換えを高速で行う用途には適していない欠点があ
った。

以上の欠点を解消するために種々の検討がなされている
。その１つとして、エヌ　ニー　ブラーテ等［ポリマー
　ブレタンＪ　１２．２９９頁、　　（１９８４年）　
［Ｎ、Ａ、ＰＩａｔｅ　ｅｔａｌ、　Ｐｏｌｙｍｅｒ　
Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、　１２゜２９９　（１９８４）］に
は、強誘電性高分子液晶が報告されている。この強誘電
性高分子液晶は成膜等の素子化が容易で大面積表示に適
しており、従来の高分子液晶に比較して大幅に応答速度
か向上するもので実用化が期待されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の従来例では、表示方式として電界
制御複屈折効果を用いているために、基板にガラス、ア
モルファスポリマー等の複屈折の極めて小さいものを使
用しなければ、コントラスト等が低下する欠点があった
。

特に１強誘電性病分子液晶の成膜性や強度の良さを生か
して、大′ｍ積化することに適したポリマーフィルムは
複屈折が生じやすく、使用可部な材料が制限されていた
。

本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、大面積表示か可能でフレキシブルな
強誘電性高分子液晶を用いた、コントラストの良好な表
示が得られ、透過光量の大きい高分子液晶素子を提供す
ることを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、互に対向して偏光子と検光子を備え、
その間に設けられた一対の電極を有する基板間に強誘電
性高分子液晶層を挟持してなる高分子液晶素子において
、少なくとも一方の基板か複屈折を有し、かつその基板
の光学主軸が入射する偏光の偏光面から３０〜６０°傾
いていることを特徴とする高分子液晶素子である。

以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明の高分子液晶素子の一例を示す概略図
である。同図において、本発明の高分子液晶素子は、互
に対向して２枚の偏光フィルムからなる偏光子１５と検
光子１１が設けられ、その間に設けられた一対の電極を
有する基板１２．１３間に強誘電性高分子液晶層１４を
挟持してなる高分子液晶素子であって、一対の基板のう
ちの一方の基板１２が複屈折を有し、かつその基板１２
の光学主軸の複屈折主軸１６か入射する偏光の偏光面か
らθ傾いて形成されている。また、同第１図においては
、偏光子１５と検光子１１は９０°の角度をなしてクロ
スニコルの状態にある。このとき強誘電性高分子液晶か
らなる強誘電性高分子液晶層１４を挟持する一対の基板
のうち複屈折性を有する基板１２の複屈折主軸１６か偏
光子１５によって得られる偏光面に対して０傾いている
ことを示しているが、θは３０〜６０’で用いられる。

より好ましくはθは４５’である。

前記の３０〜６０＠の範囲外ではコントラストが低下す
るので好ましくない。

このとき複屈折を有する基板１２のΔｎｔｄ＋および配
向された強誘電性高分子液晶層のΔｎ、ｄ２は下記の関
係で示される範囲で用いられる。この範囲以外ではコン
トラストが低下するので望ましくない。

０．１　μｓ≦Δｎ１ｄ１＋Δｎ１ｄ１≦０．５μｍ［
但し、Δｎ、およびｄ、は基板の複屈折の大きさおよび
厚み（μｌ）を示し、Δｎ２およびｄ２は強誘電性高分
子液晶の複屈折の大きさおよび厚み（弘膳）を示す］ なお、より好ましくは下記の範囲で用いられる。

０．２　μ−≦Δｎ１ｄ１＋　Δｎ２ｄ、≦０．４　　
μｍこのとき配向された強誘電性高分子液晶層の主軸は
、偏光子もしくは検光子の方向と一致していることが望
ましい。

次に、第２図は本発明の高分子液晶素子の他の例を示す
概略図である。互に対向して２枚の偏光フィルムからな
る偏光子２５と検光子２１が設けられ、その間に設けら
れた一対の電極を有する基板２２、２３間に強誘電性高
分子液晶層２４を挟持してなる高分子液晶素子において
、偏光子２５と検光子２１か平行であるバラニコルの状
態にある。このとき強誘電性高分子液晶層２４を挟持す
る基板のうち複屈折性を有する基板２２の複屈折の主軸
２６が偏光子２５によって得られる偏光面に対してθ傾
いていることを示しており、θは３０〜６０”で用いら
れる。

