JPH0224574A - 半導体比抵抗の微小分布測定法 - Google Patents
半導体比抵抗の微小分布測定法Info
- Publication number
- JPH0224574A JPH0224574A JP17585788A JP17585788A JPH0224574A JP H0224574 A JPH0224574 A JP H0224574A JP 17585788 A JP17585788 A JP 17585788A JP 17585788 A JP17585788 A JP 17585788A JP H0224574 A JPH0224574 A JP H0224574A
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- Japan
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- probe
- electrode
- probes
- semiconductor
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体比抵抗の微小分布測定法に係わるもので
ある。
ある。
［従来技術］
半導体比抵抗の微小分布を測定するため３電極ガード法
と称する測定方法が用いられているが、その方法は次の
ようなものである。
と称する測定方法が用いられているが、その方法は次の
ようなものである。
第３図において、１は半導体ウェハを示し、２はその片
面に、大きさを定め（例えば、直径７０μｍ）、縦横に
一定間隔（例えば１００μｍ）をもって形成されたオー
ミック電極であり、３はこれらオーミック電極２を取り
囲むオーミブクガード電極である。又、４は反対面に一
様に形成されたオーミック電極である。
面に、大きさを定め（例えば、直径７０μｍ）、縦横に
一定間隔（例えば１００μｍ）をもって形成されたオー
ミック電極であり、３はこれらオーミック電極２を取り
囲むオーミブクガード電極である。又、４は反対面に一
様に形成されたオーミック電極である。
測定時には、オーミック電極４を直流電源５に接続し、
直流電源５の負側をアースし、プローブ７は電流計６を
介してアースし、プローブ８はそのままアースし、プロ
ーブ７を電極２と接触させ、またプローブ８をガード電
極３に接触させ、電極２とガード電極３とを同電位に保
持した状態で電流■を測定する。
直流電源５の負側をアースし、プローブ７は電流計６を
介してアースし、プローブ８はそのままアースし、プロ
ーブ７を電極２と接触させ、またプローブ８をガード電
極３に接触させ、電極２とガード電極３とを同電位に保
持した状態で電流■を測定する。
この時、電極ｌの下の微小円筒体の比抵抗ρは次式で表
わされる。
わされる。
但し、「は電極１の半径、ｔはウェハの厚さ、■は印加
電圧、■は電流である。
電圧、■は電流である。
（なお上記方法は、Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐ目−ｅｄ Ｐｈｙｓｌｃｓ、 １ｌｏ１
．２３．Ａｕｇｕｓｔ １９８４．ＰＰ、ＬＧＯ２−Ｌ
ＧＯ５を参り、６） 従って、上記手法により、２木のプローブを使用し、オ
ートプローバーを用いて比抵抗の面内分布をとっていた
。
ｏｆ Ａｐｐ目−ｅｄ Ｐｈｙｓｌｃｓ、 １ｌｏ１
．２３．Ａｕｇｕｓｔ １９８４．ＰＰ、ＬＧＯ２−Ｌ
ＧＯ５を参り、６） 従って、上記手法により、２木のプローブを使用し、オ
ートプローバーを用いて比抵抗の面内分布をとっていた
。
［解決しようとする課題］
しかしながら、例えば４０ｗｍ Ｘ ４０ｍｍの領域内
の面内分布を０．Ｉｍ■ビフチで測定すると４００Ｘ
４００＝ＩＧＯ，０００ポイントの一１定を行う必要が
あり、ウェハの移動も同回数必要であって、時間がかか
りすぎる。
の面内分布を０．Ｉｍ■ビフチで測定すると４００Ｘ
４００＝ＩＧＯ，０００ポイントの一１定を行う必要が
あり、ウェハの移動も同回数必要であって、時間がかか
りすぎる。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記課題を解決する目的でなされたものであっ
て、従来の３端子ガード法によることがｉ１’ｌ ｔＷ
になるが、各ｎ個のプローブを接続したｎチャンネルア
ナログマルチプレクサｍ個からなるｎ×ｍ個のプローブ
の組と１個のアースプローブを使用して半導体比抵抗の
微小分布を測定する方法にある。
て、従来の３端子ガード法によることがｉ１’ｌ ｔＷ
になるが、各ｎ個のプローブを接続したｎチャンネルア
ナログマルチプレクサｍ個からなるｎ×ｍ個のプローブ
の組と１個のアースプローブを使用して半導体比抵抗の
微小分布を測定する方法にある。
以下図面に示す実施例により本発明を説明する。
第１図は本発明で使用するプローブの組の佼式各ｎ個の
プローブＰがｍ個のｎチャンネルアナログマルチプレク
サに接続されていて、ｎ×ｍ個のプローブの組を形成す
る。それとアースプロー１８１本を含めて計ｎ×ｍ＋１
個のプローブよりなる。
プローブＰがｍ個のｎチャンネルアナログマルチプレク
サに接続されていて、ｎ×ｍ個のプローブの組を形成す
る。それとアースプロー１８１本を含めて計ｎ×ｍ＋１
個のプローブよりなる。
電極を囲むガード電極（アース電極）のパターンは第３
図かられかるように全面連続であるので、アースプロー
ブＥは１個でよい。ｎ×ｍ個のプローブＰは、第３図の
電極円形パターンに丁度合うように形成されている。又
、複数のプローブＰはシート、又は板面表裏に突出する
電極として形成される。
図かられかるように全面連続であるので、アースプロー
ブＥは１個でよい。ｎ×ｍ個のプローブＰは、第３図の
電極円形パターンに丁度合うように形成されている。又
、複数のプローブＰはシート、又は板面表裏に突出する
電極として形成される。
第２図は一例として８チヤンネルのアナログマルチプレ
クサを示している。■、２．・・・・・８のインプレッ
ト端子とこれと対応する８個のプローブ７（第３図）と
が接続され、ガード電極３はアースプローブＥと接続さ
れ、また裏側の電極４は電源５を接続して接地接続され
る。
クサを示している。■、２．・・・・・８のインプレッ
ト端子とこれと対応する８個のプローブ７（第３図）と
が接続され、ガード電極３はアースプローブＥと接続さ
れ、また裏側の電極４は電源５を接続して接地接続され
る。
この状態で、コンピュータよりチャンネル選択入力を与
えれば、１〜８チヤンネルのうち一つのチャンネルが付
勢されて、一つのプローブ７に通電を生じ、電流計６で
半導体ウェハ上の一つの位置における抵抗を測定するこ
とができ、チャンネルを切換えることによって対応位置
の抵抗を測定することができ、ｎチャンネルのアナログ
マルチプレクサをｍ個使用すれば、ｎ Ｘ ｍ個の半導
