JPH02245607A - 有機薄膜のｘ線による膜厚測定法 - Google Patents
有機薄膜のｘ線による膜厚測定法Info
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- JPH02245607A JPH02245607A JP1066929A JP6692989A JPH02245607A JP H02245607 A JPH02245607 A JP H02245607A JP 1066929 A JP1066929 A JP 1066929A JP 6692989 A JP6692989 A JP 6692989A JP H02245607 A JPH02245607 A JP H02245607A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、膜厚測定法、詳しくは、有機薄膜のＸ線によ
る膜厚測定法に間するものである。
る膜厚測定法に間するものである。
近年、様々な電子材料、光材料、磁性材料等を素子化す
る隊の形態としては、種々の微細加工が可能で、複雑な
機能を持たせるための多層化等も容易な、薄膜が広く検
討されている。
る隊の形態としては、種々の微細加工が可能で、複雑な
機能を持たせるための多層化等も容易な、薄膜が広く検
討されている。
薄膜を作製するためには、真空蒸着法、分子線エピタキ
シー法、スパッタリング法、化学気相成長法、ラングミ
ュアー−プロジェット法等が用いられるが、より高性能
な素子を作製するには、いずれの場合も原子・分子レベ
ルでの膜厚の制御が必要である。そのためには、作製途
中の薄膜、あるいは、作製された後の薄膜の正確な膜厚
測定技術の開発は不可欠である。
シー法、スパッタリング法、化学気相成長法、ラングミ
ュアー−プロジェット法等が用いられるが、より高性能
な素子を作製するには、いずれの場合も原子・分子レベ
ルでの膜厚の制御が必要である。そのためには、作製途
中の薄膜、あるいは、作製された後の薄膜の正確な膜厚
測定技術の開発は不可欠である。
従来、膜厚の測定法としては、作製途中の薄膜について
は、水晶振動子法、作製された後の薄膜については、触
針法、エリプソメトリ−法等が知られている。
は、水晶振動子法、作製された後の薄膜については、触
針法、エリプソメトリ−法等が知られている。
従来用いられている膜厚測定法では次のような種々の課
題点があった。
題点があった。
水晶振動子法では、水晶振動子上に付着した薄膜の重量
増分による振動子の周波数変化から膜厚を換算するが、
セ勤子上の薄膜しか測定することができず、しかも振動
子上全体の平均値として求められるため、開所的な膜厚
測定には適さない。
増分による振動子の周波数変化から膜厚を換算するが、
セ勤子上の薄膜しか測定することができず、しかも振動
子上全体の平均値として求められるため、開所的な膜厚
測定には適さない。
また、薄膜にする１ヒ合物の密度等も正確に調べる必要
がある。
がある。
触針法では、圧力をかけた針を試料に接触させ、針先の
変位により膜厚を測定するが、針圧が大きいために試料
を傷つけ易く、柔らかい試料の測定には適さない。
変位により膜厚を測定するが、針圧が大きいために試料
を傷つけ易く、柔らかい試料の測定には適さない。
エリプソメトリ−法は、非接触で膜厚を測定できるが、
用いる光に対する試料の吸光度や屈折率が求められてい
ないと、正確な膜厚を評価で台ない。
用いる光に対する試料の吸光度や屈折率が求められてい
ないと、正確な膜厚を評価で台ない。
上述のように従来法では種々の課題点があるため、薄膜
試料に非接触で、しかも、薄膜の作製中も簡便に薄膜の
膜厚を測定する方法の開発は、現在最も要求されている
ところである。
試料に非接触で、しかも、薄膜の作製中も簡便に薄膜の
膜厚を測定する方法の開発は、現在最も要求されている
ところである。
本発明者は、薄膜試料に非接触で、しかも、薄膜の作製
中も簡便に１膜の膜厚を測定する方法を見い出すべく種
々検討を重ねた結果、本発明に到達したものである。
中も簡便に１膜の膜厚を測定する方法を見い出すべく種
々検討を重ねた結果、本発明に到達したものである。
即ち、本発明は、有機薄膜について、入射角θをもって
Ｘ線を照射し、反射角θの位置でＸ線強度の極大値を求
め、その極大値の角度から膜厚を求めることを特徴とす
る膜厚測定法である。
Ｘ線を照射し、反射角θの位置でＸ線強度の極大値を求
め、その極大値の角度から膜厚を求めることを特徴とす
る膜厚測定法である。
先ず、本発明において最も重要な点は、Ｘ線を用いるこ
とによって、薄膜材料に非接触で、しかも、通常は既に
明らかとなっているＸ線の波長以外には、薄膜材料の物