より好ましくは４５°であり、前記範囲外ではコントラ
ストが低下するので好ましくない。このとき、複屈折性
を有する基板２２のΔｎｕｄｔ　［Δｎ、は基板の複屈
折の大きさを示し１ｄ１は厚み（ル鳳）を示す］は下記
の範囲で用いられる。この範囲以外ではコントラストが
低下するので望ましくない。

０．２　　μ鳳≦Δｎ１ｄ１≦０．４　　ｇｖ＊なお、
より好ましくは下記の範囲で用いられる。

０．２１Ｌｍ≦Δｎ１ｄ１≦０　、３５μｍこのとき配
向された強誘電性高分子液晶の主軸は偏光子の方向と一
致しているかもしくは直角であることが望ましい。

第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の高分子液晶素子の一例
を示し、第３図（ａ）は本発明の高分子液晶素子の平面
図、第３図（ｂ）はそのＡＡ’線断面図である。

同第１図において、本発明の高分子液晶素子は、ガラス
板又はプラスチック板などからなる一対の基板１．１’
（少なくとも一方の基板か複屈折を有する）をスペーサ
４で所定の間隔に保持し、この一対の基板ｉ、ｉ’　を
シーリングするために接着剤６で接着したセル構造を有
しており、さらに基板ｌの上には複数の透明電極２から
なる電極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの走査
電圧印加用電極群）が、例えば帯状パターンなどの所定
パターンで形成されそいる。また、基板１′の上には前
述の透明電極２と交差させた複数の透明電極２′からな
る電極群（例えば、マトリクス電極構造のうちの信号電
圧印加用電極群）が形成されている。

この様な透明電極２′を設けた基板１′には、例えば、
−酸化珪素、二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウ
ム、シリコン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物な
どの無機絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド
、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキ
シレリン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチ
レン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂やア
クリル樹脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成した配
向制御膜５を設けることができる。

この配向制御膜５は、前述の如き無機絶縁物質又は有機
絶縁物質を被膜形成した後に、その表面をビロード、布
や紙で一方向に摺擦（ラビング）することによって得ら
れる。

本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯやＳｉＯ□な
との無機絶縁物質を基板１′の上に斜め蒸着法によって
被膜形成することによって配向制御Ｆｆ！１５を得るこ
とができる。

また、別の具体例ではガラス又はプラスチックからなる
基板１′の表面あるいは基板１′の上に前述した無機絶
縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該被膜の表
面を斜方エツチング法によりエツチングすることにより
、その表面に配向制御効果を付与することができる。

前述の配向制御膜５は、同時に絶縁膜としても機能させ
ることが好ましく、このためにこの配向制御！１５の膜
厚は一般に１００人〜Ｉ　μｍ　、好ましくは５００人
〜５０００人の範囲に設定することがてきる。この絶縁
層は強誘電性高分子液晶層３に微量に含有される不純物
等のために生ずる電流の発生を防止できる利点をも有し
ており、従って動作を繰り返し行っても液晶化合物を劣
化させることがない。

また１本発明の高分子液晶素子では前述の配向制御膜５
と同様のものをもう一方の基板１に設けることができる
。７は偏光子、８は検光子を示す。

本発明において用いることのできる強誘電性高分子液晶
としては、カイラルスメクチック相を有していることが
好ましい、さらに好ましくはＳａｃ”相、ＳｍＨ１１相
、Ｓ１８相、Ｓ層Ｊ”相、　ＳｍＧ’相を有しているも
のである。

また、強誘電性高分子液晶としては、主鎖型。

側Ｓ型、主鎖−側鎖型の構造を有しいるものが用いられ
、主鎖型強誘電性高分子液晶としては、ポリエステル系
、ポリエーテル系、ポリアゾメチン系、ポリチオエステ
ル系、ポリチオエーテル系。

ポリシロキサン系、ポリアミド系、ポリイミド系等を用
いることができる。側鎖型強誘電性高分子液晶としては
、ポリメタクリル系、ポリアクリル系、ポリクロロアク
リル系、ポリエーテル系等を用いることができる。