体上の位置で抵抗を測定することができ、比抵抗の分布
が明確になる。
えれば、１〜８チヤンネルのうち一つのチャンネルが付
勢されて、一つのプローブ７に通電を生じ、電流計６で
半導体ウェハ上の一つの位置における抵抗を測定するこ
とができ、チャンネルを切換えることによって対応位置
の抵抗を測定することができ、ｎチャンネルのアナログ
マルチプレクサをｍ個使用すれば、ｎ Ｘ ｍ個の半導
体上の位置で抵抗を測定することができ、比抵抗の分布
が明確になる。
ｎチャンネルのアナログマルチプレクサを用いる場合、
第２図に示すように、電流計６手前で各アナログマルチ
プレクサよりの出力を合流するように接続するので、電
流計は１個で済む。
第２図に示すように、電流計６手前で各アナログマルチ
プレクサよりの出力を合流するように接続するので、電
流計は１個で済む。
本発明によれば、ｎ×ｍ個のポイントをウェハの移動な
しで測定できるので、測定時間が大幅に短縮される。１
ｆｌｌｌ定に堡する時間は実際に電圧を印加して電流を
測定している時間とウェハが移動している時間の合計で
あるが、この移動時間が大幅に短縮される。
しで測定できるので、測定時間が大幅に短縮される。１
ｆｌｌｌ定に堡する時間は実際に電圧を印加して電流を
測定している時間とウェハが移動している時間の合計で
あるが、この移動時間が大幅に短縮される。
［実施例］
ｎ＝８ ｍ＝８のＧ４１１Ｊのプローブとアースプロ
ーブ１体の計６５個のプローブの組を作成し、ウェハ上
８１ｍ Ｘ ３ｓｎの領域を測定した。
ーブ１体の計６５個のプローブの組を作成し、ウェハ上
８１ｍ Ｘ ３ｓｎの領域を測定した。
従来法である２本のプローブの場合は約６５分測定に要
したが、本発明の場合、約１７分と大幅に測定時間が短
縮された。
したが、本発明の場合、約１７分と大幅に測定時間が短
縮された。
［発明の効果コ
以上説明したように、第１図のような（ｎ×ｍ＋１）個
のプローブの組とこれに対応数備えるアナログマルチプ
レクサを使用することにより測定時間を大幅を大幅に短
縮できる。
のプローブの組とこれに対応数備えるアナログマルチプ
レクサを使用することにより測定時間を大幅を大幅に短
縮できる。
第１図は、本発明のプローブ配置の模式図である。
第２図は、アナログマルチプレクサを用いた測定説明図
である。 第３図は３端子ガード法の説明と従来法のプローブ配置
の説明図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・オーミック電極、３・
・・ガード心極、４・・・オーミック電極（ベタ電極）
、５・・・直流電源、 ６・・・電流計、 ７．８・・・プローブ。 夷 図 ｍコのｎギイ／名ル アを口２マルナブレクサヘ 耳 同 半インネル呈ぶ入力
である。 第３図は３端子ガード法の説明と従来法のプローブ配置
の説明図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・オーミック電極、３・
・・ガード心極、４・・・オーミック電極（ベタ電極）
、５・・・直流電源、 ６・・・電流計、 ７．８・・・プローブ。 夷 図 ｍコのｎギイ／名ル アを口２マルナブレクサヘ 耳 同 半インネル呈ぶ入力
Claims (1)
- （１）半導体ウェハの比抵抗の微小分布を測定する３電
極ガード法において、各ｎ個のプローブを接続したｎチ
ャンネルアナログマルチプレクサｍ個からなるｎ×ｍ個
のプローブの組とアースプローブ１個を使用することを
特徴とする半導体比抵抗の微小分布測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17585788A JPH0224574A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体比抵抗の微小分布測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17585788A JPH0224574A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体比抵抗の微小分布測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224574A true JPH0224574A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=16003410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17585788A Pending JPH0224574A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体比抵抗の微小分布測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224574A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5333016A (en) * | 1991-06-07 | 1994-07-26 | Rohm Co., Ltd. | Image display apparatus |
| KR100495873B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2005-06-21 | 주식회사 나우테크 | 면적저항 측정장치 |
| JP2012150033A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nissan Motor Co Ltd | 抵抗測定装置および抵抗測定方法 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17585788A patent/JPH0224574A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5333016A (en) * | 1991-06-07 | 1994-07-26 | Rohm Co., Ltd. | Image display apparatus |
| KR100495873B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2005-06-21 | 주식회사 나우테크 | 면적저항 측정장치 |
| JP2012150033A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nissan Motor Co Ltd | 抵抗測定装置および抵抗測定方法 |
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