理定数を用いることなく膜厚を測定できる点である。
とによって、薄膜材料に非接触で、しかも、通常は既に
明らかとなっているＸ線の波長以外には、薄膜材料の物
理定数を用いることなく膜厚を測定できる点である。
また、非接触法であるため、作製途中の薄膜の膜厚も、
薄膜作製装置の外部からＸ線を導入し、回折したＸ線を
検出することにより、測定可能となる。
薄膜作製装置の外部からＸ線を導入し、回折したＸ線を
検出することにより、測定可能となる。
次に本発明に係る膜厚測定法について述べる。
測定には、Ｘ線の入射方向に対して薄膜の平面がなす角
度をθとすると、反射角θの方向、肝ち、Ｘ線の入射方
向に対して２θの角度の方向にＸ線の検出器が位置する
ようなゴニオメータ−機構を持つ、通常の反射Ｘ線回折
を測定するときと同様な装置（以下、膜圧測定装置とい
う）を用いる。
度をθとすると、反射角θの方向、肝ち、Ｘ線の入射方
向に対して２θの角度の方向にＸ線の検出器が位置する
ようなゴニオメータ−機構を持つ、通常の反射Ｘ線回折
を測定するときと同様な装置（以下、膜圧測定装置とい
う）を用いる。
この装置において、θを連続的に掃引し、検出器の角度
２θとＸ線の検出強度との関係で記録を行なう。このと
き、ピークが連続的にいくつか見られるため、この一連
のピークの２０の値を読み取る。このとき、結晶性の薄
膜では、格子の面間隔の寄与によるピークも同時に観測
されるが、これは除外する。ブラッグの反射式 ％式％ （但し、ここで、ｄは膜厚、λはＸｖＡの波長、ｎは任
意の整数である。） から導かれる式 ％式％（１） を用いてｄを算出する。このときの整数ｎとしては、一
連のピークに対して、低角側のピークから連続的に１ず
つ変化させても、ｄの値がいずれのピークに対しても大
きく変化しない数を選び出して代入する。結晶性の薄膜
では、この一連のピークと、格子の面間隔の寄与による
ピークとが重なることもあるため、整数ｎはこれを考慮
して変化させる。このようにして各ピークに対して得ら
れたｄの値を平均、あるいは、統計的重みをつけて平均
することにより膜厚を求めることができる。
２θとＸ線の検出強度との関係で記録を行なう。このと
き、ピークが連続的にいくつか見られるため、この一連
のピークの２０の値を読み取る。このとき、結晶性の薄
膜では、格子の面間隔の寄与によるピークも同時に観測
されるが、これは除外する。ブラッグの反射式 ％式％ （但し、ここで、ｄは膜厚、λはＸｖＡの波長、ｎは任
意の整数である。） から導かれる式 ％式％（１） を用いてｄを算出する。このときの整数ｎとしては、一
連のピークに対して、低角側のピークから連続的に１ず
つ変化させても、ｄの値がいずれのピークに対しても大
きく変化しない数を選び出して代入する。結晶性の薄膜
では、この一連のピークと、格子の面間隔の寄与による
ピークとが重なることもあるため、整数ｎはこれを考慮
して変化させる。このようにして各ピークに対して得ら
れたｄの値を平均、あるいは、統計的重みをつけて平均
することにより膜厚を求めることができる。
次に、実施例により本発明を説明する。
実施例１
純水の水面上に、ポリ（イソブチルメタクリレート）の
クロロホルム溶液を展開し、溶媒を蒸発させたのちに表
面圧を１０ｍＮ／ｍとして、水面上にポリ（イソブチル
メタクリレート）の薄膜を作製する。これをラングミュ
アー−プロジェット法により、表面を疎水性処理したガ
ラス基板上に２０層累積した。
クロロホルム溶液を展開し、溶媒を蒸発させたのちに表
面圧を１０ｍＮ／ｍとして、水面上にポリ（イソブチル
メタクリレート）の薄膜を作製する。これをラングミュ
アー−プロジェット法により、表面を疎水性処理したガ
ラス基板上に２０層累積した。
このガラス基板についた薄膜を、基板ごと膜圧測定装置
に固定し、Ｘ線としてＣｕＫα線（波長λ＝１．５４２
Ａ）を用いて、２θを１０″から１．５°まで連続的に
掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関係で
記録を行なう。このとき、２θが１．８１° ２．２６
６２．２７３．１７° ３．６２°にピークが見られ
た。
に固定し、Ｘ線としてＣｕＫα線（波長λ＝１．５４２
Ａ）を用いて、２θを１０″から１．５°まで連続的に
掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関係で
記録を行なう。このとき、２θが１．８１° ２．２６
６２．２７３．１７° ３．６２°にピークが見られ
た。
それぞれのピークに対する整数ｎを４．５．６．７．８
とし、 （１）式を用いて膜厚ｄを計算するすると、こ
の薄膜の膜厚は１９５Ａと求められた。