前記、主鎖型、側鎖型、主鎖−側鎖型強誘電性高分子液
晶化合物は単独で用いてもよく、またはそれらの同種あ
るいは異種の型の高分子液晶化合物の２種以上を混合し
ても、もしくは共重合したものを用いてもよい。

次に、本発明において用いることができる強誘電性高分
子液晶のいくつかの具体例を下記に示すが、これらに限
定されるものてはない。

−（−ＣＩｌｔ−ＣＨｈ− 鵞 ｍ≧５．ｎ＝４〜１８ 〔２） 一＋−ｃＩＩｚ−Ｃ１ｌ）、− １２＝　　１〜２．に＝　１〜２．　　ｎ＝４〜１８゜
ｍ≧５ ＋ＣＨ２−Ｃ：１ｌ）＝− ！＝　１〜２．に＝１〜２゜ ｊ＝０またはｌ。

ｎ＝４〜１８゜ ｍ≧５ ｊ＝Ｏまたは１ ｍ≧５ −（−ＣＨ２−ＣＨ３−ｒ− ！　＝ ｌ　Ｓ−２，ｋ＝１〜２゜ ｊ：Ｏまたはｌ。

ｎ＝４〜１８゜ ｍ≧５ 一＋−Ｃ１１□−ＣＨｆ 直 ｘ＝０．１ 〜１．０ ｍ＝４〜１２゜ ｎ≧３ また、 ブレンド等によって強誘電性を発現することが可能な光
学活性高分子液晶も用いることがβ　； １〜２．に＝１〜２゜ ｊ２：０またはｌ。

ｎ＝４〜１８゜ ｍ≧５ できる。

具体的には下記のようなものが挙げられる。

（＠２＝２〜Ｉｓ。

ｘ＋ｙ＝１） ＣＨ。

■ ＦＩ２＝−ＣＨ＊ＣＨ＋ＣＨｔ→− Ｒ４＝　＋　ＣＨｔ→− （ｘ＋ｙ＝１．勧；２〜１５） （ｘ＋ｙ＝ｌ、勧＝２〜１５） （ｘ＋ｙ＝ｌ、勧＝２〜１５） （ｍ、＝１〜５） （■４±１〜３゜ ２＝１〜２０） （膳、；０〜５） （−％＝０〜５） （ｘ＋ｙ＝１） （會％；０〜５） （−、＝ｏ〜５） （ｘ＋ｙ＝１） 本発明においては、＃記強誘電性高分子液晶を単独もし
くは組み合わせることによって用いることができる。

本発明においは１強誘電性高分子液晶層に強誘電性高分
子液晶と低分子液晶を含有する液晶組成物を用いること
ができるが、低分子液晶としては、好ましくは強誘電性
液晶が用いられるが、また強誘電性高分子液晶の特性を
損わない範囲であれば強誘電性液晶でなくてもよい０強
誘電性高分子液晶と低分子液晶の混合物中の低分子液晶
の含有量は４０重量％以下てあり、４０重量％を越える
と膜強度や成膜性が損われるために好まくない。さらに
好しよくは２０重量％以下である。

次に、具体的に用いられる低分子液晶の構造を以下に示
すが、これに限定されるものではない。

Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート　（ＤＯＢＡＭＢＣ）Ｐ−へキシ
ロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロルプロピ
ルシンナメート　（ＩＩＯＢＡｃＰｃ）メチルブチル−
α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ）Ｐ−テト
ラデシロキシベンシリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチル
ブチル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＣ（
：）（２−メチルブチル） エステル Ｐ−才クチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−クロロシンナメート　（ＯＯＢＡＭ
ＢＣＣ）−４′−オクチルアニリン （ＭＢＲＡ オキシビフェニル−４−カルボキシレートＰ−オクチル
オキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチル
−α−メチルシンナメート４−へキシルオキシフェニル
−４−（２”−メチルブチル）ビフェニル−４′−カル
ボキシレート４−（２″−メチルブチル）フェニル−４
−（４’−メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボ
キシレート４−才クチルオキシフェニル−４−（２″−
メチルブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４
−へキシルオキシフェニル−４−（２’−メチルブチル
）ビフェニル−４′−カルボキシレートノンカイラルス
メクチウクを示す液晶化合物の例ａ＝６゜ ｂ＝１２ ４′−ｎ−ノニルオキシ−４−ビフェニリル−４−シア
ノベンゾエート 等吉相→ネマチック→スメクチックＣ ａ＝８゜ ｂ＝１０ （Ｉ−２０） （＋−１８） ４−ｎ−ヘプチルフェニル−４−（４’−ニトロベンゾ
イルオキシ）ベンゾエート　（ＤＢ、Ｎｏ□）等吉相→
ネマチック→スメクチックＡ ４−ｎ−才クチルフェニル−４−（４’−ニトロベンゾ
イルオキシ）ベンゾエート（ＤＢ、Ｎ０３）等吉相→ネ
マチック→スメクチックＡ→スメクチックＣ４−ｎ−デ
シルフェニル−４−（４’−ニトロベンゾイルオキシ）
ベンゾエート（ＤＢ＋ｏＮＯＪ４−ｎ−ノニルオキシフ
ェニル−４−（４’−ニトロベンゾイルオキシ）ベンゾ
エート（ＤＢ９ＯＮＯ□）等吉相÷ネマチック→スメク
チックＡ＋スメクチックＣ等吉相÷ネマチック→スメク
チックＡ＋スメクチックＣトランス−４−（４″−オク
チルオキシベンゾイルオキシ）−４′−シアノスチルベ
ン（Ｔ８）２−（４’−ｎ−ペンチルフェニル）〜５−
（４″−ｎ−ペンチルオキシフェニル）ピリミジン 等吉相→ネマチックラスメクチックＡ１→スメクチック
Ａ２ →ネマチック 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＣ→スメクチッ
クＦ→スメクチックＧ （＋−２７） ＣｓＨｌｌ＋ＮコＣＩＩ＋ＣＩｌ＝　Ｎ＋Ｃ５ＩＩ□４
−ｎ−ペンチルフェニル−４−（４’−シアノベンゾイ
ルオキシ）ベンゾエート（ＤＢ、ＣＮ）テレフタリリデ
ン−ビス−４−ｎ−ペンチルアニリン（ＴＢＰＡ） 等方相→ネマチック→スメクチックＡ 等方相→ネマチック÷スメクチックＡ＋スメクチックＣ
÷スメクチックＦ＋スメクチックＧ→スメクチックＨ（
＋−２８） Ｃ，１１，、＋ＮぺＨ＋Ｃｆ１＝Ｎ＋Ｃ４Ｈ９ｎ−ＣＪ
＊０　＋ＣＩＩ”Ｎ＋ＣａＨｔｔ−ｎＮ−テレフタリリ
デン−ビス−４−ｎ−ブチルアニリン（ＴＵＢＡ） Ｎ−（４’−ｎ−ブチルオキシベンジリデン）−オクチ
ルアニリン（４０８） ４−ｎ 等吉相→ネマチック→スメクチックＡ→スメクチックＣ
÷スメクチックＧ＋スメクチックＨ 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＢ（＋−：１２
） ｎ−ＣａＨｔ：＋ＯＷＣｓＬ：＋−ｎ ＣＡ　ＩＩ　１７０３ＣＮ ４−シアノ−４′−ｎ−オクチルオキシビフェニル（８
０ＣＢ） ４−ｎ−ヘキシル−４′−ｎ−ヘキシルオキシビフェニ
ル 等吉相÷スメクチックＢ＋スメクチックＥ等吉相→ネマ
チック→スメクチックＡ （１−３：１） （１−：１０） エチル−４−アゾベンゾエート ４−ｎ−へキシルオキシフェニル−４’−ｎ−オクチル
オキシビフェニル−４−カルボキシレート等吉相→スメ
クチックＡ 等吉相→ネマチック→スメクチックＡ＋スメクチックＣ
→スメクチックＢ （１−：＋７） ジ−ｎ−オクチル−４゜ シレート ４″−ターフエニルジカルホキ ４−ｎ−へブチルオキシフェニル−４−ｎ−デシルオキ
シベンゾエート 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＣ等吉相→スメ
クチックＡ→スメ々チックＣｎ−へキシル−４′−ｎ−
ペンチルオキシビフェニル−４−カルボキシレート（６
５０８Ｇ）４−ｎ−オクチルオキシベンゾイック・アシ
ッド等吉相→ネマチック→スメクチックＣ 等吉相→スメク・？ツクＡ→スメクチックＢ→スメクチ
ックＥ ４−ｎ−ヘキシル−４′−ｎ−デシルオキソビフェニル
−４−カルボキシレート 等方相→スメクチックＡ→スメクチックＣ前記、強誘電
性高分子液晶及びそ９組成物は配向膜を用いた配向法の
みでなく、下記のような配向法によっても良好な配向が
得られる。分子配列を確実に行うものとしては、−軸延
伸、二軸延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシェ
アリングによる再配列が好ましい、単独ではフィルム性
がなく延伸が困難なものはフィルムにサンドイッチする
ことで共延伸し、望ましい配向を得ることができる。