とし、 （１）式を用いて膜厚ｄを計算するすると、こ
の薄膜の膜厚は１９５Ａと求められた。
この値は、別途エリプソメトリ−法により求めた１層当
りの膜厚１〇八より算出される２０層分の膜厚２０ＯＡ
とほぼ一致した。
りの膜厚１〇八より算出される２０層分の膜厚２０ＯＡ
とほぼ一致した。
実施例２
実施例１と同様にして、ポリ（イソブチルメタクリレー
ト）の薄膜を、表面を疎水性処理したシリコン基板上に
３０層累積した。
ト）の薄膜を、表面を疎水性処理したシリコン基板上に
３０層累積した。
このシリコン基板についた薄膜を、基板ごと膜圧測定装
置に固定し、Ｘ線としてＣｕ Ｋα線（波長入＝１．５
４２Ａ）を用いて、２θを１０″から１．５°まで連続
的に掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関
係で記録を行なう。このとき、２θが１． ７２”
２． ００’ ２． ２８° ２．５７° ２．８５
° ３． １５” ３゜４２’３．７２° ４．００
° ４．３０°にピークが見られた。それぞれのピーク
に対する整数ｎを６．７．８．９．１０．１１．１２．
１３．１４．１５とし、 （１）式を用いて膜厚ｄを計
算の値を平均すると、この薄膜の膜厚は３０９Ａと求め
られた。この値は、別途エリプソメトリ−法により求め
た１層当りの膜厚１０Ａより算出される３０層分の膜厚
３００Ａとほぼ一致した。
置に固定し、Ｘ線としてＣｕ Ｋα線（波長入＝１．５
４２Ａ）を用いて、２θを１０″から１．５°まで連続
的に掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関
係で記録を行なう。このとき、２θが１． ７２”
２． ００’ ２． ２８° ２．５７° ２．８５
° ３． １５” ３゜４２’３．７２° ４．００
° ４．３０°にピークが見られた。それぞれのピーク
に対する整数ｎを６．７．８．９．１０．１１．１２．
１３．１４．１５とし、 （１）式を用いて膜厚ｄを計
算の値を平均すると、この薄膜の膜厚は３０９Ａと求め
られた。この値は、別途エリプソメトリ−法により求め
た１層当りの膜厚１０Ａより算出される３０層分の膜厚
３００Ａとほぼ一致した。
実施例３
塩化カドミウム４Ｘ１０−’Ｍ、炭酸水素カリウム５Ｘ
１０”５Ｍの水溶液の水面上に、ヘプタコサ−１０，１
２−ジイン酸のクロロホルム溶液を展開し、溶媒を蒸発
させたのちに表面圧を２０ ｍ Ｎ７ｍとして、水面上
にヘプタコサ−１０，１２−ジイン酸カドミウムの薄膜
を作製する。これをラングミュアー−プロジェット法に
より、表面を親水性処理したガラス基板上に１１層累積
した。
１０”５Ｍの水溶液の水面上に、ヘプタコサ−１０，１
２−ジイン酸のクロロホルム溶液を展開し、溶媒を蒸発
させたのちに表面圧を２０ ｍ Ｎ７ｍとして、水面上
にヘプタコサ−１０，１２−ジイン酸カドミウムの薄膜
を作製する。これをラングミュアー−プロジェット法に
より、表面を親水性処理したガラス基板上に１１層累積
した。
このガラス基板についた薄膜を、基板ごと膜圧測定装置
に固定し、Ｘ線としてＣｕＫα線（波長入＝１．５４２
Ａ）を用いて、２θを１０６から１．５°まで連続的に
掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関係で
記録を行なう。このとき、２θが２．９１” ４．３
３６５．８３７．３２６に回折強度が大きなピークが見
られ、 また、 ２θが２．０８° ２．３４’３゜
３７” ３．６６’ ３．９３°には、回折強度が
小さなピークが見られた。回折強度が大きな一連のピー
クに対する整数ｎを２．３．４．５とし、（１）式を用
いてｄを計算すると、それぞれ、６の平均は６１Ａ、ど
なる。この須は、薄膜中の構造の繰り返し単位の層間隔
、！口ち、この場合はヘプタコサ−１０，１２−ジイン
酸カドミウム２層分の厚さに対応する。一方、回折強度
が小さな一連のピークに対する整数ｎを８．９．１３．
１４．１５とし、 （１）式を用いて膜厚ｄを計算する
と、て１０から１２を除いたのは、これらの整数ｎに対
応する回折強度が小さなピークが、整数ｎとして２に対
応する回折強度が大きなピーク（２θが２．９１″のピ
ーク）と重なっているからである。
に固定し、Ｘ線としてＣｕＫα線（波長入＝１．５４２
Ａ）を用いて、２θを１０６から１．５°まで連続的に
掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関係で
記録を行なう。このとき、２θが２．９１” ４．３
３６５．８３７．３２６に回折強度が大きなピークが見
られ、 また、 ２θが２．０８° ２．３４’３゜