本発明で用いることのできる複屈折性を有する基板とし
ては、ポリマーフィルムが望ましい。強誘電性高分子液
晶の良好な成膜性や強度及び密着性はポリマーフィルム
と組み合わせることにより、大面植でフレキシブルなデ
イスプレィを提供することか可能となる。

本発明において用いることができる基板の屈折率の異方
性の大きさとしては、１　ｘ　１Ｇ−’〜２×ｌＯ−′
の範囲が好ましい。

次に、基板として用いることかできるポリマーフィルム
には、下記に示すようなものが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

すなわち、低密度ポリエチレンフィルム、高密度ポリエ
チレンフィルム（三井東圧化学　ハイブロン等）、ポリ
プロピレンフィルム（東し　トレファン等）、ポリエス
テルフィルム（アユボンマイラー等）、ポリビニルアル
コールフィルム（日本合成化学工業　ハイセロン！４）
、ポリアミドフィルム（東洋合成フィルム　レイファン
等）、ポリカーボネートフィルム（音大　ティジンパン
ライト等）、ポリイミドフィルム（デュポンＫＡＰＴＯ
Ｎ等）、ポリ塩化ビニルフィルム（三菱樹脂ヒシレック
ス等）、ポリ四ふっ化エチレンフィルム（三井フロロケ
ミカル　テフロン等）、ポリアクリルフィルム（住友ベ
ークライト　スミライト）、ポリスチレンフィルム（旭
タウ　スタイロシート）、ポリ塩化ビニリデンフィルム
（旭タウサランフィルム）、セルロースフィルム、ポリ
フッ化ビニルフィルム（デュポン　テトラ−）等が挙げ
られる。

本発明において、偏光子・検光子としては偏光フィルム
、偏光ビームスプリッタ−等を用いることがてきる。

［作用］ 本発明の高分子液晶素子によれば、互に対向して偏光子
と検光子を備え、その間に設けた電極を有する一対の基
板間に強誘電性高分子液晶層を挟持してなる高分子液晶
素子において、少なくとも一方の基板に複屈折を有する
基板を用い、該基板の光学主軸が入射する偏光の偏光面
から３０〜６０゜傾いていることにより、複屈折の大き
い基板材料を用いても、偏光面の回転を制御することに
よりコントラストの良好な表示を得ることができる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ ｒＴＯ透明電極を設けたガラス基板にポリアミック最の
ＤＭＦ　濱液をスピンコードし、焼成してポリイミド配
向膜を形成した。そのポリイミド配向膜にラビング法に
よって一軸配向性を付与した後。

下記の構造式（１）で表わされる化合物の１５ｗｔ％シ
クロヘキサン溶液をスピンコード法により塗布し、乾燥
して膜厚１．５μ■の強誘電性高分子液晶層を形成した
。この強誘電性高分子液晶を塗布した基板を加熱し等吉
相から徐冷することで一軸配向性サンプルを得た。偏光
顕微鏡によるリターデーション測定からΔｎｄ＝０．２
　μｍであった。

次に、この基板に　ＩＴＯ透明電極を設けた延伸ポリエ
ステルフィルム（偏光顕微鏡によるリターデーション測
定でΔｎｄ＝ｏ’、０７Ｂ）を複屈折の主軸を前記ラビ
ング処理方向から２０°傾けて　１００°Ｃでラミネー
トした。１２０°Ｃから徐冷することで強誘電性高分子
液晶を一軸配向した。