３７” ３．６６’ ３．９３°には、回折強度が
小さなピークが見られた。回折強度が大きな一連のピー
クに対する整数ｎを２．３．４．５とし、（１）式を用
いてｄを計算すると、それぞれ、６の平均は６１Ａ、ど
なる。この須は、薄膜中の構造の繰り返し単位の層間隔
、！口ち、この場合はヘプタコサ−１０，１２−ジイン
酸カドミウム２層分の厚さに対応する。一方、回折強度
が小さな一連のピークに対する整数ｎを８．９．１３．
１４．１５とし、 （１）式を用いて膜厚ｄを計算する
と、て１０から１２を除いたのは、これらの整数ｎに対
応する回折強度が小さなピークが、整数ｎとして２に対
応する回折強度が大きなピーク（２θが２．９１″のピ
ーク）と重なっているからである。
求められたｄの値を平均すると、この薄膜の膜厚は３３
９Ａと求められた。この値は、回折強度が大きな一連の
ピークより求められた、ヘプタコサ−１０，１２−ジイ
ン酸カドミウム２層分の厚さ実施例４ 基板温度２５６Ｃのガラス基板上に、真空度ＩＸ １０
−’ｔ、ｏ ｒ ｒにおいて、ステアリン酸カドミウム
を石英製ルツボ中１２０６Ｃで加熱し、真空蒸着した。
９Ａと求められた。この値は、回折強度が大きな一連の
ピークより求められた、ヘプタコサ−１０，１２−ジイ
ン酸カドミウム２層分の厚さ実施例４ 基板温度２５６Ｃのガラス基板上に、真空度ＩＸ １０
−’ｔ、ｏ ｒ ｒにおいて、ステアリン酸カドミウム
を石英製ルツボ中１２０６Ｃで加熱し、真空蒸着した。
このガラス基板についた薄膜を、基板ごと膜圧測定装置
に固定し、Ｘ線としてＣｕＫα線（波長λ＝ｌ、５４２
Ａ）を用いて、２θを１０”から１．５°まで連続的に
掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関係で
記録を行なう。このとき、２θが１．８５’″ ３．
８０’ ５． ６４７．４８° ９．４２°に回折強
度が大きなピークが見られ、また、２θが２．２９°
２゜６０° ２．９８” ４．６０” ４．９２
゜６．３１’には、回折強度が小さなピークが見られた
。回折強度が大きな一連のピークに対する整数ｎを１．
２．３．４．５とし、 （１）式を用いとなる。この値
は、薄膜中の構造の繰り返し単位の層間隔、即ち、この
場合はステアリン酸カドミウム２層分の厚さに対応する
。一方、回折強度が小さな一連のピークに対する整数ｎ
を７．８．９．１２．１３．１４とし、 （１）式を用
いて膜厚６２３７人、２３６Ａ、２３３Ａ、２３３Ａと
求まる。ここで整数ｎの値としてｌＯから１１を除いた
のは、これらの整数ｎに対応する回折強度が小さなピー
クが、整数ｎとして２に対応する回折強度が大きなピー
ク（２θが３．８０°のピーク）と重なっているからで
ある。求められたｄの値を平均すると、この薄膜の膜厚
は２３５Ａと求められた。このＩｌｉは、真空蒸着時に
測定された、水晶撮動子による膜厚計から求められた膜
厚２４０Ａとほぼ一致した。
に固定し、Ｘ線としてＣｕＫα線（波長λ＝ｌ、５４２
Ａ）を用いて、２θを１０”から１．５°まで連続的に
掃引し、検出器の角度２θとＸ線の検出強度との関係で
記録を行なう。このとき、２θが１．８５’″ ３．
８０’ ５． ６４７．４８° ９．４２°に回折強
度が大きなピークが見られ、また、２θが２．２９°
２゜６０° ２．９８” ４．６０” ４．９２
゜６．３１’には、回折強度が小さなピークが見られた
。回折強度が大きな一連のピークに対する整数ｎを１．
２．３．４．５とし、 （１）式を用いとなる。この値
は、薄膜中の構造の繰り返し単位の層間隔、即ち、この
場合はステアリン酸カドミウム２層分の厚さに対応する
。一方、回折強度が小さな一連のピークに対する整数ｎ
を７．８．９．１２．１３．１４とし、 （１）式を用
いて膜厚６２３７人、２３６Ａ、２３３Ａ、２３３Ａと
求まる。ここで整数ｎの値としてｌＯから１１を除いた
のは、これらの整数ｎに対応する回折強度が小さなピー
クが、整数ｎとして２に対応する回折強度が大きなピー
ク（２θが３．８０°のピーク）と重なっているからで
ある。求められたｄの値を平均すると、この薄膜の膜厚
は２３５Ａと求められた。このＩｌｉは、真空蒸着時に
測定された、水晶撮動子による膜厚計から求められた膜
厚２４０Ａとほぼ一致した。
本発明に係る薄膜のＸ線による膜厚測定法は、前出実施
例に示した通り、Ｘ線を用いることによって、薄膜材料
に非接触で、しかも、通常は既に明らかとなっているＸ
線の波長以外には、薄膜材料の物理定数を用いることな
く膜厚を測定することができ、また、非接触法であるた
め、種々の条件下で作製されている薄膜の簡便な膜厚の
測定法として好適である。