このセルをクロスニコルの位置にある偏光板の間に保持
し、基板の複屈折の主軸が偏光子によって得られる偏光
面から４０°傾くように配向した。

次に、±２０Ｖの電界を印加してコントラストを測定し
たところ、ｌ：３のコントラストが得られた。

（Ｉ） 実施例２ 実施例１と同様にしてガラス基板に強誘電性高分子液晶
からなる表示層を形成した。

次に、この基板にＩＴＯ透明電極を設けた延伸ポリエス
テルフィルム（偏光顕微鏡によるリターデーション測定
でΔｎｄ＝　０．２μｍ　）を複屈折の主軸を前記ラビ
ング処理方向から２０°傾けてラミネートした。１２０
°Ｃから徐冷することで強誘電性高分子液晶を一軸配向
した。

このセルをバラニコルの位置にある偏光板の間に保持し
、基板の複屈折の主軸が偏光子によって得られる偏光面
から４５°傾くように配向した。

次ニ、±２０Ｖの電界を印加してコントラストを測定し
たところ、１：４のコントラストが得られた。

比較例１ 実施例１の高分子液晶素子において、基板の複屈折の主
軸を偏光子によって得られる偏光面から２０′″傾けた
ものでコントラストを測定したところ、１　：　１．５
であった。

比較例２ 実施例２の高分子液晶素子において、基板の複屈折の主
軸を偏光子によって得られる偏光面から７０°傾けたも
のでコントラストを測定したところ、ｌ：２であった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、複屈折を有する
基板を、その基板の光学主軸が入射する偏光の偏光面か
ら３０〜６０°傾けることにより、大面積表示が可能で
フレキシブルな強誘電性高分子液晶を用いた、コントラ
ストの良好な表示が得られ、透過光量の大きい高分子液
晶素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の高分子液晶素子の一例な示す概略図
、第２図は本発明の高分子液晶素子の他の例を示す概略
図および第３図（ａ）は本発明の高分子液晶素子の一例
を示す平面図、第３図（ｂ）はそのＡＡ’線断面図であ
る。 １、　ｌ’　、　１３．２３・・・基板１２、２２・・
・複屈折を有する基板 ２．２′・・・透明電極 ３　、１４．２４−・・強誘電性高分子液晶層４・・・
スペーサ ６・・・接着剤 ７　、１５．２５−・・偏光子 ８、　Ｉｔ、　２１・・・検光子 １６、２６・・・複屈折主軸 Ａ・・・検光方向 Ｂ・・・偏光方向 第３図 トリ涜喪

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）互に対向して偏光子と検光子を備え、その間に設
   けられた一対の電極を有する基板間に強誘電性高分子液
   晶層を挟持してなる高分子液晶素子において、少なくと
   も一方の基板が複屈折を有し、かつその基板の光学主軸
   が入射する偏光の偏光面から３０〜６０°傾いているこ
   とを特徴とする高分子液晶素子。 （２）偏光子と検光子が９０°角度をなして対向して設
   けられ、かつ少なくとも一方の複屈折を有する基板のΔ
   ｎ＿１ｄ＿１および配向された強誘電性高分子液晶層の
   Δｎ＿２ｄ＿２が下記の関係で示される請求項１記載の
   高分子液晶素子。 ０．１μｍ≦Δｎ＿１ｄ＿１＋Δｎ＿２ｄ＿２≦０．５
   μｍ ［但し、Δｎ＿１およびｄ＿１は基板の複屈折の大きさ
   および厚み（μｍ）を示し、Δｎ＿２およびｄ＿２は強
   誘電性高分子液晶の複屈折の大きさおよび厚み（μｍ）
   を示す］ （３）偏光子と検光子が平行となるように対向して設け
   られ、かつ少なくとも一方の複屈折を有する基板のΔｎ
   ＿１ｄ＿１が下記の関係で示される請求項１記載の高分
   子液晶素子。 ０．２μｍ≦Δｎ＿１ｄ＿１≦０．４μｍ ［但し、Δｎ＿１およびｄ＿１は基板の複屈折の大きさ
   および厚み（μｍ）を示す］