例に示した通り、Ｘ線を用いることによって、薄膜材料
に非接触で、しかも、通常は既に明らかとなっているＸ
線の波長以外には、薄膜材料の物理定数を用いることな
く膜厚を測定することができ、また、非接触法であるた
め、種々の条件下で作製されている薄膜の簡便な膜厚の
測定法として好適である。
Claims (1)
- 有機薄膜について、入射角θをもってＸ線を照射し、反
射角θの位置でＸ線強度の極大値を求め、その極大値の
角度から膜厚を求めることを特徴とする膜厚測定法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066929A JPH0754244B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 有機薄膜のｘ線による膜厚測定法 |
| US07/493,322 US5003569A (en) | 1989-03-17 | 1990-03-14 | Method using x-rays to determine thickness of organic films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066929A JPH0754244B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 有機薄膜のｘ線による膜厚測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02245607A true JPH02245607A (ja) | 1990-10-01 |
| JPH0754244B2 JPH0754244B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=13330168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066929A Expired - Lifetime JPH0754244B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 有機薄膜のｘ線による膜厚測定法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5003569A (ja) |
| JP (1) | JPH0754244B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013205037A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 膜厚測定方法 |
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| DE4137673C2 (de) * | 1991-11-15 | 2001-08-02 | Bruker Axs Analytical X Ray Sy | Röntgenreflektometer |
| FR2692700A1 (fr) * | 1992-06-17 | 1993-12-24 | Philips Electronique Lab | Dispositif de traitement d'un signal mesure correspondant à l'intensité de rayons X réfléchie par une structure de couches multiples sur un substrat. |
| US5414747A (en) * | 1993-02-22 | 1995-05-09 | The Penn State Research Foundation | Method and apparatus for in-process analysis of polycrystalline films and coatings by x-ray diffraction |
| US5619548A (en) * | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
| US6040198A (en) * | 1995-11-30 | 2000-03-21 | Fujitsu Limited | Element concentration measuring method and apparatus, and semiconductor device fabrication method and apparatus |
| US5740226A (en) * | 1995-11-30 | 1998-04-14 | Fujitsu Limited | Film thickness measuring and film forming method |
| US6751287B1 (en) | 1998-05-15 | 2004-06-15 | The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology | Method and apparatus for x-ray analysis of particle size (XAPS) |
| US6226348B1 (en) | 1998-12-15 | 2001-05-01 | Philips Electronics North America Corporation | X-ray diffractometer method for determining thickness of multiple non-metallic crystalline layers and fourier transform method |
| US6381303B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray microanalyzer for thin films |
| US6792075B2 (en) | 2002-08-21 | 2004-09-14 | Hypernex, Inc. | Method and apparatus for thin film thickness mapping |
| US7103142B1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-09-05 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Material analysis using multiple X-ray reflectometry models |
| KR20140112230A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-23 | 삼성전자주식회사 | 막의 불균일도 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
Citations (1)
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| JPS6453144A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method for evaluating thin film by fluorescent x-ray analysis |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4426719A (en) * | 1981-02-12 | 1984-01-17 | Yissum Research Development Co. Of The Hebrew University Of Jerusalem | Production of monochromatic x-ray images of x-ray sources and space resolving x-ray spectra |
| KR900008955B1 (ko) * | 1984-05-10 | 1990-12-15 | 가와사끼 세이데쓰 가부시끼 가이샤 | 합금피막의 피막두께 및 조성 측정방법 |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1066929A patent/JPH0754244B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-14 US US07/493,322 patent/US5003569A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2013205037A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 膜厚測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5003569A (en) | 1991-03-26 |
| JPH0754244B2 (ja) | 1995-06-07 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |